JP2008304711A - 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 従来よりも良好な結像性能を確保し且つ反射鏡の大型化を抑えつつ、例えば０．２６よりも大きな像側開口数を確保することのできる６枚ミラー反射型の投影光学系。
【解決手段】 第１面（４）の縮小像を第２面（７）上に形成する本発明の投影光学系は、第１面の中間像を形成する第１反射結像光学系Ｇ１と、最終縮小像を第２面上に形成する第２反射結像光学系Ｇ２とを備えている。第１反射結像光学系Ｇ１は、第１凹面反射鏡Ｍ１と、第２凸面反射鏡Ｍ２と、第３凸面反射鏡Ｍ３と、第４凹面反射鏡Ｍ４とを有する。第２反射結像光学系Ｇ２は、第５凸面反射鏡Ｍ５と、第６凹面反射鏡Ｍ６とを有する。第２反射鏡Ｍ２から第３反射鏡Ｍ３へ至る光路中に開口絞りＡＳが設けられている。
【選択図】 図３

Description

本発明は、投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法に関し、例えばＸ線を用いてミラープロジェクション方式によりマスク上の回路パターンを感光性基板上に転写するＸ線投影露光装置に好適な反射型の投影光学系に関するものである。

従来、半導体素子などの製造に使用される露光装置として、Ｘ線を用いた露光装置が注目されている。露光光としてＸ線を用いる場合、使用可能な透過光学材料および屈折光学材料がなくなるため、反射型のマスクを用いるとともに、反射型の投影光学系を用いることになる。

従来、露光光としてＸ線を用いる露光装置に適用可能な投影光学系として、たとえば米国特許第５，８１５，３１０号明細書（特開平９−２１１３２２号公報に対応）、および
米国特許第６，１８３，０９５Ｂ１号明細書には、６枚の反射鏡からなる６枚ミラー反射型光学系が提案されている。

米国特許第５，８１５，３１０号明細書 米国特許第６，１８３，０９５Ｂ１号明細書

特許文献１および特許文献２の第１実施例に開示された従来の６枚ミラー反射型の投影光学系では像側開口数ＮＡが０．２５であるが、高解像度の達成のために、さらに良好な結像性能を確保しつつ像側開口数ＮＡをさらに増大させることが要望されている。

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、従来よりも良好な結像性能を確保し且つ反射鏡の大型化を抑えつつ、例えば０．２６よりも大きな像側開口数を確保することのできる６枚ミラー反射型の投影光学系を提供することを目的とする。また、本発明の投影光学系を露光装置に適用することにより、たとえば露光光としてＸ線を用いて大きな解像力を確保し、高解像度で投影露光を行うことのできる露光装置を提供することを目的とする。

前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、６つの反射鏡を備え、第１面の縮小像を第２面上に形成する投影光学系において、
前記第１面からの光に基づいて前記第１面の中間像を形成するための第１反射結像光学系Ｇ１と、前記中間像からの光に基づいて前記縮小像を前記第２面上に形成するための第２反射結像光学系Ｇ２とを備え、
前記第１反射結像光学系Ｇ１は、前記第１面からの光の入射順に、凹面状の反射面を有する第１反射鏡Ｍ１と、凸面状の反射面を有する第２反射鏡Ｍ２と、凸面状の反射面を有する第３反射鏡Ｍ３と、凹面状の反射面を有する第４反射鏡Ｍ４とを有し、
前記第２反射結像光学系Ｇ２は、前記中間像からの光の入射順に、凸面状の反射面を有する第５反射鏡Ｍ５と、凹面状の反射面を有する第６反射鏡Ｍ６とを有し、
前記第２反射鏡Ｍ２から前記第３反射鏡Ｍ３へ至る光路中に開口絞りが設けられ、
前記第５反射鏡Ｍ５の反射面から前記第６反射鏡Ｍ６の反射面までの光軸に沿った距離をＤ５６とし、前記第１面と前記第２面との間の軸上間隔をＴＴとするとき、
０．３３＜Ｄ５６／ＴＴ＜０．５２
の条件を満足する投影光学系を提供する。

本発明の第２形態では、前記第１面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターンを前記第２面に設定された感光性基板上へ投影するための第１形態の投影光学系とを備えている露光装置を提供する。

本発明の第３形態では、第２形態の露光装置を用いて前記マスクのパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、前記露光工程を経た前記感光性基板を現像する現像工程とを含むデバイス製造方法を提供する。

本発明の実施形態では、６枚ミラー反射型で２回結像型の投影光学系において、第２反射鏡Ｍ２から第３反射鏡Ｍ３へ至る光路中に開口絞りを設けるとともに、第５反射鏡Ｍ５の反射面から第６反射鏡Ｍ６の反射面までの光軸に沿った距離が所要の条件式を満たすように設定している。その結果、本発明の実施形態にかかる投影光学系では、従来よりも良好な結像性能を確保し且つ反射鏡の大型化を抑えつつ、例えば０．２６よりも大きな像側開口数を確保することができる。

また、本発明の投影光学系を露光装置に適用することにより、露光光としてＸ線を使用することができる。この場合、投影光学系に対してマスクおよび感光性基板を相対移動させて、マスクのパターンを感光性基板上へ高解像度で投影露光することになる。その結果、大きな解像力を有する走査型の露光装置を用いて、良好な露光条件のもとで、高精度なデバイスを製造することができる。

本発明の実施形態にかかる投影光学系は、６つの反射鏡Ｍ１〜Ｍ６を備え、第１面（物体面）からの光が、第１反射結像光学系Ｇ１を介して、第１面の中間像を形成する。第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成された中間像からの光は、第２反射結像光学系Ｇ２を介して、第１面の最終縮小像（中間像の像）を第２面（像面）上に形成する。すなわち、第１面の中間像が、第１反射結像光学系Ｇ１と第２反射結像光学系Ｇ２との間の光路中に形成される。

第１反射結像光学系Ｇ１は、第１面からの光の入射順に、第１凹面反射鏡Ｍ１と、第２凸面反射鏡Ｍ２と、第３凸面反射鏡Ｍ３と、第４凹面反射鏡Ｍ４とを有する。第２反射結像光学系Ｇ２は、中間像からの光の入射順に、第５凸面反射鏡Ｍ５と、第６凹面反射鏡Ｍ６とを有する。第２反射鏡Ｍ２から第３反射鏡Ｍ３へ至る光路中に、開口絞りＡＳが設けられている。

本発明の投影光学系では、上述のような６枚ミラー反射型で２回結像型の基本構成において、次の条件式（１）を満足する。条件式（１）において、Ｄ５６は第５反射鏡Ｍ５の反射面から第６反射鏡Ｍ６の反射面までの光軸に沿った距離であり、ＴＴは第１面と第２面との間の軸上間隔（すなわち物像間距離）である。
０．３３＜Ｄ５６／ＴＴ＜０．５２ （１）

条件式（１）の上限値を上回ると、距離Ｄ５６が大きくなり過ぎて、光学系が光軸方向（光軸に沿った方向）に大型化してしまう。条件式（１）の下限値を下回ると、距離Ｄ５６が小さくなり過ぎて、特に第５反射鏡Ｍ５の反射面および第６反射鏡Ｍ６の反射面への光線の最大入射角を小さく抑えることが困難になり、これらの反射面で発生する収差を抑制することが困難になるため、結像性能が低下し易い。

換言すれば、上述のような６枚ミラー反射型で２回結像型の基本構成において条件式（１）を満足することにより、特に第５反射鏡Ｍ５の反射面および第６反射鏡Ｍ６の反射面で発生する収差を小さく抑えて、従来よりも良好な結像性能を確保し且つ反射鏡の大型化を抑えつつ、例えば０．２６よりも大きな像側開口数を確保することができる。なお、本発明の効果を更に良好に発揮するには、条件式（１）の上限値を０．４５に設定することが好ましい。また、条件式（１）の下限値を０．３６に設定することが好ましい。

以下、本発明の特徴的構成および作用をさらに詳細に説明する。本発明の投影光学系では、第１面の縮小像を第２面上に２回結像で形成する構成を採用しているので、歪曲収差（ディストーション）の補正を良好に行うことができる。また、第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３との間の光路中に開口絞りＡＳを配置しているので、例えば第２反射鏡Ｍ２の反射面上に開口絞りＡＳを配置する構成に比して、光線の入射角が大きくなりがちな第３反射鏡Ｍ３への光線の入射角を小さく抑えることができ、収差の補正および反射膜の形成に有利である。

通常、上述のような６枚ミラー反射型の投影光学系では、光束の干渉を避けるために、開口絞りを反射鏡の反射面上またはその直前に配置するのが一般的である。その場合、開口絞りの配置に関する自由度がなく、その位置が限定されるので、上コマ（図４、図６のおけるメリディオナルコマ収差のうち図中右側の部分）と、下コマ（図４、図６におけるメリディオナルコマ収差のうち図中左側の部分）との収差のバランスがとり難くなる。

これに対し、本発明では、第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３との間の光路中において、第２反射鏡Ｍ２にも第３反射鏡Ｍ３にも近づき過ぎないような所要の位置に開口絞りＡＳを自由に配置することにより、上コマと下コマとの収差のバランスがとり易くなり、良好な像性能を得ることができる。また、開口絞りＡＳを挟む一対の反射鏡Ｍ２およびＭ３をともに凸面反射鏡とし、第１反射結像光学系Ｇ１における屈折力配置を開口絞りＡＳに関して対称に設定しているので、上コマと下コマとの収差のバランスがさらに取り易くなっている。

一般に、第１反射鏡Ｍ１と第２反射鏡Ｍ２との間あるいは第２反射鏡Ｍ２の反射面上に開口絞りを配置すると、第３反射鏡Ｍ３の後に配置される第４反射鏡Ｍ４の反射面上の光束の位置が光軸から離れるため、第４反射鏡Ｍ４の有効径が大きくなり過ぎることになる。本発明では、第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３との間の所要の位置に開口絞りＡＳを自由に配置することができるので、開口数の高い光学系にも拘わらず、物体側での光束の広がりを抑えることが可能になり、ひいては第４反射鏡Ｍ４の径方向の大型化を防ぐことが可能になる。本発明では、上述のような構成を採用することにより、反射鏡の最大有効径をできるだけ小さく抑えるとともに、有効な結像光束を遮ることなく各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６および開口絞りＡＳを適切に配置することができる。

以上のように、本発明の投影光学系では、第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３との間の光路中に開口絞りＡＳを配置しているので、光線の入射角が大きくなりがちな第３反射鏡Ｍ３への光線の入射角を小さく抑えることができる。その結果、特に第３反射鏡Ｍ３の反射面を形成する反射多層膜において、反射ムラが発生しにくく且つ十分に高い反射率を得ることができるので、Ｘ線に対しても良好な反射特性を確保することができる。また、第３反射鏡Ｍ３への光線の入射角を小さく抑えることにより、有効径が大きくなりがちな第４反射鏡Ｍ４の有効径を小さく抑えることができる。すなわち、本発明の投影光学系では、Ｘ線に対しても良好な反射特性を確保し、反射鏡の大型化を抑えつつ、収差補正を良好に行うことができる。

なお、本発明の投影光学系では、第２反射鏡Ｍ２から第３反射鏡Ｍ３へ至る光路中において、開口絞りＡＳの位置決めをする際、第１反射鏡Ｍ１の径と第４反射鏡Ｍ４の径との比にほぼ近くなるように、第２反射鏡Ｍ２から開口絞りまでの距離と、開口絞りから第３反射鏡Ｍ３までの距離との比を採るようにすることが好ましい。この構成により、上側コマと下側コマの発生を、バランス良くコントロールする事が出来、収差を良く補正する事が出来るのである。

また、本発明の投影光学系では、第６反射鏡Ｍ６の反射面の中心曲率半径（頂点曲率半径）の絶対値ＲＭ６が、次の条件式（２）を満足することが好ましい。
４７０ｍｍ＜ＲＭ６ （２）

条件式（２）の下限値を下回ると、第６反射鏡Ｍ６の反射面の中心曲率が大きくなり過ぎて、第６反射鏡Ｍ６の反射面で発生する収差を抑制することが困難になるので好ましくない。換言すれば、条件式（１）を満足する程度に第５反射鏡Ｍ５と第６反射鏡Ｍ６との間隔Ｄ５６を大きく確保することにより、条件式（２）を満足することが可能なり、第６反射鏡Ｍ６の反射面で発生する収差を小さく抑えて、良好な結像性能を確保することができる。なお、本発明の効果を更に良好に発揮するには、条件式（２）の下限値を４８０ｍｍに設定することが好ましい。

また、本発明の投影光学系では、次の条件式（３）を満足することが好ましい。条件式（３）において、φＭ４は第４反射鏡Ｍ４の有効径（直径）であり、Ｙ０は第２面における最大像高であり、ＮＡは第２面側（像側）の開口数である。ここで、第４反射鏡Ｍ４の有効径φＭ４は、第４反射鏡Ｍ４の反射領域（使用領域）に外接する、光軸を中心とした円の直径である。
φＭ４／（Ｙ０×ＮＡ）＜６８．０ （３）

条件式（３）の上限値を上回ると、最も大きな反射鏡である第４反射鏡Ｍ４の有効径φＭ４が大きくなり過ぎて、光学系が径方向（光軸と直交する方向）に大型化するので好ましくない。換言すれば、条件式（３）を満足することにより、第４反射鏡Ｍ４の有効径φＭ４を小さく抑えて、光学系を径方向に小型化することができる。なお、本発明の効果を更に良好に発揮するには、条件式（３）の上限値を６６．０に設定することが好ましい。

また、本発明の投影光学系では、次の条件式（４）を満足することが好ましい。条件式（４）において、ＲＭ４は第４反射鏡Ｍ４の反射面の中心曲率半径（頂点曲率半径）の絶対値である。また、上述したように、φＭ４は第４反射鏡Ｍ４の有効径であり、ＮＡは像側開口数である。
φＭ４／（ＲＭ４×ＮＡ）＜４．３ （４）

条件式（４）の上限値を上回ると、最も大きな反射鏡である第４反射鏡Ｍ４の有効径φＭ４が大きくなり過ぎて、光学系が径方向に大型化するので好ましくない。換言すれば、条件式（４）を満足することにより、第４反射鏡Ｍ４の有効径φＭ４を小さく抑えて、光学系を径方向に小型化することができる。なお、本発明の効果を更に良好に発揮するには、条件式（４）の上限値を４．０に設定することが好ましい。

また、本発明の投影光学系では、次の条件式（５）を満足することが好ましい。条件式（５）において、ＴＴは上述したように物像間距離であり、Ｙ０は上述したように最大像高である。
ＴＴ／Ｙ０＜３２．０ （５）

条件式（５）の上限値を上回ると、光学系の全長が大きくなり過ぎて、光学系が光軸方向に大型化するので好ましくない。換言すれば、条件式（５）を満足することにより、光学系の全長を小さく抑えて、光学系を光軸方向に小型化することができる。なお、本発明の効果を更に良好に発揮するには、条件式（５）の上限値を３．１に設定することが好ましい。

また、本発明の投影光学系では、次の条件式（６）を満足することが好ましい。条件式（６）において、ＴＴは上述したように物像間距離であり、ＲＭ４は上述したように第４反射鏡Ｍ４の反射面の中心曲率半径の絶対値である。
ＴＴ／ＲＭ４＜２．１ （６）

条件式（６）の上限値を上回ると、光学系の全長が大きくなり過ぎて、光学系が光軸方向に大型化するので好ましくない。換言すれば、条件式（６）を満足することにより、光学系の全長を小さく抑えて、光学系を光軸方向に小型化することができる。なお、本発明の効果を更に良好に発揮するには、条件式（６）の上限値を１．９に設定することが好ましい。

また、本発明の投影光学系では、第１面上の投影視野における中心物体高の位置から各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の反射面へ入射する主光線の入射角の最大値Ａが、次の条件式（７）を満足することが好ましい。ここで、主光線の反射面への入射角は、主光線の入射位置における反射面の法線に対する主光線の角度の絶対値として定義される。
Ａ＜３５° （７）

条件式（７）の上限値を上回ると、反射鏡の反射面を形成する反射多層膜への光線の最大入射角Ａが大きくなり過ぎて、反射ムラが発生し易くなり且つ十分に高い反射率を得ることができなくなるので好ましくない。

また、本発明の投影光学系では、第１面上の投影視野における中心物体高の位置から第１反射鏡Ｍ１の反射面へ入射する主光線の光軸に対する傾きαが、次の条件式（８）を満足することが望ましい。
｜α｜＜１０° （８）

条件式（８）の上限値を上回ると、第１面に反射マスクを設置した場合に、反射した光束が吸収体のパターンにより遮られる影響が大きくなり過ぎるので好ましくない。ただし、主光線の傾きαをあまり小さくすると、第１面に反射マスクを設置した場合に、反射マスクへの入射光と反射光とを分離することが困難になる。

また、本発明の投影光学系では、各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の有効径（直径）の最大値φＭが、次の条件式（９）を満足することが好ましい。ここで、各反射鏡の有効径の最大値φＭは、光軸から最も離れた反射領域（使用領域）を有する反射鏡（最も大きい反射鏡）において光軸を中心として当該反射領域に外接する円の直径である。
φＭ≦７００ｍｍ （９）

条件式（９）の上限値を上回ると、最も大きい反射鏡の有効径φＭが大きくなりすぎて、光学系が径方向に大型化するので好ましくない。換言すれば、条件式（９）を満足することにより、最も大きい反射鏡の有効径φＭを小さく抑えて、光学系を径方向に小型化することができる。

また、本発明の投影光学系では、各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の反射面が光軸に関して回転対称な非球面状に形成され、各反射面を規定する非球面の最大次数は１０次以上であることが好ましい。このように高次の非球面を導入することにより、収差を良好に補正して光学性能を向上させることができる。なお、最大次数を１８次以上に設定することにより、さらに複雑で細やかな非球面形状を表現することができ、ひいては十分な収差補正が可能になる。

また、本発明の投影光学系は、像側（第２面側）にほぼテレセントリックな光学系であることが好ましい。この構成により、たとえば露光装置に適用される場合、投影光学系の焦点深度内でウェハに凹凸があっても良好な結像が可能になる。

ところで、本発明の投影光学系では、中間像が第４反射鏡Ｍ４と第５反射鏡Ｍ５の間の光路中に形成されるが、収差などの影響により鮮明な中間像が形成されるわけではない。鮮明な中間像が形成される必要はなく、最終像を第２面上に鮮明に結像させることが目的である。仮に中間像の形成位置の付近にゴミが存在しても、中間像が鮮明に結像しない場合には第２面上のゴミの像も大きくぼける傾向になるため、むしろ中間像が鮮明に結像しない方が望ましい。但し、中間像が反射鏡の反射面の極近傍に形成される場合には、その反射鏡の鏡面上の微細構造や付着ゴミなどの像が第２面において投影像と重なる恐れがあるとともに、その反射鏡のパーシャル径（反射鏡の反射面上での光束の有効径）が小さくなり過ぎて製造公差の点で問題になり易くなる。そのため、各反射鏡の反射面からある程度離れた位置に中間像が形成されるように構成しなければならない。

本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。また、図２は、ウェハ上に形成される円弧状の有効結像領域と光軸との位置関係を示す図である。図１において、投影光学系の光軸方向すなわち感光性基板であるウェハの法線方向に沿ってＺ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に平行な方向にＹ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に垂直な方向にＸ軸をそれぞれ設定している。

図１の露光装置は、露光光を供給するための光源として、たとえばレーザプラズマＸ線源１を備えている。なお、Ｘ線源としては、放電プラズマ光源や他のＸ線源を用いることが可能である。Ｘ線源１から射出された光は、波長選択フィルタ２を介して、照明光学系３に入射する。ここで、波長選択フィルタ２は、Ｘ線源１が供給する光から、所定波長（１３．５ｎｍ）のＸ線だけを選択的に透過させ、他の波長光の透過を遮る特性を有する。波長選択フィルタ２を透過したＸ線は、複数の反射鏡から構成された照明光学系３を介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク４を照明する。なお、波長選択フィルタ２は必須のものではなく、反射鏡に形成された波長選択膜を使う等、他の形態の波長選択手段を使用してもよい。また、波長選択フィルタ２及び波長選択手段そのものを配置しなくてもよい。

マスク４は、そのパターン面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｙ方向に沿って移動可能なマスクステージ５によって保持されている。そして、マスクステージ５の移動は、図示を省略したレーザー干渉計により計測されるように構成されている。マスク４上には、Ｙ軸に関して対称な円弧状の照明領域が形成される。照明されたマスク４からの光は、反射型の投影光学系６を介して、感光性基板であるウェハ７上にマスクパターンの像を形成する。

すなわち、ウェハ７上には、図２に示すように、Ｙ軸に関して対称な円弧状の有効結像領域が形成される。図２を参照すると、光軸ＡＸを中心とした半径φを有する円形状の領域（イメージサークル）ＩＦ内において、このイメージサークルＩＦに接するようにＸ方向の長さがＬＸでＹ方向の長さがＬＹの円弧状の有効結像領域ＥＲが設定されている。こうして、円弧状の有効結像領域ＥＲは光軸ＡＸを中心とする輪帯状の領域の一部であり、長さＬＹは円弧状の有効結像領域ＥＲの中心と光軸とを結ぶ方向に沿った有効結像領域ＥＲの幅寸法である。

ウェハ７は、その露光面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｘ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動可能なウェハステージ８によって保持されている。なお、ウェハステージ８の移動は、マスクステージ５と同様に、図示を省略したレーザー干渉計により計測されるように構成されている。こうして、マスクステージ５およびウェハステージ８をＹ方向に沿って移動させながら、すなわち投影光学系６に対してマスク４およびウェハ７をＹ方向に沿って相対移動させながらスキャン露光（走査露光）を行うことにより、ウェハ７の１つの露光領域にマスク４のパターンが転写される。

このとき、投影光学系６の投影倍率（転写倍率）が１／４である場合、ウェハステージ８の移動速度をマスクステージ５の移動速度の１／４に設定して同期走査を行う。また、ウェハステージ８をＸ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り返すことにより、ウェハ７の各露光領域にマスク４のパターンが逐次転写される。以下、第１実施例および第２実施例を参照して、投影光学系６の具体的な構成について説明する。

各実施例において、投影光学系６は、マスク４のパターンの中間像を形成するための第１反射結像光学系Ｇ１と、マスク４のパターンの最終縮小像（中間像の像）をウェハ７上に形成するための第２反射結像光学系Ｇ２とにより構成されている。すなわち、マスクパターンの中間像は、第１反射結像光学系Ｇ１と第２反射結像光学系Ｇ２との間の光路中に形成される。

第１反射結像光学系Ｇ１は４つの反射鏡Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３およびＭ４により構成され、第２反射結像光学系Ｇ２は２つの反射鏡Ｍ５およびＭ６により構成されている。なお、各実施例において、すべての反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の反射面が、光軸に関して回転対称な非球面状に形成されている。また、各実施例において、投影光学系６は、ウェハ側（像側）にほぼテレセントリックな光学系である。

各実施例において、非球面は、光軸に垂直な方向の高さをｙとし、非球面の頂点における接平面から高さｙにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離（サグ量）をｚとし、頂点曲率半径をｒとし、円錐係数をκとし、ｎ次の非球面係数をＣ_nとしたとき、以下の数式（ａ）で表される。

ｚ＝（ｙ²／ｒ）／｛１＋｛１−（１＋κ）・ｙ²／ｒ²｝^1/2｝
＋Ｃ₄・ｙ⁴＋Ｃ₆・ｙ⁶＋Ｃ₈・ｙ⁸＋Ｃ₁₀・ｙ¹⁰＋Ｃ₁₂・ｙ¹²
＋Ｃ₁₄・ｙ¹⁴＋Ｃ₁₆・ｙ¹⁶＋Ｃ₁₈・ｙ¹⁸＋Ｃ₂₀・ｙ²⁰ （ａ）

［第１実施例］
図３は、本実施形態の第１実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図３を参照すると、第１実施例の投影光学系では、マスク４からの光は、第１反射鏡Ｍ１の凹面状の反射面、第２反射鏡Ｍ２の凸面状の反射面、第３反射鏡Ｍ３の凸面状の反射面、および第４反射鏡Ｍ４の凹面状の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像Ｉ１を形成する。第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成された中間像Ｉ１からの光は、第５反射鏡Ｍ５の凸面状の反射面および第６反射鏡Ｍ６の凹面状の反射面で順次反射された後、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。第２反射鏡Ｍ２から第３反射鏡Ｍ３へ至る光路中の所定位置に、開口絞りＡＳが設けられている。

次の表（１）に、第１実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。表（１）の主要諸元の欄において、λは露光光の波長を、βは投影倍率を、ＮＡは像側（ウェハ側）開口数を、Ｈ０はマスク４上における最大物体高を、φはウェハ７上でのイメージサークルＩＦの半径（最大像高Ｙ０）を、ＬＸは有効結像領域ＥＲのＸ方向に沿った寸法を、ＬＹは有効結像領域ＥＲのＹ方向に沿った寸法（円弧状の有効結像領域ＥＲの幅寸法）をそれぞれ表している。

また、面番号は物体面であるマスク面から像面であるウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側からの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（中心曲率半径：ｍｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射される度にその符号を変えるものとする。そして、光線の入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。上述の表記は、以降の表（２）においても同様である。

表（１）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．２７
Ｈ０＝１４０ｍｍ
φ＝Ｙ０＝３５ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝１ｍｍ

（光学部材諸元）
面番号 ｒ ｄ 光学部材
（マスク面） 439.22
1 -456.27 -136.24 （第１反射鏡Ｍ１）
2 -597.27 65.11 （第２反射鏡Ｍ２）
138.22 （開口絞りＡＳ）
3 786.79 -359.75 （第３反射鏡Ｍ３）
4 623.00 873.91 （第４反射鏡Ｍ４）
5 348.57 -424.16 （第５反射鏡Ｍ５）
6 498.81 466.16 （第６反射鏡Ｍ６）
（ウェハ面）

（非球面データ）
１面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝０．１０８６２８×１０^-8 Ｃ₆＝−０．４１１３９３×１０^-14
Ｃ₈＝０．２１９４６３×１０^-17 Ｃ₁₀＝−０．３０６７４３×１０^-21
Ｃ₁₂＝０．２８９４４６×１０^-25 Ｃ₁₄＝−０．１８０５９２×１０^-29
Ｃ₁₆＝０．７２０３５８×１０^-34 Ｃ₁₈＝−０．１６６６６３×１０^-38
Ｃ₂₀＝０．１７００４７×１０^-43

２面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝０．１４３７２２×１０^-7 Ｃ₆＝０．７３２５７１×１０^-13
Ｃ₈＝−０．１０２２６１×１０^-15 Ｃ₁₀＝０．６３７８６４×１０^-19
Ｃ₁₂＝−０．３５８８１８×１０^-22 Ｃ₁₄＝０．１４６３１４×１０^-25
Ｃ₁₆＝−０．３８５０１９×１０^-29 Ｃ₁₈＝０．５６１８６８×１０^-33
Ｃ₂₀＝−０．３３１４４６×１０^-37

３面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝−０．１１７８８９×１０^-7 Ｃ₆＝０．１２９７３６×１０^-12
Ｃ₈＝０．４２９８６６×１０^-16 Ｃ₁₀＝−０．１３１９１８×１０^-19
Ｃ₁₂＝０．２４５５３４×１０^-23 Ｃ₁₄＝−０．３０４４０６×１０^-27
Ｃ₁₆＝０．２４１８１１×１０^-31 Ｃ₁₈＝−０．１１１０７７×１０^-35
Ｃ₂₀＝０．２２４０９７×１０^-40

４面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝−０．６２１７３５×１０^-10 Ｃ₆＝−０．４６２１１２×１０^-15
Ｃ₈＝０．７９１１１８×１０^-20 Ｃ₁₀＝−０．１６６２２０×１０^-24
Ｃ₁₂＝０．１５４３７０×１０^-29 Ｃ₁₄＝−０．２９０１５３×１０^-35
Ｃ₁₆＝−０．７６０５００×１０^-40 Ｃ₁₈＝０．６５８５０１×１０^-45
Ｃ₂₀＝−０．１７１４１１×１０^-50

５面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝０．１４７７０３×１０^-7 Ｃ₆＝０．５１７０９６×１０^-12
Ｃ₈＝−０．４０２６００×１０^-16 Ｃ₁₀＝０．５６４６７１×１０^-19
Ｃ₁₂＝−０．４８３９７５×１０^-22 Ｃ₁₄＝０．２７１８８６×１０^-25
Ｃ₁₆＝−０．９２９１４２×１０^-29 Ｃ₁₈＝０．１７２００７×１０^-32
Ｃ₂₀＝−０．１２９３７０×１０^-36

６面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝０．２９１４３５×１０^-10 Ｃ₆＝０．２２５３３６×１０^-15
Ｃ₈＝０．４１０６７４×１０^-21 Ｃ₁₀＝０．６１７３５３×１０^-25
Ｃ₁₂＝−０．４９８８０７×１０^-29 Ｃ₁₄＝０．３１１３８２×１０^-33
Ｃ₁₆＝−０．１２３１２４×１０^-37 Ｃ₁₈＝０．２７０７９９×１０^-42
Ｃ₂₀＝−０．２５０４８２×１０^-47

（条件式対応値）
Ｄ５６＝４２４．２ｍｍ
ＴＴ＝１０６２．４７ｍｍ
φＭ４＝６００．１８ｍｍ
Ｙ０＝３５．０ｍｍ
ＲＭ４＝６２３．００ｍｍ
（１）Ｄ５６／ＴＴ＝０．４０
（２）ＲＭ６＝４９８．８１ｍｍ
（３）φＭ４／（Ｙ０×ＮＡ）＝６３．５１
（４）φＭ４／（ＲＭ４×ＮＡ）＝３．５７
（５）ＴＴ／Ｙ０＝３０．４
（６）ＴＴ／ＲＭ４＝１．７１
（７）Ａ＝２９．０９°（第３反射鏡Ｍ３において最大）
（８）｜α｜＝４．６４°
（９）φＭ＝６００．１８ｍｍ（第４反射鏡Ｍ４において最大）

図４は、第１実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図４では、像高１００％、像高９９％、および像高９７％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第１実施例では、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の諸収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

［第２実施例］
図５は、本実施形態の第２実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図５を参照すると、第２実施例の投影光学系においても第１実施例と同様に、マスク４からの光は、第１反射鏡Ｍ１の凹面状の反射面、第２反射鏡Ｍ２の凸面状の反射面、第３反射鏡Ｍ３の凸面状の反射面、および第４反射鏡Ｍ４の凹面状の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像Ｉ１を形成する。第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成された中間像Ｉ１からの光は、第５反射鏡Ｍ５の凸面状の反射面および第６反射鏡Ｍ６の凹面状の反射面で順次反射された後、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。また、第１実施例と同様に、第２反射鏡Ｍ２から第３反射鏡Ｍ３へ至る光路中の所定位置に、開口絞りＡＳが設けられている。次の表（２）に、第２実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。

表（２）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．２７
Ｈ０＝１４０ｍｍ
φ＝Ｙ０＝３５ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝１ｍｍ

（光学部材諸元）
面番号 ｒ ｄ 光学部材
（マスク面） 440.35
1 -458.06 -136.44 （第１反射鏡Ｍ１）
2 -607.41 65.58 （第２反射鏡Ｍ２）
138.12 （開口絞りＡＳ）
3 769.48 -358.88 （第３反射鏡Ｍ３）
4 620.55 869.55 （第４反射鏡Ｍ４）
5 347.07 -420.68 （第５反射鏡Ｍ５）
6 495.01 462.68 （第６反射鏡Ｍ６）
（ウェハ面）

（非球面データ）
１面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝０．１０８９９２×１０^-8 Ｃ₆＝−０．３８２６５７×１０^-14
Ｃ₈＝０．２１４０３２×１０^-17 Ｃ₁₀＝−０．３０１００７×１０^-21
Ｃ₁₂＝０．２８６６０８×１０^-25 Ｃ₁₄＝−０．１８０４１２×１０^-29
Ｃ₁₆＝０．７２５１７４×１０^-34 Ｃ₁₈＝−０．１６８７８９×１０^-38
Ｃ₂₀＝０．１７２９６４×１０^-43

２面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝０．１４３４６３×１０^-7 Ｃ₆＝０．５４６２２２×１０^-13
Ｃ₈＝−０．９９５７８１×１０^-16 Ｃ₁₀＝０．６７７７５５×１０^-19
Ｃ₁₂＝−０．４０９３２９×１０^-22 Ｃ₁₄＝０．１７５１９３×１０^-25
Ｃ₁₆＝−０．４７６０５６×１０^-29 Ｃ₁₈＝０．７１５７７５×１０^-33
Ｃ₂₀＝−０．４４１７９８×１０^-37

３面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝−０．１１９９９４×１０^-7 Ｃ₆＝０．１３６６７７×１０^-12
Ｃ₈＝０．４２３６７３×１０^-16 Ｃ₁₀＝−０．１３０３９９×１０^-19
Ｃ₁₂＝０．２４２４４４×１０^-23 Ｃ₁₄＝−０．３００５２４×１０^-27
Ｃ₁₆＝０．２３８９７２×１０^-31 Ｃ₁₈＝−０．１０９９９１×１０^-35
Ｃ₂₀＝０．２２２５０４×１０^-40

４面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝−０．６２８０２７×１０^-10 Ｃ₆＝−０．４４３４５９×１０^-15
Ｃ₈＝０．７４３８７１×１０^-20 Ｃ₁₀＝−０．１６１７６３×１０^-24
Ｃ₁₂＝０．１５４９１２×１０^-29 Ｃ₁₄＝−０．３３９７５１×１０^-35
Ｃ₁₆＝−０．７２２３７５×１０^-40 Ｃ₁₈＝０．６５０５５４×１０^-45
Ｃ₂₀＝−０．１７２５５３×１０^-50

５面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝０．１５０６９８×１０^-7 Ｃ₆＝０．５２５７１３×１０^-12
Ｃ₈＝−０．４０８５９３×１０^-16 Ｃ₁₀＝０．６１２９９６×１０^-19
Ｃ₁₂＝−０．５５１８７０×１０^-22 Ｃ₁₄＝０．３２１８１７×１０^-25
Ｃ₁₆＝−０．１１３３６２×１０^-28 Ｃ₁₈＝０．２１６０５３×１０^-32
Ｃ₂₀＝−０．１６８１４５×１０^-36

６面
κ＝０．００００００
Ｃ₄＝０．２９６５２５×１０^-10 Ｃ₆＝０．２３４６２６×１０^-15
Ｃ₈＝０．３７６０９６×１０^-21 Ｃ₁₀＝０．７５１９５５×１０^-25
Ｃ₁₂＝−０．６２６６９０×１０^-29 Ｃ₁₄＝０．３９１５５０×１０^-33
Ｃ₁₆＝−０．１５４２４５×１０^-37 Ｃ₁₈＝０．３３８６４０×１０^-42
Ｃ₂₀＝−０．３１３７４１×１０^-47

（条件式対応値）
Ｄ５６＝４２０．７ｍｍ
ＴＴ＝１０６０．２８ｍｍ
φＭ４＝６００．１２ｍｍ
Ｙ０＝３５．０ｍｍ
ＲＭ４＝６２０．５５ｍｍ
（１）Ｄ５６／ＴＴ＝０．４０
（２）ＲＭ６＝４９５．０１ｍｍ
（３）φＭ４／（Ｙ０×ＮＡ）＝６３．５０
（４）φＭ４／（ＲＭ４×ＮＡ）＝３．５８
（５）ＴＴ／Ｙ０＝３０．３
（６）ＴＴ／ＲＭ４＝１．７１
（７）Ａ＝２９．１２°（第３反射鏡Ｍ３において最大）
（８）｜α｜＝４．６５°
（９）φＭ＝６００．１２ｍｍ（第４反射鏡Ｍ４において最大）

図６は、第２実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図６では、像高１００％、像高９９％、および像高９７％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第２実施例においても第１実施例と同様に、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の諸収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

以上のように、上述の各実施例では、波長が１３．５ｎｍのＸ線に対して、良好な結像性能および０．２７という比較的大きな像側開口数を確保するとともに、ウェハ７上において諸収差が良好に補正された２６ｍｍ×１ｍｍの円弧状の有効結像領域を確保することができる。したがって、ウェハ７において、たとえば２６ｍｍ×３４ｍｍまたは２６ｍｍ×３７ｍｍの大きさを有する各露光領域に、マスク４のパターンを走査露光により０．１μｍ以下の高解像で転写することができる。

なお、上述の各実施例では１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ（Extreme UltraViolet：極紫外線）光を例示的に用いているが、例えば５〜２０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ光を使用することができる。また、上述の各実施例では、最も大きい第４凹面反射鏡Ｍ４の有効径が約６００ｍｍ程度であり、従来技術に比して十分に小さく抑えられている。こうして、各実施例では、反射鏡の大型化が抑えられ、光学系の小型化が達成されている。その結果、各反射鏡の製造時の測定及び加工を高精度に行うことが可能である。また、上述の各実施例では、円弧状の有効結像領域ＥＲの全体に亘って主光線の傾きがほぼ０であり、像側にほぼテレセントリックな光学系が達成されている。

また、上述の各実施例では、マスク４面上の投影視野における中心物体高の位置から各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の反射面へ入射する主光線の入射角の最大値Ａが、約２９°以下に抑えられている。その結果、反射鏡の反射面を形成する反射多層膜において反射ムラが実質的に発生することがなく、十分に高い反射率を得ることができる。

また、上述の各実施例では、マスク４面上の投影視野における中心物体高の位置から第１反射鏡Ｍ１の反射面へ入射する主光線の光軸ＡＸに対する傾きα、すなわちマスク４に入射する当該主光線およびマスク４で反射される当該主光線の光軸ＡＸとなす角度αが約５°程度に小さく抑えられている。その結果、反射型マスク４を用いても、入射光と反射光とを分離することができるとともに、反射した光束が吸収体のパターンにより遮られる影響を小さくすることが可能となり、結像性能が悪化しにくい。また、マスク４の設定位置についてわずかな誤差が発生しても、大きな倍率変化を招きにくいという利点がある。

上述の実施形態にかかる露光装置では、照明系によってマスクを照明し（照明工程）、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図７のフローチャートを参照して説明する。

先ず、図７のステップ３０１において、１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ３０２において、その１ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク（レチクル）上のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。

その後、ステップ３０４において、その１ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ３０５において、その１ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。

なお、上述の本実施形態では、Ｘ線を供給するための光源としてレーザプラズマＸ線源を用いているが、これに限定されることなく、Ｘ線としてたとえばシンクロトロン放射（ＳＯＲ）光を用いることもできる。

また、上述の本実施形態では、Ｘ線を供給するための光源を有する露光装置に本発明を適用しているが、これに限定されることなく、Ｘ線以外の他の波長光を供給する光源を有する露光装置に対しても本発明を適用することができる。また、上述の本実施形態では、

さらに、上述の本実施形態では、露光装置の投影光学系に本発明を適用しているが、これに限定されることなく、６つの反射鏡を備えて第１面の縮小像を第２面上に形成する他の一般的な投影光学系に対しても、本発明を適用することができる。また、上述の実施形態で示した構成要素の全てが必須のものではなく、一部の構成要素を用いなくても構わないし、任意の構成要素を適宜組み合わせて用いる事も可能である。

本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。 ウェハ上に形成される円弧状の有効結像領域と光軸との位置関係を示す図である。 本実施形態の第１実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。 第１実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。 本実施形態の第２実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。 第２実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。 マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。

符号の説明

１ レーザプラズマＸ線源
２ 波長選択フィルタ
３ 照明光学系
４ マスク
５ マスクステージ
６ 投影光学系
７ ウェハ
８ ウェハステージ
Ｇ１，Ｇ２ 反射結像光学系
Ｍ１〜Ｍ６ 反射鏡
ＡＳ 開口絞り

Claims (15)

1. ６つの反射鏡を備え、第１面の縮小像を第２面上に形成する投影光学系において、
   前記第１面からの光に基づいて前記第１面の中間像を形成するための第１反射結像光学系Ｇ１と、前記中間像からの光に基づいて前記縮小像を前記第２面上に形成するための第２反射結像光学系Ｇ２とを備え、
   前記第１反射結像光学系Ｇ１は、前記第１面からの光の入射順に、凹面状の反射面を有する第１反射鏡Ｍ１と、凸面状の反射面を有する第２反射鏡Ｍ２と、凸面状の反射面を有する第３反射鏡Ｍ３と、凹面状の反射面を有する第４反射鏡Ｍ４とを有し、
   前記第２反射結像光学系Ｇ２は、前記中間像からの光の入射順に、凸面状の反射面を有する第５反射鏡Ｍ５と、凹面状の反射面を有する第６反射鏡Ｍ６とを有し、
   前記第２反射鏡Ｍ２から前記第３反射鏡Ｍ３へ至る光路中に開口絞りが設けられ、
   前記第５反射鏡Ｍ５の反射面から前記第６反射鏡Ｍ６の反射面までの光軸に沿った距離をＤ５６とし、前記第１面と前記第２面との間の軸上間隔をＴＴとするとき、
   ０．３３＜Ｄ５６／ＴＴ＜０．５２
   の条件を満足する投影光学系。
2. 前記開口絞りは、前記第２反射鏡Ｍ２から前記開口絞りまでの距離と前記開口絞りから前記第３反射鏡までの距離との比が、前記第１反射鏡Ｍ１の径と前記第４反射鏡Ｍ４の径との比にほぼ近くなるように位置決めされている請求項１に記載の投影光学系。
3. 前記第６反射鏡Ｍ６の反射面の中心曲率半径の絶対値ＲＭ６は、
   ４７０ｍｍ＜ＲＭ６
   の条件を満足する請求項１または２に記載の投影光学系。
4. 前記第４反射鏡Ｍ４の有効径をφＭ４とし、前記第２面における最大像高をＹ０とし、前記第２面側の開口数をＮＡとするとき、
   φＭ４／（Ｙ０×ＮＡ）＜６８．０
   の条件を満足する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の投影光学系。
5. 前記第４反射鏡Ｍ４の有効径をφＭ４とし、前記第４反射鏡Ｍ４の反射面の中心曲率半径の絶対値をＲＭ４とし、前記第２面側の開口数をＮＡとするとき、
   φＭ４／（ＲＭ４×ＮＡ）＜４．３
   の条件を満足する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の投影光学系。
6. 前記第２面側の開口数ＮＡは、０．２６よりも大きい請求項１乃至５のいずれか１項に記載の投影光学系。
7. 前記第１面と前記第２面との間の軸上間隔をＴＴとし、前記第２面における最大像高をＹ０とするとき、
   ＴＴ／Ｙ０＜３２．０
   の条件を満足する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の投影光学系。
8. 前記第１面と前記第２面との間の軸上間隔をＴＴとし、前記第４反射鏡Ｍ４の反射面の中心曲率半径の絶対値をＲＭ４とするとき、
   ＴＴ／ＲＭ４＜１．７６
   の条件を満足する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の投影光学系。
9. 前記第１面上の投影視野における中心物体高の位置から各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の反射面へ入射する主光線の入射角の最大値Ａは、
   Ａ＜３５°
   の条件を満足する請求項１乃至８のいずれか１項に記載の投影光学系。
10. 前記第１面上の投影視野における中心物体高の位置から前記第１反射鏡Ｍ１の反射面へ入射する主光線の光軸に対する傾きαは、
    ｜α｜＜１０°
    の条件を満足する請求項１乃至９のいずれか１項に記載の投影光学系。
11. 各反射鏡Ｍ１〜Ｍ６の有効径の最大値φＭは、
    φＭ≦７００ｍｍ
    の条件を満足する請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の投影光学系。
12. 前記投影光学系は、前記第２面側にほぼテレセントリックな光学系である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の投影光学系。
13. 前記第１面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターンを前記第２面に設定された感光性基板上へ投影するための請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の投影光学系とを備えている露光装置。
14. 前記照明系は、露光光としてＸ線を供給するための光源を有し、
    前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を相対移動させて、前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する請求項１３に記載の露光装置。
15. 請求項１３または１４に記載の露光装置を用いて前記マスクのパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、前記露光工程を経た前記感光性基板を現像する現像工程とを含むデバイス製造方法。

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