JP2009094108A - ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ｐ型半導体層上に形成されたＴＣＯからなる透明電極と、該透明電極上の一部に形成されたボンディングパッドとを有するＧａＮ系ＬＥＤ素子における、ｐ電極に含まれるメタル膜の光吸収に起因する損失を低減し、更に、この損失の低減されたＧａＮ系ＬＥＤ素子を効率よく製造することのできる、ＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に、蒸着法を用いて第１のＴＣＯ膜を形成する工程と、スパッタリング法を用いて、ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面上から第１のＴＣＯ膜の表面上にかけて連続した、第２のＴＣＯ膜を形成する工程とを有する。第２のＴＣＯ膜の形成と同時に、ｎ型ＧａＮ系半導体層の表面に第３のＴＣＯ膜を形成する。第２のＴＣＯ膜とｐ型ＧａＮ系半導体層との界面上を含む領域に、第２のＴＣＯ膜に接するメタル膜を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＧａＮ系半導体を用いてｐｎ接合型の発光素子構造を形成してなるＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法に関し、特に、ｐ電極とｎ電極とを同一面側に有し、該ｐ電極が、ｐ型半導体層上に形成されたＴＣＯからなる透明電極と、該透明電極上の一部に形成されたボンディングパッドとを有し、該ｎ電極が、ｎ型半導体層上にＴＣＯ膜を介して形成されたボンディングパッドを有するＧａＮ系ＬＥＤ素子の、製造方法に関する。

ＧａＮ系半導体は、化学式Ａｌ_ａＩｎ_ｂＧａ_{１−ａ−ｂ}Ｎ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）で表される化合物半導体であり、３族窒化物半導体、窒化物系半導体などとも呼ばれる。ｐｎ接合型の発光素子構造をＧａＮ系半導体で形成したＧａＮ系ＬＥＤ素子は、緑色〜近紫外の光を発生することが可能であり、これまで、信号機やディスプレイ装置等の用途で実用化されている。

図８は、典型的なＧａＮ系ＬＥＤ素子の構造を示す断面図である。このＧａＮ系ＬＥＤ素子は、サファイア等からなる基板１０１上に、ｎ型ＧａＮ系半導体層１０２を介して、ｐ型ＧａＮ系半導体層１０３を積層してなる積層体構造を備えており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１０３上と、部分的に露出したｎ型ＧａＮ系半導体層１０２上とに、それぞれ、ｐ電極１０４とｎ電極１０５とが形成されている。ｐ電極１０４は、ｐ型ＧａＮ系半導体層１０３とオーミック接触するＴＣＯ膜１０４ａ（透明電極）と、その一部上にボンディングパッドとして形成されたメタル膜１０４ｂとから構成されている。ｎ電極１０５は、ｎ型ＧａＮ系半導体層１０２とオーミック接触するＴＣＯ膜１０５ａと、その上に積層されたメタル膜１０５ｂとから構成されている。メタル膜１０５ｂはボンディングパッドである。

ここで、ＴＣＯとは透明導電性酸化物（Transparent Conductive Oxide）のことであり、典型的には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、酸化インジウム、酸化錫、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム亜鉛酸化物）、酸化亜鉛、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）が例示される。ＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極に汎用されているＴＣＯはＩＴＯである。

図８に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子は、電極に含まれるメタル膜１０４ｂ、１０５ｂが、ＧａＮ系半導体層の表面に直接形成されずに、ＴＣＯ膜を介して形成されていることから、これらのメタル膜による光吸収が抑制されており、そのために比較的高い発光出力を示す。なお、このような電極構造を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子は、特許文献１などに開示されている。
特開２００５−３１７９３１号公報 特開２００１−２１０８６７号公報 特開２００２−２５３４９号公報 ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス，第４４巻，第４Ｂ号，２００５年，第２５２５〜２５２７頁（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．４Ｂ，２００５，ｐｐ．２５２５−２５２７）

図８に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子においては、ｎ型ＧａＮ系半導体層１０２とｐ型ＧａＮ系半導体層１０３の接合界面付近に形成される発光部で発光が生じるが、この発光はｐ電極１０４に含まれるメタル膜１０４ｂの直下の領域でも起こる。しかしながら、ＴＣＯ膜１０４ａ上に形成されているとはいえ、このメタル膜１０４ｂは、その直下の領域で放出される光に対しては強い吸収を示すので、この光の発生に費やされたエネルギーの多くは損失となる。

そこで、本発明は、ｐ電極とｎ電極とを同一面側に有し、該ｐ電極が、ｐ型半導体層上に形成されたＴＣＯからなる透明電極と、該透明電極上の一部に形成されたボンディングパッドとを有し、該ｎ電極が、ｎ型半導体層上にＴＣＯ膜を介して形成されたボンディングパッドを有するＧａＮ系ＬＥＤ素子における、ｐ電極に含まれるメタル膜の光吸収に起因する損失を低減し、更に、この損失の低減されたＧａＮ系ＬＥＤ素子を効率よく製造することのできる、ＬＥＤ素子の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明が提供するＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法は、次の各工程を有する。
（ａ）基板上にｎ型ＧａＮ系半導体層を介してｐ型ＧａＮ系半導体層を積層してなる積層体を準備する工程。
（ｂ）前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に、蒸着法、レーザアブレーション法またはゾルゲル法を用いて、第１のＴＣＯ膜を形成する工程。
（ｃ）前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面の一部が露出するように、前記第１のＴＣＯ膜を所定の形状にパターニングする工程。
（ｄ）スパッタリング法を用いて、前記（ｃ）の工程で露出したｐ型ＧａＮ系半導体層の表面上から前記第１のＴＣＯ膜の表面上にかけて連続した、第２のＴＣＯ膜を形成する工程。
（ｅ）前記第２のＴＣＯ膜と前記ｐ型ＧａＮ系半導体層との界面上を含む領域に、該第２のＴＣＯ膜に接する第１のメタル膜を形成する工程。
（ｆ）エッチングにより前記ｎ型ＧａＮ系半導体層を一部露出させる工程。
（ｇ）前記（ｆ）工程で露出させたｎ型ＧａＮ系半導体層の表面に、スパッタリング法を用いて、第３のＴＣＯ膜を形成する工程。
（ｈ）前記第３のＴＣＯ膜上に第２のメタル膜を形成する工程。

上記（ｄ）工程と（ｇ）工程とを同時に行うことにより、換言すれば、第２のＴＣＯ膜と第３のＴＣＯ膜とを同時に形成することにより、工程数が削減され、製造効率が高くなる。好ましくは、上記（ｅ）工程と（ｈ）工程も同時に行う、すなわち、第１のメタル膜と第２のメタル膜とを同時に形成することによって、工程数を更に削減することができる。なお、上記（ｄ）工程と（ｇ）工程とを同時に行うためには、（ｄ）工程の前に（ｆ）工程を完了させておかなくてはならないことは、いうまでもない。

図１は、本発明が提供するＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法により製造される、ＧａＮ系ＬＥＤ素子の一構造例を示す断面図である。このＧａＮ系ＬＥＤ素子は、基板１１上に、ｎ型ＧａＮ系半導体層１２を介して、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３を積層してなる積層体構造を備えており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３上と、部分的に露出したｎ型ＧａＮ系半導体層１２上とに、それぞれ、ｐ電極１４とｎ電極１５とが形成されている。ｐ電極１４は、ＴＣＯからなる透明電極１４ａと、その一部上にボンディングパッドとして形成されたメタル膜１４ｂとから構成されている。透明電極１４ａは、更に、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３とオーミック接触する第１のＴＣＯ膜１４ａ−１と、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３の表面上から第１のＴＣＯ膜１４ａ−１の表面上にかけて連続するように形成された第２のＴＣＯ膜１４ａ−２と、から構成されている。ｎ電極１５は、ｎ型ＧａＮ系半導体層１２とオーミック接触するＴＣＯ膜１５ａと、その上に積層されたメタル膜１５ｂとから構成されている。メタル膜１５ｂはボンディングパッドである。

図１に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造工程を説明する。

（ａ）工程では、図２に断面図を示すような、基板上１１にｎ型ＧａＮ系半導体層１２を介してｐ型ＧａＮ系半導体層１３を積層してなる積層体を準備する。この積層体はエピウェハであってよいが、限定されるものではない。

（ｂ）工程では、図３に断面図を示すように、（ａ）工程で準備した積層体の、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３上に、第１のＴＣＯ膜１４ａ−１を形成する。この第１のＴＣＯ膜１４ａ−１膜は、蒸着法、レーザアブレーション法およびゾルゲル法から選ばれる方法を用いて形成することにより、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３との間の接触抵抗の低い、良好なオーミック電極となる（特許文献２）。

（ｃ）工程では、図４に断面図を示すように、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３の表面の一部が露出するように、第１のＴＣＯ膜１４ａ−１を所定の形状にパターニングする。このパターニングは、周知のフォトリソグラフィおよびエッチング技法を用いて行うことができる。

（ｃ）工程の次に、（ｆ）工程として、図５に断面図を示すように、エッチングによりｎ型ＧａＮ系半導体層１２の一部を露出させる。

次に、（ｄ）工程と（ｇ）工程を同時に行う。すなわち、図６に断面図を示すように、（ｃ）工程で露出させたｐ型ＧａＮ系半導体層１３の表面上から第１のＴＣＯ膜１４ａ−１の表面上にかけて連続する第２のＴＣＯ膜１４ａ−２の形成と、（ｆ）工程で露出させたｎ型ＧａＮ系半導体層１２の表面上への第３のＴＣＯ膜１５ａの形成とを、スパッタリング法を用いて同時に行う。ＴＣＯ膜を所定の部位のみに形成するには、リフトオフ法を用いればよい。スパッタリング法で成膜することにより、第２のＴＣＯ膜１４ａ−２とｐ型ＧａＮ系半導体層１３との間の接触抵抗は、第１のＴＣＯ膜１４ａ−１とｐ型ＧａＮ系半導体層１３との間の接触抵抗よりも高くなる。恐らくは、プラズマのエネルギーやスパッタ粒子の衝撃などの作用で、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３の表面が損傷を受け、それによって生じる欠陥によりｐ型キャリアが不活性化されるために、第２のＴＣＯ膜１４ａ−２との接合部近傍において、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３中のｐ型キャリア密度が低下するためではないかと推測される。一方、ｎ型ＧａＮ系半導体の表面に設ける電極は、スパッタリング法を用いて形成することによって接触抵抗の高いものとなることはない。

次に、（ｅ）工程と（ｈ）工程を同時に行う。すなわち、図７に断面図を示すように、第２のＴＣＯ膜１４ａ−２とｐ型ＧａＮ系半導体層１３との界面（破線で囲んだ部分）上を含む領域に、第２のＴＣＯ膜１４ａ−２に接する第１のメタル膜１４ｂを形成すると同時に、第３のＴＣＯ膜１５ａ上に第２のメタル膜１５ｂを形成する。好ましくは、第２のＴＣＯ膜１４ａ−２と第３のＴＣＯ膜１５ａを同時形成する際に用いたリフトオフ用のマスクを除去することなく、第１のメタル膜１４ｂおよび第２のメタル膜１５ｂとするためのメタル膜の形成を行い、その後で、該マスクをリフトオフすることによって、ＴＣＯ膜とメタル膜のパターニングをいちどに行なう。

ｐ電極１４とｎ電極１５の形成が完了したら、この分野で通常用いられている方法を用いて、ウェハ上に形成されたＧａＮ系ＬＥＤ素子を切り離し、チップ化する。なお、ウェハを切断する前に、ｎ型ＧａＮ系半導体層１２、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３、ＴＣＯ膜１４ａが露出した部分を、酸化ケイ素などの金属酸化物からなる透明な絶縁保護膜で被覆してもよい。

上記の製造方法を用いて製造されることにより、図１に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子は次のような好ましい特徴を備えたものとなる。
（イ）第１のメタル膜１４ｂの直下での発光が抑制されることにより、エネルギーの損失が軽減されるので、発光効率が高い。なぜなら、第１のメタル膜１４ｂは、第２のＴＣＯ膜１４ａ−２とｐ型ＧａＮ系半導体層１３との界面上を含む領域に形成されるが、この界面の下方では弱い発光しか起こらないからである。そうなる理由は、透明電極１４ａからｐ型ＧａＮ系半導体層１３に流れる電流が、主として、接触抵抗が相対的に低い、第１のＴＣＯ膜１４ａ−１とｐ型ＧａＮ系半導体層１３との界面を通して流れることによる。
（ロ）第１のメタル膜１４ｂおよび第２のメタル膜１５ｂの裏面の光反射性が良好であるために、発光効率が高い。これは、メタル膜の下地となる、第２のＴＣＯ膜１４ａ−２と第３のＴＣＯ膜１５ａが、スパッタリング法で形成することにより、表面平滑性の高いものとなるからである。ＩＴＯ膜において、電子ビーム蒸着法により成膜したものよりも、スパッタリング法により成膜したものの方が、表面が平滑となることはよく知られている（特許文献３）。第２のＴＣＯ膜１４ａ−２と第３のＴＣＯ膜１５ａの材料に、ＩＺＯのような非晶質膜（多結晶質膜よりも表面平坦性が良好となる）を形成するＴＣＯを用いた場合には、更に顕著な効果が得られる。

本発明の製造方法によれば、ｐ電極に含まれるメタル膜の光吸収に起因する損失の低減されたＧａＮ系ＬＥＤ素子を、効率よく製造することができる。

以下に、図１に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子の具体的な一製造例を説明する。

直径２インチのＣ面サファイア基板１１を準備し、その上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、ｎ型ＧａＮ系半導体層１２とｐ型ＧａＮ系半導体層１３を順次形成して、エピウェハを得る。ｎ型ＧａＮ系半導体層１２を形成する前には、サファイア基板１１の表面にＧａＮ、ＡｌＧａＮまたはＡｌＮからなるバッファ層を形成する。ｎ型ＧａＮ系半導体層１２中には、サファイア基板１１側から順に、膜厚４μｍのアンドープＧａＮ層、Ｓｉ濃度５×１０^１８ｃｍ^−３のＳｉ添加ＧａＮからなる膜厚５μｍのｎ型コンタクト層、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ交互積層膜からなるＭＱＷ構造の活性層を設ける。ｐ型ＧａＮ系半導体層１３中には、前記活性層側から順に、Ｍｇ濃度約８×１０^１９ｃｍ^−３のＭｇ添加Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎからなるｐ型クラッド層、Ｍｇ濃度約８×１０^１９ｃｍ^−３のＭｇ添加Ａｌ_０．０２Ｇａ_０．９８Ｎからなるｐ型コンタクト層を設ける。必要に応じて、得られたエピウェハを不活性ガス雰囲気中でアニーリングして、ｐ型層に不純物として添加したＭｇの活性化を促進させる。

次に、ｐ型コンタクト層の表面に、第１のＴＣＯ膜１４ａ−１として、膜厚０．２μｍ〜１μｍのＩＴＯ膜を電子ビーム蒸着法により形成する。形成後、フォトリソグラフィ技法を用いて、このＩＴＯ膜を所定形状にパターニングする。

ところで、通常の電子ビーム蒸着法で形成したＩＴＯ膜は、多結晶構造に由来する微細な凹凸を表面に有するものとなる。エピ面（ＧａＮ系半導体層が形成された側の面）が発光観測面となるようにＬＥＤ素子を実装する場合、このＩＴＯ膜の表面の凹凸は好ましく作用する。すなわち、ＬＥＤ素子の内部で発生する光を、発光観測面側に放射され易くする働きをする。その反対に、サファイア面が発光観測面となるようにＬＥＤ素子を実装（フリップチップ実装）する場合には、このＩＴＯ膜の表面の凹凸は好ましくない働きをする。そこで、サファイア面を発光観測面として用いるＧａＮ系ＬＥＤ素子の場合には、エピ面側から光が放射され難くするために、ＩＴＯ膜の表面をポリッシング（好ましくはＣＭＰ）により平滑化することが好ましい。その場合、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）などを用いて測定される、平滑化後のＩＴＯ膜表面の算術平均粗さＲａを５ｎｍ以下とすることが好ましく、１ｎｍ以下とすることがより好ましい。この平滑化処理は、ＩＴＯ膜をパターニングする前に行うことが望ましい。

一方、エピ面を発光観測面として用いるＧａＮ系ＬＥＤ素子の場合には、ＩＴＯ膜の表面から放射される光の強度を高めるために、該表面をエッチングなどの方法で更に荒らしてもよい。ＩＴＯ膜は、塩酸を接触させると、結晶粒界が速くエッチングされるために、表面が荒れた状態となる。ＩＴＯ膜の表面を荒らす他の方法として、膜表面上に金属やポリマーの微粒子を付着させ、この微粒子をエッチングマスクに用いるドライエッチング処理を施す方法が挙げられる。この方法でＩＴＯ膜の表面を荒らす具体的な手順については、例えば、非特許文献１を参照することができる。なお、ＩＴＯ膜の表面を荒らすための処理は、ＩＴＯ膜をパターニングした後で行なうことが望ましい。

第１のＴＣＯ膜１４ａ−１として形成したＩＴＯ膜のパターニング後、エピウェハの表面にリフトオフのためのマスクを形成する。このマスクには、ｐ型ＧａＮ系半導体層１３上およびｎ型ＧａＮ系半導体層１２の露出面上の所定の位置に、所定形状の開口部を設ける。そのうえで、第２のＴＣＯ膜１４ａ−２および第３のＴＣＯ膜１５ａとするためのＩＴＯ膜を、スパッタリング法を用いて、０．１μｍ〜０．５μｍの膜厚に形成する。更に、続けて、このＩＴＯ膜上に、第１のメタル膜１４ｂおよび第２のメタル膜１５ｂとするためのメタル膜を形成する。このメタル膜の材料は特に限定されないが、好ましくは、少なくともＴＣＯ膜に接する部分を、白金族（Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）などを用いて形成する。メタル膜の裏面側には、光反射率の良好な金属であるＡｌ、Ａｇまたは白金族元素を主成分として構成した反射層を設けることが好ましい。かかる反射層を設ける場合、メタル膜とＴＣＯ膜との間の接着力が低下しないように、該反射層とＴＣＯ膜との間に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔｉ−Ｗなどからなる透光性の薄膜を挟んでもよい。この薄膜は、膜厚が２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下、更に好ましくは５ｎｍ以下となるように形成する。外部電極との接続が容易となるように、メタル膜の表層は、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｓｎ（錫）、Ｉｎ（インジウム）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）などで形成することが好ましい。メタル膜の膜厚は、例えば、０．２μｍ〜１０μｍとすることができるが、好ましくは、０．５μｍ〜２μｍである。メタル膜の形成には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などを用いることができる。

メタル膜の形成後、マスクをリフトオフすることにより、第２のＴＣＯ膜１４ａ−２と第１のメタル膜１４ｂとからなる積層体、および、第３のＴＣＯ膜１５ａと第２のメタル膜１５ｂとからなる積層体が、所定の位置に、所定の形状に形成された構造が得られる。ＴＣＯ膜およびメタル膜には、必要に応じて熱処理を施してもよい。電極形成の完了後、第１のメタル膜１４ｂおよび第２のメタル膜１５ｂの表面を除くエピウェハの表面（エピ面）上に、プラズマＣＶＤ法を用いて酸化ケイ素からなる絶縁保護膜を形成する。最後に、スクライバを用いてエピウェハを切断し、ＬＥＤ素子をチップ状に切り離す。

本発明は、本明細書に明示的に記載した実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を損なわない範囲内で、種々の変形が可能である。

本発明の製造方法により製造されるＧａＮ系ＬＥＤ素子の構造例を示す断面図である。 本発明の製造方法に含まれる工程を説明するための断面図である。 本発明の製造方法に含まれる工程を説明するための断面図である。 本発明の製造方法に含まれる工程を説明するための断面図である。 本発明の製造方法に含まれる工程を説明するための断面図である。 本発明の製造方法に含まれる工程を説明するための断面図である。 本発明の製造方法に含まれる工程を説明するための断面図である。 典型的なＧａＮ系ＬＥＤ素子の構造を示す断面図である。

符号の説明

１１ 基板
１２ ｎ型ＧａＮ系半導体層
１３ ｐ型ＧａＮ系半導体層
１４ ｐ電極
１４ａ 透明電極
１４ａ−１ 第１のＴＣＯ膜
１４ａ−２ 第２のＴＣＯ膜
１４ｂ 第１のメタル膜
１５ ｎ電極
１５ａ 第３のＴＣＯ膜
１５ｂ 第２のメタル膜

Claims (4)

1. ｐ電極とｎ電極とを同一面側に有し、該ｐ電極が、ｐ型半導体層上に形成されたＴＣＯからなる透明電極と、該透明電極上の一部に形成されたボンディングパッドとを有し、該ｎ電極が、ｎ型半導体層上にＴＣＯ膜を介して形成されたボンディングパッドを有するＧａＮ系ＬＥＤ素子の、製造方法であって、
   （ａ）基板上にｎ型ＧａＮ系半導体層を介してｐ型ＧａＮ系半導体層を積層してなる積層体を準備する工程と、
   （ｂ）前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に、蒸着法、レーザアブレーション法またはゾルゲル法を用いて、第１のＴＣＯ膜を形成する工程と、
   （ｃ）前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面の一部が露出するように、前記第１のＴＣＯ膜を所定の形状にパターニングする工程と、
   （ｄ）スパッタリング法を用いて、前記（ｃ）工程で露出したｐ型ＧａＮ系半導体層の表面上から前記第１のＴＣＯ膜の表面上にかけて連続した、第２のＴＣＯ膜を形成する工程と、
   （ｅ）前記第２のＴＣＯ膜と前記ｐ型ＧａＮ系半導体層との界面上を含む領域に、該第２のＴＣＯ膜に接する第１のメタル膜を形成する工程と、
   （ｆ）エッチングにより前記ｎ型ＧａＮ系半導体層を一部露出させる工程と、
   （ｇ）前記（ｆ）工程で露出させたｎ型ＧａＮ系半導体層の表面に、スパッタリング法を用いて、第３のＴＣＯ膜を形成する工程と、
   （ｈ）前記第３のＴＣＯ膜上に第２のメタル膜を形成する工程と、
   を有し、
   前記（ｄ）工程と前記（ｇ）工程とを同時に行う、ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法。
2. 前記（ｅ）工程と前記（ｈ）工程とを同時に行う、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記（ｂ）工程と前記（ｄ）工程との間に、前記第１のＴＣＯ膜の表面を荒らす工程を有する、請求項１または２に記載の製造方法。
4. 前記（ｂ）工程と前記（ｄ）工程との間に、前記第１のＴＣＯ膜の表面を平滑化する工程を有する、請求項１または２に記載の製造方法。
   

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