JP2008225295A - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】視野角をふった場合においても違和感のない表示を得ることのできる、電気光学装置、及びこの電気光学装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】一対の基板１０，２５間に負の誘電異方性を有する電気光学層５０を挟持してなり、一方の基板１０における電気光学層５０側に設けられる画素電極９および対向電極３１間に生じる電界によって電気光学層５０を駆動させて、複数のサブ画素領域にて赤、緑、又は青の色表示を行う電気光学装置１００である。画素電極９には、この画素電極９が設けられたサブ画素領域の表示色に対応してγ値が設定されたγ曲線に基づき補正された画像信号が供給されており、赤色に対応する前記γ値が２．２以上２．７以下に設定され、緑色に対応する前記γ値が２．２に設定され、青色に対応する前記γ値が１．７以上２．２以下に設定される。
【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関するものである。

従来のＴＮモードを採用した液晶装置（電気光学装置）には視野角が狭い。そのため、近年では、視野角の広い、ＶＡ（垂直配向）モードの液晶装置が知られている。しかしながら、ＶＡモードの液晶装置では、視野角をふった時の色変化が大きいといった問題がある。例えば、携帯電話等のモバイル用途としてＶＡモードの液晶装置を用いる場合、バッテリーの小型化することで低電圧化が図られる。すると、液晶層のリタデーションが大きく設定されるため、上述した色変化の度合いがさらに増加する。すなわち、視角をふった場合に表示品位が低下してしまうおそれがある。

一方、液晶装置の色再現性を低下させる要因として、γカーブがあげられる。一般的に、液晶装置では、Ｒ、Ｇ、Ｂが異なるγカーブを有しているため、異なる補正カーブで対応しないと、Ｒ、Ｇ、Ｂの階調表示が正常に行われない。そこで、Ｒ、Ｇ、Ｂのγカーブを個別に設定することにより、正常な階調表示を行い、色再現性の改善を図った技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２−２５８８１３号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示された技術は横電界方式（ＦＦＳ方式）の液晶装置に特化したものであるため、ＶＡモードの液晶装置において視野角をふった場合に生じる色味の不自然さを解消し、違和感の少ない表示品位を得ることは困難であった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、視野角をふった場合においても違和感の少ない表示品位を得ることのできる、電気光学装置、及びこの電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の電気光学装置は、一対の基板間に負の誘電異方性を有する電気光学層を挟持してなり、前記一対の基板の一方の基板における前記電気光学層側に設けられた画素電極および対向電極間に生じる電界によって前記電気光学層を駆動させて、複数のサブ画素領域にて赤、緑、又は青の色表示を行う電気光学装置であって、前記画素電極には、該画素電極が設けられる前記サブ画素領域の表示色に対応してγ値が設定されたγ曲線に基づき補正された画像信号が供給されており、赤色に対応する前記γ値が２．２以上２．７以下に設定され、緑色に対応する前記γ値が２．２に設定され、青色に対応する前記γ値が１．７以上２．２以下に設定されることを特徴とする。

ここで、例えば本発明を垂直配向（ＶＡ）モードの液晶装置に適応する。ＶＡモードの液晶装置は、元々青色の成分が少なく、しかも視野角をふった時の色変化が大きい（視野角依存性が大きい）ため、斜め方向から視認した場合、画像が黄色に色付いてしまうといった不具合がある。そこで、本発明を採用すれば、青色に対応するγ曲線のγ値（１．７以上２．２以下）が赤色に対応するγ曲線のγ値（２．２以上２．７）に対して小さくなるので、青色成分が相対的に強められるようになる。よって、青色の成分が強まることで、赤、青、緑で合成される白色のバラツキが抑えられ、斜め方向から視認した際に色変化が起こったとしても違和感の少ない、高品位の表示を得ることができる。

また、上記電気光学装置においては、前記赤色に対応する前記γ値が２．４に設定され、前記青色に対応する前記γ値が２．０に設定されるのが好ましい。
このようにすれば、特に、白色のバラツキを良好に抑えることができ、視野角を振った場合でも違和感の少ない表示を得ることができる。

また、上記電気光学装置においては、前記電気光学層は垂直配向モードで駆動される液晶層であるのが好ましい。
このようにすれば、視野角依存性の大きい、ＶＡ（垂直配向）モードの液晶装置において、視野角を振った場合でも違和感の少ない表示を得ることができ、特に効果的である。

また、本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えたことを特徴とする。

本発明の電子機器によれば、上述したように視野角を振った場合でも違和感の少ない表示が得られる、すなわち視野角依存性の低い電気光学装置を備えているので、高機能なものとなる。

（第１の実施形態）
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。本実施形態では、電気光学装置としてアクティブマトリクス方式の半透過反射型液晶装置を例に挙げて説明する。また、本実施形態に係る液晶装置は、垂直配向モード（ＶＡ方式）の液晶層（電気光学層）を備える垂直配向型の液晶装置である。また本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものである。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」、１組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素領域（３個）から構成される表示領域を「画素領域」と称する。

本実施の形態の液晶装置１００において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された各サブ画素領域には、画素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０がそれぞれ形成されており、後述するデータ線駆動回路１０１から延在するデータ線６ａに当該ＴＦＴ３０のソースが電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。また、走査線駆動回路１０２から延在する走査線３ａにＴＦＴ３０のゲートが電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

本実施形態に係る液晶装置１００では、前記データ線駆動回路１０１に接続される階調補正回路１０３を備えている。この階調補正回路１０３は、γ曲線を用いて輝度情報を補正した画像信号を生成してデータ線駆動回路１０１に供給する構成となっている。また、前記階調補正回路１０３は、サブ画素領域に対応する表示色毎に前記γ曲線のγ値が設定される構成となっている。すなわち、本実施形態に係る液晶装置１００は、表示色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）毎に輝度情報を補正することで、表示色毎に輝度を調整することができるようになっている。

階調補正回路１０３は、赤色の表示色に対応する前記γ値を２．２以上２．７以下に設定するのが好ましく、緑の表示色に対応する前記γ値を２．２に設定し、前記青色の表示色に対応する前記γ値を１．７以上２．２以下に設定するのが好ましい。

ここで、本実施形態に係る前記階調補正回路１０３におけるγ設定を図２に示す。なお図２中、横軸は各表示色における階調を示し、同図中縦軸は各階調時における輝度（相対値）を示している。本実施形態では、図２に示すように赤色に対応するγ値を２．４、緑色のγ値を２．２、青色のγ値を２．０に設定した。すなわち、本実施形態では、同一の階調で比較した場合、緑の表示色に対し、赤の表示色の階調（明るさ）が低く、青色の表示色の階調（明るさ）が高くなっている。

すなわち、上記液晶装置１００は、ＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、上記階調補正回路１０３により補正された輝度情報を有する画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングでデータ線６ａを介して画素電極９に書き込まれる。

画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークするのを防止するために、画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。なお、符号３ｂは容量線である。

次に、図３に基づいて、本実施形態の液晶装置１００の画素構成について説明する。図３に示すように、本実施形態の液晶装置１００では、互いに平行に延在する走査線３ａと、これらの走査線に交差して延在するデータ線６ａとに囲まれた平面視矩形状の領域がサブ画素領域Ｄ１〜Ｄ３とされ、１つのサブ画素領域に対応して３原色のうち１色のカラーフィルタが形成され、３つのサブ画素領域Ｄ１〜Ｄ３で３色のカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを含む画素領域を形成している。なお、これらのカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、それぞれ図示上下方向に延びるストライプ状に形成され、その延在方向で各々複数のサブ画素領域に跨って形成されるとともに、図示左右方向にて周期的に配列されている。なお、カラーフィルタ２２を構成する各カラーフィルタ２２Ｒ〜２２Ｂの間には必要に応じて黒色樹脂等からなる遮光層（ブラックマトリクス）を配置してもよい。

サブ画素領域Ｄ１〜Ｄ３に設けられた画素電極９は、各サブ画素領域内に形成されたスリット１９により複数（本実施形態では３つ）のサブピクセル（島状部）２９ａ，２９ｂ，２９ｂに分割され、各サブピクセルは中央部で連結されている。なお、各サブピクセル２９ａ，２９ｂ，２９ｂの角部には面取り等が施され、サブピクセル２９ａ，２９ｂ，２９ｂは平面視略八角形状ないし略円形状とされている。

図示上側のサブピクセル２９ａはＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）等の光反射性の金属膜若しくはこれらの金属膜とＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜との積層膜からなる。このサブピクセル２９ａは反射電極として機能し、このサブピクセル２９ａの形成された領域が反射表示領域Ｒとなる。反射電極の表面には凹凸形状が付与されており、この凹凸によって反射光が散乱されることで、視認性の良い表示が得られるようになっている。

また、図示下側の２つのサブピクセル２９ｂ，２９ｂはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなり、このサブピクセル２９ｂ，２９ｂの形成された領域が透過表示領域Ｔとなる。すなわち、本実施形態の液晶装置１００は、１つのサブ画素領域内に反射表示を行なう反射表示領域Ｒと透過表示を行なう透過表示領域Ｔとを備えた半透過反射型の液晶装置であり、表示可能な領域の略１／３の面積が反射表示に寄与し、残りの略２／３の面積が透過表示に寄与するようになっている。図２では、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界を一点鎖線で示している。なお、サブピクセルとサブピクセルを連結する連結部はＩＴＯ等の透明導電膜からなり、この連結部も透過表示に寄与するようになっている。それぞれのサブピクセル２９ａ，２９ｂ，２９ｂの中央部には、液晶の配向を規制するための配向規制手段である誘電体突起１８が配設されている。

図示上方側のサブピクセル２９ａと、走査線３ａ、データ線６ａとの間に、ＴＦＴ３０が介挿されている。ＴＦＴ３０は、アモルファスシリコンの半導体層３３と、該半導体層３３の下層側（基板本体１０Ａ側）に設けられたゲート電極３２と、半導体層３３の上層側に設けられたソース電極３４と、ドレイン電極３５とを備えて構成されている。半導体層３３のゲート電極３２と対向する領域にＴＦＴ３０のチャネル領域が形成されており、その両側の半導体層には、ソース領域、及びドレイン領域が形成されている。

ゲート電極３２は、走査線３ａの一部をデータ線６ａの延在方向に分岐して形成されており、その先端側で半導体層３３と図示略の絶縁膜を介して対向している。ソース電極３４は、データ線６ａの一部を走査線３ａの延在方向に分岐して形成されており、図示略のコンタクトホールを介して半導体層３３のソース領域と電気的に接続されている。ドレイン電極３５の一端側は、図示略のコンタクトホールを介して前記ドレイン領域と電気的に接続されており、ドレイン電極３５の他端側は、直接又はコンタクトホールＣを介してサブピクセル２９ａ（画素電極９）と電気的に接続されている。このような構成により、ＴＦＴ３０は、走査線３ａを介して入力されたゲート信号により所定期間だけオン状態とされ、画像信号を所定のタイミングで液晶に対して書き込むことができる。

一方、図４に示す断面構造を見ると、液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された対向基板２５とを備え、前記基板１０，２５間に初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶を有した液晶層５０が挟持されている。なお、符号５１にて示す略棒状の楕円体は、垂直配向された液晶分子を概念的に示すものである。

ＴＦＴアレイ基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）に図示されない走査線が形成されている。そして、この走査線の一部はゲート電極３２として機能し、該ゲート電極３２を覆ってゲート絶縁膜１４が形成されている。そして、ゲート絶縁膜１４上にアモルファスシリコンの半導体層３３が形成されており、半導体層３３に一部乗り上げるようにしてソース電極３４と、ドレイン電極３５とが形成されている。

前記ＴＦＴ３０を覆って酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１５が形成されており、該層間絶縁膜１５上に画素電極９が形成されている。前記層間絶縁膜１５を貫通して、ドレイン電極３５に達するコンタクトホールＣが形成されており、このコンタクトホールＣ内に画素電極９が一部埋設されることで、画素電極９とＴＦＴ３０とが電気的に接続されている。また、図示は省略したが、画素電極９及び層間絶縁膜１５を覆ってポリイミド等の垂直配向膜が形成されており、液晶分子５１の初期配向を基板面に対し垂直に配向させるようになっている。

対向基板２５は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体２５Ａを基体としてなる。基板本体２５Ａの内面側には、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔに跨って前記カラーフィルタ２２が設けられている。

カラーフィルタ２２の内面側には反射表示領域Ｒに対応して絶縁膜４０が選択的に形成されている。このようにサブ画素領域内に部分的に形成された絶縁膜４０により、液晶層５０の層厚が反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで異なった状態となっている。絶縁膜４０は、アクリル樹脂等の透明な有機材料膜を用いて形成されている。絶縁膜４０は、例えば膜厚が２μｍ±１μｍ程度に形成され、絶縁膜４０が存在しない部分の液晶層５０の厚みは２μｍ〜６μｍ程度であり、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚みは透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚みの約半分となっている。つまり、絶縁膜４０は、自身の膜厚によって反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとにおける液晶層５０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層として機能し、これによりマルチギャップ構造を実現するものとなっている。本例の液晶装置１００は、このような構成により明るく高コントラストの表示が得られるようになっている。なお、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界付近には、絶縁膜４０の層厚が連続的に変化している傾斜面が形成されており、さらに隣接するサブピクセル間を連結している線状の電極膜（連結部分）とも平面的に重なっている。

さらに基板本体２５Ａの内面側には、カラーフィルタ２２と絶縁膜４０の表面を覆って対向電極３１が形成されている。対向電極３１は平面ベタ状のＩＴＯ等からなる透明導電膜であり、係る対向電極３１上の画素電極９と対向する位置に、液晶層５０に突出する誘電体突起１８が設けられている。誘電体突起１８の断面形状は略三角形で図示しているが、実際にはなだらかな曲面形状で形成される。透過表示領域Ｔには、２つのサブピクセル２９ｂ，２９ｂの各々に対応して、それらの中央部に対向する位置にそれぞれ１つずつ誘電体突起１８が形成されており、反射表示領域Ｒには、サブピクセル２９ａに対応して、その中央部に対向する位置（絶縁膜４０上）に誘電体突起１８が１つ形成されている。

これらの誘電体突起１８は、樹脂等の誘電体材料からなり、マスクを用いたフォトリソグラフィ等によって形成することができる。本実施形態では、ノボラック系のポジ型フォトレジストを用いて高さ１．２μｍ、直径１２μｍの誘電体突起１８を反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔに対して一括で形成している。例えば、レジストを現像後に２２０℃でポストベークすることで、なだらかな突起形状を得ることができる。この誘電体突起１８の高さは透過表示用として最適に設定されたものとなっている。

また図示は省略したが、対向電極３１及び誘電体突起１８を覆ってポリイミド等の垂直配向膜が形成されており、電界無印加時には配向膜の表面に対して垂直に配向し、電界印加時には配向膜の表面に対して平行に（すなわち、電界方向と垂直に）配向するものである。

また、ＴＦＴアレイ基板１０の外側には位相差板１６及び偏光板２０が設けられ、対向基板２５の外側にも位相差板３６及び偏光板３８が設けられている。この偏光板２０，３８は、特定方向に振動する直線偏光のみを透過させる機能を有する。また位相差板１６，３６として、可視光の波長に対して略１／４波長の位相差を持つλ／４板が採用されている。なお、偏光板２０，３８の透過軸と位相差板１６，３６の遅相軸とが約４５°をなすように配置されて、偏光板２０，３８および位相差板１６，３６により円偏光板が構成されている。この円偏光板により、直線偏光は円偏光に変換され、円偏光は直線偏光に変換される。また、偏光板２０の透過軸および偏光板３８の透過軸は直交するように配置され、位相差板１６の遅相軸および位相差板３６の遅相軸も直交するように配置されている。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の偏光板２０の外側には、照明手段として光源、リフレクタ、導光板などを有するバックライト（図示略）が設置されている。

（液晶装置の動作）
続いて、上記構成の液晶装置１００の動作について説明する。
まず、透過モードにおいては、バックライトから照射された光は、偏光板２０および位相差板１６を透過して円偏光に変換され、液晶層５０に入射する。電圧無印加時において基板と垂直に配向している液晶分子には屈折率異方性がほとんどないので、入射光は円偏光を保持したまま液晶層５０を進行する。さらに位相差板３６を透過した入射光は、偏光板３８の透過軸と直交する直線偏光に変換される。そして、この直線偏光は偏光板３８を透過しないので、本実施形態の液晶装置１００では、電圧無印加時において黒表示が行われる（ノーマリーブラック表示）。

一方、液晶層５０に電界を印加すると、液晶分子が基板面方向に倒れるように配向して、透過光に対する屈折率異方性を呈する。そのため、バックライトから液晶層５０に入射した円偏光は、液晶層５０を透過する過程で楕円偏光に変換される。この入射光が位相差板３６を透過しても、偏光板３８の透過軸と直交する直線偏光には変換されず、その全部または一部が透過する。したがって、本実施形態の液晶装置１００では、電圧印加時において白表示が行われる。また係る構成のもと液晶層５０に印加する電圧を調整することにより、階調表示を行うことが可能である。この際、本実施形態では、液晶分子５１はサブピクセル２９ｂ，２９ｂの輪郭に対して垂直方向に傾倒する。また、各サブピクセル２９ｂ，２９ｂの中央部に対向する位置に誘電体突起１８，１８が配置されているので、誘電体突起１８の周辺では、電圧無印加時には液晶分子５１が誘電体突起１８の傾斜面と垂直に配向し、電圧印加時には誘電体突起１８から外側に向かって液晶分子５１が倒れ、それを中心とした平面放射状に液晶分子５１が配向する（図２参照）。したがって、本実施形態の液晶装置１００では、電圧印加時に液晶分子５１のダイレクタが全方位に向くこととなり、視野角の極めて広い表示が実現される。なお、透過表示領域Ｔには全体にカラーフィルタ２２が配置されているので、サブピクセル２９ｂ，２９ｂを透過した光は全て着色された光となる。

次に、反射モードにおいては、対向基板２５の外側から入射された外光は、偏光板３８および位相差板３６を透過して円偏光に変換されて液晶層５０に入射する。電圧無印加時において基板と垂直に配向している液晶分子には屈折率異方性がほとんどないので、入射光は円偏光を保持したまま液晶層５０を進行してサブピクセル２９ａ（反射電極）に到達する。そしてサブピクセル２９ａにより反射されて液晶層５０に戻り、再び位相差板３６に入射する。このとき、サブピクセル２９ａにより反射された円偏光は、その回転方向が反転しているので、位相差板３６を透過する際に偏光板３８の透過軸と直交する直線偏光に変換される。そして、この直線偏光は偏光板３８を透過しないので、本実施形態の液晶装置１００では、電圧無印加時において黒表示が行われる（ノーマリーブラック表示）。

一方、液晶層５０に電界を印加すると、液晶分子が基板面方向に倒れるように配向して、透過光に対する屈折率異方性を呈する。そのため、対向基板２５の外側から液晶層５０に入射した円偏光は、液晶層５０を透過する過程で直線偏光に変換されてサブピクセル２９ａ（反射電極）に到達する。そして、サブピクセル２９ａにより反射された後、液晶層５０を透過し、位相差板３６及び偏光板３８に入射する。この反射光は、先の入射光と同じ回転方向の円偏光であるため位相差板３６により偏光板３８の透過軸と平行な直線偏光に変換されることから前記偏光板３８を透過して表示光として視認され、サブ画素領域が白表示となる。

なお、上述した表示形態において、反射表示領域Ｒでは入射光が液晶層５０を２回透過するが、透過表示領域Ｔではバックライトから発せられた光が液晶層５０を１回しか透過しない。したがって、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとでは、液晶層５０のリタデーション（位相差値）の違いにより液晶の透過率の状態に違いを生じるおそれがある。しかしながら、本実施形態の構造では反射表示領域Ｒに液晶層厚調整用の絶縁膜４０を形成することにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔにおけるリタデーションの最適化を図り、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔ共に明るく高コントラストの表示を得ることができる。

このとき、外部端末から液晶装置１００に供給された画像信号は、その輝度情報が階調補正回路１０３に入力される。そして、階調補正回路１０３では、表示色に対応したγ曲線に基づいて輝度情報の階調を補正することにより、新たな階調の輝度情報を有する画像信号を生成する。そして、階調補正回路１０３は、生成した画像信号をデータ線駆動回路１０１に出力する。

ところで、一般的にＶＡ方式の液晶装置は視野角依存性が大きいため、視野角をふった場合（表示面を斜め方向から視た場合）に、色合いが変化するといった問題がある。さらに、ＶＡ方式の液晶装置は、後述するように青色の成分が元々少ない。図５は、一般的なＶＡ方式の液晶装置の各サブ画素領域での画素電極および対向電極間の印加電圧と、出力光の輝度との関係を示す図であり、同図中では緑の色表示における輝度の最大値を１としたときの相対的な輝度を示している。図５により、ＶＡ方式の液晶装置は青色の成分が少ないことが確認できる。
したがって、従来におけるＶＡ方式の液晶装置では、斜め方向から視ると色合いの変化度合いが増加し、表示画像が黄色になってしまう。

一方、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、上述した階調補正回路１０３によって表示色毎にγ値（Ｒのγ値＝２．４、Ｇのγ値＝２．２、Ｂのγ値＝２．０）が設定されたγ曲線を用いて補正した画像信号により表示がなされる。

ここで、本実施形態に係る液晶装置１００によって得られる効果について、図面を参照しつつ説明する。図６は、一般的なＶＡ方式の液晶装置（図５に対応）における色度座標図と本実施形態に係る液晶装置１００における色度座標図とを示すものである。
従来例（一般的なＶＡ方式の液晶装置）では、色度のバラツキが大きいため、基板面を斜め方向から視認した場合に上述したように画像が黄色く色づいて見えることが図６から確認できる。一方、本実施形態に係る液晶装置１００は、上記従来例に比べ、白色のバラツキが抑えられたものとなる。この理由としては、青色（Ｂ）のγ値が赤色（Ｒ）のγ値に対して大きく補正した画像信号が各表示色に対応する画素電極９に入力され、これによってカラー表示がなされるためである。

したがって、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、図６に示されるように白色のバラツキが抑えられることで、斜め方向から視認した際に色変化が起こったとしても違和感の少ない、高品位の表示を得ることができる。

（電子機器）
図７は、本発明に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視構成図であり、この携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。

本実施形態に係る携帯電話１３００によれば、上述したように視野角を振った場合でも違和感の少ない表示が得られる、すなわち視野角依存性の低い液晶装置１００を備えているので、高機能なものとなる。近年、携帯電話はさらなる小型化が望まれており、表示部を構成する液晶装置について小型化が図られる。この場合、ＶＡ方式の液晶層は、液晶層のリタデーションが大きくなって視野角依存性がさらに増加する。
したがって、本発明に係る液晶装置１００によれば、視野角依存性を抑えつつ小型化が実現されたものであるので、携帯電話１３００等の小型な電子機器に好適に採用できる。

上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストであり、かつ広視野角の透過／反射表示が可能になっている。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
例えば、上記実施形態では、前記赤色に対応するγ曲線のγ値が２．４としているが、２．２以上２．７以下であればよく、他の色（青色）のγ値を考慮して適宜設定してもよい。また同様に、前記青色に対応するγ曲線のγ値が２．０としているが、１．７以上２．２以下であればよく、他の色（赤色）のγ値を考慮して適宜設定してもよい。

また、上記実施形態では、液晶層厚調整層やカラーフィルタ２２の配置は任意である。液晶層厚調整層はＴＦＴアレイ基板側若しくは対向基板側のいずれに配置してもよく、双方に配置することもできる。同様に、カラーフィルタ２２は対向基板側だけでなく、ＴＦＴアレイ基板側に配設することも可能である。
また、液晶の配向規制手段として略円錐状の誘電体突起１８をサブピクセルの中央部に配置したが、この代わりに、サブピクセルの外周部に沿って細長い壁状の突起を形成し、これを配向制御手段として用いてもよい。この細長い突起は前述した略円錐状の突起と同様の作用効果を奏する。また、液晶駆動用の電極（画素電極９や対向電極３１）の一部を切り欠いて形成したスリット状の開口部（電極スリット）を配向規制手段として用いても良い。電極スリットは突起では原理は異なるものの略同様の作用を示す。さらに、配向規制手段は突起と電極スリットの組み合わせであってもよい。さらには、画素駆動用の素子としてアモルファスシリコンからなるＴＦＴ３０の代わりにポリシリコンからなるＴＦＴ、あるいはＴＦＤ（Thin FilmDiode）を用いてもよい。

液晶装置に係るサブ画素領域の等価回路を示す図である。 階調補正回路におけるγ設定を示す図である。 サブ画素領域の構造を示す平面図である。 図３中Ａ−Ａ´線矢視による液晶装置の断面構成図である。 一般的なＶＡ方式の液晶装置の印加電圧及び出力輝度の関係図である。 本実施形態及び従来例に係る液晶装置の色度座標図である。 電子機器の一実施形態としての携帯電話の概略構成を示す図である。

符号の説明

９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、２５…対向基板、３１…対向電極、５０…液晶層（電気光学層）、１００…液晶装置（電気光学装置）

Claims (4)

1. 一対の基板間に負の誘電異方性を有する電気光学層を挟持してなり、前記一対の基板の一方の基板における前記電気光学層側に設けられた画素電極および対向電極間に生じる電界によって前記電気光学層を駆動させて、複数のサブ画素領域にて赤、緑、又は青の色表示を行う電気光学装置であって、
   前記画素電極には、該画素電極が設けられる前記サブ画素領域の表示色に対応してγ値が設定されたγ曲線に基づき補正された画像信号が供給されており、
   赤色に対応する前記γ値が２．２以上２．７以下に設定され、
   緑色に対応する前記γ値が２．２に設定され、
   青色に対応する前記γ値が１．７以上２．２以下に設定されることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記赤色に対応する前記γ値が２．４に設定され、前記青色に対応する前記γ値が２．０に設定されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記電気光学層は垂直配向モードで駆動される液晶層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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