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JP2009049132A - Laser light source device and projector - Google Patents

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JP2009049132A
JP2009049132A JP2007212934A JP2007212934A JP2009049132A JP 2009049132 A JP2009049132 A JP 2009049132A JP 2007212934 A JP2007212934 A JP 2007212934A JP 2007212934 A JP2007212934 A JP 2007212934A JP 2009049132 A JP2009049132 A JP 2009049132A
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JP
Japan
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drive current
laser light
light source
source device
diode
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Pending
Application number
JP2007212934A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoto Sudo
清人 須藤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

【課題】レーザ出力の応答性を高める。
【解決手段】半導体チップ20にレーザダイオードLDと高速ダイオードFDとを設ける。レーザダイオードLDは、外部から与えられた変調指令信号に応じた第1の駆動電流I1の供給を受ける。高速ダイオードFDは、第2の駆動電流I2の供給を受ける。この第2の駆動電流I2は、第1の駆動電流I1との総和が一定となるような値である。この構成により、レーザダイオードLDと高速ダイオードFDの双方から発熱を受けることから、常に十分な熱レンズ効果を発生させることができる。
【選択図】図1
The response of laser output is improved.
A semiconductor chip is provided with a laser diode LD and a high-speed diode FD. The laser diode LD is supplied with a first drive current I1 according to a modulation command signal given from the outside. The high speed diode FD is supplied with the second drive current I2. The second drive current I2 is a value such that the sum total with the first drive current I1 is constant. With this configuration, since heat is generated from both the laser diode LD and the high-speed diode FD, a sufficient thermal lens effect can always be generated.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、レーザダイオードを備えるレーザ光源装置と、そのレーザ光源装置を備えるプロジェクタとに関する。   The present invention relates to a laser light source device including a laser diode and a projector including the laser light source device.

従来、プロジェクタ等の光源にレーザダイオード(LD)を用いるものが知られている(特許文献1)。レーザダイオードは、熱レンズ効果を安定的に引き起こすことで、レーザ発振を可能としている。熱レンズ効果とは、レーザダイオードを駆動したとき、局所的に温度が上昇して屈折率分布が生じ、それがレンズとして機能することをいう。   Conventionally, a laser diode (LD) is used as a light source for a projector or the like (Patent Document 1). Laser diodes enable laser oscillation by stably causing a thermal lens effect. The thermal lens effect means that when a laser diode is driven, the temperature rises locally to generate a refractive index distribution, which functions as a lens.

特開2007−33576号公報JP 2007-33576 A

プロジェクタにおいては、レーザダイオードの駆動電流を変化させて出力光の強度変調を行なう方式のものがあるが、この種のプロジェクタにおいては、レーザダイオードに供給する駆動電流を頻繁に変化させる必要がある。これに対して、レーザダイオードは熱的な時定数が長く、その性質上、駆動電流に従って応答性良く熱レンズ効果を発生させることができない。この結果、従来のレーザダイオードでは、レーザ出力に応答遅れが生じる虞があった。   Some projectors use a method of modulating the intensity of output light by changing the drive current of the laser diode. However, in this type of projector, it is necessary to frequently change the drive current supplied to the laser diode. On the other hand, the laser diode has a long thermal time constant, and the thermal lens effect cannot be generated with good responsiveness in accordance with the drive current. As a result, the conventional laser diode may cause a delay in response to the laser output.

本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、レーザ出力の応答性を高めることを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described conventional problems, and an object thereof is to improve the response of laser output.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]
レーザダイオードを備える半導体チップと、
外部から与えられた指令信号に応じた第1の駆動電流を前記レーザダイオードに供給する第1の駆動手段と
を備えるレーザ光源装置において、
前記半導体チップは、温度制御用のダイオードを備え、
さらに、
前記第1の駆動電流に対応する第2の駆動電流を前記温度制御用のダイオードに供給する第2の駆動手段
を備えることを特徴とするレーザ光源装置。
[Application Example 1]
A semiconductor chip comprising a laser diode;
In a laser light source device comprising: first driving means for supplying a first driving current corresponding to a command signal given from outside to the laser diode;
The semiconductor chip includes a temperature control diode,
further,
2. A laser light source device comprising: a second drive unit configured to supply a second drive current corresponding to the first drive current to the temperature control diode.

適用例1に記載のレーザ光源装置によれば、半導体チップにレーザダイオードと温度制御用のダイオードとを備え、レーザダイオードは、外部から与えられた指令信号に応じた第1の駆動電流の供給を受け、温度制御用のダイオードは、前記第1の駆動電流に対応する第2の駆動電流の供給を受ける。このため、半導体チップは、レーザダイオードと温度制御用のダイオードとの双方から加熱を受けることが可能となることから、レーザダイオードの駆動だけでは熱レンズ効果が十分に発生されない場合にも、温度制御用のダイオードからの加熱を受けて、十分な熱レンズ効果の発生を可能とすることができる。   According to the laser light source device described in the application example 1, the semiconductor chip includes the laser diode and the temperature control diode, and the laser diode supplies the first drive current according to the command signal given from the outside. The temperature control diode receives the second drive current corresponding to the first drive current. For this reason, since the semiconductor chip can be heated from both the laser diode and the temperature control diode, even when the thermal lens effect is not sufficiently generated only by driving the laser diode, the temperature control is performed. It is possible to generate a sufficient thermal lens effect by receiving heat from the diode for use.

したがって、適用例1に記載のレーザ光源装置によれば、常に十分な熱レンズ効果を発生させることができることから、駆動電流に従って応答性良くレーザ出力を行うことができるという効果を奏する。   Therefore, according to the laser light source device described in the application example 1, it is possible to always generate a sufficient thermal lens effect, so that it is possible to perform laser output with high response according to the drive current.

[適用例2]
適用例1に記載のレーザ光源装置であって、前記第2の駆動手段は、前記第1の駆動電流と第2の駆動電流との和が一定となるように前記第2の駆動電流を定める演算手段を備える、レーザ光源装置。
[Application Example 2]
In the laser light source device according to Application Example 1, the second driving unit determines the second driving current so that a sum of the first driving current and the second driving current is constant. A laser light source device comprising a computing means.

適用例2に記載のレーザ光源装置によれば、レーザダイオードに供給する第1の駆動電流と、温度制御用のダイオードに供給する第2の駆動電流との和が一定となることから、レーザダイオードと温度制御用のダイオードの双方からの発熱量の和は一定となる。このため、双方を備える半導体チップの温度は一定に保たれることになる。したがって、適用例2に記載のレーザ光源装置によれば、より一層確実に、常に十分な熱レンズ効果を発生させることができることから、レーザ出力の応答性をより高めることができる。   According to the laser light source device described in the application example 2, the sum of the first drive current supplied to the laser diode and the second drive current supplied to the temperature control diode is constant. The sum of heat generation from both the temperature control diode and the temperature control diode is constant. For this reason, the temperature of the semiconductor chip provided with both is kept constant. Therefore, according to the laser light source device described in the application example 2, it is possible to generate the sufficient thermal lens effect more reliably and always, so that the response of the laser output can be further improved.

[適用例3]
適用例2に記載のレーザ光源装置であって、前記レーザダイオードに実際に供給される駆動電流を前記第1の駆動電流として検出する駆動電流検出手段を備える、レーザ光源装置。
[Application Example 3]
The laser light source device according to Application Example 2, comprising a drive current detection unit that detects a drive current actually supplied to the laser diode as the first drive current.

適用例3に記載のレーザ光源装置によれば、駆動電流検出手段により実測された駆動電流を第1の駆動電流として、第2の駆動電流の算出を行うことができる。したがって、より高精度に半導体チップの温度を制御することができることから、レーザ出力の応答性をより高めることができる。   According to the laser light source device described in Application Example 3, the second drive current can be calculated using the drive current actually measured by the drive current detection unit as the first drive current. Therefore, since the temperature of the semiconductor chip can be controlled with higher accuracy, the response of the laser output can be further improved.

[適用例4]
適用例2または3に記載のレーザ光源装置であって、前記第1の駆動手段は、前記レーザダイオードに接続され、電源から前記レーザダイオードに供給される電流を入力信号に応じて制御する第1のトランジスタと、前記指令信号に応じた第1のパルス信号を前記入力信号として前記第1のトランジスタに出力する手段とを備え、前記第2の駆動手段は、前記温度制御用のダイオードに接続され、電源から前記温度制御用のダイオードに供給される電流を入力信号に応じて制御する第2のトランジスタと、前記演算手段により算出された第2の駆動電流に応じた第2のパルス信号を前記入力信号として前記第2のトランジスタに出力する手段とを備える、レーザ光源装置。
[Application Example 4]
The laser light source device according to Application Example 2 or 3, wherein the first driving unit is connected to the laser diode and controls a current supplied from a power source to the laser diode in accordance with an input signal. And a means for outputting a first pulse signal corresponding to the command signal as the input signal to the first transistor, and the second driving means is connected to the temperature control diode. A second transistor for controlling a current supplied from a power source to the temperature control diode according to an input signal, and a second pulse signal corresponding to the second drive current calculated by the computing means. A laser light source device comprising: means for outputting to the second transistor as an input signal.

適用例4に記載のレーザ光源装置によれば、簡単な構成により、第1の駆動手段および第2の駆動手段を構成することができる。   According to the laser light source device described in the application example 4, the first driving unit and the second driving unit can be configured with a simple configuration.

[適用例5]
適用例1ないし4のいずれかに記載のレーザ光源装置と、画像信号を前記指令信号として前記レーザ光源装置に送る制御手段と、前記レーザ光源装置からのレーザ光を利用して、表示面に前記画像信号に応じた画像を表示させる画像形成手段とを備えるプロジェクタ。
[Application Example 5]
The laser light source device according to any one of Application Examples 1 to 4, control means for sending an image signal as the command signal to the laser light source device, and laser light from the laser light source device, A projector comprising image forming means for displaying an image according to an image signal.

前述したように、適用例5に記載のプロジェクタによれば、応答性に優れたレーザ光源装置を用いることができることから、高画質の画像を表示することができる。   As described above, according to the projector described in application example 5, since the laser light source device with excellent responsiveness can be used, a high-quality image can be displayed.

本発明は、上記以外の種々の形態で実現可能であり、例えば、本発明のレーザ光源装置を備える照明装置、本発明のレーザ光源装置を備える表示装置、本発明のレーザ光源装置を備えるレーザ光源装置システムなどの形態で実現することが可能である。   The present invention can be realized in various forms other than the above. For example, an illumination device including the laser light source device of the present invention, a display device including the laser light source device of the present invention, and a laser light source including the laser light source device of the present invention. It can be realized in the form of an apparatus system or the like.

次に、本発明の実施の形態を実施例に基づいて説明する。
1.第1実施例:
図1は、本発明の第1実施例としてのレーザ光源装置10の概略構成を示すブロック図である。図示するように、レーザ光源装置10は、レーザダイオードLDと高速ダイオードFDとを有する半導体チップ20を備える。
Next, embodiments of the present invention will be described based on examples.
1. First embodiment:
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a laser light source apparatus 10 as a first embodiment of the present invention. As illustrated, the laser light source device 10 includes a semiconductor chip 20 having a laser diode LD and a high-speed diode FD.

図2は、半導体チップ20の概略構成を示す説明図である。半導体チップ20は、大まかには、GaAs基板21の上(図中、左側の上部分)にp型層22とn型層23とを順に積層し、n型層23の表面側に第1の電極24を、GaAs基板21の裏面側にp型層22と電気的に接続される第2の電極(背面電極)25をそれぞれ被着した構造をしている。さらに、GaAs基板21の上(図中、右側部分の上)にp型層31とn型層32とを順に積層し、n型層32の表面側に第3の電極33を、GaAs基板21の裏面側にp型層31と電気的に接続される第4の電極(背面電極)34をそれぞれ被着した構造をしている。こうして形成された構造体は、サブマウント36を介して図示しないマウント上に載置されている。   FIG. 2 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of the semiconductor chip 20. The semiconductor chip 20 is roughly formed by sequentially stacking a p-type layer 22 and an n-type layer 23 on a GaAs substrate 21 (upper part on the left side in the drawing), and a first side on the surface side of the n-type layer 23. The electrode 24 has a structure in which a second electrode (back electrode) 25 electrically connected to the p-type layer 22 is attached to the back side of the GaAs substrate 21. Further, a p-type layer 31 and an n-type layer 32 are sequentially laminated on the GaAs substrate 21 (on the right side in the figure), and a third electrode 33 is disposed on the surface side of the n-type layer 32, and the GaAs substrate 21. The fourth electrode (back electrode) 34 that is electrically connected to the p-type layer 31 is attached to the back surface side of each. The structure thus formed is placed on a mount (not shown) via the submount 36.

図中右側部分に積層された上記p型層22とn型層23により、レーザ光LBを外部に放出するレーザダイオードLDが構成され、図中左側部分に積層された上記p型層31とn型層32とにより高速ダイオードFDが構成される。レーザダイオードLDのアノードは上記第2の電極25に相当し、レーザダイオードLDのカソードは上記第1の電極24に相当する。高速ダイオードFDのカソードは上記第3の電極33に相当し、高速ダイオードFDのアノードは上記第4の電極34に相当する。なお、高速ダイオードFDが、本発明の「温度制御用のダイオード」に該当する。   The p-type layer 22 and the n-type layer 23 stacked on the right side in the figure constitute a laser diode LD that emits the laser beam LB to the outside. The p-type layer 31 and n stacked on the left side in the figure are formed. The mold layer 32 constitutes a high speed diode FD. The anode of the laser diode LD corresponds to the second electrode 25, and the cathode of the laser diode LD corresponds to the first electrode 24. The cathode of the high speed diode FD corresponds to the third electrode 33, and the anode of the high speed diode FD corresponds to the fourth electrode 34. The high speed diode FD corresponds to the “temperature control diode” of the present invention.

図1に戻り、レーザダイオードLDのアノードは電源Eの正極に接続され、高速ダイオードFDのアノードは電源Eの正極に接続される。   Returning to FIG. 1, the anode of the laser diode LD is connected to the positive electrode of the power source E, and the anode of the high speed diode FD is connected to the positive electrode of the power source E.

レーザダイオードLDのカソードは第1の抵抗器R1および第1のトランジスタT1を介して電源Eの負極に接続され、高速ダイオードFDのカソードは第2の抵抗器R2および第2のトランジスタT2を介して電源Eの負極に接続される。詳細には、第1のトランジスタT1のコレクタに第1の抵抗器R1を介してレーザダイオードLDのカソードが接続され、第1のトランジスタT1のエミッタに電源Eの負極が接続されている。また、第2のトランジスタT2のコレクタに第2の抵抗器R2を介して高速ダイオードFDのカソードが接続され、第2のトランジスタT2のエミッタに電源Eの負極が接続されている。   The cathode of the laser diode LD is connected to the negative electrode of the power supply E via the first resistor R1 and the first transistor T1, and the cathode of the fast diode FD is connected via the second resistor R2 and the second transistor T2. Connected to the negative electrode of the power supply E. Specifically, the cathode of the laser diode LD is connected to the collector of the first transistor T1 via the first resistor R1, and the negative electrode of the power source E is connected to the emitter of the first transistor T1. The cathode of the high speed diode FD is connected to the collector of the second transistor T2 via the second resistor R2, and the negative electrode of the power source E is connected to the emitter of the second transistor T2.

第1のトランジスタT1および第2のトランジスタT2の各ベースには、演算回路40が接続されており、演算回路40から各トランジスタT1,T2に制御信号(パルス信号)S1,S2が出力される。詳細には、演算回路40は第1の演算部41と第2の演算部42とを備えており、第1の演算部41から第1のトランジスタT1に制御信号S1が出力され、第2の演算部42から第2のトランジスタT2に制御信号S2が出力される。第1の演算部41は、第1のトランジスタT1に送る制御信号S1のパルス幅および振幅を可変することにより、レーザダイオードLDに供給する第1の駆動電流I1を制御することができる。第2の演算部42は、第2のトランジスタT2に送る制御信号のパルス幅および振幅を可変することにより、高速ダイオードFDに供給する駆動電流I2を制御することができる。   An arithmetic circuit 40 is connected to each base of the first transistor T1 and the second transistor T2, and control signals (pulse signals) S1, S2 are output from the arithmetic circuit 40 to the transistors T1, T2. Specifically, the arithmetic circuit 40 includes a first arithmetic unit 41 and a second arithmetic unit 42, and the control signal S1 is output from the first arithmetic unit 41 to the first transistor T1, and the second The control signal S2 is output from the calculation unit 42 to the second transistor T2. The first calculation unit 41 can control the first drive current I1 supplied to the laser diode LD by varying the pulse width and amplitude of the control signal S1 sent to the first transistor T1. The second arithmetic unit 42 can control the drive current I2 supplied to the high-speed diode FD by changing the pulse width and amplitude of the control signal sent to the second transistor T2.

なお、演算回路40はディスクリートな電子回路により構成されており、後述する論理演算の処理を実行する。演算回路40は、上記の構成に換えて、マイクロプロセッサとメモリを備えるマイクロコンピュータにより構成してもよく、メモリに記憶したコンピュータプログラムをマイクロプロセッサが実行することにより、後述する処理を実行する。   The arithmetic circuit 40 is composed of a discrete electronic circuit, and executes a logical operation process described later. The arithmetic circuit 40 may be configured by a microcomputer including a microprocessor and a memory instead of the above configuration, and the microprocessor executes a computer program stored in the memory, thereby executing processing described later.

第1の抵抗器R1と第1のトランジスタT1との結線部50は、演算回路40の第2の演算部42と電気的に接続されている。これにより、抵抗器R1により電流検出された大きさを第2の演算部42は知ることができる。すなわち、第2の演算部42は、レーザダイオードLDに実際に供給される駆動電流I1を検出することができる。   The connection part 50 between the first resistor R1 and the first transistor T1 is electrically connected to the second arithmetic part 42 of the arithmetic circuit 40. Thereby, the 2nd calculating part 42 can know the magnitude | size detected by the resistor R1. That is, the second calculation unit 42 can detect the drive current I1 that is actually supplied to the laser diode LD.

第1および第2の演算部41,42は、次の演算処理を実行している。第1の演算部41は、レーザダイオードLDの変調指令信号(指令信号)を受信し、その変調指令信号に応じたパルス信号を第1の制御信号S1として第1のトランジスタT1に出力する処理を行う。この結果、レーザダイオードLDには、前記変調信号に応じた第1の駆動電流I1が供給される。   The first and second calculation units 41 and 42 perform the following calculation process. The first calculation unit 41 receives the modulation command signal (command signal) of the laser diode LD, and outputs a pulse signal corresponding to the modulation command signal to the first transistor T1 as the first control signal S1. Do. As a result, the first drive current I1 corresponding to the modulation signal is supplied to the laser diode LD.

第2の演算部42は、i)第1の抵抗器R1により検出した第1の駆動電流I1、すなわちレーザダイオードLDに供給される駆動電流I1を用いて、高速ダイオードFDに供給する目標駆動電流TI2を求めて、ii)その目標駆動電流TI2に応じたパルス信号を第2の制御信号S2として第2のトランジスタT2に出力する処理を行う。上記i)における目標駆動電流TI2の演算は、下記の式(1)に従うものである。   The second arithmetic unit 42 uses i) the first driving current I1 detected by the first resistor R1, that is, the target driving current supplied to the high-speed diode FD using the driving current I1 supplied to the laser diode LD. TI2 is obtained, and ii) a process of outputting a pulse signal corresponding to the target drive current TI2 to the second transistor T2 as the second control signal S2. The calculation of the target drive current TI2 in the above i) follows the following formula (1).

TI2=Iconst−I1 …(1)
ここで、Iconstは、一定の電流値であり、例えばレーザダイオードLDの駆動電流I1が取り得る最大値Imaxとなっている。なお、Imaxに換えて、Imaxよりも大きな値とすることもできる。
TI2 = Iconst−I1 (1)
Here, Iconst is a constant current value, for example, the maximum value Imax that can be taken by the drive current I1 of the laser diode LD. Instead of Imax, a value larger than Imax can be used.

第2の演算部42の処理の結果、高速ダイオードFDには、下記の式(2)を満たすような第2の駆動電流I2が供給されることになる。
I1+I2=Iconst …(2)
As a result of the processing of the second arithmetic unit 42, the second drive current I2 that satisfies the following formula (2) is supplied to the high-speed diode FD.
I1 + I2 = Iconst (2)

なお、上記第1の演算部41と第1のトランジスタT1との構成が本発明の第1の駆動手段に相当し、上記第2の演算部42と第2のトランジスタT2との構成が本発明の第2の駆動手段に相当する。   The configuration of the first calculation unit 41 and the first transistor T1 corresponds to the first driving means of the present invention, and the configuration of the second calculation unit 42 and the second transistor T2 is the present invention. This corresponds to the second driving means.

以上のように構成されたレーザ光源装置10の動作を図3のタイミングチャートに基づいて説明する。図3の(A),(B)に示すように、レーザダイオードLDの駆動電流(第1の駆動電流)I1および高速ダイオードFDの駆動電流(第2の駆動電流)I2は、時間とともにオン/オフ動作するパルス信号であり、パルス幅および振幅が変化する。第1の駆動電流I1と第2の駆動電流I2とは、上下が互いに反転した形状をしており、両者の総和が常に一定値Iconst(=Imax)となっている。   The operation of the laser light source device 10 configured as described above will be described based on the timing chart of FIG. As shown in FIGS. 3A and 3B, the drive current (first drive current) I1 of the laser diode LD and the drive current (second drive current) I2 of the high-speed diode FD are turned on / off with time. This is a pulse signal that is turned off, and its pulse width and amplitude change. The first drive current I1 and the second drive current I2 have shapes that are inverted from each other, and the sum of both is always a constant value Iconst (= Imax).

時刻0から時刻t1までの期間(以下、「第1の期間」と呼ぶ)において、第1の駆動電流I1は値0となり、第2の駆動電流I2はImaxとなっている。時刻t1において、第1の駆動電流I1が値0からImaxに立ち上がると、第2の駆動電流I2は、Imaxから値0に立ち下がる。時刻1から時刻t2までの期間(以下、「第2の期間」と呼ぶ)では、第1の駆動電流I1はImaxとなり、第2の駆動電流I2は値0となる。時刻t2では、第1の駆動電流I1がImaxから値0に立ち下がるとともに、第2の駆動電流I2はImaxから値0に立ち上がる。   In a period from time 0 to time t1 (hereinafter referred to as “first period”), the first drive current I1 has a value 0, and the second drive current I2 has Imax. When the first drive current I1 rises from the value 0 to Imax at time t1, the second drive current I2 falls from Imax to the value 0. In the period from time 1 to time t2 (hereinafter referred to as “second period”), the first drive current I1 is Imax, and the second drive current I2 is 0. At time t2, the first drive current I1 falls from Imax to the value 0, and the second drive current I2 rises from Imax to the value 0.

図3の(C)には、半導体チップ20の温度TEが示されている。このグラフ中の破線は、高速ダイオードFDを有しない従来例の半導体チップについてのものである。従来例においては、高速ダイオードFDを有しないことから、レーザダイオードに供給される第1の駆動電流I1が値0である第1の期間では、半導体チップの温度は周囲温度となっている。その後、時刻t1になると、第1の駆動電流I1の立ち上がりとともにレーザダイオードLDは発熱し始めて、図中破線に示すように、半導体チップ温度は上昇し始める。第2の期間においては、半導体チップの温度は徐々に上昇する。このように、従来例では、第1の駆動電流の立ち上がりに対して半導体チップの温度上昇は遅れを生じる。   FIG. 3C shows the temperature TE of the semiconductor chip 20. The broken line in this graph is for a conventional semiconductor chip that does not have the high-speed diode FD. In the conventional example, since the high-speed diode FD is not provided, the temperature of the semiconductor chip is the ambient temperature in the first period in which the first drive current I1 supplied to the laser diode is 0. After that, at time t1, the laser diode LD starts to generate heat as the first drive current I1 rises, and the semiconductor chip temperature starts to rise as shown by the broken line in the figure. In the second period, the temperature of the semiconductor chip gradually increases. Thus, in the conventional example, the temperature rise of the semiconductor chip is delayed with respect to the rise of the first drive current.

これに対して、本実施例の半導体チップ20では、図3の(C)の実線に示すように、第1の期間において、半導体チップ温度は徐々に上昇する。これは、レーザダイオードLDが駆動していなくても、高速ダイオードFDが第2の駆動電流I2の供給を受けて駆動するためである。その後、時刻t1過ぎには、半導体チップ20の温度は予め設計時に定めた設定温度TE0に達する。その後の第1の駆動電流の変化にかかわらず、半導体チップ温度は設定温度TE0を保つ。これは、第1の駆動電流I1と第2の駆動電流I2との和が常に一定となっているためである。すなわち、ダイオードは、レーザダイオード、高速ダイオード等のその種類によって発熱効率はそれほど大差ないものであることから、第1の駆動電流I1と第2の駆動電流I2との和を一定とすることで、半導体チップ温度を設定温度TE0に保つことができる。したがって、本実施例では、第1の駆動電流の立ち上がり時においても、半導体チップ20の温度を設定温度TE0に高めておくことができる。   On the other hand, in the semiconductor chip 20 of the present embodiment, the semiconductor chip temperature gradually increases in the first period as shown by the solid line in FIG. This is because, even if the laser diode LD is not driven, the high-speed diode FD is driven by being supplied with the second drive current I2. Thereafter, after the time t1, the temperature of the semiconductor chip 20 reaches a set temperature TE0 determined in advance at the time of design. Regardless of the subsequent change in the first drive current, the semiconductor chip temperature maintains the set temperature TE0. This is because the sum of the first drive current I1 and the second drive current I2 is always constant. That is, since the heat generation efficiency of the diode is not so different depending on the type of laser diode, high-speed diode, etc., by making the sum of the first drive current I1 and the second drive current I2 constant, The semiconductor chip temperature can be kept at the set temperature TE0. Therefore, in this embodiment, the temperature of the semiconductor chip 20 can be raised to the set temperature TE0 even when the first drive current rises.

図3の(D)にはレーザ光量LAが示されている。従来のレーザダイオードは、前述したように、第1の駆動電流の立ち上がりに対して半導体チップ温度は遅れを生じて上昇することから、第1の駆動電流に従って応答性良く熱レンズ効果を発生させることができない。このために、破線で示すように、第1の駆動電流がImaxに立ち上がった時刻t1から遅れて、レーザ光量は徐々に上昇する。これに対して、本実施例では、実線で示すように、時刻t1においても半導体チップ20の温度は設定温度TE0にほぼ達していることから、第1の駆動電流に従って応答性良く熱レンズ効果を発生させることができる。したがって、レーザ光量LAは、時刻tにおいて直ちに上昇する。   FIG. 3D shows the laser light amount LA. As described above, in the conventional laser diode, the temperature of the semiconductor chip rises with a delay with respect to the rise of the first drive current, so that the thermal lens effect is generated with good response according to the first drive current. I can't. For this reason, as indicated by a broken line, the amount of laser light gradually increases with a delay from time t1 when the first drive current rises to Imax. On the other hand, in the present embodiment, as indicated by the solid line, the temperature of the semiconductor chip 20 has substantially reached the set temperature TE0 even at time t1, so that the thermal lens effect has a good response according to the first drive current. Can be generated. Accordingly, the laser light amount LA immediately rises at time t.

図中の時刻t3からt4の期間(以下、「第3の期間」と呼ぶ)では、第1の駆動電流はImaxの1/2程度となっている。従来例においては、こうした場合には、半導体チップ温度は設定温度TE0よりもかなり低い値となる。このために、十分な熱レンズ効果を発生させることができず、図示するように、第1の駆動電流に応じた十分のレーザ光量を得ることができない。これに対して、本実施例では、第1の駆動電流I1がImaxの1/2程度となった第3の期間においても、半導体チップ温度TEは設定温度TE0となっていることから、十分な熱レンズ効果を発生させることができ、第1の駆動電流I1に見合っただけのレーザ光量LAを得ることができる。   In the period from time t3 to t4 in the figure (hereinafter referred to as “third period”), the first drive current is about ½ of Imax. In the conventional example, in such a case, the semiconductor chip temperature is considerably lower than the set temperature TE0. For this reason, a sufficient thermal lens effect cannot be generated, and a sufficient amount of laser light corresponding to the first drive current cannot be obtained as shown. On the other hand, in this embodiment, the semiconductor chip temperature TE is the set temperature TE0 even in the third period in which the first drive current I1 is about ½ of Imax. A thermal lens effect can be generated, and a laser light amount LA corresponding to the first drive current I1 can be obtained.

以上詳述したように、本実施例のレーザ光源装置10は、レーザダイオードLDに供給する第1の駆動電流I1が間欠的に変化したとき、その第1の駆動電流I1の立ち上がりに応答性良く追随したレーザ光量LAを得ることができる。さらに、第1の駆動電流I1がImaxよりも小さな値である場合にも、その第1の駆動電流I1に見合っただけのレーザ光量LAを応答性良く得ることができる。   As described above in detail, the laser light source device 10 of this embodiment has good responsiveness to the rise of the first drive current I1 when the first drive current I1 supplied to the laser diode LD changes intermittently. The followed laser light amount LA can be obtained. Furthermore, even when the first drive current I1 is smaller than Imax, it is possible to obtain a laser light amount LA corresponding to the first drive current I1 with good responsiveness.

2.第2実施例:
本発明の第2実施例について次に説明する。第1実施例では、レーザ光源装置10について説明したが、この第2実施例は、第1実施例のレーザ光源装置10をプロジェクタに採用した例である。
2. Second embodiment:
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment, the laser light source device 10 has been described. However, the second embodiment is an example in which the laser light source device 10 of the first embodiment is employed in a projector.

図4は、第2実施例としての走査型のプロジェクタ100の概略構成を示す説明図である。図示するように、プロジェクタ100は、第1色レーザ光を射出する第1色レーザ光源装置10Rと、第2色レーザ光を射出する第2色レーザ光源装置10Gと、第3色レーザ光を射出する第3色レーザ光源装置10Bと、ガルバノミラー120(走査部)と、制御部130等を備える。   FIG. 4 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a scanning projector 100 as the second embodiment. As illustrated, the projector 100 emits a first color laser light source device 10R that emits a first color laser light, a second color laser light source device 10G that emits a second color laser light, and a third color laser light. A third color laser light source device 10B, a galvanometer mirror 120 (scanning unit), a control unit 130, and the like.

第1ないし第3色レーザ光源装置10R,10G,10Bは、第1実施例のレーザ光源装置10と同一の構成を採用したもので、前述したように、レーザダイオードLDと高速ダイオードFDと演算回路40等をそれぞれ備える。相違する点は、レーザダイオードLDとして、赤色レーザダイオード、緑色レーザダイオード、青色レーザダイオードのいずれかが用いられているかである。すなわち、第1色レーザ光源装置10Rは赤色レーザダイオードが用いられ、第2色レーザ光源装置10Gは緑色レーザダイオードが用いられ、第3色レーザ光源装置10Bは青色レーザダイオードが用いられている。   The first to third color laser light source devices 10R, 10G, and 10B adopt the same configuration as the laser light source device 10 of the first embodiment, and as described above, the laser diode LD, the fast diode FD, and the arithmetic circuit. 40 etc. are provided. The difference is whether a red laser diode, a green laser diode, or a blue laser diode is used as the laser diode LD. That is, the first color laser light source device 10R uses a red laser diode, the second color laser light source device 10G uses a green laser diode, and the third color laser light source device 10B uses a blue laser diode.

制御部130は、第1ないし第3色レーザ光源装置10R,10G,10Bのそれぞれに備えられる演算回路40に画像信号(映像信号)を変調指令信号として出力する。この結果、第1ないし第3色レーザ光源装置10R,10G,10Bのそれぞれに備えられるレーザダイオードLDから発した赤色(R)光、緑色(G)光、青色(B)光は、画像信号に従って変調される。   The control unit 130 outputs an image signal (video signal) as a modulation command signal to the arithmetic circuit 40 provided in each of the first to third color laser light source devices 10R, 10G, and 10B. As a result, the red (R) light, the green (G) light, and the blue (B) light emitted from the laser diodes LD provided in the first to third color laser light source devices 10R, 10G, and 10B are in accordance with the image signal. Modulated.

図4には示さなかったが、実際には、各色レーザ光源装置10R,10G,10Bから発したR光、G光、B光は、図5に示すように、2枚のダイクロイックミラー112、114により合成されて、ガルバノミラー120に向かう。すなわち、第1のダイクロイックミラー112はR光を透過するとともにG光を反射し、第2のダイクロイックミラー114はR光とG光とを透過するとともにB光を反射することにより、R光、G光、B光を合成する。このようにして、光走査部であるガルバノミラー120に、R,G,Bの各色光の変調光を射出する。   Although not shown in FIG. 4, actually, the R light, G light, and B light emitted from the respective color laser light source devices 10R, 10G, and 10B are two dichroic mirrors 112 and 114 as shown in FIG. To the galvanometer mirror 120. That is, the first dichroic mirror 112 transmits R light and reflects G light, and the second dichroic mirror 114 transmits R light and G light and reflects B light, whereby R light, G light is reflected. Synthesize light and B light. In this way, modulated light of each color light of R, G, and B is emitted to the galvanometer mirror 120 that is an optical scanning unit.

図1に戻って、ガルバノミラー120は、所定の2軸を中心に反射面を回動することにより、入射したR光、G光、B光を二次元方向に走査させる。この走査は、制御部130からの指令に従って実行される。図1においては、ガルバノミラー120は、軸AXを中心に回動する様子を示している。ガルバノミラー120からの各色光は、スクリーン140に入射する。スクリーン140は、ガルバノミラー120により走査された各色光によって投射像を表示する。このガルバノミラー120と制御部130により実行される走査制御処理によって、レーザ光源装置10R,10G,10Bからのレーザ光を利用して、表示面に画像信号に応じた画像を表示させる画像形成手段を実現している。   Returning to FIG. 1, the galvanometer mirror 120 scans the incident R light, G light, and B light in a two-dimensional direction by rotating the reflecting surface about two predetermined axes. This scanning is executed according to a command from the control unit 130. In FIG. 1, the galvanometer mirror 120 is shown rotating about the axis AX. Each color light from the galvanometer mirror 120 enters the screen 140. The screen 140 displays a projected image with each color light scanned by the galvanometer mirror 120. Image forming means for displaying an image corresponding to the image signal on the display surface using the laser light from the laser light source devices 10R, 10G, and 10B by the scanning control processing executed by the galvanometer mirror 120 and the control unit 130. Realized.

以上のように構成された第2実施例のプロジェクタ100によれば、応答性に優れたレーザ光源装置10R,10G,10Bを用いることができることから、高画質の画像を表示することができる。   According to the projector 100 of the second embodiment configured as described above, since the laser light source devices 10R, 10G, and 10B having excellent responsiveness can be used, a high-quality image can be displayed.

3.他の実施形態:
なお、この発明は上記の第1実施例、第2実施例およびそれらの変形例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
3. Other embodiments:
The present invention is not limited to the above-described first embodiment, second embodiment, and modifications thereof, and can be carried out in various modes without departing from the gist thereof. Such modifications are possible.

(1)前記実施例では、半導体チップが備える温度制御用のダイオードとして高速ダイオードFDを形成していたが、必ずしもこのタイプのダイオードである必要はなく、発光ダイオード、レーザダイオード(半導体レーザ)、一般性流用ダイオード等に換えることができる。なお、前記実施例では特に言及しなかったが、レーザダイオードLDは、端面発光レーザ、面発光レーザ(VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)を含む)等、いずれのタイプであってもよい。 (1) In the above embodiment, the high-speed diode FD is formed as a temperature control diode provided in the semiconductor chip. However, this type of diode is not necessarily required, and a light-emitting diode, a laser diode (semiconductor laser), It can be replaced with a diversion diode. Although not specifically mentioned in the above embodiment, the laser diode LD may be of any type such as an edge emitting laser or a surface emitting laser (including VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)).

(2)前記実施例では、第2の演算部42によって、レーザダイオードLDに供給される第1の駆動電流I1の実測値を計測して、その実測値に基づいて高速ダイオードFDに供給する目標駆動電流TI2を求め、その目標駆動電流TI2に応じたパルス信号を第2の制御信号S2として第2のトランジスタT2に出力する処理を行っていたが、これに換えて、第2の演算部42を次の処理を行う構成としてもよい。第1および第2の駆動電流I1,I2は基本的には制御信号S1,S2にリニアに比例するものであるから、第2の演算部42は、前述したI1とI2の和であるIconstに対応する制御一定値を定めて、その制御一定値から第1の演算部41で得られた制御信号S1の値を減算することにより制御信号S2の値を求め、第2の制御信号S2として第2のトランジスタT2に出力する処理を行う。この構成によっても、第1実施例と同様に、常に十分な熱レンズ効果を発生させることができることから、駆動電流に従って応答性良くレーザ出力を行うことができる。 (2) In the above-described embodiment, the second calculation unit 42 measures the actual measured value of the first drive current I1 supplied to the laser diode LD, and supplies the high-speed diode FD based on the actual measured value. The drive current TI2 is obtained, and a process of outputting a pulse signal corresponding to the target drive current TI2 as the second control signal S2 to the second transistor T2 has been performed. Instead, the second calculation unit 42 May be configured to perform the following processing. Since the first and second drive currents I1 and I2 are basically linearly proportional to the control signals S1 and S2, the second calculation unit 42 sets Iconst, which is the sum of I1 and I2 described above. A corresponding control constant value is determined, and the value of the control signal S2 is obtained by subtracting the value of the control signal S1 obtained by the first calculation unit 41 from the control constant value, and the second control signal S2 is obtained as the second control signal S2. A process of outputting to the second transistor T2 is performed. Also with this configuration, as in the first embodiment, a sufficient thermal lens effect can always be generated, so that laser output can be performed with good responsiveness according to the drive current.

(3)前記実施例の第2の演算部42では、第1の駆動電流I1と第2の駆動電流I2との和が一定となるように、第2の駆動電流I2を求めているが、必ずしも、一定とする必要はなく、この構成に換えて、単に、第1の駆動電流I1がオフ(値0)であるときには第2の駆動電流をオンし、第1の駆動電流I1がオン(>値0)であるときには第2の駆動電流をオフする構成等としてもよい。この構成によっても、従来に比べて応答性を改善する効果を得ることができる。要は、第2の駆動電流は第1の駆動電流に対応する構成とすればよく、いずれの構成としてもよい。 (3) In the second calculation unit 42 of the embodiment, the second drive current I2 is obtained so that the sum of the first drive current I1 and the second drive current I2 is constant. It is not necessarily required to be constant. Instead of this configuration, when the first drive current I1 is off (value 0), the second drive current is turned on and the first drive current I1 is turned on ( When >> 0), the second drive current may be turned off. Also with this configuration, it is possible to obtain the effect of improving the responsiveness compared to the conventional case. In short, the second drive current may be configured to correspond to the first drive current, and any configuration may be used.

(4)前記第2実施例では、第1実施例のレーザ光源装置10を走査型のプロジェクタに適用した構成としたが、必ずしも走査型のプロジェクタに適用する必要はなく、画像形成手段として光変調装置(液晶ライトバルブ、マイクロミラーデバイス等)を用い、レーザ光源装置からのレーザ光を光変調装置で変調し画像を形成し、投写レンズ(投写部)によって画像を投写するようなプロジェクタに適用してもよい。また、第1実施例のレーザ光源装置10をプロジェクタに適用した構成としたが、必ずしもプロジェクタに適用する必要はなく、他の構成、例えば照明装置、モニタ装置、通信装置に適用した構成としてもよい。 (4) In the second embodiment, the laser light source device 10 of the first embodiment is applied to a scanning projector. However, the laser light source device 10 is not necessarily applied to a scanning projector. The projector (liquid crystal light valve, micromirror device, etc.) is used for a projector that modulates the laser light from the laser light source device with a light modulator to form an image and projects the image with a projection lens (projection unit). May be. Although the laser light source device 10 of the first embodiment is applied to the projector, it is not necessarily applied to the projector, and may be applied to other configurations such as an illumination device, a monitor device, and a communication device. .

(5)前記第2実施例では、画像信号は、R,G,Bの3原色の映像信号によって表わされるが、必ずしも、3原色に限る必要はなく他の色成分によって表わされる映像に対しても本発明を適用することができる。またモノクロ画像であってもよい。さらに、動画である映像信号に換えて、静止画の画像に本発明を適用することもできる。 (5) In the second embodiment, the image signal is represented by the video signals of the three primary colors R, G, and B. However, the image signal is not necessarily limited to the three primary colors, and the video signal is represented by other color components. The present invention can also be applied. A monochrome image may also be used. Furthermore, the present invention can also be applied to still image images instead of video signals that are moving images.

本発明の第1実施例としてのレーザ光源装置10の概略構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a schematic configuration of a laser light source device 10 as a first embodiment of the present invention. 半導体チップ20の概略構成を示す説明図である。2 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a semiconductor chip 20. FIG. レーザ光源装置10の動作を示すタイミングチャートである。3 is a timing chart showing the operation of the laser light source device 10. 第2実施例としてのプロジェクタ100の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the projector 100 as 2nd Example. 第1ないし第3色レーザ光源装置10R,10G,10Bの出力光を合成する態様を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the aspect which synthesize | combines the output light of 1st thru | or 3rd color laser light source apparatus 10R, 10G, 10B.

符号の説明Explanation of symbols

10…レーザ光源装置
10R…第1色レーザ光源装置
10G…第2色レーザ光源装置
10B…第3色レーザ光源装置
20…半導体チップ
21…GaAs基板
22…p型層
23…n型層
24…第1の電極
25…第2の電極
31…p型層
32…n型層
33…第3の電極
34…第4の電極
36…サブマウント
40…演算回路
41…第1および第2の演算部
41…第1の演算部
42…第2の演算部
50…結線部
100…プロジェクタ
112…第1のダイクロイックミラー
114…第2のダイクロイックミラー
120…ガルバノミラー
130…制御部
140…スクリーン
LD…レーザダイオード
FD…高速ダイオード
R1…第1の抵抗器
R2…第2の抵抗器
T1…第1のトランジスタ
T2…第2のトランジスタ
E…電源
I1…第1の駆動電流
I2…第2の駆動電流
LB…レーザ光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Laser light source apparatus 10R ... 1st color laser light source apparatus 10G ... 2nd color laser light source apparatus 10B ... 3rd color laser light source apparatus 20 ... Semiconductor chip 21 ... GaAs substrate 22 ... p-type layer 23 ... n-type layer 24 ... 1st DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 electrode 25 ... 2nd electrode 31 ... p-type layer 32 ... n-type layer 33 ... 3rd electrode 34 ... 4th electrode 36 ... Submount 40 ... Arithmetic circuit 41 ... 1st and 2nd calculating part 41 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1st calculating part 42 ... 2nd calculating part 50 ... Connection part 100 ... Projector 112 ... 1st dichroic mirror 114 ... 2nd dichroic mirror 120 ... Galvano mirror 130 ... Control part 140 ... Screen LD ... Laser diode FD ... fast diode R1 ... first resistor R2 ... second resistor T1 ... first transistor T2 ... second transistor E ... power supply I1 ... first Of the drive current I2 ... second driving current LB ... laser light

Claims (5)

レーザダイオードを備える半導体チップと、
外部から与えられた指令信号に応じた第1の駆動電流を前記レーザダイオードに供給する第1の駆動手段と
を備えるレーザ光源装置において、
前記半導体チップは、温度制御用のダイオードを備え、
さらに、
前記第1の駆動電流に対応する第2の駆動電流を前記温度制御用のダイオードに供給する第2の駆動手段
を備えることを特徴とするレーザ光源装置。
A semiconductor chip comprising a laser diode;
In a laser light source device comprising: first driving means for supplying a first driving current corresponding to a command signal given from outside to the laser diode;
The semiconductor chip includes a temperature control diode,
further,
2. A laser light source device comprising: a second drive unit configured to supply a second drive current corresponding to the first drive current to the temperature control diode.
請求項1に記載のレーザ光源装置であって、
前記第2の駆動手段は、
前記第1の駆動電流と第2の駆動電流との和が一定となるように前記第2の駆動電流を定める演算手段
を備える、レーザ光源装置。
The laser light source device according to claim 1,
The second driving means includes
A laser light source device, comprising: arithmetic means for determining the second drive current so that a sum of the first drive current and the second drive current is constant.
請求項2に記載のレーザ光源装置であって、
前記レーザダイオードに実際に供給される駆動電流を前記第1の駆動電流として検出する駆動電流検出手段を備える、レーザ光源装置。
The laser light source device according to claim 2,
A laser light source device comprising drive current detection means for detecting a drive current actually supplied to the laser diode as the first drive current.
請求項2または3に記載のレーザ光源装置であって、
前記第1の駆動手段は、
前記レーザダイオードに接続され、電源から前記レーザダイオードに供給される電流を入力信号に応じて制御する第1のトランジスタと、
前記指令信号に応じた第1のパルス信号を前記入力信号として前記第1のトランジスタに出力する手段と
を備え、
前記第2の駆動手段は、
前記温度制御用のダイオードに接続され、電源から前記温度制御用のダイオードに供給される電流を入力信号に応じて制御する第2のトランジスタと、
前記演算手段により算出された第2の駆動電流に応じた第2のパルス信号を前記入力信号として前記第2のトランジスタに出力する手段と
を備える、レーザ光源装置。
The laser light source device according to claim 2 or 3,
The first driving means includes
A first transistor connected to the laser diode and controlling a current supplied from a power source to the laser diode according to an input signal;
Means for outputting a first pulse signal corresponding to the command signal to the first transistor as the input signal;
The second driving means includes
A second transistor connected to the temperature control diode and controlling a current supplied from a power source to the temperature control diode according to an input signal;
A laser light source device comprising: a second pulse signal corresponding to the second drive current calculated by the calculation means; and a means for outputting the second pulse signal as the input signal to the second transistor.
請求項1ないし4のいずれかに記載のレーザ光源装置と、
画像信号を前記指令信号として前記レーザ光源装置に送る制御手段と、
前記レーザ光源装置からのレーザ光を利用して、表示面に前記画像信号に応じた画像を表示させる画像形成手段と
を備えるプロジェクタ。
A laser light source device according to any one of claims 1 to 4,
Control means for sending an image signal to the laser light source device as the command signal;
A projector comprising: an image forming unit configured to display an image corresponding to the image signal on a display surface using laser light from the laser light source device.
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