JP2009072665A - オレフィン多量化用触媒およびエチレン多量体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
。
許文献1、2参照)。また、エチレンの四量化によって1−オクテンを得る技術はクロム
化合物を用いた技術が知られているが、工業化には至っていない(例えば、非特許文献3
参照)。
[1]
[A]下記一般式(I)で表される遷移金属錯体化合物を含むオレフィン多量化用触媒
。
Mは、周期律表第4族の遷移金属原子を示す。
Xは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、ヘテロ環式化合物残基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、Xで示される基は互いに同一でも異なっていてもよく、またXで示される基は互いに結合して環を形成してもよい。
Yは、酸素原子、窒素原子、リン原子または硫黄原子を示す。
Zは、置換基を有していてもよい炭化水素基またはヘテロ環式化合物残基を示す。
式中、YとZとを結ぶ結合は二重結合もしくは三重結合であってもよく、YとR1とを結
ぶ結合は二重結合もしくは三重結合であってもよい。
また式中、点線表示は配位結合を示す。)
[2]
[A]一般式(I)で表わされる遷移金属錯体化合物のYと、Mに配位し、Zと隣接
するNとを結ぶ最短結合数が5または6である[1]に記載のオレフィン多量化用触媒。
[A]一般式(I)で表わされる遷移金属錯体化合物ならびに、
[1]〜[3]のいずれかに記載のオレフィン多量化用触媒の存在下で、エチレンを三量化させる1−ヘキセンの製造方法。
[1]〜[3]のいずれかに記載のオレフィン多量化用触媒の存在下で、エチレンを四量化させる1−オクテンの製造方法。
なお、本発明において、オレフィンの多量化とは、オレフィンを2〜10量体にすることである。
[[A]遷移金属錯体化合物]
本発明のオレフィン多量化触媒に含まれる[A]遷移金属錯体化合物は、下記一般式(I)で表わされる遷移金属錯体化合物である。
、R1はZと連結していてもよく、またR5はZと連結していてもよい。
、ニトロ基、カルボキシル基、スルホ基、メルカプト基、アルミニウム含有基またはヒドロキシ基であることが好ましい。
炭化水素基として具体的には、メチル、エチル、n−ブロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ネオペンチル、n−ヘキシルなどの炭素原子数が1〜30、好ましくは1〜20、さらに好ましくは1〜10、最も好ましくは2〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基; ビニル、アリル (allyl)、
イソプロペニルなどの炭素原子数が2〜30、好ましくは2〜20の直鎖状または分岐状のアルケニル基; エチニル、プロパルギルなど炭素原子数が2〜30、好ましくは2〜20の直鎖状または分岐状のアルキニル基; シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アダマンチルなどの炭素原子数が3〜30、好ましくは3〜20の環状飽和炭化水素基; シクロペンタジエニル、インデニル、フルオレニルなどの炭素原子数5〜30の環状不飽和炭化水素基; フェニル、ナフチル、ビフェニル、ターフェニル、フェナントリル、アントラセニルなどの炭素原子数が6〜30、好ましくは6〜20のアリール(aryl)基; トリル、イソプロピルフェニル、t−ブチルフェニル、ジメチルフェニル、ジ−t−ブチルフェニルなどのアルキル置換アリール基; ベンジリ
デン、メチリデン、エチリデンなどの炭素原子数が1〜30、好ましくは5〜10のアルキリデン基などが挙げられる。
くは2〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基; フェニル、ナフチル、ビフェニル、ターフェニル、フェナントリル、アントラセニルなどの炭素原子数6〜30、好ましくは6〜20のアリール基; これらのアリール基にハロゲン原子、炭素原子数1〜30、好ましくは1〜20のアルキル基またはアルコキシ基、炭素原子数6〜30、好ましくは6〜20のアリール基またはアリーロキシ基などの置換基が1〜5個置換した置換アリール基等が好ましい。
ホウ素含有基としては、上記炭化水素基に含まれていてもよい置換基として例示したものと同様のもののほか、アルキル基置換ホウ素、アリール基置換ホウ素、ハロゲン化ホウ素、アルキル基置換ハロゲン化ホウ素等の基が挙げられる。アルキル基置換ホウ素としては、(Et)2B−、(iPr)2B−、(iBu)2B−、(Et)3B、(iPr)3B
、(iBu)3B; アリール基置換ホウ素としては、(C6H5)2B−、(C6H5)3B
、(C6F5)3B、(3,5−(CF3)2C6H3)3B; ハロゲン化ホウ素としては、BCl2−、BCl3; アルキル基置換ハロゲン化ホウ素としては、(Et)BCl−、(iBu)BCl−、(C6H5)2BClなどが挙げられる。このうち三置換のホウ素につ
いては、配位結合した状態であることがある。ここで、Etはエチル基、iPrはイソプロピル基、iBuはイソブチル基を表す。
lCl2−、AlCl3; アルキル基置換ハロゲン化アルミニウムとしては、(Et)AlCl−、(iBu)AlCl−などが挙げられる。このうち三置換のアルミニウムについては、配位結合した状態であることがある。ここで、Etはエチル基、iPrはイソプロピル基、iBuはイソブチル基を表す。
これらの中では、メチルシリル、ジメチルシリル、トリメチルシリル、エチルシリル、ジエチルシリル、トリエチルシリル、ジメチルフェニルシリル、トリフェニルシリルなどが好ましい。特にトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリフェニルシリル、ジメチルフェニルシリルが好ましい。炭化水素置換シロキシ基として具体的には、トリメチルシロキシなどが挙げられる。
窒素含有基のうち、アミド基としては、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N−
メチルベンズアミドなどが、アミノ基としては、ジメチルアミノ、エチルメチルアミノ、ジフェニルアミノなどが、イミド基としては、アセトイミド、ベンズイミドなどが、イミノ基としては、メチルイミノ、エチルイミノ、プロピルイミノ、ブチルイミノ、フェニルイミノなどが好ましく例示される。
、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、より好ましくはチタンである。
、イオウ含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、ヘテロ環式化合物残基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示す。なお、Xで示される基は互いに同一でも異なっていてもよく、またXで示される基は互いに結合して環を形成してもよい。
炭化水素基としては、前記一般式(I)のR1〜R5で例示したものと同様のものが挙げられる。
酸素含有基としては、前記一般式(I)のR1〜R5で例示したものと同様のものが挙げられ、具体的には、ヒドロキシ基; メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの
アルコシキ基; フェノキシ、メチルフェノキシ、ジメチルフェノキシ、ナフトキシなどのアリーロキシ基; フェニルメトキシ、フェニルエトキシなどのアリールアルコキシ基; アセトキシ基; カルボニル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
キル基、置換基を有してもよいアリール基、ハロゲン原子等を示す)が挙げられる。
リン含有基として具体的には、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィンなどのトリアルキルホスフィン基; トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィンなどのトリアリールホスフィン基; メチルホスファイト、エチルホスファイト、フェニルホスファイトなどのホスファイト基(ホスフィド基); ホスホン酸基; ホスフィン酸基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
ハロゲン含有基として具体的には、PF6、BF4などのフッ素含有基、ClO4、Sb
Cl6などの塩素含有基、IO4などのヨウ素含有基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
してもよいアリール基、ハロゲン原子等を示す)が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。
前記一般式(I)中、Yは酸素原子、窒素原子、リン原子または硫黄原子を表し、エーテル構造、ケトン構造、アミン構造、イミン構造等を構成する原子である。
前記一般式(I)中、Yと、Mに配位し、Zと隣接するNとの距離が、Yが金属原子Mに配位するのに適切であることにより、[A]遷移金属錯体化合物を含むオレフィン多量化触媒は、1−ヘキセンや1−オクテンを高い選択性で製造することができる。YとNとを結ぶ最短結合数が5または6であることが、1−ヘキセンや1−オクテンをより高い選択性で製造することができるため好ましい。
また一般式(I)中、点線表示は配位結合を示す。一般式(I)の具体的な構造を以下に挙
げる。
[A]遷移金属錯体化合物と反応してイオン対を形成する化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を含んでいる。
本発明で必要に応じて用いられる(b−1)有機金属化合物として、具体的には下記のような周期律表第1、2族および第12、13族の有機金属化合物を挙げることができ、例えば以下に説明する(b−1a)、(b−1b)、(b−1c)等が挙げられる。なお、本発明においては、[B]の(b−1)有機金属化合物には後述する(b−2)有機アルミニウムオキシ化合物は含まれないものとする。
原子数が1〜15、好ましくは1〜4の炭化水素基を示す)で表される周期律表第1族金属とアルミニウムとの錯アルキル化物。
もよい炭素原子数が1〜15、好ましくは1〜4の炭化水素基を示し、M3はMg、Zn
またはCdである)で表される周期律表第2族または12族金属のジアルキル化合物。
いてもよい炭素原子数が1〜15、好ましくは1〜4の炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示し、mは0<m≦3、nは0≦n<33、qは0≦q<3の数であり、かつm+n+q=3である)で表される有機アルミニウム化合物。
トリシクロヘキシルアルミニウム、トリシクロオクチルアルミニウムなどのトリシクロアルキルアルミニウム; トリフェニルアルミニウム、トリトリルアルミニウムなどのトリアリールアルミニウム; ジエチルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライドなどのジアルキルアルミニウムハイドライド; (iC4H9)xAly(C5H10)z(式中、x、y、zは正の数であり、z≧2xである。iC4H9はイソブチル基を表す。)などで表されるイソプレニルアルミニウムなどのアルケニルアルミニウム;
イソブチルアルミニウムメトキシド、イソブチルアルミニウムエトキシド、イソブチルアルミニウムイソプロポキシドなどのアルキルアルミニウムアルコキシド; ジメチルアルミニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミニウムブトキシドなどのジアルキルアルミニウムアルコキシド; エチルアルミニウムセスキエトキシド、ブチルアルミニウムセスキブトキシドなどのアルキルアルミニウムセスキアルコキシド; Ra 2.5Al(ORb)0.5(式中、RaおよびRbは、互いに同一でも異なっていてもよい炭素原子数が1〜15、好ましくは1〜4の炭化水素基を示す。)などで表される平均組成を有する部分的にアルコキシ化されたアルキルアルミニウム; ジエチルアルミニウムフェノキシド、ジエチルアルミニウム(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノキシド)、エチルアルミニウムビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノキシド)、ジイソブチルアルミニウム(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノキシド)、イソブチルアルミニウムビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノキシド)などのジアルキルアルミニウムアリーロキシド; ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムブロミド、ジイソブチルアルミニウムクロリドなどのジアルキルアルミニウムハライド;エチルアルミニウムセスキクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキブロミドなどのアルキルアルミニウムセスキハライド;エチルアルミニウムジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリド、ブチルアルミニウムジブロミドなどのアルキルアルミニウムジハライドなどの部分的にハロゲン化されたアルキルアルミニウム; ジエチルアルミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリドなどのジアルキルアルミニウムヒドリド; エチルアルミニウムジヒドリド、プロピルアルミニウムジヒドリドなどのアルキルアルミニウムジヒドリドなどその他の部分的に水素化されたアルキルアルミニウム; エチルアルミニウムエトキシクロリド、ブチルアルミニウムブトキシクロリド、エチル アルミニウムエトキシブロミドなどの部分的にアルコキシ化およびハロゲン化された
アルキルアルミニウムなどが挙げられる。
また、前記(b−1c)に属する化合物としては、ジメチルマグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジブチルマグネシウム、ブチルエチルマグネシウム等が挙げられる。
ムとアルキルマグネシウムとの組合せなどを使用することもできる。
[(b−2)有機アルミニウムオキシ化合物]
本発明で必要に応じて用いられる(b−2)有機アルミニウムオキシ化合物は、従来公知のアルミノキサンであってもよく、また特開平2−78687号公報に例示されているようなベンゼン不溶性の有機アルミニウムオキシ化合物であってもよい。
ーテル、テトラヒドロフランなどの媒体中で、トリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物に直接水、氷または水蒸気を作用させる方法。(3)デカン、ベンゼン、トルエンなどの媒体中でトリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物に、ジメチルスズオキシド、ジブチルスズオキシドなどの有機スズ酸化物を反応させる方法。
上記のような有機アルミニウム化合物は、1種単独でまたは2種以上組み合わせて用いられる。
前記一般式(i)で表されるボロンを含んだ有機アルミニウムオキシ化合物は、下記一般式(ii)で表されるアルキルボロン酸と、有機アルミニウム化合物とを、不活性ガス雰囲気下に不活性溶媒中で、−80℃〜室温の温度で1分〜24時間反応させることにより製造できる。
(式中、R6は上記と同じ基を示す)
前記一般式(ii)で表されるアルキルボロン酸の具体的なものとしては、メチルボロン酸、エチルボロン酸、イソプロピルボロン酸、n−ブロピルボロン酸、n−ブチルボロン酸、イソブチルボロン酸、n−ヘキシルボロン酸、シクロヘキシルボロン酸、フェニルボロン酸、3,5−ジフルオロフェニルボロン酸、ペンタフルオロフェニルボロン酸、3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルボロン酸等が挙げられる。これらの中では、メチルボロン酸、n−ブチルボロン酸、イソブチルボロン酸、3,5−ジフルオロフェニルボロン酸、ペンタフルオロフェニルボロン酸が好ましい。
このようなアルキルボロン酸と反応させる有機アルミニウム化合物として具体的には、前記(b−1a)に属する有機アルミニウム化合物として例示したものと同様の有機アルミニウム化合物が挙げられる。これらのうち、トリアルキルアルミニウム、トリシクロアルキルアルミニウムが好ましく、特にトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが好ましい。これらは1種単独でまたは2種以上組み合わせて用いられる。
[(b−3)イオン化イオン性化合物]
本発明で必要に応じて用いられる、(b−3)[A]遷移金属錯体化合物と反応してイオン対を形成する化合物は、[A]遷移金属錯体化合物と反応してイオン対を形成する化合物である。従って、少なくとも[A]遷移金属錯体化合物と接触させてイオン対を形成するものは、この化合物に含まれる。
207703号公報、特開平3−307704号公報、米国特許5321106号明細書などに記載されたルイス酸、イオン性化合物、ボラン化合物およびカルボラン化合物などが挙げられる。さらに、ヘテロポリ化合物およびイソポリ化合物もあげることができる。
ル基などの置換基を有していてもよいフェニル基またはフッ素である)で示される化合物が挙げられ、たとえば、トリフルオロボロン、トリフェニルボロン、トリス(4−フルオ
ロフェニル)ボロン、トリス(3,5−ジフルオロフェニル)ボロン、トリス(4−フルオロメチルフェニル)ボロン、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボロン、トリス(p−トリル)ボロン、トリス(o−トリル)ボロン、トリス(3,5−ジメチルフェニル)ボロンなどが挙げられる。
れる
ウムカチオン、ホスホニウムカチオン、シクロヘプチルトリエニルカチオン、遷移金属を有するフェロセニウムカチオンなどが挙げられる。
は置換アリール基である。
前記カルボニウムカチオンとして具体的には、トリフェニルカルボニウムカチオン、トリ(メチルフェニル)カルボニウムカチオン、トリ(ジメチルフェニル)カルボニウムカチオンなどの三置換カルボニウムカチオンなどが挙げられる。
チル)アンモニウムカチオンなどのトリアルキルアンモニウム カチオン; N,N−ジメチルアニリニウムカチオン、N,N−ジエチルアニリニウムカチオン、N,N,2,4,6−ペンタメチルアニリニウムカチオンなどのN,N−ジアルキルアニリニウムカチオン; ジ(イソプロピル)アンモニウムカチオン、ジシクロヘキシルアンモニウムカチオンなどのジアルキルアンモニウムカチオンなどが挙げられる。
られる。
p−トリル)ボレート、トリメチルアンモニウムテトラ(o−トリル)ボレート、トリ(n−
ブチル )アンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリ(n−プロピル)アンモニウムテトラ(o,p−ジメチルフェニル)ボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラ(m,m−ジメチルフェニル)ボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラ(p
−トリフルオロメチルフェニル)ボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラ(3,5−ジトリフルオロメチルフェニル)ボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラ(o−トリル)ボレートなどが挙げられる。
フェニル)ボレート、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、フェロセニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルカ
ルベニウムペンタフェニルシクロペンタジエニル錯体、N,N−ジエチルアニリニウムペンタ フェニルシクロペンタジエニル錯体、下記式(IV)または(V)で表されるホウ
素化合物なども挙げられる。
チル)アンモニウム〕ノナボレート、ビス〔トリ(n−ブチル)アンモニウム〕デカボレー
ト、ビス〔トリ(n−ブチル)アンモニウム〕ウンデカボレート、ビス〔トリ(n−ブチル)アンモニウム〕ドデカボレート、ビス〔トリ(n−ブチル)アンモニウ ム〕デカクロロデ
カボレート、ビス〔トリ(n−ブチル)アンモニウム〕ドデカクロロドデカボレートなどのアニオンの塩; トリ(n−ブチル)アンモニウムビス(ドデカハイドライドドデカボレー
ト)コバルト酸塩(III)、ビス〔トリ(n−ブチル)アンモニウム〕ビス(ドデカハイドライドドデカボレート)ニッケル酸塩(III)などの金属ボランアニオンの塩などが挙
げられる。
デカボラン、ドデカハイドライド−11−メチル−2,7−ジカルバウンデカボラン、トリ(n−ブチル)アンモニウム1カルバデカボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウム1−カルバウンデカボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウム1−カルバドデカボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウム1−トリメチルシリル−1−カルバデカボレート、トリ(n
−ブチル)アンモニウムブロモ−1−カルバドデカボレート、トリ(n−ブチル)アンモニ
ウム6−カルバデカボレート(14)、トリ(n−ブチル)アンモニウム6−カルバデカボレート(12)、トリ(n−ブチル)アンモニウム7カルバウンデカボレート(13)、トリ(n−ブチル)アンモニウム7,8−ジカルバウンデカボレート(12)、トリ(n−ブ
チル)アンモニウム2,9−ジカルバウンデカボレート(12)、トリ(n−ブチル)アン
モニウムドデカハイドライド−8−メチル−7,9−ジカルバウンデカボレート、トリ(
n−ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド−8−エチル−7,9−ジカルバウンデ
カボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド−8−ブチル−7,9−ジカルバウンデカボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド−8−アリル−7,9−ジカルバウンデカボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド−9−トリメチルシリル−7,8−ジカルバウンデカボレート、トリ(n−
ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド−4,6−ジブロモ−7−カルバウンデカボ
レートなどのアニオンの塩; トリ(n−ブチル)アンモニウムビス(ノナハイドライド−
1,3−ジカルバノナボレート)コバルト酸塩(III)、トリ(n−ブチル)アンモニウ
ムビス(ウンデカハイドライド−7,8−ジカルバウンデカボレート)鉄酸塩(III)、トリ(n−ブチル)アンモニウムビス(ウンデカハイドライド−7,8−ジカルバウンデカ
ボレート)コバルト酸塩(III)、トリ(n−ブチル )アンモニウムビス(ウンデカハイ
ドライド−7,8−ジカルバウンデカボレート)ニッケル酸塩(III)、トリ(n−ブチル)アンモニウムビス(ウンデカハイドライド−7,8−ジカルバウンデカボレート)銅酸
塩(III)、トリ(n−ブチル)アンモニウムビス(ウンデカハイドライド−7,8−ジ
カルバウンデカボレート)金酸塩(III)、トリ(n−ブチル)アンモニウムビス(ノナハイドライド−7,8−ジメチル−7,8−ジカルバウンデカボレート)鉄酸塩(III)
、トリ(n−ブチル)アンモニウムビス(ノナハイドライド−7,8−ジメチル−7,8−
ジカルバウンデカボレート)クロム酸塩(III)、トリ(n−ブチル)アンモニウムビス(トリブロモオクタハイドライド−7,8−ジカルバウンデカボレート)コバルト酸塩(I
II)、トリス〔トリ(n−ブチル)アンモニウム〕ビス(ウンデカハイドライド-7-カルバウンデカボレート)クロム酸塩(III)、ビス〔トリ(n−ブチル)アンモニウム〕ビス(ウンデカハイドライド−7−カルバウンデカボレート)マンガン酸塩(IV)、ビス〔ト
リ(n−ブチル)アンモニウム〕ビス(ウンデカハイドライド−7−カルバウンデカボレー
ト)コバルト酸塩(III)、ビス〔トリ(n−ブチル)アンモニウム〕ビス(ウンデカハイ
ドライド−7−カルバウンデカボレート)ニッケル酸塩(IV)などの金属カルボランア
ニオンの塩などが挙げられる。
上記のような (b−3)イオン化イオン性化合物は、1種単独でまたは2種以上組み
合わせて用いられる。
本発明で必要に応じて用いられる[C]担体は、無機または有機の化合物であって、顆粒状ないしは微粒子状の固体である。このうち無機化合物としては、多孔質酸化物、無機塩化物、粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物が好ましい。
O3、CaO、ZnO、BaO、ThO2など、またはこれらを含む複合物または混合物を使用、例えば天然または合成ゼオライト、SiO2−MgO、SiO2−Al2O3、SiO2−TiO2、SiO2−V2O5、SiO2−Cr2O3、SiO2−TiO2−MgOなどを使用することができる。これらのうち、SiO2および/またはAl2O3を主成分とするも
のが好ましい。
2SO4、Al2(SO4)3、BaSO4、KNO3、Mg(NO3)2、Al(NO3)3、N
a2O、K2O、Li2Oなどの炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酸化物成分を含有していても差
し支えない。
、比表面積が50〜1000m2/g、好ましくは100〜700m2/gの範囲にあり
、細孔容積が0.3〜3.0cm3/gの範囲にあることが望ましい。このような担体は
、必要に応じて100〜1000℃、好ましくは150〜700℃で焼成して使用される。
どが挙げられる。
る。半径20オングストローム以上の細孔容積が0.1cc/gより小さいものを担体として用いた場合には、高い二量化活性が得られにくい傾向がある。
間距離を変えることができる。
また、これらの化合物をインターカレーションする際に、Si(OR)4、Al(OR
)3、Ge(OR)4などの金属アルコキシド(Rは炭化水素基など)などを加水分解して得た二量化物、SiO2などのコロイド状無機化合物などを共存させることもできる。また
、ピラーとしては、上記金属水酸化物イオンを層間にインターカレーションした後に加熱脱水することにより生成する酸化物などが挙げられる。
有機化合物としては、粒径が10〜300μmの範囲にある顆粒状ないしは微粒子状固体を挙げることができる。具体的には、エチレン、プロピレン、1−ブテン、4−メチル−1−ペンテンなどの炭素原子数が2〜14のα−オレフィンを主成分として生成される(共)二量化体またはビニルシクロヘキサン、スチレンを主成分として生成される(共)二量化体、およびそれらの変成体を例示することができる。
本発明において、[D]有機化合物成分は、必要に応じて、多量化性能を向上させる目的で使用される。このような有機化合物としては、アルコール類 、フェノール性化合物
、カルボン酸、リン化合物およびスルホン酸塩等が挙げられるが、これに限られるものではない。
ハロゲン化炭化水素基を示す)、アルコール類としては、R13がハロゲン化炭化水素の
ものが好ましい。
化水素で置換されたものが好ましい。
カルボン酸としては、通常、R14−COOHで表されるものが使用される。R14は炭素原子数1〜50の炭化水素基または炭素原子数1〜50のハロゲン化炭化水素基を示し、特に炭素原子数1〜50のハロゲン化炭化水素基が好ましい。
〜20の炭化水素基または炭素原子数1〜20のハロゲン化炭化水素基である。Xは水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数が1〜20の炭化水素基、炭素原子数が1〜20のハロゲン化炭化水素基である。mは1〜7の整数であり、nはMの価数であり、1≦n≦7で
ある。
エチレン多量化方法について説明する。
本発明に係るエチレン多量化方法は、上記の触媒の存在下にエチレンを多量化、好ましくは三量化もしくは四量化させることからなる。
多量化の際、上記成分[A]を反応器に添加する方法、各成分の使用法、添加方法、添加順序は任意に選ばれるが、以下のような方法が例示される。
(2)成分[A]と、(b−1)有機金属化合物、(b−2)有機アルミニウムオキシ化合物および(b−3)イオン化イオン性化合物から選ばれる少なくとも1種の成分[B](以下単に「成分[B]」という)とを任意の順序で反応器に添加する方法。
(4)成分[A]と成分[B]を予め接触させた触媒成分、および成分[B]を任意の順序で反応器に添加する方法。この場合、成分[B]は、同一でも異なっていてもよい。
(6)成分[A]を担体[C]に担持した触媒成分、および成分[B]を任意の順序で反応器に添加する方法。
(8)成分[A]と成分[B]とを担体[C]に担持した触媒成分、および成分[B]を任意の順序で反応器に添加する方法。この場合、成分[B]は、同一でも異なっていてもよい。
(10)成分[B]を担体[C]に担持した触媒成分、成分[A]、および成分[B]を任意の順序で反応器に添加する方法。この場合、成分[B]は、同一でも異なっていてもよい。
(12)成分[A]を担体[C]に担持した成分、成分[B]を担体[C]に担持した成分、および成分[B]を任意の順序で反応器に添加する方法。この場合、成分[B]は、同一でも異なっていてもよい。
(14)成分[A]、成分[B]、および有機化合物成分[D]を任意の順序で反応器に添加する方法。
(16)成分[D]を担体[C]に担持した成分、および成分[A]を任意の順序で反応器に添加する方法。
(18)成分[A]と成分[B]を予め接触させた触媒成分、および成分[D]を任意の順序 で反応器に添加する方法。
(20)成分[A]と成分[B]を予め接触させた触媒成分、および成分[B]と成分[D]をあらかじめ接触させた成分を任意の順序で反応器に添加する方法。
(22)成分[A]を担体[C]に担持した成分と成分[D]を任意の順序で反応器に添加する方法。
(24)成分[A]と[D]を予め接触させた触媒成分を反応器に添加する方法。
(26)成分[A]と成分[B]と成分[D]を予め接触させた触媒成分および、成分
[B]を任意の順序で反応器に添加する方法。この場合、成分[B]は、同一でも異なっていてもよい。
(28)成分[A]と成分[B]と成分[D]を担体[C]に担持した触媒を反応器に添加する方法。
ィン多量化用触媒の存在下に、エチレンを多量化することにより1−ヘキセンもしくは1-オクテンを得る。本発明では、多量化は溶解反応、懸濁反応などの液相反応法または気
相反応法のいずれにおいても実施できる。
ル、好ましくは10-10〜10-3モルとなるような量で用いられる。本発明では、成分[
A]を、比較的薄い濃度で用いた場合であっても、高い多量化活性でエチレンを三量化もしくは四量化することができる。
成分[C]は、成分[A]中の遷移金属原子(M)のモル当たりに対する成分[C]の比(g/mmol)が通常100〜10000、好ましくは1000〜5000となるよう
な量で用いられる。
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
単位時間当たりに得られた反応生成物の質量を、重合に使用した遷移金属触媒成分中の遷移金属原子量(ミリモル)で除して求めた。
以下の式に従い1−ヘキセンもしくは1-オクテンの選択率を求めた。
S(%)=Wp/Wr×100
S(%):1−ヘキセンもしくは1-オクテンの選択率(重量分率)
Wr(重量):反応により生成した炭素原子数が4以上からなる生成物の合計重量
Wp(重量):反応により生成した1−ヘキセンもしくは1−オクテンの重量
以下に本発明に係る遷移金属化合物の具体的な合成例を示すとともに、エチレン多量化の具体的な実施例および比較例を示す。
(化合物1の合成)
させ、100℃で9.5時間反応させた。この反応液に水50mLを加え、トルエンで抽出後、有機層をMgSO4で乾燥させ濃縮し6.3gの粗生成物を得た。粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフ(溶離液;ヘキサン/酢酸エチル=3/1)を用いて精製することにより化合物1を1.76g(収率 44%、黄色固体)を得た。
1H NMR (δ, CDCl3): 7.38-6.98 (m, 6H, Ar-H), 6.85-6.75 (m, 2H, Ar-H), 3.80 (s, 3
H, CH3), 3.67 (br, 2H, NH2).
(化合物2の合成)
1H NMR (δ, CDCl3): 8.35 (s, 1H), 7.39-7.26 (m, 3H), 7.25-7.21 (m, 2H,), 7.05-6.95 (m, 2H), 6.89-6.83 (m, 2H), 6.60-6.58 (m, 1H), 6.24-6.22 (m, 1H), 3.60 (s, 3H). Pyrrole-NH is missing.
(化合物3の合成)
1H NMR (δ, CDCl3): 8.13 (s, 1H), 7.38-6.58, m, 10H), 6.41-6.38 (m, 1H), 3.51 (s, 3H), 0.13 (s, 9H).
このオイルをジクロロメタン10mLに溶解させ、充分に乾燥した50mL二口ナスフラスコ(三方コック付、磁気攪拌子入り)に四塩化チタンの1.0mol/Lジクロロメタン溶液を4.0mL(4.0mmol)、ジクロロメタン20mLを加えたものに−78℃にて滴下した。この反応液を徐々に室温まで昇温させつつ8時間反応させた後、約2mLまで濃縮し、ヘキサン20mLを加えることにより固体を析出させた。この固体をろ取し、ヘキサンで洗浄することにより化合物3を893mg(収率 52%、緑色固体)を得た。
定結果を図1に示す。
1H NMR (δ, CDCl3): 7.75-6.99 (m, 10H), 6.14-6.12 (m, 1H), 6.46-6.45 (m, 1H), 4.01 (s, 3H).
充分に窒素置換した内容積100mLのオートクレーブにトルエン28mLを入れ、続いて、メチルアルミノキサン(MAO,1Mトルエン溶液)をアルミニウム原子換算で1.0mmol加えた。引き続き、Organometallics誌2001年20巻4793−4799頁に記載の下記化合物4(1mMトルエン溶液)を0.001mmol加え、エチレン(0.8MPa−G)で加圧して反応を開始した。同圧力でエチレンを供給しながら25−35℃で10分間反応させた後、少量のイソプロパノールを添加することにより反応を停止した。反応終了後、0.1規定塩酸水および純水で反応液を洗浄し、減圧下に液体窒素トラップを用いて低沸点成分(炭素原子数10以下)をポリエチレンから分離し、ガスクロマトグラフィーを用いて分析を行った。生成物としてポリエチレンを2.03g得たが、1−ヘキセンは検出されなかった。
Claims (5)
- [A]下記一般式(I)で表される遷移金属錯体化合物を含むオレフィン多量化用触媒。
(一般式(I)中、R1〜R5は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、ヘテロ環式化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、イオウ含有基、リン含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、これらのうち2個以上が互いに連結していてもよい。また、R1はZと連結していてもよく、またR5はZと連結していてもよい。
Mは、周期律表第4族の遷移金属原子を示す。
Xは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、ヘテロ環式化合物残基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、Xで示される基は互いに同一でも異なっていてもよく、またXで示される基は互いに結合して環を形成してもよい。
Yは、酸素原子、窒素原子、リン原子または硫黄原子を示す。
Zは、置換基を有していてもよい炭化水素基またはヘテロ環式化合物残基を示す。
式中、YとZとを結ぶ結合は二重結合もしくは三重結合であってもよく、YとR1とを結
ぶ結合は二重結合もしくは三重結合であってもよい。
また式中、点線表示は配位結合を示す。) - [A]一般式(I)で表わされる遷移金属錯体化合物のYと、Mに配位し、Zと隣接
するNとを結ぶ最短結合数が、5または6である請求項1に記載のオレフィン多量化用触媒。 - [A]一般式(I)で表わされる遷移金属錯体化合物ならびに、
[B](b−1)有機金属化合物、(b−2)有機アルミニウムオキシ化合物および(b−3)[A]遷移金属錯体化合物と反応してイオン対を形成する化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を含む
ことを特徴とする請求項1または2に記載のオレフィン多量化用触媒。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のオレフィン多量化用触媒の存在下で、エチレンを三量化させる1−ヘキセンの製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のオレフィン多量化用触媒の存在下で、エチレンを四量化させる1−オクテンの製造方法。
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