JP2008509569A - 支持体基板を備えた構成素子装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、支持体基板（４）と該支持体基板（４）上に配設された構成素子（１）を有している少なくとも１つのガラス薄膜層（５）を備えており、該ガラス薄膜層（５）は介在層（６）をふくんでおり、該介在層はその片側がガラス薄膜層（５）に被着されており、この場合構成素子（１）は支持体基板（４）上に配設されたカバー層（１１）によって覆われ気密に構成されている構成素子装置に関している。

Description

本発明は、支持体基板と該基板上に配設された少なくとも１つの構成素子を備えた構成素子装置に関している。

背景技術
複数の構成素子の集積化は例えばＬＴＣＣ（低温コファイヤーセラミック）製支持体基板及び／又はＰＣＢ（プリント基板）上で行うことが可能である。ＬＴＣＣの大きな利点はとりわけ低い熱膨張係数であり、これはケイ素ベースの上部構造部、特にケイ素ベースの基板上の構成素子との熱的緊張を最小化する。またＰＣＢ（プリント基板）の利点は、比較的安い製造コストとボンディングパッドの正確な位置決めにある。但し欠点は、とりわけ気密性に欠けている点と湿潤性が比較的高いこと、及びケイ素ベースのフリップチップ上部構造部に適した熱膨張係数ではないことである。今日用いられているプリント基板上のフリップチップ構成素子は、潜在的に非気密性の密閉しかなされておらず、特にＭＥＭＳ技術（マイクロエレクトロメカニックシステム）によるフィルタ構造のケースでは障害的となる。

DE 101 45 100 A1 明細書からは、ガラス性素材の電子構成素子の製造方法が公知である。そこではモノリシックな多層構造を有し、少なくとも１つの電子的な受動素子並びに少なくとも１つのガラス層を含んだガラス性素材の構造体が提案されている。

またDE 199 61 842 A1 明細書からは寸法安定性の高められた多層プリント基板が提案されている。ここでは熱的に引き起こされる膨張の低減によって電子構成素子に対する結合負荷が軽減されている。

さらに少なくとも１つの層を有し、その熱膨張特性が電子構成素子の熱膨張特性にほぼ相応すると同時に実質的に多層プレートの熱膨張特性も定めている、電子構成素子を実装するための多層プリント基板が開示されている。この場合前述の層はガラス層か又はさらなる層材料と内部結合しているガラス含有層である。このさらなる層材料としては熱可塑性プラスチック材料、デュロプラスチック材料、金属、導電性プラスチック、非導電性プラスチックなどが挙げられる。

プリント基板上に設けられる最近のフリップチップ構成素子は、これらの素子が密閉性、特に気密性に欠けて構成されているという問題を抱えている。さらに構成素子を固定するプリント基板がそれらの素子に適した膨張係数を有していない場合にはさらなる問題が生じる。ＬＴＣＣからなるプリント基板や支持体基板の場合には高いコストがデメリットとなる。ＬＴＣＣ基板の焼結の際に生じる収縮は構造化を困難にし、集積密度の達成率を低下させる原因となる。特にＭＥＭＳ技法によるフィルタ構造のデザインではこれらの欠点が大きな問題となる。

発明が解決しようとする課題
本発明の課題は、前述してきた従来技術の欠点に関して改良された特性を表す、構成素子と支持体基板を有する構成素子装置を提供することである。

課題を解決するための手段
前記課題は請求項１の特徴部分による本発明によって解決される。本発明の有利な構成例及び改善例は従属請求項に記載されている。

発明を実施するための最良の形態
本発明によれば、１つの支持体基板と該基板上に配設される少なくとも１つの構成素子を備え、前記支持体基板は少なくとも１つのガラス薄膜層と、該ガラス薄膜層に少なくとも片側が被着されている介在層を含み、前記構成素子と支持体基板はカバー層によって覆われている、構成素子装置が提案されている。支持体基板と構成素子を覆っているこのカバー層は気密性のカバーを呈している。

別の実施形態によれば、支持体がガラス薄膜層と少なくとも１つのＬＴＣＣ層からなる結合部を含んでいる。この構造の利点は、ＰＣＢとして機能する少なくとも１つのガラス薄膜層を備えた支持体基板とＬＴＣＣの膨張係数の一致から得られる。このことはＬＴＣＣ基板上で高いＢＧＡ密度を可能にし、フリップチップにボンディングされる構成素子のアンダーフィルを不要にさせる。

構成素子自体は構成素子機能を担ったチップ（ベアダイ）であってもよいし、場合によってはカプセル化された素子かあるいは既にそれ自体がカバーを備えた基板支持の素子若しくはモジュールであってもよい。その場合には１つ又は複数の構成素子が１つの基板上に配設され場合によってはカバーを備えている。多層型の基板は集積された受動素子と結線部を含み得る。

有利な実施形態によれば構成素子が多層基板を有し、この多層基板が支持体基板上に固定されている。また基板は少なくとも１つのガラス薄膜層及び／又はＬＴＣＣ層を有している。この構造を用いれば、構成素子装置をモジュールとして構成することが可能である。このモジュール自体もサブモジュールを支持し得る。さらに前記サブモジュール若しくは基板は緊張なしで支持体基板上に被着可能である。

別の有利な構成例によれば、構成素子がさらなる介在層なしでガラス薄膜層上に配設される。冒頭にも述べたようにガラス薄膜層（約７ｐｐｍ/Ｋ）を備えた支持体基板の膨張係数（ＬＴＣＣの場合で約６〜７ｐｐｍ/Ｋ）と一方向の構成素子の膨張係数（ＬｉＴａＯ3の場合の１つの結晶軸に沿ったケースで約７ｐｐｍ/Ｋ及び他の結晶軸に沿ったケースで約１４ｐｐｍ/Ｋ）はほぼ同じである。Ｓｉもまた同じような熱膨張係数を有している（約４ｐｐｍ/Ｋ）。このような配置構成を用いれば膨張係数を相互に調整することで有利な利用ができる。

さらに別の実施形態によれば、構成素子が構成素子構造部支持チップを含んでいる。この構成素子構造部支持チップは、例えばＭＥＭＳ技法によるフィルタ構造であってもよい。このフィルタ構造、例えば圧電基板上の表面波フィルタにおいては機械的緊張の解放が特に有利である。さらにこの機械的緊張解放の達成によって構成素子構造部支持チップを基板上に若しくは支持体基板上に直接配設することが可能となる。

ガラス薄膜層はＬＴＣＣとほぼ同じ熱膨張係数を有し、さらに気密性を備えている。それによりそのようなＭＥＭＳ（micro-electro-Mechanical-systems)構成素子を備えた本発明による構成素子装置、例えばＳＡＷ技術によるフィルタ構造（表面波フィルタ）が周辺環境の影響から気密に保護される。

支持体基板の下方側にはコンタクト要素が設けられている。このコンタクト要素は導電的に構成素子と接続されている。支持体基板は貫通コンタクトを有しており、該貫通コンタクトは構成素子の被着されている上方側から下方側の方向に延在し、コンタクト要素と接続されている。

また場合によって存在する構成素子の基板も貫通コンタクトを有し得る。この貫通コンタクトは構成素子を基板下側の金属化部に接続させるべく基板の上方側から下方側へ延在している。

構成素子の最大限の密閉性を達成するために本発明の別の有利な構成例によれば、少なくとも２つのガラス薄膜層が支持体基板内に設けられ、支持体基板ないし基板を貫通して延在する貫通コンタクトが設けられる。その場合有利には、貫通コンタクトが相互にずらされてそれぞれのガラス薄膜層を貫通してコンタクト要素まで延在する。それに伴い支持体基板全体を貫通して延在する孔部ないし貫通コンタクトが回避されることによって気密性がさらに高められる。

構成素子の密閉性のさらなる向上のために本発明のさらに別の実施形態によれば、カバー層が反応性樹脂からなるグローブトップを含んでいる。このことは構成素子装置に求められる気密性を保証する。このグローブトップは構成素子の上に直接被着することが可能であり、それによって支持体基板を閉鎖し、それと共に構成素子を外部の影響からシャットアウトする。グローブトップのもとでないしはグローブトップの被着前に構成素子と支持体基板の間の介在空間を密閉してもよい。それに対しては薄膜、例えば積層薄膜又はアンダーフィルが用いられてもよい。この積層薄膜は構成素子全体に亘って次のように被着されてもよい。すなわちそれが構成素子側方で支持体基板によって遮蔽されるように被着されてもよい。

密閉性を拡張させるために、有利には、少なくとも１つのカバー層が金属特性を有する。このことは電磁保護に対するさらなる利点となる。金属特性を備えたカバー層は、構成素子の上に直接被着させることができる。有利には構成素子と支持体基板の間の介在空間が予め密閉される。しかしながらこの金属特性を備えたカバー層は既に存在しているカバー層の上、例えば積層薄膜の上若しくはグローブトップの上にも被着させることが可能である。

さらに別の実施形態によれば、当該構成素子装置は支持体基板上に第１の形式の少なくとも１つの金属性コンタクト面を有している。さらに当該構成素子装置に含まれる構成素子は第２の形式の少なくとも１つの金属性コンタクト面を有している。これらの金属性コンタクト面の間の電気的な接続が有利にはバンプを用いて形成される。この装置は中空空間を有し、該中空空間は構成素子と支持体基板の間で拡大している。この中空空間内では有利には構成素子構造部が支持体基板とは反対側の構成素子ないしはその基板に配設されている。

構成素子の輪郭の経過に沿って構成素子装置は中空室に対する気密性を備えている。この気密性は例えば積層過程によって形成される。この密閉性によって構成素子は全ての側から保護される。積層過程は例えば積層可能な、つまり薄膜に対する押圧によって変形可能な薄膜の被着を含み、温度の上昇又は支持体基板への薄膜の吸着が促進される。この薄膜は単層若しくは多層に形成され、少なくとも１つのプラスチック性の薄膜を含む。

さらに別の実施形態によれば、第１の形式の金属性コンタクト面がバンプ周辺領域において金属層でカバーされる。この金属層はアンダーバンプメタライジング（ＵＢＭ）を定めている。そのように制限されたＵＢＭは、ＵＢＭの予め定められた形態と面を介した蝋付けプロセスによるバンプ空間形態の所定の変更を可能にする。しかしながらこのＵＢＭは２つのサイドラインにおいてのみマスク層によって制限することも可能である。それにより溶融されたバンプはマスク層の材料によって若干汚染されるだけで済む。

別の有利な実施形態によれば、構成素子装置が少なくとも２つのガラス薄膜層と、構成素子の輪郭に沿って延在する切欠きを含んでいる。この切欠きは構成素子に向いた側から第１のガラス薄膜層を貫通して載置面まで延在する。この載置面は第２のガラス薄膜層によって形成され、この第２のガラス薄膜層上には切欠き領域全体において金属化部が被着されている。金属層を含んだカバー層と金属化部は相互に導電的に接続され、支持体基板の第２のガラス薄膜層に対する気密性の遮断部を形成している。切欠き全体は金属層を含んだカバー層を備えている。それにより全ての切欠きは金属層を備える。この配置構成は、構成素子が特に気密にカプセル化される利点を有する。

切欠きは有利にはレーザーを利用した構造化と組合わせた穿孔技法ないしはエッチング技法によって形成される。この切欠きと構成素子の間隔は例えば約５０μｍである。切欠きの幅は約３０μｍ〜１００μｍである。このような構成の構造部は構成素子縁部と構成素子装置の外側膨張部との間の間隔を最小にする。

プロセス処理時間の短縮のために本発明によれば、構成素子に直接隣接するガラス薄膜層の厚さがさらなる別のガラス薄膜層の厚さよりも薄く形成される。さらなるガラス薄膜層の厚さは約５０μｍ〜１００μｍの間である。

本発明による構成素子装置の別の有利な実施形態によれば、構成素子のアースコンタクトが金属特性を備えたカバー層と、載置面上に設けられた金属化部に導電的に接続される。この接続は例えばプレスコンタクトを介して行われてもよい。この場合は金属特性を備えた薄膜が支持体基板表面のアース接続されたコンタクトに載置される。この電気的な接続によってバンプの所要数が著しく低減される。このことは、構成素子装置のサイズも低減されるというさらなる利点につながる。このような構成素子サイズの低減による利点は、同じ要求のもとでバンプの所要高さも低減させる。従ってＵＢＭの面積も低減する。このような所要ＵＢＭ面積の減少によって構成素子装置の所要面積もさらに減少する。

次に本発明の実施例を以下の明細書で概略的な図面に基づいて詳しく説明する。この場合、
図１は本発明による構成素子装置の断面図であり、
図２は異なる層を備えた本発明による別の構成素子装置の断面図であり、
図３は、複数のガラス薄膜層からなる支持体基板上の本発明による構成素子装置の断面図であり、
図４は、複数のガラス薄膜層と切欠きからなる支持体基板上の本発明による構成素子装置の断面図であり、
図５は、複数のガラス薄膜層と金属性カバー層からなる支持体基板上の本発明による構成素子装置の断面図であり、
図６は、複数のガラス薄膜層からなる支持体基板上の基板のモジュール構造形式を示した図であり、
図７は、複数のガラス薄膜層からなる支持体基板上の構成素子の配置構成を示した図である。

実施例
図１には本発明による構成素子装置の実施形態が示されている。ガラス薄膜層５は両側で介在層６，例えばポリマー、特にエポキシポリマーや耐熱性ポリマー、例えばポリイミド（Kapton登録商標）、ＢＣＢ（Benzocyclobuten）又はＰＢＯ（Polybenzoxazol）からなる介在層を支持し、さらにこのようにして支持体基板４を形成している。この介在層６の上には金属層、例えば導体路３とコンタクト要素１６が配設されている。ガラス薄膜層５は約５０μｍ〜１００μｍの厚さで有利にはレーザー加工可能なガラス又は単結晶石英から次のようにカットされる。すなわちガラス薄膜の異方性膨張係数が基板に用いられるＬｉＴａＯ₃チップの異方性膨張係数を伴うようにカットされる。また適応化された等方性若しくは異方性膨張係数を有する液晶ガラス（ＬＣＰ）が用いられてもよい。さらに導体路３が、被着された銅薄膜のエッチング処理による構造化によって形成されてもよい。この構造化された銅薄膜は例えば支持体基板４の上方側２１と下方側２０で腐食ないしは酸化防止のために非通電方式若しくはめっき方式でニッケル／金コーティングを施される。支持体基板４の上方側２１には構成素子１が被着されている。構成素子１と支持体基板４の間には中空室２３が形成されている。導体路３ないし支持体基板４の第１形式のコンタクト面と、構成素子１の第２形式金属性コンタクト面８の間の電気的な接続は、バンプ９を介して形成される。支持体基板４と構成素子１の上にはカバー層１１、例えばグローブトップが被着される。

支持体基板４の上方側２１の導体路３と、支持体基板４の下方側２０のコンタクト要素１６との間の電気的な接続は、貫通コンタクト７を介して行われる。この貫通コンタクト７とバイアスは、５０μｍ〜４００μｍの大きさの孔をあける穿孔ないしエッチング処理とそれに続く孔部内側の無電流金属被覆によって形成される。小さな孔ないしはバイアスはブラッギングを用いて充填ないしは金属化されてもよい。貫通コンタクト７は大面積の支持体基板の場合には２つの構成素子の間で次のように設けてもよい。すなわちそれらの２つの構成素子に対して同じ電気的な接続が支持体基板の下方側２０に対して示され、かつそれらの構成素子装置の個別化の際には支持体基板のソーイングによって分離され、この場合それぞれ半部の一方が構成素子の１つに当接するように設けられる。

図２ａでは支持体基板４の上にさらにマスク層１０が設けられている。このマスク層は次のような機能、すなわちアンダーバンプメタライジング（ＵＢＭ）１８を制限して定める機能を担っている。このＵＢＭ１８によって、支持体基板４の上方側２１に存在する導体路３が部分的に覆われる。このＵＢＭ８によって導体路３の内部で次のような領域が定められる。すなわちバンプ９を有する構成素子１のもとで蝋付け位置と蝋付けの際のバンプ９の溶融を規定する領域が定められる。図２ｂ及び図２ｃはさらなる実施形態を示しており、ここでは導体路３もマスク層１０も介在層６なしでガラス薄膜層５の上に直接被着されている。

図３には本発明による構成素子装置のさらなる実施形態が示されている。この実施形態は、相互にずらされた貫通コンタクト７ａ，７ｂと３つの介在層６と導体路３と下方側２０に被着されたコンタクト要素１６を備えた２つのガラス薄膜層５ａ，５ｂを有している。支持体基板４の上方側２１には構成素子１が被着され、さらにその上にはカバー層１１が被着されている。支持体基板４の第１の形式のコンタクト面８ａと構成素子１の第２の形式のコンタクト面８ｂを接続しているバンプ９は、貫通コンタクト７ａ，８ａの上に直接設けてもよい。

図４には本発明による構成素子装置のさらに別の実施形態の断面が示されている。ここでは相互にずらされた貫通コンタクト７ａ，７ｂと導体路３とコンタクト要素１６を備えた少なくとも２つのガラス薄膜層５ａ，５ｂ上に構成素子１が気密形式で被着されている。この構成素子１の気密式の密閉は、密閉層１１ａ，１１ｂによって実現されている。

構成素子１の周辺に延在している切欠き１７は構成素子に対向するガラス薄膜層５ａ内に設けられている。この切欠き１７は第１のガラス薄膜層５ａを完全に貫通して設けられていてもよいし、第１のガラス薄膜層５ａと第２のガラス薄膜層５ｂの間の介在層の上の金属化部２３の上、あるいは第２のガラス薄膜層５ｂの上で終端していてもよい。また前記切欠きは第１のガラス薄膜層内で終端させることも可能である。切欠きの適切な幅は約３０μｍ〜１００μｍである。約２０μｍの厚さを有する第１のガラス薄膜層５ａと、約５０μｍ〜１００μｍの典型的な厚さを有するさらなるガラス薄膜層５ｂの間には、金属化部が載置面１２の上に設けられている。この載置面はここではさらなるガラス薄膜層５ｂか若しくはその上に被着された介在層によって形成されている。金属化部からは例えば導体路３が構造化されている。切欠き１７内に設けられた金属化部２３は載置面１２上の構成素子１の輪郭に沿って約５０μｍの間隔で延在し、当該構成素子のアース端子に接続している。

構成素子１の反対側はカバー層１１ａで覆われている。このカバー層１１ａは支持体基板４の上方側２１で終端し、切欠き１７内で離間されている。このカバー層１１ａの上方にはチタン／銅薄膜がスパッタリングされるか銅薄膜が非通電方式で被着される。さらにこのカバー層１１ｂはめっき方式で強化され、例えばニッケル層めっきによって保護される。

金属性のカバー層１１ｂは、第１のガラス薄膜層５ａとさらなるガラス薄膜層５ｂの間に設けられた載置面１２上の金属化部２３と構成素子１のアース１９とを電気的に接続している。

支持体基板４の第１の形式のコンタクト面８ａと構成素子１の第２の形式のコンタクト面８ｂを接続しているバンプ９は、貫通コンタクト７ａ，７ｂの上に直接設けてもよい。

図４において切欠き１７の領域内では、カバー層１１ｂと支持体基板の間の本来の密閉面が矢印で示されている。ここではカバー層の金属と気密性媒体（ガラス薄膜又は金属化部２３）が接して密な密閉状態を形成している。

図５には本発明による構成素子装置のさらに別の実施形態の断面が示されている。この図面は図４に示された切欠き１７なしでの気密な密閉状態を示している。ここでは金属性のカバー層１１ｂが示されており、このカバー層は、構成素子１のアースのためのコネクタを備えた金属化部１９と接続されている。構成素子１と金属性のカバー層１１ｂの間にはさらなるカバー層１１ａ、例えば積層薄膜が設けられている。金属性のカバー層１１ｂはガラス薄膜層５ａの上方側２１で終端している。カバー層１１は気密な密閉状態を形成している。

多層なガラス薄膜を有している全ての実施形態においては、ガラス薄膜層５又は介在層６の上に被着された金属化部を次のように構造化することも可能である。すなわちインダクタンス、キャパシタンス、抵抗値からの選択が可能な電気的受動素子が支持体基板内に集積されるように構造化することも可能である。そのようにすれば、回路構造部やネットワーク、適応回路を支持体基板内に集積化することが可能となる。

図６には支持体基板４上での複数の基板１５の配置構成が破断図で示されている。これらの基板１５は、ＬＴＣＣのみからなる基板（図の右端に示されている基板参照）と、ＬＴＣＣ及び場合によってガラス薄膜層５を備えた多層積層部からなる基板（図の中央に示されている基板参照）と、場合によってガラス薄膜層５を備えた多層積層部のみからなる基板（図の左端に示されている基板参照）とからなっている。これらの基板は適正な配置の中で支持体基板４と接続される。基板１５上と支持体基板４上には構成素子１か又は構成素子構造部支持チップ２が任意に配設可能である。

この構造のもとでは、本発明による構成素子装置において２つの材料の緊迫のない結合を保証するために、ガラス薄膜層５とＬＴＣＣのほぼ同じ膨張係数が用いられている。基板１５と支持体基板４上には、能動素子や受動素子１が配設可能である。膨張係数の調整によって基板１５と支持体基板４の間のアンダーフィルの通常のプロセスステップはもはや必要ない。支持体基板４にも多層基板１５と同じように種々の受動素子や構成素子が集積されていてもよい（インダクタンス、キャパシタンス、抵抗など）。インダクタンス構造部や構成要素は例えば写真技術によって銅から生成され得る。それにより僅かな電気抵抗、例えばインダクタンスが保証される。

図７には、基板１５の実施形態が断面図で示されている。この基板１５は多数のＬＴＣＣ層１４と複数のガラス薄膜層５を含んでいる。ガラス薄膜層５が配設されている基板側には構成素子１が被着されている。反対側若しくは別の側にはコンタクト要素１６が配設されている。全てのＬＴＣＣ層の間並びに全てのガラス薄膜層の間には電気的な接続線路や集積された受動素子で実現され得る構造化された金属化面が設けられていてもよい。これらの種々異なる金属化面は貫通コンタクトによって相互接続され得る。

なおその他の可能な金属化部２２，導体路３，介在層６，貫通コンタクト７、金属性コンタクト面８、バンプ、マスク層１０，カバー層１１、ＵＢＭ１８は図を見やすくするためにここでは示されていない。

本発明による構成素子装置の断面図 異なる層を備えた本発明による別の構成素子装置の断面図 複数のガラス薄膜層からなる支持体基板上の本発明による構成素子装置の断面図 複数のガラス薄膜層と切欠きからなる支持体基板上の本発明による構成素子装置の断面図 複数のガラス薄膜層と金属性カバー層からなる支持体基板上の本発明による構成素子装置の断面図 複数のガラス薄膜層からなる支持体基板上の基板のモジュール構造形式を示した図 複数のガラス薄膜層からなる支持体基板上の構成素子の配置構成を示した図

符号の説明

１ 構成素子
２ 構成素子構造部支持チップ
３ 導体路
４ 支持体基板
５ ガラス薄膜層
６ 介在層
７ 貫通コンタクト
８ａ,ｂ 下方及び上方の金属性コンタクト面
９ バンプ
１０ マスク層
１１ カバー層
１２ 介在層若しくはガラス薄膜層上の載置面
１３ 構成素子装置
１４ 低温コファイヤーセラミック
１５ 基板
１６ コンタクト要素
１７ 切欠き
１８ アンダーバンプメタライジング
１９ アースコネクタを備えた金属化部
２０ 下方側
２１ 上方側
２３ 金属化部

Claims (22)

1. １つの支持体基板（４）と該基板上に配設された少なくとも１つの構成素子（１）を備えた構成素子装置（１３）において、
   前記支持体基板（４）が少なくとも１つのガラス薄膜層（５）と、該ガラス薄膜層（５）に少なくとも片側が被着されている介在層（６）をふくんでおり、前記構成素子（１）は支持体基板（４）上に配設されたカバー層（１１）によって覆われ気密に構成されていることを特徴とする構成素子装置。
2. 前記支持体基板（４）は、ガラス薄膜層（５）と少なくとも１つのＬＴＣＣ層からなる結合部を含んでいる、請求項１記載の構成素子装置。
3. 前記構成素子（１）は多層基板（１５）を含み、該多層基板（１５）は支持体基板（４）上に固定されている、請求項１または２記載の構成素子装置。
4. 前記多層基板（１５）は少なくとも１つのガラス薄膜層（５）を含んでいる、請求項３記載の構成素子装置。
5. 前記多層基板（１５）は少なくとも１つのＬＴＣＣ層（１４）を有している、請求項３または４記載の構成素子装置。
6. 前記構成素子（１）はモジュールとして構成されている、請求項１から５いずれか１項記載の構成素子装置。
7. 前記構成素子（１）はガラス薄膜層（５）上に被着されている、請求項１から６いずれか１項記載の構成素子装置。
8. 前記構成素子（１）は構成素子構造部支持チップ（２）を含んでいる、請求項１から７いずれか１項記載の構成素子装置。
9. 前記構成素子（１）は表面波構成素子支持チップを含んでいる、請求項１から８いずれか１項記載の構成素子装置。
10. 少なくとも１つのカバー層（１１）が金属特性を有している、請求項１から９いずれか１項記載の構成素子装置。
11. 前記カバー層（１１）は反応性樹脂からなるグローブトップを含んでいる、請求項１から１０いずれか１項記載の構成素子装置。
12. 前記支持体基板（４）の下方側若しくは構成素子（１）と導電的に接続されている基板（１５）の下方側にコンタクト要素（１６）を有している、請求項１から１１いずれか１項記載の構成素子装置。
13. 前記支持体基板（４）は貫通コンタクト（７）を有し、該貫通コンタクトは、構成素子１が被着されている第１の側から第２の側のコンタクト要素（１６）の方向に延在している、請求項１から１２いずれか１項記載の構成素子装置。
14. 前記支持体基板（４）は貫通コンタクト（７）を有し、該貫通コンタクトは少なくとも２つのガラス薄膜層（５）を貫通して延在しており、この場合相互にずらされてそれぞれのガラス薄膜層（５）を貫通してコンタクト層（１６）まで延在している、請求項１から１３いずれか１項記載の構成素子装置。
15. 前記支持体基板（４）は第１の形式の少なくとも１つの金属性コンタクト面（８）を有しており、前記構成素子（１）は第２の形式の少なくとも１つの金属性コンタクト面（８）を有しており、前記支持体基板（４）の第１の形式の少なくとも１つの金属性コンタクト面（８）と前記構成素子（１）の第２の形式の少なくとも１つの金属性コンタクト面（８）の間でバンプ（９）を用いて電気的な接続が形成されている、請求項１から１４いずれか１項記載の構成素子装置。
16. 前記構成素子（１）と支持体基板（４）の間若しくは前記構成素子（１）と基板（１５）の間に中空室（２３）を有しており、該中空室（２３）に対しては前記構成素子（１）の輪郭の経過に沿って密閉性を備えている、請求項１から１５いずれか１項記載の構成素子装置。
17. 第１の形式の金属性コンタクト面（８）はバンプ（９）周りの領域においてマスク層（１０）によって覆われている、請求項１から１６いずれか１項記載の構成素子装置。
18. 構成素子（１）の輪郭に沿って延在する切欠き（１７）と少なくとも２つのガラス薄膜層（５）を備えた支持体基板（４）と、金属特性を備えたカバー層（１１）とを有しており、この場合前記切欠き（１７）は、第１のガラス薄膜層（５）を貫通して構成素子（１）とは反対側の載置面（１２）まで延在しており、該載置面（１２）は第２のガラス薄膜層（５）によって形成されており、前記載置面の上には金属化部（２２）が配設されており、さらにカバー層（１１）が前記載置面（１２）上の金属化部（２２）と導電的に接続されている、請求項１から１７いずれか１項記載の構成素子装置。
19. 前記構成素子（１）に直接隣接するガラス薄膜層（５）の厚さはそのつどのさらなるガラス薄膜層（５）の厚さよりも薄い、請求項１から１８いずれか１項記載の構成素子装置。
20. 隣接するさらなるガラス薄膜層（５）の厚さは、５０〜１００μｍである、請求項１から１９いずれか１項記載の構成素子装置。
21. 前記構成素子（１）のアース接続部（１９）のコンタクトが金属特性を備えたカバー層（１１）と載置面（１２）上に配設された金属化部（２２）に導電的に接続されている、請求項１から２０いずれか１項記載の構成素子装置。
22. 構成素子（１，２）のための支持体基板（４）若しくは基板（１５）が多層構造であり、前記支持体基板または基板内に複数の受動素子が集積されており、前記受動動素子は、構成素子と導電的に接続され１つの回路構造を形成している、請求項１から２１いずれか１項記載の構成素子装置。

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