JP2009076869A - Substrate processing method, program, and computer storage medium - Google Patents
Substrate processing method, program, and computer storage medium Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009076869A JP2009076869A JP2008192129A JP2008192129A JP2009076869A JP 2009076869 A JP2009076869 A JP 2009076869A JP 2008192129 A JP2008192129 A JP 2008192129A JP 2008192129 A JP2008192129 A JP 2008192129A JP 2009076869 A JP2009076869 A JP 2009076869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating film
- wafer
- substrate processing
- processing
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板の処理方法、その基板の処理方法を実行させるためのプログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate processing method, a program for executing the substrate processing method, and a computer storage medium.
例えば半導体集積回路などの多層配線構造の製造プロセスでは、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上のパターンに、例えばＳｉＯ２膜（酸化シリコン膜）等の絶縁膜を形成する処理が行われる。このＳｉＯ２膜の形成には、従来より、例えばポリシラザン（ＳｉＨ２ＮＨ）を含む塗布液をウェハに塗布した後、酸素あるいは水蒸気を含む雰囲気中でウェハ上の塗布膜を酸化させ、その後焼成する方法が用いられている。そして、この塗布膜を効率よく酸化させるため、通常、塗布膜の酸化の雰囲気を高温にしている。 For example, in a manufacturing process of a multilayer wiring structure such as a semiconductor integrated circuit, a process of forming an insulating film such as a SiO 2 film (silicon oxide film) on a pattern on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) is performed. Is called. Conventionally, this SiO 2 film is formed by, for example, applying a coating liquid containing, for example, polysilazane (SiH 2 NH) to the wafer, oxidizing the coating film on the wafer in an atmosphere containing oxygen or water vapor, and then baking it. The method is used. And in order to oxidize this coating film efficiently, the oxidation atmosphere of a coating film is normally made high temperature.
しかしながら、このように高温の雰囲気中で塗布膜を酸化させる場合、高温の雰囲気の酸化度が高いため、図１３に示すように、塗布膜Ｑの酸化と共に、例えばシリコンからなるウェハＷの表層Ｗ’の酸化も促進してしまう場合がある。そうすると、ウェハＷの厚みや、パターンの幅、高さ等が変形してしまう。そこで、ＳｉＯ２膜を形成するにあたっては、塗布液をウェハＷに塗布した後、比較的低温、例えば２４０℃〜３５０℃の範囲から選ばれた最終温度まで昇温させながら乾燥を行って塗布膜Ｑを形成し、次いで塗布膜Ｑに紫外線を照射して塗布膜Ｑを酸化させ、その後焼成する方法が提案されている（特許文献１）。 However, when the coating film is oxidized in such a high temperature atmosphere, since the oxidation degree of the high temperature atmosphere is high, as shown in FIG. 13, along with the oxidation of the coating film Q, for example, the surface layer W of the wafer W made of silicon. It may also promote 'oxidation. If it does so, the thickness of the wafer W, the width | variety, height, etc. of a pattern will deform | transform. Therefore, in forming the SiO 2 film, after applying the coating liquid to the wafer W, drying is performed while raising the temperature to a final temperature selected from a relatively low temperature, for example, a range of 240 ° C. to 350 ° C. A method is proposed in which Q is formed, and then the coating film Q is irradiated with ultraviolet rays to oxidize the coating film Q and then baked (Patent Document 1).
しかしながら、このように塗布膜Ｑに紫外線を照射しながら塗布膜Ｑを酸化させた場合、塗布膜Ｑの酸化反応と同時に塗布膜Ｑの硬化も起きてしまう。そうすると、特に塗布膜Ｑの膜厚が厚い場合には、図１４に示すように、塗布膜Ｑの表層部分Ｑ’のみが酸化して硬化してしまい、その内部が酸化しないことがあった。この結果、ウェハＷ上に塗布膜Ｑが厚み方向に不均一に形成されることがあった。 However, when the coating film Q is oxidized while irradiating the coating film Q with ultraviolet rays in this way, the coating film Q is cured simultaneously with the oxidation reaction of the coating film Q. In this case, particularly when the coating film Q is thick, only the surface layer portion Q 'of the coating film Q is oxidized and hardened as shown in FIG. As a result, the coating film Q may be unevenly formed on the wafer W in the thickness direction.
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上の塗布膜の内部まで酸化させて、基板に均一な塗布膜を形成することを目的とする。 This invention is made | formed in view of this point, and it aims at oxidizing the inside of the coating film on a board | substrate, and forming a uniform coating film in a board | substrate.
前記の目的を達成するため、本発明は、基板の処理方法であって、ポリシラザンを含む塗布液を基板に塗布し、塗布膜を形成する塗布工程と、前記基板に形成された塗布膜に紫外線を照射し、当該塗布膜中のポリシラザンの分子結合を切断する紫外線照射工程と、前記ポリシラザンの分子結合が切断された塗布膜を加熱しながら酸化させる酸化工程と、前記酸化した塗布膜を焼成する焼成工程と、を有し、前記酸化工程における前記塗布膜の加熱温度は、前記焼成工程における前記塗布膜の焼成温度以下であることを特徴としている。 In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate processing method, wherein a coating liquid containing polysilazane is applied to a substrate to form a coating film, and an ultraviolet ray is applied to the coating film formed on the substrate. And irradiating the molecular film of the polysilazane in the coating film, an oxidation process for oxidizing the coating film with the molecular bond of the polysilazane being heated, and baking the oxidized coating film A baking step, and the heating temperature of the coating film in the oxidation step is equal to or lower than the baking temperature of the coating film in the baking step.
本発明によれば、基板にポリシラザンを含む塗布液を塗布した後、３段階に分けて所望の塗布膜である酸化膜を形成している。すなわち、先ず、基板に形成された塗布膜に紫外線を照射することで、塗布膜中のポリシラザンのＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合を塗布膜の内部まで切断する処理を行う。次に、ポリシラザンの分子結合が切れた塗布膜を加熱しながら酸化させる。この塗布膜を酸化する処理は、ポリシラザンのＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合が切れているため、酸化因子が塗布膜中に接触するのが容易となり、焼成温度以下の例えば酸素あるいは水蒸気を含む雰囲気中で行うことができる。その後、酸化された塗布膜を所定の温度まで加熱して焼成し、基板上に所望の酸化膜が形成される。このように紫外線の照射により、塗布膜中のポリシラザンのＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合を塗布膜の内部まで切断するので、焼成温度以下の雰囲気中でも容易に酸化させることができ、塗布膜の内部まで均一に酸化することができる。したがって、本発明の基板の処理方法を用いれば、基板上の塗布膜の内部まで酸化させて、基板に所望の塗布膜を均一に形成することができる。 According to the present invention, after an application liquid containing polysilazane is applied to a substrate, an oxide film which is a desired application film is formed in three stages. That is, first, by irradiating the coating film formed on the substrate with ultraviolet rays, the Si—N molecular bond and the Si—H molecular bond of polysilazane in the coating film are cut to the inside of the coating film. Next, the coating film in which the molecular bond of polysilazane is broken is oxidized while heating. In this treatment for oxidizing the coating film, the Si—N molecular bond and the Si—H molecular bond of the polysilazane are broken, so that the oxidizing factor can easily come into contact with the coating film, for example oxygen below the firing temperature. Or it can carry out in the atmosphere containing water vapor | steam. Thereafter, the oxidized coating film is heated to a predetermined temperature and baked to form a desired oxide film on the substrate. In this way, irradiation with ultraviolet rays cuts the Si—N molecular bond and Si—H molecular bond of polysilazane in the coating film to the inside of the coating film, so that it can be easily oxidized even in an atmosphere below the firing temperature. It is possible to uniformly oxidize the inside of the coating film. Therefore, if the substrate processing method of the present invention is used, a desired coating film can be uniformly formed on the substrate by oxidizing the inside of the coating film on the substrate.
前記焼成工程において、前記塗布膜を脱水縮合させてもよい。 In the baking step, the coating film may be dehydrated and condensed.
前記紫外線照射工程において、前記基板に形成された塗布膜に照射する紫外線の波長は、１５０ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましい。 In the ultraviolet irradiation step, the wavelength of ultraviolet light applied to the coating film formed on the substrate is preferably 150 nm to 200 nm.
前記紫外線照射工程は、酸化性ガスの雰囲気内で行われてもよい。また、前記酸化工程は、水蒸気の雰囲気内で行われてもよい。 The ultraviolet irradiation step may be performed in an oxidizing gas atmosphere. The oxidation step may be performed in a steam atmosphere.
前記酸化工程と前記焼成工程は、同一装置内で連続して行われてもよく、また内部に水蒸気を供給できる加熱炉で連続して行われてもよい。 The oxidation step and the firing step may be performed continuously in the same apparatus, or may be performed continuously in a heating furnace that can supply water vapor therein.
別の観点による本発明によれば、前記の基板の処理方法を基板処理装置によって実行させるために、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。 According to another aspect of the present invention, in order to cause the substrate processing apparatus to execute the substrate processing method, a program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate processing apparatus is provided.
さらに別の観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。 According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.
本発明によれば、塗布膜の内部まで酸化させることができ、基板に均一な塗布膜を形成することができる。 According to the present invention, the interior of the coating film can be oxidized, and a uniform coating film can be formed on the substrate.
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板の処理方法が実施される基板処理システム１の構成の概略を示す平面図であり、図２は、基板処理システム１の正面図であり、図３は、基板処理システム１の背面図である。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a
基板処理システム１は、図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から基板処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と、一連の基板処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられたバッチ式の加熱炉４との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
As shown in FIG. 1, the
カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられ、当該カセット載置台１０は、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には、搬送路１１上をＸ方向に向かって移動可能なウェハ搬送体１２が設けられている。ウェハ搬送体１２は、カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。
The
ウェハ搬送体１２は、Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり、後述する処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３３に対してもアクセスできる。
The
処理ステーション３には、その中心部に主搬送装置１３が設けられており、この主搬送装置１３の周辺には、各種処理装置が多段に配置されて処理装置群が構成されている。この基板処理システム１には、４つの処理装置群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が配置されており、第１及び第２の処理装置群Ｇ１、Ｇ２は、基板処理システム１の正面側に配置され、第３の処理装置群Ｇ３は、カセットステーション２に隣接して配置され、第４の処理装置群Ｇ４は、インターフェイスステーション５に隣接して配置されている。主搬送装置１３は、これらの処理装置群Ｇ１〜Ｇ４内に配置されている後述する各種処理装置に対してウェハＷを搬送できる。
The
第１の処理装置群Ｇ１には、図２に示すように例えばウェハＷに塗布液を塗布する塗布処理装置１７、１８が下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群Ｇ２も同様に、塗布処理装置１９、２０が下から順に２段に積み重ねられている。なお、塗布処理装置１７〜２０でウェハＷに塗布される塗布液には、ポリシラザンが含まれている。
In the first processing unit group G1, as shown in FIG. 2, for example,
第３の処理装置群Ｇ３には、図３に示すように例えばウェハＷに対して紫外線を照射する紫外線照射装置３０、ウェハＷを冷却処理する冷却処理装置３１、３２、ウェハＷを待機させるエクステンション装置３３、ウェハＷ上の塗布膜を酸化させる酸化処理装置３４、ウェハＷを加熱処理する加熱処理装置３５、３６等が下から順に例えば７段に重ねられている。
As shown in FIG. 3, the third processing unit group G3 includes, for example, an
第４の処理装置群Ｇ４には、例えばウェハＷに対して紫外線を照射する紫外線照射装置４０、冷却処理装置４１、４２、エクステンション装置４３、酸化処理装置４４、加熱処理装置４５、４６等が下から順に例えば７段に積み重ねられている。
The fourth processing unit group G4 includes, for example, an
インターフェイスステーション５には、図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路５０上を移動するウェハ搬送体５１が設けられている。また、インターフェイスステーション５の加熱炉４側には、複数のウェハボート５２をＸ方向に並べて配置できる載置台５３が設けられている。ウェハボート５２は、複数のウェハＷを垂直方向に多段に配列して保持できるものである。ウェハ搬送体５１は、上下方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、処理ステーション３と載置台５３上のウェハボート５２との間でウェハＷを搬送できる。加熱炉４は、インターフェイスステーション５からウェハボート５２を収容して、複数のウェハＷを同時に高温で加熱できる。
As shown in FIG. 1, the
次に、上述の塗布処理装置１７の構成について、図４に基づいて説明する。塗布処理装置１７は、内部を密閉することができる処理容器１００を有している。処理容器１００の一側面には、ウェハＷの搬送手段である主搬送装置１３の搬入領域に臨む面にウェハＷの搬入出口１０１が形成され、搬入出口１０１には、開閉シャッタ１０２が設けられている。
Next, the structure of the above-mentioned
処理容器１００の内部には、その上面にウェハＷを水平に真空吸着保持するスピンチャック１１０が設けられている。このスピンチャック１１０はモータなどを含む駆動機構１１１により鉛直周りに回転できる。また、駆動機構１１１には、シリンダなどの昇降駆動源（図示せず）が設けられており、スピンチャック１１０は昇降できる。
Inside the
スピンチャック１１０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ体１１２が設けられている。カップ体１１２の上面には、ウェハＷを保持した状態のスピンチャック１１０が昇降できるようにウェハＷ及びスピンチャック１１０よりも大きい開口部が形成されている。カップ体１１２底部には、回収した塗布液を排出するための排液口１１３と、カップ体１１２内の雰囲気を排気する排気口１１４が形成されている。排液口１１３と排気口１１４は、排液管１１５と排気管１１６にそれぞれ接続され、排気管１１６には、処理容器１００の内部の雰囲気を真空引きする排気ポンプ１１７が接続されている。
Around the
スピンチャック１１０の上方には、ウェハＷ表面の中心部に塗布液を塗布するための塗布ノズル１２０が配置されている。塗布ノズル１２０は、塗布液を供給する塗布液供給源（図示せず）に接続されている。
Above the
塗布ノズル１２０は、図５に示すようにアーム１２１を介して移動機構１２２に接続されている。アーム１２１は移動機構１２２により、処理容器１００の長さ方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール１２３に沿って、カップ体１１２の一端側（図５では左側）の外側に設けられた待機領域１２４から他端側に向かって移動できると共に、上下方向に移動できる。待機領域１２４は、塗布ノズル１２０を収納できるように構成されていると共に、塗布ノズル１２０の先端部を洗浄できる洗浄部１２４ａを有している。
The
処理容器１００の天井面の中央部には、図１に示すように窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス給気口１３０が形成されている。ガス供給口１３１には、ガス供給管１３２を介して不活性ガスを供給するガス供給源１３２が接続されている。
A
なお、塗布処理装置１８、１９、２０の構成は、上述の塗布処理装置１７と同様であるので、説明を省略する。
In addition, since the structure of the
次に、上述の紫外線照射装置３０の構成について説明する。紫外線照射装置３０は、図６に示すように内部を密閉することができる処理容器２００を有している。処理容器２００の一側面には、ウェハＷの搬送手段である主搬送装置１３の搬入領域に臨む面にウェハＷの搬入出口２０１が形成され、搬入出口２０１には、開閉シャッタ２０２が設けられている。
Next, the configuration of the above-described
処理容器２００の上面には、処理容器２００の内部に向けて例えば大気ガスあるいは酸素濃度を調整した混合ガスである酸化性ガスを供給するためのガス供給口２１０が形成されており、このガス供給口２１０には、酸化性ガスを供給するガス供給管２１１が接続されている。ガス供給管２１１には、３方口バルブ２４０を介して、ガス供給口２１０に酸化性ガスとしての大気ガスを供給する大気供給源２４１と、ガス供給口２１０に混合ガスを供給する混合ガス供給機構２５０とが接続されている。混合ガス供給機構２５０は、酸素ガスを貯留する酸素供給源２５１と窒素ガスを貯留する窒素供給源２５２を有している。酸素供給源２５１と窒素供給源２５２には、酸素ガスと窒素ガスを所定の混合比で混合するために、当該酸素ガスと窒素ガスの供給量を調節するための流量調節器２５３、２５４がそれぞれ設けられている。流量調節器２５３、２５４の下流側には、酸素供給源２５１と窒素供給源２５２から供給された酸素ガスと窒素ガスを所定の混合比で混合するミキサー２５５が設けられている。そして、３方口バルブ２４０を制御することにより、大気供給源２４１から供給された大気ガスあるいはミキサー２５５で混合された混合ガスがガス供給口２１０に供給される。なお、３方口バルブ２４０の切り替えや、酸素ガスと窒素ガスの混合ガスの混合比は、塗布膜の種類、パターンの寸法、塗布膜の膜厚等の条件に応じて設定される。例えば短時間で紫外線照射処理を行う場合は、酸素ガス濃度を高くし、例えば時間をかけて紫外線照射処理を行う場合は、酸素ガス濃度を低くする。なお、本実施の形態では、酸素ガスと窒素ガスを混合して混合ガスを生成したが、酸素ガスと窒素ガス以外の非酸化性ガスを混合してもよい。
A
処理容器２００の下面には、処理容器２００の内部の雰囲気を排気するための排気口２１３が形成されており、この排気口２１３には、排気管２１４を介して処理容器２００の内部の雰囲気を真空引きする排気ポンプ２１５が接続されている。
An
処理容器２００の内部には、ウェハＷを水平に載置する円筒形の支持体２２０が設けられている。支持体２２０の内部には、ウェハＷの受け渡しを行うための昇降ピン２２１が支持部材２２２に支持されて設置されている。昇降ピン２２１は、支持体２２０の上面２２０ａに形成された貫通孔２２３を貫通するように設けられ、例えば３本設けられている。支持部材２２２の基端部には、昇降ピン２２１と支持部材２２２を昇降させるためのモータなどを含む駆動機構２２４が設けられている。
Inside the
処理容器２００の上方には、支持体２２０上のウェハＷに例えば１７２ｎｍの波長の紫外線を照射する重水素ランプ又はエキシマランプなどの紫外線照射部２３０が設けられている。紫外線照射部２３０は、ウェハＷの全面に対して紫外線を照射することができる。処理容器２００の天板には、紫外線照射部２３０からの紫外線を透過する窓２３１が設けられている。なお、紫外線の波長は、１７２ｎｍに限定されず、１５０ｎｍ〜２００ｎｍであればよい。かかる場合、紫外線の波長が１５０ｎｍ以上であるので、当該紫外線は、塗布処理装置１７でウェハＷ上に形成された塗布膜に吸収されず、塗布膜の内部まで進入できる。また、紫外線の波長が２００ｎｍ以下であるので、紫外線のエネルギーが十分に大きく、後述するように塗布膜中のＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合を切断することができる。
Above the
なお、紫外線照射装置４０の構成は、上述の紫外線照射装置３０と同様であるので、説明を省略する。
In addition, since the structure of the
次に、上述の酸化処理装置３４の構成について説明する。酸化処理装置３４は、図７に示すように内部を密閉することができる処理容器３００を有している。処理容器３００の一側面には、ウェハＷの搬送手段である主搬送装置１３の搬入領域に臨む面にウェハＷの搬入出口３０１が形成され、搬入出口３０１には、開閉シャッタ３０２が設けられている。
Next, the configuration of the above-described
処理容器３００の上面には、処理容器３００の内部に向けて水蒸気を供給するためのガス供給口３１０が形成されており、このガス供給口３１０には、ガス供給管３１１を介して水蒸気を供給する水蒸気供給源３１２が接続されている。処理容器３００の下面には、処理容器３００の内部の雰囲気を排気するための排気口３１３が形成されており、この排気口３１３には、排気管３１４を介して処理容器２００の内部の雰囲気を真空引きする排気ポンプ３１５が接続されている。なお、ガス供給口３１０から処理容器３００内に供給される水蒸気は、凝結して結露しない温度で供給される必要がある。このため、水蒸気が結露しない温度に処理容器３００内部を維持するために、処理容器３００にはヒータが設けられているのが好ましい。また、供給される水蒸気は、水蒸気と例えば窒素ガス等のキャリアガスを混合することにより、その湿度を制御してもよい。
A
処理容器３００の内部には、ウェハＷを水平に載置し、上面が開口した円筒形の支持体３２０が設けられている。支持体３２０の内部には、ウェハＷの受け渡しを行うための昇降ピン３２１が支持部材３２２に支持されて、例えば３本設置されている。支持部材３２２の基端部には、昇降ピン３２１と支持部材３２２を昇降させるためのモータなどを含む駆動機構３２３が設けられている。
Inside the
支持体３２０の内部には、昇降ピン３２１の支持部材３２２の上方に支持面３２０ａが設けられている。支持面３２０ａの上方には、断熱材３２４が充填され、断熱材３２４の上面には、内部にヒータ３２５ａを有するホットプレート３２５が設けられている。ホットプレート３２５は、ウェハＷを水平に載置して、ウェハＷを加熱することができる。支持体３２０の支持面３２０ａ、断熱材３２４、ホットプレート３２５には、昇降ピン３２１が貫通するための貫通孔３２６が形成されている。
Inside the
なお、酸化処理装置４４の構成は、上述の酸化処理装置３４と同様であるので、説明を省略する。
The configuration of the
以上のように構成された基板処理システム１におけるウェハ処理の制御は、図１に示すようにカセットステーション２に設けられた制御部６０によって行われている。制御部６０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部を有している。そのプログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送体などの駆動系の動作を制御して、後述する所定のレシピのウェハ処理を実行するプログラムＰが格納されている。なお、このプログラムＰは、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、メモリーカード、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、ハードディスク等の読み取り可能な記憶媒体に格納され、制御部６０であるコンピュータにインストールされている。
The wafer processing control in the
本実施の形態にかかるウェハＷの処理方法が実施される基板処理システム１は以上のように構成されており、次にその基板処理システム１で行われるウェハＷにＳｉＯ２膜を形成する処理について説明する。図８は、このウェハＷの処理の主な処理フローを示し、図９は、図８に示した各工程におけるウェハ上の塗布膜の状態を示している。
The
先ず、ウェハ搬送体１２によって、カセット載置台１０上のカセットＣからウェハＷが取り出され、第３の処理装置群Ｇ３のエクステンション装置３３を介して冷却処理装置３１に搬送される。冷却処理装置３１に搬送されたウェハＷは、所定温度に温度調節され、その後主搬送装置１３によって塗布処理装置１７に搬送される。
First, the wafer W is taken out from the cassette C on the cassette mounting table 10 by the
塗布処理装置１７では、スピンチャック１１０に吸着されたウェハＷを駆動機構１１１によって回転させると共に、塗布ノズル１２０からウェハＷの中心部に塗布液を滴下する。ウェハＷに塗布された塗布液は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷの表面の全体に拡散し、ウェハＷの表面層に塗布膜が形成される（図８のステップＳ１）。このとき、ウェハＷ上の塗布膜には、図９（i）に示すポリシラザン（ＳｉＨ２ＮＨ）が含まれている。
In the
塗布処理装置１７で塗布膜が形成されたウェハＷは、加熱処理装置３５に搬送される。加熱処理装置３５において、ウェハＷは加熱され、ウェハＷ上の塗布膜中の溶剤の一部を蒸発される（図８のステップＳ２）。このとき、ウェハＷは、例えば２００℃以内の所定の温度で加熱される。
The wafer W on which the coating film is formed by the
次にウェハＷは、冷却処理装置３１に搬送され、所定の温度に冷却され、その後紫外線照射装置３０に搬送される。
Next, the wafer W is transferred to the
紫外線照射装置３０に搬送されたウェハＷは、昇降ピン２２１によって支持体２２０の上面２２０ａに載置される。ウェハＷが支持体２２０上に載置されると、開閉シャッタ２０２を閉めて処理容器２００内を密閉し、ガス供給口２１０から処理容器２００内に酸化性ガスを供給する。酸化性ガスの供給に際しては、３方口バルブ２４０を切り替えることにより、大気供給源２４１から供給される大気ガス、あるいは混合ガス供給機構２５０から供給される所定の混合比の混合ガスが供給される。このとき、排気口２１３から処理容器２００の内部の雰囲気の排気も開始する。そして、紫外線照射部２３０からウェハＷ上の塗布膜に１７２ｎｍの波長の紫外線を照射して、酸化性ガスの雰囲気中で紫外線照射処理を行う（図８のステップＳ３）。紫外線は、例えば１分以内の所定の時間照射される。そうすると、このような紫外線の照射によって、図９（ii）に示すようにウェハＷ上の塗布膜中のＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合が切断される。
The wafer W transferred to the
紫外線照射処理の終了したウェハＷは、紫外線照射装置３０から酸化処理装置３４に搬送される。酸化処理装置３４に搬送されたウェハＷは、昇降ピン３２１によって支持体３２０のホットプレート３２５上に載置される。ウェハＷがホットプレート３２５上に載置されると、開閉シャッタ３０２を閉めて処理容器３００内を密閉し、ガス供給口３１０から処理容器３００内に水蒸気を供給する。供給される水蒸気は、例えば水を蒸発させる等によって生成され、後述するホットプレート３２５によるウェハＷの加熱温度と同じ例えば１００℃〜４５０℃の間の所定の温度に熱せられている。この水蒸気の供給は、結露防止のため、処理容器３００内が十分に加熱された状態で行われるのが好ましい。そして、この水蒸気の供給と共に、排気口３１３から処理容器３００の内部の雰囲気の排気も開始する。そして、ホットプレート３２５によって、ウェハＷを１００℃〜４５０℃の温度で、例えば１分〜５分の間の所定の時間加熱する。そうすると、処理容器３００内に供給された水蒸気によって、ウェハＷ上の塗布膜が酸化される。具体的には、図９（iii）に示すように、ウェハＷ上の塗布膜中のＮは、Ｏ（酸素原子）に置換され、塗布膜中のＨは、ＯＨ（水酸基）に置換される（図８のステップＳ４）。なお、処理容器３００にヒータが設けられている場合には、処理容器３００をウェハＷの加熱温度と同じ温度まで加熱してもよい。
The wafer W that has been subjected to the ultraviolet irradiation process is transferred from the
酸化処理の終了したウェハＷは、紫外線照射装置３０からエクステンション装置４３に搬送され、エクステンション装置４３からインターフェイスステーション５に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハボート５２に収容され、ウェハボート５２に所定枚数のウェハＷが収容された時点で、ウェハボート５２毎に加熱炉４に搬送される。加熱炉４では、ウェハＷは、窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気中において、例えば４００℃〜１０００℃の所定の焼成温度で、例えば６０分以内の所定の時間加熱され、塗布膜が焼成される（図８のステップＳ５）。このとき、図９（iv）に示すように塗布膜中のＯＨが脱水縮合され、図９（v）に示すようにウェハＷ上に所望のＳｉＯ２膜が形成される。なお、加熱炉４における焼成処理は、上記不活性ガスなどの非酸化性ガスの雰囲気中で行ってもよいし、酸化性ガスの雰囲気中で行ってもよい。
The wafer W after the oxidation treatment is transferred from the
焼成処理の終了したウェハＷは、インターフェイスステーション５を通じて処理ステーション３に戻され、処理ステーション３からカセットステーション２に戻されて、ウェハ搬送体１２によってカセットＣに戻される。こうして一連のウェハＷの処理が終了する。
The wafer W that has been baked is returned to the
以上の実施の形態によれば、塗布処理装置１７においてウェハＷに塗布液を塗布して塗布膜を形成した後、紫外線照射装置３０において、ウェハＷに紫外線を照射し、塗布膜中のＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合を塗布膜の内部まで切断しているので、酸化因子が塗布膜中に接触するのが容易となり、後続の酸化処理装置３４における塗布膜の酸化処理を１００℃〜４５０℃の焼成温度以下の雰囲気中でも容易に行うことができる。このように、塗布膜の内部まで酸化させることができるので、ウェハＷに所望の塗布膜を均一に形成することができる。
According to the above embodiment, after the coating liquid is applied to the wafer W in the
また、紫外線照射装置３０における紫外線の照射は、酸化性ガスの雰囲気中で行われるので、紫外線照射装置３０において塗布膜の内部の酸化をある程度促進することができる。かかる場合、塗布膜を硬化させずに紫外線を照射できると共に、後続の酸化処理装置３４での酸化処理をより容易に行うことができ、塗布膜の内部まで確実に酸化させることができる。
In addition, since the ultraviolet irradiation in the
また、紫外線照射装置３０における紫外線の照射は、塗布膜中のＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合を切断するために行われるので、その紫外線の照射時間を短時間にすることができる。さらに、酸化処理装置３４における塗布膜の酸化処理は、１００℃〜４５０℃の雰囲気中で行われるので、酸化処理を行う雰囲気の温度を従来のように昇降温させる必要がなく、塗布膜の酸化処理も短時間で行うことができる。したがって、ウェハＷに所望の塗布膜を形成する処理時間を短縮することができる。
Moreover, since the ultraviolet irradiation in the
以上の実施の形態において、ウェハＷの焼成温度が４５０℃以下の場合には、加熱炉４内で行われていたウェハＷの焼成処理を、酸化処理装置３４、３５、４４、４５のいずれかで行うこともできる。かかる場合、ウェハＷの焼成処理は枚葉式に行われ、水蒸気に代えて窒素ガス等の不活性ガスが装置内部に供給される。これによって、ウェハＷの製造プロセスが多様化するに伴い、要求される焼成処理の温度が比較的低温、例えば４５０℃以下に制限される場合でも、本発明の処理方法を適用してウェハＷ上に所望の塗布膜を形成することができる。
In the above embodiment, when the baking temperature of the wafer W is 450 ° C. or lower, the baking processing of the wafer W performed in the
また、ウェハＷの焼成温度が４５０℃以下の場合の焼成処理を、酸化処理が行われる酸化処理装置３４と同一装置内で連続して行ってもよい。かかる場合、酸化処理装置３４のガス供給管３１１には、図１０に示すように３方口バルブ４００を介して、ガス供給口３１０に水蒸気を供給する水蒸気供給源３１２と、ガス供給口３１０に非酸化性ガスである窒素ガスを供給する窒素ガス供給源４０１とが接続されている。なお、酸化処理装置３４の他の構成は、前記実施の形態の酸化処理装置３４の構成と同一であるので、説明を省略する。そして、先ず、３方口バルブ４００を制御して、水蒸気供給源３１２から処理容器３００内に水蒸気を供給し、ホットプレート３２５によりウェハＷを例えば２００℃に加熱して塗布膜の酸化処理を行う。酸化処理が終了すると、処理容器３００内の水蒸気を外部に排気した後、３方口バルブ４００を切り替えて、窒素ガス供給源４０１から処理容器３００内に窒素ガスを供給する。続いてホットプレート３２５によりウェハＷを焼成温度である４３０℃まで加熱して塗布膜の焼成処理を行う。このように同一装置内で、塗布膜の酸化処理と焼成処理を連続して行うことができるので、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。なお、上述した酸化処理と焼成処理は、先ず、焼成温度である例えば４３０℃で塗布膜の酸化処理を行った後、処理容器３００内の水蒸気を排気して、続いて同じ温度（４３０℃）で塗布膜の焼成処理を行ってもよい。
Further, the baking process when the baking temperature of the wafer W is 450 ° C. or lower may be continuously performed in the same apparatus as the
以上の実施の形態では、加熱炉４はインターフェイスステーション５を介して基板処理システム１に隣接して設けられていたが、図１１に示すように加熱炉４は基板処理システム１に接続されずに設けられていてもよい。この場合、基板処理システム１からインターフェイスステーション５を省略できる。加熱炉４には、加熱炉４内部の処理領域である石英チューブ（図示せず）内に、水蒸気を供給する水蒸気供給源５００と、非酸化性ガスの窒素ガスを供給する窒素ガス供給源５０１とが、３方口バルブ５０２を介して接続されている。また、炉内雰囲気の排気は、石英チューブに接続された排気ライン５０３により行われる。そして、先ず、基板処理システム１において、前記実施の形態で説明した、塗布処理（図８のステップＳ１）、加熱処理（図８のステップＳ２）、紫外線照射処理（時８のステップＳ３）を行う。その後、紫外線照射処理が終了したウェハＷは、所定の枚数毎に加熱炉４に搬送される。加熱炉４内では、先ず、３方口バルブ５０２を制御して、水蒸気供給源５００から加熱炉４内に水蒸気を供給し、ウェハＷを所定の温度まで加熱して塗布膜の酸化処理を行う（図８のステップＳ４）。酸化処理が終了すると、加熱炉４内の水蒸気を外部に排気した後、３方口バルブ５０２を切り替えて、窒素ガス供給源５０１から加熱炉４内に窒素ガスを供給する。続いてウェハＷを焼成温度まで加熱して塗布膜の焼成処理を行う（図８のステップＳ５）。かかる場合でも、ウェハＷに所望の塗布膜を形成することができる。なお、加熱炉４は複数設けられていてもよく、各加熱炉４で、酸化処理と焼成処理を別々に行ってもよい。
In the above embodiment, the
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。 The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the ideas described in the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. It is understood that it belongs. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.
以下、本発明のウェハの処理方法の効果について、ＦＴＩＲ（Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）測定を行い、各処理工程におけるウェハ上の塗布膜のＦＴＩＲスペクトルを測定した。なお、本実施例を行うに際し、ウェハの処理を行う設備としては、先に図１に示した基板処理システム１を用い、その処理は図８に示したフローにしたがっている。
Hereinafter, the effect of the wafer processing method of the present invention was measured by FTIR (Fourier Transform Infrared Spectrometer), and the FTIR spectrum of the coating film on the wafer in each processing step was measured. When performing this embodiment, the
塗布処理装置１７において、ウェハＷにポリシラザンを含む塗布液を塗布して塗布膜を形成した後（図８のステップＳ１）、以下の処理を順に行った。
（１）加熱処理装置３５において、ウェハＷを加熱した。ウェハＷの加熱処理は、１５０℃の温度で３分間行った（図８のステップＳ２）。
（２）その後、紫外線照射装置３０において、ウェハＷ上の塗布膜に波長１７２ｎｍの紫外線を照射した。紫外線の照射は、常温の酸化性ガスの雰囲気中において１分間行った（図８のステップＳ３）。
（３）その後、酸化処理装置３４において、ウェハＷを加熱しながら、ウェハＷ上の塗布膜の酸化処理を行った。ウェハＷの酸化処理は、水蒸気及び窒素ガスの雰囲気中において、加熱温度１０５℃で１分間行った（図８のステップＳ４）。
（４）その後、加熱炉４において、ウェハＷを焼成した。ウェハの焼成処理は、窒素ガス雰囲気中において、焼成温度９５０℃で３０分間行った（図８のステップＳ５）。
In the
(1) In the
(2) Then, in the
(3) Thereafter, in the
(4) Thereafter, the wafer W was baked in the
以上のようにウェハＷの処理を行い、各工程（１）〜（４）におけるウェハＷ上の塗布膜のＦＴＩＲスペクトルの測定結果を図１２に示す。縦軸はウェハＷのＦＴＩＲスペクトルを示し、横軸は赤外線の波長を示している。図１２を参照すると、（１）の加熱工程後の塗布膜には、３０００ｃｍ−１〜３５００ｃｍ−１の間と２０００ｃｍ−１〜２５００ｃｍ−１の間にピークが測定され、これらのピークはそれぞれＮ−Ｈの分子結合とＳｉ−Ｈの分子結合を示している。すなわち、加熱処理を行った後には、ポリシラザンのＮ−Ｈの分子結合とＳｉ−Ｈの分子結合が塗布膜中に残存している。（２）の紫外線照射工程後の塗布膜にも、（１）の加熱工程後の塗布膜と同様に、Ｎ−Ｈの分子結合とＳｉ−Ｈの分子結合が塗布膜中に残存している。（３）の酸化工程後の塗布膜中には、３０００ｃｍ−１〜３５００ｃｍ−１の間と１０００ｃｍ−１〜１５００ｃｍ−１の間にピークが測定され、これらのピークはそれぞれＳｉ−ＯＨの分子結合、Ｈ２ＯとＳｉ−Ｏの分子結合を示している。すなわち、酸化工程において、塗布膜が酸化され、塗布膜中のＮがＯに置換され、塗布膜中のＨがＯＨに置換されたことを示している。（４）の焼成工程後の塗布膜には、１０００ｃｍ−１〜１５００ｃｍ−１の間にピークが測定され、このピークはＳｉ−Ｏの分子結合を示している。すなわち、焼成工程において、（３）の酸化工程後に塗布膜中に残存していたＳｉ−ＯＨのうち、ＯＨが脱水縮合し、Ｓｉ−Ｏの分子結合に置換されたことを示している。以上のことから、本実施例によれば、本発明の処理方法を用いた場合、ウェハＷ上に所望の塗布膜であるＳｉＯ２膜を適切に形成できることが分かった。 The wafer W is processed as described above, and the measurement results of the FTIR spectrum of the coating film on the wafer W in each of the steps (1) to (4) are shown in FIG. The vertical axis represents the FTIR spectrum of the wafer W, and the horizontal axis represents the infrared wavelength. Referring to FIG. 12, the coating film after heating step (1), is measured peak between between and 2000cm -1 ~2500cm -1 of 3000cm -1 ~3500cm -1, each of these peaks is N The molecular bond of -H and the molecular bond of Si-H are shown. That is, after the heat treatment, N—H molecular bonds and Si—H molecular bonds of polysilazane remain in the coating film. In the coating film after the ultraviolet irradiation process of (2), as in the coating film after the heating process of (1), N—H molecular bonds and Si—H molecular bonds remain in the coating film. . (3) The coating film after oxidation step, is measured peak between between and 1000cm -1 ~1500cm -1 of 3000cm -1 ~3500cm -1, molecular binding of each of these peaks are Si-OH , Shows molecular bonds between H 2 O and Si—O. That is, in the oxidation step, the coating film is oxidized, N in the coating film is replaced with O, and H in the coating film is replaced with OH. The coating film after the baking step of (4), is measured peak between 1000cm -1 ~1500cm -1, the peak indicates the molecular bonds Si-O. That is, in the baking step, among the Si—OH remaining in the coating film after the oxidation step (3), OH was dehydrated and condensed and replaced with Si—O molecular bonds. From the above, according to this example, it was found that when the processing method of the present invention is used, a SiO 2 film, which is a desired coating film, can be appropriately formed on the wafer W.
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に塗布膜を形成する処理方法及び基板処理システムに有用である。 The present invention is useful for a processing method and a substrate processing system for forming a coating film on a substrate such as a semiconductor wafer.
１ 基板処理システム
４ 加熱炉
１７〜１９ 塗布処理装置
３０、４０ 紫外線照射装置
３４、４４ 酸化処理装置
３５、３６、４５、４６ 加熱処理装置
DESCRIPTION OF
Claims (9)
ポリシラザンを含む塗布液を基板に塗布し、塗布膜を形成する塗布工程と、
前記基板に形成された塗布膜に紫外線を照射し、当該塗布膜中のポリシラザンの分子結合を切断する紫外線照射工程と、
前記ポリシラザンの分子結合が切断された塗布膜を加熱しながら酸化させる酸化工程と、
前記酸化した塗布膜を焼成する焼成工程と、を有し、
前記酸化工程における前記塗布膜の加熱温度は、前記焼成工程における前記塗布膜の焼成温度以下であることを特徴とする、基板の処理方法。 A substrate processing method comprising:
A coating step of applying a coating liquid containing polysilazane to a substrate to form a coating film;
Irradiating the coating film formed on the substrate with ultraviolet rays, and irradiating the coating film with ultraviolet rays to break molecular bonds of polysilazane in the coating film;
An oxidation step of oxidizing while heating the coating film in which the molecular bond of the polysilazane is cut; and
A baking step of baking the oxidized coating film,
The method for treating a substrate, wherein a heating temperature of the coating film in the oxidation step is equal to or lower than a baking temperature of the coating film in the baking step.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008192129A JP2009076869A (en) | 2007-08-24 | 2008-07-25 | Substrate processing method, program, and computer storage medium |
| US12/192,422 US8084372B2 (en) | 2007-08-24 | 2008-08-15 | Substrate processing method and computer storage medium |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007217807 | 2007-08-24 | ||
| JP2008192129A JP2009076869A (en) | 2007-08-24 | 2008-07-25 | Substrate processing method, program, and computer storage medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009076869A true JP2009076869A (en) | 2009-04-09 |
Family
ID=40611511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008192129A Pending JP2009076869A (en) | 2007-08-24 | 2008-07-25 | Substrate processing method, program, and computer storage medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009076869A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011086839A1 (en) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Gas barrier film, process for production of gas barrier film, organic photoelectric conversion element that has gas barrier film, and solar cell that has the element |
| WO2014208471A1 (en) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | コニカミノルタ株式会社 | Method for producing gas barrier film |
| JP2016111033A (en) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Method performing ashing |
| WO2018193753A1 (en) * | 2017-04-17 | 2018-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Insulating film forming method, insulating film forming device, and substrate processing system |
| WO2019049735A1 (en) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Method for forming insulating film, apparatus for processing substrate, and system for processing substrate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003158121A (en) * | 2001-09-04 | 2003-05-30 | Tokyo Electron Ltd | Device and method for forming film |
| JP2005175405A (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Nec Corp | Stacking structure and semiconductor device, and method of manufacturing the same |
-
2008
- 2008-07-25 JP JP2008192129A patent/JP2009076869A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003158121A (en) * | 2001-09-04 | 2003-05-30 | Tokyo Electron Ltd | Device and method for forming film |
| JP2005175405A (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Nec Corp | Stacking structure and semiconductor device, and method of manufacturing the same |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011086839A1 (en) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Gas barrier film, process for production of gas barrier film, organic photoelectric conversion element that has gas barrier film, and solar cell that has the element |
| JP5585592B2 (en) * | 2010-01-12 | 2014-09-10 | コニカミノルタ株式会社 | Gas barrier film, method for producing gas barrier film, organic photoelectric conversion element having gas barrier film, and solar cell having the element |
| WO2014208471A1 (en) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | コニカミノルタ株式会社 | Method for producing gas barrier film |
| JPWO2014208471A1 (en) * | 2013-06-28 | 2017-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | Method for producing gas barrier film |
| JP2016111033A (en) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Method performing ashing |
| WO2018193753A1 (en) * | 2017-04-17 | 2018-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Insulating film forming method, insulating film forming device, and substrate processing system |
| JPWO2018193753A1 (en) * | 2017-04-17 | 2020-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Method for forming insulating film, apparatus for forming insulating film, and substrate processing system |
| WO2019049735A1 (en) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Method for forming insulating film, apparatus for processing substrate, and system for processing substrate |
| JPWO2019049735A1 (en) * | 2017-09-11 | 2020-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | Insulating film film formation method, substrate processing equipment and substrate processing system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8084372B2 (en) | Substrate processing method and computer storage medium | |
| KR100897779B1 (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
| JP3769426B2 (en) | Insulating film forming equipment | |
| JP2002093799A (en) | Substrate heat treatment method and substrate heat treatment apparatus | |
| KR20020037695A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP3598462B2 (en) | Drying method and drying device | |
| WO2003001579A1 (en) | Substrate treating device and substrate treating method | |
| JP2009076869A (en) | Substrate processing method, program, and computer storage medium | |
| KR100701718B1 (en) | Substrate Processing Method | |
| JP4342974B2 (en) | Curing apparatus and method, and coating film forming apparatus | |
| CN110546744B (en) | Insulating film forming method, insulating film forming apparatus and substrate processing system | |
| JP3582584B2 (en) | Substrate processing method | |
| JP3813877B2 (en) | Substrate processing method | |
| JP3726071B2 (en) | Heat treatment method | |
| CN111052321A (en) | Method for forming insulating film, substrate processing apparatus, and substrate processing system | |
| JP4048189B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| TW202234624A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP4043022B2 (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
| JP4051358B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP3606560B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP4048192B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP3808710B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2026012048A (en) | Resist film forming method, resist film forming apparatus, and storage medium | |
| JP2001345318A (en) | Method and device for coating | |
| JP2004235343A (en) | Method and apparatus for processing substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20100624 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110714 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110726 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20110921 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20111012 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111220 |