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JP2008310249A - 近接スキャン露光装置及びその制御方法 - Google Patents

近接スキャン露光装置及びその制御方法 Download PDF

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JP2008310249A JP2007160256A JP2007160256A JP2008310249A JP 2008310249 A JP2008310249 A JP 2008310249A JP 2007160256 A JP2007160256 A JP 2007160256A JP 2007160256 A JP2007160256 A JP 2007160256A JP 2008310249 A JP2008310249 A JP 2008310249A
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Abstract

【課題】浮上ユニットによって浮上・支持される基板の浮上量を精度よく制御して、露光精度を向上させることができる近接スキャン露光装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】近接スキャン露光装置1は、基板Wを浮上・支持する浮上ユニット16及び基板駆動ユニット17を備える基板搬送機構10と、マスクMを保持するマスク保持部11と、基板Wの浮上量を検出する基板ギャップセンサ60とを備え、基板ギャップセンサ60によって検出された基板Wの浮上量と目標浮上量との差に基づいて制御部15が浮上ユニット16のエア流量及びエア圧力を調節し、基板Wの浮上量を精度よく制御する。
【選択図】図1

Description

本発明は、近接スキャン露光装置及びその制御方法に関し、より詳細には、浮上ユニットによって浮上・保持される基板の浮上量が目標浮上量となるように制御しながら露光する近接スキャン露光装置及びその制御方法に関する。
従来、大型の薄形テレビ等に用いられる液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の大型のフラットパネルディスプレイの製造方法として、基板を搬送しながら、基板上にマスクのパターンを露光転写するものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1に記載の露光装置では、基板の下側で、排気孔から気体を噴出及び吸気孔から噴出気体を吸引する吸排気エアパッド上で基板を浮上させ、この基板の一端を把持する基板駆動ユニットによって基板を一定方向に搬送しながら、露光する。
特開2007−72267号公報
ところで、基板と吸排気エアパッド間の距離が大きく変化すると、露光時に吸排気エアパッドからの反射光量がばらついて、露光むらや解像度低下等、露光精度が低下する。特許文献1に記載の露光装置は、空気等の気体によって吸排気エアパッド上で浮上する基板の側縁部を、一対のグリップを有する基板把持部で把持して所定の方向に搬送する。吸排気エアパッド上での基板の浮上量は、気体供給装置と気体吸引装置の動作を制御して排気孔からの気体の噴出圧と吸気孔からの吸気圧の調節により行われている。しかし、基板の浮上量を所定の浮上量に維持するための具体的制御方法については記載されていない。
また、基板の浮上量を制御するだけでは、基板の板厚にばらつきがある場合、これに対応することができず、マスクと基板上面とのギャップが変動して露光精度に悪影響を及ぼす問題があった。特に、全ての吸排気エアパッドの吸気孔が単一の吸気圧に、全ての吸排気エアパッドの排気孔が単一の排気圧に調節されているため、単一基板内での板厚にばらつきがある場合にも対応できないという問題がある。
本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、浮上ユニットによって浮上する基板の浮上量を精度よく制御して、露光精度を向上させることができる近接スキャン露光装置及びその制御方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
(1) 基板を浮上させて支持する浮上ユニット、及び該基板を把持しながら所定方向に搬送する基板駆動ユニットを備える基板搬送機構と、マスクを保持するマスク保持部と、前記基板搬送機構に搬送される前記基板の浮上量を検出するセンサと、を備え、前記マスクに近接しながら所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンを露光する近接スキャン露光装置の制御方法であって、
前記センサによって前記基板の浮上量を検出する工程と、
前記検出された基板の浮上量と目標浮上量との差が許容値を越えている時、前記浮上ユニットのエア流量とエア圧力の少なくとも一方を制御する工程と、
を備えることを特徴とする近接スキャン露光装置の制御方法。
(2) 前記センサによって前記基板の板厚を検出する工程と、
前記基板の浮上量と前記検出された基板の板厚に基づいて、前記基板と前記マスクとのギャップを補正するように、前記マスク保持部を移動するためのマスク駆動部を駆動する工程と、
を備えることを特徴とする(1)に記載の近接スキャン露光装置の制御方法。
(3) マスクに近接しながら所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンを露光する近接スキャン露光装置であって、
前記基板を浮上させて支持する浮上ユニット、及び該基板を把持しながら所定方向に搬送する基板駆動ユニットを備える基板搬送機構と、
前記マスクを保持するマスク保持部と、
前記基板搬送機構に搬送される前記基板の浮上量を検出するセンサと、
前記センサによって前記基板の浮上量を検出し、前記検出された基板の浮上量と目標浮上量との差が許容値を越えている時、前記浮上ユニットのエア流量とエア圧力の少なくとも一方を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする近接スキャン露光装置。
本発明の近接スキャン露光装置及びその制御方法によれば、基板搬送機構によって搬送されると共に、浮上ユニット上で浮上されて支持される基板の浮上量をセンサで検出し、検出された基板の浮上量と目標浮上量との差が許容値を越えている時、浮上ユニットのエア流量とエア圧力の少なくとも一方を制御するようにした。これにより、基板の浮上量を目標浮上量の許容値内に基板を精度よく支持することができ、露光精度の向上を図ることができる。
また、センサによって基板の板厚を検出し、基板の浮上量と基板の板厚に基づいて、マスク保持部を移動するためのマスク駆動部を駆動して、基板とマスクとのギャップを補正するようにしたので、基板の板厚が変動した場合にも、変動を吸収して精度の高い露光を行うことができる。
以下、本発明に係る近接スキャン露光装置及びその制御方法の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
先ず、本実施形態の近接スキャン露光装置1の構成について概略説明する。図1及び図2に示すように、本実施形態の近接スキャン露光装置1は、基板(カラーフィルタ基板)Wを浮上させて支持すると共に、所定方向(図1のX方向)に搬送する基板搬送機構10と、複数のマスクMをそれぞれ保持し、所定方向と交差する方向(図1のY方向)に沿って千鳥状に二列配置された複数(図1に示す実施形態において、左右それぞれ6個)のマスク保持部11と、マスク保持部11を移動するためのマスク駆動部12と、複数のマスク保持部11の上部にそれぞれ配置されて露光用光を照射する複数の照射部14と、近接スキャン露光装置1の各作動部分の動きを制御する制御部15と、を主に備える。
基板搬送機構10は、基板WをX方向に搬送する領域、即ち、複数のマスク保持部11の下方領域、及びその下方領域からX方向両側に亘る領域に設けられた浮上ユニット16と、基板WのY方向一側(図1において上辺)を保持してX方向に搬送する基板駆動ユニット17とを備える。浮上ユニット16は、複数のフレーム19上にそれぞれ設けられた複数の排気エアパッド20及び吸排気エアパッド21を備え、ポンプ45,55やソレノイドバルブ44,54を介して排気エアパッド20や吸排気エアパッド21からエアを排気或いは、吸排気する。基板駆動ユニット17は、図1に示すように、浮上ユニット16によって浮上、支持された基板Wの一端を保持する吸着パッド22を備え、モータ23、ボールねじ24、及びナット(図示せず)からなるボールねじ機構25によって、ガイドレール26に沿って基板WをX方向に搬送する。なお、図2に示すように、複数のフレーム19は、地面にレベルブロック18を介して設置された装置ベース27上に他のレベルブロック28を介して配置されている。また、基板Wは、ボールねじ機構25の代わりに、リニアサーボアクチュエータによって搬送されてもよい。
マスク駆動部12は、フレーム(図示せず)に取り付けられ、マスク保持部11をX方向に沿って駆動するX方向駆動部31と、X方向駆動部31の先端に取り付けられ、マスク保持部11をY方向に沿って駆動するY方向駆動部32と、Y方向駆動部32の先端に取り付けられ、マスク保持部11をθ方向(X,Y方向からなる水平面の法線回り)に回転駆動するθ方向駆動部33と、θ方向駆動部33の先端に取り付けられ、マスク保持部11をZ方向(X,Y方向からなる水平面の鉛直方向)に駆動するZ方向駆動部34と、を有する。これにより、Z方向駆動部34の先端に取り付けられたマスク保持部11は、マスク駆動部12によってX,Y,Z,θ方向に移動可能である。なお、X,Y,θ,Z方向駆動部31,32,33,34の配置の順序は、適宜変更可能である。
また、図1に示すように、千鳥状に二列配置された搬入側及び搬出側マスク保持部11a,11b間には、各マスク保持部11a,11bのマスクMを同時に交換可能なマスクチェンジャー2が配設されている。マスクチェンジャー2により搬送される使用済み或いは未使用のマスクMは、マスクストッカ3,4との間でローダー5により受け渡しが行われる。なお、マスクストッカ3,4とマスクチェンジャー2とで受け渡しが行われる間にマスクプリアライメント機構(図示せず)によってマスクMのプリアライメントが行われる。
図2に示すように、マスク保持部11の上部に配置される照射部14は、光源6、ミラー7、オプチカルインテグレータ(図示せず)、シャッター(図示せず)等を備える。光源6としては、紫外線を含んだ露光用光ELを放射する、例えば超高圧水銀ランプ、キセノンランプ又は紫外線発光レーザが使用される。
このような近接スキャン露光装置1は、浮上ユニット16の排気エアパッド20及び吸排気エアパッド21の空気流によって基板Wを浮上させて保持し、基板Wの一端を基板駆動ユニット17で吸着してX方向に搬送する。そして、マスク保持部11の下方に位置する基板Wに対して、照射部14からの露光用光ELがマスクMを介して照射され、マスクMのパターンを基板Wに塗布されたカラーレジストに転写する。
ここで、図3に示すように、浮上ユニット16のうち、吸排気エアパッド21は、搬送される基板Wと対向する上面に複数の開口を有すると共に、互いに連通する排気孔41と、同じく、搬送される基板Wと対向する上面に複数の開口を有すると共に、互いに連通する吸気孔51と、を備える。
排気孔41は、エア圧力及びエア流量を調整すべく開度調節可能な正圧制御弁44と、正圧ポンプ45とに接続されており、吸排気エアパッド21と正圧制御弁44との間には、排気孔41に供給される圧縮空気のエア圧力を検出する圧力センサ42と、排気孔41に供給される圧縮空気のエア流量を検出する流量センサ43とが配置されている。吸気孔51は、エア圧力及びエア流量を調整すべく開度調節可能な真空圧制御弁54と、真空圧ポンプ55とに接続されており、吸排気エアパッド21と真空圧制御弁54との間には、吸気孔51から吸引されるエア圧力を検出する圧力センサ52と、吸気孔51から吸引されるエア流量を検出する流量センサ53とが配置されている。なお、正圧ポンプ45及び真空圧ポンプ55は、吸排気エアパッド21毎に設けずに、単一の正圧ポンプ45及び単一の真空圧ポンプ55を共有してもよく、或いは、吸排気エアパッド21をグループ化して、グループ毎に設けても良い。
また、図1及び図4に示すように、マスク保持部11より基板搬入側で、搬送される基板Wの下方には、基板ギャップセンサ60がY方向に沿って複数配置されており、また、各マスク保持部11の上方には、マスクギャップセンサ61がそれぞれ配置されている。
基板ギャップセンサ60は、搬送される基板Wの下面Wb及び上面Waの位置を検出するためのものであり、例えば、光を照射して基板Wの下面Wb及び上面Waから反射する反射光を検出する光学センサである。基板ギャップセンサ60は、フレーム19に固定されているので、基板Wの下面Wbの位置を検出することによって浮上ユニット16と基板WとのギャップG1、即ち基板Wの浮上量を検出する。また、基板Wの下面Wbの位置と上面Waの位置との差から、基板Wの厚さtが求められる。
マスクギャップセンサ61は、基板ギャップセンサ60と同様に、例えば、照射した光の反射光を検出する光学センサであり、マスク保持部11によって保持されたマスクMの上面Maの位置と下面Mbの位置、及び基板Wの上面Waの位置を、マスクMの非露光領域にて検出する。また、検出されたマスクMの下面MSの位置及び基板Wの上面Waの位置から、マスクMと基板WとのギャップG2が求められる。
従って、制御部15は、基板ギャップセンサ60によって検出される基板Wと浮上ユニット16間の浮上量G1に基づいて、基板Wの浮上量G1が目標浮上量となるように、圧力センサ42、52及び流量センサ43、53によって排気及び吸気される空気のエア圧力及びエア流量を検出しながら、所定のエア圧力及びエア流量となるようにソレノイドバルブを電気信号により開閉制御する。これにより、基板Wと浮上ユニット16との間の流体圧バランスが調整され、基板Wの浮上量が目標浮上量となるように制御する。
以下、基板Wの浮上量の具体的な制御について、図5〜図9を参照して説明する。まず、マスク保持部11より搬入側で、排気エアパッド20によって浮上・支持された基板Wが基板駆動ユニット17によってマスク保持部11に向けて搬送される。そして、マスク保持部11より搬入側の吸排気エアパッド21上で、排気孔41及び吸気孔51によって吸排気を行うことで、基板Wと浮上ユニット16との間の流体圧バランスを調整して基板Wを浮上させる。
尚、吸排気エアパッド21の排気孔41及び吸気孔51のエア圧力、エア流量は、予め実際の基板Wを用いて実測により求められた、図9に示す、基板浮上量とエア圧力、エア流量との浮上特性データから、目標とする浮上量に相当するエア圧力、エア流量とされる。この浮上特性データは、実測により求められるので、計算では算出できない、配管の引き回しによる抵抗分、即ち、配管の長さや曲げによる損失分を含めた相対関係を把握することができる。
そして、図5及び図7に示すように、基板Wが搬送されて基板ギャップセンサ60の位置に達すると、基板ギャップセンサ60が基板Wの下面Wbの位置(1層目)及び上面Waの位置(2層目)を検出して取り込み(ステップS1)、基板Wの浮上量G1と基板Wの板厚tとを演算により求める(ステップS2)。求められた浮上量G1が異常か否かを判別し(ステップS3)、異常であれば浮上量エラーと判断してマスク駆動部12のZ方向駆動部34を作動させてマスク保持部11を退避させ、基板WとマスクMとの干渉を防止すると共に、基板駆動ユニット17による基板Wの搬送を中止するなどの処置を行って、基板W及びマスクMの損傷を防止する(ステップS4)。
浮上量が正常であれば、浮上量が目標浮上量に対して許容値内にあるかが判断され(ステップS5)、許容値内であれば制御カウンタ値をクリアし(ステップS6)、更に、基板Wの板厚tが許容値内にあるか否かを判断する(ステップS7)。板厚tが許容値内になければ、基板WはZ方向駆動部34にて補正不能な板厚であると判断し、基板板厚エラー処理とする(ステップS8)。また、基板Wの板厚tが許容値内であれば、検出された基板Wの浮上量と板厚tに基づいてマスク駆動部12のZ方向駆動部34を作動させ、基板WとマスクMとのギャップG2が所定の露光ギャップとなるように補正する(ステップS9)。これにより、基板Wの浮上量G1及び板厚tが変動しても、該変動分の誤差を吸収することができる。
さらに、ステップS5において、浮上量G1が許容値内にないと判断されると、浮上量制御カウンタをインクリメントした後(ステップS10)、浮上量制御カウンタ値が許容値内にあるかが判断される(ステップS11)。浮上量制御カウンタ値が許容値内になければ、後述する浮上量制御を行っても目標浮上量に制御されないと判断して、浮上量制御不能エラー処理とする(ステップS12)。
一方、浮上量制御カウンタ値が許容値内であれば、浮上量制御シーケンスに移行する。具体的に、該シーケンスでは、図8に示すように、基板ギャップセンサ60で実測された基板Wの浮上量を確認し(ステップS13)、目標浮上量との差から、補正すべき浮上量に対応するエア圧力及びエア流量を求める(ステップS14)。
そして、制御部15は、圧力センサ42、52及び流量センサ43、53によって排気孔41及び吸気孔51から排気及び吸気される空気のエア圧力及びエア流量を検出しながら、所定のエア圧力及びエア流量となるようにソレノイドバルブを開閉してエア圧力及びエア流量を制御する(ステップS15)。
次いで、エア流量が許容範囲内にあるかを判断し(ステップS16)、許容範囲から外れているとエア流量エラー処理を行い(ステップS17)、許容範囲内であればエア圧力が許容範囲内にあるかが判断される(ステップS18)。そして、許容範囲から外れているとエア圧力エラー処理を行い(ステップS19)、許容範囲内であれば再びステップS1の前に戻って、同様の制御が繰り返し行われる。なお、上述する基板板厚エラー処理、浮上量制御不能エラー処理、エア流量エラー処理、エア圧力エラー処理は、上述した浮上量エラー処理と同様、Z方向駆動部34を作動させてマスク保持部11を退避させると共に、基板駆動ユニット17による基板Wの搬送を中止する等の処置を行う。
これにより、吸排気エアパッド21の排気孔41及び吸気孔51から排気、また吸気される空気の圧力、流量が制御されて、基板Wが目標浮上量に精度よく制御されながらマスクMの下方位置に搬送される。
また、図6に示すように、基板Wがマスクギャップセンサ61の位置に達すると、マスクギャップセンサ61が基板Wの上面Waの位置とマスクMの下面MSの位置とを検出して、基板WとマスクMの間のギャップG2を求める。そして、制御部15は、マスクギャップセンサ61によって得られたギャップG2が所定の露光ギャップとなるように、マスク駆動部12のZ方向駆動部34を作動させてマスク保持部11を移動させる。その後、照射部14からマスクMを介して露光用光ELを照射してマスクMのパターンを基板Wに露光転写する。
また、基板ギャップセンサ60は、Y方向に沿って複数配置されているので、各基板ギャップセンサ60で得られた浮上量G1及び基板の板厚tは、基板ギャップセンサ60が位置するY方向位置に対応する各吸排気エアパッド21のエア流量及びエア圧力制御と、基板WとマスクMとのギャップ制御に利用される。従って、吸排気エアパッド21毎に基板Wの浮上量を可変可能であり、露光結果により基板浮上量に起因する露光ムラに対して、基板Wの浮上量を変更して対応することが可能となる。また、少なくとも3箇所の吸排気エアパッドのエア流量及びエア圧力を制御することで、マスク保持部11にチルト機構を設けなくても、基板Wのチルト補正を行うことができる。さらに、基板WのY方向の板厚にばらつきがある場合にも、各マスク保持部11のZ方向駆動部34を駆動して、均一ギャップにて露光することができ、露光精度を向上することができる。
本実施形態の近接スキャン露光装置1及びその制御方法によれば、基板搬送機構10によって搬送されると共に、浮上ユニット16上で浮上されて支持される基板Wの浮上量G1を基板ギャップセンサ60で検出し、検出された基板Wの浮上量G1と目標浮上量との差が許容値を越えている時、浮上ユニット16のエア流量及びエア圧力を制御するようにしたので、基板Wを目標浮上量の許容値内に精度よく支持することができる。これにより、露光精度の向上を図ることができる。
また、基板ギャップセンサ60によって基板Wの板厚tを検出し、基板Wの浮上量G1と基板Wの板厚tに基づいて、マスク保持部11を移動するためのマスク駆動部12を駆動して、基板WとマスクMとのギャップG2を補正するようにしたので、基板Wの板厚tが変動した場合にも、変動を吸収して精度の高い露光を行うことができる。
尚、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。例えば、上記実施形態においては、基板Wがカラーフィルタ基板である場合について述べたが、これに限られず、所定の露光パターンを形成するものであれば半導体基板等如何なるものであってもよい。
また、上記実施形態においては、正圧制御弁44、真空圧制御弁54は、エア流量とエア圧力のいずれかを制御するものであってもよい。
本発明の実施形態であるスキャン露光装置の平面図である。 図1におけるスキャン露光装置の正面図である。 基板を浮上・支持する浮上ユニットの概略構成を示す説明図である。 基板ギャップセンサ及びマスクギャップセンサの位置関係を示す模式図である。 基板ギャップセンサによって搬送される基板の浮上量が検出される状態を示す模式図である。 マスクギャップセンサによってマスク及び基板間のギャップが検出される状態を示す模式図である。 浮上ユニットからのエア圧力及びエア流量を制御して基板の浮上量を制御する手順を示すフローチャートである。 浮上ユニットからのエア圧力及びエア流量を制御して基板の浮上量を制御する手順を示すフローチャートである。 基板の浮上量と、エア流量及びエア圧力との浮上特性データを示すテーブルである。
符号の説明
1 近接スキャン露光装置
10 基板搬送機構
11 マスク保持部
12 マスク駆動部
15 制御部
16 浮上ユニット
17 基板駆動ユニット
60 基板ギャップセンサ(センサ)
EL 露光用光
G1 浮上ユニットと基板とのギャップ(浮上量)
G2 基板とマスクとのギャップ
M マスク
t 基板の板厚
W 基板

Claims (3)

  1. 基板を浮上させて支持する浮上ユニット、及び該基板を把持しながら所定方向に搬送する基板駆動ユニットを備える基板搬送機構と、マスクを保持するマスク保持部と、前記基板搬送機構に搬送される前記基板の浮上量を検出するセンサと、を備え、前記マスクに近接しながら所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンを露光する近接スキャン露光装置の制御方法であって、
    前記センサによって前記基板の浮上量を検出する工程と、
    前記検出された基板の浮上量と目標浮上量との差が許容値を越えている時、前記浮上ユニットのエア流量とエア圧力の少なくとも一方を制御する工程と、
    を備えることを特徴とする近接スキャン露光装置の制御方法。
  2. 前記センサによって前記基板の板厚を検出する工程と、
    前記基板の浮上量と前記検出された基板の板厚に基づいて、前記基板と前記マスクとのギャップを補正するように、前記マスク保持部を移動するためのマスク駆動部を駆動する工程と、
    を備えることを特徴とする請求項1に記載の近接スキャン露光装置の制御方法。
  3. マスクに近接しながら所定方向に搬送される基板に対して前記マスクを介して露光用光を照射し、前記基板に前記マスクのパターンを露光する近接スキャン露光装置であって、
    前記基板を浮上させて支持する浮上ユニット、及び該基板を把持しながら所定方向に搬送する基板駆動ユニットを備える基板搬送機構と、
    前記マスクを保持するマスク保持部と、
    前記基板搬送機構に搬送される前記基板の浮上量を検出するセンサと、
    前記センサによって前記基板の浮上量を検出し、前記検出された基板の浮上量と目標浮上量との差が許容値を越えている時、前記浮上ユニットのエア流量とエア圧力の少なくとも一方を制御する制御部と、
    を備えることを特徴とする近接スキャン露光装置。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008310163A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Nsk Ltd 近接スキャン露光装置及びその照度制御方法
JP2010249890A (ja) * 2009-04-13 2010-11-04 Nikon Corp 位置合わせ装置、位置合わせ方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2011210985A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置および基板処理装置
JP2012044052A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
WO2012036252A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-22 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, device manufacturing method, flat-panel display manufacturing method, and object exchange method
JP2012134419A (ja) * 2010-12-24 2012-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置及び塗布方法
JP2014067765A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Toray Eng Co Ltd 基板浮上装置および基板浮上量測定方法
EP2752870A1 (en) * 2013-01-04 2014-07-09 Süss Microtec Lithography GmbH Chuck, in particular for use in a mask aligner
JP2016085439A (ja) * 2014-05-08 2016-05-19 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置
JP2017089894A (ja) * 2016-12-07 2017-05-25 株式会社日本製鋼所 ガス浮上ワーク支持装置
JP2017126011A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 株式会社東芝 露光装置
KR101790787B1 (ko) * 2010-02-24 2017-11-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치
WO2017221229A1 (en) 2016-06-21 2017-12-28 Core Flow Ltd. Noncontact support platform with edge lifting
JP2018147977A (ja) * 2017-03-03 2018-09-20 株式会社Screenホールディングス 浮上量算出装置、塗布装置および塗布方法
US10147625B2 (en) 2015-02-27 2018-12-04 The Japan Steel Works, Ltd. Gas floated workpiece supporting apparatus and noncontact workpiece support method
WO2019192681A1 (en) * 2018-04-03 2019-10-10 Applied Materials, Inc. Apparatus, system and method for aligning a substrate
KR102278091B1 (ko) * 2021-03-26 2021-07-16 (주)코썸사이언스 롤투롤 레이저 가공장치
JP2021526314A (ja) * 2018-06-10 2021-09-30 コア フロー リミテッド 非接触支持プラットフォーム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11194501A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Dainippon Printing Co Ltd プロキシミティー露光装置、およびプロキシミティー露光装置におけるギャップ調整方法
JP2007072267A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Sumitomo Chemical Co Ltd 露光装置
JP2007073876A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 V Technology Co Ltd ワークステージ及び露光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11194501A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Dainippon Printing Co Ltd プロキシミティー露光装置、およびプロキシミティー露光装置におけるギャップ調整方法
JP2007072267A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Sumitomo Chemical Co Ltd 露光装置
JP2007073876A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 V Technology Co Ltd ワークステージ及び露光装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008310163A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Nsk Ltd 近接スキャン露光装置及びその照度制御方法
JP2010249890A (ja) * 2009-04-13 2010-11-04 Nikon Corp 位置合わせ装置、位置合わせ方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
KR101790787B1 (ko) * 2010-02-24 2017-11-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치
JP2011210985A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置および基板処理装置
JP2012044052A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
JP2020038392A (ja) * 2010-09-13 2020-03-12 株式会社ニコン 移動体装置、物体処理装置、露光装置、デバイス製造方法、フラットパネル製造方法、物体交換方法、及び露光方法
WO2012036252A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-22 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, device manufacturing method, flat-panel display manufacturing method, and object exchange method
JP2012060134A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Nikon Corp 移動体装置、露光装置、デバイス製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及び物体交換方法
JP2012134419A (ja) * 2010-12-24 2012-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置及び塗布方法
JP2014067765A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Toray Eng Co Ltd 基板浮上装置および基板浮上量測定方法
WO2014106557A1 (en) 2013-01-04 2014-07-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Chuck, in particular for use in a mask aligner
JP2016503965A (ja) * 2013-01-04 2016-02-08 スス マイクロテク リソグラフィー,ゲーエムベーハー 特にマスクアライナーにおいて用いられるチャック
EP2752870A1 (en) * 2013-01-04 2014-07-09 Süss Microtec Lithography GmbH Chuck, in particular for use in a mask aligner
US9824909B2 (en) 2013-01-04 2017-11-21 Suss Microtec Lithography Gmbh Chuck, in particular for use in a mask aligner
JP2016085439A (ja) * 2014-05-08 2016-05-19 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置
US10147625B2 (en) 2015-02-27 2018-12-04 The Japan Steel Works, Ltd. Gas floated workpiece supporting apparatus and noncontact workpiece support method
US10418262B2 (en) 2015-02-27 2019-09-17 The Japan Steel Works, Ltd. Gas floated workpiece supporting apparatus and noncontact workpiece support method
JP2017126011A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 株式会社東芝 露光装置
WO2017221229A1 (en) 2016-06-21 2017-12-28 Core Flow Ltd. Noncontact support platform with edge lifting
CN109311606A (zh) * 2016-06-21 2019-02-05 科福罗有限公司 具有边缘提升的非接触支撑平台
EP3472077A4 (en) * 2016-06-21 2020-03-04 Coreflow Ltd CONTACTLESS CARRIER PLATFORM WITH CAT LIFT
US10689209B2 (en) 2016-06-21 2020-06-23 Core Flow Ltd. Noncontact support platform with edge lifting
JP2017089894A (ja) * 2016-12-07 2017-05-25 株式会社日本製鋼所 ガス浮上ワーク支持装置
JP2018147977A (ja) * 2017-03-03 2018-09-20 株式会社Screenホールディングス 浮上量算出装置、塗布装置および塗布方法
WO2019192681A1 (en) * 2018-04-03 2019-10-10 Applied Materials, Inc. Apparatus, system and method for aligning a substrate
JP2021526314A (ja) * 2018-06-10 2021-09-30 コア フロー リミテッド 非接触支持プラットフォーム
KR102278091B1 (ko) * 2021-03-26 2021-07-16 (주)코썸사이언스 롤투롤 레이저 가공장치

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