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JP2009058230A - Manufacturing method for sensor device, and the sensor device - Google Patents

Manufacturing method for sensor device, and the sensor device Download PDF

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JP2009058230A JP2007223162A JP2007223162A JP2009058230A JP 2009058230 A JP2009058230 A JP 2009058230A JP 2007223162 A JP2007223162 A JP 2007223162A JP 2007223162 A JP2007223162 A JP 2007223162A JP 2009058230 A JP2009058230 A JP 2009058230A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a sensor device and a sensor device capable of suppressing damage to a thin portion and variations in sensor characteristics, while ensuring an electrically connected state between a sensor chip and an external connection lead. <P>SOLUTION: A sensor chip in which a detection part and a wiring part connected to the detection part are formed on a substrate, having a cavity and a resistor composing the detection part, is formed on a thin portion above the cavity, and a lead frame including a support lead and an external connection lead are prepared. After a laminate is formed by fixing the prepared sensor chip on the support lead via an adhesive member, the external connection lead is electrically connected to the wiring part. The laminate and a stopper, having hardness closer to that of the substrate than that of the adhesive member; are disposed in the cavity configured in a pair of molds, and molding is performed with the stopper being held in between the two molds, while the one of the molds is in contact with the top surface of the sensor chip. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、空洞部上の薄肉部に検出部の抵抗体が形成されたセンサチップを支持リード上に配置し、薄肉部及び検出部を露出しつつ電気的な接続部位をモールドしてなるセンサ装置の製造方法及びセンサ装置に関するものである。   The present invention provides a sensor chip in which a sensor chip in which a resistor of a detection part is formed on a thin part on a hollow part is disposed on a support lead, and an electrical connection site is molded while exposing the thin part and the detection part. The present invention relates to a device manufacturing method and a sensor device.

従来、例えば特許文献1に示されるように、空洞部上の薄肉部に検出部の抵抗体が形成されたセンサチップを有し、該センサチップが支持リード上に配置された状態で、薄肉部及び検出部が露出されるようにモールドされたセンサ装置が知られている。   Conventionally, for example, as shown in Patent Document 1, a thin-walled portion has a sensor chip in which a resistor of a detection unit is formed in a thin-walled portion on a hollow portion, and the sensor chip is disposed on a support lead. In addition, a sensor device molded so that the detection unit is exposed is known.

特許文献1に示される熱式空気流量センサでは、半導体センサ素子(センサチップ)において、半導体基板に形成された空洞上のダイアフラム(薄肉部)に、流量検出部を構成する発熱抵抗体が形成されている。そして、閉塞支持リード(支持リード)上に、半導体センサ素子が半導体基板の下面(発熱抵抗体の形成面の裏面)を接触面として配置され、流量検出部及びダイアフラムが露出されるように、電気的な各接続部がモールド材により一体的に被覆されている。
特許第3328547号
In the thermal air flow sensor disclosed in Patent Document 1, in a semiconductor sensor element (sensor chip), a heating resistor constituting a flow rate detection unit is formed on a diaphragm (thin wall portion) on a cavity formed in a semiconductor substrate. ing. Then, the semiconductor sensor element is arranged on the closing support lead (support lead) with the lower surface of the semiconductor substrate (the back surface of the heating resistor forming surface) as a contact surface, so that the flow rate detector and the diaphragm are exposed. The respective connecting portions are integrally covered with a molding material.
Japanese Patent No. 3328547

特許文献1に示されるセンサ装置では、折曲によって半導体基板の3つの側面に対応する位置決め部位が設けられた支持リードを採用しており、支持リード上にセンサチップが配置されている。このような構成においては、搭載性を考慮すると半導体基板に対して位置決め部位が若干余裕を持って形成されるため、センサチップに位置ずれが生じる恐れがある。また、センサチップが支持リードに対して固定されていないため、超音波を用いてセンサチップと外部接続リードとをワイヤボンディングする際に、超音波振動が逃げて接合状態を形成しにくいという問題がある。   The sensor device disclosed in Patent Document 1 employs a support lead provided with positioning portions corresponding to three side surfaces of a semiconductor substrate by bending, and a sensor chip is disposed on the support lead. In such a configuration, in consideration of mountability, the positioning portion is formed with a slight margin with respect to the semiconductor substrate, and thus there is a possibility that the sensor chip may be displaced. In addition, since the sensor chip is not fixed to the support lead, when the sensor chip and the external connection lead are wire-bonded using ultrasonic waves, there is a problem that ultrasonic vibration escapes and it is difficult to form a bonded state. is there.

そこで、本発明者は、センサチップ(半導体基板)の下面全面を接着面として支持リードに接着固定(ダイボンド)される構造について検討した。ところが、接着部材(ダイボンド材)として軟らかい接着部材(加圧により変形するもの、ヤング率が1MPa程度)を用いた場合、モールド成形の際に、薄肉部がダメージを受ける(例えば破損する)という問題が生じた。これは、接着部材がモールド成形時に押し広げられる影響でセンサチップに応力が生じ、この応力が薄肉部に集中することによって生じるものと考えられる。   In view of this, the present inventor examined a structure in which the entire lower surface of the sensor chip (semiconductor substrate) is bonded and fixed (die bonded) to the support lead with the entire lower surface as an adhesive surface. However, when a soft adhesive member (one that is deformed by pressurization, Young's modulus is about 1 MPa) is used as the adhesive member (die bond material), the thin-walled portion is damaged (eg, broken) during molding. Occurred. It is considered that this is caused by the stress generated in the sensor chip due to the influence of the adhesive member being spread during molding, and the stress being concentrated on the thin portion.

また、上述の接着部材よりも硬い接着部材(加圧により変形しがたいもの)を用いた場合、センサ特性が変動するという問題が生じた。このセンサ特性の変動は、ヤング率が大きい(加圧によりほとんど変形しないもの、例えば1GPa程度)ほど顕著であった。これは、例えば接着部材の硬化処理や使用環境での温度変化により、半導体基板と支持リードとの線膨張係数差に基づく応力などが生じ、半導体基板における剛性の低い薄肉部に応力が作用して、ピエゾ抵抗効果により抵抗値変化が生じたためと考えられる。また、変化した抵抗値がクリープによって徐々に変動したためと考えられる。   Further, when an adhesive member that is harder than the above-described adhesive member (that is difficult to be deformed by pressurization) is used, there is a problem that the sensor characteristics fluctuate. The fluctuation of the sensor characteristics is more remarkable as the Young's modulus is larger (those that hardly deform by pressurization, for example, about 1 GPa). This is because, for example, a stress based on a difference in linear expansion coefficient between the semiconductor substrate and the support lead occurs due to a curing process of the adhesive member or a temperature change in the usage environment, and the stress acts on a thin portion with low rigidity in the semiconductor substrate. This is thought to be because the resistance value changed due to the piezoresistance effect. Moreover, it is considered that the changed resistance value gradually changed due to creep.

本発明は上記問題点に鑑み、センサチップと外部接続リードとの電気的な接続状態を確保しつつ、薄肉部のダメージやセンサ特性の変動を抑制できるセンサ装置の製造方法及びセンサ装置を提供することを目的とする。   In view of the above problems, the present invention provides a method for manufacturing a sensor device and a sensor device capable of suppressing damage to a thin portion and fluctuation in sensor characteristics while securing an electrical connection state between a sensor chip and an external connection lead. For the purpose.

上記目的を達成する為に請求項1に記載の発明は、空洞部を有する基板上に、検出部と検出部に接続される配線部が形成され、検出部を構成する抵抗体が空洞部上の薄肉部に形成されたセンサチップと、センサチップを一面上に搭載する支持リード及び配線部と電気的に接続される外部接続リードを含むリードフレームと、を準備する準備工程と、準備したセンサチップを、空洞部が開口する下面を搭載面として、リードフレームにおける支持リード上に接着部材を介して固定し、積層体を形成する接着工程と、積層体に対し、リードフレームにおける外部接続リードと配線部を電気的に接続する接続工程と、接続工程後、一対の金型に構成されるキャビティに積層体を配置してモールド成形し、検出部及び薄肉部を露出しつつ封止部材によって配線部と外部接続リードとの接続部位を被覆する成形工程と、を備えたセンサ装置の製造方法であって、成形工程において、接着部材よりも基板に近い硬さを有するストッパをキャビティ内に配置し、一方の金型がセンサチップの上面に接触しつつ他方の金型との間でストッパを挟持した状態でモールド成形することを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a detection part and a wiring part connected to the detection part are formed on a substrate having a cavity part, and the resistor constituting the detection part is provided on the cavity part. A preparatory step for preparing a sensor chip formed on the thin-walled portion, a lead frame including a support lead for mounting the sensor chip on one surface and an external connection lead electrically connected to the wiring portion, and the prepared sensor The chip is fixed to the support lead in the lead frame with an adhesive member using the lower surface where the cavity is open as a mounting surface, and an adhesion process for forming a laminate, and external connection leads in the lead frame to the laminate A connecting step for electrically connecting the wiring portion, and after the connecting step, the laminate is placed in a cavity formed in a pair of molds and molded, and a sealing member is used while exposing the detection portion and the thin portion. And a molding process for covering a connection portion between the wiring portion and the external connection lead, and in the molding process, a stopper having a hardness closer to the substrate than the adhesive member is formed in the cavity. The molding is characterized in that one mold is in contact with the upper surface of the sensor chip and the stopper is sandwiched between the other mold and the mold.

このように本発明によれば、接着部材を介してセンサチップを支持リードに固定した状態で、外部接続リードとセンサチップの配線部を電気的に接続する。したがって、センサチップと外部接続リードとの間で、電気的な接続状態を確保することができる。   Thus, according to the present invention, the external connection lead and the wiring portion of the sensor chip are electrically connected in a state where the sensor chip is fixed to the support lead via the adhesive member. Therefore, an electrical connection state can be ensured between the sensor chip and the external connection lead.

また、接着部材よりも基板に近い硬さを有するストッパをキャビティ内に配置し、一方の金型がセンサチップの上面に接触しつつ他方の金型との間でストッパを挟持した状態でモールド成形する。したがって、ストッパによって、一方の金型がセンサチップの上面に接触した状態からさらにセンサチップを押圧するのを抑制することができる。換言すれば、ストッパとセンサチップとで、金型から受ける圧力を分散させることができる。これにより、圧力を受けて変形する程度のヤング率(例えば1MPa程度)を有する軟らかい接着部材を用いても、型締め時における接着部材の変形量を低減し、ひいては接着部材の変形に伴って変形するセンサチップの変形量を低減することができる。そして、薄肉部への応力の集中を抑制する(薄肉部の受けるダメージを抑制する)ことができる。   In addition, a stopper having a hardness closer to the substrate than that of the adhesive member is disposed in the cavity, and molding is performed with one mold contacting the upper surface of the sensor chip and holding the stopper between the other mold. To do. Therefore, the stopper can further prevent the sensor chip from being pressed from the state where one mold is in contact with the upper surface of the sensor chip. In other words, the pressure received from the mold can be dispersed by the stopper and the sensor chip. As a result, even if a soft adhesive member having a Young's modulus (for example, about 1 MPa) that deforms under pressure is used, the deformation amount of the adhesive member during mold clamping is reduced, and as a result, the adhesive member deforms as the adhesive member deforms. The amount of deformation of the sensor chip can be reduced. And the stress concentration on the thin portion can be suppressed (damage to the thin portion can be suppressed).

また、ストッパによって、薄肉部の受けるダメージを抑制することができるので、接着部材として、圧力を受けて変形する軟らかい接着部材を採用することができる。したがって、使用環境での温度変化などにより、センサチップを構成する基板と支持リードとの線膨張係数差に基づいて応力が生じても、軟らかい接着部材によって応力を低減(緩和)することができる。すなわち、線膨張係数差に基づいてセンサチップの薄肉部に作用する応力を低減でき、ひいてはピエゾ抵抗効果によるセンサ特性の変動を抑制することができる。   Moreover, since the damage which a thin part receives with a stopper can be suppressed, the soft adhesive member which receives a pressure and deform | transforms as an adhesive member is employable. Therefore, even if a stress is generated based on a difference in linear expansion coefficient between the substrate constituting the sensor chip and the support lead due to a temperature change in the usage environment, the stress can be reduced (relaxed) by the soft adhesive member. That is, it is possible to reduce the stress acting on the thin portion of the sensor chip based on the difference in coefficient of linear expansion, and to suppress fluctuations in sensor characteristics due to the piezoresistance effect.

請求項1に記載の発明においては、請求項2に記載のように、成形工程の前に、支持リードの一面上にストッパを固定する固定工程を備えても良い。このように、別部材としてのストッパを支持リードに固定すると、同一の支持リードに対してセンサチップとストッパを固定するので、センサチップの上面に対するストッパの位置精度を向上することができる。すなわち、型から受けるセンサチップの圧力のばらつきを低減することができる。また、成形工程の前にセンサチップに対してストッパを位置決め固定しておくので、成形時にストッパを位置決め固定する構造が不要であり、型構造を簡素化することができる。   In the invention described in claim 1, as described in claim 2, a fixing step of fixing a stopper on one surface of the support lead may be provided before the molding step. As described above, when the stopper as the separate member is fixed to the support lead, the sensor chip and the stopper are fixed to the same support lead, so that the positional accuracy of the stopper with respect to the upper surface of the sensor chip can be improved. That is, the variation in pressure of the sensor chip received from the mold can be reduced. Further, since the stopper is positioned and fixed with respect to the sensor chip before the molding step, a structure for positioning and fixing the stopper at the time of molding is unnecessary, and the mold structure can be simplified.

また、請求項3に記載のように、準備工程において、支持リードの一部として、一面から突出する凸状のストッパを形成しても良い。このように、支持リードの一部としてストッパを形成すると、支持リードに固定されたセンサチップの上面に対する支持リードの一部であるストッパの位置精度をさらに向上することができる。すなわち、型から受けるセンサチップの圧力のばらつきをさらに低減することができる。また、請求項2に記載の発明で必要である固定工程を不要とすることができる。また、請求項2に記載の発明同様、型構造を簡素化することができる。   Further, as described in claim 3, in the preparation step, a convex stopper protruding from one surface may be formed as a part of the support lead. As described above, when the stopper is formed as a part of the support lead, the positional accuracy of the stopper which is a part of the support lead with respect to the upper surface of the sensor chip fixed to the support lead can be further improved. That is, the variation in pressure of the sensor chip received from the mold can be further reduced. Further, the fixing step required in the invention of claim 2 can be eliminated. Further, the mold structure can be simplified as in the second aspect of the invention.

次に、請求項4に記載の発明は、空洞部を有する基板上に、検出部と前記検出部に接続される配線部が形成され、検出部を構成する抵抗体が空洞部上の薄肉部に形成されたセンサチップと、センサチップを一面上に搭載する支持リード及び配線部と電気的に接続される外部接続リードを含むリードフレームと、を準備する準備工程と、準備したセンサチップを、空洞部が開口する下面を搭載面として、リードフレームにおける支持リード上に接着部材を介して固定し、積層体を形成する接着工程と、積層体に対し、リードフレームにおける外部接続リードと配線部を電気的に接続する接続工程と、接続工程後、一対の金型に構成されるキャビティに積層体を配置してモールド成形し、検出部及び薄肉部を露出しつつ封止部材によって配線部と外部接続リードとの接続部位を被覆する成形工程と、を備えたセンサ装置の製造方法であって、成形工程において、少なくとも一方の金型として、センサチップの上面側の金型がセンサチップの上面に接触した時点で、他方の金型の対向部位と直接、又は、支持リードを介して接触する凸状のストッパが形成された金型を用いることを特徴とする。   Next, in the invention described in claim 4, a detection unit and a wiring unit connected to the detection unit are formed on a substrate having a cavity, and the resistor constituting the detection unit is a thin-walled part on the cavity. A preparatory process for preparing the sensor chip formed on the lead frame including a support lead for mounting the sensor chip on one surface and an external connection lead electrically connected to the wiring portion; and the prepared sensor chip, The lower surface where the cavity is opened is used as the mounting surface, and is fixed to the support lead in the lead frame via an adhesive member, and the bonding process for forming the laminate, and the external connection leads and the wiring portion in the lead frame are connected to the laminate. A connecting step for electrical connection, and after the connecting step, the laminate is placed in a cavity formed in a pair of molds and molded, and the wiring portion is formed by the sealing member while exposing the detection portion and the thin portion. A sensor device comprising: a molding step for covering a connection portion with the part connection lead, wherein the mold on the upper surface side of the sensor chip is the upper surface of the sensor chip as at least one mold in the molding step. When the contact is made, a mold is used in which a convex stopper is formed which is in direct contact with the opposite part of the other mold or via a support lead.

このように本発明においても、接着部材を介してセンサチップを支持リードに固定した状態で、外部接続リードとセンサチップの配線部を電気的に接続する。したがって、センサチップと外部接続リードとの間で、電気的な接続状態を確保することができる。   Thus, also in the present invention, the external connection lead and the wiring portion of the sensor chip are electrically connected in a state where the sensor chip is fixed to the support lead via the adhesive member. Therefore, an electrical connection state can be ensured between the sensor chip and the external connection lead.

また、一対の金型の少なくとも一方として凸状のストッパが形成された金型を用いる。このストッパは、型締め時にセンサチップの上面側の金型がセンサチップの上面に接触した時点で、他方の金型の対向部位と直接、又は、支持リードを介して間接的に接触するように形成されている。したがって、ストッパによって、センサチップの上面側の金型がセンサチップの上面に接触した状態からさらにセンサチップを押圧するのを抑制することができる。換言すれば、ストッパとセンサチップとで、金型から受ける圧力を分散させることができる。これにより、圧力を受けて変形する程度のヤング率(例えば1MPa程度)を有する軟らかい接着部材を用いても、型締め時における接着部材の変形量を低減し、ひいては接着部材の変形に伴って変形するセンサチップの変形量を低減することができる。そして、薄肉部への応力の集中を抑制する(薄肉部の受けるダメージを抑制する)ことができる。   In addition, a mold having a convex stopper is used as at least one of the pair of molds. This stopper is configured so that when the mold on the upper surface side of the sensor chip comes into contact with the upper surface of the sensor chip at the time of mold clamping, the stopper directly contacts the opposite portion of the other mold or indirectly through the support lead. Is formed. Therefore, the stopper can further suppress the pressing of the sensor chip from the state in which the mold on the upper surface side of the sensor chip is in contact with the upper surface of the sensor chip. In other words, the pressure received from the mold can be dispersed by the stopper and the sensor chip. As a result, even if a soft adhesive member having a Young's modulus (for example, about 1 MPa) that deforms under pressure is used, the deformation amount of the adhesive member during mold clamping is reduced, and as a result, the adhesive member deforms as the adhesive member deforms. The amount of deformation of the sensor chip can be reduced. And the stress concentration on the thin portion can be suppressed (damage to the thin portion can be suppressed).

また、ストッパによって、薄肉部の受けるダメージを抑制することができるので、接着部材として、圧力を受けて変形する軟らかい接着部材を採用することができる。したがって、使用環境での温度変化などにより、センサチップを構成する基板と支持リードとの線膨張係数差に基づいて応力が生じても、軟らかい接着部材によって応力を低減(緩和)することができる。すなわち、線膨張係数差に基づいてセンサチップの薄肉部に作用する応力を低減でき、ひいてはピエゾ抵抗効果によるセンサ特性の変動を抑制することができる。   Moreover, since the damage which a thin part receives with a stopper can be suppressed, the soft adhesive member which receives a pressure and deform | transforms as an adhesive member is employable. Therefore, even if a stress is generated based on a difference in linear expansion coefficient between the substrate constituting the sensor chip and the support lead due to a temperature change in the usage environment, the stress can be reduced (relaxed) by the soft adhesive member. That is, it is possible to reduce the stress acting on the thin portion of the sensor chip based on the difference in coefficient of linear expansion, and to suppress fluctuations in sensor characteristics due to the piezoresistance effect.

請求項1〜4いずれかに記載の発明は、請求項5に記載のように、検出部として薄肉部上に形成されたヒータを含む流量検出部を備えた流量検出チップをセンサチップとする構成に特に効果的である。   The invention according to any one of claims 1 to 4 is configured such that a flow rate detection chip including a flow rate detection unit including a heater formed on a thin portion as a detection unit is a sensor chip. Especially effective.

流量検出チップにおける薄肉部の厚さは、ヒータの応答性を高めるために薄いほど良く、一般的に数μm程度である。したがって、モールド成形時に薄肉部がダメージを受け易く、また、ピエゾ抵抗効果によってセンサ特性が変動しやすい。これに対し、請求項1〜4いずれかに記載の発明を適用すれば、流量検出チップと外部接続リードとの電気的な接続状態を確保しつつ、薄肉部の受けるダメージやセンサ特性の変動が抑制された流量センサ装置を形成することができる。   The thickness of the thin portion in the flow rate detection chip is preferably as thin as possible in order to improve the response of the heater, and is generally about several μm. Therefore, the thin-walled portion is easily damaged during molding, and the sensor characteristics are likely to fluctuate due to the piezoresistance effect. On the other hand, if the invention according to any one of claims 1 to 4 is applied, the damage received by the thin-walled portion and fluctuations in sensor characteristics are ensured while ensuring the electrical connection state between the flow rate detection chip and the external connection lead. A suppressed flow sensor device can be formed.

次に、請求項6に記載の発明は、空洞部を有する基板上に、検出部と検出部に接続された配線部が形成され、検出部を構成する抵抗体が空洞部上の薄肉部に形成されたセンサチップと、リードフレームの一部であり、一面上に、空洞部の開口された下面を搭載面としてセンサチップが接着部材を介して固定された支持リード、及び、配線部と電気的に接続された外部接続リードと、絶縁材料からなり、検出部及び薄肉部を露出させつつ、配線部と外部接続リードとの接続部位を被覆するように一体的に配置された封止部材と、を備えることを特徴とするセンサ装置であって、支持リードの一面上であってセンサチップの搭載領域を除く領域に、接着部材よりも基板に近い硬さを有するストッパが形成されていることを特徴とする。   Next, in the invention described in claim 6, the detection part and the wiring part connected to the detection part are formed on the substrate having the cavity part, and the resistor constituting the detection part is formed in the thin part on the cavity part. The formed sensor chip, a part of the lead frame, and a support lead in which the sensor chip is fixed on one surface with an open lower surface of the cavity portion via an adhesive member, and the wiring portion and the An externally connected external connection lead, and a sealing member made of an insulating material and integrally disposed so as to cover the connection portion between the wiring portion and the external connection lead while exposing the detection portion and the thin portion A stopper having a hardness closer to the substrate than the adhesive member is formed on one surface of the support lead and excluding the sensor chip mounting region. It is characterized by.

このように本発明によれば、センサチップが支持リードに接着固定されている。これにより、センサチップの位置ずれが抑制され、センサチップと外部接続リードとの電気的な接続状態が確保される。   Thus, according to the present invention, the sensor chip is bonded and fixed to the support lead. Thereby, the position shift of the sensor chip is suppressed, and the electrical connection state between the sensor chip and the external connection lead is ensured.

また、接着部材よりも基板に近い硬さを有するストッパが、支持リードの一面上であってセンサチップの搭載領域を除く領域に形成されている。これにより、封止樹脂による成形時において、センサチップが金型から受ける圧力が抑制される。換言すれば、ストッパとセンサチップとで、金型から受ける圧力が分散される。したがって、接着部材として、圧力を受けて変形する程度のヤング率(例えば1MPa程度)を有する軟らかい接着部材を用いても、型締め時における接着部材の変形量が低減され、ひいては接着部材の変形に伴って変形するセンサチップの変形量が低減される。そして、薄肉部への応力の集中が抑制される(薄肉部の受けるダメージが抑制される)。   A stopper having a hardness closer to the substrate than the adhesive member is formed on one surface of the support lead in an area excluding the sensor chip mounting area. Thereby, the pressure which a sensor chip receives from a metal mold | die at the time of shaping | molding by sealing resin is suppressed. In other words, the pressure received from the mold is distributed between the stopper and the sensor chip. Therefore, even if a soft adhesive member having a Young's modulus (for example, about 1 MPa) that deforms under pressure is used as the adhesive member, the amount of deformation of the adhesive member at the time of clamping is reduced. The amount of deformation of the sensor chip that deforms accordingly is reduced. Then, the concentration of stress on the thin portion is suppressed (damage to the thin portion is suppressed).

また、支持リード上にストッパが形成されている。これにより、支持リード上に固定されたセンサチップの上面に対するストッパの位置精度が向上され、金型から受けるセンサチップの圧力のばらつきが低減される。   A stopper is formed on the support lead. Thereby, the positional accuracy of the stopper with respect to the upper surface of the sensor chip fixed on the support lead is improved, and the variation in the pressure of the sensor chip received from the mold is reduced.

また、ストッパによって、薄肉部の受けるダメージが抑制されるので、接着部材として、圧力を受けて変形する軟らかい接着部材を採用することができる。したがって、使用環境での温度変化などにより、センサチップを構成する基板と支持リードとの線膨張係数差に基づいて応力が生じても、軟らかい接着部材によって応力が低減(緩和)される。すなわち、線膨張係数差に基づいてセンサチップの薄肉部に作用する応力が低減され、ひいてはピエゾ抵抗効果によるセンサ特性の変動が抑制される。   Moreover, since the damage which a thin part receives by a stopper is suppressed, the soft adhesive member which receives a pressure and deform | transforms as an adhesive member is employable. Therefore, even if a stress is generated based on a difference in linear expansion coefficient between the substrate constituting the sensor chip and the support lead due to a temperature change in the usage environment, the stress is reduced (relaxed) by the soft adhesive member. That is, the stress acting on the thin portion of the sensor chip based on the difference in coefficient of linear expansion is reduced, and as a result, fluctuations in sensor characteristics due to the piezoresistance effect are suppressed.

請求項6に記載の発明においては、請求項7に記載のように、支持リードとは別部材のストッパが、支持リードの一面上に固定された構成としても良いし、請求項8に記載のように、支持リードの一部として形成された第1の凸部をストッパとしても良い。請求項7,8に記載の発明の作用効果は、請求項2,3に記載の発明の作用効果とそれぞれ同じであるので、その記載を省略する。   In the invention described in claim 6, as described in claim 7, a stopper, which is a member different from the support lead, may be fixed on one surface of the support lead. Thus, the first convex portion formed as a part of the support lead may be used as a stopper. The operational effects of the inventions according to the seventh and eighth aspects are the same as the operational effects of the inventions according to the second and third aspects, respectively, so that description thereof is omitted.

請求項6〜8いずれかに記載の発明においては、請求項9に記載のように、支持リードの一面上であってセンサチップの搭載領域の近傍に、ストッパが形成された構成とすることが好ましい。このような構成とすると、支持リード上に固定されたセンサチップの上面に対するストッパの位置精度がさらに向上される。   In the invention according to any one of claims 6 to 8, as described in claim 9, the stopper may be formed on one surface of the support lead and in the vicinity of the sensor chip mounting region. preferable. With such a configuration, the positional accuracy of the stopper with respect to the upper surface of the sensor chip fixed on the support lead is further improved.

請求項9に記載の発明においては、請求項10に記載のように、ストッパにおける支持リードとの対向面の裏面が、センサチップの上面と略面一とされた構成とすると良い。このような構成とすると、封止樹脂による成形時において用いる金型の構造が簡素化され、支持リード上に固定されたセンサチップの上面に対するストッパの位置精度がさらに向上される。また、センサチップが流量検出チップの場合には、ストッパによる乱流の発生が抑制され、流量の検出精度が向上される。   In the invention described in claim 9, as described in claim 10, it is preferable that the back surface of the stopper facing the support lead is substantially flush with the upper surface of the sensor chip. With such a configuration, the structure of the mold used at the time of molding with the sealing resin is simplified, and the positional accuracy of the stopper with respect to the upper surface of the sensor chip fixed on the support lead is further improved. Further, when the sensor chip is a flow rate detection chip, the occurrence of turbulent flow by the stopper is suppressed, and the flow rate detection accuracy is improved.

請求項6〜10いずれかに記載の発明においては、請求項11に記載のように、ストッパは、センサチップを取り囲むように環状に形成された構成とすると良い。このように、センサチップの周囲にストッパが形成された構成とすると、成形時においてセンサチップが金型から受ける圧力が、部分的な偏りなく抑制される。   In the invention according to any one of claims 6 to 10, as described in claim 11, the stopper is preferably formed in an annular shape so as to surround the sensor chip. Thus, when it is set as the structure by which the stopper was formed around the sensor chip, the pressure which a sensor chip receives from a metal mold | die at the time of shaping | molding is suppressed without partial deviation.

請求項11に記載の発明においては、請求項12に記載のように、環状のストッパがセンサチップと離れて形成され、ストッパとセンサチップの隙間のうち、封止部材によって被覆されない領域であって封止部材との境界から少なくとも一部の領域が、封止部材とは別の充填部材、又は、支持リードの一部として形成された第2の凸部によって埋められた構成としても良い。   In the invention described in claim 11, as described in claim 12, the annular stopper is formed away from the sensor chip, and is a region not covered by the sealing member in the gap between the stopper and the sensor chip. A configuration may be adopted in which at least a part of the region from the boundary with the sealing member is filled with a filling member different from the sealing member or a second protrusion formed as a part of the support lead.

このような構成とすると、成形時に、ストッパとセンサチップの隙間の封止部材によって被覆されない領域への封止部材の流れ込みが抑制される。これにより、使用環境での温度変化などにより、センサチップとストッパとの線膨張係数差に基づいて生じる応力の範囲が制限される。すなわち、ピエゾ抵抗効果によるセンサ特性の変動が抑制される。   With such a configuration, the flow of the sealing member into a region that is not covered by the sealing member in the gap between the stopper and the sensor chip during molding is suppressed. As a result, the range of stress generated based on the difference in linear expansion coefficient between the sensor chip and the stopper is limited due to a temperature change in the use environment. That is, fluctuations in sensor characteristics due to the piezoresistance effect are suppressed.

また、請求項13に記載のように、環状のストッパが、封止部材によって被覆されない領域であって封止部材との境界から少なくとも一部の領域で、センサチップと接触する構成としても良い。このように、ストッパの一部にセンサチップと接触する部位が形成された構成としても、請求項12に記載の発明と同様の効果を期待することができる。   According to a thirteenth aspect of the present invention, the annular stopper may be configured to be in contact with the sensor chip in a region that is not covered by the sealing member and is at least a part of the region from the boundary with the sealing member. As described above, even in a configuration in which a portion that contacts the sensor chip is formed in a part of the stopper, the same effect as that of the invention described in claim 12 can be expected.

請求項6〜13いずれかに記載の発明においては、請求項14に記載のように、センサチップが、接着部材を介して支持リードに直接固定された構成としても良い。このような構成としても、上述したストッパの効果によって、薄肉部のダメージやセンサ特性の変動が抑制される。   In the invention described in any one of claims 6 to 13, as described in claim 14, the sensor chip may be directly fixed to the support lead via an adhesive member. Even in such a configuration, damage to the thin portion and fluctuations in sensor characteristics are suppressed by the effect of the stopper described above.

また、請求項15に記載のように、ストッパの一部が支持リードの一面とセンサチップの下面との間に配置されてセンサチップの下面の一部と対向され、センサチップの下面の一部とストッパの対向部位が接着部材としての第1の接着部材を介して固定され、ストッパを介して、センサチップが支持リードに固定された構成としても良い。   Further, as described in claim 15, a part of the stopper is disposed between one surface of the support lead and the lower surface of the sensor chip so as to face a part of the lower surface of the sensor chip, and a part of the lower surface of the sensor chip. Further, a configuration may be adopted in which the opposing portion of the stopper is fixed via a first adhesive member as an adhesive member, and the sensor chip is fixed to the support lead via the stopper.

このような構成とすると、接着部材(第1の接着部材)として圧力を受けて変形する軟らかい接着部材を用いても、型締め時に圧力を受けてストッパとセンサチップとの間で押し広げられることによってセンサチップが引っ張られる範囲が、ストッパの対向部位上(センサチップの下面の一部)に制限される。これにより、センサチップが支持リードに直接接着固定される構成に比べて、薄肉部のダメージがさらに抑制される。   With such a configuration, even when a soft adhesive member that deforms under pressure is used as the adhesive member (first adhesive member), the adhesive member is pressed between the stopper and the sensor chip by receiving pressure during mold clamping. The range in which the sensor chip is pulled by is limited to the portion opposite the stopper (a part of the lower surface of the sensor chip). Thereby, compared with the structure where the sensor chip is directly bonded and fixed to the support lead, damage to the thin portion is further suppressed.

また、センサチップの下面のうち、一部のみが接着部材と接触されるので、下面全面が接着部材と接触される構成に比べて、線膨張係数差に基づいて生じる応力が低減される。   Further, since only a part of the lower surface of the sensor chip is brought into contact with the adhesive member, stress generated based on the difference in linear expansion coefficient is reduced as compared with a configuration in which the entire lower surface is in contact with the adhesive member.

請求項15に記載の発明においては、請求項16に記載のように、センサチップの下面におけるストッパの対向領域を除く領域の少なくとも一部と支持リードが、第1の接着部材よりも硬い第2の接着部材を介して固定された構成としても良い。   In the fifteenth aspect of the present invention, as described in the sixteenth aspect, at least a part of the region excluding the opposing region of the stopper on the lower surface of the sensor chip and the support lead are harder than the first adhesive member. It is good also as a structure fixed through the adhesive member.

このように、支持リード上に支持されるセンサチップの下面の範囲が広い構成とすると、外力(成形時の圧力含む)に対するセンサチップの耐久性が向上される。   Thus, when the range of the lower surface of the sensor chip supported on the support lead is wide, the durability of the sensor chip against external force (including pressure during molding) is improved.

請求項6〜16いずれかに記載の発明は、請求項17に記載のように、検出部として薄肉部上に形成されたヒータを含む流量検出部を備えた流量検出チップをセンサチップとする構成に特に効果的である。請求項17に記載の発明の作用効果は、請求項5に記載の発明の作用効果と同様であるので、その記載を省略する。   The invention according to any one of claims 6 to 16 has a configuration in which a flow rate detection chip including a flow rate detection unit including a heater formed on a thin portion as a detection unit is used as a sensor chip. Especially effective. Since the effect of the invention described in claim 17 is the same as that of the invention described in claim 5, the description is omitted.

以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。尚、以下の実施形態においては、センサ装置として熱式流量センサを例にとり説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、本実施形態に係る熱式流量センサの概略構成を示す上面視平面図である。図2は、図1のII−II線に沿う断面図である。図3は、図1のIII−III線に沿う断面図である。図1に示す白抜き矢印は、流体の流れ方向(通常時)を示している。本実施形態に示す熱式流量センサは、例えば車両内燃機関の吸気管内に配置される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a thermal flow sensor will be described as an example of the sensor device.
(First embodiment)
FIG. 1 is a top view plan view showing a schematic configuration of the thermal flow sensor according to the present embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. The white arrow shown in FIG. 1 indicates the fluid flow direction (normal time). The thermal flow sensor shown in the present embodiment is disposed, for example, in an intake pipe of a vehicle internal combustion engine.

図1〜図3に示す熱式流量センサ100は、要部として、一部が被測定流体である空気に露出されてその流量を検出する流量検出チップ10と、リードフレームの一部として構成され、流量検出チップ10を支持する支持リード31と、リードフレームの一部として構成され、流量検出チップ10と外部とを電気的に接続する外部接続リード32と、支持リード31上に形成されたストッパ50と、流量検出チップ10と外部接続リード32との接続部位を被覆する封止部材70とを備えている。   The thermal flow sensor 100 shown in FIGS. 1 to 3 includes a flow rate detection chip 10 that is exposed to air as a fluid to be measured and detects the flow rate as a main part, and a part of a lead frame. The support lead 31 that supports the flow rate detection chip 10, the external connection lead 32 that is configured as a part of the lead frame and electrically connects the flow rate detection chip 10 and the outside, and the stopper formed on the support lead 31 50 and a sealing member 70 that covers a connection portion between the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32.

流量検出チップ10は、単結晶シリコンからなる半導体基板11に、エッチングにより空洞部12を形成することにより、空洞部12上に形成された薄い絶縁層から構成される薄肉部(メンブレン)13と、薄肉部13に形成されたヒータ14とを有している。このように、基板として半導体基板11を用いると、薄肉部13の裏面側からエッチングすることで、簡単に薄肉部13を形成することができ、後述するように、ヒータ14を高感度の流量検出部として機能させることができる。   The flow rate detection chip 10 includes a thin portion (membrane) 13 formed of a thin insulating layer formed on the cavity portion 12 by forming the cavity portion 12 by etching in the semiconductor substrate 11 made of single crystal silicon. And a heater 14 formed in the thin portion 13. As described above, when the semiconductor substrate 11 is used as the substrate, the thin portion 13 can be easily formed by etching from the back side of the thin portion 13, and the heater 14 can detect the flow rate with high sensitivity as will be described later. It can function as a part.

ここで、流量検出チップ10について図4及び図5を用いてより詳細に説明する。図4は、流量検出チップの概略構成を示す平面図である。図5は、図4のV−V線に沿う断面図である。なお、図4においては、便宜上、ヒータ、感温体、及び繋ぎ配線上の層間絶縁膜や保護膜を省略して図示している。また、図4に示す白抜き矢印は、流体の流れ方向(通常時)を示している。   Here, the flow rate detection chip 10 will be described in more detail with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of the flow rate detection chip. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. In FIG. 4, for the sake of convenience, the heater, the temperature sensor, and the interlayer insulating film and protective film on the connecting wiring are omitted. Moreover, the white arrow shown in FIG. 4 has shown the flow direction (normal time) of the fluid.

図4及び図5に示すように、流量検出部を構成する一対のヒータ14(14a,14b)に対応して、半導体基板11に空洞部12が形成されている。この空洞部12は、半導体基板11の絶縁層15との接触面の裏面(以下、半導体基板11の下面と示す)側に、矩形状の開口部16(図4に示す矩形状の破線のうち、外側内の領域)をもって形成され、この開口面積が半導体基板11の上面側(絶縁層15との接触面側)へ行くほど縮小されて、半導体基板11の上面では、開口部16よりも小さく、半導体基板11の厚さ方向に対して垂直な方向において開口部16に含まれる矩形状の底面部17(図4に示す矩形状の破線のうち、内側内の領域)となっている。   As shown in FIGS. 4 and 5, a cavity 12 is formed in the semiconductor substrate 11 corresponding to the pair of heaters 14 (14 a, 14 b) constituting the flow rate detection unit. The cavity 12 is formed on the back surface of the contact surface of the semiconductor substrate 11 with the insulating layer 15 (hereinafter, referred to as the lower surface of the semiconductor substrate 11) on the rectangular opening 16 (of the rectangular broken line shown in FIG. 4). The area of the opening is reduced toward the upper surface side (contact surface side with the insulating layer 15) of the semiconductor substrate 11, and is smaller than the opening 16 on the upper surface of the semiconductor substrate 11. In the direction perpendicular to the thickness direction of the semiconductor substrate 11, a rectangular bottom surface portion 17 (a region inside the rectangular broken line shown in FIG. 4) included in the opening 16 is formed.

本実施形態においては、絶縁層15としてシリコン酸化膜を採用しており、絶縁層15の一部が、上述した空洞部12の底面部17を構成している。このように、流量検出チップ10において、底面部17に相当する部位は、薄肉部13(メンブレン)となっている。そして、ヒータ14a,14bが、この薄肉部13に形成されている。薄肉部13は、流量検出部を構成する他の箇所と比べてその膜厚が薄く形成されており(例えば数μm程度)、これにより熱容量が低く抑えられ、他の箇所との熱的な絶縁が確保されている。   In the present embodiment, a silicon oxide film is employed as the insulating layer 15, and a part of the insulating layer 15 constitutes the bottom surface portion 17 of the cavity portion 12 described above. Thus, in the flow rate detection chip 10, the portion corresponding to the bottom surface portion 17 is a thin portion 13 (membrane). Heaters 14 a and 14 b are formed in the thin portion 13. The thin portion 13 is formed thinner than other portions constituting the flow rate detecting portion (for example, about several μm), thereby suppressing the heat capacity to be low and thermally insulating from other portions. Is secured.

底面部17(薄肉部13)を構成する絶縁層15上には、ヒータ14a,14bが形成されている。ヒータ14aは、流体の流れ方向に対して上流側に配置された上流側ヒータであり、ヒータ14bは、流体の流れ方向に対して下流側に配置された下流側ヒータである。また、一対のヒータ14a,14bを挟むようにして、測温抵抗体からなる一対の感温体18a,18bが、薄肉部13よりも厚い薄肉部周辺領域であって流体の上流側と下流側にそれぞれ形成されている。この感温体18a,18bは、ヒータ14a,14bとともに流量検出部を構成している。そして、これらヒータ14a,14bや感温体18a,18bは、繋ぎ配線19を介して、ワイヤ91が接続されるパッド20と接続されている。この繋ぎ配線19が特許請求の範囲に記載の配線部に相当する。   On the insulating layer 15 constituting the bottom surface portion 17 (thin wall portion 13), heaters 14a and 14b are formed. The heater 14a is an upstream heater disposed on the upstream side in the fluid flow direction, and the heater 14b is a downstream heater disposed on the downstream side in the fluid flow direction. A pair of temperature sensing elements 18a and 18b made of resistance temperature detectors are sandwiched between the pair of heaters 14a and 14b, respectively, in the thin part peripheral region thicker than the thin part 13 and upstream and downstream of the fluid, respectively. Is formed. The temperature detectors 18a and 18b constitute a flow rate detection unit together with the heaters 14a and 14b. The heaters 14 a and 14 b and the temperature sensing elements 18 a and 18 b are connected to a pad 20 to which a wire 91 is connected via a connecting wire 19. The connecting wiring 19 corresponds to the wiring portion described in the claims.

そして、これらヒータ14a,14b、感温体18a,18b、及び繋ぎ配線19を覆うようにして、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜21が積層され、層間絶縁膜21上に例えばシリコン窒化膜からなる保護膜22が積層されている。   Then, an interlayer insulating film 21 made of, for example, a silicon oxide film is laminated so as to cover these heaters 14 a, 14 b, temperature sensing elements 18 a, 18 b, and connecting wires 19, and the interlayer insulating film 21 is made of, for example, a silicon nitride film A protective film 22 is laminated.

このように構成される流量検出チップ10においては、ヒータ14a,14bが、電流の供給量によって発熱する機能に加えて、それ自身の抵抗値の変化に基づいて、自身の温度を感知する機能も有している。そして、上流側と下流側の各ヒータ14a,14bで生じる熱のうち、流体によって奪われる熱に基づき、流体の流量が検出される。また、上流側のヒータ14aと下流側のヒータ14bとのそれぞれに生じる熱のうち、流体によって奪われる熱量の差に基づき、流体の流通方向が検出される。さらに、上流側のヒータ14aと上流側の感温体18aとの温度差、及び、下流側のヒータ14bと下流側の感温体18bとの温度差に基づき、ヒータ14a,14bに供給される電流量が制御される。なお、このような流量検出チップ10の詳細については、本出願人による例えば特開2004−205498号公報,特開2004−241398号公報などを参照されたい。   In the flow rate detection chip 10 configured as described above, the heaters 14a and 14b have a function of sensing their own temperature based on a change in their own resistance values in addition to the function of generating heat according to the amount of current supplied. Have. Then, the flow rate of the fluid is detected based on the heat deprived by the fluid among the heat generated in the heaters 14a and 14b on the upstream side and the downstream side. In addition, the flow direction of the fluid is detected based on the difference in the amount of heat taken away by the fluid among the heat generated in the upstream heater 14a and the downstream heater 14b. Further, based on the temperature difference between the upstream heater 14a and the upstream temperature sensor 18a and the temperature difference between the downstream heater 14b and the downstream temperature sensor 18b, the temperature is supplied to the heaters 14a and 14b. The amount of current is controlled. For details of such a flow rate detection chip 10, refer to, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2004-205498 and 2004-241398 by the present applicant.

支持リード31は、流量検出チップ10を支持するものであり、外部接続リード32とともに、金属材料からなるリードフレームの一部として構成されている。すなわち、支持リード31は、流量検出チップ10を構成する半導体基板11とは異なる材料(例えば42アロイやCuなど単結晶シリコンとは線膨張係数の異なる材料)を用いて構成されている。このように、支持リード31をリードフレームの一部として構成すると、熱式流量センサ100の構成を簡素化することができる。本実施形態において、支持リード31は、図1に破線で示すように平面矩形状であり、その大きさが流量検出チップ10よりも大きく、流量検出チップ10は、その下面(流量検出部形成面の裏面であって空洞部12の開口部16を取り囲む平面)が支持リード31と完全に対向して配置されている。そして、接着部材90を介して、支持リード31上に流量検出チップ10が固定されており、支持リード31によって流量検出チップ10の空洞部12が開口部16にて塞がれている。これにより、空洞部12が被測定流体である空気に直接晒されることがないので、乱流によるノイズを低減することができる。   The support lead 31 supports the flow rate detection chip 10 and is configured as a part of a lead frame made of a metal material together with the external connection lead 32. That is, the support lead 31 is configured using a material different from the semiconductor substrate 11 constituting the flow rate detection chip 10 (for example, a material having a linear expansion coefficient different from that of single crystal silicon such as 42 alloy or Cu). Thus, if the support lead 31 is configured as a part of the lead frame, the configuration of the thermal flow sensor 100 can be simplified. In the present embodiment, the support lead 31 has a planar rectangular shape as shown by a broken line in FIG. 1, and its size is larger than that of the flow rate detection chip 10, and the flow rate detection chip 10 has a lower surface (flow rate detection portion forming surface). , A plane surrounding the opening 16 of the cavity 12) is disposed so as to be completely opposed to the support lead 31. The flow rate detection chip 10 is fixed on the support lead 31 via the adhesive member 90, and the cavity 12 of the flow rate detection chip 10 is blocked by the opening 16 by the support lead 31. Thereby, since the cavity part 12 is not directly exposed to the air which is a fluid to be measured, noise due to turbulent flow can be reduced.

ここで接着部材90は所謂ダイボンド材であり、その構成材料や形態は、流量検出チップ10を支持リード31に接着固定できるものであれば特に限定されるものではない。有機系成分のみでも良いし、有機系成分に無機系成分や金属成分を混入させたもの(例えばAgペースト)を用いても良い。本実施形態においては、接着部材90として、硬化後の状態で圧力を受けて変形する程度のヤング率(例えば1MPa程度)を有する軟らかい接着部材を採用している。詳しくは、硬化処理前の状態で予めフィルム化(シート化)された接着部材90を採用しており、流量検出チップ10の下面と支持リード31の一面(上面)との対向領域全体に接着部材90が配置されている。すなわち、流量検出チップ10の下面において、接着部材90は、空洞部12(開口部16)の周囲にも配置されており、ワイヤ91との接続部位であるパッド20に対応する領域にも配置されている。   Here, the adhesive member 90 is a so-called die bond material, and the constituent material and form thereof are not particularly limited as long as the flow rate detection chip 10 can be bonded and fixed to the support lead 31. Only an organic component may be used, or an organic component mixed with an inorganic component or a metal component (for example, an Ag paste) may be used. In the present embodiment, as the adhesive member 90, a soft adhesive member having a Young's modulus (for example, about 1 MPa) that is deformed by receiving pressure in a cured state is employed. Specifically, an adhesive member 90 that has been formed into a film (sheet) in a state before the curing process is adopted, and the adhesive member is applied to the entire facing region between the lower surface of the flow rate detection chip 10 and one surface (upper surface) of the support lead 31. 90 is arranged. That is, on the lower surface of the flow rate detection chip 10, the adhesive member 90 is also disposed around the cavity 12 (opening 16), and is also disposed in a region corresponding to the pad 20 that is a connection portion with the wire 91. ing.

外部接続リード32は、流量検出チップ10と外部とを電気的に接続するものであり、支持リード31とともに、金属材料からなるリードフレームの一部として構成されている。そして、本実施形態においては、例えばAuからなるワイヤ91が、超音波を用いた接合方法で外部接続リード32と流量検出チップ10のパッド20にそれぞれ接続されて、外部接続リード32と流量検出チップ10が電気的に接続されている。   The external connection lead 32 electrically connects the flow rate detection chip 10 and the outside, and is configured as a part of a lead frame made of a metal material together with the support lead 31. In this embodiment, the wire 91 made of, for example, Au is connected to the external connection lead 32 and the pad 20 of the flow rate detection chip 10 by a joining method using ultrasonic waves, and the external connection lead 32 and the flow rate detection chip are connected. 10 are electrically connected.

ストッパ50は、モールド成形時において、流量検出チップ10が金型から受ける圧力を低減するための部材であり、一対の金型に構成されるキャビティに配置され、金型間で挟持された状態で、変形しない材料を用いて形成されている。このような材料としては、圧力を受けて変形する接着部材90(例えばヤング率1MPa程度)よりも、半導体基板11(例えばヤング率180MPa程度)に近い硬さを有する材料を採用することができる。本実施形態においては、リードフレーム(支持リード31)と同一の材料(例えばヤング率100MPa〜200MPa程度)を用いてストッパ50が形成されており、支持リード31の上面に接合されて支持リード31と一体化されている。   The stopper 50 is a member for reducing the pressure received by the flow rate detection chip 10 from the mold during molding, and is disposed in a cavity formed in a pair of molds and is sandwiched between the molds. It is formed using a material that does not deform. As such a material, a material having a hardness closer to that of the semiconductor substrate 11 (for example, about Young's modulus of about 180 MPa) than an adhesive member 90 (for example, about Young's modulus of about 1 MPa) that deforms under pressure can be adopted. In the present embodiment, the stopper 50 is formed using the same material as the lead frame (support lead 31) (for example, Young's modulus of about 100 MPa to 200 MPa), and joined to the upper surface of the support lead 31 to It is integrated.

また、ストッパ50の形態としては、上述の機能を果たすものであれば特に限定されるものではない。本実施形態においては、図2及び図3に示すように、支持リード31の上面における流量検出チップ10の搭載領域を除く領域に接合された状態で、ストッパ50における支持リード31の上面との対向面の裏面(上面)が、流量検出チップ10の上面と略面一となっている。また、図1〜図3に示すように、流量検出チップ10を、その近傍において取り囲むように流量検出チップ10の形状(平面矩形状)に対応した環状に形成されている。すなわち、ストッパ50は流量検出チップ10に接しておらず、ストッパ50と流量検出チップ10の間には、僅かな隙間が形成されている。   Further, the form of the stopper 50 is not particularly limited as long as it fulfills the above-described function. In the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the stopper 50 is opposed to the upper surface of the support lead 31 in a state of being joined to the region other than the mounting region of the flow rate detection chip 10 on the upper surface of the support lead 31. The back surface (upper surface) of the surface is substantially flush with the upper surface of the flow rate detection chip 10. Moreover, as shown in FIGS. 1-3, it is formed in the cyclic | annular form corresponding to the shape (plane rectangular shape) of the flow volume detection chip 10 so that the flow volume detection chip 10 may be surrounded in the vicinity. That is, the stopper 50 is not in contact with the flow rate detection chip 10, and a slight gap is formed between the stopper 50 and the flow rate detection chip 10.

封止部材70は、流量検出チップ10の流量検出部及び薄肉部13を露出させつつ流量検出チップ10と外部接続リード32との接続部位を被覆するものであり、エポキシ樹脂等の一体成形(モールド成形)可能である電気絶縁材料を用いて構成されている。本実施形態においては、封止部材70によって、ワイヤ91、ワイヤ91と流量検出チップ10(パッド20)の接続部位、及びワイヤ91と外部接続リード32との接続部位が、一体的に被覆されている。   The sealing member 70 covers the connection portion between the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32 while exposing the flow rate detection portion and the thin portion 13 of the flow rate detection chip 10, and is integrally molded (molded) with epoxy resin or the like It is configured using an electrically insulating material that can be molded). In the present embodiment, the sealing member 70 integrally covers the connection portion of the wire 91, the wire 91 and the flow rate detection chip 10 (pad 20), and the connection portion of the wire 91 and the external connection lead 32. Yes.

また、本実施形態においては、封止部材70が、上述の各接続部位を被覆するパッド側端部71だけでなく、流量検出チップ10の、パッド20の形成された端部側の端面を除く残りの3つの端面(半導体基板11の側面)を取り囲むように形成された周囲部72を、パッド側端部71と一体的に有している。この周囲部72は、流量検出チップ10から離反する方向において、ストッパ50よりも外周側であって支持リード31の端部を被覆するように形成されており、支持リード31の上面における流量検出チップ10側の端部が、ストッパ50における流量検出チップ10との対向面の裏面に接している。そして、周囲部72の上面72aが、ストッパ50の上面(流量検出チップ10の上面)と略面一となっている。すなわち、流体の流れ方向において、周囲部72の上面72a、ストッパ50の上面、及び流量検出チップ10の上面が面一となっており、これにより、流量検出部上において流体がより整流された状態となる。言うなれば、流量検出チップ10上に配置されたパッド側端部71における流量検出部側の端面71aと、周囲部72の上面72a、ストッパ50の上面(及び流量検出チップ10の上面)とにより、流量検出部に対する流路が構成されている。   In the present embodiment, the sealing member 70 excludes not only the pad-side end portion 71 that covers each of the connection portions described above, but also the end surface of the flow rate detection chip 10 on the end portion side where the pad 20 is formed. A peripheral portion 72 formed so as to surround the remaining three end surfaces (side surfaces of the semiconductor substrate 11) is integrated with the pad-side end portion 71. The peripheral portion 72 is formed on the outer peripheral side of the stopper 50 in the direction away from the flow rate detection chip 10 so as to cover the end portion of the support lead 31, and the flow rate detection chip on the upper surface of the support lead 31. The end on the 10 side is in contact with the back surface of the stopper 50 facing the flow rate detection chip 10. The upper surface 72a of the peripheral portion 72 is substantially flush with the upper surface of the stopper 50 (the upper surface of the flow rate detection chip 10). That is, in the fluid flow direction, the upper surface 72a of the peripheral portion 72, the upper surface of the stopper 50, and the upper surface of the flow rate detection chip 10 are flush with each other, whereby the fluid is more rectified on the flow rate detection unit. It becomes. In other words, by the end surface 71a on the flow rate detection unit side at the pad side end portion 71 disposed on the flow rate detection chip 10, the upper surface 72a of the peripheral portion 72, and the upper surface of the stopper 50 (and the upper surface of the flow rate detection chip 10). A flow path for the flow rate detection unit is configured.

また、本実施形態においては、図1及び図3に示すように、支持リード31上において、ストッパ50と流量検出チップ10との間に構成される隙間のうち、封止部材70によって被覆されない領域であってパッド側端部71との境界から少なくとも一部の領域に、充填部材92が配置されて隙間が閉塞されている。この充填部材92は、モールド成形時において、パッド側端部71側から流量検出部側の隙間に封止部材70が漏れ出るのを抑制する機能を果たすものであり、例えば樹脂材料を採用することができる。本実施形態においては、図1に示すように、パッド側端部71との境界を含む一部の領域に配置されている。   Further, in the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 3, a region that is not covered with the sealing member 70 in the gap formed between the stopper 50 and the flow rate detection chip 10 on the support lead 31. In addition, the filling member 92 is disposed in at least a part of the region from the boundary with the pad-side end portion 71 to close the gap. The filling member 92 functions to prevent the sealing member 70 from leaking into the gap on the flow rate detection unit side from the pad side end portion 71 side at the time of molding. For example, a resin material is used. Can do. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, they are arranged in a part of the region including the boundary with the pad side end portion 71.

次に、このように構成される熱式流量センサ100の製造方法について、図6(a)〜(c)を用いて説明する。図6は、熱式流量センサ100の製造方法を示す工程別断面図であり、(a)は接着工程終了後の状態、(b)は接続工程終了後の状態、(c)はモールド成形工程を示す図である。図6(a)〜(c)は、図2に対応している。   Next, a manufacturing method of the thermal flow sensor 100 configured as described above will be described with reference to FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views showing a method for manufacturing the thermal flow sensor 100, wherein FIG. 6A is a state after the bonding process is finished, FIG. 6B is a state after the connection process is finished, and FIG. FIG. 6A to 6C correspond to FIG.

先ず流量検出チップ10と、支持リード31と外部接続リード32を有するリードフレーム30を準備する。そして、流量検出チップ10を、空洞部12が開口する下面を接着面としてリードフレーム30の一部である支持リード31に接着固定する。この接着固定においては、支持リード31の上面に接着部材90を配置しても良いし、流量検出チップ10の下面に接着部材90を配置しても良い。本実施形態においては、図6(a)に示すように、支持リード31の上面にフィルム状(シート状)の接着部材90を配置する。そして、支持リード31上に配置した接着部材90に下面が接するように、流量検出チップ10を接着部材90上に配置し、この状態で接着部材90の硬化処理を行う。これにより、接着部材90を介して、流量検出チップ10が支持リード31に固定され、支持リード31上に流量検出チップ10が積層された積層体が形成される。すなわち、流量検出チップ10における空洞部12が、支持リード31によって塞がれた構造となる。   First, a lead frame 30 having a flow rate detection chip 10, a support lead 31, and an external connection lead 32 is prepared. Then, the flow rate detection chip 10 is bonded and fixed to the support lead 31 which is a part of the lead frame 30 with the lower surface where the cavity 12 is opened as the bonding surface. In this adhesive fixing, the adhesive member 90 may be disposed on the upper surface of the support lead 31, or the adhesive member 90 may be disposed on the lower surface of the flow rate detection chip 10. In the present embodiment, as shown in FIG. 6A, a film-like (sheet-like) adhesive member 90 is disposed on the upper surface of the support lead 31. Then, the flow rate detection chip 10 is disposed on the adhesive member 90 so that the lower surface thereof is in contact with the adhesive member 90 disposed on the support lead 31, and the adhesive member 90 is cured in this state. Thereby, the flow rate detection chip 10 is fixed to the support lead 31 via the adhesive member 90, and a laminated body in which the flow rate detection chip 10 is stacked on the support lead 31 is formed. That is, the cavity 12 in the flow rate detection chip 10 is closed by the support lead 31.

そして、接着後、環状のストッパ50を、流量検出チップ10を取り囲むように支持リード31の上面に固定(接合)する。この接合状態で、ストッパ50の上面と、流量検出チップ10の上面が略面一となる。また、図示しないが、本実施形態においては、ストッパ50の接合後、ストッパ50と流量検出チップ10との間の隙間の一部に、隙間への封止部材70の流れ込みを抑制するために、充填部材92(図1,図3参照)を配置する。   After bonding, the annular stopper 50 is fixed (bonded) to the upper surface of the support lead 31 so as to surround the flow rate detection chip 10. In this joined state, the upper surface of the stopper 50 and the upper surface of the flow rate detection chip 10 are substantially flush. Although not shown, in the present embodiment, after the stopper 50 is joined, in order to suppress the flow of the sealing member 70 into the gap in a part of the gap between the stopper 50 and the flow rate detection chip 10, A filling member 92 (see FIGS. 1 and 3) is disposed.

次に、図6(b)に示すように、流量検出チップ10のパッド20(図1,図4参照)と外部接続リード32とを、ワイヤボンディングによって電気的に接続する。本実施形態においては、Auからなるワイヤ91を、超音波を用いた接合方法を用いて、外部接続リード32と流量検出チップ10のパッド20にそれぞれ接続する。ここで、超音波を用いて接合する場合、流量検出チップ10が固定されていないと、流量検出チップ10がフリーであるため、超音波振動が逃げて良好な接合状態を形成することができない。しかしながら、本実施形態においては、流量検出チップ10を支持リード31に接着固定した状態で、ワイヤボンディングを実施するので、良好な接合状態を形成することができる。また、流量検出チップ10の下面におけるパッド形成領域に対応する領域と該領域に対向する支持リード31の上面とを接着固定した状態で、ワイヤボンディングを実施するので、さらに良好な接合状態を形成することができる。これにより、図6(b)に示すように、流量検出チップ10(パッド20)と外部接続リード32とが、ワイヤ91を介して電気的に接続された構造となる。   Next, as shown in FIG. 6B, the pad 20 (see FIGS. 1 and 4) of the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32 are electrically connected by wire bonding. In the present embodiment, the wire 91 made of Au is connected to the external connection lead 32 and the pad 20 of the flow rate detection chip 10 using a bonding method using ultrasonic waves. Here, when joining using ultrasonic waves, if the flow rate detection chip 10 is not fixed, the flow rate detection chip 10 is free, so that ultrasonic vibrations escape and a good joined state cannot be formed. However, in this embodiment, since wire bonding is performed in a state where the flow rate detection chip 10 is bonded and fixed to the support lead 31, a good bonding state can be formed. Further, since the wire bonding is performed in a state where the region corresponding to the pad formation region on the lower surface of the flow rate detection chip 10 and the upper surface of the support lead 31 facing the region are bonded and fixed, a better bonding state is formed. be able to. As a result, as shown in FIG. 6B, the flow rate detection chip 10 (pad 20) and the external connection lead 32 are electrically connected via the wire 91.

次に、ワイヤボンディング後の積層体を、金型93,94に構成されるキャビティに配置し、型締めした状態で、溶融された封止部材をキャビティ内に射出して一体モールド成形する。これにより、図6(c)に示すように、積層体が、薄肉部13を含む流量検出部が露出され、ワイヤ91、ワイヤ91と流量検出チップ10(パッド20)の接続部位、及びワイヤ91と外部接続リード32との接続部位が、封止部材70によって一体的に被覆された状態となる。   Next, the laminated body after wire bonding is placed in the cavities formed in the molds 93 and 94, and in a state where the molds are clamped, the molten sealing member is injected into the cavities and integrally molded. As a result, as shown in FIG. 6C, the flow rate detection unit including the thin portion 13 is exposed in the laminate, and the wire 91, the connection part of the wire 91 and the flow rate detection chip 10 (pad 20), and the wire 91 are exposed. And the connection part between the external connection lead 32 and the sealing member 70 are integrally covered.

詳しくは、図6(c)に示すように、流量検出チップ10の上面に接する上型93のキャビティ構成面のうち、流量検出チップ10の上面と接する部位93aとストッパ50の上面に接する部位93bとが略面一となるように、上型93が構成されている。したがって、上型93のキャビティ構成面の一部93a,93bと下型94のキャビティ構成面の一部94aとで積層体を挟持した状態(型締め状態)で、上型93のキャビティ構成面の一部である部位93aが流量検出チップ10の上面と接触し、キャビティ構成面の一部である部位93bがストッパ50の上面と接触する。また、2つの部位93a,93bの間の部位であって薄肉部13に対向する部位には凹部93cが形成されており、これにより、型締め状態でも上型93が薄肉部13に接触しないようになっている。   Specifically, as shown in FIG. 6C, a portion 93 a in contact with the upper surface of the flow rate detection chip 10 and a portion 93 b in contact with the upper surface of the stopper 50 among the cavity constituting surfaces of the upper mold 93 in contact with the upper surface of the flow rate detection chip 10. The upper mold 93 is configured so that they are substantially flush with each other. Accordingly, the cavity structure surface of the upper mold 93 is held in a state where the laminate is sandwiched between the cavity structure surface parts 93a and 93b of the upper mold 93 and the cavity structure surface part 94a of the lower mold 94 (clamping state). A part 93 a that is a part contacts the upper surface of the flow rate detection chip 10, and a part 93 b that is a part of the cavity constituting surface contacts the upper surface of the stopper 50. Further, a concave portion 93c is formed in a portion between the two portions 93a and 93b and facing the thin portion 13 so that the upper mold 93 does not contact the thin portion 13 even in a clamped state. It has become.

また、本実施形態においては、支持リード31上におけるストッパ50と流量検出チップ10との間の隙間のうち、封止部材70におけるパッド側端部71との境界となる部分を含む一部の領域に充填部材92を配置することで、隙間の一部を閉塞状態としている。したがって、隙間における充填部材92よりも流量検出部側の部分に封止部材70が流れ込むことはない。   In the present embodiment, a part of the gap between the stopper 50 on the support lead 31 and the flow rate detection chip 10 including a portion that becomes a boundary with the pad-side end 71 in the sealing member 70. By disposing the filling member 92, a part of the gap is closed. Therefore, the sealing member 70 does not flow into the portion on the flow rate detection unit side of the filling member 92 in the gap.

また、本実施形態においては、支持リード31と外部接続リード32がリードフレーム30の一部として構成されている。したがって、流量検出チップ10を含めて、お互いの位置精度を向上することができる。また、ワイヤボンディング工程及びモールド成形工程を簡素化することができる。   In this embodiment, the support lead 31 and the external connection lead 32 are configured as a part of the lead frame 30. Therefore, the mutual positional accuracy including the flow rate detection chip 10 can be improved. Further, the wire bonding process and the molding process can be simplified.

成形工程後、封止部材70のキュアを経て、リードフレーム30の不要部分を除去する。これにより、支持リード31と外部接続リード32とが、電気的に分離された状態となる。そして、図1〜図3に示す熱式流量センサ100が形成される。   After the molding process, unnecessary portions of the lead frame 30 are removed through curing of the sealing member 70. As a result, the support lead 31 and the external connection lead 32 are electrically separated. And the thermal type flow sensor 100 shown in FIGS. 1-3 is formed.

次に、このように構成される熱式流量センサ100の効果について説明する。   Next, the effect of the thermal flow sensor 100 configured as described above will be described.

支持リード31上に流量検出チップ10が配置される構成において、流量検出チップ10を支持リード31に固定するための接着部材として、軟らかい接着部材(硬化後において加圧により変形するもの、例えばヤング率が1MPa程度)を用いる場合、モールド成形時に、型締めした際の圧力で薄肉部13がダメージを受け、場合によっては破損することとなる。これは、モールド成形時に、流量検出チップ10と支持リード31との間で硬化後の接着部材が押し広げられ、接着部材の変形とともに接着部材に隣接する流量検出チップ10が引っ張られて半導体基板11に応力が生じ、この応力が剛性の低い薄肉部13に集中することによって生じるものと考えられる。   In the configuration in which the flow rate detection chip 10 is disposed on the support lead 31, a soft adhesive member (one that deforms due to pressure after curing, for example, Young's modulus) is used as an adhesive member for fixing the flow rate detection chip 10 to the support lead 31. Is about 1 MPa), the thin-walled portion 13 is damaged by the pressure when the mold is clamped, and may be damaged in some cases. This is because the adhesive member after curing is spread between the flow rate detection chip 10 and the support lead 31 at the time of molding, and the flow rate detection chip 10 adjacent to the adhesion member is pulled along with the deformation of the adhesive member, thereby causing the semiconductor substrate 11 to be pulled. This is considered to be caused by the stress generated on the thin-walled portion 13 having low rigidity.

これに対し、本実施形態では、金型93,94間で挟持されても変形しない硬さを有するストッパ50を、金型93,94によって構成されるキャビティ内に配置し、上型93が流量検出チップ10の上面に接触しつつ下型94との間でストッパ50を挟持した状態で射出成形を行う。したがって、上型93が流量検出チップ10の上面に接触した状態からさらに流量検出チップ10を下型94側に押圧するのを、ストッパ50によって抑制することができる。換言すれば、ストッパ50と流量検出チップ10とで、金型93,94から受ける圧力を分散させることができる。これにより、圧力を受けて変形する程度のヤング率(例えば1MPa程度)を有する軟らかい接着部材90を用いても、型締め時における接着部材90の変形量を低減し、ひいては接着部材90の変形に伴って変形する流量検出チップ10の変形量を低減することができる。そして、薄肉部13への応力の集中を抑制する(薄肉部13の受けるダメージを抑制する)ことができる。   On the other hand, in the present embodiment, the stopper 50 having a hardness that does not deform even when sandwiched between the molds 93 and 94 is disposed in a cavity constituted by the molds 93 and 94, and the upper mold 93 has a flow rate. Injection molding is performed in a state where the stopper 50 is held between the lower die 94 and the upper surface of the detection chip 10. Therefore, the stopper 50 can suppress further pressing the flow rate detection chip 10 toward the lower mold 94 from the state in which the upper mold 93 is in contact with the upper surface of the flow rate detection chip 10. In other words, the pressure received from the molds 93 and 94 can be dispersed by the stopper 50 and the flow rate detection chip 10. As a result, even when a soft adhesive member 90 having a Young's modulus (for example, about 1 MPa) that deforms under pressure is used, the deformation amount of the adhesive member 90 during mold clamping is reduced, and as a result, the adhesive member 90 is deformed. The amount of deformation of the flow rate detection chip 10 that deforms accordingly can be reduced. Then, stress concentration on the thin portion 13 can be suppressed (damage to the thin portion 13 is suppressed).

また、支持リード31上に流量検出チップ10が配置される構成の場合、流量検出チップ10を構成する半導体基板11と支持リード31とは線膨張係数が異なるため、使用環境などでの温度変化により、線膨張係数差に基づく応力が生じることとなる。このような応力が、剛性の低い薄肉部13に作用すると、ピエゾ抵抗効果により抵抗値変化が生じ、狙い値に対してセンサ特性が変動することとなる。また、応力がクリープによって徐々に緩和されると、抵抗値が変化してセンサ特性が変動することとなる。特に空洞部12の周囲領域は薄肉部13との距離が短いので、空洞部12の周囲領域で生じる膨張係数差に基づく応力は、薄肉部13、ひいてはセンサ特性の変動に大きな影響を与えることとなる。   In the case where the flow rate detection chip 10 is arranged on the support lead 31, the semiconductor substrate 11 and the support lead 31 constituting the flow rate detection chip 10 have different linear expansion coefficients. A stress based on the difference in linear expansion coefficient is generated. When such stress acts on the thin-walled portion 13 with low rigidity, the resistance value changes due to the piezoresistance effect, and the sensor characteristics vary with respect to the target value. Further, when the stress is gradually relieved by creep, the resistance value changes and the sensor characteristics fluctuate. In particular, since the surrounding area of the cavity portion 12 has a short distance from the thin portion 13, the stress based on the difference in the expansion coefficient generated in the surrounding region of the cavity portion 12 has a great influence on the fluctuation of the thin portion 13 and thus the sensor characteristics. Become.

これに対し、本実施形態では、ストッパ50によって、薄肉部13の受けるダメージを抑制することができるので、接着部材90として、圧力を受けて変形する軟らかい接着部材を採用することができる。したがって、使用環境での温度変化などにより、流量検出チップ10を構成する半導体基板11と支持リード31との線膨張係数差に基づいて応力が生じても、軟らかい接着部材90によって応力を低減(緩和)することができる。すなわち、線膨張係数差に基づいて流量検出チップ10の薄肉部13に作用する応力を低減でき、ひいてはピエゾ抵抗効果によるセンサ特性の変動を抑制することができる。   On the other hand, in this embodiment, since the damage received by the thin portion 13 can be suppressed by the stopper 50, a soft adhesive member that deforms under pressure can be employed as the adhesive member 90. Therefore, even if stress is generated based on a difference in linear expansion coefficient between the semiconductor substrate 11 constituting the flow rate detection chip 10 and the support lead 31 due to a temperature change in the use environment, the stress is reduced (relaxed) by the soft adhesive member 90. )can do. That is, it is possible to reduce the stress acting on the thin portion 13 of the flow rate detection chip 10 based on the difference in linear expansion coefficient, and to suppress fluctuations in sensor characteristics due to the piezoresistance effect.

このように、本実施形態に係る製造方法によれば、流量検出チップ10と外部接続リード32との電気的な接続状態を確保しつつ、薄肉部13のダメージやセンサ特性の変動を抑制することができる。また、この製造方法を用いて形成された熱式流量センサ100は、流量検出チップ10と外部接続リード32との電気的な接続状態が確保され、薄肉部13の受けるダメージやセンサ特性の変動が抑制されたセンサ装置となっている。   Thus, according to the manufacturing method according to the present embodiment, the electrical connection state between the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32 is ensured, and damage to the thin portion 13 and fluctuations in sensor characteristics are suppressed. Can do. Further, the thermal flow sensor 100 formed by using this manufacturing method ensures an electrical connection state between the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32, and damage to the thin portion 13 and fluctuations in sensor characteristics are prevented. The sensor device is suppressed.

なお、本実施形態においては、同一の支持リード31に対して流量検出チップ10とストッパ50を固定する。したがって、流量検出チップ10の上面に対するストッパ50の上面の位置精度を向上することができる。すなわち、金型93,94から受ける流量検出チップ10の圧力のばらつきを低減することができる。また、成形工程の前に流量検出チップ10に対してストッパ50を位置決め固定しておくので、成形時にストッパ50をキャビティ内の所定位置に位置決め固定する構造が不要であり、型構造を簡素化することができる。   In the present embodiment, the flow rate detection chip 10 and the stopper 50 are fixed to the same support lead 31. Therefore, the positional accuracy of the upper surface of the stopper 50 with respect to the upper surface of the flow rate detection chip 10 can be improved. That is, the pressure variation of the flow rate detection chip 10 received from the molds 93 and 94 can be reduced. Further, since the stopper 50 is positioned and fixed with respect to the flow rate detection chip 10 before the molding process, a structure for positioning and fixing the stopper 50 at a predetermined position in the cavity is not required at the time of molding, and the mold structure is simplified. be able to.

また、本実施形態においては、支持リード31の上面における流量検出チップ10の搭載領域の近傍にストッパ50を形成する。したがって、支持リード31上に固定された流量検出チップ10の上面に対するストッパ50の上面の位置精度をより向上することができる。   In the present embodiment, the stopper 50 is formed in the vicinity of the mounting area of the flow rate detection chip 10 on the upper surface of the support lead 31. Therefore, the positional accuracy of the upper surface of the stopper 50 with respect to the upper surface of the flow rate detection chip 10 fixed on the support lead 31 can be further improved.

また、本実施形態においては、ストッパ50の上面を、流量検出チップ10の上面と略面一とする。したがって、流量検出チップ10の上面と接する側の金型93の構造を簡素化することができる。これにより、流量検出チップ10の上面に対するストッパ50の上面の位置精度をさらに向上することができる。また、形成された熱式流量センサ100において、ストッパ50による乱流の発生が抑制され、流量の検出精度が向上される。   In the present embodiment, the upper surface of the stopper 50 is substantially flush with the upper surface of the flow rate detection chip 10. Therefore, the structure of the mold 93 on the side in contact with the upper surface of the flow rate detection chip 10 can be simplified. Thereby, the positional accuracy of the upper surface of the stopper 50 with respect to the upper surface of the flow rate detection chip 10 can be further improved. Further, in the formed thermal flow sensor 100, the occurrence of turbulent flow by the stopper 50 is suppressed, and the flow rate detection accuracy is improved.

また、本実施形態においては、ストッパ50の形状を、流量検出チップ10の周囲を取り囲む環状とする。したがって、成形時において流量検出チップ10が金型93,94から受ける圧力を、部分的な偏りなく低減することができる。また、ストッパ50が1つの部材のみであるので、支持リード31上に位置決め固定しやすい。   In the present embodiment, the shape of the stopper 50 is an annular shape surrounding the flow rate detection chip 10. Therefore, the pressure received by the flow rate detection chip 10 from the molds 93 and 94 during molding can be reduced without partial deviation. Further, since the stopper 50 is only one member, it is easy to position and fix on the support lead 31.

また、本実施形態においては、環状のストッパ50と流量検出チップ10との隙間のうち、少なくともパッド側端部71との境界からの一部領域に充填部材92を配置する。したがって、充填部材92によって、隙間における封止部材70によって被覆されない領域に封止部材70が流れ込むのを抑制することができる。そして、隙間に配置される封止部材70の範囲を制限することで、使用環境での温度変化などにより、流量検出チップ10を構成する半導体基板11とストッパ50との線膨張係数差に基づいて生じる応力の範囲を制限することができる。すなわち、ピエゾ抵抗効果によるセンサ特性の変動を抑制することができる。   In the present embodiment, the filling member 92 is disposed in at least a part of the gap between the annular stopper 50 and the flow rate detection chip 10 from the boundary with the pad-side end portion 71. Therefore, the filling member 92 can suppress the sealing member 70 from flowing into a region not covered with the sealing member 70 in the gap. Then, by limiting the range of the sealing member 70 disposed in the gap, based on the linear expansion coefficient difference between the semiconductor substrate 11 constituting the flow rate detection chip 10 and the stopper 50 due to a temperature change or the like in the use environment. The range of generated stress can be limited. That is, fluctuations in sensor characteristics due to the piezoresistance effect can be suppressed.

なお、隙間における封止部材70によって被覆されない領域に封止部材70が流れ込むのを抑制する構造としては、充填部材92の配置に限定されるものではない。それ以外にも、例えば図7に示すように、支持リード31の上面から突出する凸部31aによって、環状のストッパ50と流量検出チップ10との隙間のうち、少なくともパッド側端部71との境界からの一部領域を埋める(閉塞する)構造としても良い。このような凸部31aは、エッチングなどによって形成することができる。また、図8に示すように、ストッパ50の一部に凸部50aを形成し、この凸部50aによって、環状のストッパ50と流量検出チップ10との隙間のうち、少なくともパッド側端部71との境界からの一部領域を埋める(閉塞する)構造としても良い。図7,図8は、ともに変形例を示す断面図であり、図3に対応している。   Note that the structure for preventing the sealing member 70 from flowing into a region not covered by the sealing member 70 in the gap is not limited to the arrangement of the filling member 92. In addition to this, for example, as shown in FIG. 7, at least a boundary between the annular stopper 50 and the flow rate detection chip 10 and at least the pad-side end portion 71 by the convex portion 31 a protruding from the upper surface of the support lead 31. It is also possible to have a structure in which a part of the region is filled (closed). Such convex portions 31a can be formed by etching or the like. Further, as shown in FIG. 8, a convex portion 50 a is formed on a part of the stopper 50, and at least the pad-side end portion 71 in the gap between the annular stopper 50 and the flow rate detection chip 10 is formed by the convex portion 50 a. A structure may be adopted in which a partial region from the boundary is filled (closed). 7 and 8 are cross-sectional views showing modifications, and correspond to FIG.

また、本実施形態においては、成形前の状態で、ストッパ50の上面を流量検出チップ10の上面と略面一とする例を示した。しかしながら、成形前の状態で、図9(a)に示すように、支持リード31の上面を基準としてストッパ50の上面が流量検出チップ10の上面よりも若干低くなるように、ストッパ50を支持リード31の上面に固定しても良い。この場合、成形時において、図9(b)に示すように、互いに略面一とされた上型93のキャビティ構成面の一部93a,93bのうち、流量検出チップ10に対応する部位93aが先に流量検出チップ10の上面に接触する。そして、接着部材90を変形させながら流量検出チップ10をある程度支持リード31側に押し込んだ状態で、ストッパ50に対応する部位93bがストッパ50の上面に接触し、ストッパ50が金型93,94の間で挟持状態となる。したがって、流量検出チップ10の上面とストッパ50の上面との位置ばらつきを低減することができる。これにより、熱式流量センサ100において、ストッパ50による乱流の発生を抑制することができる。図9は、製造方法の変形例を示す断面図であり、(a)は成形工程の前、(b)は成形工程を示している。なお、成形前の状態における流量検出チップ10の上面とストッパ50の上面との差は、成形時に薄肉部13が少なくとも破損しない程度とすることが好ましい。   Further, in the present embodiment, an example in which the upper surface of the stopper 50 is substantially flush with the upper surface of the flow rate detection chip 10 before being molded is shown. However, in the state before molding, as shown in FIG. 9A, the stopper 50 is supported by the support lead 31 so that the upper surface of the stopper 50 is slightly lower than the upper surface of the flow rate detection chip 10 with respect to the upper surface of the support lead 31. You may fix to the upper surface of 31. In this case, at the time of molding, as shown in FIG. 9 (b), a portion 93a corresponding to the flow rate detection chip 10 is part of the part 93a, 93b of the cavity constituting surface of the upper mold 93 that is substantially flush with each other. First, the top surface of the flow rate detection chip 10 is contacted. Then, in a state where the flow rate detection chip 10 is pushed to the support lead 31 side to some extent while deforming the adhesive member 90, the portion 93 b corresponding to the stopper 50 comes into contact with the upper surface of the stopper 50, and the stopper 50 is attached to the molds 93 and 94. It becomes a pinched state between them. Therefore, positional variations between the upper surface of the flow rate detection chip 10 and the upper surface of the stopper 50 can be reduced. Thereby, in the thermal flow sensor 100, generation | occurrence | production of the turbulent flow by the stopper 50 can be suppressed. FIG. 9 is a cross-sectional view showing a modified example of the manufacturing method, in which (a) shows the molding process and (b) shows the molding process. In addition, it is preferable that the difference between the upper surface of the flow rate detection chip 10 and the upper surface of the stopper 50 in a state before molding is set to such an extent that the thin portion 13 is not damaged at least during molding.

また、本実施形態においては、流量検出チップ10を支持リード31に固定した後に、ストッパ50を支持リード31の上面に固定する例を示した。しかしながら、支持リード31に対するストッパ50の固定は、成形工程の前までに実施すれば良い。例えば流量検出チップ10を支持リード31に固定する前に実施しても良い。   In the present embodiment, the example in which the stopper 50 is fixed to the upper surface of the support lead 31 after the flow rate detection chip 10 is fixed to the support lead 31 is shown. However, the stopper 50 may be fixed to the support lead 31 before the molding process. For example, it may be performed before the flow rate detection chip 10 is fixed to the support lead 31.

また、本実施形態においては、支持リード31にストッパ50を固定した後であって接続工程の前に、充填部材92を配置する例を示した。しかしながら、充填部材92の配置も、成形工程の前までに実施すれば良い。   Moreover, in this embodiment, the example which arrange | positions the filling member 92 after fixing the stopper 50 to the support lead 31 and before a connection process was shown. However, the filling member 92 may be disposed before the molding process.

(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態を、図10に基づいて説明する。図10は、第2実施形態に係る熱式流量センサの概略構成を示す平面図であり、第1実施形態に示した図1に対応している。
(Second Embodiment)
Next, 2nd Embodiment of this invention is described based on FIG. FIG. 10 is a plan view showing a schematic configuration of the thermal flow sensor according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 1 shown in the first embodiment.

第2実施形態に係る熱式流量センサ及びその製造方法は、第1実施形態に示した熱式流量センサ100及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、第1実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。   Since the thermal flow sensor and the manufacturing method thereof according to the second embodiment are in common with the thermal flow sensor 100 and the manufacturing method thereof shown in the first embodiment, a detailed description of the common parts will be omitted below. , Explain the different parts with emphasis. In addition, the same code | symbol shall be provided to the element same as the element shown in 1st Embodiment.

第1実施形態においては、流量検出チップ10の周囲を取り囲むように、ストッパ50を環状とする例を示した。これに対し、本実施形態においては、支持リード31の上面において、複数のストッパ50が固定されている点を特徴とする。   In 1st Embodiment, the example which makes the stopper 50 cyclic | annular so that the circumference | surroundings of the flow volume detection chip | tip 10 may be enclosed was shown. On the other hand, the present embodiment is characterized in that a plurality of stoppers 50 are fixed on the upper surface of the support lead 31.

例えば図10に示す例においては、平面矩形状の流量検出チップ10(半導体基板11)に対し、パッド20が形成された端部を除く3つの端部のそれぞれに対応して、ストッパ50が固定されている。すなわち、3つのストッパ50が、互いに独立して(離間して)支持リード31の上面に固定されている。そして、各ストッパ50と流量検出チップ10との間の隙間には封止部材70が配置され、流体の流れ方向において、熱式流量センサ100の端部から流量検出部までの間において、周囲部72の上面72a、ストッパ50の上面、周囲部72の上面72a、流量検出チップ10の上面が略面一となっている。すなわち、本実施形態においては、ストッパ50が複数である点を除けば、第1実施形態に示したストッパ50と同じである。また、それ以外の構成についても、隙間が封止部材70によって埋められている点を除けば、第1実施形態に示した構成と同じである。   For example, in the example shown in FIG. 10, the stopper 50 is fixed to each of the three end portions excluding the end portion where the pad 20 is formed with respect to the planar rectangular flow rate detection chip 10 (semiconductor substrate 11). Has been. That is, the three stoppers 50 are fixed to the upper surface of the support lead 31 independently (separated) from each other. And the sealing member 70 is arrange | positioned in the clearance gap between each stopper 50 and the flow volume detection chip | tip 10, and it is a surrounding part in the flow direction of a fluid between the edge part of the thermal type flow sensor 100 and a flow volume detection part. The upper surface 72a of 72, the upper surface of the stopper 50, the upper surface 72a of the peripheral portion 72, and the upper surface of the flow rate detection chip 10 are substantially flush. In other words, the present embodiment is the same as the stopper 50 shown in the first embodiment except that there are a plurality of stoppers 50. In addition, the configuration other than that is the same as the configuration shown in the first embodiment except that the gap is filled with the sealing member 70.

なお、このような構成の熱式流量センサ100は、第1実施形態に示した製造方法を用いて形成することができる。   The thermal flow sensor 100 having such a configuration can be formed using the manufacturing method shown in the first embodiment.

このように本実施形態に係る熱式流量センサ100の製造方法によっても、流量検出チップ10と外部接続リード32との電気的な接続状態を確保しつつ、薄肉部13のダメージやセンサ特性の変動を抑制することができる。また、この製造方法を用いて形成された熱式流量センサ100は、流量検出チップ10と外部接続リード32との電気的な接続状態が確保され、薄肉部13の受けるダメージやセンサ特性の変動が抑制されたセンサ装置となっている。   As described above, the manufacturing method of the thermal flow sensor 100 according to the present embodiment also ensures damage to the thin portion 13 and fluctuations in sensor characteristics while ensuring the electrical connection state between the flow detection chip 10 and the external connection lead 32. Can be suppressed. Further, the thermal flow sensor 100 formed by using this manufacturing method ensures an electrical connection state between the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32, and damage to the thin portion 13 and fluctuations in sensor characteristics are prevented. The sensor device is suppressed.

また、本実施形態においては、複数のストッパ50を分散して配置している。したがって、成形時において流量検出チップ10が金型93,94から受ける圧力を、部分的な偏りなく低減することができる。   In the present embodiment, the plurality of stoppers 50 are arranged in a distributed manner. Therefore, the pressure received by the flow rate detection chip 10 from the molds 93 and 94 during molding can be reduced without partial deviation.

なお、本実施形態においては、各ストッパ50と流量検出チップ10との間の隙間には封止部材70が配置される例を示した。しかしながら、第1実施形態に示した充填部材92の配置などによって、隙間に封止部材70が配置されない構成とすることもできる。このような構成とすると、使用環境での温度変化などにより、流量検出チップ10を構成する半導体基板11とストッパ50との線膨張係数差に基づいて生じる応力の範囲を制限することができる。すなわち、ピエゾ抵抗効果によるセンサ特性の変動を抑制することができる。   In the present embodiment, the example in which the sealing member 70 is disposed in the gap between each stopper 50 and the flow rate detection chip 10 is shown. However, a configuration in which the sealing member 70 is not disposed in the gap due to the disposition of the filling member 92 illustrated in the first embodiment may be employed. With such a configuration, the range of stress generated based on the difference in linear expansion coefficient between the semiconductor substrate 11 constituting the flow rate detection chip 10 and the stopper 50 can be limited due to a temperature change in the usage environment. That is, fluctuations in sensor characteristics due to the piezoresistance effect can be suppressed.

また、本実施形態においては、3つのストッパ50が支持リード31の上面に固定される例を示した。しかしながら、ストッパ50の個数は3つに限定されるものではない。また、複数のストッパ50の配置も、上述の例に限定されるものではない。   Further, in the present embodiment, an example in which the three stoppers 50 are fixed to the upper surface of the support lead 31 is shown. However, the number of stoppers 50 is not limited to three. Further, the arrangement of the plurality of stoppers 50 is not limited to the above example.

また、本実施形態においては、第1実施形態に示した構成において、複数のストッパ50を適用する例を示した。しかしながら、第1実施形態に示した変形例に対しても、複数のストッパ50を適用することができる。   Moreover, in this embodiment, the example which applies the some stopper 50 in the structure shown in 1st Embodiment was shown. However, a plurality of stoppers 50 can also be applied to the modification shown in the first embodiment.

(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態を、図11に基づいて説明する。図11は、第3実施形態に係る熱式流量センサの概略構成を示す断面図であり、第1実施形態に示した図2に対応している。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a thermal flow sensor according to the third embodiment, and corresponds to FIG. 2 shown in the first embodiment.

第3実施形態に係る熱式流量センサ及びその製造方法は、上述の実施形態に示した熱式流量センサ100及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上述の実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。   Since the thermal flow sensor and the manufacturing method thereof according to the third embodiment are in common with the thermal flow sensor 100 and the manufacturing method thereof shown in the above-described embodiment, a detailed description of the common parts will be omitted below. , Explain the different parts with emphasis. In addition, the same code | symbol shall be provided to the element same as the element shown in the above-mentioned embodiment.

第1実施形態においては、別部材としてのストッパ50が、支持リード31に固定される例を示した。これに対し、本実施形態においては、支持リード31の一部として、上面から突出する凸状のストッパ31bが、上述した実施形態のストッパ50としての機能を果たす点を特徴とする。なお、ストッパ31bは、特許請求の範囲に記載の第1の凸部に相当するものであり、支持リード31の一部として形成されている点を除けば、第1実施形態に示したストッパ50と同じである。また、それ以外の構成についても、第1実施形態に示した構成と同じである。   In the first embodiment, an example in which the stopper 50 as a separate member is fixed to the support lead 31 has been described. On the other hand, this embodiment is characterized in that a convex stopper 31b protruding from the upper surface as a part of the support lead 31 functions as the stopper 50 of the above-described embodiment. The stopper 31b corresponds to the first convex portion described in the claims, and the stopper 50 shown in the first embodiment except that it is formed as a part of the support lead 31. Is the same. Other configurations are the same as the configurations shown in the first embodiment.

なお、このような構成の熱式流量センサ100を製造する場合、リードフレーム30を準備する工程において、支持リード31の一部としてストッパ31bを形成すれば良い。その他の工程は、第1実施形態に示した製造方法と同じである。   When manufacturing the thermal flow sensor 100 having such a configuration, the stopper 31 b may be formed as a part of the support lead 31 in the step of preparing the lead frame 30. Other steps are the same as those in the manufacturing method shown in the first embodiment.

このように本実施形態に係る熱式流量センサ100の製造方法及び熱式流量センサ100によれば、第1実施形態に示した熱式流量センサ100の製造方法及び熱式流量センサ100と同様の効果を期待することができる。   Thus, according to the manufacturing method of the thermal flow sensor 100 and the thermal flow sensor 100 according to this embodiment, the manufacturing method of the thermal flow sensor 100 and the thermal flow sensor 100 shown in the first embodiment are the same. The effect can be expected.

また、本実施形態においては、支持リード31の一部としてストッパ31bを形成する。したがって、支持リード31に固定された流量検出チップ10の上面に対するストッパ31bの上面の位置精度を、別部材としてのストッパ50よりも向上することができる。すなわち、金型93,94から受ける流量検出チップ10の圧力のばらつきをさらに低減することができる。また、ストッパ31bが支持リード31の一部であるので、固定工程を不要とすることができる。また、ストッパ31bが支持リード31の一部であるので、成形時にストッパ31bを位置決め固定しなくても良く、型構造を簡素化することができる。   In the present embodiment, the stopper 31 b is formed as a part of the support lead 31. Therefore, the positional accuracy of the upper surface of the stopper 31b with respect to the upper surface of the flow rate detection chip 10 fixed to the support lead 31 can be improved as compared with the stopper 50 as a separate member. That is, the pressure variation of the flow rate detection chip 10 received from the molds 93 and 94 can be further reduced. Further, since the stopper 31b is a part of the support lead 31, a fixing process can be omitted. Further, since the stopper 31b is a part of the support lead 31, it is not necessary to position and fix the stopper 31b at the time of molding, and the mold structure can be simplified.

なお、本実施形態においては、第1実施形態に示した構成に対し、支持リード31の一部としてのストッパ31bを適用する例を示した。しかしながら、第1実施形態に示した変形例や第2実施形態に示した構成に対し、ストッパ31bを適用することもできる。   In the present embodiment, an example in which the stopper 31b as a part of the support lead 31 is applied to the configuration shown in the first embodiment has been described. However, the stopper 31b can be applied to the modification shown in the first embodiment and the configuration shown in the second embodiment.

(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態を、図12に基づいて説明する。図12は、第4実施形態に係る熱式流量センサの製造工程のうち、成形工程を示す断面図であり、第1実施形態に示した図6(c)に対応している。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a molding process among the manufacturing processes of the thermal flow sensor according to the fourth embodiment, and corresponds to FIG. 6C illustrated in the first embodiment.

第4実施形態に係る熱式流量センサの製造方法は、上述の実施形態に示した熱式流量センサ100の製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上述の実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。   Since the manufacturing method of the thermal type flow sensor according to the fourth embodiment is often in common with the manufacturing method of the thermal type flow sensor 100 shown in the above-described embodiment, the detailed description of the common parts is omitted below and is different. The part will be explained with emphasis. In addition, the same code | symbol shall be provided to the element same as the element shown in the above-mentioned embodiment.

上述した実施形態においては、支持リード31上に別部材としてのストッパ50や支持リード31の一部としてのストッパ31bが形成される例を示した。これに対し、本実施形態においては、図12に示すように、成形工程で用いる一対の金型93,94のうち、上型93に、キャビティを構成する一部93bから下型94に向けて突出する凸状のストッパ93dが形成されている。そして、このストッパ93dが、流量検出チップ10の上面に上型93におけるキャビティを構成する一部93aが接触した時点で、下型94のキャビティを構成する一部94aと、支持リード31を介して接触するようになっている点を特徴とする。なお、ストッパ93dは、金型93の一部として形成されている点を除けば、第2実施形態に示したストッパ50と同じである。また、それ以外の構成についても、第2実施形態に示した構成と同じである。   In the embodiment described above, an example in which the stopper 50 as a separate member and the stopper 31b as a part of the support lead 31 are formed on the support lead 31 has been described. On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 12, among the pair of molds 93 and 94 used in the molding process, the upper mold 93 is directed from a part 93b constituting the cavity toward the lower mold 94. A protruding stopper 93d that protrudes is formed. When the stopper 93 d comes into contact with the upper surface of the flow rate detection chip 10 and a part 93 a constituting the cavity of the upper mold 93, the part 94 a constituting the cavity of the lower mold 94 and the support lead 31 are used. It is characterized by the point of contact. The stopper 93d is the same as the stopper 50 shown in the second embodiment except that the stopper 93d is formed as a part of the mold 93. Other configurations are also the same as those shown in the second embodiment.

このように本実施形態に係る熱式流量センサ100の製造方法によれば、流量検出チップ10と外部接続リード32との電気的な接続状態を確保しつつ、薄肉部13のダメージやセンサ特性の変動を抑制することができる。また、この製造方法を用いて形成された熱式流量センサ100は、流量検出チップ10と外部接続リード32との電気的な接続状態が確保され、薄肉部13の受けるダメージやセンサ特性の変動が抑制されたセンサ装置となっている。   As described above, according to the method for manufacturing the thermal flow sensor 100 according to the present embodiment, damage to the thin-walled portion 13 and sensor characteristics are ensured while ensuring an electrical connection state between the flow detection chip 10 and the external connection lead 32. Variations can be suppressed. Further, the thermal flow sensor 100 formed by using this manufacturing method ensures an electrical connection state between the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32, and damage to the thin portion 13 and fluctuations in sensor characteristics are prevented. The sensor device is suppressed.

また、本実施形態によれば、第2実施形態に示したストッパ50のように、複数のストッパ93dが互いに離間して形成されている。したがって、成形時において流量検出チップ10が金型93,94から受ける圧力を、部分的な偏りなく低減することができる。なお、本実施形態に示す製造方法によれば、金型93の一部としてストッパ93dを設けているので、ワイヤ91を跨ぐように、ストッパ93dを環状とすることはできない。   Further, according to this embodiment, like the stopper 50 shown in the second embodiment, the plurality of stoppers 93d are formed apart from each other. Therefore, the pressure received by the flow rate detection chip 10 from the molds 93 and 94 during molding can be reduced without partial deviation. According to the manufacturing method shown in the present embodiment, since the stopper 93d is provided as a part of the mold 93, the stopper 93d cannot be annular so as to straddle the wire 91.

また、本実施形態においては、金型93のみにストッパ93dが形成される例を示した。しかしながら、一対の金型93,94の少なくとも一方にストッパが形成されれば良い。例えば、金型93,94の対向部位にそれぞれ凸状のストッパが形成され、流量検出チップ10の上面に上型93におけるキャビティを構成する一部93aが接触した時点で、ストッパ同士の先端が接触する構成としても良い。また、下型94のみに凸状のストッパが形成され、流量検出チップ10の上面に上型93におけるキャビティを構成する一部93aが接触した時点で、ストッパが上型93の対向部位と接触する構成としても良い。   Moreover, in this embodiment, the example in which the stopper 93d is formed only in the metal mold 93 was shown. However, a stopper may be formed on at least one of the pair of molds 93 and 94. For example, convex stoppers are formed on the opposing portions of the molds 93 and 94, respectively, and when the portion 93a constituting the cavity in the upper mold 93 comes into contact with the upper surface of the flow rate detection chip 10, the tips of the stoppers come into contact with each other. It is good also as composition to do. In addition, a convex stopper is formed only on the lower die 94, and when the part 93 a constituting the cavity in the upper die 93 comes into contact with the upper surface of the flow rate detection chip 10, the stopper comes into contact with the facing portion of the upper die 93. It is good also as a structure.

なお、本実施形態においては、第2実施形態に示した構成に対し、金型93の一部としてのストッパ93dを適用する例を示した。しかしながら、第2実施形態に示したストッパ50を第1実施形態の変形例の変形例に適用した構成に対しても、本実施形態に示すストッパ93dを適用することができる。   In the present embodiment, an example in which the stopper 93d as a part of the mold 93 is applied to the configuration shown in the second embodiment. However, the stopper 93d shown in the present embodiment can also be applied to a configuration in which the stopper 50 shown in the second embodiment is applied to a modification of the modification of the first embodiment.

(第5実施形態)
次に、本発明の第5実施形態を、図13及び図14に基づいて説明する。図13は、第5実施形態に係る熱式流量センサの概略構成を示す断面図である。図14は、熱式流量センサの製造工程のうち、成形工程を示す断面図である。なお、図13は、第1実施形態に示した図2に対応し、図14は、第1実施形態に示した図6(c)に対応している。
(Fifth embodiment)
Next, 5th Embodiment of this invention is described based on FIG.13 and FIG.14. FIG. 13: is sectional drawing which shows schematic structure of the thermal type flow sensor which concerns on 5th Embodiment. FIG. 14 is a cross-sectional view showing a molding process in the manufacturing process of the thermal flow sensor. 13 corresponds to FIG. 2 shown in the first embodiment, and FIG. 14 corresponds to FIG. 6C shown in the first embodiment.

第5実施形態に係る熱式流量センサ及びその製造方法は、上述の実施形態に示した熱式流量センサ100及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上述の実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。   Since the thermal flow sensor and the manufacturing method thereof according to the fifth embodiment are in common with the thermal flow sensor 100 and the manufacturing method thereof shown in the above-described embodiment, a detailed description of the common parts will be omitted below. , Explain the different parts with emphasis. In addition, the same code | symbol shall be provided to the element same as the element shown in the above-mentioned embodiment.

上述した実施形態においては、流量検出チップ10が、接着部材90を介して支持リード31に直接固定される例を示した。これに対し、本実施形態においては、例えば図13に示すように、支持リード31とは別部材としてのストッパ50の一部が、支持リード31の上面と流量検出チップ10の下面との対向領域間の一部に配置(すなわち、流量検出チップ10の下面の一部と対向)されている。そして、流量検出チップ10の下面の一部とストッパ50の対向部位50bが接着部材90を介して固定され、ストッパ50の対向部位50bを介して、流量検出チップ10が支持リード31に固定されている点を特徴とする。なお、接着部材90が特許請求の範囲に記載の第1の接着部材に相当する。本実施形態においては、ストッパ50が流量検出チップ10の下面との対向部位50bを有する点を除けば、第1実施形態に示したストッパ50と同じである。また、それ以外の構成についても、第1実施形態に示した構成と同じである。   In the embodiment described above, an example in which the flow rate detection chip 10 is directly fixed to the support lead 31 via the adhesive member 90 has been described. On the other hand, in the present embodiment, for example, as shown in FIG. 13, a part of the stopper 50 as a member different from the support lead 31 is an opposing region between the upper surface of the support lead 31 and the lower surface of the flow rate detection chip 10. It is arranged in a part of the gap (that is, facing a part of the lower surface of the flow rate detection chip 10). A part of the lower surface of the flow rate detection chip 10 and the facing portion 50b of the stopper 50 are fixed via an adhesive member 90, and the flow rate detection chip 10 is fixed to the support lead 31 via the facing portion 50b of the stopper 50. It is characterized by that. The adhesive member 90 corresponds to the first adhesive member described in the claims. In the present embodiment, the stopper 50 is the same as the stopper 50 shown in the first embodiment except that the stopper 50 has a portion 50b facing the lower surface of the flow rate detection chip 10. Other configurations are the same as the configurations shown in the first embodiment.

なお、本実施形態においては、ストッパ50の対向部位50bが流量検出チップ10の下面における周縁部と対向しており、対向部位50bが環状となっている。そして、流量検出チップ10、接着部材90、ストッパ50の対向部位50b、及び支持リード31の上面にて内部空間95が構成され、空洞部12も内部空間95の一部として外気と遮断されている。   In the present embodiment, the facing portion 50b of the stopper 50 is opposed to the peripheral portion on the lower surface of the flow rate detection chip 10, and the facing portion 50b is annular. An internal space 95 is formed by the flow rate detection chip 10, the adhesive member 90, the facing portion 50 b of the stopper 50, and the upper surface of the support lead 31, and the cavity 12 is also blocked from the outside air as a part of the internal space 95. .

このような構成の熱式流量センサ100は、接着工程において、支持リード31上にストッパ50を固定した後に、流量検出チップ10の下面又はストッパ50の対向部位50bに接着部材90を配置し、ストッパ50の対向部位50bを介して、流量検出チップ10を支持リード31上に固定することで形成することができる。それ以外の製造工程については、第1実施形態に示した製造方法と同じである。   In the thermal flow sensor 100 having such a configuration, after fixing the stopper 50 on the support lead 31 in the bonding process, the adhesive member 90 is disposed on the lower surface of the flow rate detection chip 10 or on the opposite portion 50b of the stopper 50, and the stopper It can be formed by fixing the flow rate detection chip 10 on the support lead 31 via the 50 opposing parts 50b. About the other manufacturing process, it is the same as the manufacturing method shown in 1st Embodiment.

このように本実施形態に係る熱式流量センサ100及びその製造方法よれば、第1実施形態に示した熱式流量センサ100の製造方法及び熱式流量センサ100と同様の効果を期待することができる。   As described above, according to the thermal flow sensor 100 and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, it is possible to expect the same effects as the manufacturing method and the thermal flow sensor 100 of the thermal flow sensor 100 shown in the first embodiment. it can.

また、本実施形態においては、ストッパ50の対向部位50bが流量検出チップ10の下面の一部のみと対向している。したがって、図14に示すように、成形時に金型93,94からの圧力を受けて、接着部材90がストッパ50の対向部位50bと流量検出チップ10との間で押し広げられても、流量検出チップ10の外周側には流量検出チップ10の下面が存在しないため、流量検出チップ10が引っ張られない。また、内部空間95側にはストッパ50の対向部位50bが存在せず、内部空間95が存在するので、接着部材90が支持リード31側に垂れて流量検出チップ10が引っ張られない。これに対し、流量検出チップ10が支持リード31に直接接着固定される場合、押し広げられた接着部材90が、流量検出チップ10の下面と接触する。このように、流量検出チップ10が引っ張られる範囲が、ストッパ50の対向部位50b上に制限されるので、流量検出チップ10が支持リード31に直接接着固定される構成に比べて、薄肉部13のダメージをさらに抑制することができる。   In the present embodiment, the facing portion 50 b of the stopper 50 faces only a part of the lower surface of the flow rate detection chip 10. Therefore, as shown in FIG. 14, even when the pressure from the molds 93 and 94 is received during molding and the adhesive member 90 is pushed and spread between the facing portion 50 b of the stopper 50 and the flow rate detection chip 10, the flow rate detection is performed. Since the lower surface of the flow rate detection chip 10 does not exist on the outer peripheral side of the chip 10, the flow rate detection chip 10 is not pulled. Further, since the facing portion 50b of the stopper 50 does not exist on the internal space 95 side and the internal space 95 exists, the adhesive member 90 hangs down to the support lead 31 side and the flow rate detection chip 10 is not pulled. On the other hand, when the flow rate detection chip 10 is directly bonded and fixed to the support lead 31, the spread adhesive member 90 contacts the lower surface of the flow rate detection chip 10. As described above, the range in which the flow rate detection chip 10 is pulled is limited on the facing portion 50b of the stopper 50, so that the thin portion 13 is compared with the configuration in which the flow rate detection chip 10 is directly bonded and fixed to the support lead 31. Damage can be further suppressed.

また、流量検出チップ10の下面のうち、一部のみが接着部材90と接触されるので、下面全面が接着部材90と接触される構成に比べて、流量検出チップ10を構成する半導体基板11とストッパ50との線膨張係数差に基づいて生じる応力を低減することができる。   Further, since only a part of the lower surface of the flow rate detection chip 10 is in contact with the adhesive member 90, the semiconductor substrate 11 constituting the flow rate detection chip 10 is compared with a configuration in which the entire lower surface is in contact with the adhesive member 90. The stress generated based on the difference in coefficient of linear expansion from the stopper 50 can be reduced.

なお、本実施形態においては、内部空間95には、接着部材が配置されない例を示した。これに対し、例えば図15に示すように、流量検出チップ10の下面におけるストッパ5との対向領域を除く領域の少なくとも一部と支持リード31の上面とが、接着部材90よりも硬い接着部材96を介して固定された構成としても良い。接着部材96は、請求の範囲に記載の第2の接着部材に相当するものであり、硬化後のヤング率が接着部材90よりも大きいものを採用することができる。例えば、接着部材96として、圧力によってほとんど変形しない程度の硬い接着部材(例えばヤング率1GPa程度)を採用すると、支持リード31上に接着部材96を介して支持される領域の分、流量検出チップ10が支持リード31に支持される領域が増す。したがって、接着部材96が配置されない構成に比べて、外力(成形時の圧力含む)に対する流量検出チップ10の耐久性を向上することができる。図15は、変形例を示す断面図である。なお、図15においては、接着部材96が、ストッパ50の対向部位50bに隣接して配置されているが、対向部位50bとは離れて接着部材96が配置された構成としても良い。   In the present embodiment, an example in which no adhesive member is disposed in the internal space 95 is shown. On the other hand, for example, as shown in FIG. 15, an adhesive member 96 in which at least a part of the lower surface of the flow rate detection chip 10 excluding the region facing the stopper 5 and the upper surface of the support lead 31 are harder than the adhesive member 90. It is good also as a structure fixed via. The adhesive member 96 corresponds to the second adhesive member described in the claims, and a member having a Young's modulus after curing larger than that of the adhesive member 90 can be adopted. For example, if a hard adhesive member (eg, Young's modulus of about 1 GPa) that hardly deforms due to pressure is adopted as the adhesive member 96, the flow rate detection chip 10 is equivalent to the area supported on the support lead 31 via the adhesive member 96. Increases the area supported by the support lead 31. Therefore, the durability of the flow rate detection chip 10 against external force (including pressure during molding) can be improved as compared with the configuration in which the adhesive member 96 is not disposed. FIG. 15 is a cross-sectional view showing a modification. In FIG. 15, the adhesive member 96 is disposed adjacent to the facing portion 50b of the stopper 50. However, the adhesive member 96 may be disposed apart from the facing portion 50b.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

本実施形態においては、流量検出チップ10を構成する基板が、シリコンからなる半導体基板11である例を示した。このように半導体基板11を用いると、一般的な半導体製造技術により、半導体基板に容易に空洞部12及び薄肉部13を形成することができる。すなわち、熱式流量センサ100を低コストで製造することができる。しかしながら、半導体基板はシリコン基板に限定されるものではない。また、基板も半導体基板に限定されず、支持リード31との線膨張係数に差のある部材(例えばガラス)を採用することができる。   In the present embodiment, the example in which the substrate constituting the flow rate detection chip 10 is the semiconductor substrate 11 made of silicon is shown. When the semiconductor substrate 11 is used in this manner, the cavity 12 and the thin portion 13 can be easily formed in the semiconductor substrate by a general semiconductor manufacturing technique. That is, the thermal flow sensor 100 can be manufactured at low cost. However, the semiconductor substrate is not limited to a silicon substrate. Further, the substrate is not limited to the semiconductor substrate, and a member (for example, glass) having a difference in linear expansion coefficient from the support lead 31 can be employed.

本実施形態においては、センサ装置の一例として熱式流量センサ100を取り上げた。これは、薄肉部13の厚さが数μm程度と非常に薄いため、成形時に薄肉部13がダメージを受け易く、また、ピエゾ抵抗効果によってセンサ特性が変動しやすいからである。しかしながら、センサ装置としては熱式流量センサ100に限定されるものではない。例えば熱式流量センサ100以外にも、基板の空洞部上に薄肉部が形成され、この薄肉部に検出部の抵抗体が配置された構造のセンサ(例えばサーモパイル式の赤外線センサ、湿度センサ、圧力センサ等)であれば適用することができる。   In the present embodiment, the thermal flow sensor 100 is taken up as an example of the sensor device. This is because the thickness of the thin portion 13 is very thin, about several μm, so that the thin portion 13 is easily damaged during molding, and the sensor characteristics are likely to fluctuate due to the piezoresistance effect. However, the sensor device is not limited to the thermal flow sensor 100. For example, in addition to the thermal flow sensor 100, a sensor having a structure in which a thin portion is formed on a hollow portion of a substrate and a resistor of a detection unit is disposed on the thin portion (for example, a thermopile infrared sensor, a humidity sensor, a pressure sensor) Sensor) or the like.

本実施形態においては、封止部材70が、パッド側端部71以外に周囲部72を有する例を示した。しかしながら、封止部材70の形態は、上記例に限定されるものではない。例えばパッド側端部71のみを有する構成としても良い。   In the present embodiment, an example in which the sealing member 70 has the peripheral portion 72 in addition to the pad-side end portion 71 has been shown. However, the form of the sealing member 70 is not limited to the above example. For example, it is good also as a structure which has only the pad side edge part 71. FIG.

本実施形態においては、流量検出チップ10のパッド20と外部接続リード32が、ワイヤ91を介して電気的に接続される例を示した。しかしながら、流量検出チップ10と外部接続リード32との接続はワイヤボンディングに限定されるものではない。例えば、支持リード31及び外部接続リード32(リードフレーム30)としてプリント基板を採用する場合には、バンプ等によって接続された構成としても良い。   In the present embodiment, an example in which the pad 20 of the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32 are electrically connected via the wire 91 has been shown. However, the connection between the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32 is not limited to wire bonding. For example, when a printed circuit board is used as the support lead 31 and the external connection lead 32 (lead frame 30), the connection may be made by bumps or the like.

本実施形態においては、流量検出チップ10と外部接続リード32が、ワイヤ91を介して直接的に接続される例を示した。しかしながら、流量検出部の入出力を制御する回路が形成された回路チップを介して、流量検出チップ10と外部接続リード32が電気的に接続された構成としても良い。この場合、流量検出チップと回路チップとの接続部、及び、回路チップと外部接続リードとの接続部が、封止部材70によって被覆された構造となる。このように、回路チップを含む構成に対しても、回路チップを含まない構成同様乃至それに準ずる効果を期待することができる。   In the present embodiment, an example in which the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32 are directly connected via the wire 91 is shown. However, the flow rate detection chip 10 and the external connection lead 32 may be electrically connected via a circuit chip in which a circuit for controlling input / output of the flow rate detection unit is formed. In this case, the connection portion between the flow rate detection chip and the circuit chip and the connection portion between the circuit chip and the external connection lead are covered with the sealing member 70. As described above, the configuration including the circuit chip can be expected to be the same as or similar to the configuration including no circuit chip.

本実施形態においては、一対の金型93,94のうち、上型93が凹部93cを有する例を示した。しかしながら、ストッパ50,31b,93dの効果があるので、上型93を凹部93cのない構造としても良い。   In this embodiment, the upper mold | type 93 showed the example which has the recessed part 93c among a pair of metal mold | die 93,94. However, since the stoppers 50, 31b, and 93d are effective, the upper mold 93 may have a structure without the recess 93c.

本実施形態においては、支持リード31上に別部材としてのストッパ50を形成する例を示した。しかしながら、例えば図16に示すように、流量検出チップ10の上面に上型93におけるキャビティを構成する一部93aが接触した時点で、上型93のキャビティ構成面の一部と下型94のキャビティ構成面の一部とによって、支持リード31とは別部材であるストッパ51を直接的に挟持するようにしても良い。このようにストッパ51が支持リード31上に形成されない構成としても、上述した実施形態と同様乃至それに準ずる効果を期待することができる。なお、図16に示す製造方法を用いて形成された熱式流量センサ100においては、ストッパ51の上面と下面が露出され、側面の少なくとも一部が封止部材70と接して、封止部材70にストッパ51が保持された構造となる。図16は、製造方法のその他変形例を示す断面図であり、成形工程を示している。   In this embodiment, the example which forms the stopper 50 as another member on the support lead 31 was shown. However, for example, as shown in FIG. 16, when a part 93 a constituting the cavity in the upper mold 93 comes into contact with the upper surface of the flow rate detection chip 10, a part of the cavity constituting surface of the upper mold 93 and the cavity of the lower mold 94 are formed. The stopper 51 which is a member different from the support lead 31 may be directly sandwiched between a part of the constituent surfaces. Even if the stopper 51 is not formed on the support lead 31 as described above, the same effect as in the above-described embodiment or an effect equivalent thereto can be expected. In the thermal flow sensor 100 formed using the manufacturing method shown in FIG. 16, the upper surface and the lower surface of the stopper 51 are exposed, and at least a part of the side surface is in contact with the sealing member 70, so that the sealing member 70. Thus, the stopper 51 is held. FIG. 16 is a cross-sectional view showing another modified example of the manufacturing method and shows a molding process.

第1実施形態に係る熱式流量センサの概略構成を示す上面視平面図である。It is a top view top view which shows schematic structure of the thermal type flow sensor which concerns on 1st Embodiment. 図1のII−II線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the II-II line | wire of FIG. 図1のIII−III線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the III-III line of FIG. 流量検出チップの概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of a flow volume detection chip | tip. 図4のIV−IV線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IV-IV line of FIG. 熱式流量センサの製造方法を示す工程別断面図であり、(a)は接着工程終了後の状態、(b)は接続工程終了後の状態、(c)は成形工程を示す図である。It is sectional drawing according to process which shows the manufacturing method of a thermal type flow sensor, (a) is the state after completion | finish of an adhesion process, (b) is the state after completion | finish of a connection process, (c) is a figure which shows a formation process. 変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a modification. 変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a modification. 製造方法の変形例を示す断面図であり、(a)は成形工程の前、(b)は成形工程を示している。It is sectional drawing which shows the modification of a manufacturing method, (a) is before a formation process, (b) has shown the formation process. 第2実施形態に係る熱式流量センサの概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the thermal type flow sensor which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る熱式流量センサの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the thermal type flow sensor which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る熱式流量センサの製造工程のうち、成形工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a formation process among the manufacturing processes of the thermal type flow sensor which concerns on 4th Embodiment. 第5実施形態に係る熱式流量センサの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the thermal type flow sensor which concerns on 5th Embodiment. 製造方法を示す工程のうち、成形工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a formation process among the processes which show a manufacturing method. 変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a modification. 製造方法のその他変形例を示す断面図であり、成形工程を示している。It is sectional drawing which shows the other modification of a manufacturing method, and has shown the formation process.

符号の説明Explanation of symbols

10・・・流量検出チップ(センサチップ)
11・・・半導体基板(基板)
12・・・空洞部
13・・・薄肉部
31・・・支持リード
32・・・外部接続リード
50・・・ストッパ
70・・・封止部材
90・・・接着部材
100・・・熱式流量センサ
10. Flow rate detection chip (sensor chip)
11 ... Semiconductor substrate (substrate)
12 ... Cavity 13 ... Thin part 31 ... Support lead 32 ... External connection lead 50 ... Stopper 70 ... Sealing member 90 ... Adhesive member 100 ... Thermal flow rate Sensor

Claims (17)

空洞部を有する基板上に、検出部と前記検出部に接続される配線部が形成され、前記検出部を構成する抵抗体が前記空洞部上の薄肉部に形成されたセンサチップと、前記センサチップを一面上に搭載する支持リード及び前記配線部と電気的に接続される外部接続リードを含むリードフレームと、を準備する準備工程と、
準備した前記センサチップを、前記空洞部が開口する下面を搭載面として、前記リードフレームにおける前記支持リード上に接着部材を介して固定し、積層体を形成する接着工程と、
前記積層体に対し、前記リードフレームにおける前記外部接続リードと前記配線部を電気的に接続する接続工程と、
前記接続工程後、一対の金型に構成されるキャビティに前記積層体を配置してモールド成形し、前記検出部及び前記薄肉部を露出しつつ封止部材によって前記配線部と前記外部接続リードとの接続部位を被覆する成形工程と、を備えたセンサ装置の製造方法であって、
前記成形工程において、前記接着部材よりも前記基板に近い硬さを有するストッパを前記キャビティ内に配置し、一方の前記金型が前記センサチップの上面に接触しつつ他方の前記金型との間で前記ストッパを挟持した状態でモールド成形することを特徴とするセンサ装置の製造方法。
A sensor chip in which a detection part and a wiring part connected to the detection part are formed on a substrate having a cavity part, and a resistor constituting the detection part is formed in a thin part on the cavity part, and the sensor A preparation step for preparing a lead frame including a support lead for mounting a chip on one surface and an external connection lead electrically connected to the wiring portion;
An adhesive step of fixing the prepared sensor chip with a lower surface where the hollow portion opens as a mounting surface on the support lead in the lead frame via an adhesive member, and forming a laminate;
A connection step for electrically connecting the external connection lead and the wiring portion in the lead frame to the laminate,
After the connection step, the laminate is placed in a cavity formed in a pair of molds and molded, and the wiring portion and the external connection lead are sealed by a sealing member while exposing the detection portion and the thin portion. A forming step of covering the connection site of the sensor device,
In the molding step, a stopper having a hardness closer to the substrate than the adhesive member is disposed in the cavity, and one mold is in contact with the upper surface of the sensor chip and between the other mold. A method of manufacturing a sensor device, wherein the molding is performed in a state where the stopper is sandwiched.
前記成形工程の前に、前記支持リードの一面上に前記ストッパを固定する固定工程を備えることを特徴とする請求項1に記載のセンサ装置の製造方法。   The method of manufacturing a sensor device according to claim 1, further comprising a fixing step of fixing the stopper on one surface of the support lead before the molding step. 前記準備工程において、前記支持リードの一部として、前記一面から突出する凸状の前記ストッパを形成することを特徴とする請求項1に記載のセンサ装置の製造方法。   The method of manufacturing a sensor device according to claim 1, wherein, in the preparation step, the convex stopper protruding from the one surface is formed as a part of the support lead. 空洞部を有する基板上に、検出部と前記検出部に接続される配線部が形成され、前記検出部を構成する抵抗体が前記空洞部上の薄肉部に形成されたセンサチップと、前記センサチップを一面上に搭載する支持リード及び前記配線部と電気的に接続される外部接続リードを含むリードフレームと、を準備する準備工程と、
準備した前記センサチップを、前記空洞部が開口する下面を搭載面として、前記リードフレームにおける前記支持リード上に接着部材を介して固定し、積層体を形成する接着工程と、
前記積層体に対し、前記リードフレームにおける前記外部接続リードと前記配線部を電気的に接続する接続工程と、
前記接続工程後、一対の金型に構成されるキャビティに前記積層体を配置してモールド成形し、前記検出部及び前記薄肉部を露出しつつ封止部材によって前記配線部と前記外部接続リードとの接続部位を被覆する成形工程と、を備えたセンサ装置の製造方法であって、
前記成形工程において、少なくとも一方の前記金型として、前記センサチップの上面側の金型が前記センサチップの上面に接触した時点で、他方の前記金型の対向部位と直接、又は、前記支持リードを介して接触する凸状のストッパが形成された金型を用いることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
A sensor chip in which a detection part and a wiring part connected to the detection part are formed on a substrate having a cavity part, and a resistor constituting the detection part is formed in a thin part on the cavity part, and the sensor A preparation step for preparing a lead frame including a support lead for mounting a chip on one surface and an external connection lead electrically connected to the wiring portion;
An adhesive step of fixing the prepared sensor chip with a lower surface where the hollow portion opens as a mounting surface on the support lead in the lead frame via an adhesive member, and forming a laminate;
A connection step for electrically connecting the external connection lead and the wiring portion in the lead frame to the laminate,
After the connection step, the laminate is placed in a cavity formed in a pair of molds and molded, and the wiring portion and the external connection lead are sealed by a sealing member while exposing the detection portion and the thin portion. A forming step of covering the connection site of the sensor device,
In the molding step, as at least one of the molds, when the mold on the upper surface side of the sensor chip comes into contact with the upper surface of the sensor chip, directly to the opposite part of the other mold or the support lead A method of manufacturing a sensor device, wherein a mold having a convex stopper that is in contact with each other is used.
前記センサチップは、前記検出部として、前記薄肉部上に形成されたヒータを含む流量検出部を備えた流量検出チップであることを特徴とする請求項1〜4いずれか1項に記載のセンサ装置の製造方法。   The sensor according to claim 1, wherein the sensor chip is a flow rate detection chip including a flow rate detection unit including a heater formed on the thin portion as the detection unit. Device manufacturing method. 空洞部を有する基板上に、検出部と前記検出部に接続された配線部が形成され、前記検
出部を構成する抵抗体が前記空洞部上の薄肉部に形成されたセンサチップと、
リードフレームの一部であり、一面上に、前記空洞部の開口された下面を搭載面として前記センサチップが接着部材を介して固定された支持リード、及び、前記配線部と電気的に接続された外部接続リードと、
絶縁材料からなり、前記検出部及び前記薄肉部を露出させつつ、前記配線部と前記外部接続リードとの接続部位を被覆するように一体的に配置された封止部材と、を備えることを特徴とするセンサ装置であって、
前記支持リードの一面上であって前記センサチップの搭載領域を除く領域に、前記接着部材よりも前記基板に近い硬さを有するストッパが形成されていることを特徴とするセンサ装置。
A sensor chip in which a detection part and a wiring part connected to the detection part are formed on a substrate having a hollow part, and a resistor constituting the detection part is formed in a thin part on the hollow part,
The lead frame is a part of the lead frame, and is electrically connected to the wiring portion on one side, the support lead having the sensor chip fixed through an adhesive member with the open lower surface of the cavity portion as a mounting surface. External connection leads,
A sealing member made of an insulating material and integrally disposed so as to cover a connection portion between the wiring portion and the external connection lead while exposing the detection portion and the thin portion. A sensor device,
A sensor device, wherein a stopper having a hardness closer to the substrate than the adhesive member is formed on one surface of the support lead and excluding the mounting region of the sensor chip.
前記ストッパは、前記支持リードとは別部材であり、前記支持リードの一面上に固定されていることを特徴とする請求項6に記載のセンサ装置。   The sensor device according to claim 6, wherein the stopper is a separate member from the support lead, and is fixed on one surface of the support lead. 前記ストッパは、前記支持リードの一部として形成された第1の凸部であることを特徴とする請求項6に記載のセンサ装置。   The sensor device according to claim 6, wherein the stopper is a first convex portion formed as a part of the support lead. 前記ストッパは、前記支持リードの一面上であって前記センサチップの搭載領域の近傍に形成されていることを特徴とする請求項6〜8いずれか1項に記載のセンサ装置。   The sensor device according to claim 6, wherein the stopper is formed on one surface of the support lead and in the vicinity of a mounting area of the sensor chip. 前記ストッパは、前記支持リードとの対向面の裏面が前記センサチップの上面と略面一とされていることを特徴とする請求項9に記載のセンサ装置。   The sensor device according to claim 9, wherein the stopper has a back surface facing the support lead substantially flush with an upper surface of the sensor chip. 前記ストッパは、前記センサチップを取り囲むように環状に形成されていることを特徴とする請求項6〜10いずれか1項に記載のセンサ装置。   The sensor device according to claim 6, wherein the stopper is formed in an annular shape so as to surround the sensor chip. 環状の前記ストッパは、前記センサチップと離れて形成され、
前記ストッパと前記センサチップの隙間のうち、前記封止部材によって被覆されない領域であって前記封止部材との境界から少なくとも一部の領域が、前記封止部材とは別の充填部材、又は、前記支持リードの一部として形成された第2の凸部によって埋められていることを特徴とする請求項11に記載のセンサ装置。
The annular stopper is formed apart from the sensor chip,
Of the gap between the stopper and the sensor chip, a region that is not covered by the sealing member and at least a part of the region from the boundary with the sealing member is a filling member different from the sealing member, or The sensor device according to claim 11, wherein the sensor device is filled with a second protrusion formed as a part of the support lead.
環状の前記ストッパは、前記封止部材によって被覆されない領域であって前記封止部材との境界から少なくとも一部の領域で、前記センサチップと接触していることを特徴とする請求項11に記載のセンサ装置。   12. The annular stopper is a region that is not covered by the sealing member and is in contact with the sensor chip at least in a region from the boundary with the sealing member. Sensor device. 前記センサチップは、前記接着部材を介して、前記支持リードに直接固定されていることを特徴とする請求項6〜13いずれか1項に記載のセンサ装置。   The sensor device according to claim 6, wherein the sensor chip is directly fixed to the support lead via the adhesive member. 前記ストッパは、その一部が前記支持リードの一面と前記センサチップの下面との間に配置されて、前記センサチップの下面の一部と対向され、
前記センサチップの下面の一部と前記ストッパの対向部位が、前記接着部材としての第1の接着部材を介して固定され、前記ストッパを介して、前記センサチップが前記支持リードに固定されていることを特徴とする請求項6〜13いずれか1項に記載のセンサ装置。
A part of the stopper is disposed between one surface of the support lead and the lower surface of the sensor chip, and is opposed to a part of the lower surface of the sensor chip,
A part of the lower surface of the sensor chip and a portion facing the stopper are fixed via a first adhesive member as the adhesive member, and the sensor chip is fixed to the support lead via the stopper. The sensor device according to claim 6, wherein the sensor device is a sensor device.
前記センサチップの下面における前記ストッパの対向領域を除く領域の少なくとも一部と前記支持リードが、前記第1の接着部材よりも硬い第2の接着部材を介して固定されていることを特徴とする請求項15に記載のセンサ装置。   At least a portion of the lower surface of the sensor chip excluding the opposing region of the stopper and the support lead are fixed via a second adhesive member that is harder than the first adhesive member. The sensor device according to claim 15. 前記センサチップは、前記検出部として、前記薄肉部上に形成されたヒータを含む流量検出部を備えた流量検出チップであることを特徴とする請求項6〜16いずれか1項に記載のセンサ装置。   The sensor according to any one of claims 6 to 16, wherein the sensor chip is a flow rate detection chip provided with a flow rate detection unit including a heater formed on the thin portion as the detection unit. apparatus.
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