JP2009086015A - マスクレス露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 調整が容易で、エネルギー効率に優れるマスクレス露光装置を提供すること。
【解決手段】 1辺の長さがpのマイクロミラー21を互いに隙間gを隔てて列方向にm個、列方向に直角な行方向にn個並べて配置した長方形の空間光変調器をステージ4が移動するY方向に対して角度θ傾けて配置しておき、第1の空間光変調器2Aに配置されたY方向のマイクロミラー21の数が露光に必要な重ね回数kに満たない不完全領域に、Y方向に対して角度θ傾けた第2の空間光変調器2Bの当該不完全領域を、第1の空間光変調器2Aと第2の空間光変調器2BのY方向のマイクロミラー21の数の和sが露光に必要な重ね回数kを超えるようにして、第2の空間光変調器2Bを第1の空間光変調器2Aに対して前記Y方向と直角なX方向に位置決めする。
【選択図】図2
【解決手段】 1辺の長さがpのマイクロミラー21を互いに隙間gを隔てて列方向にm個、列方向に直角な行方向にn個並べて配置した長方形の空間光変調器をステージ4が移動するY方向に対して角度θ傾けて配置しておき、第1の空間光変調器2Aに配置されたY方向のマイクロミラー21の数が露光に必要な重ね回数kに満たない不完全領域に、Y方向に対して角度θ傾けた第2の空間光変調器2Bの当該不完全領域を、第1の空間光変調器2Aと第2の空間光変調器2BのY方向のマイクロミラー21の数の和sが露光に必要な重ね回数kを超えるようにして、第2の空間光変調器2Bを第1の空間光変調器2Aに対して前記Y方向と直角なX方向に位置決めする。
【選択図】図2
Description
本発明は、空間光変調器のマイクロミラーをオンオフすることによりプリント基板等のワーク上にパターンを描画するマスクレス露光装置に関するものである。
図4は従来のマスクレス露光装置の構成図である。
LDアレー1には、半導体レーザ11が2次元に配列されている。半導体レーザ11から出力されたレーザ光はシリンドリカルレンズアレイ100により光の断面を円形に整形され、集光レンズ12によりそれぞれが平行光としてインテグレータ13に入射する。インテグレータ13を透過した光は、コンデンサレンズ14を通り、ミラー15で反射して空間光変調器(DMD)2を照射する。空間光変調器2には1辺の長さがpのマイクロミラー21が互いに隙間gを隔てて列方向にm個、列方向に直角な行方向にn個並べて配置されており、外形は長方形である。マイクロミラー21は個々にオンオフ制御される。マイクロミラー21で反射されたレーザ光は投影レンズ3を介してワーク5表面に入射する。モータ161により回転駆動されるディフューザ16はレーザ光の波面を変化させる変調器であり、干渉縞の発生を防止する。制御回路6は、半導体レーザ11、モータ161、総てのマイクロミラー21およびステージ4を制御する。
LDアレー1には、半導体レーザ11が2次元に配列されている。半導体レーザ11から出力されたレーザ光はシリンドリカルレンズアレイ100により光の断面を円形に整形され、集光レンズ12によりそれぞれが平行光としてインテグレータ13に入射する。インテグレータ13を透過した光は、コンデンサレンズ14を通り、ミラー15で反射して空間光変調器(DMD)2を照射する。空間光変調器2には1辺の長さがpのマイクロミラー21が互いに隙間gを隔てて列方向にm個、列方向に直角な行方向にn個並べて配置されており、外形は長方形である。マイクロミラー21は個々にオンオフ制御される。マイクロミラー21で反射されたレーザ光は投影レンズ3を介してワーク5表面に入射する。モータ161により回転駆動されるディフューザ16はレーザ光の波面を変化させる変調器であり、干渉縞の発生を防止する。制御回路6は、半導体レーザ11、モータ161、総てのマイクロミラー21およびステージ4を制御する。
以上の構成であるから、空間光変調器2にレーザ光を照射すると共にステージ4をY方向に移動させ、マイクロミラーを個々にオンオフ制御してマイクロミラーで反射されたレーザ光をステージ4上のワーク5の表面に入射させることによりワーク5に所望のパターンを描画することができる(特許文献1)。
ところで、現在入手できる空間光変調器には、1辺の長さpが16μm程度の正方形のマイクロミラー21が列方向にm個、列方向と直角な行方向にn個が、それぞれ並べて配置されている。連続した露光を行なうためには隣接するマイクロミラー21間の隙間g(gは1μm程度である。)の影響を排除しなければならない。さらに、分解能を向上させるためには描画間隔を短くする必要がある。そこで、空間光変調器2をY方向に対して角度θ傾けて配置する。また、通常、1個の空間光変調器で描画できる範囲はワーク上の露光領域の幅に比べて小さいので、複数の空間光変調器をX方向に並べておく。なお、空間光変調器2が長方形である場合、空間光変調器2がX軸に対する傾きもθである。
次に、DMD2をY軸に対して傾ける角度θについて説明する。
露光結果を均一にするため、通常は露光しようとする位置を複数のミラー21で露光させる。例えば、ミラー21が縦方向にN行配列されたDMD2を用い、重なりポイント数をkとすると、DMD2をワーク6の移動方向に対して角度θ、ただし、θ=tan−1(k/N)だけ傾ける。
ところで、市販のDMDに配置されているミラーMの数は、例えば、列方向がm=1024個、行方向がn=768個である。したがって、列方向をX軸と平行に配置したとしても、1個のDMDで露光できる幅は16mm程度である。そこで、複数のDMDをX方向に並べて配置することによりスキャン回数(Y軸方向の移動回数)を減らして作業能率を向上させている。
次に、DMDの並べ方について説明する。
図5は、従来のDMD2の並べ方の説明図であり、2つのDMD2の隣接部を模式的に示している。なお、ここでは、点で示すマイクロミラー21は行方向に6個(すなわち6行)であり、重なりポイント数kを2とする。
図5は、従来のDMD2の並べ方の説明図であり、2つのDMD2の隣接部を模式的に示している。なお、ここでは、点で示すマイクロミラー21は行方向に6個(すなわち6行)であり、重なりポイント数kを2とする。
図示のように、DMD2A端部のX座標がD、E、FであるY方向と平行な露光ラインD、E、Fにおいてはマイクロミラー21が1個しか存在しないので、1回しか露光できない。そこで、DMD2Bの端部の露光ラインaが露光ラインDの延長線上すなわち同軸に、露光ラインbが露光ラインEと同軸に、露光ラインcが露光ラインFと同軸に、それぞれ配置されるようにしてDMD2BをX方向に配置する。なお、DMD2AとDMD2BとをY方向にずらせているのは、それぞれの枠の部分がマイクロミラー21の1辺の長さpよりも十分大きいため、接近して配置することができないためである。以下、空間光変調器において、Y方向(露光ライン方向)のマイクロミラー21の数が露光に必要な重ね回数kを満たす領域を「完全領域」といい、露光ライン方向のマイクロミラー21の数が露光に必要な重ね回数kに満たない領域を「不完全領域」という。
ムラの無い露光を行なうためには、露光面に対して均一に光を照射する必要がある。そこで、従来は、ワーク5の表面に入射するレーザ光の光量を照度計やフォトダイオード等を用いて測定し、光量が予め定められた範囲内に収まるように、個々の半導体レーザ11に供給する電流値や、LDアレー1から結像光学系にいたる光学部品の位置や角度等を調整していた。
なお、露光に用いるマイクロミラーの数を減らしたり、マイクロミラーのオン時間を減らすことにより、光量を最も小さいものに合わせて、ワークに入射させる光量を均一化する技術もある(特許文献2)。
特開2004−039871
特開2005−203697
しかし、上記特許文献1の技術の場合、2つの空間光変調器で露光する部分の光量を均一化するため、光学部品等の位置調整に多大な時間を要していた。
また、上記特許文献2の技術の場合、光量を能率良く均一化できるが、エネルギー効率が悪くなった。また、複数の空間光変調器をX方向に揃える具体的な方法に関しては開示されていない。
本発明の目的は、上記課題を解決し、調整が容易で、エネルギー効率に優れるマスクレス露光装置を提供するにある。
図6は、従来の露光ラインと光量との関係を示す図であり、横軸がX方向の位置、縦軸が光量である。
本発明者は、2つの空間光変調器で露光する部分の光量調整が面倒であるのは、同図に示すように、空間光変調器の両端付近に供給される光量が中央部に比べて少ないことが原因であることを見出した。この結果に基づき、本発明は、1辺の長さがpのマイクロミラーを互いに隙間gを隔てて列方向にm個、列方向に直角な行方向にn個並べて配置した長方形の空間光変調器をステージが移動するY方向に対して角度θ傾けて配置しておき、前記空間光変調器に光を照射すると共に前記ステージを移動させ、前記マイクロミラーを個々にオンオフ制御して前記マイクロミラーで反射された光を前記ステージ上のワークの表面に入射させることにより前記ワークに所望のパターンを描画するようにしたマスクレス露光装置において、第1の前記空間光変調器に配置されたY方向の前記マイクロミラーの数が露光に必要な重ね回数kに満たない不完全領域に、Y方向に対して角度θ傾けた第2の前記空間光変調器の当該不完全領域を、Y方向の前記第1と第2の前記空間光変調器の前記マイクロミラーの数の和sが露光に必要な重ね回数kを超えるようにして、第2の前記空間光変調器を第1の前記空間光変調器に対して前記Y方向と直角なX方向に位置決めすることを特徴とする。
半導体レーザ等の光源から出力されたレーザ光のエネルギを有効に活用できるので、加工能率を向上させることができる。また、ワークに供給する光量の均一化が容易になるので、調整時間を短縮することができる。
図1は本発明に係るマスクレス露光装置の構成図であり、図4と同じものまたは同一機能のものは同一の符号を付して重複する説明を省略する。
コントローラユニット60は露光するパターンの描画データを、ドライバ回路65に出力する。ドライバ回路65は与られたデータを変換しDMD2に制御データ信号(個々のマイクロミラー21に対するオン・オフ信号である。)を出力する。そして、DMD2に入射した光の内、オン状態のマイクロミラー21で反射された光は投影光学系に入射し、オフ状態のマイクロミラー21に入射した光は投影光学系の外側に反射される。マイクロミラー21の反射光が光学系により個々のスポットに整形をされ、ステージ4上のワーク5に照射される。ステージ4は、コントローラユニット60からの指令により移動制御装置80により精密に位置制御される。
コントローラユニット60はシーケンス制御部60a、描画データ制御部60b、位置制御部60c、補正値計算部60dを備え、マスクレス露光装置の一連の動作制御、DMD2の制御、ステージ4の位置制御、画像処理装置70、光学カメラ75からの入力に基づく補正制御を行なう。
図2は、本発明におけるDMD2の並べ方の説明図であり、DMD2A、DMD2Bは上記図4の場合と同じものである。また、重なりポイント数kを2とする。
本発明では、DMD2の端部における重なりポイント数kを指定された値よりも大きくなるようにする。すなわち、図示のように、DMD2Bの露光ラインdがDMD2Aの露光ラインDと同軸に、DMD2Bの露光ラインeがDMD2Aの露光ラインEと同軸に、DMD2Bの露光ラインfがDMD2Aの露光ラインFと同軸に、それぞれ配置されるようにしてDMD2BをX方向に配置する。この場合、露光ラインD、E、Fにおいては重なりポイント数kが3になる。なお、上記の配置に伴って、露光ラインA、B、Cにおける重なりポイント数kも3になる。
次に、本発明の露光手順を説明する。
露光に先立ち、マイクロミラー21を総てオンにした状態の露光エリア内各点の光量を露光ライン毎に積算する。そして、X方向に隣接する2個のDMD2端部の光量が重なりポイント数2よりも大きい場合は、以下のようにする。すなわち、例えば、露光ラインAにおける光量が、完全領域内の露光ラインの場合の1.5倍であれば、3個のマイクロミラー21のうちの1個をオンさせないようにする。あるいは、この3個のマイクロミラー21総てのオン時間を他のマイクロミラー21のオン時間の2/3とする。
以上で、露光ライン毎の光量が揃えられたので、以下、従来と同様に露光する。総ての露光ラインの光量がほぼ同じ大きさになっているので、露光ムラはほとんど発生しない。この場合、重なりポイント数kが他よりも多くなっているDMD2の隣接部だけのマイクロミラー21の光量を制限するだけなので、エネルギロスは僅かである。
なお、ここでは、重なりポイントkが2である場合について説明したが、通常、重なりポイントkは5〜10であるので、例えば、不完全領域における光量を所望の光量の10〜20%の大きさで調整することができる。
図3は、本発明における露光ラインと光量との関係を示す図であり、(a)は光量測定直後を、(b)は光量調整後を、(c)は比較のために示す従来の場合である。
同図に示すように、第1の空間光変調器の不完全領域と第2の空間光変調器の不完全領域で構成する露光ラインに含まれるマイクロミラー21の数を完全領域における重なりポイントの数よりも大きくする結果、この領域の光量は完全領域の光量よりも大きくなる。しかし、当該領域内の露光ラインにおける光量が、完全領域内の露光ラインとほぼ同様になるように、マイクロミラー21のうちのいくつかをオンさせないようにしたり、あるいは、マイクロミラー21総てのオン時間を調整することにより、光量を他とほぼ同じ大きさに揃えることができる。
2A 第1の空間光変調器
2B 第2の空間光変調器
4 ステージ
21 マイクロミラー
Y ステージの移動方向(露光ライン方向)
θ 空間光変調器2A、2BのY方向に対する角度
2B 第2の空間光変調器
4 ステージ
21 マイクロミラー
Y ステージの移動方向(露光ライン方向)
θ 空間光変調器2A、2BのY方向に対する角度
Claims (3)
- 1辺の長さがpのマイクロミラーを互いに隙間gを隔てて列方向にm個、列方向に直角な行方向にn個並べて配置した長方形の空間光変調器をステージが移動するY方向に対して角度θ傾けて配置しておき、前記空間光変調器に光を照射すると共に前記ステージを移動させ、前記マイクロミラーを個々にオンオフ制御して前記マイクロミラーで反射された光を前記ステージ上のワークの表面に入射させることにより前記ワークに所望のパターンを描画するようにしたマスクレス露光装置において、
第1の前記空間光変調器に配置されたY方向の前記マイクロミラーの数が露光に必要な重ね回数kに満たない不完全領域に、Y方向に対して角度θ傾けた第2の前記空間光変調器の当該不完全領域を、第1と第2の前記空間光変調器のY方向の前記マイクロミラーの数の和sが露光に必要な重ね回数kを超えるようにして、第2の前記空間光変調器を第1の前記空間光変調器に対して前記Y方向と直角なX方向に位置決めすることを特徴とするマスクレス露光装置。 - 予め前記不完全領域における前記マイクロミラーが総てオンである場合の光量を露光ライン毎に測定しておき、測定された光量が、前記空間光変調器に配置されたY方向の前記マイクロミラーの数が露光に必要な重ね回数kを満たす完全領域における露光ラインの光量の許容範囲を超える場合は、前記不完全領域内の前記露光ライン上のオンにしない前記マイクロミラーを定めておくことを特徴とする請求項1に記載のマスクレス露光装置。
- 予め前記不完全領域における前記マイクロミラーが総てオンである場合の光量を露光ライン毎に測定しておき、測定された光量が、前記空間光変調器に配置されたY方向の前記マイクロミラーの数が露光に必要な重ね回数kを満たす完全領域における露光ラインの光量rのq倍(ただし、q>r)である場合は、前記不完全領域内の描画時における当該露光ライン上の前記マイクロミラーのオン時間を前記完全領域内の前記露光ライン上のマイクロミラーのオン時間のr/qとすることを特徴とする請求項1に記載のマスクレス露光装置。
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