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JP2009099765A - Electronic component mounting structure - Google Patents

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JP2009099765A
JP2009099765A JP2007269813A JP2007269813A JP2009099765A JP 2009099765 A JP2009099765 A JP 2009099765A JP 2007269813 A JP2007269813 A JP 2007269813A JP 2007269813 A JP2007269813 A JP 2007269813A JP 2009099765 A JP2009099765 A JP 2009099765A
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Japan
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electronic component
mounting structure
bump electrodes
terminal
bump
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Application number
JP2007269813A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuaki Hashimoto
伸晃 橋元
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】バンプ電極に高さバラツキがある場合でも、複数のバンプ電極と複数の端子とによる複数の接点が全て良好な導電接続状態となる、電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】バンプ電極12を有する電子部品121を、端子11を有する基板111上に実装してなる電子部品の実装構造10である。バンプ電極12と端子11とはそれぞれ複数設けられ、かつ、バンプ電極12と端子11とは互いに対応するものどうしが接合されてなる。複数のバンプ電極12は、内部樹脂13をコアとしてその表面が導電膜14で覆われた構造を有し、かつ、端子11に接合する接合部の高さが異なる少なくとも二つのバンプ電極12a、12bを含む。複数のバンプ電極12は、それぞれの接合部の高さに対応してそれぞれの内部樹脂13が弾性変形することにより、接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子11に接合している。
【選択図】図2
Provided is an electronic component mounting structure in which a plurality of contact points formed by a plurality of bump electrodes and a plurality of terminals are all in an excellent conductive connection state even when the bump electrodes have a height variation.
An electronic component mounting structure is formed by mounting an electronic component having a bump electrode on a substrate having a terminal. A plurality of bump electrodes 12 and terminals 11 are provided, and the bump electrodes 12 and the terminals 11 are joined to each other corresponding to each other. The plurality of bump electrodes 12 have a structure in which the inner resin 13 is used as a core and the surface thereof is covered with a conductive film 14, and at least two bump electrodes 12 a and 12 b having different joint heights to be joined to the terminals 11. including. The plurality of bump electrodes 12 are bonded to the terminals 11 in a state in which the internal resin 13 is elastically deformed corresponding to the height of each bonding portion to absorb variations in the height of the bonding portions. Yes.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、電子部品の実装構造に関する。   The present invention relates to an electronic component mounting structure.

従来、各種の電子機器に搭載される回路基板や液晶表示装置などにおいては、半導体ICなどの電子部品を基板上に実装する技術が用いられている。例えば液晶表示装置には、液晶パネルを駆動するための液晶駆動用ICチップが実装される。この液晶駆動用ICチップは、液晶パネルを構成するガラス基板に直接実装される場合もあり、また、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板(FPC)上に実装される場合もある。前者による実装構造はCOG(Chip On Glass)構造と呼ばれ、後者はCOF(Chip On FPC)構造と呼ばれている。なお、これら実装構造以外にも、例えばガラエポ基板などにICチップを実装するCOB(Chip On board)構造も知られている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in circuit boards and liquid crystal display devices mounted on various electronic devices, a technique for mounting an electronic component such as a semiconductor IC on the substrate is used. For example, a liquid crystal driving IC chip for driving a liquid crystal panel is mounted on the liquid crystal display device. The liquid crystal driving IC chip may be directly mounted on a glass substrate constituting the liquid crystal panel, or may be mounted on a flexible substrate (FPC) mounted on the liquid crystal panel. The former mounting structure is called a COG (Chip On Glass) structure, and the latter is called a COF (Chip On FPC) structure. In addition to these mounting structures, for example, a COB (Chip On board) structure in which an IC chip is mounted on a glass epoxy substrate or the like is also known.

このような実装構造に用いられる基板には、配線パターンに接続するランド(端子)が形成されており、一方、電子部品には、電気的接続を得るためのバンプ電極が形成されている。そして、前記ランドにバンプ電極を接続させた状態で、前記基板上に電子部品を実装することにより、電子部品の実装構造が形成されている。   On the substrate used in such a mounting structure, lands (terminals) connected to the wiring pattern are formed, while on the electronic component, bump electrodes for obtaining electrical connection are formed. The electronic component mounting structure is formed by mounting the electronic component on the substrate in a state where the bump electrode is connected to the land.

ところで、前記の実装構造においては、基板上に電子部品がより強固にかつ確実に接続していることが望まれている。特に、ランドやバンプ電極がそれぞれ複数ずつあり、複数のランド−バンプ電極間をそれぞれ接続させる場合には、全てのランド−バンプ電極間が良好に接続していることが、信頼性を確保するうえで重要となっている。
ところが、一般にランドやバンプ電極は金属によって形成されており、したがって接合時に合わせずれが生じたり、あるいはランドやバンプ電極の位置精度が悪いことによってこれらの間で位置ずれが生じた場合に、これらランドとバンプ電極との間で十分な接合強度が得られず、接触不良(導電不良)を起こしてしまうおそれがあった。
また、例えば電子部品のバンプ電極形成面に凹凸や反りがあったり、バンプ電極に高さバラツキがある場合では、バンプ電極とランドとの間の距離が一定でなくなり、これらバンプ電極とランドとの間で十分な接合強度が得られず、接触不良(導電不良)を起こしてしまうおそれがあった。従来では、電子部品に複数のバンプ電極を形成した場合、これらバンプ電極間で0.5μm程度の高さバラツキが形成されてしまっている。
By the way, in the mounting structure described above, it is desired that electronic components are more firmly and securely connected on the substrate. In particular, when there are a plurality of lands and bump electrodes, and a plurality of lands and bump electrodes are connected to each other, all the lands and bump electrodes are connected well to ensure reliability. It has become important.
However, in general, lands and bump electrodes are made of metal. Therefore, when a misalignment occurs at the time of joining, or when a misalignment occurs between them due to poor position accuracy of the land or bump electrode, these lands and bump electrodes are formed. Insufficient bonding strength is obtained between the bump electrode and the bump electrode, which may cause a contact failure (conductivity failure).
In addition, for example, when the bump electrode forming surface of the electronic component is uneven or warped, or the bump electrode has a height variation, the distance between the bump electrode and the land is not constant. There was a risk that sufficient bonding strength could not be obtained, and contact failure (conductivity failure) was caused. Conventionally, when a plurality of bump electrodes are formed on an electronic component, a height variation of about 0.5 μm is formed between the bump electrodes.

このような不都合を防止するため、従来、台形状断面を有する導体パターンを有し、この導体パターン上に金属導電層を形成するとともに、この金属導電層の表面に多数の凹凸を付与したプリント配線板が提供されている(例えば、特許文献1参照)。
このプリント配線板によれば、前記の金属導電層表面の凹凸によるアンカー効果により、部品実装時に圧力がかかっても、部品(電子部品)の接続電極が基板の電極上を滑ったり、ずれ落ちて傾いたりしないため、実装歩留まりが向上するとされている。
特開2002−261407号公報
Conventionally, in order to prevent such inconvenience, a printed wiring having a conductor pattern having a trapezoidal cross section, forming a metal conductive layer on the conductor pattern, and providing a number of irregularities on the surface of the metal conductive layer A plate is provided (see, for example, Patent Document 1).
According to this printed wiring board, due to the anchor effect due to the unevenness of the surface of the metal conductive layer, the connection electrode of the component (electronic component) slips or falls off the substrate electrode even when pressure is applied during component mounting. It is said that the mounting yield improves because it does not tilt.
JP 2002-261407 A

しかしながら、前記のプリント配線板にあっては、金属導電層表面の凹凸によるアンカー効果により、この金属導電層上に配置される接続電極(バンプ電極)が滑り落ちたりずれ落ちて傾いたりしないようになっているものの、これらの間の接合強度を高め、さらには複数の電極間での接合強度をも高める構造とはなっていない。すなわち、接続電極(バンプ電極)が金属でできているので、接続電極は接続時に塑性変形を起こし、前記のようにランドとバンプ電極間の距離が一定でなくなった場合に弾性変形による距離変化の吸収能力が低いため、これら電極間で十分な接合強度が得られず、依然として接触不良(導電不良)を起こしてしまうおそれがある。
したがって、特にバンプ電極に高さのバラツキがある場合、バンプ電極とランドとの間の距離が一定でなくなり、これらバンプ電極とランドとの間で十分な接合強度が得られず、接触不良(導電不良)を起こしてしまうおそれがあった。
However, in the printed wiring board, the connection electrode (bump electrode) disposed on the metal conductive layer is prevented from slipping or slipping off and tilting due to the anchor effect due to the unevenness on the surface of the metal conductive layer. However, it does not have a structure that increases the bonding strength between them, and further increases the bonding strength between a plurality of electrodes. That is, since the connection electrode (bump electrode) is made of metal, the connection electrode undergoes plastic deformation at the time of connection, and when the distance between the land and the bump electrode becomes non-constant as described above, the distance change due to elastic deformation occurs. Since the absorption capacity is low, sufficient bonding strength between these electrodes cannot be obtained, and contact failure (conductivity failure) may still occur.
Therefore, especially when the bump electrode has a height variation, the distance between the bump electrode and the land is not constant, and sufficient bonding strength cannot be obtained between the bump electrode and the land, resulting in poor contact (conductivity). There was a risk of causing a failure.

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、バンプ電極に高さのバラツキがある場合でも、これら複数のバンプ電極と複数の基板側端子とによる複数の接点が全て良好な導電接続状態となる、電子部品の実装構造を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and the object of the present invention is to provide a plurality of contact points formed by the plurality of bump electrodes and the plurality of substrate-side terminals even when the bump electrodes have variations in height. An object of the present invention is to provide an electronic component mounting structure that is in a good conductive connection state.

本発明の電子部品の実装構造は、バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板上に実装してなる電子部品の実装構造であって、
前記バンプ電極と前記端子とはそれぞれ複数設けられ、かつ、該バンプ電極と端子とは互いに対応するものどうしが接合されてなり、
前記複数のバンプ電極は、内部樹脂をコアとしてその表面が導電膜で覆われた構造を有し、かつ、前記端子に接合する接合部の高さが異なる少なくとも二つのバンプ電極を含み、
前記複数のバンプ電極は、それぞれの接合部の高さに対応してそれぞれの内部樹脂が弾性変形することにより、前記接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ前記端子に接合していることを特徴としている。
The electronic component mounting structure of the present invention is an electronic component mounting structure in which an electronic component having a bump electrode is mounted on a substrate having a terminal,
A plurality of the bump electrodes and the terminals are provided, and the bump electrodes and the terminals are joined together corresponding to each other.
The plurality of bump electrodes include a structure in which an inner resin is used as a core and the surface thereof is covered with a conductive film, and includes at least two bump electrodes having different joint heights to be joined to the terminals,
The plurality of bump electrodes are bonded to the terminals in a state in which variations in the height of the bonding portions are absorbed by elastic deformation of the internal resins corresponding to the heights of the bonding portions. It is characterized by being.

この電子部品の実装構造によれば、バンプ電極は内部樹脂をコアとしているので、基板上の端子に対して加圧されることで容易に押圧されて弾性変形(圧縮変形)状態となる。すると、バンプ電極はその内部樹脂の弾性変形によって基板の端子に対し弾性復元力(反発力)を生じることから、バンプ電極と端子との間の接合強度がより高くなり、導電接続状態の信頼性が向上する。   According to the electronic component mounting structure, since the bump electrode has the internal resin as a core, it is easily pressed and elastically deformed (compressed) by being pressed against the terminal on the substrate. Then, the bump electrode generates an elastic restoring force (repulsive force) on the terminal of the substrate due to the elastic deformation of its internal resin, so that the bonding strength between the bump electrode and the terminal becomes higher, and the reliability of the conductive connection state Will improve.

また、電子部品上にバンプ電極が複数形成されていると、電子部品のバンプ電極形成面に凹凸や反りがあったり、バンプ電極自体に製造バラツキがあることなどで、各バンプ電極の、端子に接合する接合部の高さ(レベル)にバラツキが生じていることがある。すると、高さバラツキのあるバンプ電極間では、それぞれの接合部の、前記端子に対する距離が異なることになる。
そして、このようにバンプ電極間で高さバラツキがある電子部品と、端子を有する基板とを、複数のバンプ電極−端子間でそれぞれ接続させようとすると、これらバンプ電極と端子とは接合前においてその間の距離にバラツキがあることから、全てのバンプ電極−端子間を良好な強度で接続するのが難しくなる。
In addition, when multiple bump electrodes are formed on an electronic component, the bump electrode forming surface of the electronic component has irregularities or warpage, or the bump electrode itself has manufacturing variations. There may be variations in the height (level) of the joints to be joined. As a result, the distances between the joints of the bump electrodes having variations in height are different from the terminals.
Then, when an electronic component having a variation in height between the bump electrodes and the substrate having the terminals are connected to each other between the plurality of bump electrodes and the terminals, the bump electrodes and the terminals are connected to each other before joining. Since there is variation in the distance between them, it becomes difficult to connect all the bump electrodes and terminals with good strength.

しかし、本発明の実装構造によれば、バンプ電極が、それぞれの接合部の高さに対応して、すなわち、該接合部と端子との間の距離に対応してそれぞれ異なる度合いで弾性変形しているので、これらバンプ電極と端子との間の距離のバラツキがバンプ電極の弾性変形によって吸収される。したがって、バンプ電極が、その接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子に接合したものとなり、これによって基板と電子部品とは、バンプ電極に高さ(レベル)バラツキがあるにも拘わらず、これらバンプ電極と端子との間がそれぞれ良好な導電接続状態となる。したがって、この実装構造によれば、各接点(接続部)における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板に対する電子部品の実装強度も向上したものとなる。
さらに、従来であれば、バンプ電極に高さバラツキが生じないよう、バンプ電極の形成面については段差等がない平坦面となるように、電子部品を設計していたが、本発明の実装構造では、前述のようにバンプ電極の高さのバラツキが吸収されるので、バンプ電極形成面に段差があっても支障がなく、したがって、電子部品についての設計自由度が高くなる。
However, according to the mounting structure of the present invention, the bump electrode is elastically deformed at different degrees corresponding to the height of each joint, that is, corresponding to the distance between the joint and the terminal. Therefore, the variation in the distance between the bump electrode and the terminal is absorbed by the elastic deformation of the bump electrode. Therefore, the bump electrode is bonded to the terminal in a state where the variation in the height of the bonding portion is absorbed. As a result, the bump electrode has a height (level) variation in the bump electrode. Regardless, the bump electrodes and the terminals are in a good conductive connection state. Therefore, according to this mounting structure, the reliability of the conductive connection state at each contact point (connection portion) is improved, and the mounting strength of the electronic component on the board is also improved.
Furthermore, in the past, electronic components were designed so that the bump electrode was formed with a flat surface with no steps, etc., so that the bump electrode did not vary in height. Then, since the variation in the height of the bump electrode is absorbed as described above, there is no problem even if there is a step on the bump electrode formation surface, and thus the degree of freedom in designing the electronic component is increased.

また、前記電子部品の実装構造においては、前記基板と前記電子部品とには、前記バンプ電極が弾性変形して前記端子に導電接触している状態を保持する保持手段が備えられているのが好ましい。また、その場合に前記保持手段は、前記バンプ電極と前記端子との導電接触部分の周囲に充填され、硬化されてなる封止樹脂によって構成されているのが好ましい。
保持手段が備えられていることにより、弾性変形してなるバンプ電極と端子との間の導電接触状態がより良好に確保され、バンプ電極の導電膜と端子との間の導電接続状態がより良好になる。また、保持手段が封止樹脂によって構成されていれば、前記導電膜と端子との間の導電接続状態が、長期に亘って良好に保持される。
Further, in the electronic component mounting structure, the substrate and the electronic component are provided with holding means for holding the state in which the bump electrodes are elastically deformed and are in conductive contact with the terminals. preferable. In this case, it is preferable that the holding means is made of a sealing resin that is filled and cured around a conductive contact portion between the bump electrode and the terminal.
By providing the holding means, the conductive contact state between the bump electrode and the terminal that are elastically deformed and the terminal is better secured, and the conductive connection state between the conductive film of the bump electrode and the terminal is better. become. Further, if the holding means is made of a sealing resin, the conductive connection state between the conductive film and the terminal can be held well over a long period of time.

また、前記電子部品の実装構造においては、前記内部樹脂が略半球状または略円錐台状に形成され、前記導電膜は前記内部樹脂の上面を覆って設けられていてもよい。
このようにすれば、バンプ電極はその中心から全ての方向にほぼ同じに湾曲しているので、例えば端子との間でどの方向に位置ずれが生じていても、端子に対してほぼ同じ状態で接合するようになる。したがって、端子との間で安定した導電接続状態が確保される。
In the electronic component mounting structure, the internal resin may be formed in a substantially hemispherical shape or a substantially truncated cone shape, and the conductive film may be provided so as to cover an upper surface of the internal resin.
In this way, the bump electrode is curved in substantially the same direction from the center in all directions, so that, for example, in any direction with respect to the terminal, the position is almost the same with respect to the terminal. Come to join. Therefore, a stable conductive connection state is ensured between the terminals.

また、前記電子部品の実装構造においては、前記内部樹脂が、横断面を略半円形状、略半楕円形状、または略台形状とする略蒲鉾状に形成され、前記導電膜は、前記内部樹脂の前記横断面方向に沿ってその上面部上に帯状に設けられていてもよい。
このようにすれば、内部樹脂の上面上に間隔をおいて導電膜を複数設けることにより、複数のバンプ電極を形成することができ、製造が容易になる。
Further, in the electronic component mounting structure, the internal resin is formed in a substantially bowl shape having a substantially semicircular shape, a semi-elliptical shape, or a substantially trapezoidal cross section, and the conductive film is formed of the internal resin. It may be provided in a strip shape on the upper surface portion along the transverse cross-sectional direction.
In this way, by providing a plurality of conductive films at intervals on the upper surface of the internal resin, a plurality of bump electrodes can be formed, and manufacturing is facilitated.

以下、本発明の電子部品の実装構造を詳しく説明する。
図1は本発明に係る電子部品の実装構造を適用した液晶表示装置を示す模式図である。まず、図1を用いて本発明に係る電子部品の実装構造の適用例を説明する。
図1において符号100は液晶表示装置であり、この液晶表示装置100は、液晶パネル110と、電子部品(液晶駆動用ICチップ)121とを有して構成されている。なお、この液晶表示装置100には、図示しないものの、偏光板、反射シート、バックライト等の付帯部材が、必要に応じて適宜設けられるものとする。
The electronic component mounting structure of the present invention will be described in detail below.
FIG. 1 is a schematic view showing a liquid crystal display device to which an electronic component mounting structure according to the present invention is applied. First, an application example of the electronic component mounting structure according to the present invention will be described with reference to FIG.
In FIG. 1, reference numeral 100 denotes a liquid crystal display device. The liquid crystal display device 100 includes a liquid crystal panel 110 and an electronic component (IC chip for liquid crystal drive) 121. Although not shown, the liquid crystal display device 100 is appropriately provided with incidental members such as a polarizing plate, a reflective sheet, and a backlight as necessary.

液晶パネル110は、ガラスや合成樹脂からなる基板111及び112を備えて構成されたものである。基板111と基板112とは、相互に対向配置され、図示しないシール材などによって相互に貼り合わされている。基板111と基板112の間には、電気光学物質である液晶(図示せず)が封入されている。基板111の内面上には、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電材料からなる電極111aが形成され、基板112の内面上には前記電極111aに対向配置される電極112aが形成されている。   The liquid crystal panel 110 includes substrates 111 and 112 made of glass or synthetic resin. The substrate 111 and the substrate 112 are arranged to face each other and are bonded to each other by a seal material (not shown). A liquid crystal (not shown) that is an electro-optical material is sealed between the substrate 111 and the substrate 112. An electrode 111a made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the inner surface of the substrate 111, and an electrode 112a is formed on the inner surface of the substrate 112 so as to face the electrode 111a.

電極111aは、同じ材質で一体に形成された配線111bに接続されて、基板111に設けられた基板張出部111Tの内面上に引き出されている。基板張出部111Tは、基板111の端部において基板112の外形よりも外側に張り出された部分である。配線111bの一端側は、端子111bxとなっている。電極112aも、同じ材質で一体に形成された配線112bに接続されて、図示しない上下導通部を介して基板111上の配線111cに導電接続されている。この配線111cも、ITOで形成されている。配線111cは基板張出部111T上に引き出され、その一端側は端子111cxとなっている。基板張出部111Tの端縁近傍には入力配線111dが形成されており、その一端側は端子111dxとなっている。該端子111dxは、前記端子111bx及び111cxと対向配置されている。また、入力配線111dの他端側は、入力端子111dyとなっている。   The electrode 111a is connected to the wiring 111b integrally formed of the same material, and is drawn out on the inner surface of the substrate extension portion 111T provided on the substrate 111. The substrate overhanging portion 111T is a portion that protrudes outward from the outer shape of the substrate 112 at the end of the substrate 111. One end of the wiring 111b is a terminal 111bx. The electrode 112a is also connected to the wiring 112b integrally formed of the same material, and is conductively connected to the wiring 111c on the substrate 111 through a vertical conduction portion (not shown). The wiring 111c is also formed of ITO. The wiring 111c is drawn out on the substrate overhanging portion 111T, and one end thereof is a terminal 111cx. An input wiring 111d is formed in the vicinity of the edge of the substrate overhanging portion 111T, and one end thereof is a terminal 111dx. The terminal 111dx is disposed opposite to the terminals 111bx and 111cx. The other end of the input wiring 111d is an input terminal 111dy.

基板張出部111T上には、熱硬化性樹脂からなる封止樹脂122を介して、本発明に係る電子部品121が実装されている。この電子部品121は、例えば液晶パネル110を駆動する液晶駆動用ICチップである。電子部品121の下面には、本発明に係る多数のバンプ電極(図示せず)が形成されており、これらのバンプ電極は、基板張出部111T上の端子111bx,111cx,111dxにそれぞれ導電接続されている。これにより、基板111上に電子部品121が実装されてなる、本発明の実装構造が形成されている。   An electronic component 121 according to the present invention is mounted on the substrate extension 111T via a sealing resin 122 made of a thermosetting resin. The electronic component 121 is, for example, a liquid crystal driving IC chip that drives the liquid crystal panel 110. A large number of bump electrodes (not shown) according to the present invention are formed on the lower surface of the electronic component 121, and these bump electrodes are conductively connected to the terminals 111bx, 111cx, and 111dx on the substrate extension portion 111T, respectively. Has been. Thereby, the mounting structure of the present invention in which the electronic component 121 is mounted on the substrate 111 is formed.

また、基板張出部111T上の前記入力端子111dyの配列領域には、異方性導電膜124を介してフレキシブル配線基板123が実装されている。入力端子111dyは、フレキシブル配線基板123に設けられた、それぞれに対応する配線(図示せず)に導電接続されている。そして、このフレキシブル配線基板123を介して外部から制御信号、映像信号、電源電位などが、入力端子111dyに供給されるようになっている。入力端子111dyに供給された制御信号、映像信号、電源電位などは、電子部品121に入力され、ここで液晶駆動用の駆動信号が生成されて液晶パネル110に供給されるようになっている。フレキシブル基板は、ポリイミドや液晶ポリマー等可撓性を有する有機基板であり、その基板上に銅やアルミニウムで回路パターンおよび端子が形成されていることが多く好ましいが、必ずしもその限りではない。端子部には表面に金メッキが施されていると接続抵抗が安定するので、なお良い。   In addition, a flexible wiring substrate 123 is mounted on the array region of the input terminals 111dy on the substrate extension 111T via an anisotropic conductive film 124. The input terminal 111 dy is conductively connected to wiring (not shown) corresponding to each of the input terminals 111 dy provided on the flexible wiring board 123. A control signal, a video signal, a power supply potential, and the like are supplied to the input terminal 111dy from the outside via the flexible wiring board 123. A control signal, a video signal, a power supply potential, and the like supplied to the input terminal 111dy are input to the electronic component 121, where a drive signal for driving the liquid crystal is generated and supplied to the liquid crystal panel 110. The flexible substrate is a flexible organic substrate such as polyimide or liquid crystal polymer, and a circuit pattern and a terminal are often formed of copper or aluminum on the substrate, but it is not necessarily limited thereto. It is even better if the surface of the terminal portion is gold-plated because the connection resistance is stabilized.

以上のように構成された液晶表示装置100によれば、電子部品121を介して電極111aと電極112aとの間に適宜の電圧が印加されることにより、両電極111a,112aが対向配置される部分に構成される各画素毎に独立して光を変調させることができ、これによって液晶パネル110の表示領域に所望の画像を形成することができる。   According to the liquid crystal display device 100 configured as described above, when an appropriate voltage is applied between the electrode 111a and the electrode 112a via the electronic component 121, the both electrodes 111a and 112a are arranged to face each other. The light can be modulated independently for each pixel included in the portion, whereby a desired image can be formed in the display area of the liquid crystal panel 110.

次に、前記液晶表示装置100に適用された、本発明の電子部品の実装構造の第1実施形態について説明する。
図2は、前記液晶表示装置100における電子部品121の実装構造を拡大して示す要部拡大断面図である。図2において符号11は、基板111上に設けられた前記配線111b、111c、111dのいずれかに設けられた端子、すなわち、前記した端子111bx、111cx,111dxのいずれかを表している。また、符号12は電子部品121に設けられたバンプ電極である。これら基板111と電子部品121との間には、少なくともバンプ電極12と端子11との導電接触部分の周囲を覆って、封止樹脂122が充填配置され、硬化させられている。封止樹脂122は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂であるのが好ましいが、樹脂であればよく、その種類については特に限定されることはない。
Next, a first embodiment of the electronic component mounting structure of the present invention applied to the liquid crystal display device 100 will be described.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing an enlarged mounting structure of the electronic component 121 in the liquid crystal display device 100. In FIG. 2, reference numeral 11 denotes a terminal provided on any of the wirings 111b, 111c, and 111d provided on the substrate 111, that is, any one of the terminals 111bx, 111cx, and 111dx. Reference numeral 12 denotes a bump electrode provided on the electronic component 121. Between the substrate 111 and the electronic component 121, a sealing resin 122 is filled and disposed so as to cover at least the periphery of the conductive contact portion between the bump electrode 12 and the terminal 11, and is cured. The sealing resin 122 is preferably an epoxy resin, an acrylic resin, or a phenol resin, but may be any resin and is not particularly limited.

また、本実施形態では、端子11はアディテイブ法(めっき成長法)で形成されていることにより、比較的膜厚が厚く、したがって高く形成されており、また、その横断面が略台形状になっているものとする。ただし、端子11としては、図3(a)に示すようにエッチング法で形成された横断面が矩形状のものであっても、図3(b)に示すようにスパッタ法で形成された薄膜状のものであっても、さらに、図3(c)に示すように印刷法で形成された略蒲鉾形状のものであってもよい。   Further, in the present embodiment, the terminal 11 is formed by the additive method (plating growth method), so that the film thickness is relatively thick and therefore high, and the cross section thereof is substantially trapezoidal. It shall be. However, as the terminal 11, a thin film formed by sputtering as shown in FIG. 3B, even if the cross section formed by etching as shown in FIG. 3A is rectangular. Further, it may be a substantially bowl-shaped one formed by a printing method as shown in FIG.

また、本発明においては、図2に示したようにバンプ電極12が複数あり、これらバンプ電極12は、そのうちの少なくとも二つが、前記端子11に接合する接合部の高さが異なって形成されている。すなわち、本発明における複数のバンプ電極12は、互いに高さが異なる二つのバンプ電極12a、12bを少なくとも含んでいる。ここで、このようなバンプ12の高さの違い(高さのバラツキ)は、電子部品121のバンプ電極形成面に凹凸や反りなどある場合、つまり電子部品121に起因する場合と、バンプ電極12自体の製造バラツキなどに起因する場合とがある。本発明では、バンプ電極12の高さのバラツキが、いずれに起因する場合も、また両方に起因する場合をも含むものとする。なお、図2に示した本実施形態では、バンプ電極12自体の製造バラツキに起因して、バンプ電極12a、12b間に高さバラツキが生じているものとする。
そして、このような高さの異なるバンプ電極12a、12bは、その接合部の高さバラツキ(違い)を自ら吸収した状態で、それぞれ端子11に接合しているのである。
In the present invention, as shown in FIG. 2, there are a plurality of bump electrodes 12, and at least two of these bump electrodes 12 are formed with different heights of joint portions to be joined to the terminals 11. Yes. That is, the plurality of bump electrodes 12 in the present invention include at least two bump electrodes 12a and 12b having different heights. Here, the height difference (height variation) of the bumps 12 is such that the bump electrode forming surface of the electronic component 121 has unevenness or warpage, that is, the case caused by the electronic component 121 and the bump electrode 12. It may be caused by manufacturing variations of itself. In the present invention, the variation in the height of the bump electrode 12 includes any case or both cases. In the present embodiment shown in FIG. 2, it is assumed that there is a height variation between the bump electrodes 12a and 12b due to the manufacturing variation of the bump electrode 12 itself.
The bump electrodes 12a and 12b having different heights are bonded to the terminals 11 in a state where the height variations (differences) of the bonded portions are absorbed by themselves.

バンプ電極12(12a、12b)は、本実施形態では、図4(a)(b)に示すように、電子部品121上に設けられた略半球状の内部樹脂13をコアとし、その表面が導電膜14で覆われた構造を有したものである。なお、図5(a)(b)に示すように、電子部品121上に設けられた略円錐台状の内部樹脂13をコアとし、その表面が導電膜14で覆われた構造を有したものであってもよい。   In this embodiment, the bump electrode 12 (12a, 12b) has a substantially hemispherical internal resin 13 provided on the electronic component 121 as a core, as shown in FIGS. It has a structure covered with a conductive film 14. As shown in FIGS. 5A and 5B, the substantially frustoconical internal resin 13 provided on the electronic component 121 is used as a core, and the surface thereof is covered with a conductive film 14. It may be.

導電膜14は、図4(b)または図5(b)に示すように、電子部品121の表面部において絶縁膜15の開口部内に露出した電極16に接続・導通し、内部樹脂13上に引き回されたものである。このような構成によって内部樹脂13の表面を覆う導電膜14は、前記電極16に導通し、したがって実質的に電子部品121の電極として機能するものとなっている。なお、導電膜14は、略半球状や略円錐台状の内部樹脂13に対し、その上面全体を覆うことなく、その最頂部を含む部分のみを覆って設けられていてもよい。   As shown in FIG. 4B or FIG. 5B, the conductive film 14 is connected / conductive to the electrode 16 exposed in the opening of the insulating film 15 on the surface of the electronic component 121, and on the internal resin 13. It has been routed. The conductive film 14 covering the surface of the internal resin 13 with such a configuration is electrically connected to the electrode 16, and thus substantially functions as an electrode of the electronic component 121. The conductive film 14 may be provided so as to cover only the portion including the topmost portion without covering the entire upper surface of the inner resin 13 having a substantially hemispherical shape or a substantially truncated cone shape.

内部樹脂13は、感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂からなるもので、具体的には、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等によって形成されたものである。このような樹脂からなる内部樹脂13は、公知のリソグラーフィー技術やエッチング技術、リフロー技術により、前記した略半球状や略円錐台状に形成されている。その際、マスクの合わせずれやリフローの度合いの違いなどにより、その大きさや形状に僅かながらバラツキが生じる。すなわち、略半球状や略円錐台状における底部から最頂部までの高さについて、バラツキが生じてしまう。なお、樹脂の材質(硬度)や形状における細部(高さや幅)については、端子11の形状や大きさ等によって適宜に選択・設計される。   The internal resin 13 is made of a photosensitive insulating resin or a thermosetting insulating resin. Specifically, the internal resin 13 is formed of a polyimide resin, an acrylic resin, a phenol resin, a silicone resin, a silicone-modified polyimide resin, an epoxy resin, or the like. It is. The internal resin 13 made of such a resin is formed into a substantially hemispherical shape or a substantially truncated cone shape by a known lithographic technique, etching technique, or reflow technique. At this time, there is a slight variation in the size and shape of the mask due to misalignment of the mask and the difference in the degree of reflow. That is, the height from the bottom to the top of the substantially hemispherical or substantially truncated cone shape varies. The details (height and width) of the resin material (hardness) and shape are appropriately selected and designed according to the shape and size of the terminal 11.

導電膜14は、Au、TiW、Cu、Cr、Ni、Ti、W、NiV、Al、Pd、鉛フリーハンダ等の金属や合金からなるもので、これら金属(合金)の単層であっても、複数種を積層したものであってもよい。また、このような導電膜14は、スパッタ法等の公知の成膜法で成膜し、その後短冊状や帯状にパターニングしたものであってもよく、無電解メッキによって選択的に形成したものであってもよい。または、スパッタ法や無電解メッキによって下地膜を形成し、その後電解メッキによって下地膜上に上層膜を形成し、これら下地膜と上層膜とからなる積層膜により、導電膜14を形成してもよい。なお、金属(合金)の種類や層構造、膜厚、幅等については、前記内部樹脂13の場合と同様に、端子11の形状や大きさ等によって適宜に選択・設計される。ただし、導電膜14は、端子11の形状に倣って弾性変形することから、特に展延性に優れた金(Au)を用いるのが好ましい。また、積層膜によって導電膜14を形成する場合には、その最外層に金を用いるのが好ましい。さらに、導電膜14の幅については、接合する端子11の幅よりも十分に広く形成しておくのが好ましい。   The conductive film 14 is made of a metal or alloy such as Au, TiW, Cu, Cr, Ni, Ti, W, NiV, Al, Pd, or lead-free solder, and even if it is a single layer of these metals (alloys). In addition, a plurality of types may be laminated. Further, such a conductive film 14 may be formed by a known film formation method such as a sputtering method and then patterned into a strip shape or a strip shape, or may be selectively formed by electroless plating. There may be. Alternatively, a base film may be formed by sputtering or electroless plating, and then an upper layer film may be formed on the base film by electrolytic plating, and the conductive film 14 may be formed by a laminated film including the base film and the upper layer film. Good. Note that the type, layer structure, film thickness, width, and the like of the metal (alloy) are appropriately selected and designed according to the shape and size of the terminal 11 as in the case of the internal resin 13. However, since the conductive film 14 is elastically deformed following the shape of the terminal 11, it is preferable to use gold (Au) having particularly excellent spreadability. Further, when the conductive film 14 is formed of a laminated film, it is preferable to use gold for the outermost layer. Furthermore, the width of the conductive film 14 is preferably formed sufficiently wider than the width of the terminal 11 to be joined.

このように、導電膜14が前記内部樹脂13を覆って設けられることにより、バンプ電極12が形成される。すると、複数の内部樹脂13間では、前記したようにその底部から最頂部までの高さについてバラツキが生じているため、得られる複数のバンプ電極12(12a、12b)間でも、内部樹脂13間の高さバラツキに起因して互いに高さが異なるものとなっている。そして、バンプ電極12はその最頂部を含む部分が端子11との接合部となるため、バンプ電極12(12a、12b)は、内部樹脂13間の高さバラツキに起因して、端子11に接合する接合部の高さが異なったものとなり、すなわち、接合部の高さにバラツキがあるものとなる。   Thus, the bump electrode 12 is formed by providing the conductive film 14 so as to cover the internal resin 13. Then, between the plurality of internal resins 13, as described above, there is a variation in the height from the bottom portion to the topmost portion. Therefore, even between the plurality of obtained bump electrodes 12 (12 a, 12 b), between the internal resins 13. Due to the height variation, the heights are different from each other. And since the part including the top part of the bump electrode 12 becomes a joint part with the terminal 11, the bump electrode 12 (12 a, 12 b) is joined to the terminal 11 due to the height variation between the internal resins 13. Therefore, the heights of the joining portions are different, that is, the heights of the joining portions vary.

図6(a)は電子部品121を基板111に実装する前の状態を示す図であり、図2に対応する要部断面図である。電子部品121と基板111とは、互いのバンプ電極12a、12bと端子11、11とがそれぞれ対向するように位置決めされる。その際、バンプ電極12a、12bには高さバラツキがあるので、これらバンプ電極12a、12bと端子11との間においては、それぞれの接合部間の距離L1、L2が異なっており、すなわちバラツキが生じており、したがって全てのバンプ電極12−端子11間を良好な強度で接続するのが難しくなっている。   FIG. 6A is a diagram showing a state before the electronic component 121 is mounted on the substrate 111, and is a cross-sectional view of the main part corresponding to FIG. The electronic component 121 and the substrate 111 are positioned so that the bump electrodes 12a and 12b and the terminals 11 and 11 face each other. At this time, since the bump electrodes 12a and 12b have a height variation, the distances L1 and L2 between the respective joint portions are different between the bump electrodes 12a and 12b and the terminal 11, that is, the variation is different. Therefore, it is difficult to connect all the bump electrodes 12 and the terminals 11 with good strength.

しかして、本発明ではこのような状態のもとで、電子部品121と基板111とが互いに接合する方向に加圧されることにより、図6(b)に示したようにバンプ電極12a、12bの導電膜14がそれぞれ対応する端子11に接合し、導電接触する。すると、バンプ電極12a、12bは、加圧力に応じてその内部樹脂13が容易に弾性変形(圧縮変形)するので、接合する端子11に当接することでそれぞれ弾性変形(圧縮変形)する。すなわち、内部樹脂13が端子11の上面(接合部)とバンプ電極12a(12b)の接合部との間の距離に対応して、それぞれ異なる度合いで弾性変形することにより、それぞれの導電膜14もそれぞれ異なる度合いで弾性変形し、その状態で端子11に接合する。   Thus, in the present invention, under such a state, the electronic components 121 and the substrate 111 are pressurized in the direction in which they are joined to each other, thereby causing the bump electrodes 12a and 12b to be pressed as shown in FIG. The conductive films 14 are bonded to the corresponding terminals 11 and are in conductive contact. Then, since the internal resin 13 is easily elastically deformed (compressed) according to the applied pressure, each of the bump electrodes 12a and 12b is elastically deformed (compressed) by contacting the terminal 11 to be joined. That is, the internal resin 13 is elastically deformed at different degrees corresponding to the distance between the upper surface (joint part) of the terminal 11 and the joint part of the bump electrode 12a (12b), so that each conductive film 14 is also They are elastically deformed at different degrees and are joined to the terminals 11 in this state.

これにより、バンプ電極12a、12b間に高さバラツキがあり、これらバンプ電極12a、12bと端子11との間の距離にバラツキがあっても、バンプ電極12a、12bがそれぞれの距離に対応して弾性変形することで、前記のバラツキが吸収される。したがって、基板111と電子部品121とは、バンプ電極12a、12bに高さ(レベル)バラツキがあるにも拘わらず、これらバンプ電極12a、12bと端子11との間がそれぞれ良好な導電接続状態となる。   Thereby, there is a height variation between the bump electrodes 12a and 12b, and even if the distance between the bump electrodes 12a and 12b and the terminal 11 varies, the bump electrodes 12a and 12b correspond to the respective distances. The variation is absorbed by elastic deformation. Therefore, the substrate 111 and the electronic component 121 have a good conductive connection state between the bump electrodes 12a and 12b and the terminal 11 even though the bump electrodes 12a and 12b have height (level) variations. Become.

そして、このように導電膜14と端子11とが導電接触した状態で、すなわち、所定の圧力で加圧した状態のもとで、本発明における保持手段としての前記封止樹脂122(図2参照)が基板111と電子部品121との間に充填配置され、硬化させられる。これにより、図2に示した本発明の第1実施形態となる実装構造10が得られる。なお、保持手段としての封止樹脂122については、予め基板111と電子部品121との間に未硬化状態(または半硬化状態)で設けておき、導電膜14と端子11とを導電接触させた後、硬化させてもよく、また、導電膜14と端子11とを導電接触させた後、基板111と電子部品121との間に未硬化の封止樹脂122を充填し、その後硬化させてもよい。   The sealing resin 122 (see FIG. 2) as the holding means in the present invention in such a state that the conductive film 14 and the terminal 11 are in conductive contact, that is, in a state of being pressurized with a predetermined pressure. ) Is filled between the substrate 111 and the electronic component 121 and cured. As a result, the mounting structure 10 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2 is obtained. Note that the sealing resin 122 as the holding unit is provided in an uncured state (or a semi-cured state) between the substrate 111 and the electronic component 121 in advance, and the conductive film 14 and the terminal 11 are brought into conductive contact. After that, the conductive film 14 and the terminal 11 may be conductively contacted, and then the uncured sealing resin 122 is filled between the substrate 111 and the electronic component 121 and then cured. Good.

このようにして形成された本発明の第1実施形態となる実装構造10は、電子部品121が基板111側に相対的に加圧され、これによってバンプ電極12が端子11に当接させられ、さらにその状態で加圧されていることにより、バンプ電極12は、所望の形態に弾性変形(圧縮変形)している。すなわち、バンプ電極12はそのコアとなる内部樹脂13が金属からなる端子11に比べて十分に軟らかいため、加圧されたことで弾性変形し圧縮される。その際、内部樹脂13とその上の導電膜14とは、端子11より幅広に形成されていることから、端子11の外側(側面側)にはみ出し、該端子11の上面全てを覆い、これに接するようになる。   In the mounting structure 10 according to the first embodiment of the present invention formed as described above, the electronic component 121 is relatively pressed toward the substrate 111, whereby the bump electrode 12 is brought into contact with the terminal 11, Further, by being pressurized in this state, the bump electrode 12 is elastically deformed (compressed) into a desired form. That is, the bump resin 12 is sufficiently soft as the internal resin 13 serving as the core thereof is softer than the terminal 11 made of metal, so that it is elastically deformed and compressed by being pressurized. At this time, since the internal resin 13 and the conductive film 14 formed thereon are formed wider than the terminal 11, it protrudes to the outside (side surface side) of the terminal 11 and covers the entire upper surface of the terminal 11. Get in touch.

したがって、この実装構造10によれば、バンプ電極12a、12bがその内部樹脂13の弾性変形によって端子11に対し弾性復元力(反発力)を生じることから、バンプ電極12a、12bと端子11との間の接合強度がより高くなり、導電接続状態の信頼性が向上する。
また、基板111と電子部品121とは、バンプ電極12a、12bに高さ(レベル)バラツキがあるにも拘わらず、このバラツキがバンプ電極12a、12b自身の弾性変形(圧縮変形)によって吸収されていることから、これらバンプ電極12a、12bと端子11との間がそれぞれ良好な導電接続状態となり、したがって、各接点(接続部)における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板111に対する電子部品121の実装強度も向上したものとなる。
Therefore, according to the mounting structure 10, the bump electrodes 12 a and 12 b generate elastic restoring force (repulsive force) with respect to the terminal 11 due to elastic deformation of the internal resin 13. The bonding strength between them becomes higher, and the reliability of the conductive connection state is improved.
In addition, the substrate 111 and the electronic component 121 are absorbed by the elastic deformation (compression deformation) of the bump electrodes 12a and 12b itself even though the bump electrodes 12a and 12b have height (level) variations. Therefore, the bump electrodes 12a and 12b and the terminal 11 are in a good conductive connection state, and therefore, the reliability of the conductive connection state at each contact (connection portion) is improved and the electronic component for the substrate 111 is provided. The mounting strength of 121 is also improved.

図7は、本発明の電子部品の実装構造の第2の実施形態を示す図である。この第2実施形態が図2(b)に示した第1実施形態と異なるところは、バンプ電極12a、12b間の高さバラツキが、バンプ電極12自体の製造バラツキに起因するものでなく、電子部品121の設計(構造)に起因して生じている点である。   FIG. 7 is a view showing a second embodiment of the electronic component mounting structure of the present invention. The difference between the second embodiment and the first embodiment shown in FIG. 2B is that the height variation between the bump electrodes 12a and 12b is not caused by the production variation of the bump electrode 12 itself. This is due to the design (structure) of the part 121.

すなわち、本実施形態の実装構造20において電子部品121には、その表層部に部分的に内部配線25が形成されている。したがって、この電子部品121には、内部配線25が形成されている領域26aと形成されていない領域26bとの間で段差27が形成されている。このような段差27を挟んだ一方の領域26aと他方の領域26bとにそれぞれバンプ電極12が形成されている場合、これらバンプ電極12間に製造バラツキが無くても、電子部品121側に凹凸(段差27)があることから、結果的に領域26a上に形成されたバンプ電極12aと領域26b上に形成されたバンプ電極12bとは、その最頂部(接合部)の高さ(レベル)が異なることとなる。すなわち、バンプ電極12a、12b間には、結果的に高さバラツキが生じていることになる。   That is, in the mounting structure 20 of the present embodiment, the internal wiring 25 is partially formed on the surface layer portion of the electronic component 121. Therefore, in the electronic component 121, a step 27 is formed between the region 26a where the internal wiring 25 is formed and the region 26b where the internal wiring 25 is not formed. When bump electrodes 12 are formed in one region 26a and the other region 26b, respectively, with such a step 27, even if there is no manufacturing variation between the bump electrodes 12, unevenness ( As a result, the bump electrode 12a formed on the region 26a and the bump electrode 12b formed on the region 26b have different heights (levels) at the top (junction). It will be. That is, there is a height variation between the bump electrodes 12a and 12b.

しかして、このようにバンプ電極12a、12b間に高さバラツキがあっても、本実施形態の実装構造20では、第1実施形態の実装構造10同様に、バンプ電極12a、12b自身の弾性変形(圧縮変形)によって前記のバラツキが吸収されていることから、これらバンプ電極12a、12bと端子11との間がそれぞれ良好な導電接続状態となる。したがって、本実施形態の実装構造20にあっても、各接点(接続部)における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板111に対する電子部品121の実装強度も向上したものとなる。   Even if there is a variation in height between the bump electrodes 12a and 12b in this way, the mounting structure 20 of the present embodiment has the elastic deformation of the bump electrodes 12a and 12b itself, as in the mounting structure 10 of the first embodiment. Since the variation is absorbed by (compression deformation), the bump electrodes 12a and 12b and the terminal 11 are in a good conductive connection state. Therefore, even in the mounting structure 20 of the present embodiment, the reliability of the conductive connection state at each contact (connection portion) is improved, and the mounting strength of the electronic component 121 on the substrate 111 is also improved.

また、このように電子部品121の凹凸(段差27)に起因するバンプ電極12a、12b間の高さバラツキも吸収できることから、この実装構造20では、従来に比べ電子部品121についての設計自由度を高くすることができる。すなわち、従来であれば、電子部品の能動面側の表層部に配線等を形成するのは、能動面に段差が形成されてしまってこれがバンプ電極12の高さバラツキの原因となってしまうので避けられていたが、本実施形態の実装構造20では、前述のようにバンプ電極12a、12bの高さのバラツキをこれらバンプ電極12a、12b自身によって吸収するので、能動面側の表層部に段差があっても支障がなく、したがって、能動面側の表層部に配線等を形成するのも十分に許容されるようになる。   In addition, since the height variation between the bump electrodes 12a and 12b due to the unevenness (step 27) of the electronic component 121 can be absorbed in this way, the mounting structure 20 has a higher degree of design freedom for the electronic component 121 than in the past. Can be high. In other words, conventionally, wiring or the like is formed in the surface layer portion on the active surface side of the electronic component because a step is formed on the active surface, which causes the height variation of the bump electrode 12. Although it was avoided, in the mounting structure 20 of the present embodiment, as described above, the bump electrodes 12a and 12b absorb the variations in the height of the bump electrodes 12a and 12b themselves, so that there is a step in the surface layer portion on the active surface side. Even if there is, there will be no hindrance. Therefore, it is sufficiently allowed to form wirings or the like in the surface layer portion on the active surface side.

なお、図7に示したように電子部品121に段差27がある場合、この段差27上にバンプ電極12が配置されていると、このバンプ電極12は、図8に示すようにその最頂部が端子11に対する接合部の中心とならなくなる。しかしながら、前記実施形態では、特に内部樹脂13を略半球状とした場合、接合部の中心が最頂部からずれても、最頂部が中心である場合とほとんど同じ条件で端子11に接合するようになる。よって、端子11との間で安定した導電接続状態が確保される。   When the electronic component 121 has a step 27 as shown in FIG. 7, if the bump electrode 12 is arranged on the step 27, the bump electrode 12 has the topmost portion as shown in FIG. It will not be the center of the joint to the terminal 11 However, in the above-described embodiment, in particular, when the inner resin 13 is substantially hemispherical, even if the center of the joint portion is deviated from the topmost part, it is joined to the terminal 11 under almost the same conditions as when the topmost part is the center. Become. Therefore, a stable conductive connection state with the terminal 11 is ensured.

なお、前記実装構造10、20では、端子11をめっき成長法で形成しているので、端子11は金属微粒子の集合体からなることにより、微視的に見ると端子11の上面(接合面)が凹凸を有する非平滑面となっている。しかしながら、本発明においては、バンプ電極12の内部樹脂13が弾性変形することで、内部樹脂13上の導電膜14が端子11の上面の凹凸形状に倣い、これによって端子11は、その上面が非平滑面となっているにも拘わらず、前記導電膜14に対して全面で接触するようになる。
したがって、このような実装構造10、20では、各接点(接続部)における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板111に対する電子部品121の実装強度も向上する。
In the mounting structures 10 and 20, since the terminal 11 is formed by a plating growth method, the terminal 11 is made of an aggregate of metal fine particles, so that the upper surface (bonding surface) of the terminal 11 when viewed microscopically. Is a non-smooth surface having irregularities. However, in the present invention, the inner resin 13 of the bump electrode 12 is elastically deformed, so that the conductive film 14 on the inner resin 13 follows the uneven shape of the upper surface of the terminal 11, whereby the terminal 11 has a non-upper surface. Despite being a smooth surface, it comes into contact with the conductive film 14 over the entire surface.
Therefore, in such mounting structures 10 and 20, the reliability of the conductive connection state at each contact (connection portion) is improved, and the mounting strength of the electronic component 121 on the substrate 111 is also improved.

なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、前記実施形態では、バンプ電極の構造としては、図2、図4(a)に示したように内部樹脂が略半球状のものでなく、また、図5(a)に示すように略円錐台状のものでなく、図9に示すように、内部樹脂17が略蒲鉾状に形成され、複数の導電膜18が、前記内部樹脂17の横断面方向に沿ってその上面部に帯状に設けられたものであってもよい。ここで、略蒲鉾状とは、電子部品121に接する内面(底面)が平面であり、接しない外面側が湾曲面になっている柱状形状をいう。なお、この略蒲鉾状の内部樹脂17の横断面形状については、略半円形状でもよく、また、略台形状のものであってもよい。このような形状のバンプ電極にあっても、その製造バラツキや下地である電子部品の構造に起因して高さバラツキが生じることがあるが、本発明では、このような高さバラツキがバンプ電極自体によって吸収されるようになっている。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the structure of the bump electrode is not substantially hemispherical as shown in FIGS. 2 and 4A, and is almost as shown in FIG. 5A. As shown in FIG. 9, the inner resin 17 is formed in a substantially bowl shape, and a plurality of conductive films 18 are band-like on the upper surface portion along the transverse cross-sectional direction of the inner resin 17. It may be provided. Here, the substantially bowl-like shape refers to a columnar shape in which the inner surface (bottom surface) in contact with the electronic component 121 is a flat surface, and the outer surface side not in contact is a curved surface. In addition, about the cross-sectional shape of this substantially bowl-shaped internal resin 17, a substantially semicircle shape may be sufficient and the thing of a substantially trapezoid shape may be sufficient. Even in the bump electrode having such a shape, the height variation may occur due to the manufacturing variation and the structure of the underlying electronic component. In the present invention, such a height variation is the bump electrode. It is designed to be absorbed by itself.

また、前記実施形態では、本発明における保持手段として封止樹脂122を用いているが、ネジやクリップ、あるいは嵌合による結合など、各種の機械的圧着手段によって本発明の保持手段を構成してもよい。また、接着剤(樹脂)を用いた場合にも、バンプ電極12と端子11との導電接触部分の周囲に充填配置することなく、例えば電子部品の外周部と基板との間にのみ、選択的に配するようにしてもよい。   In the above embodiment, the sealing resin 122 is used as the holding means in the present invention. However, the holding means of the present invention is configured by various mechanical pressure bonding means such as screws, clips, or coupling by fitting. Also good. Further, even when an adhesive (resin) is used, it is selectively disposed, for example, only between the outer peripheral portion of the electronic component and the substrate without being disposed around the conductive contact portion between the bump electrode 12 and the terminal 11. You may make it distribute to.

また、前記の基板111についても、前記したガラスや合成樹脂からなる基板以外に、リジット基板やシリコン基板、薄厚のセラミックス基板など種々のものが使用可能である。さらに、電子部品としては、液晶駆動用ICチップ以外に各種のICや、ダイオード、トランジスター、発光ダイオード、レーザーダイオード、発信子、コンデンサなどの受動部品など前述したような接続電極(バンプ電極)を有する電子部品であればなんでも構わない。
また、本発明の電子部品の実装構造が適用される装置としては、前記した液晶表示装置だけではなく、有機エレクトロルミネッセンス装置(有機EL装置)や、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置(Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等)など、各種の電気光学装置や各種の電子モジュールに適用可能である。
In addition to the substrate made of glass or synthetic resin, various substrates such as a rigid substrate, a silicon substrate, and a thin ceramic substrate can be used as the substrate 111. In addition to the IC chip for driving the liquid crystal, the electronic component has various ICs and connection electrodes (bump electrodes) as described above, such as passive components such as diodes, transistors, light emitting diodes, laser diodes, oscillators and capacitors. Any electronic component can be used.
Further, devices to which the electronic component mounting structure of the present invention is applied are not limited to the above-described liquid crystal display devices, but also organic electroluminescence devices (organic EL devices), plasma display devices, electrophoretic display devices, electron-emitting devices. It can be applied to various electro-optical devices and various electronic modules, such as devices using a field device (Field Emission Display, Surface-Conduction Electron-Emitter Display, etc.).

本発明が適用された液晶表示装置の構造を模式的に示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows typically the structure of the liquid crystal display device to which this invention was applied. 本発明に係る実装構造の第1実施形態の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of 1st Embodiment of the mounting structure which concerns on this invention. (a)〜(c)は端子の形状を説明するための斜視断面図である。(A)-(c) is a perspective sectional view for demonstrating the shape of a terminal. (a)はバンプ電極の概略構成を示す斜視図、(b)は側断面図である。(A) is a perspective view which shows schematic structure of a bump electrode, (b) is a sectional side view. (a)はバンプ電極の概略構成を示す斜視図、(b)は側断面図である。(A) is a perspective view which shows schematic structure of a bump electrode, (b) is a sectional side view. (a)(b)は第1実施形態の実装構造を説明するための図である。(A) (b) is a figure for demonstrating the mounting structure of 1st Embodiment. 第2実施形態の実装構造を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the mounting structure of 2nd Embodiment. 本発明に係る実装構造の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of the mounting structure which concerns on this invention. 他のバンプ電極の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of another bump electrode.

符号の説明Explanation of symbols

10、20…実装構造(電子部品の実装構造)、11…端子、12、12a、12b…バンプ電極、13、17…内部樹脂、14、18…導電膜、25…内部配線、27…段差、100…液晶表示装置、110…液晶パネル、111…基板、111a,112a…電極、111b、112b、111c…配線、111d…入力配線、111bx、111cx、111dx…端子、121…電子部品(ICチップ)、122…封止樹脂(保持手段)   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 20 ... Mounting structure (electronic component mounting structure), 11 ... Terminal, 12, 12a, 12b ... Bump electrode, 13, 17 ... Internal resin, 14, 18 ... Conductive film, 25 ... Internal wiring, 27 ... Step, DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Liquid crystal display device, 110 ... Liquid crystal panel, 111 ... Board | substrate, 111a, 112a ... Electrode, 111b, 112b, 111c ... Wiring, 111d ... Input wiring, 111bx, 111cx, 111dx ... Terminal, 121 ... Electronic component (IC chip) 122 ... Sealing resin (holding means)

Claims (5)

バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板上に実装してなる電子部品の実装構造であって、
前記バンプ電極と前記端子とはそれぞれ複数設けられ、かつ、該バンプ電極と端子とは互いに対応するものどうしが接合されてなり、
前記複数のバンプ電極は、内部樹脂をコアとしてその表面が導電膜で覆われた構造を有し、かつ、前記端子に接合する接合部の高さが異なる少なくとも二つのバンプ電極を含み、
前記複数のバンプ電極は、それぞれの接合部の高さに対応してそれぞれの内部樹脂が弾性変形することにより、前記接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ前記端子に接合していることを特徴とする電子部品の実装構造。
An electronic component mounting structure in which an electronic component having a bump electrode is mounted on a substrate having a terminal,
A plurality of the bump electrodes and the terminals are provided, and the bump electrodes and the terminals are joined together corresponding to each other.
The plurality of bump electrodes include a structure in which an inner resin is used as a core and the surface thereof is covered with a conductive film, and includes at least two bump electrodes having different joint heights to be joined to the terminals,
The plurality of bump electrodes are bonded to the terminals in a state in which variations in the height of the bonding portions are absorbed by elastic deformation of the internal resins corresponding to the heights of the bonding portions. Electronic component mounting structure characterized by having
前記基板と前記電子部品とには、前記バンプ電極が弾性変形して前記端子に導電接触している状態を保持する保持手段が備えられていることを特徴とする請求項1記載の電子部品の実装構造。   2. The electronic component according to claim 1, wherein the substrate and the electronic component are provided with holding means for holding a state in which the bump electrode is elastically deformed and is in conductive contact with the terminal. Mounting structure. 前記保持手段が、前記バンプ電極と前記端子との導電接触部分の周囲に充填され、硬化されてなる封止樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項2記載の電子部品の実装構造。   3. The electronic component mounting structure according to claim 2, wherein the holding means is made of a sealing resin which is filled and cured around a conductive contact portion between the bump electrode and the terminal. 前記内部樹脂が略半球状または略円錐台状に形成され、前記導電膜は前記内部樹脂の上面を覆って設けられてことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子部品の実装構造。   4. The electron according to claim 1, wherein the inner resin is formed in a substantially hemispherical shape or a substantially truncated cone shape, and the conductive film is provided to cover an upper surface of the inner resin. Component mounting structure. 前記内部樹脂が、横断面を略半円形状、略半楕円形状、または略台形状とする略蒲鉾状に形成され、前記導電膜は、前記内部樹脂の前記横断面方向に沿ってその上面部上に帯状に設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子部品の実装構造。   The internal resin is formed in a substantially bowl shape having a substantially semicircular shape, a substantially semi-elliptical shape, or a substantially trapezoidal cross section, and the conductive film has an upper surface portion along the cross sectional direction of the internal resin. The electronic component mounting structure according to claim 1, wherein the electronic component mounting structure is provided in a band shape.
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