JP2009043962A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易かつ安価に製造することの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、紫外光に対して透明な支持ウェハ１００上に、紫外光を吸収可能な剥離層１１０を形成したのち、剥離層１１０の表面の所定の領域上に、紫外光を吸収可能な接着層１３０と、チップ１１，１２とを剥離層１１０側からこの順に積層配置する。剥離層１１０には、紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第１光量である材料を用い、剥離層１３０には、紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第１光量よりも小さな第２光量である材料を用いる。次に、単位面積当たりの光量が第１光量よりも小さく第２光量よりも大きな紫外光Ｌ１を、支持ウェハ１００側から支持ウェハ１００および剥離層１１０を介して接着層１３０に照射する。
【選択図】図２

Description

本発明は、複数のチップを積層配置する際に好適な半導体装置の製造方法に関する。

近年の小型化や高周波化に伴い、複数のチップを積層配置した３次元集積化モジュールをウェハレベルで製造するケースが多くなってきている。この３次元集積化モジュールは、典型的には、以下のようにして製造することができる。

まず、支持ウェハ上に、紫外光を吸収する剥離層と、熱硬化性樹脂からなる接着層を支持ウェハ側から順に形成したのち、この接着層上に複数のチップを配置する。次に、接着層に対して熱を加えて各チップを支持ウェハに固定する。次に、各チップの表面上に層間絶縁膜を形成すると共に、その層間絶縁膜内に、各チップと電気的に接続された配線層およびビアを形成し、その上に更に複数のチップを積層する。そして、このプロセスを必要なだけ繰り返すことにより、チップの３次元集積化を行う。次に、支持ウェハの裏面側から紫外光を照射して剥離層を劣化させる。最後に、剥離層を剥離して各チップを支持ウェハから分離する。

このようにして３次元集積化モジュールを製造することが可能ではあるが、熱硬化性樹脂からなる接着層に熱を加えた場合には、熱硬化性樹脂からガスが発生し、熱硬化性樹脂内に気泡が形成されるなど、種々の問題が生じることがある。

そこで、熱硬化性樹脂の代わりに紫外線硬化性樹脂を用いることが考えられる。しかし、その場合には、接着層の直下の剥離層も紫外線硬化性樹脂により構成されているので、支持ウェハの裏面側から紫外光を照射した場合には、その紫外光は接着層の直下の剥離層で吸収されてしまい、接着層にまで到達しないので、接着層を硬化することができないという問題がある。

そこで、そのような問題を解決するために、剥離層に対して紫外光を照射しないで、チップを支持ウェハから分離する技術が多くの文献において開示されている。例えば、特許文献１，２では、剥離層として支持ウェハとの密着力の低い材料を用い、外部から力を加えるだけで、チップを支持ウェハから分離する技術が開示されている。また、例えば、特許文献３〜５では、剥離層として金属材料を用い、剥離層をケミカルウエットエッチングすることにより、チップを支持ウェハから分離する技術が開示されている。また、例えば、特許文献６〜９では、剥離層としてシリコン材料を用い、剥離層をハロゲン化フッ素ガスを含む雰囲気中に曝してエッチングすることにより、チップを支持ウェハから分離する技術が開示されている。また、例えば、特許文献１０では、剥離層として熱発泡粘着材料を用い、熱発泡粘着材の発泡開始温度以上の温度に加熱することにより、チップを支持ウェハから分離する技術が開示されている。

特開２００２−３４３９２３号広報 特許３５８３３９６号広報 特許３７７３８９６号広報 特許３８６１６６９号広報 特許３１１６０８５号広報 特許３５７９４９２号広報 特開２００１−２７２９２３号広報 特開２００４−１５３２９０号広報 特許３４０６８９３号広報 特許３８９２７７４号広報

しかし、特許文献１，２の技術では、製造過程で剥離が発生し易いという問題がある。また、特許文献３〜５の技術では、選択性の高い金属材料およびエッチャントを用いることが必要となり、また、選択性が悪い場合には、保護膜を付けておくことが必要となるという問題がある。特許文献６〜９の技術では、剥離層のコストが高く、製造コストが高くなるという問題がある。また、剥離層が除去しきれなかった場合には、特殊な工程を追加することが必要となるという問題がある。また、特許文献１０の技術では、材料が限定されてしまい、製造しにくいという問題がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、安定、簡易かつ安価に製造することの可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明の半導体装置の製造方法は、まず、配置工程において、紫外光に対して透明な支持基板上に、紫外光を吸収可能な剥離層を形成したのち、剥離層の表面の所定の領域上に、紫外光を吸収可能な接着層と、チップとを剥離層側からこの順に積層配置する。ただし、剥離層には、紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第１光量である材料を用い、接着層には、紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第１光量よりも小さな第２光量である材料を用いる。次に、照射工程において、単位面積当たりの光量が第１光量よりも小さく第２光量よりも大きな第１紫外光を、支持基板側から支持基板および剥離層を介して接着層に照射する。

本発明の半導体装置の製造方法では、単位面積当たりの光量が第１光量よりも小さく第２光量よりも大きな第１紫外光が、支持基板側から支持基板および剥離層を介して接着層に照射される。これにより、例えばチップが位置ずれを起こさない程度に接着層を硬化させることができる。このように、本方法では、新たな不具合を発生させる材料や方法を用いておらず、また、特殊な材料や方法を用いる必要がない。また、接着層を硬化させた後に、剥離層に対して、第１光量よりも大きな紫外光を支持基板側から支持基板を介して照射し、剥離層を劣化させることにより、事後的に剥離層と支持基板との密着性を低下させる場合には、剥離層として支持基板との密着力の高い材料を用いることができる。これにより、製造過程において支持基板が剥離する虞をなくすることが可能である。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、単位面積当たりの光量が第１光量よりも小さく第２光量よりも大きな第１紫外光を、支持基板側から支持基板および剥離層を介して接着層に照射するようにしたので、安定、簡易かつ安価な方法で半導体装置を製造することが可能である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

図１は本発明の一実施の形態に係る半導体装置１の断面構成の一例を表したものである。なお、図１は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。

この半導体装置１は、例えば、封止層１０、層間絶縁膜２０、封止層３０をこの順に重ねあわせてなる積層構造を備えている。この半導体装置１は、その積層構造内にチップ１１，１２，３１が埋め込まれた３次元集積化モジュールであり、例えばシリコン基板などの支持基板をなくして薄型化したものである。

封止層１０内には、チップ１１，１２が機能面１１Ａ，１１Ｂを層間絶縁膜２０側に向けて埋め込まれている。これらのチップ１１，１２のそれぞれの機能面１１Ａ，１１Ｂは封止層１０と層間絶縁膜２０との界面と同一の面内に配置されている。また、チップ１１，１２のうち機能面１１Ａ，１１Ｂとは反対側の面が封止層１０の表面（半導体装置１の底面）に露出している。また、封止層１０のうちチップ１１，１２の周囲には、複数の金属層１３が配置されており、各金属層１３の一の面がチップ１１，１２の機能面１１Ａ，１１Ｂと同一の面内に配置されている。

封止層３０内には、チップ３１が機能面３１Ａを層間絶縁膜２０側に向けて埋め込まれている。このチップ３１の機能面は封止層３０と層間絶縁膜２０との界面と同一の面内に配置されており、チップ１１の機能面と対向配置されている。また、チップ３１のうち機能面とは反対側の面が封止層３０の表面（半導体装置１の上面）に露出している。

層間絶縁膜２０内には、複数の金属層２１と、複数のビア２２とが埋め込まれている。複数の金属層２１のうち２つの金属層２１が封止層１０との界面に形成されており、そのうちの一方の金属層２１はチップ１１に電気的に接続されており、他方の金属層２１はチップ１２に電気的に接続されている。また、チップ１２と電気的に接続された金属層２１と対向する部位にも金属層２１が形成されている。

また、複数のビア２２のうち１つのビア２２は、層間絶縁膜２０を貫通して形成されており、チップ１１に電気的に接続された金属層２１とチップ３１の機能面とを互いに電気的に接続している。また、チップ１２と電気的に接続された金属層２１と、チップ１２と電気的に接続された金属層２１と対向する部位に形成された金属層２１との間に、これらを電気的に接続する複数のビア２２が形成されている。さらに、チップ１２と電気的に接続された金属層２１と対向する部位に形成された金属層２１と、封止層３０との界面との間にも複数のビア２２が形成されている。

ここで、封止層１０，３０は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂またはポリイミド樹脂からなる。層間絶縁膜２０は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂またはポリイミド樹脂からなる。また、チップ１１，１２、３１は、例えば、ＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memory)、ロジックＩＣ(Integrated Circuit)、フェライト、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）または受動チップ部品である。金属層２１は、例えば、銅、チタン、アルミニウムまたは金からなり、ビア２２は、例えば、銅、スズ、金または半田系の物質からなる。

次に、本実施の形態の半導体装置１の製造方法の一例について説明する。

図２（Ａ）〜（Ｅ）は半導体装置１の製造方法の一例について説明するための断面構成を表したものである。図３（Ａ）〜（Ｄ）は図２（Ｅ）に続く工程について説明するための断面構成を、図４（Ａ）〜（Ｄ）は図３（Ｄ）に続く工程について説明するための断面構成をそれぞれ表したものである。なお、図２ないし図４は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。

まず、透明な支持ウェハ１００の表面全体に剥離層１１０を形成する（図２（Ａ））。

ここで、支持ウェハ１００は、紫外光に対して透明な材料、例えば石英ガラスなどからなる。また、剥離層１１０は、紫外光を吸収可能な材料であって、かつ、同一波長帯（例えば３５５ｎｍを含む波長帯）において、紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量α（第１光量）が後述の接着層１２０のそれより大きな材料からなる。

なお、本実施の形態において「硬化」とは、硬化反応率がおおむね９０％以上に達することを指す。

次に、必要であれば剥離層１１０に対して熱を加えて、剥離層１１０を熱硬化させたのち、必要であれば配線層などの金属層１２０や、チップを実装するためのアライメントマーク（図示せず）を形成する（図２（Ｂ））。

ここで、金属層１２０は、例えば、チタンからなる金属層１２０Ａと、銅からなる金属層１２０Ｂとを剥離層１１０側から順に積層したものである。

次に、チップ１１，１２を配置することとなる領域に接着層１３０を形成する（図２（Ｃ））。

ここで、接着層１３０は、紫外光を吸収可能な材料であって、かつ、紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量β（第２光量）が剥離層１１０のそれよりも小さな材料からなり、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、アクリレート樹脂、スチレン樹脂またはＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン）樹脂を含んで構成されている。

次に、接着層１３０および金属層１２０の表面上に、チップ１１，１２を配置したのち、以下の式（１）に示したように、単位面積当たりの光量γが剥離層１１０の単位面積当たりの光量αよりも小さく、接着層１３０の単位面積当たりの光量βよりも大きな紫外光Ｌ１を、支持ウェハ１００側から支持ウェハ１００および剥離層１１０を介して接着層１３０に照射する（図２（Ｄ））。例えば、ＬＤ励起ＹＶＯ_４レーザを用いて、波長がＬＤ励起ＹＶＯ_４レーザの３倍波の３５５ｎｍの紫外光Ｌ１を支持ウェハ１００の裏面全体に渡って一度に照射する。これにより、紫外光Ｌ１が支持ウェハ１００および剥離層１１０を高透過率（例えば８０％程度）で透過すると共に接着層１３０に吸収されるので、例えばチップが位置ずれを起こさない程度に接着層１３０を効率的に硬化することができる。なお、図２（Ｅ）において、硬化後の接着層１３０を接着層１３０Ａとして表記した。
β＜γ＜α…式（１）

このように、本方法では、接着層１３０を硬化させる際に、新たな不具合を発生させるような材料や方法を用いていない。また、特殊な材料や方法を用いる必要がない。

次に、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂またはポリイミド樹脂からなる封止材料でチップ１１，１２を封止したのち、必要であればバックグラインドを行って、表面を平坦化する（図３（Ａ））。これにより、表面にチップ１１の表面が露出した封止層１０が形成される。

次に、封止層１０上に、剥離層１４０および支持ウェハ１５０を貼り合わせたのち、以下の式（２）に示したように、単位面積当たりの光量δが剥離層１１０の単位面積当たりの光量αよりも大きな紫外光Ｌ２を、支持ウェハ１００側から支持ウェハ１００を介して剥離層１１０に照射する（図３（Ｂ））。例えば、ＬＤ励起ＹＶＯ_４レーザを用いて、波長がＬＤ励起ＹＶＯ_４レーザの３倍波の３５５ｎｍの紫外光Ｌ１をレンズ１６０で集光すると共に、集光された紫外光Ｌ２を、支持ウェハ１００の表面を掃引して剥離層１１０に照射する。つまり、接着層１３０を硬化する際の紫外光の波長と同一の波長成分を含む紫外光（すなわち、同一光源からの紫外光）を照射する。
α＜δ…式（２）

このとき、紫外光Ｌ２が剥離層１１０を高透過率（例えば８０％程度）で透過してしまうが、単位面積当たりの光量δが大きいことから、剥離層１１０を十分に劣化させることができる。これにより、剥離層１１０による支持ウェハ１００と接着層１３０Ａとの密着性を低下させることができる。なお、図３（Ｃ）には、劣化後の剥離層１１０を剥離層１１０Ａと表記した。

なお、剥離層１４０および支持ウェハ１５０を貼り合わせる前に、紫外光Ｌ２を照射するようにしてもよい。

このように、本方法では、剥離層１１０による支持ウェハ１００と接着層１３０Ａとの密着性を低下させるために、剥離層１１０に紫外光Ｌ２を照射している。そのため、剥離層１１０として支持ウェハ１００および接着層１３０Ａとの密着力の低い材料を用いなくても、事後的に、剥離層１１０による支持ウェハ１００と接着層１３０Ａとの密着性を低下させることができるので、剥離層１１０として支持ウェハ１００および接着層１３０Ａとの密着力の高い材料を用いることができる。

次に、剥離層１１０を支持ウェハ１００から剥離して、剥離層１１０を含むこれよりも上に積層された各層からなるウェハ１７０を支持ウェハ１００から分離する（図３（Ｄ））。

次に、ウェハ１７０の表面に付着している剥離層１１０を除去したのち、バックグラインドを行って、表面を平坦化する（図４（Ａ））。これにより、ウェハ１７０の表面に、チップ１１，１２の機能面や、金属層１３の表面が露出する。

次に、ウェハ１７０の表面上に、層間絶縁膜１０、金属層２１およびビア２２を所定の位置に形成したのち、その表面上の所定の位置にチップ３１を配置する（図４（Ｂ））。

次に、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂またはポリイミド樹脂からなる封止材料でチップ３１を封止したのち、必要であればバックグラインドを行って、表面を平坦化する（図４（Ｃ））。これにより、表面にチップ３１の表面が露出した封止層３０が形成される。

次に、図３（Ｂ）の工程と同様にして、単位面積当たりの光量δが剥離層１４０の単位面積当たりの光量αよりも大きな紫外光Ｌ３を、支持ウェハ１５０側から支持ウェハ１５０を介して剥離層１４０に照射する（図４（Ｃ））。例えば、ＬＤ励起ＹＶＯ_４レーザを用いて、波長がＬＤ励起ＹＶＯ_４レーザの４倍波の２６６ｎｍの紫外光をレンズ１６０で集光すると共に、集光された紫外光Ｌ３を、支持ウェハ１５０の表面を掃引して剥離層１４０に照射する。なお、エキシマレーザを用いて、波長が２４８ｎｍの紫外光をレンズ１６０で集光すると共に、集光された紫外光Ｌ３を、支持ウェハ１５０の表面を掃引して剥離層１４０に照射してもよい。これにより、剥離層１４０が劣化するので、剥離層１４０による支持ウェハ１５０と封止層１０との密着性を低下させることができる。なお、図４（Ｄ）には、劣化後の剥離層１４０を剥離層１４０Ａと表記した。

このように、本方法では、剥離層１４０による支持ウェハ１５０と封止層１０等との密着性を低下させるために、剥離層１４０に紫外光Ｌ３を照射している。そのため、剥離層１４０として支持ウェハ１５０および封止層１０等との密着力の低い材料を用いなくても、事後的に、剥離層１４０による支持ウェハ１５０と封止層１０等との密着性を低下させることができるので、剥離層１４０として支持ウェハ１００および封止層１０等との密着力の高い材料を用いることができる。

次に、剥離層１４０を支持ウェハ１５０から剥離して、剥離層１４０を含むこれよりも上に積層された各層からなるウェハ１８０を支持ウェハ１５０から分離する（図４（Ｄ））。

次に、ウェハ１８０の表面に付着している剥離層１４０を除去して、チップ１１表面を露出させる（図１）。このようにして、本実施の形態の半導体装置１が製造される。

このように、本実施の形態の半導体１の製造方法では、単位面積当たりの光量γが剥離層１１０の単位面積当たりの光量αよりも小さく、接着層１３０の単位面積当たりの光量βよりも大きな紫外光Ｌ１を、支持ウェハ１００側から支持ウェハ１００および剥離層１１０を介して接着層１３０に照射するようにしたので、接着層１３０を硬化させる際に、新たな不具合を発生させるような材料や方法を用いたり、また、特殊な材料や方法を用いることなく、接着層１３０を効率的に硬化することができる。これにより、安定、簡易かつ安価な方法で半導体装置１を製造することができる。

また、本実施の形態の半導体１の製造方法では、紫外光Ｌ１を集光することにより紫外光Ｌ１と同一波長であって、かつ高光量の紫外光Ｌ２，Ｌ３を照射するようにしたので、光源を共通化することができる。これにより、新たな不具合を発生させるような材料や方法を用いたり、また、特殊な材料や方法を用いることなく、剥離層１１０，１４０を確実に劣化させることができるので、剥離層１１０，１４０として密着力の高い材料を用いることができる。その結果、安定、簡易かつ安価な方法で半導体装置１を製造することができる。

［変形例］
上記実施の形態では、紫外光Ｌ１と、紫外光Ｌ２，Ｌ３との波長が互いに同一となっていたが、これらが互いに異なっていてもよい。

例えば、図３（Ｂ）において、ＬＤ励起ＹＶＯ_４レーザを用いて、波長がＬＤ励起ＹＶＯ_４レーザの４倍波の２６６ｎｍの紫外光（紫外光Ｌ１の波長成分よりも小さな波長成分を含む紫外光）をレンズ１６０で集光すると共に、集光された紫外光Ｌ２を、支持ウェハ１００の表面を掃引して剥離層１１０に照射することが可能である。また、例えば、エキシマレーザを用いて、波長が２４８ｎｍの紫外光（紫外光Ｌ１の波長成分よりも小さな波長成分を含む紫外光）をレンズ１６０で集光すると共に、集光された紫外光Ｌ２を、支持ウェハ１００の表面を掃引して剥離層１１０に照射してもよい。

同様に、例えば、図４（Ｃ）において、ＬＤ励起ＹＶＯ_４レーザを用いて、波長がＬＤ励起ＹＶＯ_４レーザの４倍波の２６６ｎｍの紫外光をレンズ１６０で集光すると共に、集光された紫外光Ｌ３を、支持ウェハ１００の表面を掃引して剥離層１４０に照射する。また、例えば、エキシマレーザを用いて、波長が２４８ｎｍの紫外光をレンズ１６０で集光すると共に、集光された紫外光Ｌ３を、支持ウェハ１００の表面を掃引して剥離層１４０に照射してもよい。

このように、紫外光Ｌ１と、紫外光Ｌ２，Ｌ３との波長を互いに異ならせた場合には、複数の光源を用意することが必要となるが、剥離層１１０，１４０の材料として安価な材料、例えば、エポキシ樹脂や、エポキシ樹脂に硬化剤を添加したものを用いることが可能となる。

このエポキシ樹脂は、紫外線硬化性だけでなく、熱硬化性の性質も有する樹脂であり、紫外線硬化と熱硬化の二段階硬化が可能な樹脂である。また、このエポキシ樹脂は、極薄に膜硬化することが可能な樹脂であり、厚さを変えることにより紫外光透過率を調整することが可能な樹脂である。なお、上記したエポキシ樹脂と同様の性質を有する樹脂であれば剥離層１１０に対して適用することはもちろん可能である。

このように、本変形例においても、新たな不具合を発生させるような材料や方法を用いたり、特殊な材料や方法を用いることなく、剥離層１１０，１４０を確実に劣化させることができるので、剥離層１１０，１４０として密着力の高い材料を用いることができる。その結果、安定、簡易かつ安価な方法で半導体装置１を製造することができる。

以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形可能である。

本発明の一実施の形態に係る半導体装置の断面図である。 図１の半導体装置の製造方法について説明するための断面図である。 図２に続く工程について説明するための断面図である。 図３に続く工程について説明するための断面図である。

符号の説明

１…半導体装置、１０，３０…封止層、１１，１２，３１…チップ、１１Ａ，１２Ａ，３１Ａ…機能面、１３，２１，１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ…金属層、２０…層間絶縁膜、２２…ビア、１００，１５０…支持ウェハ、１１０，１１０Ａ…剥離層、１３０，１３０Ａ，１４０，１４０Ａ…接着層、１６０…レンズ、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…紫外光。

Claims (9)

1. 紫外光に対して透明な支持基板上に、紫外光を吸収可能であって、かつ紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第１光量である剥離層を形成したのち、前記剥離層の表面の所定の領域上に紫外光を吸収可能であって、かつ紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第１光量よりも小さな第２光量である接着層と、チップとを前記剥離層側からこの順に積層配置する配置工程と、
   単位面積当たりの光量が前記第１光量よりも小さく前記第２光量よりも大きな第１紫外光を、前記支持基板側から前記支持基板および前記剥離層を介して前記接着層に照射する照射工程と
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記剥離層は、紫外線硬化性だけでなく、熱硬化性の性質も有する樹脂を含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記剥離層は、エポキシ樹脂、またはエポキシ樹脂に硬化剤を添加したものを含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記配置工程において、前記接着層を積層する前に、前記剥離層に対してあらかじめ熱を加えて硬化させておく
   ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記接着層は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、アクリレート樹脂、スチレン樹脂またはＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン）樹脂を含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第１光量以上の第２紫外レーザ光を前記支持基板側から前記支持基板を介して前記剥離層に照射して前記剥離層を劣化させたのち、前記剥離層を剥離して、前記チップを前記支持基板から分離する分離工程
   を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記分離工程において、前記支持基板の表面を掃引して、前記第２紫外レーザ光を前記剥離層に照射する
   ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記第１紫外光および前記第２紫外光は、同一波長成分を含む
   ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記第２紫外光は、前記第１紫外光の波長成分よりも小さな波長成分を含む
   ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。

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