JP2008301287A - D / A converter circuit and liquid crystal driving device - Google Patents
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Abstract
【課題】最上位ビット(MSB)の切り替わるディジタル信号が入力された場合に、該ディジタル信号の値が(1000・・・000)から(0111・・・111)へ変化するところ、およびその逆に変化するところで、大きなグリッチが発生するのを抑えることができるD/Aコンバータ回路を提供する。
【解決手段】入力されたディジタル信号の各ビットに対応する複数のシャント抵抗を含むR−2Rラダー抵抗網1と、該R−2Rラダー抵抗網1における電流経路を該ディジタル信号に基づいて切り替えて、該R−2R抵抗網の最上位ビットに対応するシャント抵抗R19の一端に、該ディジタル信号の値に応じたアナログ電圧を発生させる、各ビットに対応するスイッチ回路S0〜S9とを備え、該R−2R抵抗網1を、該最上位ビットに対応するシャント抵抗R19と接地との間に接続されたコンデンサC1を有するものとした。
【選択図】図1When a digital signal for switching the most significant bit (MSB) is input, the value of the digital signal changes from (1000... 000) to (0111... 111) and vice versa. Provided is a D / A converter circuit capable of suppressing the occurrence of a large glitch when changing.
An R-2R ladder resistor network 1 including a plurality of shunt resistors corresponding to each bit of an input digital signal, and a current path in the R-2R ladder resistor network 1 are switched based on the digital signal. A switch circuit S0-S9 corresponding to each bit for generating an analog voltage corresponding to the value of the digital signal at one end of the shunt resistor R19 corresponding to the most significant bit of the R-2R resistor network, The R-2R resistor network 1 has a capacitor C1 connected between the shunt resistor R19 corresponding to the most significant bit and the ground.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、D/Aコンバータ回路および液晶駆動装置に関し、特に、入力されるディジタル信号をアナログ信号に変換するR−2R方式のD/Aコンバータ回路において、DA変換時のグリッチの発生を抑制したもの、およびこのようなD/Aコンバータ回路を用いた液晶駆動装置に関する。 The present invention relates to a D / A converter circuit and a liquid crystal driving device, and particularly suppresses the occurrence of glitches during DA conversion in an R-2R D / A converter circuit that converts an input digital signal into an analog signal. And a liquid crystal driving device using such a D / A converter circuit.
従来から、R−2R方式D/Aコンバータ回路は、液晶表示部を駆動するソースドライバ回路などの液晶駆動装置において、階調表示用データに応じて階調表示用電圧を選択するD/Aコンバータ回路などとして使用されている。 Conventionally, an R-2R D / A converter circuit is a D / A converter that selects a gradation display voltage in accordance with gradation display data in a liquid crystal driving device such as a source driver circuit that drives a liquid crystal display unit. It is used as a circuit.
このようなR−2R方式D/Aコンバータ回路は、一般的に良く知られており、図6は、10ビットのR−2R方式D/Aコンバータ回路の具体的な回路構成を示している。 Such an R-2R D / A converter circuit is generally well known, and FIG. 6 shows a specific circuit configuration of a 10-bit R-2R D / A converter circuit.
このR−2R方式D/Aコンバータ回路200は、ディジタル信号の各ビットD0〜D9のデータ(以下ビットデータともいう。)が入力されるディジタル入力ノードT0〜T9と、各ビットD0〜D9に対応する直列接続の一対の単位抵抗(以下単に抵抗という。)R0a〜R9aおよびR0b〜R9bからなるシャント抵抗R10〜R19とを有している。このD/Aコンバータ回路200では、ディジタル信号の各ビットD0〜D9に対応するスイッチ回路S0〜S9が設けられており、各スイッチ回路は、各ビットデータに応じて、対応するシャント抵抗R10〜R19の一端の電位を、電源電位と接地電位のいずれかに切り替えるよう構成されている。
The R-2R D /
また、最下位ビットD0に対応するシャント抵抗R10の他端と接地との間にはシリーズ抵抗R0およびR00が直列に接続されている。また、最下位ビットD0に対応するシャント抵抗R10の他端と、次のビット(2番目のビット)D1に対応するシャント抵抗R11の他端との間には、シリーズ抵抗R1が接続されている。同様に、2番目のビットD1から最上位ビットの1つ下のビットD8までの各ビットに対応するシャント抵抗R11〜R18の他端と、3番目のビットD2から最上位ビットD9までの各ビットに対応するシャント抵抗R12〜R19の他端との間には、それぞれシリーズ抵抗R2〜R9が接続されている。ここで、上記シャント抵抗R10〜R19を構成する抵抗R0a〜R9aおよびR0b〜R9b、シリーズ抵抗R00およびR0〜R9は、R−2R抵抗網10を構成しており、それぞれの抵抗の抵抗値はRであり、従って、一対の直列接続の抵抗からなるシャント抵抗の抵抗値は2Rである。
Further, series resistors R0 and R00 are connected in series between the other end of the shunt resistor R10 corresponding to the least significant bit D0 and the ground. A series resistor R1 is connected between the other end of the shunt resistor R10 corresponding to the least significant bit D0 and the other end of the shunt resistor R11 corresponding to the next bit (second bit) D1. . Similarly, the other ends of the shunt resistors R11 to R18 corresponding to the respective bits from the second bit D1 to the bit D8 one bit lower than the most significant bit, and the respective bits from the third bit D2 to the most significant bit D9. Series resistors R2 to R9 are respectively connected between the other ends of the shunt resistors R12 to R19 corresponding to. Here, the resistors R0a to R9a and R0b to R9b and the series resistors R00 and R0 to R9 constituting the shunt resistors R10 to R19 constitute an R-
また、スイッチ回路S0〜S9は、入力されたディジタル信号に基づいて該R−2R抵抗網10における電流経路を切り替える電流経路切り替え回路20を構成している。そして、このR−2R抵抗網10は、該R−2Rラダー抵抗網10における電流経路が、入力されたディジタル信号に基づいて上記スイッチ回路S0〜S9により切り替えられて、最上位ビットD9に対応するシャント抵抗R19の他端(以下、アナログ出力ノードともいう。)Noutに、該ディジタル信号の値に応じたアナログ電圧が発生するようになっている。
The switch circuits S0 to S9 constitute a current
また、上記R−2Rラダー抵抗網10の出力ノードNoutにはオペアンプ2が接続されており、該オペアンプ2の出力信号が、R−2R方式D/Aコンバータ回路200からアナログ信号として出力される。
The
図7は、上記スイッチ回路の具体的な回路構成を示している。 FIG. 7 shows a specific circuit configuration of the switch circuit.
例えば、ディジタル信号のn番目のビットに対応するスイッチ回路Snは、電源と接地との間にPchMOSトランジスタ3aとNchMOSトランジスタ4bとを直列に接続してなり、対応するビットのデータを反転する第1のインバータ回路5aと、電源と接地との間にPchMOSトランジスタ3bとNchMOSトランジスタ4bとを直列に接続してなり、該第1のインバータ回路5aの出力を反転する第2のインバータ回路5bとから構成されており、該各インバータ回路はCMOS回路構成となっている。
For example, the switch circuit Sn corresponding to the nth bit of the digital signal is formed by connecting the
次に動作について説明する。 Next, the operation will be described.
このような構成のD/Aコンバータ回路200では、ディジタル信号の各ビットD0〜D9のデータがディジタル入力ノードT0〜T9に入力されると、各スイッチ回路S0〜S9は、各ビットデータの値に応じてシャント抵抗R10〜R19の一端の電位をHighレベル(VDD)あるいはLowレベル(GND)に切り替える。
In the D /
例えば、入力された10ビットディジタル信号の値(以下、ディジタル入力コードともいう。)が、(1000000000)である場合、スイッチ回路S9により最上位ビットのシャント抵抗R19の一端がHighレベルにされ、最上位ビット以外のビットのシャント抵抗R18〜R10の一端が、スイッチ回路S8〜S0によりLowレベルにされる。この場合、電源と出力ノードNoutとの間の抵抗値は、最上位ビットに対応するシャント抵抗R19による抵抗値(2R)であり、また、出力ノードNoutと接地との間の抵抗は、該R−2R抵抗網における該シャント抵抗R19以外の抵抗による抵抗値(2R)である。従って、R−2R抵抗網10の出力ノードNoutには、アナログ電圧DAOUTとして1/2VDDが出力され、これがオペアンプ2を介してアナログ信号AVOUTとしてD/Aコンバータ回路の出力端子Toutから出力される。
For example, when the value of the input 10-bit digital signal (hereinafter also referred to as a digital input code) is (1000000000), one end of the shunt resistor R19 of the most significant bit is set to High level by the switch circuit S9, and the One ends of the shunt resistors R18 to R10 of bits other than the upper bits are set to the low level by the switch circuits S8 to S0. In this case, the resistance value between the power supply and the output node Nout is the resistance value (2R) by the shunt resistor R19 corresponding to the most significant bit, and the resistance between the output node Nout and the ground is R -2R resistance value (2R) due to resistances other than the shunt resistance R19 in the resistance network. Accordingly, 1 / 2VDD is output as the analog voltage DAOUT to the output node Nout of the R-
また、入力された10ビットディジタル信号の値(ディジタル入力コード)が、(1100000000)である場合、最上位ビットD9のシャント抵抗R9aおよび最上位ビットより1つ下のビットD8のシャント抵抗R18の一端にはスイッチ回路S9〜S8によりHighレベルにされ、他のシャント抵抗R17〜R10の一端はスイッチ回路S7〜S0によりLowレベルにされる。これにより、R−2R抵抗網10の出力ノードNoutには、上記と同様に、ディジタル入力コードに対応するアナログ電圧DAOUTが出力され、これがオペアンプ2を介してアナログ信号AVOUTとしてD/Aコンバータ回路の出力端子Toutから出力される。
When the value of the input 10-bit digital signal (digital input code) is (11000000), one end of the shunt resistor R9a of the most significant bit D9 and the shunt resistor R18 of the bit D8 that is one bit lower than the most significant bit Are switched to High level by the switch circuits S9 to S8, and one end of the other shunt resistors R17 to R10 is set to Low level by the switch circuits S7 to S0. As a result, the analog voltage DAOUT corresponding to the digital input code is output to the output node Nout of the R-
このようにD/Aコンバータ回路200では、ディジタル入力コードに応じて、電源電圧VDDを1024(10ビット)分割したレベルのうちの所定レベルが、アナログデータ(アナログ信号)VOUTとして出力される。
As described above, in the D /
ところで、D/Aコンバータ回路においては、ディジタル入力コードが変化するとき、変換されたアナログ信号に、本来発生してはいけないグリッチと呼ばれるスパイク状の雑音が現れる。 By the way, in the D / A converter circuit, when the digital input code changes, spike-like noise called a glitch that should not be generated appears in the converted analog signal.
このスパイク状のノイズとしては、通常、最上位ビット(MSB)の値が切り替わる、つまりディジタル入力コードが(1000・・・000)から(0111・・・111)へ切り替わるところ、およびその逆の切り替えが行われるところで最も大きなものが発生する。 As this spike noise, the value of the most significant bit (MSB) is usually switched, that is, the digital input code is switched from (1000... 000) to (0111... 111) and vice versa. The largest thing occurs where is done.
これは、ディジタル入力コードが入力される入力ノードでの各ビット間のスキュー及びD/Aコンバータ内部のノードでの各ビット間のスキュー、またD/Aコンバータ内での各ビットに対応するスイッチ回路のON、OFF時間差などにより、発生することが知られている。 This is a switch circuit corresponding to a skew between bits at an input node to which a digital input code is inputted, a skew between bits at a node inside the D / A converter, and a bit within each D / A converter. It is known that this occurs due to a difference in ON and OFF times.
例えば、R−2R抵抗網10における各ビットに対応するシャント抵抗の一端の電位を、入力されたディジタル信号に応じてHighレベルとLowレベルのいずれかに切り替えているスイッチ回路が、図7に示すCMOS回路構成である場合、PchMOSトランジスターとNchMOSトランジスターのON抵抗を極力小さくする必要があり、かつ全てのビットに対してON抵抗を均一にする必要がある。これが均一でない場合、各ビット間でスキューが生じたり、HighレベルおよびLowレベルを切り替える際に時間差が生じたりして、グリッチが発生してしまう。
For example, a switch circuit that switches the potential of one end of a shunt resistor corresponding to each bit in the R-
このような課題に対する対応策は、例えば特許文献1に開示されている。
A countermeasure for such a problem is disclosed in
この特許文献1に課題として開示されているように、MOSトランジスターのON抵抗を無視できるくらい理想的に小さくするためには、MOSトランジスターのチャネル幅を広げる、つまり大きな面積のトランジスターを構成する必要があるが、これは、高集積化を損なう上に、MOSトランジスターのゲート容量を大きくしてしまい、切り替えスイッチの高速化を損なうことになってしまう。
As disclosed in
そこで、この文献では、グリッチ低減の方法として、R−2R抵抗網をスイッチするMOSトランジスターのうちの、最上位ビットMSBに対応するMOSトランジスタを除く全てのMOSトランジスターに、全てのビットデータ段のゲート容量が等しくなるようにダミーゲートを併設し、全てのビットのON、OFF速度を均一にし、グリッチを低減するようにしたものが開示されている。 Therefore, in this document, as a glitch reduction method, all the MOS transistors that switch the R-2R resistor network except the MOS transistor corresponding to the most significant bit MSB are connected to the gates of all the bit data stages. There is disclosed a circuit in which dummy gates are provided so as to have the same capacity, the ON / OFF speeds of all bits are made uniform, and glitches are reduced.
しかしながら、このような文献開示の方法では、トランジスターの製造ばらつきは避けられないものであり、また、MOSトランジスターからなるスイッチ回路は、PchMOSトランジスターとNchMOSトランジスターの同時スイッチングによる貫通電流によるスイッチングノイズが、R−2R抵抗網をスイッチングする波形にひずみを生じさせ、それが全ビット間のスキューや、全ビットに対応するスイッチ回路のON、OFF速度を不均一にする原因となり、グリッチを発生させてしまう。 However, in such a method disclosed in the literature, manufacturing variations of transistors are unavoidable, and a switching circuit composed of MOS transistors has a switching noise due to a through current due to simultaneous switching of a PchMOS transistor and an NchMOS transistor. A distortion occurs in the waveform for switching the -2R resistor network, which causes the skew between all bits and the ON / OFF speeds of the switch circuits corresponding to all the bits to become non-uniform, thereby causing a glitch.
また、このようなR−2R方式D/Aコンバータ回路は、上述したように、ソースドライバ回路で、階調表示用データに応じて階調表示用電圧を選択するD/Aコンバータ回路として使用されているが、このような液晶駆動装置を用いた場合、上述した波形ひずみは、液晶表示品位を劣化させる恐れがある。
上述したように、従来のD/Aコンバータ回路では、R−2R抵抗網のスイッチングを理想状態で行うことは困難であることから、最上位ビット(MSB)の切り替わるディジタル信号が入力された場合、該ディジタル信号の値、つまりディジタル入力コードが(1000・・・000)から(0111・・・111)へ変化するところ、およびその逆に変化するところで、最も大きなグリッチが発生するのは避けられない。 As described above, in the conventional D / A converter circuit, since it is difficult to switch the R-2R resistor network in an ideal state, when a digital signal for switching the most significant bit (MSB) is input, When the value of the digital signal, that is, the digital input code changes from (1000... 000) to (0111... 111) and vice versa, it is inevitable that the largest glitch occurs. .
本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたもので、最上位ビット(MSB)の切り替わるディジタル信号が入力された場合に、該ディジタル信号の最上位ビットの値が変化するときに大きなグリッチが発生するのを抑えることができるD/Aコンバータ回路およびこれを用いた液晶駆動装置を得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described conventional problems. When a digital signal in which the most significant bit (MSB) is switched is input, the present invention is significant when the value of the most significant bit of the digital signal changes. It is an object of the present invention to obtain a D / A converter circuit capable of suppressing the occurrence of glitches and a liquid crystal driving device using the same.
本発明にかかるD/Aコンバータ回路は、入力されたディジタル信号をアナログ信号に変換するD/Aコンバータ回路であって、該ディジタル信号の各ビットに対応する複数の抵抗を含むR−2Rラダー抵抗網と、該R−2Rラダー抵抗網における電流経路を、該R−2Rラダー抵抗網の出力端に、該ディジタル信号に応じたアナログ電位が発生するよう切り替える電流経路切り替え回路とを備え、該R−2Rラダー抵抗網は、該ディジタル信号の最上位ビットに対応する抵抗に接続されたコンデンサーを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。 A D / A converter circuit according to the present invention is a D / A converter circuit that converts an input digital signal into an analog signal, and includes an R-2R ladder resistor including a plurality of resistors corresponding to each bit of the digital signal. And a current path switching circuit for switching a current path in the R-2R ladder resistor network so that an analog potential corresponding to the digital signal is generated at an output end of the R-2R ladder resistor network, The -2R ladder resistor network has a capacitor connected to a resistor corresponding to the most significant bit of the digital signal, thereby achieving the above object.
本発明において、前記ディジタル信号の各ビットに対応する抵抗は、直列接続の一対の抵抗からなるシャント抵抗であり、前記コンデンサーは、該ディジタル信号の最上位ビットに対応するシャント抵抗における抵抗接続点に接続されていることが好ましい。 In the present invention, the resistor corresponding to each bit of the digital signal is a shunt resistor composed of a pair of resistors connected in series, and the capacitor is connected to a resistance connection point in the shunt resistor corresponding to the most significant bit of the digital signal. It is preferable that they are connected.
本発明において、前記シャント抵抗を構成する直列接続の一対の抵抗は、同一の抵抗値を有することが好ましい。 In the present invention, it is preferable that the pair of series-connected resistors constituting the shunt resistor have the same resistance value.
本発明において、前記電流経路切り替え回路は、前記ディジタル信号の各ビットに対応する複数のスイッチ回路を含み、該各スイッチ回路は、該ディジタル信号の各ビットに対応するシャント抵抗の一端を、該ディジタル信号の各ビットデータに応じて電源と接地のいずれかに接続することが好ましい。 In the present invention, the current path switching circuit includes a plurality of switch circuits corresponding to each bit of the digital signal, and each switch circuit connects one end of a shunt resistor corresponding to each bit of the digital signal to the digital signal. It is preferable to connect to either a power supply or ground according to each bit data of the signal.
本発明において、前記スイッチ回路は、電源と接地との間に第1導電型トランジスタと第2導電型トランジスタとを直列に接続してなり、対応するビットデータを反転する第1のインバータ回路と、電源と接地との間に第1導電型トランジスタと第2導電型トランジスタとを直列に接続してなり、該第1のインバータ回路の出力を反転する第2のインバータ回路とを有することが好ましい。 In the present invention, the switch circuit is formed by connecting a first conductivity type transistor and a second conductivity type transistor in series between a power supply and a ground, and a first inverter circuit that inverts corresponding bit data; It is preferable to have a second inverter circuit in which a first conductivity type transistor and a second conductivity type transistor are connected in series between the power source and the ground and invert the output of the first inverter circuit.
本発明において、前記ディジタル信号の最上位ビット以外の少なくとも1つ以上のビットに対応するシャント抵抗における抵抗接続点に接続されたコンデンサーを有することが好ましい。 In the present invention, it is preferable to have a capacitor connected to a resistance connection point in a shunt resistor corresponding to at least one bit other than the most significant bit of the digital signal.
本発明において、前記ディジタル信号の最上位ビットの1つ下のビットに対応するシャント抵抗における抵抗接続点にコンデンサーが接続されていることが好ましい。 In the present invention, it is preferable that a capacitor is connected to a resistance connection point in the shunt resistor corresponding to the bit one bit lower than the most significant bit of the digital signal.
本発明において、前記コンデンサーは、MOSトランジスターのゲート容量を用いたものであることが好ましい。 In the present invention, the capacitor preferably uses a gate capacitance of a MOS transistor.
本発明において、前記コンデンサーは、LSIの製造に使用するメタル層を絶縁層の両側に配置してなるMIMコンデンサーであることが好ましい。 In the present invention, the capacitor is preferably an MIM capacitor in which metal layers used for manufacturing an LSI are arranged on both sides of an insulating layer.
本発明において、前記コンデンサーは、ポリシリコン層を絶縁層の両側に配置してなるコンデンサーであることが好ましい。 In the present invention, the capacitor is preferably a capacitor having a polysilicon layer disposed on both sides of an insulating layer.
本発明にかかる液晶駆動装置は、液晶表示部を駆動する液晶駆動装置であって、ディジタル画像信号に基づいて、該液晶表示部に駆動電圧を供給する駆動回路として、上述した本発明のD/Aコンバータ回路を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。 The liquid crystal drive device according to the present invention is a liquid crystal drive device for driving a liquid crystal display unit, and as a drive circuit for supplying a drive voltage to the liquid crystal display unit based on a digital image signal, the D / D of the present invention described above. An A converter circuit is provided, thereby achieving the above object.
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。 With the above configuration, the operation of the present invention will be described below.
本発明においては、ディジタル信号の各ビットに対応する複数の抵抗を含むR−2Rラダー抵抗網と、該R−2Rラダー抵抗網の出力端に、該ディジタル信号に応じたアナログ電圧が発生するよう切り替える電流経路切り替え回路とを備え、該R−2Rラダー抵抗網を、該ディジタル信号の最上位ビットに対応する抵抗に接続されたコンデンサーを有する構成としたので、最上位ビット(MSB)の切り替わるディジタル信号が入力された場合に、該ディジタル信号の値が(1000・・・000)から(0111・・・111)へ変化するところ、およびその逆に変化するところで、該最上位ビットに対応する抵抗に流れる電流が変化しても、該抵抗に接続されたコンデンサーにより、この電流の変化による電圧の変化を緩和することができる。 In the present invention, an R-2R ladder resistor network including a plurality of resistors corresponding to each bit of the digital signal, and an analog voltage corresponding to the digital signal is generated at the output end of the R-2R ladder resistor network. Since the R-2R ladder resistor network includes a capacitor connected to a resistor corresponding to the most significant bit of the digital signal, the most significant bit (MSB) is switched. When a signal is input, the value corresponding to the most significant bit changes when the value of the digital signal changes from (1000... 000) to (0111... 111) and vice versa. Even if the current flowing through the capacitor changes, the capacitor connected to the resistor can alleviate the change in voltage due to this change in current. That.
この結果、該ディジタル信号の値が(1000・・・000)から(0111・・・111)へ変化するところ、およびその逆に変化するところで、大きなグリッチが発生するのを抑えることができる。 As a result, it is possible to suppress occurrence of a large glitch when the value of the digital signal changes from (1000... 000) to (0111... 111) and vice versa.
また、本発明においては、前記ディジタル信号の各ビットに対応する抵抗を、直列接続の一対の抵抗からなるシャント抵抗とし、前記コンデンサーを、該ディジタル信号の最上位ビットに対応するシャント抵抗における抵抗接続点に接続したので、該コンデンサとR−2R抵抗網の抵抗とによるCRフィルターが形成され、グリッチ抑制を効果的に行うことができる。 In the present invention, the resistor corresponding to each bit of the digital signal is a shunt resistor comprising a pair of resistors connected in series, and the capacitor is connected to the resistor in the shunt resistor corresponding to the most significant bit of the digital signal. Since it is connected to the point, a CR filter is formed by the capacitor and the resistance of the R-2R resistor network, and glitch suppression can be effectively performed.
また、本発明においては、前記ディジタル信号の最上位ビットに対応するシャント抵抗の接続点にコンデンサを接続するだけでなく、該最上位ビット以外の少なくとも1つ以上のビットに対応するシャント抵抗の抵抗接続点にコンデンサーを接続しているので、最上位ビット(MSB)以外のビットの切り替わるディジタル信号が入力された場合、該ビットの値が変化するところで、該ビットに対応する抵抗に流れる電流が変化しても、この抵抗に接続されたコンデンサーにより、この電流の変化による電圧の変化を緩和することができる。 In the present invention, not only a capacitor is connected to the connection point of the shunt resistor corresponding to the most significant bit of the digital signal but also the resistance of the shunt resistor corresponding to at least one bit other than the most significant bit. Since a capacitor is connected to the connection point, when a digital signal that switches bits other than the most significant bit (MSB) is input, the current flowing in the resistor corresponding to the bit changes when the value of the bit changes. Even so, the capacitor connected to this resistor can alleviate the change in voltage due to this change in current.
本発明によれば、D/Aコンバータ回路を構成するR−2Rラダー抵抗網を、ディジタル信号の最上位ビットに対応する抵抗に接続されたコンデンサーを有するものとしたので、最上位ビット(MSB)の切り替わるディジタル信号がD/Aコンバータ回路に入力された場合に、該ディジタル信号の最上位ビットの値が変化するときに大きなグリッチが発生するのを抑えることができる。 According to the present invention, since the R-2R ladder resistor network constituting the D / A converter circuit has a capacitor connected to a resistor corresponding to the most significant bit of the digital signal, the most significant bit (MSB) When a digital signal to be switched is input to the D / A converter circuit, it is possible to suppress the occurrence of a large glitch when the value of the most significant bit of the digital signal changes.
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1によるD/Aコンバータ回路を説明する図であり、10ビットのR−2R方式D/Aコンバータ回路の具体的な回路構成を示している。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram for explaining a D / A converter circuit according to
本実施形態1によるD/Aコンバータ回路100は、従来のD/Aコンバータ回路を構成するR−2R抵抗網10において、入力されるディジタル信号の最上位ビットに対応するシャント抵抗R19の一部と接地との間にコンデンサC1を接続したものである。
The D /
すなわち、本実施形態1のR−2R方式D/Aコンバータ回路100は、従来のD/Aコンバータ回路200と同様、ディジタル信号の各ビットD0〜D9のデータ(以下ビットデータともいう。)が入力されるディジタル入力ノードT0〜T9と、各ビットデータに対応するシャント抵抗R10〜R19とを有している。なお、これらのシャント抵抗10〜R19は、一対の直列接続の抵抗R0a〜R9aおよびR0b〜R9bからなる。また、このD/Aコンバータ回路100においても、ディジタル信号の各ビットD0〜D9に対応するスイッチ回路S0〜S9が設けられており、各スイッチ回路は、各ビットデータに応じて、対応するシャント抵抗の一端の電位を、電源電圧と接地電位のいずれかに切り替えるよう構成されている。つまり、各ビットに対応する入力ノードT0〜T9をHighレベルとLowレベルとの間で切り替えるスイッチ回路S0からS9は、図7に示すようにCMOS構成のインバータ回路で構成され、入力ディジタル信号の各ビットDn(n=0から9)のデータが、Highレベル(VDD)である場合、DOUTn(n=0から9)Highレベルを出力し、入力ディジタル信号の各ビットDn(n=0から9)のデータがLowレベル(GND)である場合、Lowレベル(GND)を出力するバッファー回路となっている。
That is, the R-2R D /
そして、この実施形態1のD/Aコンバータ回路100では、最上位ビットD9に対応するシャント抵抗R19における一対の抵抗R9aおよびR9bの接続点と、接地との間にはコンデンサC1が接続されている。従って、本実施形態1では、上記シャント抵抗を構成する抵抗R0a〜R9aおよびR0b〜R9b、シリーズ抵抗R00、R0〜R9、並びにコンデンサC1が、R−2R抵抗網1を構成しており、それぞれの抵抗の抵抗値はRであり、従ってシャント抵抗の抵抗値は2Rである。
In the D /
ここで、上記コンデンサーC1の容量値は、百数十fF程の容量値であり、MOSトランジスターのゲート容量で十分作成可能である。従って、ここでは、コンデンサーC1には、MOSトランジスターのゲート容量を用いている。ただし、該コンデンサには種々のものを用いることができ、例えば、LSIの製造に使用するメタル層を絶縁層の両側に配置してなる、メタル配線間の容量を用いるMIM(Metal−Insulated−Metal)構造のコンデンサーや、ポリシリコン層を絶縁層の両側に配置してなる、ポリシリコン配線間の容量を用いるダブルポリキャパシターを使用してもよい。 Here, the capacitance value of the capacitor C1 is a capacitance value of about several hundreds of fF, and can be sufficiently created by the gate capacitance of the MOS transistor. Therefore, here, the capacitor C1 uses the gate capacitance of a MOS transistor. However, various types of capacitors can be used. For example, MIM (Metal-Insulated-Metal using a capacitance between metal wirings, in which metal layers used for manufacturing LSIs are arranged on both sides of an insulating layer. ) A capacitor having a structure, or a double polycapacitor using a capacitance between polysilicon wirings, in which a polysilicon layer is arranged on both sides of an insulating layer, may be used.
なお、この実施形態1のD/Aコンバータ回路100におけるその他の構成は、従来のD/Aコンバータ回路200におけるものと同一である。
The other configurations in the D /
次に動作について説明する。 Next, the operation will be described.
ディジタル信号がD/Aコンバータ回路100に入力されると、該D/Aコンバータ回路100では、ディジタル信号の各ビットD0〜D9のデータに応じて、それぞれ対応するスイッチ回路S0〜S9を切り替えて、R−2R抵抗網1を駆動する。これにより、R−2R抵抗網1では、ディジタル入力コードに応じた電流経路が形成され、その出力ノードNoutには、ディジタル信号の値に応じたアナログ電圧が発生する。このアナログ電圧は、R−2R抵抗網1の後段のオペアンプ2を介して、D/Aコンバータ回路100のDA変換出力AVOUTとして出力される。
When the digital signal is input to the D /
ここで、最上位ビット(MSB)の切り替わるディジタル信号が入力された場合、ディジタル入力コードが、511(0111111111)から512(1000000000)へ変化するときには、スイッチ回路S9がシャント抵抗R19の一端を接地電位(Lowレベル)から電源電位(Highレベル)に切り替え、これ以外のスイッチ回路S0〜S8がシャント抵抗R10〜R18の一端を電源電位(Highレベル)から接地電位(Lowレベル)に切り替える。一方、ディジタル入力コードが、512(1000000000)から511(0111111111)へ変化するときには、スイッチ回路S9がシャント抵抗R19の一端を電源電位(Highレベル)から接地電位(Lowレベル)に切り替え、これ以外のスイッチ回路S0〜S8がシャント抵抗R10〜R18の一端を接地電位(Lowレベル)から電源電位(Highレベル)に切り替える。 Here, when a digital signal for switching the most significant bit (MSB) is input, when the digital input code changes from 511 (0111111111) to 512 (1000000000), the switch circuit S9 connects one end of the shunt resistor R19 to the ground potential. Switching from (Low level) to the power supply potential (High level), the other switch circuits S0 to S8 switch one end of the shunt resistors R10 to R18 from the power supply potential (High level) to the ground potential (Low level). On the other hand, when the digital input code changes from 512 (1000000000) to 511 (0111111111), the switch circuit S9 switches one end of the shunt resistor R19 from the power supply potential (High level) to the ground potential (Low level). The switch circuits S0 to S8 switch one end of the shunt resistors R10 to R18 from the ground potential (Low level) to the power supply potential (High level).
図2は、次の条件で、上記のようなディジタル入力コードの切り替え時におけるグリッチの発生状態をシミュレーションしたものである。つまり、10ビットR−2R抵抗網を構成する個々の抵抗の抵抗値はR=60KΩ、D/Aコンバータ回路の駆動周波数は3MHz、電源電圧はVDD=5Vである。 FIG. 2 is a simulation of the occurrence of glitches at the time of switching the digital input code as described above under the following conditions. That is, the resistance value of each resistor constituting the 10-bit R-2R resistor network is R = 60 KΩ, the drive frequency of the D / A converter circuit is 3 MHz, and the power supply voltage is VDD = 5V.
図2には、縦軸を電圧(v)とし横軸を時間(usec)として、上記シャント抵抗R19の抵抗接続点に接続したコンデンサーC1の値を変化させたときの、グリッチの発生状態をシミュレーションしたものが示されている。 FIG. 2 shows a simulation of the state of occurrence of a glitch when the value of the capacitor C1 connected to the resistance connection point of the shunt resistor R19 is changed with the vertical axis representing voltage (v) and the horizontal axis representing time (usec). Is shown.
ここでは、コンデンサーの値は、0fF、50fF、100fF、150fF、175fF、200fFと順次変化させている。100fFでは、コンデンサーを挿入する前の約1/2までグリッチを抑えることが可能であることがわかる。 Here, the value of the capacitor is sequentially changed to 0 fF, 50 fF, 100 fF, 150 fF, 175 fF, and 200 fF. It can be seen that at 100 fF, it is possible to suppress the glitch to about 1/2 before inserting the capacitor.
このように本実施形態1によれば、R−2R抵抗網1を構成している、最上位ビット(MSB)D9のデータが駆動するシャント抵抗R19の抵抗接続点と接地との間にコンデンサーC1を挿入しているので、最上位ビット(MSB)の切り替わるディジタル信号が入力された場合に、該ディジタル信号の値が(1000・・・000)から(0111・・・111)へ変化するところ、およびその逆に変化するところで、該最上位ビットに対応するシャント抵抗に流れる電流が変化しても、該シャント抵抗に接続されたコンデンサーにより、この電流の変化による電圧の変化が緩和される。これにより、最上位ビット(MSB)の切り替わるディジタル入力コードが入力された場合に大きなグリッチが発生するのを抑えることができる。
As described above, according to the first embodiment, the capacitor C1 is connected between the resistance connection point of the shunt resistor R19 that is included in the R-
また、この実施形態では、ディジタル信号の最上位ビットに対応するシャント抵抗における一対の抵抗R9aおよびR9bの接続点にコンデンサーC1を接続したので、該コンデンサC1とR−2R抵抗網の抵抗とによるCRフィルターが形成され、グリッチ抑制を効果的に行うことができる。 In this embodiment, since the capacitor C1 is connected to the connection point of the pair of resistors R9a and R9b in the shunt resistor corresponding to the most significant bit of the digital signal, the CR due to the capacitor C1 and the resistance of the R-2R resistor network is used. A filter is formed, and glitch suppression can be effectively performed.
なお、本実施形態1では、シャント抵抗R19を構成する一対の抵抗R9aおよびR9bの接続点と接地との間にコンデンサーC1を挿入したが、このコンデンサC1は、シャント抵抗R19における抵抗R9aの、抵抗R9bとの接続点とは反対側の一端と接地との間、あるいはシャント抵抗R19における抵抗R9bの、抵抗R9aとの接続点とは反対側の一端と接地との間に挿入してもよい。
(実施形態2)
図3は、本発明の実施形態2によるD/Aコンバータ回路を説明する図であり、10ビットのR−2R方式D/Aコンバータ回路の具体的な回路構成を示している。
In the first embodiment, the capacitor C1 is inserted between the connection point of the pair of resistors R9a and R9b constituting the shunt resistor R19 and the ground, but this capacitor C1 is the resistance of the resistor R9a in the shunt resistor R19. It may be inserted between one end on the side opposite to the connection point with R9b and the ground, or between one end on the side opposite to the connection point with the resistor R9a of the resistor R9b in the shunt resistor R19 and the ground.
(Embodiment 2)
FIG. 3 is a diagram for explaining a D / A converter circuit according to
本実施形態2によるD/Aコンバータ回路100aは、実施形態1のD/Aコンバータ回路100を構成するR−2R抵抗網1において、入力されるディジタル信号の最上位ビットの1つ下のビットに対応するシャント抵抗R18の一部と接地との間にコンデンサC2をさらに接続したものである。
The D /
すなわち、この実施形態2のD/Aコンバータ回路100aでは、最上位ビットD9に対応するシャント抵抗R19の一対の抵抗R9aおよびR9bの接続点と接地との間にコンデンサーC1が接続され、最上位ビットより一つ下のビットD8に対応するシャント抵抗R18の一対の抵抗R8aおよびR8bの接続点と接地との間にコンデンサーC2が接続されている。従って、本実施形態2では、上記シャント抵抗R10〜R19を構成する抵抗R0a〜R9aおよびR0b〜R9b、シリーズ抵抗R00、R0〜R9、およびコンデンサC1およびC2が、R−2R抵抗網1aを構成しており、それぞれの抵抗の抵抗値はRであり、従ってシャント抵抗の抵抗値は2Rである。なお、この実施形態2のD/Aコンバータ回路100aにおけるその他の構成は、従来のD/Aコンバータ回路200におけるものと同一である。
That is, in the D /
次に動作について説明する。 Next, the operation will be described.
この実施形態2のD/Aコンバータ回路100aにおいても、ディジタル信号がD/Aコンバータ回路100aに入力されると、該D/Aコンバータ回路100aでは、ディジタル信号の各ビットD0〜D9のデータに応じて、それぞれ対応するスイッチ回路S0〜S9がR−2R抵抗網1aを駆動する。これにより、R−2R抵抗網1aの出力ノードNoutには、ディジタル信号の値に応じたアナログ電圧が発生し、このアナログ電圧は、オペアンプ2を介して、D/Aコンバータ回路100のDA変換出力AVOUTとして出力される。
Also in the D /
ここで、最上位ビット(MSB)より1つ下のビットのデータが切り替わるディジタル信号が入力された場合、ディジタル入力コードが、255(0011111111)から256(0100000000)へ変化するときには、スイッチ回路S8がシャント抵抗R18の一端を接地電位(Lowレベル)から電源電位(Highレベル)に切り替え、スイッチ回路S0〜S7がシャント抵抗R10〜R17の一端を電源電位(Highレベル)から接地電位(Lowレベル)に切り替える。このとき、スイッチ回路S9の切り替えは行われず、シャント抵抗R19の一端は接地電位のままである。一方、ディジタル入力コードが、256(0100000000)から255(0011111111)へ変化するときには、スイッチ回路S8がシャント抵抗R18の一端を電源電位(Highレベル)から接地電位(Lowレベル)に切り替え、スイッチ回路S0〜S7がシャント抵抗R10〜R17の一端を接地電位(Lowレベル)から電源電位(Highレベル)に切り替える。このときも、スイッチ回路S9の切り替えは行われず、シャント抵抗R19の一端は接地電位のままである。 Here, when a digital signal in which data of one bit lower than the most significant bit (MSB) is switched is input, when the digital input code changes from 255 (0011111111) to 256 (0100000000000), the switch circuit S8 One end of the shunt resistor R18 is switched from the ground potential (Low level) to the power supply potential (High level), and the switch circuits S0 to S7 switch one end of the shunt resistors R10 to R17 from the power supply potential (High level) to the ground potential (Low level). Switch. At this time, switching of the switch circuit S9 is not performed, and one end of the shunt resistor R19 remains at the ground potential. On the other hand, when the digital input code changes from 256 (0100000000000) to 255 (0011111111), the switch circuit S8 switches one end of the shunt resistor R18 from the power supply potential (High level) to the ground potential (Low level), and the switch circuit S0. To S7 switch one end of the shunt resistors R10 to R17 from the ground potential (Low level) to the power supply potential (High level). Also at this time, switching of the switch circuit S9 is not performed, and one end of the shunt resistor R19 remains at the ground potential.
図4は、上記実施形態1と同様に、上記のようなディジタル入力コードの切り替え時(255と256との切り替え)におけるグリッチの発生状態をシミュレーションしたものである。 FIG. 4 shows a simulation result of the occurrence of glitches at the time of switching the digital input code as described above (switching between 255 and 256), as in the first embodiment.
ただし、図4に示すシミュレーションでは、最上位ビットに対応するコンデンサーC1の値を150fFに固定し、最上位ビットの1つ下のビットに対応するコンデンサーC2の値を、0fF、50fF、100fF、150fF、175fF、200fFと順次変化させている。100fFでは、コンデンサーを挿入する前の約1/2以下までグリッチを抑えることが可能であることがわかる。 However, in the simulation shown in FIG. 4, the value of the capacitor C1 corresponding to the most significant bit is fixed to 150 fF, and the value of the capacitor C2 corresponding to the bit immediately below the most significant bit is set to 0 fF, 50 fF, 100 fF, and 150 fF. 175 fF and 200 fF are sequentially changed. It can be seen that at 100 fF, the glitch can be suppressed to about ½ or less before the capacitor is inserted.
また、最上位ビット(MSB)より1つ下のビットのデータが切り替わるディジタル信号が入力された場合、ディジタル入力コードが、767(1011111111)から768(1100000000)へ変化するときには、スイッチ回路S8がシャント抵抗R18の一端を接地電位(Lowレベル)から電源電位(Highレベル)に切り替え、スイッチ回路S0〜S7がシャント抵抗R10〜R17の一端を電源電位から接地電位に切り替える。このとき、スイッチ回路S9の切り替えは行われず、シャント抵抗R19の一端は電源電位のままである。一方、ディジタル入力コードが、768(1100000000)から767(1011111111)へ変化するときには、スイッチ回路S8がシャント抵抗R18の一端を電源電位(Highレベル)から接地電位(Lowレベル)に切り替え、スイッチ回路S0〜S7がシャント抵抗R10〜R17の一端を接地電位(Lowレベル)から電源電位(Highレベル)に切り替える。このときも、スイッチ回路S9の切り替えは行われず、シャント抵抗R19の一端は電源電位のままである。 Further, when a digital signal in which data of the bit one bit lower than the most significant bit (MSB) is switched is input, when the digital input code changes from 767 (1011111111) to 768 (1100000), the switch circuit S8 is shunted. One end of the resistor R18 is switched from the ground potential (Low level) to the power supply potential (High level), and the switch circuits S0 to S7 switch one end of the shunt resistors R10 to R17 from the power supply potential to the ground potential. At this time, switching of the switch circuit S9 is not performed, and one end of the shunt resistor R19 remains at the power supply potential. On the other hand, when the digital input code changes from 768 (11100000000) to 767 (1011111111), the switch circuit S8 switches one end of the shunt resistor R18 from the power supply potential (High level) to the ground potential (Low level), and the switch circuit S0. To S7 switch one end of the shunt resistors R10 to R17 from the ground potential (Low level) to the power supply potential (High level). Also at this time, switching of the switch circuit S9 is not performed, and one end of the shunt resistor R19 remains at the power supply potential.
図5は、上記実施形態1と同様に、上記のようなディジタル入力コードの切り替え時(767と768との切り替え)におけるグリッチの発生状態をシミュレーションしたものである。 FIG. 5 shows a simulation of the occurrence of glitches at the time of switching the digital input code as described above (switching between 767 and 768), as in the first embodiment.
ただし、図5に示すシミュレーションでは、最上位ビットに対応するコンデンサーC1の値を150fFに固定し、最上位ビットの1つ下のビットに対応するコンデンサーC2の値を、0fF、50fF、100fF、150fF、175fF、200fFと順次変化させている。100fFでは、コンデンサーC2を挿入する前の約1/2以下までグリッチを抑えることが可能であることがわかる。 However, in the simulation shown in FIG. 5, the value of the capacitor C1 corresponding to the most significant bit is fixed to 150 fF, and the value of the capacitor C2 corresponding to the bit immediately below the most significant bit is set to 0 fF, 50 fF, 100 fF, and 150 fF. 175 fF and 200 fF are sequentially changed. It can be seen that at 100 fF, the glitch can be suppressed to about ½ or less before the capacitor C2 is inserted.
このようにコンデンサーC1とコンデンサーC2の両方をR−2R抵抗網に挿入することで、これらのコンデンサとR−2R抵抗網の抵抗RとによるCRフィルターが構成され、グリッチがフィルターリングされ、グリッチ抑制効果が得られる。 Thus, by inserting both the capacitor C1 and the capacitor C2 into the R-2R resistor network, a CR filter is formed by these capacitors and the resistance R of the R-2R resistor network, the glitch is filtered, and the glitch is suppressed. An effect is obtained.
このように本実施形態2では、最上位ビットに対応するシャント抵抗R19の抵抗接続点と接地との間にコンデンサーC1を挿入するとともに、最上位ビットより1つ下のビットに対応するシャント抵抗R18の抵抗接続点と接地との間にコンデンサーC2を挿入したので、よりグリッチの発生量を抑制することが可能となる。 As described above, in the second embodiment, the capacitor C1 is inserted between the resistance connection point of the shunt resistor R19 corresponding to the most significant bit and the ground, and the shunt resistor R18 corresponding to the bit one bit lower than the most significant bit. Since the capacitor C2 is inserted between the resistance connection point and the ground, it is possible to further suppress the generation amount of glitches.
なお、上記実施形態では、R−2R抵抗網において、最上位ビットに対応するシャント抵抗にコンデンサーC1を接続したもの、あるいは最上位ビットに対応するシャント抵抗と最上位ビットより1つ下のビットに対応するシャント抵抗の双方にコンデンサーC1およびC2を接続したものを示したが、最上位ビット以外のビットに対応するシャント抵抗のうち、コンデンサーを接続するシャント抵抗は、最上位ビットより2つ下のビットから最下位ビットまでの間のビットに対応するいずれのシャント抵抗であってもよい。このようなコンデンサの接続は、つまり、最上位ビットに対応するシャント抵抗に加えて、最上位ビット以外のいずれのビットに対応するシャント抵抗にコンデンサを付加するかは、R−2Rの抵抗値やR−2R抵抗網を駆動するスイッチの駆動能力に応じて適宜決定するようにすれば良い。 In the above embodiment, in the R-2R resistor network, the shunt resistor corresponding to the most significant bit is connected to the capacitor C1, or the shunt resistor corresponding to the most significant bit and the bit one bit lower than the most significant bit. Although the capacitors C1 and C2 are connected to both of the corresponding shunt resistors, among the shunt resistors corresponding to the bits other than the most significant bit, the shunt resistor connecting the capacitor is two lower than the most significant bit. Any shunt resistor corresponding to a bit between the bit and the least significant bit may be used. The connection of such a capacitor means that in addition to the shunt resistor corresponding to the most significant bit, whether the capacitor is added to the shunt resistor corresponding to any bit other than the most significant bit depends on the resistance value of R-2R or What is necessary is just to determine suitably according to the drive capability of the switch which drives R-2R resistance network.
なお、上記実施形態1および2では、特に説明しなかったが、上記実施形態1および2のD/Aコンバータ回路を用いた液晶駆動装置は、液晶表示装置を備えた、例えば携帯電話装置やパーソナルコンピュータなどの電子情報機器で利用可能なものである。 Although not specifically described in the first and second embodiments, the liquid crystal driving device using the D / A converter circuit of the first and second embodiments includes a liquid crystal display device such as a mobile phone device or a personal computer. It can be used with electronic information devices such as computers.
例えば、本発明のさらなる実施形態による電子情報機器は、本発明の上述した実施形態1および2のD/Aコンバータ回路の少なくともいずれかを用いたもので、この電子情報機器を構成する、液晶表示部を駆動する液晶駆動装置は、本発明の上述した実施形態1および2のD/Aコンバータ回路の少なくともいずれかを有している。このような電子情報機器の、液晶表示部を駆動する液晶駆動装置に、上記D/Aコンバータ回路を用いることにより、表示画像の品質を高めることができる。 For example, an electronic information device according to a further embodiment of the present invention uses at least one of the D / A converter circuits of the above-described first and second embodiments of the present invention, and a liquid crystal display constituting the electronic information device. The liquid crystal driving device for driving the unit includes at least one of the D / A converter circuits of the first and second embodiments of the present invention described above. By using the D / A converter circuit in a liquid crystal driving device that drives a liquid crystal display unit of such an electronic information device, the quality of a display image can be improved.
また、本発明のD/Aコンバータ回路は、液晶駆動装置以外の半導体LSIなどでも用いることができるものであることは言うまでもない。 Needless to say, the D / A converter circuit of the present invention can also be used in a semiconductor LSI other than the liquid crystal driving device.
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。 As mentioned above, although this invention has been illustrated using preferable embodiment of this invention, this invention should not be limited and limited to this embodiment. It is understood that the scope of the present invention should be construed only by the claims. It is understood that those skilled in the art can implement an equivalent range based on the description of the present invention and the common general technical knowledge from the description of specific preferred embodiments of the present invention. It is understood that the patent documents cited in the present specification should be incorporated by reference into the present specification in the same manner as the content itself is specifically described in the present specification.
本発明は、入力されるディジタル信号をアナログ信号に変換するR−2R方式のD/Aコンバータ回路、およびこのようなD/Aコンバータ回路を用いた液晶駆動装置の分野において、R−2R抵抗網における、最上位ビット(MSB)のデータが駆動するシャント抵抗にコンデンサーを接続することにより、DA変換時のグリッチの発生を抑制できるものである。 The present invention relates to an R-2R type D / A converter circuit for converting an input digital signal into an analog signal, and an R-2R resistor network in the field of a liquid crystal driving device using such a D / A converter circuit. By connecting a capacitor to the shunt resistor driven by the most significant bit (MSB) data, it is possible to suppress the occurrence of glitches during DA conversion.
1,1a R−2R抵抗網
2 オペアンプ
3a,3b PchMOSトランジスター
4a,4b NchMOSトランジスター
5a,5b 第1,第2のインバータ回路
20 電流経路切り替え回路
100,100a R−2R方式D/Aコンバータ回路
C1,C2 コンデンサー
Nout 出力ノード
R1〜R9 シリーズ抵抗
R10〜R19 シャント抵抗
R0a〜R9a,R0b〜R9b 抵抗
S0〜S9,Sn スイッチ回路
T0〜T9 入力ノード
Tout 出力端子
DESCRIPTION OF
Claims (11)
該ディジタル信号の各ビットに対応する複数の抵抗を含むR−2Rラダー抵抗網と、
該R−2Rラダー抵抗網における電流経路を、該R−2Rラダー抵抗網の出力端に、該ディジタル信号に応じたアナログ電圧が発生するよう切り替える電流経路切り替え回路とを備え、
該R−2Rラダー抵抗網は、該ディジタル信号の最上位ビットに対応する抵抗に接続されたコンデンサーを有するD/Aコンバータ回路。 A D / A converter circuit for converting an input digital signal into an analog signal,
An R-2R ladder resistor network including a plurality of resistors corresponding to each bit of the digital signal;
A current path switching circuit that switches a current path in the R-2R ladder resistor network so that an analog voltage corresponding to the digital signal is generated at an output terminal of the R-2R ladder resistor network;
The R-2R ladder resistor network is a D / A converter circuit having a capacitor connected to a resistor corresponding to the most significant bit of the digital signal.
前記コンデンサーは、該ディジタル信号の最上位ビットに対応するシャント抵抗における抵抗接続点に接続されている請求項1に記載のD/Aコンバータ回路。 The resistor corresponding to each bit of the digital signal is a shunt resistor consisting of a pair of resistors connected in series,
The D / A converter circuit according to claim 1, wherein the capacitor is connected to a resistance connection point in a shunt resistor corresponding to the most significant bit of the digital signal.
該各スイッチ回路は、該ディジタル信号の各ビットに対応するシャント抵抗の一端を、該ディジタル信号の各ビットデータに応じて電源と接地のいずれかに接続する請求項2または3に記載のD/Aコンバータ回路。 The current path switching circuit includes a plurality of switch circuits corresponding to each bit of the digital signal,
4. The D / D according to claim 2, wherein each switch circuit connects one end of a shunt resistor corresponding to each bit of the digital signal to either a power supply or ground according to each bit data of the digital signal. A converter circuit.
ディジタル画像信号に基づいて、該液晶表示部に駆動電圧を供給する駆動回路として、請求項1から10のいずれかに記載のD/Aコンバータ回路を有する液晶駆動装置。 A liquid crystal driving device for driving a liquid crystal display unit,
11. A liquid crystal driving device having the D / A converter circuit according to claim 1 as a driving circuit for supplying a driving voltage to the liquid crystal display unit based on a digital image signal.
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