JP2008300570A - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
【課題】蛍光体の温度上昇による蛍光体の発光効率の低下を抑制でき、光出力の高出力化を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】LEDチップ10と、LEDチップ10が実装された実装基板20と、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有するドーム状の透光性部材からなり実装基板20との間にLEDチップ10を囲む形で配設された色変換部材30とを備える。色変換部材30は、LEDチップ10からの放射光の方向および強度を表す放射光ベクトルrの延長線と当該色変換部材30の内表面31との交点に立てた法線Uへの放射光ベクトルrの正射影raの長さが一定となるように内表面31の形状が設定されている。
【選択図】図1There is provided a light emitting device capable of suppressing a decrease in luminous efficiency of a phosphor due to a temperature rise of the phosphor and capable of increasing a light output.
An LED chip, a mounting substrate on which the LED chip is mounted, and a phosphor that emits light of a color different from the emission color of the LED chip when excited by light emitted from the LED chip. And a color conversion member 30 disposed between the mounting substrate 20 and the LED chip 10. The color conversion member 30 is a radiated light vector to the normal line U set at the intersection of the extended line of the radiated light vector r representing the direction and intensity of the radiated light from the LED chip 10 and the inner surface 31 of the color conversion member 30. the length of the orthogonal projection r a of r is the shape of the inner surface 31 so as to be constant are set.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、LEDチップ(発光ダイオードチップ)を利用した発光装置に関するものである。 The present invention relates to a light emitting device using an LED chip (light emitting diode chip).
従来から、青色光あるいは紫外光を放射するGaN系のLEDチップとLEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップとは異なる発光色の光を放射する波長変換材料としての蛍光体や光吸収体とを組み合わせることにより、白色を含め、LEDチップの発光色とは異なる色合いの光を出す発光装置の研究開発が各所で行われている(例えば、特許文献1)。なお、この種の発光装置は、小型、軽量、省電力といった長所を有し、例えば、小型電球(白熱電球、ハロゲン電球など)の代替の光源、携帯電話の液晶パネル用光源(液晶パネル用バックライト)などとして広く用いられている。 Conventionally, a GaN LED chip that emits blue light or ultraviolet light, and a phosphor or light absorption as a wavelength conversion material that emits light of an emission color different from that of the LED chip when excited by light emitted from the LED chip. Research and development of a light emitting device that emits light of a color different from the light emission color of an LED chip, including white, by combining with a body has been performed in various places (for example, Patent Document 1). Note that this type of light-emitting device has advantages such as small size, light weight, and power saving. For example, a light source that is an alternative to a small light bulb (incandescent light bulb, halogen light bulb, etc.) Light).
また、白色光が得られる発光装置を照明用光源などに使用する場合には、配線基板上に多数の発光装置を並べて実装したLEDユニットを構成し、LEDユニット全体としての光量を増やすことが考えられるが、発光装置の数が増えると製造コストを含めたコストが高くなるとともに、発光装置からの光をスポット状に絞りたい場合などにレンズや反射鏡が大型化してしまうという問題が生じる。 In addition, when using a light emitting device capable of obtaining white light as a light source for illumination, etc., an LED unit in which a large number of light emitting devices are mounted side by side on a wiring board is configured to increase the amount of light as a whole LED unit. However, as the number of light-emitting devices increases, the cost including manufacturing costs increases, and there is a problem that the lens and the reflecting mirror are enlarged when the light from the light-emitting devices is desired to be spotted.
そこで、上述のLEDユニットでは、発光装置の少数化を図りつつ、LEDチップのジャンクション温度が最大ジャンクション温度を超えないように発光装置への投入電力を大きくして所望の光出力を得るようにしているのが一般的である。 Therefore, in the LED unit described above, while reducing the number of light emitting devices, the input power to the light emitting device is increased so as to obtain a desired light output so that the junction temperature of the LED chip does not exceed the maximum junction temperature. It is common.
なお、上記特許文献1には、図3に示すように、LEDチップ10’と、LEDチップ10’が実装された実装基板20’と、実装基板20’との間にLEDチップ10’を囲む形で配設されたドーム状の封止部材40’と、封止部材40’の内表面に形成された蛍光体層からなる色変換層41’とを備えた発光装置が記載されている。
In Patent Document 1, as shown in FIG. 3, the
また、従来から、図4に示すように、発光ダイオード110’と、発光ダイオード110’から放射される光によって励起されて発光する蛍光体を含有した蛍光体層からなる色変換層141’を内表面に有し気密封止された透光性のグローブ140’とを備え、発光ダイオード110’が均等拡散の配光曲線を有する構造に形成され、グローブ140’が発光ダイオード110’の配光曲線と略相似する外形形状に形成されてなる電球形LEDランプが提案されている(特許文献2)。
ところで、図3に示した構成の発光装置においては、投入電力を大きくすると、LEDチップ10’から放射される青色光あるいは紫外光の放射エネルギが大きくなり、蛍光体でのストークスシフトによるエネルギ損失に起因した発熱量の総量が大きくなり、色変換層41’の温度が上昇する。
By the way, in the light emitting device having the configuration shown in FIG. 3, when the input power is increased, the radiant energy of blue light or ultraviolet light radiated from the
しかしながら、図3に示した構成の発光装置では、ドーム状の封止部材40’の内表面に形成された色変換層41’の端部しか実装基板20’と接していないので、色変換層41’の蛍光体で発生した熱を実装基板20’へ伝熱により効率良く放熱させることができず、蛍光体の温度が上昇して蛍光体の発光効率が低下し、装置全体から出力される光量が低下するという問題があった。ここにおいて、色変換層41’の温度上昇は、実装基板20’から離れている部分であって単位面積当たりの入射光強度が高い部分で特に起こりやすい。
However, in the light emitting device having the configuration shown in FIG. 3, only the end of the
そこで、図3に示した構成の発光装置に、上記特許文献2に記載の発光ダイオード110’の配光曲線と色変換層141’の内表面の形状とを略相似形にする技術を適用することが考えられるが、LEDチップ10’から放射される光の配光が不均等配光の場合、色変換層41’の内表面の単位面積当たりの入射光強度が高い部分が実装基板20’から離れたところに生じてしまう。
Therefore, the technology for making the light distribution curve of the
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、蛍光体の温度上昇による蛍光体の発光効率の低下を抑制でき、光出力の高出力化を図れる発光装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above reasons, and an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of suppressing a decrease in light emission efficiency of a phosphor due to a temperature rise of the phosphor and increasing a light output. It is in.
請求項1の発明は、LEDチップと、LEDチップが実装された実装基板と、LEDチップから放射される光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有するドーム状の透光性部材からなり実装基板との間にLEDチップを囲む形で配設された色変換部材とを備え、色変換部材は、LEDチップからの放射光の方向および強度を表す放射光ベクトルの延長線と当該色変換部材の内表面との交点に立てた法線への放射光ベクトルの正射影の長さが一定となるように内表面の形状が設定されてなることを特徴とする。 The invention of claim 1 includes an LED chip, a mounting substrate on which the LED chip is mounted, and a phosphor that emits light of a color different from the emission color of the LED chip when excited by light emitted from the LED chip. And a color conversion member arranged to surround the LED chip between the mounting substrate and the color conversion member, and the color conversion member represents the direction and intensity of the emitted light from the LED chip. The shape of the inner surface is set so that the length of the orthogonal projection of the emitted light vector to the normal line established at the intersection of the extended line of the emitted light vector and the inner surface of the color conversion member is constant. Features.
この発明によれば、色変換部材は、LEDチップからの放射光の方向および強度を表す放射光ベクトルの延長線と当該色変換部材の内表面との交点に立てた法線への放射光ベクトルの正射影の長さが一定となるように内表面の形状が設定されているので、色変換部材の内表面の単位面積当たりの入射光強度を略一定とすることができ、蛍光体の温度上昇による蛍光体の発光効率の低下を抑制でき、光出力の高出力化を図れる。 According to the present invention, the color conversion member is a radiated light vector to a normal line set at the intersection of an extended line of the radiated light vector representing the direction and intensity of the radiated light from the LED chip and the inner surface of the color conversion member. Since the shape of the inner surface is set so that the length of the orthogonal projection is constant, the incident light intensity per unit area of the inner surface of the color conversion member can be made substantially constant, and the temperature of the phosphor A decrease in the luminous efficiency of the phosphor due to the rise can be suppressed, and the light output can be increased.
請求項1の発明では、蛍光体の温度上昇による蛍光体の発光効率の低下を抑制でき、光出力の高出力化を図れるという効果がある。 According to the first aspect of the invention, it is possible to suppress a decrease in the luminous efficiency of the phosphor due to the temperature rise of the phosphor, and to increase the light output.
(実施形態1)
本実施形態の発光装置は、図1に示すように、LEDチップ10と、LEDチップ10が実装された実装基板20と、LEDチップ10から放射される光によって励起されてLEDチップ10の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有するドーム状の透光性部材からなり実装基板20との間にLEDチップ10を囲む形で配設された色変換部材30と、色変換部材30と実装基板20とで囲まれた空間に充実されLEDチップ10などを封止した封止材(例えば、シリコーン樹脂など)からなるゲル状の封止部(図示せず)とを備えている。
(Embodiment 1)
As shown in FIG. 1, the light emitting device of the present embodiment includes an
実装基板20は、矩形板状のセラミック基板(例えば、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板などの電気絶縁性を有し且つ熱伝導率の高いセラミック基板)からなる絶縁性基板21を用いて形成されており、LEDチップ10の各電極とそれぞれ電気的に接続される2つの配線パターン22,22が形成されている。ここで、各配線パターン22,22は、絶縁性基板21の一表面(図1における上面)と側面と他表面(図1における下面)とに跨って形成されており、各配線パターン22,22のうち側面と他表面とに跨って形成されている部位が外部接続用電極22b,22bを構成している。また、各配線パターン22,22は、Cu膜と当該Cu膜上のAu膜とで構成されている。なお、絶縁性基板21は、セラミック基板に限らず、エポキシ樹脂基板やホーロー基板などを用いてもよい。
The
また、本実施形態の発光装置は、実装基板20における絶縁性基板21の上記他表面の中央部に、LEDチップ10で発生した熱を放熱させるための矩形状の放熱用導体部26が形成されているので、図示しない配線基板に実装する際に、放熱用導体部26を半田からなる接合部を介して配線基板の導体パターンと固着して配線基板と熱結合させることにより、LEDチップ10の温度上昇を抑制することができる。なお、放熱用導体部26は、各配線パターン22,22と同じ材料により形成されている。また、放熱用導体部26は、LEDチップ10よりも平面サイズを大きく設定してある。
Further, in the light emitting device of this embodiment, a rectangular heat radiating
一方、LEDチップ10は、青色の波長域の光を放射するGaN系青色LEDチップであり、結晶成長用基板であるサファイア基板からなるベース基板の一表面側にGaN系化合物半導体材料からなる発光部が形成されており、各電極が金属材料(本実施形態では、Au)からなるバンプ16,16を介して実装基板20の配線パターン22,22と電気的に接続されている。
On the other hand, the
色変換部材30は、シリコーン樹脂のような透光性材料にLEDチップ10から放射される青色光を吸収することで励起されて青色光よりも低エネルギの黄色光を放射する粒子状の黄色蛍光体を含有する透光性部材により構成されている。したがって、本実施形態の発光装置は、LEDチップ10から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された黄色光とが色変換部材30の外表面(光出射面)32を通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。なお、色変換部材30の材料として用いる透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、エポキシ樹脂、ガラスなどを採用してもよい。また、色変換部材30の材料として用いる透光性材料に含有させる蛍光体も黄色蛍光体に限らず、色調整や演色性を高めるなどの目的で複数種類の蛍光体を用いてもよく、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを用いることで演色性の高い白色光を得ることができる。ここで、複数種類の蛍光体を用いる場合には必ずしも発光色の異なる蛍光体の組み合わせに限らず、例えば、発光色はいずれも黄色で発光スペクトルの異なる複数種類の蛍光体を組み合わせてもよい。
The
上述の色変換部材30は、開口部の周縁が全周に亘って実装基板20に対して接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて接着されている。
The
なお、本実施形態の発光装置では、LEDチップ10として、チップサイズが1mm□の高出力タイプのGaN系青色LEDチップを用いているので、LEDチップ10のジャンクション温度が最大ジャンクション温度を超えず且つ所望の光出力が得られるように、LEDチップ10への投入電力を例えば1〜3W程度として用いることになる。
In the light emitting device of the present embodiment, a high output type GaN-based blue LED chip with a chip size of 1 mm □ is used as the
ところで、色変換部材30は、頂部30aが中空円錐状の形状に形成され、周部30bが球帯状の形状に形成され、頂部30aの下端部と周部30bの上端部とが滑らかに連続している。なお、本実施形態では、色変換部材30の肉厚を0.5mm一定とし、色変換部材30の周部30bの内径を4mm、外径を5mmとしてあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。
By the way, the
ここにおいて、色変換部材30とLEDチップ10とは互いの光軸が一致するように配置されており、色変換部材30は、LEDチップ10からの放射光の方向および強度を表す放射光ベクトルrの延長線と当該色変換部材30の内表面31との交点に立てた法線Uへの放射光ベクトルrの正射影raの長さが一定となるように内表面31の形状が設定されている。なお、放射光ベクトルrは、光源であるLEDチップ10の各方向の光強度を矢印の方向と長さで表したものであり、矢の先端の包絡面が配光立体(配光パターン)Dを表している。
Here, the
以上説明した本実施形態の発光装置では、上述の放射光ベクトルrの延長線と色変換部材30の内表面31との交点に立てた法線Uへの放射光ベクトルrの正射影raの長さが一定となるように色変換部材30の内表面31の形状が設定されているので、色変換部材30の内表面31の単位面積当たりの入射光強度を略一定とすることができ、蛍光体の温度上昇による蛍光体の発光効率の低下を抑制でき、光出力の高出力化を図れる。
Or more light-emitting device of the present embodiment described, the orthogonal projection r a of the radiation vector r in the normal U stood at the intersection of the
また、本実施形態の発光装置では、色変換部材30の内表面31の全体が1つの球面の一部をなすような形状に形成されている場合(要するに、色変換部材30が中空の半球状に形成されている場合)に比べて、色変換部材30の表面積を大きくすることができ、色変換部材30における蛍光体で発生した熱を色変換部材30の外表面32側から大気中へ効率良く放熱させることができ、蛍光体の温度上昇による発光効率の低下、色ずれ、信頼性低下を抑制できる。
Further, in the light emitting device of this embodiment, when the entire
また、本実施形態の発光装置では、上述のように実装基板20における絶縁性基板21として熱伝導率の高いセラミック基板を用いているので、LEDチップ10で発生した熱を効率よく放熱させることができる。
Moreover, in the light emitting device of this embodiment, since the ceramic substrate having high thermal conductivity is used as the insulating
なお、本実施形態では、実装基板20と色変換部材30とで囲まれた空間がLEDチップ10を封止した封止部により充実されているが、上記空間を空気雰囲気や不活性ガス雰囲気や真空雰囲気としてもよい。
In the present embodiment, the space surrounded by the mounting
(実施形態2)
図2に示す本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであって、LEDチップ10の配光立体(配光パターン)Dの形状が異なり、色変換部材30の形状が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
(Embodiment 2)
The basic configuration of the light emitting device of the present embodiment shown in FIG. 2 is substantially the same as that of the first embodiment, the shape of the light distribution solid (light distribution pattern) D of the
本実施形態におけるLEDチップ10は、配光立体Dの形状が図2に示すような形状となっており、放射角が約45度の方向で光強度が最大となっている。これに対して、色変換部材30は、実施形態1と同様に、LEDチップ10からの放射光の方向および強度を表す放射光ベクトルの延長線と当該色変換部材30の内表面31との交点に立てた法線への放射光ベクトルの正射影の長さが一定となるように内表面31の形状が設定されており、周部30bが頂部30aに近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ筒状に形成され、頂部30aがLEDチップ10側に凸となる形で緩やかに湾曲した形状に形成されている。
In the
しかして、本実施形態の発光装置では、実施形態1の発光装置と同様に、色変換部材30の内表面31の単位面積当たりの入射光強度を略一定とすることができ、蛍光体の温度上昇による蛍光体の発光効率の低下を抑制でき、光出力の高出力化を図れる。
Thus, in the light emitting device of this embodiment, as in the light emitting device of Embodiment 1, the incident light intensity per unit area of the
ところで、上述の各実施形態では、LEDチップ10として、発光色が青色の青色LEDチップを採用しているが、LEDチップ10の発光色は青色に限らず、例えば、紫外光でもよい。また、各実施形態では、LEDチップ10におけるベース基板としてサファイア基板を採用しているが、ベース基板はサファイア基板に限らず、SiC基板などでもよい。また、ベース基板は、結晶成長用基板に限らず、結晶成長後に発光部と接合したSi基板などでもよい(この場合には結晶成長用基板を除去する)。また、各実施形態では、LEDチップ10が実装基板20に対してフリップ実装されているが、ボンディングワイヤを用いた実装構造を採用してもよい。
By the way, in each above-mentioned embodiment, although the blue LED chip whose luminescent color is blue is employ | adopted as
10 LEDチップ
20 実装基板
30 色変換部材
30a 頂部
30b 周部
31 内表面
32 外表面
D 配光立体
r 放射光ベクトル
ra 正射影
U 法線
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2007144012A JP2008300570A (en) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2007144012A JP2008300570A (en) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | Light emitting device |
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Country Status (1)
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| JP (1) | JP2008300570A (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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