JP2009085795A - Method for measuring reflectivity or transmittance of electromagnetic waves at high temperatures - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、高温の試料に電磁波を照射し、試料で反射された電磁波または試料を透過した電磁波を検出して試料の高温における電磁波の反射率または透過率を測定する方法に関する。 The present invention relates to a method for measuring the reflectance or transmittance of an electromagnetic wave at a high temperature of a sample by irradiating the sample with a high temperature with an electromagnetic wave, detecting the electromagnetic wave reflected by the sample or transmitted through the sample.
近年、地球温暖化や省エネルギー対策として、工業炉や焼却炉等からの放熱を抑えるために、これらの熱源から炉体へ伝わる熱を遮断することが非常に重要になっている。工業炉や焼却炉には断熱のために断熱材が使用されているが、その断熱性能の評価として、熱伝導率の他に、高温での電磁波の反射特性が注目されつつある。 In recent years, as a measure against global warming and energy saving, it is very important to block heat transmitted from these heat sources to the furnace body in order to suppress heat radiation from industrial furnaces, incinerators, and the like. Insulation materials are used for heat insulation in industrial furnaces and incinerators, and as a result of evaluation of the heat insulation performance, in addition to thermal conductivity, reflection characteristics of electromagnetic waves at high temperatures are attracting attention.
物体の高温での電磁波の反射率は、これまで、図9に示す構成の測定装置を用いて測定している(非特許文献1参照)。図示される測定装置において、加熱炉30の底部中心には窓31が開口しており、炉内には、この窓31に対向して試料取付台32が配設されている。試料取付台32は水平移動が可能であり、電磁波の反射率が100%に近く、電磁波の反射率の値が既知である標準物質40と、試料41とが並んで装着されている。また、加熱炉30の下方には、電磁波照射装置33と電磁波検出装置34とが対向して配設されており、更に窓31の中心部直下には、図示されるように、電磁波照射装置33から照射された電磁波を窓31を通じて試料取付台32へと導く第1の反射板35aと、標準試料40または試料41で反射され、窓31を通過した電磁波を電磁波検出装置34に導く第2の反射板35bとが配設されている。
Until now, the reflectance of electromagnetic waves at high temperatures of an object has been measured using a measuring apparatus having the configuration shown in FIG. 9 (see Non-Patent Document 1). In the illustrated measuring apparatus, a
測定は、加熱炉30を加熱して標準試料40及び試料41を所定温度(T℃)とする。次いで、標準試料40を測定位置に移動した後、電磁波照射装置33から電磁波を照射して標準試料40で反射させ、反射した電磁波を電磁波検出装置34で検出してその受信強度を測定する。引き続き、試料41を測定位置まで水平移動させて、同条件にて電磁波照射を行い、受信強度を測定する。そして、標準試料40の受信強度と試料41による受信強度から、次式から試料41のT℃における電磁波反射率を算出する。
試料の受信強度
試料のT℃における電磁波反射率(%)= ―――――――――――×100
標準試料の受信強度
In the measurement, the
Receiving intensity of sample Electromagnetic wave reflectivity (%) of sample at T ℃ = ――――――――――― × 100
Standard sample reception intensity
上記の測定方法では、標準試料40が必要である。しかし、標準試料40の電磁波反射率は100%ではないため、試料41の電磁波反射率も相対値として求めるため真の値ではない。しかも、標準試料40は、繰り返し使用されるため、測定の度に高温に晒されて経時的に劣化して反射率が変化する可能性もある。また、高温になるほど標準試料として使用できる材料が少なくなり、測定温度は1000℃程度が限界である。
In the above measuring method, the
また、上記の測定方法では、標準試料40や試料41への電磁波の入射角度が固定されている。しかし、実際は、断熱材には電磁波が様々な方向から入射するため、ある特定の入射角度に対する反射率だけでは反射特性の評価は不十分といえる。例えば、ある角度で入射する電磁波に対して反射率が高くても、別の角度で入射する電磁波に対して反射率が低く、即ち透過率が高くなり、それが原因で断熱性能が低下している可能性もあるが、上記の測定方法では入射角度が一定であるため知見できない。また、表面に微小凹凸がある場合には電磁波は種々の方向に反射することが考えられるが、上記の測定方法では検出可能な反射角度も固定されているため、実際の反射特性を評価しているとは言い難い。
In the above measurement method, the incident angle of the electromagnetic wave on the
加熱炉30の窓31の数を増やし、電磁波を入出射させることも考えられるが、炉内の熱的安定性を維持する観点から窓31の増数には制限があり、更には窓数を増しても窓31の位置は固定されるため、入出射角度は依然として限定的である。また、窓31の開口面積を広くし、反射板35a,35bの傾斜角度を可変にすることで標準試料40や試料41への電磁波の入射角度や、標準試料40や試料41からの検出可能な反射角度を変えることも考えられるが、炉内の熱的安定性を維持するために窓31の開口面積をあまり大きくできないため、入射角度及び反射角度の変化は限定的である。たとえ窓31に耐熱ガラスを設け、炉内の熱安定性を維持できても、窓31を通じて電磁波が入出射するため、耐熱ガラスによる電磁波の吸収や反射が起こり、測定精度が低下する。
Although it is conceivable to increase the number of
更に、加熱炉30で試料10の周囲全体を加熱する必要があるため、電力消費量も大きい。
Furthermore, since it is necessary to heat the whole circumference | surroundings of the
そこで本発明は、標準試料を用いることなく、物体自体の高温での電磁波に対する真の反射率を広範な入射角度及び反射角度で測定でき、更には透過率も測定できる測定方法を提供することを目的とする。尚、本発明でいう高温とは室温を超える温度をいう。 Therefore, the present invention provides a measurement method that can measure the true reflectance of electromagnetic waves at a high temperature of an object itself at a wide range of incident angles and reflection angles, and can also measure the transmittance without using a standard sample. Objective. In addition, the high temperature said by this invention means the temperature over room temperature.
上記の課題を解決するために、本発明は下記の高温での反射率または透過率測定方法を提供する。
(1)高温の試料に電磁波を照射し、試料で反射された電磁波または試料を透過した電磁波を検出して高温における電磁波の反射率または透過率を測定する方法において、
試料の表裏面の少なくとも一方の面に加熱手段により光線を照射して照射部分を所定の温度に加熱しつつ、照射部分に電磁波照射手段から電磁波を照射し、試料を中心にして同心状に電磁波検出手段を移動させ、移動の間に、試料で反射された電磁波または試料を透過した電磁波を検出することを特徴とする高温における電磁波の反射率または透過率測定方法。
(2)試料への入射角度を変えて電磁波を照射することを特徴とする上記(1)記載の高温における電磁波の反射率または透過率測定方法。
(3)電磁波照射手段から赤外線、可視光またはマイクロ波を照射することを特徴とする上記(1)または(2)記載の高温における電磁波の反射率または透過率測定方法。
In order to solve the above problems, the present invention provides the following method for measuring reflectance or transmittance at high temperatures.
(1) In a method of measuring the reflectance or transmittance of an electromagnetic wave at a high temperature by irradiating a high temperature sample with an electromagnetic wave, detecting the electromagnetic wave reflected by the sample or the electromagnetic wave transmitted through the sample,
At least one of the front and back surfaces of the sample is irradiated with light by a heating means to heat the irradiated portion to a predetermined temperature, and the irradiated portion is irradiated with electromagnetic waves from the electromagnetic wave irradiating means, and the electromagnetic waves are concentrically centered on the sample. A method for measuring the reflectivity or transmittance of electromagnetic waves at a high temperature, wherein the detecting means is moved and electromagnetic waves reflected by the sample or transmitted through the sample are detected during the movement.
(2) The method for measuring reflectance or transmittance of electromagnetic waves at high temperatures as described in (1) above, wherein the electromagnetic waves are irradiated while changing the incident angle to the sample.
(3) The method of measuring reflectivity or transmittance of electromagnetic waves at high temperatures according to (1) or (2) above, wherein infrared rays, visible light or microwaves are irradiated from the electromagnetic wave irradiation means.
本発明の高温での反射率または透過率測定方法は、標準試料を用いることがないため、試料の電磁波に対する反射率の絶対値を測定することができ、使用できる標準試料がない高温での測定も可能である。また、試料への電磁波の入射角度及び試料からの反射角度を連続的に変えながら反射率を測定することができるため、試料の反射特性をより詳細に知見できる。更に、加熱手段が光線を試料に照射する構成であるため、省エネ化を図ることもできる。更には、試料の高温での透過率を測定することもできる。 Since the method for measuring reflectance or transmittance at high temperature of the present invention does not use a standard sample, the absolute value of the reflectance of the sample with respect to electromagnetic waves can be measured. Is also possible. In addition, since the reflectance can be measured while continuously changing the incident angle of the electromagnetic wave on the sample and the reflection angle from the sample, the reflection characteristics of the sample can be found in more detail. Furthermore, since the heating means is configured to irradiate the sample with light, energy saving can be achieved. Furthermore, the transmittance of the sample at a high temperature can also be measured.
以下、本発明に係る高温での反射率または透過率測定方法(以下、単に「測定方法」という)に関して図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, a high-temperature reflectance or transmittance measuring method (hereinafter simply referred to as “measuring method”) according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明の測定方法を実施するための測定装置の一実施形態を示す模式図である。装置中心にモータ1が設置されており、モータ1のスピンドル軸に長尺の支持台2の中心部が固定されている。即ち、支持台2はモータ1のスピンドル軸を中心として水平方向に回転可能である。また、支持台2の中心部には試料10を保持するためのホルダー11が付設されている。試料10は板状であり、支持台2の長軸と直交するように保持される。
FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of a measuring apparatus for carrying out the measuring method of the present invention. A motor 1 is installed at the center of the apparatus, and a central portion of a
支持台2には、試料10を挟んでヒータ4,5が取り付けられている。ヒータ4,5は、例えば、ハロゲンランプからの光をパラボラ状の反射面で反射して試料表面にスポット状に集光させる構成とすることができ、このようなヒータ4,5により試料10の加熱スポットSを1200℃程度にまで加熱することができる。尚、ヒータ4、5は、支持台2に装着されたフレームに取り付けられるが、図1では構成を明確にするためにフレームは省略する。また、試料10で反射される光線を遮断するために、試料10の上方を覆うように断熱材(図示略)を配置してもよい。
図2に拡大して示すように、ホルダー11は、一対の挟持片11a.11bにより試料10を挟持する構成となっている。また、試料10には、その側面10aから熱伝対12が挿入されており、ヒータ4,5による加熱スポットSの近傍の温度が測定される。
As shown in an enlarged view in FIG. 2, the
また、支持台2の内部には、試料10の温度制御用に、冷却水を流通させる管路15が設けられている。
In addition, a
支持台2の外側には、支持台2の回転中心を中心とする円状または円弧状のレール20が設置されている。尚、円弧状にする場合は、後述される電磁波Rの入射側を開放するように、円周の半分以上とし、3分の2〜4分の3までとすることが好ましい(図4参照)。そして、このレール20に沿って電磁波検出装置21、例えば赤外線検出器が移動する。即ち、支持台3が回転して形成される円周の外側を、電磁波検出装置21が同心状に周回する。
A circular or arc-
また、レール20の外側には、任意の位置に電磁波照射装置22、例えば赤外線発信器が設置されており、電磁波照射装置22から照射された赤外線等の電磁波Rは、ミラー23a〜23cにより試料10の加熱スポットSに導かれる。そのため、電磁波Rの試料10への入射を妨げないように、図3に示すように、ヒータ4、5は、電磁波Rの進行軸に対して斜め上方から試料10を加熱するように設置される。尚、傾斜角θは、加熱効率を考慮すると10〜60°が好ましい。
Further, an electromagnetic
試料10で反射された電磁波Rは、電磁波検出装置21で検出される。試料表面が平滑な場合は、電磁波Rは試料10への入射角と同角度で反射するが、例えば、試料10に微小凹凸がある場合には散乱して入射角度と同じ検出角度で検出できないことがある。しかし、本発明の測定方法では、電磁波検出装置21がレール20に沿って円弧状に連続して移動するため、電磁波Rが試料10でどのような角度で反射されても確実に検出できる。
The electromagnetic wave R reflected by the
試料10の反射率または透過率は、次のようにして測定される。
The reflectance or transmittance of the
図4は測定装置の上方からみた模式図であるが(但し、ヒータ4,5は省略してある)、(A)に示すように、試料10を支持台2に装着する前に、電磁波検出装置21を電磁波Rの進行方向に一致させて配置し、電磁波Rの初期受信強度(Io)を求めておく。
FIG. 4 is a schematic view of the measuring apparatus as viewed from above (however,
次いで、(B)に示すように、支持台2に試料10を装着し、電磁波検出装置21をミラー23cに最接近する位置まで移動させる。そして、ヒータ4,5から光線を照射して試料10を加熱し、所定温度に達した時点で電磁波Rを試料10に向けて照射し、照射を続けながら電磁波検出装置21をミラー23cから離間する方向に移動させ、移動の間に受信強度(Ir)を連続して測定する。電磁波Rは試料10に対して垂直に入射するため、電磁波検出装置21は、支持台2と直交する位置まで移動させれば、例えば試料10の表面の微細凹凸により電磁波Rが散乱している場合でも、試料10で反射される電磁波Rを実質的に完全に検出できる。
Next, as shown in (B), the
受信強度の値(Ir)と、初期受信強度(Io)との比(Ir/Io)が、試料10の反射率になる。従って、従来のように標準試料の反射率から試料の反射率を相対的に求める方法であるのとは異なり、試料10の真の反射率(絶対反射率)が求められる。また、電磁波検出装置21の位置毎の反射率を測定することにより、試料10の反射率の角度分布も得られる。
The ratio (Ir / Io) between the received intensity value (Ir) and the initial received intensity (Io) is the reflectance of the
また、図5に示すように、支持台2を所定角度で回転させて電磁波Rの試料10への入射角(α)を変えることができ、上記と同様に、この状態で電磁波Rを照射しながら電磁波検出装置21を移動させて各位置での受信強度を測定することにより、ある入射角(ここではα)に対する試料10の反射率または反射率の角度分布が得られる。
Further, as shown in FIG. 5, the support table 2 can be rotated by a predetermined angle to change the incident angle (α) of the electromagnetic wave R to the
一方、透過率を測定するには、図6に示すように、電磁波Rを試料10に対して垂直に入射させ、電磁波検出装置21を試料20の背後に配置すればよい。また、電磁波検出装置21を試料10の背後で周回させ、各位置での受信強度を測定することにより、透過率の角度分布を求めることもできる。
On the other hand, in order to measure the transmittance, as shown in FIG. 6, the electromagnetic wave R may be incident on the
また、支持台2を回転させて電磁波Rを試料10に対して所定の入射角度で入射させ、上記と同様に試料20の背後に電磁波検出装置21を周回させることにより、ある入射角度に対する透過率または透過率の角度分布を測定することも可能である。
Further, by rotating the
以上、本発明の測定方法について説明したが、種々の変更が可能である。例えば、電磁波Rとして赤外線の他に、マイクロ波や可視光を使用することもでき、電磁波検出装置21及び電磁波照射装置22をそれぞれに対応して変更する。また、電磁波照射装置22は、これらの電磁波Rを照射できるように多波長対応型にすることもでき、それに対応して電磁波検出装置21も多波長対応型にする。工業炉としてマイクロ波加熱炉も使用されており、使用される断熱材には断熱性の他にマイクロ波の反射効果も必要特性となる場合があり、高温におけるマイクロ波の反射率も知ることは重要となる。また、暖房機器としてハロゲンヒータ等も使用されており、高温における可視光の反射率もこれらの機器において重要となる。
Although the measurement method of the present invention has been described above, various modifications can be made. For example, microwaves or visible light can be used as the electromagnetic wave R in addition to infrared rays, and the electromagnetic
ヒータ4、5も、支持台2がフレーム状の場合には、斜め下方から光線を試料10に照射してもよい。また、試料10が薄い場合や、ヒータ出力が大きい場合には、試料10の電磁波Rが入射する面に正対するヒータ4のみで加熱してもよい。更に、低出力のレーザを用いることもできる。
The
以下に実施例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれにより何ら制限されるものではない。 The present invention will be further described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
(実施例1)
試料10として白金を蒸着した表面が平滑なシリコン基板(20×20×0.6mmt、白金層厚さ200nm)を用い、図1に示す構成の測定装置のホルダー11に装着した。そして、図5に示すように、試料10への電磁波Rの入射角(α)が15°となるように支持台2を回転させ、ヒータ4,5であるハロゲンランプで試料10の表裏面を加熱し、電磁波照射装置22から電磁波Rとして波長5μmの赤外線を照射した。電磁波検出装置21は、試料10による反射角(β)が15°となる位置に設置した。また、測定に先立ち、図4に示すように、試料10が無い状態での初期受信強度(Io)を測定した。
Example 1
A silicon substrate (20 × 20 × 0.6 mmt,
反射率の測定は、室温、並びに加熱スポットSの温度200℃、300℃、400℃、500℃及び600℃にて行った。測定結果を図7に示す。比較のために、文献値として”Thermal Radiative Properties”:: Y. S. Touloukian, C. Y. Ho, TFI/Prenum, 1970)に記載の反射率を併記するが、本発明の測定装置により高温物体の反射率を精度良く測定できることが分かる。 The reflectance was measured at room temperature and the temperature of the heating spot S at 200 ° C, 300 ° C, 400 ° C, 500 ° C and 600 ° C. The measurement results are shown in FIG. For comparison, the reflectance described in “Thermal Radiative Properties” :: YS Touloukian, CY Ho, TFI / Prenum, 1970) is also shown as a reference value, but the reflectance of a high-temperature object is accurately measured by the measuring device of the present invention. It turns out that it can measure well.
(実施例2)
試料10として、表面に凹凸があるAl2O3−SiO2多孔体(20×20×5mmt)を用い、図1に示す構成の測定装置のホルダー11に装着した。そして、図5に示すように、試料10への電磁波Rの入射角(α)が15°となるように支持台2を回転させ、ヒータ4,5であるハロゲンランプで試料10の表裏面を加熱した。加熱温度は、加熱スポットSの温度で600℃とした。また、測定に先立ち、図4に示すように、試料10が無い状態での初期受信強度(Io)を測定した。
(Example 2)
As the
反射率は、電磁波照射装置22から電磁波Rとして波長5μmの赤外線を照射し、電磁波検出装置21を試料10からの反射角(β)が0°〜90°に移動させ、各位置での受信強度を測定して得た。測定結果を図8に示すが、赤外線が種々の方向に反射していることがわかる。
The reflectivity is that the electromagnetic
1 モータ
2 支持台
4 ヒータ
5 ヒータ
10 試料
11 ホルダー
20 レール
21 電磁波検出装置
22 電磁波照射装置
23a〜23c ミラー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (3)
試料の表裏面の少なくとも一方の面に加熱手段により光線を照射して照射部分を所定の温度に加熱しつつ、照射部分に電磁波照射手段から電磁波を照射し、試料を中心にして同心状に電磁波検出手段を移動させ、移動の間に、試料で反射された電磁波または試料を透過した電磁波を検出することを特徴とする高温における電磁波の反射率または透過率測定方法。 In a method of irradiating an electromagnetic wave to a high temperature sample, detecting the electromagnetic wave reflected by the sample or the electromagnetic wave transmitted through the sample, and measuring the reflectance or transmittance of the electromagnetic wave at high temperature,
At least one of the front and back surfaces of the sample is irradiated with light by a heating means to heat the irradiated portion to a predetermined temperature, and the irradiated portion is irradiated with electromagnetic waves from the electromagnetic wave irradiating means, and the electromagnetic waves are concentrically centered on the sample. A method for measuring the reflectivity or transmittance of electromagnetic waves at a high temperature, wherein the detecting means is moved and electromagnetic waves reflected by the sample or transmitted through the sample are detected during the movement.
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009085795A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108896709A (en) * | 2018-06-13 | 2018-11-27 | 中国航发北京航空材料研究院 | A kind of electromagnetism inclination angle test device and its test method |
| WO2019221191A1 (en) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 株式会社Sumco | Method and device for measuring transmittance of quartz crucible |
| CN113376125A (en) * | 2021-06-16 | 2021-09-10 | 许闯 | Car glass luminousness check out test set |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59100224U (en) * | 1982-07-02 | 1984-07-06 | スガ試験機株式会社 | 3D automatic angle change reflection transmission colorimeter |
| JPS63166241A (en) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Nikon Corp | Equipment for annealing semiconductor substrate |
| JPH05187994A (en) * | 1992-01-14 | 1993-07-27 | Kawasaki Steel Corp | Heating furnace for measuring optical properties of plate materials |
| JPH06201619A (en) * | 1993-01-08 | 1994-07-22 | Kobe Steel Ltd | Method and apparatus for evaluating thermophysical properties of sample |
| JPH10307088A (en) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Hitachi Ltd | Foreign matter fixing method and mark forming method, and apparatus used for them |
| JPH10339694A (en) * | 1997-03-28 | 1998-12-22 | Alv Laser Vertriebs Gmbh | Equipment for measuring static or dynamic scattering of light |
| JP2001255270A (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Asahi Spectra Co Ltd | Sample horizontal-loading type gonio-photometer |
| JP2006047310A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | Goniophotometer |
-
2007
- 2007-09-28 JP JP2007256666A patent/JP2009085795A/en active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59100224U (en) * | 1982-07-02 | 1984-07-06 | スガ試験機株式会社 | 3D automatic angle change reflection transmission colorimeter |
| JPS63166241A (en) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Nikon Corp | Equipment for annealing semiconductor substrate |
| JPH05187994A (en) * | 1992-01-14 | 1993-07-27 | Kawasaki Steel Corp | Heating furnace for measuring optical properties of plate materials |
| JPH06201619A (en) * | 1993-01-08 | 1994-07-22 | Kobe Steel Ltd | Method and apparatus for evaluating thermophysical properties of sample |
| JPH10339694A (en) * | 1997-03-28 | 1998-12-22 | Alv Laser Vertriebs Gmbh | Equipment for measuring static or dynamic scattering of light |
| JPH10307088A (en) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Hitachi Ltd | Foreign matter fixing method and mark forming method, and apparatus used for them |
| JP2001255270A (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Asahi Spectra Co Ltd | Sample horizontal-loading type gonio-photometer |
| JP2006047310A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | Goniophotometer |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ROY S , ET.AL.: "Measurement of spectral, directional reflectivities of solids at high temperatures between 9 and 11", APPLIED OPTICS, vol. 32, no. 19, JPN6011054644, 1 July 1993 (1993-07-01), pages 3550 - 3558, ISSN: 0002045688 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019221191A1 (en) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 株式会社Sumco | Method and device for measuring transmittance of quartz crucible |
| KR20200142063A (en) | 2018-05-17 | 2020-12-21 | 가부시키가이샤 사무코 | Method and apparatus for measuring transmittance of quartz crucible |
| JPWO2019221191A1 (en) * | 2018-05-17 | 2021-05-20 | 株式会社Sumco | Permeability measurement method and equipment for quartz crucible |
| KR20220132064A (en) | 2018-05-17 | 2022-09-29 | 가부시키가이샤 사무코 | Method and apparatus for measuring transmittance of quartz crucible |
| JP7196913B2 (en) | 2018-05-17 | 2022-12-27 | 株式会社Sumco | Method and apparatus for measuring transmittance of quartz crucible |
| US11703452B2 (en) | 2018-05-17 | 2023-07-18 | Sumco Corporation | Method and apparatus for measuring transmittance of quartz crucible |
| CN108896709A (en) * | 2018-06-13 | 2018-11-27 | 中国航发北京航空材料研究院 | A kind of electromagnetism inclination angle test device and its test method |
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