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JP2009081208A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

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JP2009081208A
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Hiroaki Fujiwara
弘明 藤原
Shingo Yoshioka
愼悟 吉岡
Tomoaki Watanabe
朋亮 渡辺
Mana Yamaguchi
真魚 山口
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Abstract

【課題】環境負荷を低減しつつ、従来よりも微細かつ信頼性の高い回路が形成されたプリント配線板を製造することができるプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂1にめっき核2を分散させて調製されためっき核入り絶縁樹脂組成物で基材3を形成する。この基材3の表面をレジスト6で被覆する。このレジスト6を貫通してこの基材3に溝4を形成する。溝4の内面に露出しためっき核2を活性化する。無電解めっき処理によって溝4に回路5を形成する。その後、レジスト6を除去する。
【選択図】図1

Description

本発明は、各種電子機器に用いられるプリント配線板を製造する方法に関するものである。
電子機器の高性能化を図るためにはプリント配線板に形成される回路5の微細化が必要とされるが、従来、このような微細回路を形成するにあたっては、図2のようなセミアディティブ法(SAP:semi-additive process)が使用されてきた(例えば、特許文献1参照。)。
この方法ではまず図2(a)(b)のように、絶縁樹脂1で形成された基材3の表面を過マンガン酸処理によって粗化した後、触媒化処理によってこの粗化面7にPd(パラジウム)を析出させる。次に図2(c)のように、Pdで触媒化された表面に無電解めっき処理(化学めっき処理)を行って厚み1μm程度の無電解めっき層8を形成した後、図2(d)のように回路5を形成しない部分をめっきレジスト9で被覆する。そして、図2(e)のように無電解めっき層8を給電層として電解めっき処理を行って電解めっき層10を形成し、図2(f)のようにめっきレジスト9を除去した後、フラッシュエッチング(ソフトエッチング)を行うことによって、図2(g)のような回路5が形成されたプリント配線板を得ることができるものである。
特許流通支援チャート、[online]、[平成19年9月21日検索]、インターネット<URL:http://www.ryutu.inpit.go.jp/chart/H13/dennki04/1/pdf/1-1-4.pdf、http://www.ryutu.inpit.go.jp/chart/tokumapf.htm>
しかし、図2のようなセミアディティブ法を使用したプリント配線板の製造方法にあっては、次のような問題がある。すなわち、この方法で用いられる過マンガン酸処理液やエッチング液などの薬液が環境負荷増大の原因となっている。また、電解めっき処理では回路5の厚みの均一化などが困難である。また、フラッシュエッチングではPdを完全に除去するのが困難であるため、回路5間にPdが残存してしまい、このPdが絶縁信頼性を低下させるので、回路5の微細化には限界がある。具体的には、従来の方法ではL(ライン)/S(スペース)=10μm/10μmが限界である。さらに、従来の方法では回路5の微細化と密着性の向上を両立させるのが困難である。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、環境負荷を低減しつつ、従来よりも微細かつ信頼性の高い回路が形成されたプリント配線板を製造することができるプリント配線板の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明の請求項1に係るプリント配線板の製造方法は、絶縁樹脂1にめっき核2を分散させて調製されためっき核入り絶縁樹脂組成物で基材3を形成し、この基材3の表面をレジスト6で被覆すると共にこのレジスト6を貫通してこの基材3に溝4を形成し、溝4の内面に露出しためっき核2を活性化すると共に無電解めっき処理によって溝4に回路5を形成した後にレジスト6を除去することを特徴とするものである。
請求項2に係る発明は、請求項1において、めっき核2として、金属酸化物、有機物で表面が被覆された金属粒子、金属錯体、金属が担持された多孔体、金属ナノ粒子の中から選ばれるものを用いることを特徴とするものである。
本発明の請求項1に係るプリント配線板の製造方法によれば、環境負荷を低減しつつ、従来よりも微細かつ信頼性の高い回路が形成されたプリント配線板を製造することができるものである。
請求項2に係る発明によれば、さらに微細かつ信頼性の高い回路を形成することができるものである。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
図1は本発明の実施の形態の一例を示すものであり、プリント配線板を製造するにあたってはまずめっき核入り絶縁樹脂組成物で図1(a)のような基材3を形成する。
めっき核入り絶縁樹脂組成物は、絶縁樹脂1にめっき核2を分散させることによって調製することができる。
ここで、絶縁樹脂1としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。
まためっき核2としては、Cu(銅)やPd等の金属微粒子を用いることができるが、より微細かつ信頼性の高い回路5を形成するためには、金属酸化物、有機物で表面が被覆された金属粒子、金属錯体、金属が担持された多孔体、金属ナノ粒子の中から選ばれるものを用いるのが好ましい。なお、CuやPd等の単なる金属微粒子は絶縁樹脂1中で凝集して導通するおそれがある。ただし、金属ナノ粒子は後述するようにその添加量を低く抑えれば絶縁樹脂1中での導通を防止することができる。
ここで、金属酸化物は、酸化銅等であり、通常は不活性(絶縁性)な状態であるが、ジメチルアミノボラン(DMAB)等の還元剤で処理すると、金属銅が表面に露出して、活性(導電性)な状態となるものである。
また有機物で表面が被覆された金属粒子は、乳化重合等によってCuやPd等の金属粒子の表面が有機物で被覆されたコアシェル構造を持つものである。これも通常は不活性状態であるが、YAGレーザ等のレーザで有機物を焼き飛ばすと、金属粒子が露出して、活性状態となるものである。
また金属錯体は、Cu等の金属原子を中心として周囲にエチレンジアミン四酢酸(EDTA)等の有機物が配位子として結合した構造を持つものである。これも通常は不活性状態であるが、YAGレーザ等のレーザで周囲の有機物を焼き飛ばすと、中心金属が露出して、活性状態となるものである。
また金属が担持された多孔体は、ゼオライト等の多孔体の微細孔にCuやPd等の金属を担持させたものであり、これも通常は不活性状態であるが、無機物である多孔体をアルカリで除去すると、金属が露出して、活性状態となるものである。
また金属ナノ粒子は、CuやPd等のナノサイズの金属粒子であるが、これは通常活性状態である。
まためっき核2の粒径は10nm〜1μmであるが、特に金属ナノ粒子の場合はその粒径は10〜500nmである。これより粒径が大きくなると、微細回路の形成が困難であると共に基材3の絶縁性を確保できなくなるおそれがある。なお、粒径を10nm未満にするのは今のところ困難である。まためっき核入り絶縁樹脂組成物全量に対してめっき核2の添加量は0.01〜5質量%である。これより添加量が少ないと、後述する溝4の内面に十分な量のめっき核2を露出させることができないおそれがあり、逆に添加量が多いと、基材3の絶縁性を確保できないおそれがある。ただし、金属ナノ粒子の場合は通常活性状態であるので基材3の絶縁性を確保するためにその添加量の上限は0.5質量%に設定する。
そして図1(a)のように基材3を形成した後は、図1(b)のようにこの基材3の表面をレジスト6で被覆する。レジスト6としては、めっきに強いものであれば特に限定されるものではないが、例えば液状のものやフィルム状のものを用いることができ、また感光性のあるものを用いることができる。またレジスト6はアルカリ除去タイプと溶剤除去タイプに分けられるが、環境負荷の低減という観点から、アルカリ除去タイプが好ましい。
次に図1(c)のようにこのレジスト6を貫通してレーザ加工等によりこの基材3に回路形成用の溝4(トレンチ)を形成する。図示省略しているが、感光性の絶縁樹脂1を用いている場合には、溝4を形成する部分をマスクで被覆し露光した後に現像することによって、溝4を形成することができる。
このようにして溝4が形成されると、図1(c)のように基材3中のめっき核2の一部が溝4の内面に露出するようになる。これらのめっき核2は通常不活性状態で露出しているので、図1(d)のようにこれらのめっき核2を活性化して、後述する無電解めっき処理に備えるものである。なお、図1では不活性状態のめっき核2を白抜きで、活性状態のめっき核2を黒塗りで示している。そして、めっき核2として金属酸化物を用いている場合には、ジメチルアミノボラン等の還元剤で処理することによって活性化することができる。まためっき核2として有機物で表面が被覆された金属粒子や金属錯体を用いている場合には、YAGレーザ等のレーザで有機物を焼き飛ばすことによって活性化することができる。特にこの場合は溝4の形成とめっき核2の活性化を同時に行うことができる。まためっき核2として金属が担持された多孔体を用いている場合には、無機物である多孔体をアルカリで除去することによって活性化することができる。まためっき核2として金属ナノ粒子を用いている場合には、活性化処理は特に不要であるが、金属ナノ粒子の表面が絶縁樹脂1の薄膜で被覆されているおそれがあるので、万全を期すために、酸で軽く処理することによって活性化するのが好ましい。
その後、図1(e)のように無電解銅めっき処理などの無電解めっき処理によって溝4に回路5を形成した後にレジスト6を除去すると、図1(f)に示すようなプリント配線板を得ることができる。
このように、本発明ではめっき核2の活性化の際に還元剤、アルカリ、酸を少量用いるだけであり、過マンガン酸処理液、エッチング液などの薬液は一切用いないので、環境負荷を低減することができるものである。また本発明では回路5の形成の際に電解めっき処理を行う必要がないので、回路5の厚みが不均一になるのを防止することができるものである。また本発明では溝4の内部に回路5を形成するので、基材3に対する回路5の密着性が向上し、高い信頼性を得ることができるものである。また本発明では不活性状態のめっき核2を絶縁樹脂1に分散させているので、回路5間の絶縁信頼性が高くなり、従来よりも微細な回路5を形成することができるものである。さらに本発明では溝4の形成の前に基材3の表面をレジスト6で被覆しているので、仮に溝4以外の基材3の表面にめっき核2が露出していても、このめっき核2が活性化されるのをレジスト6で防止することができるものである。よって、溝4以外の基材3の表面に露出しているめっき核2を不活性状態に保持することができ、これにより回路5間の絶縁信頼性が高くなり、従来よりも微細な回路5を形成することができるものである。なお、金属ナノ粒子は通常活性状態であるが、その添加量を0.5質量%以下に設定することによって、同様の効果を得ることができるものである。
本発明の実施の形態の一例を示すものであり、(a)〜(f)は断面図である。 従来の技術の一例を示すものであり、(a)〜(g)は断面図である。
符号の説明
1 絶縁樹脂
2 めっき核
3 基材
4 溝
5 回路
6 レジスト

Claims (2)

  1. 絶縁樹脂にめっき核を分散させて調製されためっき核入り絶縁樹脂組成物で基材を形成し、この基材の表面をレジストで被覆すると共にこのレジストを貫通してこの基材に溝を形成し、溝の内面に露出しためっき核を活性化すると共に無電解めっき処理によって溝に回路を形成した後にレジストを除去することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
  2. めっき核として、金属酸化物、有機物で表面が被覆された金属粒子、金属錯体、金属が担持された多孔体、金属ナノ粒子の中から選ばれるものを用いることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。
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