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JP2009080303A - Liquid crystal device and electronic equipment - Google Patents

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JP2009080303A
JP2009080303A JP2007249625A JP2007249625A JP2009080303A JP 2009080303 A JP2009080303 A JP 2009080303A JP 2007249625 A JP2007249625 A JP 2007249625A JP 2007249625 A JP2007249625 A JP 2007249625A JP 2009080303 A JP2009080303 A JP 2009080303A
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JP
Japan
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electrode
liquid crystal
crystal device
strip
insulating film
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Application number
JP2007249625A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Kosuge
将洋 小菅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epson Imaging Devices Corp
Original Assignee
Epson Imaging Devices Corp
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Publication date
Application filed by Epson Imaging Devices Corp filed Critical Epson Imaging Devices Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal device capable of preventing the occurrence of a display defect due to local thinning of an alignment layer, and electronic equipment. <P>SOLUTION: The alignment layer 34 coming in contact with a liquid crystal layer 23 and regulating the alignment direction of liquid crystal molecules is formed on a first electrode 11. The first electrode 11 is includes a band-shaped electrode 11b formed into a band shape and the sectional shape orthogonal to the extension direction of the band-shaped electrode 11b is formed with the a slope part 11s at the end on the side of the extension direction. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、液晶装置および電子機器に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus.

従来から、液晶層を挟持する一対の基板のうち一方の基板に一対の電極が設けられ、その一対の電極間に生じる電界によって液晶層の液晶分子を駆動させる液晶装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開平11−202356号公報
Conventionally, there is known a liquid crystal device in which a pair of electrodes is provided on one of a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer, and liquid crystal molecules of the liquid crystal layer are driven by an electric field generated between the pair of electrodes (for example, , See Patent Document 1).
JP-A-11-202356

しかしながら、上記従来の液晶装置は、図13(a)に示すように、一方の基板21に形成された画素電極11と共通電極41のうち、液晶層23側に配置された画素電極11の帯状電極11Bの断面形状が略長方形に形成されている。また、画素電極11は配向膜34によって覆われている。
このため、図13(b)に示すように、帯状電極11Bの液晶層23側に形成された角部Cにおいて、帯状電極11Bを覆う配向膜34の膜厚tが極端に薄くなる。このように、画素電極11上の配向膜34の膜厚tが極端に薄くなると、角部Cにおいて局所的に電荷が蓄積され、角部Cの近傍で表示焼付等の表示不良が発生しやすくなるという課題がある。
However, in the conventional liquid crystal device, as shown in FIG. 13A, of the pixel electrode 11 and the common electrode 41 formed on one substrate 21, the band shape of the pixel electrode 11 disposed on the liquid crystal layer 23 side. The cross-sectional shape of the electrode 11B is formed in a substantially rectangular shape. The pixel electrode 11 is covered with an alignment film 34.
For this reason, as shown in FIG. 13B, the film thickness t of the alignment film 34 covering the strip electrode 11B becomes extremely thin at the corner C formed on the liquid crystal layer 23 side of the strip electrode 11B. As described above, when the film thickness t of the alignment film 34 on the pixel electrode 11 is extremely thin, charges are locally accumulated in the corner C, and display defects such as display burn-in are likely to occur near the corner C. There is a problem of becoming.

そこで、この発明は、配向膜の局所的な薄膜化による表示不良の発生を防止できる液晶装置および電子機器を提供するものである。   Therefore, the present invention provides a liquid crystal device and an electronic apparatus that can prevent display defects due to local thinning of an alignment film.

上記の課題を解決するために、本発明の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板のうち一方の基板に第一電極と第二電極とが設けられ、前記第一電極と前記第二電極の間に生じる電界によって前記液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶装置であって、前記第一電極上には、前記液晶層と接する配向膜が形成され、前記第一電極は帯状に形成された帯状電極を備え、前記帯状電極の延在方向に直交する断面形状は、前記延在方向の辺の端部に傾斜部が形成されていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a liquid crystal device according to the present invention includes a first electrode and a second electrode provided on one of a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer, and the first electrode and the second electrode. A liquid crystal device for driving liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer by an electric field generated between the electrodes, wherein an alignment film in contact with the liquid crystal layer is formed on the first electrode, and the first electrode has a strip shape The cross-sectional shape that includes the formed strip-shaped electrode and is orthogonal to the extending direction of the strip-shaped electrode is characterized in that an inclined portion is formed at the end of the side in the extending direction.

このように構成することで、帯状電極は、延在方向に直行する断面視で帯状電極の延在方向の辺の端部、すなわち帯状電極の非形成領域側から帯状電極の中央部に向けて傾斜した状態となる。これにより、従来の断面形状が矩形の帯状電極と比較して、配向膜の局所的な薄膜化が緩和される。
したがって、本発明の液晶装置によれば、配向膜の局所的な薄膜化による表示不良の発生を防止し、液晶装置の表示に寄与する領域を拡大して表示品質を向上させることができる。
By configuring in this way, the band-like electrode is viewed from the end of the side in the extending direction of the band-shaped electrode, that is, from the non-formation region side of the band-shaped electrode toward the center of the band-shaped electrode in a cross-sectional view orthogonal to the extending direction. Inclined state. Thereby, compared with the conventional strip-shaped electrode having a rectangular cross-sectional shape, local thinning of the alignment film is alleviated.
Therefore, according to the liquid crystal device of the present invention, it is possible to prevent display defects due to local thinning of the alignment film, and to enlarge the region contributing to the display of the liquid crystal device and improve the display quality.

また、本発明の液晶装置は、前記帯状電極の前記断面形状が三角形状に形成されていることを特徴とする。   The liquid crystal device of the present invention is characterized in that the cross-sectional shape of the strip electrode is formed in a triangular shape.

このように構成することで、帯状電極を覆う配向膜の膜厚は、帯状電極の非形成領域から断面形状が三角形状の帯状電極の頂点に向けて徐々に薄くなっていく。これにより、従来の断面形状が矩形の帯状電極と比較して、配向膜の局所的な薄膜化が緩和される。
また、帯状電極の側面は、帯状電極の非形成領域側から先細形状の帯状電極の先端部にかけて傾斜した状態となる。これにより、第一電極の側面と第二電極との間に電界を発生させ、液晶装置における表示に寄与する領域を拡大することができる。また、先端部の近傍は液晶装置の表示にほとんど寄与しない帯状電極中央の領域となるので、配向膜が薄膜化した先端部に電荷が蓄積されても、液晶装置の表示品質に影響を与えることがない。
With such a configuration, the film thickness of the alignment film covering the strip electrode gradually decreases from the non-form region of the strip electrode toward the apex of the strip electrode having a triangular cross section. Thereby, compared with the conventional strip-shaped electrode having a rectangular cross-sectional shape, local thinning of the alignment film is alleviated.
Further, the side surface of the belt-like electrode is inclined from the side where the belt-like electrode is not formed to the tip of the tapered belt-like electrode. Thereby, an electric field can be generated between the side surface of the first electrode and the second electrode, and a region contributing to display in the liquid crystal device can be enlarged. In addition, since the vicinity of the tip is a region in the center of the strip electrode that hardly contributes to the display of the liquid crystal device, even if charges are accumulated at the tip where the alignment film is thinned, the display quality of the liquid crystal device is affected. There is no.

また、本発明の液晶装置は、前記帯状電極の前記断面形状が半円状または半楕円状に形成されていることを特徴とする。   In the liquid crystal device of the invention, the cross-sectional shape of the strip electrode is formed in a semicircular shape or a semielliptical shape.

このように構成することで、帯状電極を覆う配向膜の膜厚は、帯状電極の非形成領域から断面形状が半円状または半楕円状の帯状電極の頂点に向けて徐々に薄くなっていく。これにより、従来の断面形状が矩形の帯状電極と比較して、配向膜の局所的な薄膜化が緩和される。   With this configuration, the film thickness of the alignment film covering the strip electrode gradually decreases from the non-form region of the strip electrode toward the apex of the strip electrode having a semicircular or semi-elliptical cross section. . Thereby, compared with the conventional strip-shaped electrode having a rectangular cross-sectional shape, local thinning of the alignment film is alleviated.

また、本発明の液晶装置は、前記第一電極と前記第二電極との間には電極間絶縁膜が形成され、前記電極間絶縁膜の表面には凸部又は凹部が形成され、前記帯状電極は前記凸部又は前記凹部の表面に形成されていることを特徴とする。   In the liquid crystal device of the present invention, an interelectrode insulating film is formed between the first electrode and the second electrode, and a convex portion or a concave portion is formed on the surface of the interelectrode insulating film. The electrode is formed on the surface of the convex portion or the concave portion.

このように構成することで、電極間絶縁膜の凸部又は凹部の形状を利用して上述の帯状電極を形成することができる。   By comprising in this way, the above-mentioned beltlike electrode can be formed using the shape of the convex part or concave part of an insulating film between electrodes.

また、本発明の液晶装置は、前記凸部は、前記帯状電極の延在方向に亘って形成され、前記凸部の断面形状は、前記帯状電極の前記断面形状に対応する先細形状に形成されていることを特徴とする。   In the liquid crystal device according to the aspect of the invention, the convex portion is formed over the extending direction of the strip electrode, and the cross-sectional shape of the convex portion is formed in a tapered shape corresponding to the cross-sectional shape of the strip electrode. It is characterized by.

このように構成することで、電極間絶縁膜の凸部の形状を利用して帯状電極を上述の先細形状に形成できる。   By comprising in this way, a strip | belt-shaped electrode can be formed in the above-mentioned taper-shape using the shape of the convex part of the insulating film between electrodes.

また、本発明の液晶装置は、前記第二電極は前記一方の基板上に形成された絶縁膜の表面に形成され、前記第二電極上には、前記電極間絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の表面の前記帯状電極の形成領域には、基板側凸部又は基板側凹部が形成され、前記凸部又は前記凹部は、それぞれ前記基板側凸部又は前記基板側凹部の形状に沿って形成されていることを特徴とする。   In the liquid crystal device of the present invention, the second electrode is formed on a surface of an insulating film formed on the one substrate, the interelectrode insulating film is formed on the second electrode, and the insulating film A substrate-side convex portion or a substrate-side concave portion is formed in the band-shaped electrode forming region on the surface of the film, and the convex portion or the concave portion is formed along the shape of the substrate-side convex portion or the substrate-side concave portion, respectively. It is characterized by being.

このように構成することで、絶縁膜の基板側凸部又は基板側凹部の形状を利用して電極間絶縁膜に凸部又は凹部が形成され、さらにその凸部又は凹部の形状を利用して帯状電極を上述の断面形状に形成できる。また、第二電極を平坦に形成することができ、第一電極と第二電極との間隔を一定にすることができる。   By comprising in this way, a convex part or a recessed part is formed in the insulating film between electrodes using the shape of the substrate side convex part or substrate side concave part of an insulating film, and also using the shape of the convex part or the concave part A strip electrode can be formed in the cross-sectional shape described above. In addition, the second electrode can be formed flat, and the distance between the first electrode and the second electrode can be made constant.

また、本発明の電子機器は、上記のいずれかの液晶装置を備えることを特徴とする。
このように構成することで、電子機器は、表示不良の発生が防止され、表示品質が向上された液晶装置を備えるので、表示不良の発生が防止され、表示品質が向上された電子機器を提供することができる。
In addition, an electronic apparatus according to the present invention includes any one of the above liquid crystal devices.
With such a configuration, the electronic apparatus includes a liquid crystal device that prevents display defects and improves display quality, and thus provides an electronic apparatus that prevents display defects and improves display quality. can do.

<第一実施形態>
以下、本発明の第一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。ここで、図1は液晶装置の等価回路図、図2は液晶装置のサブ画素領域を示す部分拡大平面構成図、図3は図2のA−A’矢視断面図である。
<First embodiment>
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the scale is appropriately changed for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing. Here, FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal device, FIG. 2 is a partially enlarged plan view showing a sub-pixel region of the liquid crystal device, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.

〔液晶装置〕
本実施形態における液晶装置1は、FFS(Fringe-Field Switching)方式を用いたカラー液晶装置であって、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色光を出力する3個のサブ画素で1個の画素を構成する液晶装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」、一組(R、G、B)のサブ画素から構成される表示領域を「画素領域」と称する。
[Liquid crystal device]
The liquid crystal device 1 according to the present embodiment is a color liquid crystal device using an FFS (Fringe-Field Switching) method, and outputs three color lights of R (red), G (green), and B (blue). This is a liquid crystal device in which one pixel is composed of sub-pixels. Here, a display area which is a minimum unit constituting display is referred to as a “sub-pixel area”, and a display area including a set (R, G, B) of sub-pixels is referred to as a “pixel area”.

まず、液晶装置1の概略構成について説明する。液晶装置1は、図1に示すように、画素表示領域を構成する複数のサブ画素領域がマトリックス状に配置されている。
また、液晶装置1の画素表示領域を構成する複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極11(第一電極)と、画素電極11をスイッチング制御するためのTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)素子12とが形成されている。このTFT素子12は、ソースが液晶装置1に設けられたデータ線駆動回路13から延在するデータ線14に接続され、ゲートが液晶装置1に設けられた走査線駆動回路15から延在する走査線16に接続され、ドレインが画素電極11に接続されている。
データ線駆動回路13は、データ線14を介して画像信号S1、S2、…、Snを各サブ画素領域に供給する構成となっている。また、走査線駆動回路15は、走査線16を介して走査信号G1、G2、…、Gmを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線駆動回路13は、画像信号S1〜Snをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線14同士に対してグループごとに供給してもよい。また、走査線駆動回路15は、走査信号G1〜Gmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
First, a schematic configuration of the liquid crystal device 1 will be described. As shown in FIG. 1, the liquid crystal device 1 has a plurality of sub-pixel areas constituting a pixel display area arranged in a matrix.
In addition, a plurality of sub-pixel areas constituting the pixel display area of the liquid crystal device 1 are each provided with a pixel electrode 11 (first electrode) and a TFT (Thin Film Transistor) element 12 for switching control of the pixel electrode 11. And are formed. The TFT element 12 has a source connected to a data line 14 extending from a data line driving circuit 13 provided in the liquid crystal device 1 and a gate extending from a scanning line driving circuit 15 provided in the liquid crystal device 1. The drain is connected to the line 16 and the drain is connected to the pixel electrode 11.
The data line driving circuit 13 is configured to supply image signals S1, S2,..., Sn to the sub-pixel regions via the data line. Further, the scanning line driving circuit 15 is configured to supply scanning signals G1, G2,..., Gm to the sub-pixel regions via the scanning lines 16. Here, the data line driving circuit 13 may supply the image signals S1 to Sn line-sequentially in this order, or may supply each of the data lines 14 adjacent to each other for each group. Further, the scanning line driving circuit 15 supplies the scanning signals G1 to Gm in a pulse-sequential manner at predetermined timing.

そして、液晶装置1は、スイッチング素子であるTFT素子12が走査信号G1〜Gmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線14から供給される画像信号S1〜Snが所定のタイミングで画素電極11に書き込まれる構成となっている。
そして、画素電極11を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1〜Snは、画素電極11と液晶を介して配置された後述する共通電極41との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号S1〜Snがリークすることを防止するため、画素電極11と後述する共通電極41との間に形成される液晶容量と並列接続されるように蓄積容量18が付与されている。この蓄積容量18は、TFT素子12のドレインと容量線19との間に設けられている。
In the liquid crystal device 1, the TFT elements 12 that are switching elements are turned on for a certain period by the input of the scanning signals G <b> 1 to Gm, so that the image signals S <b> 1 to Sn supplied from the data line 14 have a predetermined timing. Thus, the pixel electrode 11 is written.
A predetermined level of image signals S1 to Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 11 is held for a certain period between the pixel electrode 11 and a common electrode 41 (described later) arranged via the liquid crystal. Here, in order to prevent the held image signals S1 to Sn from leaking, the storage capacitor 18 is provided so as to be connected in parallel with a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 11 and a common electrode 41 described later. Has been. The storage capacitor 18 is provided between the drain of the TFT element 12 and the capacitor line 19.

次に、液晶装置1の詳細な構成について、図2および図3を参照しながら説明する。
なお、図2では、対向基板の図示を省略している。また、図3では、画素電極を構成する帯状電極の図示を適宜省略している。
液晶装置1は、図3に示すように、素子基板21と、素子基板21と対向配置された対向基板22と、素子基板21と対向基板22との間に挟持された液晶層23と、素子基板21の外面側(液晶層23と反対側)に設けられた偏光板24と、対向基板22の外面側に設けられた偏光板25とを備えている。そして、液晶装置1は、素子基板21の外面側から照明光が照射される構成となっている。
また、液晶装置1には、素子基板21と対向基板22とが対向する領域の縁端に沿ってシール材(図示略)が設けられており、このシール材、素子基板21および対向基板22によって液晶層23が封止されている。
Next, a detailed configuration of the liquid crystal device 1 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
In FIG. 2, the counter substrate is not shown. Further, in FIG. 3, illustration of the strip electrode constituting the pixel electrode is omitted as appropriate.
As shown in FIG. 3, the liquid crystal device 1 includes an element substrate 21, a counter substrate 22 disposed opposite to the element substrate 21, a liquid crystal layer 23 sandwiched between the element substrate 21 and the counter substrate 22, A polarizing plate 24 provided on the outer surface side of the substrate 21 (opposite side of the liquid crystal layer 23) and a polarizing plate 25 provided on the outer surface side of the counter substrate 22 are provided. The liquid crystal device 1 is configured to be irradiated with illumination light from the outer surface side of the element substrate 21.
The liquid crystal device 1 is provided with a sealing material (not shown) along the edge of the region where the element substrate 21 and the counter substrate 22 face each other. The liquid crystal layer 23 is sealed.

素子基板21は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体31と、基板本体31の内側(液晶層23側)の表面に順に積層されたゲート絶縁膜32、絶縁膜36、電極間絶縁膜33および配向膜34とを備えている。
また、素子基板21は、基板本体31の内側の表面に配置された走査線16、容量線19および共通電極41(第二電極)と、ゲート絶縁膜32の内側の表面に配置されたデータ線14(図2参照)、半導体層42、ソース電極43ドレイン電極44および容量電極45と、電極間絶縁膜33の内側の表面に配置された画素電極11とを備えている。
The element substrate 21 includes, for example, a substrate body 31 made of a light-transmitting material such as glass, quartz, and plastic, and a gate insulating film 32 and an insulating film 36 that are sequentially stacked on the inner surface (the liquid crystal layer 23 side) of the substrate body 31. The inter-electrode insulating film 33 and the alignment film 34 are provided.
The element substrate 21 includes a scanning line 16, a capacitor line 19 and a common electrode 41 (second electrode) disposed on the inner surface of the substrate body 31, and a data line disposed on the inner surface of the gate insulating film 32. 14 (see FIG. 2), a semiconductor layer 42, a source electrode 43, a drain electrode 44 and a capacitor electrode 45, and a pixel electrode 11 disposed on the inner surface of the interelectrode insulating film 33.

ゲート絶縁膜32は、窒化シリコンや酸化シリコンなどのような絶縁性を有する透光性材料で構成されており、基板本体31上に形成された走査線16、容量線19および共通電極41を覆うように設けられている。   The gate insulating film 32 is made of a translucent material having an insulating property such as silicon nitride or silicon oxide, and covers the scanning line 16, the capacitor line 19, and the common electrode 41 formed on the substrate body 31. It is provided as follows.

絶縁膜36および電極間絶縁膜33は、ゲート絶縁膜32と同様に、窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されている。絶縁膜36は、ゲート絶縁膜32上に形成された半導体層42、ソース電極43、ドレイン電極44および容量電極45を覆うように設けられている。絶縁膜36上には、電極間絶縁膜33が形成されている。
そして、絶縁膜36および電極間絶縁膜33のうち平面視で画素電極11の後述する枠部11aおよび容量電極45と重なる部分には、画素電極11とTFT素子12との導通を図るための貫通孔であるコンタクトホール33aが形成されている。
As with the gate insulating film 32, the insulating film 36 and the interelectrode insulating film 33 are made of a translucent material having insulating properties such as silicon nitride and silicon oxide. The insulating film 36 is provided so as to cover the semiconductor layer 42, the source electrode 43, the drain electrode 44, and the capacitor electrode 45 formed on the gate insulating film 32. An interelectrode insulating film 33 is formed on the insulating film 36.
A portion of the insulating film 36 and the interelectrode insulating film 33 that overlaps a later-described frame portion 11a and the capacitor electrode 45 of the pixel electrode 11 in a plan view is penetrated to make the pixel electrode 11 and the TFT element 12 conductive. A contact hole 33a, which is a hole, is formed.

配向膜34は、例えばポリイミドなどの有機材料で構成されており、電極間絶縁膜33上に形成された画素電極11を覆うように設けられている。ここで、配向膜34の膜厚Tは、例えば約40nm〜約150nm程度となっている。なお、配向膜34の膜厚Tは、配向膜34において画素電極11を被覆していない領域における膜厚を示す。
配向膜34の上面には、液晶層23を構成する液晶分子を配向規制するための配向処理が施されている。なお、配向膜34は、電極間絶縁膜33およびこの上面に形成された画素電極11を覆うように上述した有機材料を塗布してこれを乾燥、硬化させた後、その上面にラビング処理を施すことによって形成されている。
The alignment film 34 is made of, for example, an organic material such as polyimide, and is provided so as to cover the pixel electrode 11 formed on the interelectrode insulating film 33. Here, the film thickness T of the alignment film 34 is, for example, about 40 nm to about 150 nm. The film thickness T of the alignment film 34 indicates the film thickness in a region where the pixel electrode 11 is not covered in the alignment film 34.
The upper surface of the alignment film 34 is subjected to an alignment process for regulating the alignment of liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 23. The alignment film 34 is coated with the organic material described above so as to cover the interelectrode insulating film 33 and the pixel electrode 11 formed on the upper surface, dried and cured, and then subjected to a rubbing process on the upper surface. It is formed by.

データ線14は、図2に示すように、Y軸方向に延在しており、走査線16および容量線19は、X軸方向に延在している。したがって、データ線14、走査線16および容量線19が平面視でほぼ格子状に配線されている。
半導体層42は、走査線16と平面視で重なる領域に部分的に形成されたアモルファスシリコンなどの半導体で構成されている。また、ソース電極43は、図2に示すように、平面視でほぼ逆L字状を有する配線であって、データ線14から分岐して半導体層42と導通している。そして、ドレイン電極44は、サブ画素領域の端縁部に形成された容量電極45と導通している。これら半導体層42、ソース電極43およびドレイン電極44によってTFT素子12が構成される。したがって、TFT素子12は、データ線14および走査線16の交差部近傍に設けられている。
As shown in FIG. 2, the data line 14 extends in the Y-axis direction, and the scanning line 16 and the capacitance line 19 extend in the X-axis direction. Therefore, the data lines 14, the scanning lines 16, and the capacitor lines 19 are wired in a substantially lattice shape in plan view.
The semiconductor layer 42 is made of a semiconductor such as amorphous silicon partially formed in a region overlapping the scanning line 16 in plan view. Further, as shown in FIG. 2, the source electrode 43 is a wiring having a substantially inverted L shape in plan view, and is branched from the data line 14 and is electrically connected to the semiconductor layer 42. The drain electrode 44 is electrically connected to the capacitor electrode 45 formed at the edge of the subpixel region. These semiconductor layer 42, source electrode 43 and drain electrode 44 constitute the TFT element 12. Therefore, the TFT element 12 is provided in the vicinity of the intersection of the data line 14 and the scanning line 16.

図2に示すように、容量電極45は、平面視でほぼ矩形状を有しており、容量線19と平面視で重なると共に容量電極45上に画素電極11の枠部11aの端縁部と平面視で重なるように形成されている。そして、容量電極45は、図3に示すように、電極間絶縁膜33を貫通するコンタクトホール33aを介して画素電極11と導通している。また、容量電極45と容量線19とによって蓄積容量18が形成されている。   As shown in FIG. 2, the capacitor electrode 45 has a substantially rectangular shape in plan view, overlaps the capacitor line 19 in plan view, and on the capacitor electrode 45, the edge of the frame portion 11 a of the pixel electrode 11 is formed. It is formed so as to overlap in plan view. As shown in FIG. 3, the capacitor electrode 45 is electrically connected to the pixel electrode 11 through a contact hole 33 a that penetrates the interelectrode insulating film 33. Further, the storage capacitor 18 is formed by the capacitor electrode 45 and the capacitor line 19.

画素電極11は、平面視で略梯子形状であって、例えばITO(酸化インジウムスズ)などの透光性導電材料で構成されている。そして、画素電極11は、平面視で矩形の枠状の枠部11aと、略X軸方向(走査線16延在方向)に延在すると共にY軸方向(データ線14延在方向)で間隔をあけて互いに平行となるように複数(15本)配置された帯状電極11bとを備えている。ここで、帯状電極11bは、その両端がそれぞれ枠部11aのうちのY軸方向に延在する部分と接続されている。   The pixel electrode 11 has a substantially ladder shape in plan view and is made of a light-transmitting conductive material such as ITO (indium tin oxide). The pixel electrode 11 extends in the X-axis direction (scanning line 16 extending direction) and is spaced in the Y-axis direction (data line 14 extending direction) from the rectangular frame-shaped frame portion 11a in plan view. And a plurality of (15) strip-shaped electrodes 11b arranged so as to be parallel to each other. Here, both ends of the strip electrode 11b are connected to portions of the frame portion 11a extending in the Y-axis direction.

また、図3に示すように、電極間絶縁膜33の表面の帯状電極11bの形成領域には、凸部35が形成されている。凸部35は、例えば、マスクスパッタ法等により形成されている。凸部35は、図4に示すように、液晶層23側に向けて幅W1が小さくなる略三角形状の先細形状の断面形状に形成されている。   Further, as shown in FIG. 3, a convex portion 35 is formed in the formation region of the strip electrode 11 b on the surface of the interelectrode insulating film 33. The convex portion 35 is formed by, for example, a mask sputtering method or the like. As shown in FIG. 4, the convex portion 35 is formed in a substantially triangular tapered cross-sectional shape in which the width W <b> 1 decreases toward the liquid crystal layer 23 side.

帯状電極11bは凸部35の表面に沿って、例えば、スパッタリング法等により形成されている。帯状電極11bの断面形状は、凸部35の断面形状に対応して液晶層23側に向けて幅W2が小さくなる略三角形状の先細形状に形成されている。また、帯状電極11bの側面11s,11s(傾斜部)は、帯状電極11bの非形成領域から液晶層23側の頂点Vに向けて傾斜して形成されている。
帯状電極11bの頂点Vは、帯状電極11bの幅W2方向の略中央に形成され、断面視で略左右対称に形成されている。配向膜34は、頂点V上の膜厚T1が最も薄くなるように形成されている。
The strip electrode 11b is formed along the surface of the convex portion 35 by, for example, a sputtering method or the like. The cross-sectional shape of the strip electrode 11 b is formed in a substantially triangular tapered shape in which the width W <b> 2 decreases toward the liquid crystal layer 23 side corresponding to the cross-sectional shape of the convex portion 35. Further, the side surfaces 11s and 11s (inclined portions) of the strip electrode 11b are formed to be inclined from the non-formation region of the strip electrode 11b toward the vertex V on the liquid crystal layer 23 side.
The vertex V of the strip electrode 11b is formed at the approximate center in the width W2 direction of the strip electrode 11b, and is formed substantially bilaterally symmetrical in a cross-sectional view. The alignment film 34 is formed so that the film thickness T1 on the vertex V is the thinnest.

共通電極41は、平面視で図2に示すX軸方向に延在する帯状であって、画素電極11と同様に、例えばITOなどの透光性導電材料で構成されている。そして、共通電極41は、画素電極11よりも液晶層23から離間する側、すなわち、画素電極11の基板本体31側(画素電極11と基板本体31の間)に配置されている。そして、共通電極41には、例えば、液晶層23の駆動に用いられる所定の一定な電位あるいは0Vが印加されるもの、または所定の一定な電位とこれとは異なる他の所定の一定の電位とが周期的(フレーム期間ごとまたはフィルド期間)に切り替わる信号が印加されるように構成されている。
以上より、画素電極11と共通電極41とは、絶縁層を構成するゲート絶縁膜32および電極間絶縁膜33を介して配置されている。また、画素電極11を構成する帯状電極11bは、その間隔が帯状電極11bの電極幅や液晶層23の層厚よりも小さくなっている。これにより、画素電極11と共通電極41とは、FFS方式の電極構造を構成している。
The common electrode 41 has a strip shape extending in the X-axis direction shown in FIG. 2 in plan view, and is made of a light-transmitting conductive material such as ITO, for example, like the pixel electrode 11. The common electrode 41 is disposed on the side farther from the liquid crystal layer 23 than the pixel electrode 11, that is, on the substrate body 31 side of the pixel electrode 11 (between the pixel electrode 11 and the substrate body 31). The common electrode 41 is applied with, for example, a predetermined constant potential or 0 V used for driving the liquid crystal layer 23, or another predetermined constant potential different from the predetermined constant potential. Is configured to be applied with a signal that switches periodically (every frame period or filled period).
As described above, the pixel electrode 11 and the common electrode 41 are disposed via the gate insulating film 32 and the inter-electrode insulating film 33 constituting the insulating layer. Further, the interval between the strip electrodes 11 b constituting the pixel electrode 11 is smaller than the electrode width of the strip electrodes 11 b and the layer thickness of the liquid crystal layer 23. Thus, the pixel electrode 11 and the common electrode 41 constitute an FFS type electrode structure.

対向基板22は、図3に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体51と、基板本体51の内側(液晶層23側)の表面に順に積層されたカラーフィルタ層52および配向膜53とを備えている。
カラーフィルタ層52は、サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素の表示色に対応する色材を含有している。なお、カラーフィルタ層52の内側には、平面視で素子基板21に設けられたデータ線14、走査線16および容量線19やTFT素子12と重なるように遮光膜(図示略)が設けられている。
配向膜53は、例えばポリイミドなどの有機材料やシリコン酸化物などの無機材料で構成されており、その配向方向が配向膜34の配向方向と同方向となっている。
偏光板24、25は、それぞれの透過軸が互いに直交するように設けられている。
As shown in FIG. 3, the counter substrate 22 is sequentially stacked on a substrate body 51 made of a light-transmitting material such as glass, quartz, and plastic, and on the inner surface (the liquid crystal layer 23 side) of the substrate body 51. The color filter layer 52 and the alignment film 53 are provided.
The color filter layer 52 is arranged corresponding to the sub-pixel region, and is made of, for example, acrylic and contains a color material corresponding to the display color of each sub-pixel. A light shielding film (not shown) is provided on the inner side of the color filter layer 52 so as to overlap the data lines 14, the scanning lines 16, the capacitor lines 19, and the TFT elements 12 provided on the element substrate 21 in plan view. Yes.
The alignment film 53 is made of, for example, an organic material such as polyimide or an inorganic material such as silicon oxide, and the alignment direction thereof is the same as the alignment direction of the alignment film 34.
The polarizing plates 24 and 25 are provided so that their transmission axes are orthogonal to each other.

次に、この実施の形態の作用について説明する。
液晶装置1は、FFS方式を用いた横電界方式の液晶装置であり、TFT素子12を介して画素電極11に画像信号(電圧)を供給することで、画素電極11と共通電極41との間に基板面方向の電界を生じさせ、この電界によって液晶を駆動する。そして、液晶装置1は、サブ画素領域ごとに透過率を変更させて表示を行う。
すなわち、画素電極11に電圧を印加しない状態において、液晶層23を構成する液晶分子は、一定の方向に水平配向している。そして、画素電極11及び共通電極41を介して、図4に示すように、画素電極11を構成する帯状電極11bの延在方向に対して直交する方向に沿う電界Eを液晶層23に発生させると、この方向に沿って液晶分子が配向する。
Next, the operation of this embodiment will be described.
The liquid crystal device 1 is a lateral electric field type liquid crystal device using the FFS method, and supplies an image signal (voltage) to the pixel electrode 11 through the TFT element 12, thereby providing a gap between the pixel electrode 11 and the common electrode 41. An electric field is generated in the direction of the substrate surface, and the liquid crystal is driven by this electric field. Then, the liquid crystal device 1 performs display by changing the transmittance for each sub-pixel region.
That is, in a state where no voltage is applied to the pixel electrode 11, the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 23 are horizontally aligned in a certain direction. Then, as shown in FIG. 4, an electric field E along the direction orthogonal to the extending direction of the strip electrode 11 b constituting the pixel electrode 11 is generated in the liquid crystal layer 23 through the pixel electrode 11 and the common electrode 41. Then, the liquid crystal molecules are aligned along this direction.

液晶装置1において、照明光は、偏光板24を透過することで偏光板24の透過軸に沿う直線偏光に変換され、液晶層23に入射する。
そして、液晶層23がオフ状態(非選択状態)であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、入射時と同一の偏光状態で液晶層23から出射する。この直線偏光は、直線偏光と直交する透過軸を有する偏光板25に吸収されて、サブ画素領域が暗表示となる。
一方、液晶層23がオン状態(選択状態)であれば、液晶層23に入射した直線偏光は、液晶層23により所定の位相差(1/2波長)が付与されて、入射時の偏光方向から90°回転した直線偏光に変換されて液晶層23から出射する。この直線偏光は、偏光板25の透過軸と平行であるため、偏光板25を透過して表示光として視認され、サブ画素領域が明表示となる。
以上より、本実施形態における液晶装置1は、オフ状態において暗表示となる、ノーマリブラックモードを用いた液晶装置となっている。
In the liquid crystal device 1, the illumination light is transmitted through the polarizing plate 24 to be converted into linearly polarized light along the transmission axis of the polarizing plate 24 and enters the liquid crystal layer 23.
If the liquid crystal layer 23 is in the off state (non-selected state), the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer 23 is emitted from the liquid crystal layer 23 in the same polarization state as that at the time of incidence. This linearly polarized light is absorbed by the polarizing plate 25 having a transmission axis orthogonal to the linearly polarized light, and the sub-pixel region is darkly displayed.
On the other hand, if the liquid crystal layer 23 is in the on state (selected state), the linearly polarized light incident on the liquid crystal layer 23 is given a predetermined phase difference (1/2 wavelength) by the liquid crystal layer 23, and the polarization direction at the time of incidence. Is converted into linearly polarized light rotated by 90 ° and emitted from the liquid crystal layer 23. Since this linearly polarized light is parallel to the transmission axis of the polarizing plate 25, the linearly polarized light passes through the polarizing plate 25 and is visually recognized as display light, and the sub-pixel region is brightly displayed.
As described above, the liquid crystal device 1 according to the present embodiment is a liquid crystal device using a normally black mode that is darkly displayed in the off state.

ここで、図4に示すように、帯状電極11bの断面形状は、帯状電極11bの延在方向に直交する断面視で、帯状電極11bの側面11s,11sが傾斜して形成され、液晶層23側に向けて幅W2が小さくなる略三角形状の先細形状に形成されている。これにより、帯状電極11bを覆う配向膜34の膜厚Tは、帯状電極11bの非形成領域から先細形状の帯状電極11bの頂点Vにかけて徐々に薄くなっていく。したがって、図13(b)に示す断面形状が矩形の従来の帯状電極11Bと比較して、配向膜34の局所的な薄膜化が防止され、頂点Vを除く部分に電荷が蓄積されることを防止できる。   Here, as shown in FIG. 4, the cross-sectional shape of the strip electrode 11 b is formed by tilting the side surfaces 11 s and 11 s of the strip electrode 11 b in a cross-sectional view orthogonal to the extending direction of the strip electrode 11 b, and the liquid crystal layer 23. It is formed in a substantially triangular tapered shape in which the width W2 decreases toward the side. As a result, the film thickness T of the alignment film 34 covering the strip electrode 11b gradually decreases from the non-formation region of the strip electrode 11b to the apex V of the tapered strip electrode 11b. Accordingly, as compared with the conventional strip electrode 11B having a rectangular cross-sectional shape shown in FIG. 13B, local thinning of the alignment film 34 is prevented, and charges are accumulated in the portion excluding the vertex V. Can be prevented.

また、帯状電極11bの頂点Vの近傍は、電界Eが液晶層23の法線方向に近い方向に沿って発生するため、液晶分子を帯状電極11bの延在方向に対して直交する方向に配向することができない。このため、頂点Vの近傍は、液晶装置1の表示に寄与しない帯状電極11bの略中央部の領域Bとなる。したがって、配向膜34が薄膜化した頂点Vの近傍に電荷が蓄積されても、液晶装置1の表示品質に影響を与えることがない。
したがって、本実施形態の液晶装置1によれば、配向膜34が局所的に薄膜化した部分に電荷が蓄積されたとしても表示焼付等の表示不良が発生することを防止できる。
Further, in the vicinity of the vertex V of the strip electrode 11b, since the electric field E is generated along a direction close to the normal direction of the liquid crystal layer 23, the liquid crystal molecules are aligned in a direction orthogonal to the extending direction of the strip electrode 11b. Can not do it. For this reason, the vicinity of the vertex V is a region B in the substantially central portion of the strip electrode 11 b that does not contribute to the display of the liquid crystal device 1. Therefore, even if charges are accumulated in the vicinity of the vertex V where the alignment film 34 is thinned, the display quality of the liquid crystal device 1 is not affected.
Therefore, according to the liquid crystal device 1 of the present embodiment, it is possible to prevent display defects such as display burn-in from occurring even if charges are accumulated in a portion where the alignment film 34 is locally thinned.

また、帯状電極11bの側面11s,11sは、帯状電極11bの非形成領域側から頂点Vに向けて傾斜しているので、側面11s,11sの近傍において、電界Eを側面11s方向で、かつ、より基板面方向に近い方向に発生させることができる。したがって、図13(b)に示す従来の断面形状が矩形の帯状電極11Bと比較して、液晶装置1における表示に寄与する領域Dを拡大することができる。   Further, since the side surfaces 11s and 11s of the belt-like electrode 11b are inclined from the non-formation region side of the belt-like electrode 11b toward the vertex V, the electric field E in the vicinity of the side surfaces 11s and 11s in the side surface 11s direction, and It can be generated in a direction closer to the substrate surface direction. Therefore, the region D contributing to display in the liquid crystal device 1 can be enlarged as compared with the belt-like electrode 11B having the conventional cross-sectional shape shown in FIG.

また、帯状電極11bは、電極間絶縁膜33表面の凸部35の表面に沿って形成され、凸部35は略三角形状の先細形状に形成されているので、凸部35の形状を利用して帯状電極11bを先細形状に形成することができる。
したがって、先細形状の帯状電極11bの形成を容易にし、帯状電極11bを形成する際に液晶装置1の生産性を低下させることが無い。
Further, the strip electrode 11b is formed along the surface of the convex portion 35 on the surface of the interelectrode insulating film 33, and the convex portion 35 is formed in a substantially triangular tapered shape. Therefore, the shape of the convex portion 35 is used. Thus, the strip electrode 11b can be formed in a tapered shape.
Accordingly, it is easy to form the tapered strip electrode 11b, and the productivity of the liquid crystal device 1 is not lowered when the strip electrode 11b is formed.

<第二実施形態>
次に、本発明の第二実施形態について、図1〜図3を援用し、図5(a)〜図5(c)を用いて説明する。本実施形態では上述の第一実施形態で説明した帯状電極11bおよび凸部35と、帯状電極11c〜11eおよび凸部35c〜35eの断面形状が異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
<Second embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 5C with reference to FIGS. In this embodiment, the cross-sectional shapes of the strip electrode 11b and the convex portion 35 described in the first embodiment and the strip electrodes 11c to 11e and the convex portions 35c to 35e are different. Since the other points are the same as in the first embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図5(a)に示すように、電極間絶縁膜33の表面の帯状電極11cの形成領域には、凸部35cが、液晶層23側に向けて幅Wc1が小さくなる略半楕円形状の先細形状の断面形状に形成されている。
帯状電極11cは、凸部35cの表面に沿って形成され、凸部35cの形状に対応した略半楕円形状の断面形状に形成され、液晶層23側に向けて幅Wc2が小さくなる先細形状に形成されている。
As shown in FIG. 5A, in the formation region of the band-like electrode 11c on the surface of the interelectrode insulating film 33, the convex portion 35c has a substantially semi-elliptical tapered shape in which the width Wc1 decreases toward the liquid crystal layer 23 side. It is formed in a cross-sectional shape.
The band-shaped electrode 11c is formed along the surface of the convex portion 35c, is formed in a substantially semi-elliptical cross-sectional shape corresponding to the shape of the convex portion 35c, and has a tapered shape in which the width Wc2 decreases toward the liquid crystal layer 23 side. Is formed.

図5(b)に示すように、電極間絶縁膜33の表面の帯状電極11dの形成領域には、凸部35dが、液晶層23側に向けて幅Wd1が小さくなる略台形状の先細形状の断面形状に形成されている。
帯状電極11dは、凸部35dの表面に沿って形成され、凸部35dの形状に対応した略台形状の断面形状に形成され、液晶層23側に向けて幅Wd2が小さくなる先細形状に形成されている。尚、図面を分かりやすくするためにWd1を広く示しているが、Wd1はなるべく狭くすることが好ましい。Vdを帯状電極11bの側端から遠ざけて表示品質への影響を小さくするためである。
As shown in FIG. 5B, in the formation region of the band-like electrode 11d on the surface of the interelectrode insulating film 33, the convex portion 35d has a substantially trapezoidal tapered shape in which the width Wd1 decreases toward the liquid crystal layer 23 side. The cross-sectional shape is formed.
The band-shaped electrode 11d is formed along the surface of the convex portion 35d, is formed in a substantially trapezoidal cross-sectional shape corresponding to the shape of the convex portion 35d, and is formed in a tapered shape in which the width Wd2 decreases toward the liquid crystal layer 23 side. Has been. In order to make the drawing easy to understand, Wd1 is shown widely, but it is preferable to make Wd1 as narrow as possible. This is to reduce the influence on the display quality by keeping Vd away from the side end of the strip electrode 11b.

図5(c)に示すように、電極間絶縁膜33の表面の帯状電極11eの形成領域には、液晶層23側に向けて幅We1が小さくなる略三角形状の先細形状の断面形状に凸部35eが形成されている。凸部35eは、例えば、アクリル樹脂等の樹脂材料により形成されている。凸部35eは、例えば、電極間絶縁膜33上に形成した樹脂材料層をフォトリソグラフィー、エッチング等によりパターニングすることにより形成されている。
帯状電極11eは、凸部35eの表面に沿って形成され、凸部35eの形状に対応して、液晶層23側に向けて幅We2が小さくなる略三角形状の先細形状の断面形状に形成されている。
As shown in FIG. 5C, the band electrode 11e forming region on the surface of the interelectrode insulating film 33 has a substantially triangular tapered cross-sectional shape with a width We1 decreasing toward the liquid crystal layer 23 side. A portion 35e is formed. The convex portion 35e is made of, for example, a resin material such as acrylic resin. The protrusion 35e is formed, for example, by patterning a resin material layer formed on the interelectrode insulating film 33 by photolithography, etching, or the like.
The strip electrode 11e is formed along the surface of the convex portion 35e, and has a substantially triangular tapered cross-sectional shape corresponding to the shape of the convex portion 35e, and the width We2 decreases toward the liquid crystal layer 23 side. ing.

このように、帯状電極11c〜11eは、帯状電極11c〜11eの延在方向に直交する断面視で、帯状電極11c〜11eの側面11s,11sが傾斜して形成され、液晶層23側に向けて幅Wc2〜We2が小さくなる先細形状の断面形状に形成されているので、上述の第一実施形態と同様に配向膜34の膜厚Tは、帯状電極11c〜11eの非形成領域から帯状電極11c〜11eの頂点Vc〜Veに向けて徐々に薄くなっていく。したがって、配向膜34の局所的な薄膜化が防止され、上述の第一実施形態と同様の効果を得ることができる。   As described above, the strip electrodes 11c to 11e are formed so that the side surfaces 11s and 11s of the strip electrodes 11c to 11e are inclined in a cross-sectional view orthogonal to the extending direction of the strip electrodes 11c to 11e, and toward the liquid crystal layer 23 side. Since the width Wc2 to We2 is formed in a tapered cross-sectional shape, the film thickness T of the alignment film 34 is changed from the non-formation region of the strip electrodes 11c to 11e to the strip electrode as in the first embodiment described above. It gradually becomes thinner toward the vertices Vc to Ve of 11c to 11e. Therefore, local thinning of the alignment film 34 is prevented, and the same effect as in the first embodiment described above can be obtained.

また、図5(c)に示すように、アクリル樹脂等の樹脂材料により凸部35eを形成することにより、凸部35eの形状の制御が容易になる。また、上述した凸部35,35c、35dは凸部35eと同様に樹脂材料により形成してもよい。これにより、凸部35eと同様に、断面形状の制御を容易にすることができる。
したがって、樹脂材料を用いて凸部35〜35eを形成することで、帯状電極11b〜11eの幅や、帯状電極11b〜11e同士の間隔を微細化することができる。
Further, as shown in FIG. 5C, by forming the convex portion 35e with a resin material such as acrylic resin, the shape of the convex portion 35e can be easily controlled. Moreover, you may form the convex part 35,35c, 35d mentioned above with the resin material similarly to the convex part 35e. Thereby, similarly to the convex part 35e, control of a cross-sectional shape can be made easy.
Therefore, the width of the strip electrodes 11b to 11e and the interval between the strip electrodes 11b to 11e can be reduced by forming the convex portions 35 to 35e using a resin material.

<第三実施形態>
次に、本発明の第三実施形態について、図1、図2および図4を援用し、図6を用いて説明する。本実施形態では上述の第一実施形態で説明した液晶装置1と、絶縁膜36に基板側凸部37が形成されている点で異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
<Third embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6 with reference to FIG. 1, FIG. 2 and FIG. The present embodiment is different from the liquid crystal device 1 described in the first embodiment in that a substrate-side convex portion 37 is formed on the insulating film 36. Since the other points are the same as in the first embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図6に示すように、本実施形態の液晶装置1’の絶縁膜36の表面の帯状電極11bの形成領域には、基板側凸部37が形成されている。基板側凸部37は、液晶層23側に向けて幅W3が小さくなる略三角形状の先細形状の断面形状に形成されている。   As shown in FIG. 6, a substrate-side convex portion 37 is formed in the formation region of the strip electrode 11 b on the surface of the insulating film 36 of the liquid crystal device 1 ′ of the present embodiment. The substrate-side convex portion 37 is formed in a substantially triangular tapered cross-sectional shape in which the width W3 decreases toward the liquid crystal layer 23 side.

絶縁膜36上には、共通電極41が積層して形成され、絶縁膜36の基板側凸部37の断面形状に対応して、帯状電極11bの形成領域が凸状に形成されている。そして、電極間絶縁膜33の液晶層23側の表面には、凸状に形成された共通電極41の形状に沿って、凸部35が形成されている。すなわち、凸部35は基板側凸部37の形状に沿って形成されている。   On the insulating film 36, the common electrode 41 is formed by being laminated, and the formation region of the strip electrode 11b is formed in a convex shape corresponding to the cross-sectional shape of the substrate-side convex portion 37 of the insulating film 36. And the convex part 35 is formed in the surface by the side of the liquid crystal layer 23 of the interelectrode insulating film 33 along the shape of the common electrode 41 formed convexly. That is, the convex portion 35 is formed along the shape of the substrate-side convex portion 37.

このように、凸部35を基板側凸部37の形状に沿って形成することで、絶縁膜36の基板側凸部37の形状を利用して電極間絶縁膜33に凸部35が形成され、さらにその凸部35の形状を利用して帯状電極11bを上述の略三角形状の先細形状の断面形状に形成できる。
したがって、本実施形態によれば第一実施形態と同様の効果が得られるだけでなく、絶縁膜36に基板側凸部37を形成するだけでよいので、液晶装置1’の製造を容易にし、生産性を向上させることができる。
Thus, by forming the convex portion 35 along the shape of the substrate-side convex portion 37, the convex portion 35 is formed in the interelectrode insulating film 33 using the shape of the substrate-side convex portion 37 of the insulating film 36. Furthermore, the strip-shaped electrode 11b can be formed in the above-mentioned substantially triangular tapered cross-sectional shape by utilizing the shape of the convex portion 35.
Therefore, according to the present embodiment, not only the same effects as in the first embodiment can be obtained, but also the substrate-side convex portion 37 only needs to be formed on the insulating film 36, which facilitates the manufacture of the liquid crystal device 1 ′. Productivity can be improved.

<第四実施形態>
次に、本発明の第四実施形態について、図1および図2を援用し、図7〜図9を用いて説明する。本実施形態では上述の第一実施形態〜第三実施形態で説明した液晶装置1,1’と、凸部35,35c〜35eの代わりに凹部38,38c〜38eが形成されている点で異なっている。その他の点は第一実施形態〜第三実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 9 with reference to FIGS. This embodiment is different from the liquid crystal devices 1 and 1 ′ described in the first to third embodiments described above in that concave portions 38 and 38c to 38e are formed instead of the convex portions 35 and 35c to 35e. ing. Since the other points are the same as those of the first embodiment to the third embodiment, the same portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図7に示すように、液晶装置1Bの電極間絶縁膜33の表面の帯状電極11bの形成領域には、凹部38が形成されている。凹部38は、例えば、エッチング等により形成されている。凹部38は、頂点Vを基板本体31側に向けた略三角形状の断面形状に形成されている。また、帯状電極11bは、凹部38の形状に沿って凹部38の内部に収容されるように形成されている。帯状電極11bの側面11s,11s(傾斜部)は、凹部38の形状に沿って、帯状電極11bの非形成領域から液晶層23側の頂点Vに向けて傾斜して形成されている。   As shown in FIG. 7, a recess 38 is formed in the formation region of the strip electrode 11b on the surface of the interelectrode insulating film 33 of the liquid crystal device 1B. The recess 38 is formed by, for example, etching. The recess 38 is formed in a substantially triangular cross-sectional shape with the vertex V facing the substrate body 31 side. Further, the strip electrode 11 b is formed so as to be accommodated in the recess 38 along the shape of the recess 38. Side surfaces 11s and 11s (inclined portions) of the strip electrode 11b are formed along the shape of the recess 38 so as to be inclined from the non-formation region of the strip electrode 11b toward the vertex V on the liquid crystal layer 23 side.

このように、帯状電極11bは、側面11s,11sが凹部38の形状に沿って傾斜して設けられ、凹部38の内部に収容されるように形成されている。これにより、帯状電極11bを覆う配向膜34の膜厚Tは、帯状電極11bの非形成領域から形成領域に亘って平坦に形成される。したがって、図13(b)に示す断面形状が矩形の従来の帯状電極11Bと比較して、配向膜34の局所的な薄膜化が防止され、部分的に電荷が蓄積されることを防止できる。   As described above, the belt-like electrode 11 b is formed so that the side surfaces 11 s and 11 s are inclined along the shape of the recess 38 and is accommodated in the recess 38. Thereby, the film thickness T of the alignment film 34 covering the strip electrode 11b is formed flat from the non-formation region to the formation region of the strip electrode 11b. Therefore, as compared with the conventional strip electrode 11B having a rectangular cross-sectional shape shown in FIG. 13B, the alignment film 34 is prevented from being thinned locally, and charges can be prevented from being partially accumulated.

次に、本実施形態の第一変形例について、図7を援用し、図8(a)〜図8(c)を用いて説明する。本変形例では、上述の凹部38と帯状電極11c〜11dおよび凹部38c〜38eの断面形状が異なっている。その他の点は上述の第四実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。   Next, a first modification of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 8A to 8C with reference to FIG. In the present modification, the above-described recess 38 is different in cross-sectional shape from the strip electrodes 11c to 11d and the recesses 38c to 38e. The other points are the same as in the above-described fourth embodiment, so the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図8(a)に示すように、電極間絶縁膜33の表面の帯状電極11cの形成領域には、凹部38cが、略半楕円形状の断面形状に形成されている。
帯状電極11cは、凹部38cの表面に沿って形成され、側面11s,11sが傾斜して設けられ、凹部38cの内部に収容されるように形成されている。
As shown in FIG. 8A, in the formation region of the strip electrode 11c on the surface of the interelectrode insulating film 33, a recess 38c is formed in a substantially semi-elliptical cross-sectional shape.
The strip-shaped electrode 11c is formed along the surface of the recess 38c, and the side surfaces 11s and 11s are inclined so as to be accommodated in the recess 38c.

図8(b)に示すように、電極間絶縁膜33の表面の帯状電極11dの形成領域には、凹部38dが、略台形状の断面形状に形成されている。
帯状電極11dは、凹部38dの表面に沿って形成され、側面11s,11sが傾斜して設けられ、凹部38cの内部に収容されるように形成されている。
As shown in FIG. 8B, in the formation region of the strip electrode 11d on the surface of the interelectrode insulating film 33, a recess 38d is formed in a substantially trapezoidal cross-sectional shape.
The band-shaped electrode 11d is formed along the surface of the recess 38d, and the side surfaces 11s and 11s are inclined so as to be accommodated inside the recess 38c.

図8(c)に示すように、電極間絶縁膜33の表面の帯状電極11eの形成領域には、凹部38eが、略三角形状の断面形状に形成されている。
帯状電極11eは、凹部38eの表面に沿って形成され、側面11s,11sが傾斜して設けられ、凹部38cの内部に収容されるように形成されている。
As shown in FIG. 8C, in the formation region of the strip electrode 11e on the surface of the interelectrode insulating film 33, a recess 38e is formed in a substantially triangular cross-sectional shape.
The strip-shaped electrode 11e is formed along the surface of the recess 38e, and the side surfaces 11s and 11s are inclined and formed so as to be accommodated in the recess 38c.

このように、帯状電極11c〜11eは、側面11s,11sが凹部38c〜38eの形状に沿って傾斜して設けられ、凹部38c〜38eの内部に収容されるように形成されている。これにより、帯状電極11c〜11eを覆う配向膜34の膜厚Tは、帯状電極11bの非形成領域から形成領域に亘って平坦に形成される。したがって、図13(b)に示す断面形状が矩形の従来の帯状電極11Bと比較して、配向膜34の局所的な薄膜化が防止され、部分的に電荷が蓄積されることを防止できる。   As described above, the belt-like electrodes 11c to 11e are formed so that the side surfaces 11s and 11s are inclined along the shape of the recesses 38c to 38e and are accommodated in the recesses 38c to 38e. Thereby, the film thickness T of the alignment film 34 covering the strip electrodes 11c to 11e is formed flat from the non-formation region to the formation region of the strip electrode 11b. Therefore, as compared with the conventional strip electrode 11B having a rectangular cross-sectional shape shown in FIG. 13B, the alignment film 34 is prevented from being thinned locally, and charges can be prevented from being partially accumulated.

次に、本実施形態の第二変形例について、図9を用いて説明する。本変形例では、上述の第四実施形態と絶縁膜36に基板側凹部39が形成されている点で異なっている。その他の点は第四実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。   Next, a second modification of the present embodiment will be described with reference to FIG. This modification differs from the fourth embodiment described above in that a substrate-side recess 39 is formed in the insulating film 36. Since the other points are the same as in the fourth embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図9に示すように、液晶装置1B’の絶縁膜36の表面の帯状電極11bの形成領域には、基板側凹部39が形成されている。基板側凹部39は、頂点V’を基板本体31側に向けた略三角形状の断面形状に形成されている。   As shown in FIG. 9, a substrate-side recess 39 is formed in the formation region of the strip electrode 11b on the surface of the insulating film 36 of the liquid crystal device 1B '. The substrate-side recess 39 is formed in a substantially triangular cross-sectional shape with the vertex V ′ facing the substrate body 31 side.

絶縁膜36上には、共通電極41が積層して形成され、絶縁膜36の基板側凹部39の断面形状に対応して、帯状電極11bの形成領域が凹状に形成されている。そして、電極間絶縁膜33の液晶層23側の表面には、凹状に形成された共通電極41の形状に沿って、凹部38が形成されている。すなわち、凹部38は基板側凹部39の形状に沿って形成されている。   On the insulating film 36, the common electrode 41 is formed by being laminated, and the formation region of the strip electrode 11 b is formed in a concave shape corresponding to the cross-sectional shape of the substrate-side concave portion 39 of the insulating film 36. A concave portion 38 is formed on the surface of the interelectrode insulating film 33 on the liquid crystal layer 23 side along the shape of the common electrode 41 formed in a concave shape. That is, the recess 38 is formed along the shape of the substrate-side recess 39.

このように、凹部38を基板側凹部39の形状に沿って形成することで、絶縁膜36の基板側凹部39の形状を利用して電極間絶縁膜33に凹部38が形成され、さらにその凹部38の形状を利用して帯状電極11bを上述の略三角形状の断面形状に形成できる。
したがって、本変形例によれば、上述の第四実施形態と同様の効果が得られるだけでなく、絶縁膜36に基板側凹部39を形成するだけでよいので、液晶装置1B’の製造を容易にし、生産性を向上させることができる。
Thus, by forming the recess 38 along the shape of the substrate-side recess 39, the recess 38 is formed in the interelectrode insulating film 33 using the shape of the substrate-side recess 39 of the insulating film 36, and the recess The strip electrode 11b can be formed in the above-described substantially triangular cross-sectional shape by utilizing the shape of 38.
Therefore, according to this modification, not only the same effects as in the fourth embodiment described above can be obtained, but also the substrate-side recess 39 need only be formed in the insulating film 36, so that the liquid crystal device 1B ′ can be easily manufactured. And productivity can be improved.

〔電子機器〕
次に、上述した構成の液晶装置1を備える電子機器について説明する。ここで、図10は、本発明の液晶装置を備える電子機器である携帯電話機を示す外観斜視図である。
本実施形態における電子機器は、図10に示すような携帯電話機100であって、本体部101と、これに開閉可能に設けられた表示体部102とを有する。表示体部102の内部には表示装置103が配置されており、電話通信に関する各種表示が表示画面104において視認可能となっている。また、本体部101には操作ボタン105が配列されている。
そして、表示体部102の一端部には、アンテナ106が伸縮自在に取り付けられている。また、表示体部102の上部に設けられた受話部107の内部には、スピーカ(図示略)が内蔵されている。さらに、本体部101の下端部に設けられた送話部108の内部には、マイク(図示略)が内蔵されている。
ここで、表示装置103には、図1に示す液晶装置1が用いられている。
〔Electronics〕
Next, an electronic apparatus including the liquid crystal device 1 having the above-described configuration will be described. Here, FIG. 10 is an external perspective view showing a mobile phone which is an electronic apparatus including the liquid crystal device of the present invention.
The electronic apparatus according to the present embodiment is a mobile phone 100 as shown in FIG. 10, and includes a main body 101 and a display body 102 that can be opened and closed. A display device 103 is arranged inside the display body 102, and various displays relating to telephone communication can be visually recognized on the display screen 104. In addition, operation buttons 105 are arranged on the main body 101.
An antenna 106 is attached to one end portion of the display body 102 so as to be extendable. Further, a speaker (not shown) is built in the receiver 107 provided on the upper part of the display body 102. Further, a microphone (not shown) is built in the transmitter 108 provided at the lower end of the main body 101.
Here, the liquid crystal device 1 shown in FIG. 1 is used for the display device 103.

以上のように、本実施形態における液晶装置1を備える携帯電話機100によれば、表示焼付等の表示不良が発生することが防止され、表示に寄与する領域が拡大された液晶装置1を備えているので、表示品質の高い携帯電話機100を提供することができる。   As described above, the mobile phone 100 including the liquid crystal device 1 according to the present embodiment includes the liquid crystal device 1 in which display defects such as display image sticking are prevented from occurring and the area contributing to display is enlarged. Therefore, the mobile phone 100 with high display quality can be provided.

尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上述の実施形態では、電極間絶縁膜に凸部を形成し凸部の表面に帯状電極を形成したが、電極間絶縁膜に凸部を形成することなく平坦に形成し、断面が先細状で中実の帯状電極を形成してもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the convex portion is formed in the interelectrode insulating film and the strip electrode is formed on the surface of the convex portion. However, the interelectrode insulating film is formed flat without forming the convex portion, and the cross section is tapered. A solid band-like electrode may be formed.

また、画素電極11の形状は、上述の実施の形態で説明した形状に限られない。例えば、図11に示すように、帯状電極11bがY軸方向に延在する画素電極11’としてもよい。また、図12に示すように、略X軸方向に延在する帯状電極11bのY軸方向の傾斜が、Y軸方向の途中で反転する画素電極11”としてもよい。   Further, the shape of the pixel electrode 11 is not limited to the shape described in the above embodiment. For example, as shown in FIG. 11, the strip electrode 11b may be a pixel electrode 11 'extending in the Y-axis direction. Further, as shown in FIG. 12, the pixel electrode 11 ″ in which the inclination in the Y-axis direction of the strip electrode 11b extending substantially in the X-axis direction may be reversed in the middle of the Y-axis direction.

また、画素電極をスイッチング制御する駆動素子としてTFT素子を用いているが、TFT素子に限らず、TFD(Thin Film Diode:薄膜ダイオード)素子など、他の駆動素子を用いてもよい。   Further, although the TFT element is used as a drive element for switching control of the pixel electrode, the drive element is not limited to the TFT element, and other drive elements such as a TFD (Thin Film Diode) element may be used.

また、液晶装置は、ノーマリブラックモードに限らず、偏光板の透過軸を適宜変更することによってノーマリホワイトモードを採用してもよい。
そして、液晶装置は、透過型の表示装置としているが、半透過反射型の液晶装置や反射型の液晶装置であってもよい。
さらに、液晶装置は、R、G、Bの3色の色表示を行うカラー液晶装置としているが、R、G、Bのいずれかまたは他の1色の色表示を行う単色の表示装置や、2色や4色以上の色表示を行う表示装置であってもよい。さらに、対向基板にカラーフィルタ層を設けない構成としてもよい。ここで、対向基板にカラーフィルタ層を設けずに、素子基板にカラーフィルタ層を設けてもよい。
さらに、電子機器は、液晶装置を備えていれば上述した携帯電話機に限らず、電子ブックやパーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器などの画像表示手段であってもよい。
Further, the liquid crystal device is not limited to the normally black mode, and may adopt a normally white mode by appropriately changing the transmission axis of the polarizing plate.
The liquid crystal device is a transmissive display device, but may be a transflective liquid crystal device or a reflective liquid crystal device.
Furthermore, the liquid crystal device is a color liquid crystal device that performs color display of three colors of R, G, and B, but a single color display device that performs color display of any one of R, G, and B, or another color, A display device that displays two colors or four or more colors may be used. Further, the color filter layer may not be provided on the counter substrate. Here, the color filter layer may be provided on the element substrate without providing the color filter layer on the counter substrate.
Furthermore, the electronic device is not limited to the above-described mobile phone provided with a liquid crystal device, but is an electronic book, a personal computer, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, It may be an image display means such as a pager, electronic notebook, calculator, word processor, workstation, videophone, POS terminal, or a device equipped with a touch panel.

本発明の第一実施形態における液晶装置を示す回路構成図である。It is a circuit block diagram which shows the liquid crystal device in 1st embodiment of this invention. 液晶装置のサブ画素領域を示す平面構成図である。It is a plane block diagram which shows the sub pixel area | region of a liquid crystal device. 図2のA−A’矢視断面図である。It is A-A 'arrow sectional drawing of FIG. 帯状電極の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of a strip electrode. (a)〜(c)は、本発明の第二実施形態における帯状電極の拡大断面図である。(A)-(c) is an expanded sectional view of the strip | belt-shaped electrode in 2nd embodiment of this invention. 本発明の第三実施形態における液晶装置の図3に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to FIG. 3 of the liquid crystal device in 3rd embodiment of this invention. 本発明の第四実施形態における液晶装置の図3に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to FIG. 3 of the liquid crystal device in 4th embodiment of this invention. (a)〜(c)は、本発明の第四実施形態の第一変形例における帯状電極の拡大断面図である。(A)-(c) is an expanded sectional view of the strip | belt-shaped electrode in the 1st modification of 4th embodiment of this invention. 本発明の第四実施形態の第二変形例における液晶装置の図3に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to FIG. 3 of the liquid crystal device in the 2nd modification of 4th embodiment of this invention. 携帯電話機の斜視図である。It is a perspective view of a mobile phone. 画素電極の第一変形例を示す第一実施形態の図2に相当する平面図である。It is a top view equivalent to FIG. 2 of 1st embodiment which shows the 1st modification of a pixel electrode. 画素電極の第二変形例を示す第一実施形態の図2に相当する平面図である。It is a top view equivalent to FIG. 2 of 1st embodiment which shows the 2nd modification of a pixel electrode. (a)は従来の液晶装置の断面図であり、(b)は従来の帯状電極の拡大断面図である。(A) is sectional drawing of the conventional liquid crystal device, (b) is an expanded sectional view of the conventional strip electrode.

符号の説明Explanation of symbols

1,1’ 液晶装置、11,11’,11” 画素電極(第一電極)、11b,11c,11d,11e 帯状電極、11s 側面(傾斜部)、1 素子基板(基板)、22 対向基板(基板)、23 液晶層、33 電極間絶縁膜、34 配向膜、35,35c,35d,35e 凸部、36 絶縁膜、37 基板側凸部、38,38c,38d,38e 凹部、39 基板側凹部、41 共通電極(第二電極)、100 携帯電話機(電子機器)、W2,Wc2,Wd2,We2 幅 1, 1 ′ liquid crystal device, 11, 11 ′, 11 ″ pixel electrode (first electrode), 11b, 11c, 11d, 11e strip electrode, 11s side surface (inclined portion), 1 element substrate (substrate), 22 counter substrate ( Substrate), 23 liquid crystal layer, 33 interelectrode insulating film, 34 alignment film, 35, 35c, 35d, 35e convex part, 36 insulating film, 37 substrate side convex part, 38, 38c, 38d, 38e concave part, 39 substrate side concave part , 41 Common electrode (second electrode), 100 Mobile phone (electronic device), W2, Wc2, Wd2, We2 width

Claims (4)

液晶層を挟持する一対の基板のうち一方の基板に第一電極と第二電極とが設けられ、前記第一電極と前記第二電極の間に生じる電界によって前記液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶装置であって、
前記第一電極上には、前記液晶層と接する配向膜が形成され、
前記第一電極は帯状に形成された帯状電極を備え、
前記帯状電極の延在方向に直交する断面形状は、前記延在方向の辺の端部に傾斜部が形成されていることを特徴とする液晶装置。
A first electrode and a second electrode are provided on one of a pair of substrates sandwiching the liquid crystal layer, and liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer are formed by an electric field generated between the first electrode and the second electrode. A liquid crystal device to be driven,
An alignment film in contact with the liquid crystal layer is formed on the first electrode,
The first electrode includes a strip electrode formed in a strip shape,
The cross-sectional shape orthogonal to the extending direction of the strip electrode has an inclined portion formed at an end of a side in the extending direction.
前記第一電極と前記第二電極との間には電極間絶縁膜が形成され、
前記電極間絶縁膜の表面には凸部又は凹部が形成され、
前記帯状電極は前記凸部又は前記凹部の表面に形成されていることを特徴とする請求項1記載の液晶装置。
An interelectrode insulating film is formed between the first electrode and the second electrode,
Convex portions or concave portions are formed on the surface of the interelectrode insulating film,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the strip electrode is formed on a surface of the convex portion or the concave portion.
前記第二電極は前記一方の基板上に形成された絶縁膜の表面に形成され、
前記第二電極上には、前記電極間絶縁膜が形成され、
前記絶縁膜の表面の前記帯状電極の形成領域には、基板側凸部又は基板側凹部が形成され、
前記凸部又は前記凹部は、それぞれ前記基板側凸部又は前記基板側凹部の形状に沿って形成されていることを特徴とする請求項2記載の液晶装置。
The second electrode is formed on the surface of the insulating film formed on the one substrate,
On the second electrode, the interelectrode insulating film is formed,
In the formation region of the strip electrode on the surface of the insulating film, a substrate-side convex portion or a substrate-side concave portion is formed,
The liquid crystal device according to claim 2, wherein the convex portion or the concave portion is formed along the shape of the substrate side convex portion or the substrate side concave portion, respectively.
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3.
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