JP2008225144A

JP2008225144A - Electro-optical device and electronic apparatus

Info

Publication number: JP2008225144A
Application number: JP2007064522A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Okuyama; 智幸奥山
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2007-03-14
Filing date: 2007-03-14
Publication date: 2008-09-25
Anticipated expiration: 2027-03-14
Also published as: JP5082518B2

Abstract

【課題】ＴＦＴのチャネル領域に光が到達することを防止して、トランジスタ特性が良好で、画像不良を防止することができる電気光学装置および電子機器を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ３０の下層側および上層側を含む周囲を覆うように第一誘電体からなる第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３が形成され、少なくとも第一層間絶縁層１２の下面を覆いＴＦＴ３０に平面的に重なるように第一遮光層１１が形成され、画素の光透過領域に第一誘電体と屈折率の異なる第二誘電体からなる第三誘電体層１４が第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３の側面に接するように形成され、第一遮光層１１上に第一誘電体と第二誘電体の境界面Ｂが位置していることを特徴とする。
【選択図】図４An electro-optical device and an electronic apparatus that prevent light from reaching a channel region of a TFT, have favorable transistor characteristics, and can prevent image defects.
A first interlayer insulating layer 12 and a second interlayer insulating layer 13 made of a first dielectric are formed so as to cover a periphery including a lower layer side and an upper layer side of a TFT 30, and at least the first interlayer insulating layer 12 is formed. A first light-shielding layer 11 is formed so as to cover the lower surface of the TFT and planarly overlap the TFT 30, and a third dielectric layer 14 made of a second dielectric having a refractive index different from that of the first dielectric is formed in the light transmission region of the pixel. It is formed so as to be in contact with the side surfaces of the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13, and the boundary surface B between the first dielectric and the second dielectric is positioned on the first light shielding layer 11. And
[Selection] Figure 4

Description

この発明は、電気光学装置および電子機器に関するものである。 The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus.

従来から、複数の画素がマトリクス状に配置され、前記複数の画素の各々に対応して薄膜トランジスタが設けられた基板を備えた電気光学装置が知られている。このような電気光学装置として、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）ターゲットを用いたスパッタリングにより形成されたＷＳｉからなる遮光層上に、フォトリソグラフィにより遮光層のパターンに対応するマスクを形成した後、ケミカルドライエッチングを行うことによりテーパー状のＷＳｉ遮光層を形成したアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルが開示されている（例えば、特許文献１参照）。 2. Description of the Related Art Conventionally, an electro-optical device including a substrate in which a plurality of pixels are arranged in a matrix and a thin film transistor is provided corresponding to each of the plurality of pixels is known. As such an electro-optical device, a mask corresponding to the pattern of the light shielding layer is formed by photolithography on a light shielding layer made of WSi formed by sputtering using a WSi (tungsten silicide) target, and then chemical dry etching is performed. An active matrix driving type liquid crystal display panel in which a tapered WSi light shielding layer is formed by performing this technique is disclosed (for example, see Patent Document 1).

また、基板を不活性ガス雰囲気中で且つ所定温度でアニール後に、基板上に高融点金属シリサイドから形成された遮光層と、遮光層上に８５０℃以下のプロセスによりシリケートガラスから形成され、不活性ガス雰囲気中で且つ所定温度でアニールされた層間絶縁層と、層間絶縁層上に所定温度のプロセスにより形成された複数のスイッチング素子と、複数のスイッチング素子に対応して設けられた複数の画素電極を設けた液晶表示パネルが開示されている（例えば、特許文献２参照）。 In addition, after annealing the substrate in an inert gas atmosphere at a predetermined temperature, the light shielding layer formed of refractory metal silicide on the substrate and the silicate glass formed on the light shielding layer by a process of 850 ° C. or lower are inert. An interlayer insulating layer annealed at a predetermined temperature in a gas atmosphere, a plurality of switching elements formed on the interlayer insulating layer by a process at a predetermined temperature, and a plurality of pixel electrodes provided corresponding to the plurality of switching elements A liquid crystal display panel provided with is disclosed (for example, see Patent Document 2).

上述の特許文献１では、熱膨張率の差などに起因した応力の発生を抑えつつ遮光層を形成することにより、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子の下側からの戻り光等の光に対する遮光性能が高く、スイッチング素子のスイッチング特性が高い液晶表示パネルを得ることができる。また、特許文献２では、薄膜トランジスタへのコンタミネーションや熱膨張率の差などに起因した応力の発生を低く抑えつつ、スイッチング素子の下側からの戻り光等の光に対する遮光性能が高く、スイッチング素子のスイッチング特性が高い液晶表示パネルを得ることができる。
特許第３３７４７１７号公報特許第３６７４２６０号公報 In the above-mentioned Patent Document 1, light shielding such as return light from the lower side of a switching element such as a TFT (thin film transistor) is formed by forming a light shielding layer while suppressing generation of stress due to a difference in thermal expansion coefficient. A liquid crystal display panel having high performance and high switching characteristics of the switching element can be obtained. Further, in Patent Document 2, the light shielding performance against light such as return light from the lower side of the switching element is high while suppressing the generation of stress due to contamination to the thin film transistor and the difference in thermal expansion coefficient. A liquid crystal display panel having high switching characteristics can be obtained.
Japanese Patent No. 3374717 Japanese Patent No. 3674260

しかしながら、上記従来の電気光学装置では、ＴＦＴの上層側および下層側に配置された遮光層によって入射光や戻り光をある程度遮蔽することができるが、基板上に設けられた層間絶縁層の境界面や配線層等によって反射された一部の光がＴＦＴの上層側および下層側に配置された遮光層の間から入り込み、反射を繰り返してＴＦＴのチャネル領域に到達してしまうという課題がある。ＴＦＴのチャネル領域に光が到達すると、光電効果によるリーク電流が発生してトランジスタ特性が劣化したり、素子不良による画像不良が生じたりするという問題がある。 However, in the conventional electro-optical device, incident light and return light can be shielded to some extent by the light shielding layers disposed on the upper layer side and the lower layer side of the TFT, but the boundary surface of the interlayer insulating layer provided on the substrate Another problem is that part of the light reflected by the wiring layer or the like enters from between the light shielding layers disposed on the upper layer side and the lower layer side of the TFT, and is repeatedly reflected to reach the channel region of the TFT. When the light reaches the channel region of the TFT, there is a problem that a leak current is generated due to a photoelectric effect, transistor characteristics are deteriorated, and an image defect is caused due to an element defect.

そこで、この発明は、ＴＦＴのチャネル領域に光が到達することを防止して、トランジスタ特性が良好で、画像不良を防止することができる電気光学装置および電子機器を提供するものである。 Accordingly, the present invention provides an electro-optical device and an electronic apparatus that can prevent light from reaching the channel region of a TFT, have good transistor characteristics, and prevent image defects.

上記の課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、複数の画素がマトリクス状に配置され、前記複数の画素の各々に対応して薄膜トランジスタが設けられた基板を備えた電気光学装置であって、前記薄膜トランジスタの下層側および上層側を含む周囲を覆うように第一誘電体層が形成され、少なくとも前記第一誘電体層の下面を覆い前記薄膜トランジスタに平面的に重なるように遮光層が形成され、前記第一誘電体層と屈折率の異なる第二誘電体層が前記画素の光透過領域であって、前記第一誘電体層の側面に接するように形成され、前記遮光層上に前記第一誘電体層と前記第二誘電体層の境界面が位置していることを特徴とする。 In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention is an electro-optical device including a substrate in which a plurality of pixels are arranged in a matrix and a thin film transistor is provided corresponding to each of the plurality of pixels. A first dielectric layer is formed so as to cover a periphery including a lower layer side and an upper layer side of the thin film transistor, and a light shielding layer is provided so as to cover at least the lower surface of the first dielectric layer and planarly overlap the thin film transistor. A second dielectric layer having a refractive index different from that of the first dielectric layer is formed in the light transmission region of the pixel so as to be in contact with a side surface of the first dielectric layer; A boundary surface between the first dielectric layer and the second dielectric layer is located.

このように構成することで、薄膜トランジスタの下層側から基板の垂線方向に沿って薄膜トランジスタの形成領域に入射しようとする光は遮光層によって遮断される。また、薄膜トランジスタの下層側から基板の垂線方向と交差するように角度を持って入射し、遮光層の上層側の薄膜トランジスタが形成された領域に入射しようとする光は、まず光透過領域に配置された第二誘電体層に入射して第二誘電体層を透過する。第二誘電体層を透過した光は、薄膜トランジスタの形成領域を含む遮光層上に形成された第一誘電体層と第二誘電体層との境界面に到達する。ここで、第二誘電体は第一誘電体と屈折率の異なる誘電体によって形成されているので、第一誘電体層と第二誘電体層との境界面に達した光は境界面によって反射される。 With this configuration, light that enters the thin film transistor formation region along the vertical direction of the substrate from the lower layer side of the thin film transistor is blocked by the light blocking layer. In addition, light that enters from the lower layer side of the thin film transistor at an angle so as to intersect the normal direction of the substrate, and enters the region where the thin film transistor on the upper side of the light shielding layer is formed, is first placed in the light transmission region. The light is incident on the second dielectric layer and passes through the second dielectric layer. The light transmitted through the second dielectric layer reaches the boundary surface between the first dielectric layer and the second dielectric layer formed on the light shielding layer including the formation region of the thin film transistor. Here, since the second dielectric is formed of a dielectric having a refractive index different from that of the first dielectric, the light reaching the boundary surface between the first dielectric layer and the second dielectric layer is reflected by the boundary surface. Is done.

したがって、本発明によれば、光透過領域から入射し、薄膜トランジスタが形成された領域に基板の垂線方向と交差するように角度を持って入射しようとする光を、第一誘電体層と第二誘電体層の境界面によって反射させ、薄膜トランジスタのチャネル領域に光が到達することを防止できる。よって、電気光学装置のトランジスタ特性が劣化することを防止し、画像不良を防止することができる。 Therefore, according to the present invention, the light incident from the light transmission region and entering the region where the thin film transistor is formed at an angle so as to intersect the normal direction of the substrate is transmitted to the first dielectric layer and the second dielectric layer. It is possible to prevent light from reaching the channel region of the thin film transistor by being reflected by the boundary surface of the dielectric layer. Therefore, it is possible to prevent the transistor characteristics of the electro-optical device from deteriorating and to prevent image defects.

また、本発明の電気光学装置では、前記第一誘電体層の屈折率は前記第二誘電体層の屈折率よりも小さいことが望ましい。
このように構成することで、屈折率の大きい第二誘電体層に入射し、第二誘電体層を透過して屈折率の小さい第一誘電体層との境界面に達する光の入射角の範囲に応じて、各誘電体層の屈折率を調整することで、当該光を当該境界面によって全反射させることができる。したがって、薄膜トランジスタのチャネル領域に光が到達することをより効果的に防止できる。 In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the refractive index of the first dielectric layer is smaller than the refractive index of the second dielectric layer.
With this configuration, the incident angle of light that enters the second dielectric layer having a large refractive index, passes through the second dielectric layer, and reaches the boundary surface with the first dielectric layer having a small refractive index. By adjusting the refractive index of each dielectric layer according to the range, the light can be totally reflected by the boundary surface. Therefore, it is possible to more effectively prevent light from reaching the channel region of the thin film transistor.

また、本発明の電気光学装置では、少なくとも前記第一誘電体層上を覆い前記薄膜トランジスタと平面的に重なるように配線層が形成され、前記配線層下に前記境界面が位置していることが望ましい。
このように構成することで、配線層を薄膜トランジスタの上層側を覆う遮光層として機能させることができるだけでなく、薄膜トランジスタの形成領域に上層側から入射しようとする光が上述の境界面と配線層との隙間から薄膜トランジスタの形成領域を含む第一誘電体層に入射することを防止できる。したがって、薄膜トランジスタの形成領域に上層側から入射しようとする光をより効果的に遮蔽し、薄膜トランジスタのチャネル領域に光が到達することをより効果的に防止できる。 In the electro-optical device according to the aspect of the invention, a wiring layer may be formed so as to cover at least the first dielectric layer and to overlap the thin film transistor in a planar manner, and the boundary surface may be located under the wiring layer. desirable.
With this configuration, not only can the wiring layer function as a light-shielding layer that covers the upper layer side of the thin film transistor, but also light that is about to enter the thin film transistor formation region from the upper layer side is formed between the boundary surface and the wiring layer. It is possible to prevent the light from entering the first dielectric layer including the thin film transistor formation region from the gap. Therefore, it is possible to more effectively shield the light that enters the thin film transistor formation region from the upper layer side and more effectively prevent the light from reaching the channel region of the thin film transistor.

また、本発明の電気光学装置では、前記第一誘電体層は上層側の幅が下層側の幅よりも小さくなるように側面に斜面が形成されていてもよい。
このように構成することで、第一誘電体層と第二誘電体層との境界に形成される境界面も同様に傾斜した状態となる。これにより、薄膜トランジスタの形成領域の下層側から光透過領域に入射して薄膜トランジスタの形成領域に入射しようとする戻り光が、上述の境界面に、より大きい入射角で到達する。したがって、薄膜トランジスタの形成領域に入射しようとする戻り光を、上述の境界面によってより確実に反射させ、薄膜トランジスタのチャネル領域に光が到達することをより効果的に防止できる。 In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the first dielectric layer may have a slope on the side surface so that the width on the upper layer side is smaller than the width on the lower layer side.
With this configuration, the boundary surface formed at the boundary between the first dielectric layer and the second dielectric layer is similarly inclined. Thereby, the return light that enters the light transmission region from the lower layer side of the thin film transistor formation region and enters the thin film transistor formation region reaches the above-described boundary surface at a larger incident angle. Therefore, it is possible to more effectively prevent the light that reaches the channel region of the thin film transistor by more reliably reflecting the return light that enters the thin film transistor formation region by the above-described boundary surface.

また、本発明の電気光学装置は、前記斜面が前記基板となす角の角度をθ_Ａ、前記基板の上側から前記境界面に入射する入射光が前記基板の垂線となす角の角度をθ_Ｔ、前記第一誘電体層の屈折率をＮ１、前記第二誘電体層の屈折率をＮ２とした場合に下記式（Ｉ）を満たす関係が成立することを特徴とする。
Ｎ２＞Ｎ１／ｓｉｎ（θ_Ａ−θ_Ｔ）…（Ｉ）
このように構成することで、基板の上側から透過領域に入射して薄膜トランジスタの形成領域の上層側から薄膜トランジスタの形成領域に入射しようとする入射光が基板の垂線となす角の角度θ_Ｔの範囲に応じて、θ_Ａ、Ｎ１、Ｎ２を最適化することができる。これにより、基板の垂線となす角の角度θ_Ｔが所定の範囲の入射光を上述の境界面によって全反射させ、薄膜トランジスタのチャネル領域に光が到達することをより効果的に防止できる。 In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the angle between the inclined surface and the substrate is θ _A , and the angle between the incident light incident on the boundary surface from the upper side of the substrate and the perpendicular of the substrate is θ _T. When the refractive index of the first dielectric layer is N1 and the refractive index of the second dielectric layer is N2, a relationship satisfying the following formula (I) is established.
N2> N1 / sin (θ _A −θ _T ) (I)
With such a configuration, the range of the angle θ _T between the incident light entering the transmission region from the upper side of the substrate and entering the thin film transistor formation region from the upper layer side of the thin film transistor formation region and the perpendicular of the substrate Depending on, θ _A , N1, N2 can be optimized. Thus, the angle theta _T of the perpendicular and the angle of the substrate was the totally reflecting the incident light in a predetermined range by the above-described interface, can be more effectively prevent light from reaching the channel region of the thin film transistor.

また本発明の電気光学装置は、前記斜面が前記基板となす角の角度をθ_Ａ、前記基板の下側から前記境界面に入射する戻り光が前記基板の垂線となす角の角度をθ_Ｂ、前記第一誘電体層の屈折率をＮ１、前記第二誘電体層の屈折率をＮ２とした場合に下記式（ＩＩ）を満たす関係が成立することを特徴とする。
Ｎ２＞Ｎ１／ｓｉｎ（θ_Ａ＋θ_Ｂ）…（ＩＩ）
このように構成することで、基板の下側から透過領域に入射して薄膜トランジスタの形成領域の下層側から薄膜トランジスタの形成領域に入射しようとする戻り光が基板の垂線となす角の角度θ_Ｂの範囲に応じて、θ_Ａ、Ｎ１、Ｎ２を最適化することができる。これにより、基板の垂線となす角の角度θ_Ｂが所定の範囲の戻り光を上述の境界面によって全反射させ、薄膜トランジスタのチャネル領域に光が到達することをより効果的に防止できる。また、上述の式（Ｉ）と式（ＩＩ）を同時に満たすようにθ_Ａ、Ｎ１、Ｎ２を最適化することで、入射光と戻り光の両者を全反射させることができ、薄膜トランジスタのチャネル領域に光が到達することをより効果的に防止できる。 In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the angle between the inclined surface and the substrate is θ _A , and the angle between the return light incident on the boundary surface from the lower side of the substrate and the perpendicular of the substrate is θ _B. When the refractive index of the first dielectric layer is N1 and the refractive index of the second dielectric layer is N2, a relationship satisfying the following formula (II) is established.
N2> N1 / sin (θ _A + θ _B ) (II)
With this configuration, the angle θ _B of the angle formed between the return light incident on the transmission region from the lower side of the substrate and entering the thin film transistor formation region from the lower layer side of the thin film transistor formation region with the normal of the substrate Depending on the range, θ _A , N1, N2 can be optimized. This makes it possible to more effectively prevent the return light having an angle θ _B formed with the normal of the substrate within a predetermined range from being totally reflected by the above-described boundary surface and reaching the channel region of the thin film transistor more effectively. Further, by optimizing θ _A , N1, and N2 so as to satisfy the above formulas (I) and (II) at the same time, both incident light and return light can be totally reflected, and the channel region of the thin film transistor It is possible to more effectively prevent light from reaching the light source.

また、本発明の電子機器は、上述の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
このように、本発明の電子機器は、トランジスタ特性が良好で、画像不良を防止することができる電気光学装置を備えているので、応答性、信頼性に優れ、画像表示性能の良好な高性能の電子機器となる。 According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus including the above-described electro-optical device.
As described above, the electronic apparatus of the present invention has an electro-optical device that has good transistor characteristics and can prevent image defects, so that it has excellent responsiveness and reliability, and high image display performance. It becomes an electronic device.

次に、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。尚、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
＜第一実施形態＞
[液晶装置]
図１に示すように、アクティブマトリクス基板１の中央には画像表示領域２が形成されている。画像表示領域２の周縁部にはシール材３が配設され、このシール材３によりアクティブマトリクス基板１と対向基板４とが貼り合わされている。また、両基板１，４とシール材３とに囲まれる領域内には液晶層（不図示）が封止されている。シール材３の外側には、後述する走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路５と、後述するデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路６とが実装されている。アクティブマトリクス基板１の端部には外部回路に接続する複数の接続端子７が設けられており、この接続端子７には駆動回路５，６から延びる配線が接続されている。シール材３の四隅にはアクティブマトリクス基板１と対向基板４とを電気的に接続する基板間導通部８が設けられており、基板間導通部８も配線を介して接続端子７と電気的に接続されている。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, in order to make each configuration easy to understand, the actual structure is different from the scale and number in each structure.
<First embodiment>
[Liquid Crystal Device]
As shown in FIG. 1, an image display region 2 is formed at the center of the active matrix substrate 1. A sealing material 3 is disposed on the peripheral edge of the image display region 2, and the active matrix substrate 1 and the counter substrate 4 are bonded together by the sealing material 3. A liquid crystal layer (not shown) is sealed in a region surrounded by the substrates 1 and 4 and the sealing material 3. On the outside of the sealing material 3, a scanning line driving circuit 5 for supplying scanning signals to scanning lines to be described later and a data line driving circuit 6 for supplying image signals to data lines to be described later are mounted. A plurality of connection terminals 7 connected to an external circuit are provided at the end of the active matrix substrate 1, and wirings extending from the drive circuits 5 and 6 are connected to the connection terminals 7. Inter-substrate conducting portions 8 for electrically connecting the active matrix substrate 1 and the counter substrate 4 are provided at the four corners of the sealing material 3, and the inter-substrate conducting portions 8 are also electrically connected to the connection terminals 7 through wiring. It is connected.

液晶装置１００の画像表示領域２には、図２に示すように、複数のデータ線２１と、データ線２１と交差する方向に延びる複数の走査線２２とが形成されている。また、隣接する２本のデータ線２１と隣接する２本の走査線２２とに囲まれた矩形状の領域に対応して画素電極２３が配置されている。画像表示領域２全体では画素電極２３が平面視マトリクス状に配列されている。各画素電極２３には、画素電極２３への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０が接続されている。ＴＦＴ３０のソースにはデータ線２１が接続されている。各データ線２１には、前述したデータ線駆動回路６から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。 As shown in FIG. 2, a plurality of data lines 21 and a plurality of scanning lines 22 extending in a direction intersecting with the data lines 21 are formed in the image display region 2 of the liquid crystal device 100. A pixel electrode 23 is arranged corresponding to a rectangular region surrounded by two adjacent data lines 21 and two adjacent scanning lines 22. In the entire image display region 2, the pixel electrodes 23 are arranged in a matrix in a plan view. Each pixel electrode 23 is connected to a TFT 30 which is a switching element for controlling energization to the pixel electrode 23. A data line 21 is connected to the source of the TFT 30. Each data line 21 is supplied with image signals S1, S2,..., Sn from the data line driving circuit 6 described above.

また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線２２が接続されている。走査線２２には、前述した走査線駆動回路５から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。一方、ＴＦＴ３０のドレインには画素電極２３が接続されている。そして、走査線２２から供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、ＧｍによりＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることで、データ線２１から供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極２３を介して各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。 A scanning line 22 is connected to the gate of the TFT 30. Scanning signals G1, G2,..., Gm are supplied to the scanning lines 22 in a pulsed manner from the scanning line driving circuit 5 described above at a predetermined timing. On the other hand, the pixel electrode 23 is connected to the drain of the TFT 30. Then, the TFT 30 is turned on for a certain period by the scanning signals G1, G2,..., Gm supplied from the scanning line 22, so that the image signals S1, S2,. Are written to the liquid crystal of each pixel at a predetermined timing.

液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極２３と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極２３と容量線２４との間に蓄積容量２５が液晶容量と並列に接続されている。 The predetermined level image signals S1, S2,..., Sn written in the liquid crystal are held for a certain period by a liquid crystal capacitance formed between the pixel electrode 23 and a common electrode described later. Note that a storage capacitor 25 is connected in parallel with the liquid crystal capacitor between the pixel electrode 23 and the capacitor line 24 in order to prevent the held image signals S1, S2,..., Sn from leaking.

アクティブマトリクス基板１上には、図３に示すように、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide；ＩＴＯ）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極２３（破線２３ａによりその輪郭を示す）が、マトリクス状に配列形成されている。各画素電極２３の縦横の境界に沿って、データ線２１、走査線２２及び容量線２４が設けられている。本実施形態では、各画素電極２３の形成領域に対応する矩形状の領域が画素の平面領域に対応しており、マトリクス状に配列された画素毎に表示動作が行われるようになっている。 On the active matrix substrate 1, as shown in FIG. 3, a rectangular pixel electrode 23 (the outline of which is indicated by a broken line 23a) made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) is provided. Are arranged in a matrix. A data line 21, a scanning line 22, and a capacitor line 24 are provided along the vertical and horizontal boundaries of each pixel electrode 23. In the present embodiment, a rectangular area corresponding to the formation area of each pixel electrode 23 corresponds to a planar area of the pixel, and a display operation is performed for each pixel arranged in a matrix.

ＴＦＴ３０は、ポリシリコン膜等からなる半導体層３１を備えている。半導体層３１のソース領域（後述）には、コンタクトホール３２を介して、データ線２１が接続されている。また、半導体層３１のドレイン領域（後述）には、コンタクトホール３３を介して、ドレイン電極３５が接続されている。一方、半導体層３１における走査線２２との対向部分には、チャネル領域３１ｃが形成されている。 The TFT 30 includes a semiconductor layer 31 made of a polysilicon film or the like. A data line 21 is connected to a source region (described later) of the semiconductor layer 31 through a contact hole 32. A drain electrode 35 is connected to a drain region (described later) of the semiconductor layer 31 through a contact hole 33. On the other hand, a channel region 31 c is formed in a portion of the semiconductor layer 31 facing the scanning line 22.

液晶装置１００は、図４に示すように、アクティブマトリクス基板１と、これに対向配置された対向基板４と、これらの間に挟持された液晶層９とを備えて構成されている。アクティブマトリクス基板１は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１０、及びその内側（液晶層側）に形成されたＴＦＴ３０や画素電極２３、さらにこれを覆う配向下地膜２６及び無機配向膜２７などを備えている。一方の対向基板４は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体４０、およびその内側（液晶層側）に形成された共通電極４１、さらにこれを覆う配向下地膜４２、無機配向膜４３などを備えている。 As shown in FIG. 4, the liquid crystal device 100 includes an active matrix substrate 1, a counter substrate 4 disposed to face the active matrix substrate 1, and a liquid crystal layer 9 sandwiched therebetween. The active matrix substrate 1 includes a substrate body 10 made of a light-transmitting material such as glass and quartz, a TFT 30 and a pixel electrode 23 formed on the inner side (liquid crystal layer side), an alignment base film 26 covering the same, and an inorganic alignment. A film 27 and the like are provided. One counter substrate 4 includes a substrate body 40 made of a translucent material such as glass and quartz, a common electrode 41 formed on the inner side (liquid crystal layer side), an alignment base film 42 covering the substrate, and an inorganic alignment film. 43 and the like.

基板本体１０の内面側（上層側）には、後述する第一遮光層１１および第一層間絶縁層１２が形成されている。第一層間絶縁層１２は、例えば、ＳｉＯ_２等の透明な第一誘電体によって形成されている。第一層間絶縁層１２上には島状の半導体層３１が形成されている。半導体層３１における走査線２２との対向部分にはチャネル領域３１ｃが形成されており、チャネル領域３１ｃの両側にソース領域およびドレイン領域が形成されている。ＴＦＴ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用しており、ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域（ＬＤＤ領域）とが形成されている。チャネル領域３１ｃ側から順に形成された低濃度ソース領域３１ｄと高濃度ソース領域３１ｅとがソース領域を構成し、チャネル領域３１ｃ側から順に形成された低濃度ドレイン領域３１ｂと高濃度ドレイン領域３１ａとがドレイン領域を構成している。 A first light shielding layer 11 and a first interlayer insulating layer 12 to be described later are formed on the inner surface side (upper layer side) of the substrate body 10. The first interlayer insulating layer 12 is formed of a transparent first dielectric such as SiO ₂ , for example. An island-shaped semiconductor layer 31 is formed on the first interlayer insulating layer 12. A channel region 31c is formed in a portion of the semiconductor layer 31 facing the scanning line 22, and a source region and a drain region are formed on both sides of the channel region 31c. The TFT 30 employs an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and a high concentration region having a relatively high impurity concentration and a relatively low concentration region (LDD region) are formed in the source region and the drain region, respectively. ing. The low concentration source region 31d and the high concentration source region 31e formed in order from the channel region 31c side constitute a source region, and the low concentration drain region 31b and the high concentration drain region 31a formed in order from the channel region 31c side. A drain region is formed.

半導体層３１の表面にゲート絶縁膜３４が形成されており、ゲート絶縁膜３４上に走査線２２が形成されている。走査線２２のうちチャネル領域３１ｃとの対向部分はＴＦＴ３０のゲート電極を構成している。ゲート絶縁膜３４及び走査線２２を覆って第二層間絶縁層１３が形成されている。第二層間絶縁層１３は、第一層間絶縁層１２と同様に、例えば、ＳｉＯ_２等の透明な第一誘電体によって形成されている。これにより、ＴＦＴ３０は下層側および上層側を含む周囲がＳｉＯ_２等の透明な第一誘電体によって形成された第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３によって覆われた状態となっている。 A gate insulating film 34 is formed on the surface of the semiconductor layer 31, and the scanning line 22 is formed on the gate insulating film 34. A portion of the scanning line 22 facing the channel region 31 c constitutes a gate electrode of the TFT 30. A second interlayer insulating layer 13 is formed so as to cover the gate insulating film 34 and the scanning line 22. Similar to the first interlayer insulating layer 12, the second interlayer insulating layer 13 is formed of a transparent first dielectric such as SiO ₂ , for example. Thus, the TFT 30 is in a state in which the periphery including the lower layer side and the upper layer side is covered with the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 formed of a transparent first dielectric such as SiO _2. Yes.

また、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する基板本体１０の表面に、第一層間絶縁層１２の下面を覆って第一遮光層１１が形成されている。第一遮光層１１は、アクティブマトリクス基板１の下側（液晶層９の反対側）からの光が、半導体層３１のチャネル領域３１ｃ、低濃度ソース領域３１ｄおよび低濃度ドレイン領域３１ｂに入射して光電効果によるリーク電流が生じるのを防止するために、ＴＦＴ３０に平面的に重なるように形成されている。 Further, the first light shielding layer 11 is formed on the surface of the substrate body 10 corresponding to the formation region of the TFT 30 so as to cover the lower surface of the first interlayer insulating layer 12. In the first light shielding layer 11, light from the lower side of the active matrix substrate 1 (opposite side of the liquid crystal layer 9) is incident on the channel region 31 c, the low concentration source region 31 d and the low concentration drain region 31 b of the semiconductor layer 31. In order to prevent leakage current due to the photoelectric effect, the TFT 30 is formed so as to overlap in a plane.

基板本体１０の表面には、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３の側面に接するように第三層間絶縁層１４が形成されている。第三層間絶縁層１４は、例えば、ＳｉＯＮ等の透明な第二誘電体によって形成されている。また、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３を構成するＳｉＯ_２等の第一誘電体の屈折率と、第三層間絶縁層１４を構成するＳｉＯＮ等の第二誘電体の屈折率とは異なっている。各誘電体の屈折率は、後述するように、アクティブマトリクス基板１に入射する入射光Ｌ_Ｔ、戻り光Ｌ_Ｂが基板本体１０の垂線となす角の角度等に応じて調整される。本実施形態では、第一誘電体であるＳｉＯ_２の屈折率は、例えば、約１．４５となるように調整されている。また、第二誘電体であるＳｉＯＮの屈折率は、例えば、約１．５４となるように調整されている。 A third interlayer insulating layer 14 is formed on the surface of the substrate body 10 so as to be in contact with the side surfaces of the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13. The third interlayer insulating layer 14 is formed of a transparent second dielectric material such as SiON. Further, the refractive index of the first dielectric such as SiO ₂ constituting the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 and the refraction of the second dielectric such as SiON constituting the third interlayer insulating layer 14. It is different from the rate. As will be described later, the refractive index of each dielectric is adjusted according to the angle of the angle between the incident light L _T and the return light L _B incident on the active matrix substrate 1 and the perpendicular of the substrate body 10. In the present embodiment, the refractive index of SiO ₂ that is the first dielectric is adjusted to be, for example, about 1.45. Further, the refractive index of SiON as the second dielectric is adjusted to be about 1.54, for example.

第一誘電体からなる第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３と、第二誘電体からなる第三層間絶縁層１４は、その境界面Ｂが第一遮光層１１上に位置するように形成されている。また、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３は、上層側の幅Ｗ１が下層側の幅Ｗ２よりも小さくなるように側面に斜面が形成されている。この斜面が基板本体１０となす角θ_Ａの角度は、後述するようにアクティブマトリクス基板１に入射する入射光Ｌ_Ｔ、戻り光Ｌ_Ｂが基板本体１０の垂線となす角の角度等に応じて調整され、本実施形態では、例えば、約８０°に形成されている A boundary surface B of the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 made of the first dielectric and the third interlayer insulating layer 14 made of the second dielectric is located on the first light shielding layer 11. It is formed as follows. Further, the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 have slopes on their side surfaces so that the upper layer side width W1 is smaller than the lower layer side width W2. The angle θ _A formed by the inclined surface and the substrate body 10 depends on the angle of the incident light L _T incident on the active matrix substrate 1 and the angle formed by the return light L _B and the perpendicular of the substrate body 10 as will be described later. In this embodiment, for example, it is formed at about 80 °

第二層間絶縁層１３および第三層間絶縁層１４上にはデータ線２１が形成されている。データ線２１は、例えば、金属等の導電性材料によって形成された配線層である。データ線２１は少なくとも第一誘電体からなる第二層間絶縁層１３上を覆うように形成されている。本実施形態では、データ線２１の端部が第二誘電体層である第三層間絶縁層１４上まで延長して形成され、データ線２１の下に境界面Ｂが位置している。また、データ線２１はＴＦＴ３０のチャネル領域３１ｃと平面的に重なるように形成されている。データ線２１の一部は第二層間絶縁層１３に貫設されたコンタクトホール３２内に埋設されて高濃度ソース領域３１ｅと電気的に接続されている。ドレイン電極３５は、第二層間絶縁層１３に貫設されたコンタクトホール３３を介して半導体層３１の高濃度ドレイン領域３１ａと電気的に接続されている。 A data line 21 is formed on the second interlayer insulating layer 13 and the third interlayer insulating layer 14. The data line 21 is a wiring layer formed of a conductive material such as metal, for example. The data line 21 is formed so as to cover at least the second interlayer insulating layer 13 made of the first dielectric. In the present embodiment, the end of the data line 21 is formed to extend to the third interlayer insulating layer 14 that is the second dielectric layer, and the boundary surface B is located under the data line 21. The data line 21 is formed so as to overlap with the channel region 31c of the TFT 30 in a plan view. A part of the data line 21 is embedded in a contact hole 32 penetrating the second interlayer insulating layer 13 and electrically connected to the high concentration source region 31e. The drain electrode 35 is electrically connected to the high concentration drain region 31 a of the semiconductor layer 31 through a contact hole 33 penetrating the second interlayer insulating layer 13.

また、図５に示すように、第一誘電体からなる第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３と、第二誘電体からなる第三層間絶縁層１４の境界面Ｂが、第一遮光層１１、基板本体１０となす角の角度をθ_Ａ、アクティブマトリクス基板１の上側（液晶層９側）から境界面Ｂに入射する入射光Ｌ_Ｔが基板本体１０の垂線Ｐとなす角の角度をθ_Ｔ、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３を構成する第一誘電体ＳｉＯ_２の屈折率をＮ１、第三層間絶縁層１４を構成する第二誘電体ＳｉＯＮの屈折率をＮ２とした場合に、下記式（Ｉ）を満たす関係が成立するように、各パラメータが設定されている。
Ｎ２＞Ｎ１／ｓｉｎ（θ_Ａ−θ_Ｔ）…（Ｉ） Further, as shown in FIG. 5, the boundary surface B between the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 made of the first dielectric and the third interlayer insulating layer 14 made of the second dielectric is one light shielding layer 11, angle theta _a corner formed between the substrate main body _10, perpendicular P and the angle of the incident light L _T is the substrate main body 10 that is incident from the upper side of the active matrix substrate 1 (the liquid crystal layer 9 side) to the boundary plane B Θ _T , the refractive index of the first dielectric SiO ₂ constituting the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 is N1, and the second dielectric SiON constituting the third interlayer insulating layer 14 is When the refractive index is N2, each parameter is set so that a relationship satisfying the following formula (I) is established.
N2> N1 / sin (θ _A −θ _T ) (I)

また、図６に示すように、アクティブマトリクス基板１の下側（液晶層９の反対側）から境界面Ｂに入射する戻り光Ｌ_Ｂが基板本体１０の垂線Ｐとなす角の角度をθ_Ｂとした場合に、下記式（ＩＩ）を満たす関係が成立するように、上述した各パラメータが設定されている。
Ｎ２＞Ｎ１／ｓｉｎ（θ_Ａ＋θ_Ｂ）…（ＩＩ） Further, as shown in FIG. 6, the angle of theta _B of perpendicular P and the angle of the return light L _B is the substrate main body 10 which is incident from the lower side of the active matrix substrate 1 (opposite side of the liquid crystal layer 9) on the boundary surface B In this case, the above-described parameters are set so that a relationship satisfying the following formula (II) is established.
N2> N1 / sin (θ _A + θ _B ) (II)

また、図４に示すように、第二層間絶縁層１３、データ線２１、及びドレイン電極３５を覆って第四層間絶縁層１５が形成されている。第四層間絶縁層１５の表面に画素電極２３が形成されており、画素電極２３は第四層間絶縁層１５を貫通してドレイン電極３５に達する画素コンタクトホール３６を介してドレイン電極３５と電気的に接続されている。かかる構造により、画素電極２３とＴＦＴ３０とが電気的に接続されている。さらに、画素電極２３を覆って、配向下地膜２６が形成され、配向下地膜２６上に無機配向膜２７が形成されている。
無機配向膜２７は、例えば、シリコン酸化物によって好適に構成されるが、シリコン酸化物に限らず、アルミニウム酸化物、亜鉛酸化物、マグネシウム酸化物、インジウム錫酸化物、あるいはシリコン窒化物、チタン窒化物などにより形成してもよい。後述する無機配向膜４３についても同様である。 Further, as shown in FIG. 4, a fourth interlayer insulating layer 15 is formed so as to cover the second interlayer insulating layer 13, the data line 21, and the drain electrode 35. A pixel electrode 23 is formed on the surface of the fourth interlayer insulating layer 15, and the pixel electrode 23 is electrically connected to the drain electrode 35 through a pixel contact hole 36 that reaches the drain electrode 35 through the fourth interlayer insulating layer 15. It is connected to the. With this structure, the pixel electrode 23 and the TFT 30 are electrically connected. Further, an alignment base film 26 is formed so as to cover the pixel electrode 23, and an inorganic alignment film 27 is formed on the alignment base film 26.
The inorganic alignment film 27 is preferably composed of, for example, silicon oxide. However, the inorganic alignment film 27 is not limited to silicon oxide, and is not limited to aluminum oxide, zinc oxide, magnesium oxide, indium tin oxide, silicon nitride, or titanium nitride. You may form by things. The same applies to the inorganic alignment film 43 described later.

半導体層３１を延設して第一蓄積容量電極３１ｆが形成されている。また、ゲート絶縁膜３４を延設して誘電体膜が形成されており、かかる領域のゲート絶縁膜３４を介して第一蓄積容量電極３１ｆと対向する位置に第二蓄積容量電極を構成する容量線２４が配置されている。これにより、第一蓄積容量電極３１ｆと容量線２４とが平面的に重なる位置に前述の蓄積容量２５が形成されている。 The semiconductor layer 31 is extended to form a first storage capacitor electrode 31f. Further, a dielectric film is formed by extending the gate insulating film 34, and a capacitor constituting the second storage capacitor electrode at a position facing the first storage capacitor electrode 31f through the gate insulating film 34 in this region. A line 24 is arranged. As a result, the aforementioned storage capacitor 25 is formed at a position where the first storage capacitor electrode 31f and the capacitor line 24 overlap in a plane.

一方、対向基板４における基板本体４０上には、第二遮光層４４が形成されている。第二遮光層４４は、対向基板４側からの光が半導体層３１のチャネル領域３１ｃや低濃度ソース領域３１ｄ、低濃度ドレイン領域３１ｂ等に入射するのを防止するものであり、平面視において半導体層３１と重なる領域に設けられている。この第二遮光層４４、第一遮光層１１、データ線２１、走査線２２および容量線２４の非形成領域で、画素電極２３が形成された領域が、液晶装置１００の光透過領域となっている。第二遮光層４４を覆う対向基板４のほぼ全面にはＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極４１が形成されている。そして、共通電極４１を覆って配向下地膜４２が形成され、配向下地膜４２上に無機配向膜４３が形成されている。 On the other hand, a second light shielding layer 44 is formed on the substrate body 40 in the counter substrate 4. The second light shielding layer 44 prevents light from the counter substrate 4 from entering the channel region 31c, the low concentration source region 31d, the low concentration drain region 31b, and the like of the semiconductor layer 31, and the semiconductor in a plan view. It is provided in a region overlapping with the layer 31. A region where the pixel electrode 23 is formed in a region where the second light-shielding layer 44, the first light-shielding layer 11, the data line 21, the scanning line 22 and the capacitor line 24 are not formed becomes a light transmission region of the liquid crystal device 100. Yes. A common electrode 41 made of a transparent conductive material such as ITO is formed on almost the entire surface of the counter substrate 4 covering the second light shielding layer 44. An alignment base film 42 is formed so as to cover the common electrode 41, and an inorganic alignment film 43 is formed on the alignment base film 42.

アクティブマトリクス基板１と対向基板４との間には、ネマチック液晶等からなる液晶層９が挟持されている。ネマチック液晶分子は、正の誘電率異方性を有するものであり、非選択電圧印加時には基板に沿って水平配向し、選択電圧印加時には電界方向に沿って垂直配向する。アクティブマトリクス基板１側の無機配向膜２７による配向規制方向と、対向基板４側の無機配向膜４３による配向規制方向とは、約９０°ねじれた状態に設定されている。基板本体１０、４０のそれぞれの外側（液晶層９と反対側）には、偏光板１６、４５が互いの透過軸を直交させた状態（クロスニコル）で配置されている。従って、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＮモードで動作し、捻れ配向した液晶の旋光性を利用した白表示と、電圧印加により垂直配向させた液晶の透過性を利用した黒表示との間で階調表示を行うものとなっている。
なお、本液晶装置１００をプロジェクタのライトバルブとして用いる場合には、偏光板１６、４５については、サファイヤガラスや水晶等の高熱伝導率材料からなる支持基板上に装着して、液晶装置１００から離間して配置することが望ましい。 A liquid crystal layer 9 made of nematic liquid crystal or the like is sandwiched between the active matrix substrate 1 and the counter substrate 4. Nematic liquid crystal molecules have a positive dielectric anisotropy, and are horizontally aligned along the substrate when a non-selection voltage is applied, and vertically aligned along the electric field direction when a selection voltage is applied. The alignment regulation direction by the inorganic alignment film 27 on the active matrix substrate 1 side and the alignment regulation direction by the inorganic alignment film 43 on the counter substrate 4 side are set to be twisted by about 90 °. Polarizing plates 16 and 45 are arranged on the outer sides of the substrate bodies 10 and 40 (on the side opposite to the liquid crystal layer 9) in a state where the transmission axes are orthogonal to each other (crossed Nicols). Therefore, the liquid crystal device 100 according to the present embodiment operates in the TN mode, and performs white display using the optical rotation of the twisted liquid crystal and black display using the transmissivity of the liquid crystal vertically aligned by voltage application. Gradation display.
When the liquid crystal device 100 is used as a light valve of a projector, the polarizing plates 16 and 45 are mounted on a support substrate made of a high thermal conductivity material such as sapphire glass or quartz and separated from the liquid crystal device 100. It is desirable to arrange them.

次に、本実施形態の作用について説明する。
図４に示すように、画素の光透過領域から入射し、対向基板４、液晶層９を透過し、アクティブマトリクス基板１の第一遮光層１１の上層側（液晶層９側）のＴＦＴ３０が形成された領域に入射しようとする入射光Ｌ_Ｔは、光透過領域に配置された第三層間絶縁層１４に入射して第三層間絶縁層１４を透過する。第三層間絶縁層１４を透過した入射光Ｌ_Ｔは、ＴＦＴ３０の形成領域を含む第一遮光層１１上に形成された第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３と、第三層間絶縁層１４との境界面Ｂに到達する。 Next, the operation of this embodiment will be described.
As shown in FIG. 4, the light enters from the light transmission region of the pixel, passes through the counter substrate 4 and the liquid crystal layer 9, and the TFT 30 on the upper layer side (liquid crystal layer 9 side) of the first light shielding layer 11 of the active matrix substrate 1 is formed. the incident light L _T to be incident on the area that is passes through the third interlayer insulating layer 14 is incident on the third interlayer insulating layer 14 disposed on a light transmissive region. The incident light L _T which has passed through the third interlayer insulating layer 14, a first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 formed on the first light-shielding layer 11 including the formation region of the TFT 30, the third interlayer The boundary surface B with the insulating layer 14 is reached.

このとき、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３を構成する第一誘電体の屈折率Ｎ１が第三層間絶縁層１４を構成する第二誘電体の屈折率Ｎ２よりも小さいので、図５に示すように、入射光Ｌ_Ｔが境界面Ｂに対して入射する入射角θの臨界角θ_ｍｉｎと屈折率Ｎ１および屈折率Ｎ２との間には、以下の式（ＩＩＩ）を満たす関係が成立する。
θ_ｍｉｎ＝ｓｉｎ^−１（Ｎ１／Ｎ２）…（ＩＩＩ） At this time, the refractive index N1 of the first dielectric constituting the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 is smaller than the refractive index N2 of the second dielectric constituting the third interlayer insulating layer 14. as shown in FIG. 5, between the incident light L _T is the critical angle theta _min and the refractive index N1 and the refractive index N2 of the incident angle theta incident upon the interface B, the following equation (III) A satisfying relationship is established.
θ _min = sin ⁻¹ (N1 / N2) (III)

また、入射角θと臨界角θ_ｍｉｎとの間に以下の式（ＩＶ）を満たす関係が成立すれば入射光Ｌ_Ｔは境界面Ｂによって全反射される。
θ＞θ_ｍｉｎ…（ＩＶ） Further, the incident light L _T if satisfied relationship satisfying the following formula (IV) between the incident angle theta and the critical angle theta _min is totally reflected by the boundary surface B.
θ> θ _min (IV)

また、入射角θ、入射光Ｌ_Ｔが基板本体１０の垂線Ｐとなす角の角度θ_Ｔ、境界面Ｂが基板本体１０となす角の角度θ_Ａとの間には、以下の式（Ｖ）を満たす関係が成立する。
θ＝θ_Ａ−θ_Ｔ…（Ｖ）
以上の式（ＩＩＩ）〜（Ｖ）により、上述の式（Ｉ）が導かれる。 Further, the incident angle theta, between the incident light L _T is between the angle theta _A corner angle theta _T perpendicular line P and the angle of the substrate main body _10, the boundary B formed between the substrate main body 10 has the following formula (V ) Is satisfied.
θ = θ _A −θ _T (V)
The above formula (I) is derived from the above formulas (III) to (V).

上述の式（Ｉ）を用いることで、角度θ_Ｔの範囲に応じて、角度θ_Ａ、屈折率Ｎ１、および屈折率Ｎ２の値を最適化することができる。入射光Ｌ_Ｔが基板本体１０の垂線Ｐとなす角の角度θ_Ｔの範囲は、装置の構成等によって多少異なるが、例えば、±約９°の範囲となる。本実施形態では、この角度θ_Ｔに対応して、上述の式（Ｉ）を満たすように、各パラメータが設定されている。 By using the above-mentioned formula (I), according to the range of angle theta _T, the angle theta _A, refractive index N1, and the refractive index N2 can be optimized. The range of the angle theta _T perpendicular line P and the angle of the incident light L _T is the substrate main body 10 is somewhat different, but the configuration of the apparatus, for example, in the range of ± about 9 °. In the present embodiment, in response to the angle theta _T, so as to satisfy the formula (I) above, each parameter is set.

すなわち、第三層間絶縁層１４は屈折率Ｎ２が約１．５４の第二誘電体ＳｉＯＮによって形成され、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３は屈折率Ｎ１が約１．４５の第一誘電体ＳｉＯ_２によって形成されている。また、境界面Ｂが基板本体１０となす角の角度θ_Ａは約８０°に形成されている。これにより、角度θ_Ｔが約９．６°以下の範囲の入射光Ｌ_Ｔを境界面Ｂによって全反射させることができるように構成されている。 That is, the third interlayer insulating layer 14 is formed of the second dielectric SiON having a refractive index N2 of about 1.54, and the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 have a refractive index N1 of about 1.45. The first dielectric SiO ₂ is used. Further, the angle θ _A between the boundary surface B and the substrate body 10 is formed to be about 80 °. Thus, the angle theta _T is configured to be able to totally reflect incident light L _T in the range of about 9.6 ° or less by the interface B.

したがって、ＴＦＴ３０が形成された領域に入射しようとする入射光Ｌ_Ｔを、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３と第三層間絶縁層１４との境界面Ｂによって全反射させ、ＴＦＴ３０のチャネル領域３１ｃに入射光Ｌ_Ｔの一部が到達することを防止できる。 Therefore, the incident light L _T to be incident on the TFT30 is formed regions, it is totally reflected by the boundary surface B of the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 and the third interlayer insulating layer 14, some of the incident light _{L T} to the channel region 31c of the TFT30 can be prevented from reaching.

一方、図４に示すように、アクティブマトリクス基板１の下側（液晶層９の反対側）から入射し、第一遮光層１１の上層側のＴＦＴ３０が形成された領域に入射しようとする戻り光Ｌ_Ｂは、光透過領域の第三層間絶縁層１４に入射して第三層間絶縁層１４を透過し、境界面Ｂに到達する。 On the other hand, as shown in FIG. 4, the return light that enters from the lower side of the active matrix substrate 1 (opposite side of the liquid crystal layer 9) and enters the region where the TFT 30 on the upper side of the first light shielding layer 11 is formed. L _B is a third interlayer insulating layer 14 passes through and enters the third interlayer insulating layer 14 of the light transmission region, and reaches the interface B.

このとき、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３を構成する第一誘電体の屈折率Ｎ１が第三層間絶縁層１４を構成する第二誘電体の屈折率Ｎ２よりも小さいので、図６に示すように、戻り光Ｌ_Ｂが境界面Ｂに対して入射する入射角θ´の臨界角θ´_ｍｉｎと屈折率Ｎ１，Ｎ２との間には、以下の式（ＶＩ）を満たす関係が成立する。
θ´_ｍｉｎ＝ｓｉｎ^−１（Ｎ１／Ｎ２）…（ＶＩ） At this time, the refractive index N1 of the first dielectric constituting the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 is smaller than the refractive index N2 of the second dielectric constituting the third interlayer insulating layer 14. as shown in FIG. 6, between the return light L _B refractive index and the critical angle [theta] & apos _min of incident angle [theta] & apos incident upon the interface B N1, N2, the following equation (VI) A satisfying relationship is established.
θ ′ _min = sin ⁻¹ (N1 / N2) (VI)

また、入射角θ´と臨界角θ´_ｍｉｎとの間に以下の式（ＶＩＩ）を満たす関係が成立すれば戻り光Ｌ_Ｂは境界面Ｂによって全反射される。
θ´＞θ´_ｍｉｎ…（ＶＩＩ） Further, the following equation if satisfied relationship satisfying (VII) returned light L _B between the incident angle [theta] & apos and the critical angle [theta] & apos _min is totally reflected by the boundary surface B.
θ ′> θ ′ _min (VII)

また、入射角θ´、戻り光Ｌ_Ｂが基板本体１０の垂線Ｐとなす角の角度θ_Ｂ、境界面Ｂが基板本体１０となす角の角度θ_Ａとの間には、以下の式（ＶＩＩ）を満たす関係が成立する。
θ´＝１８０°−（θ_Ａ＋θ_Ｂ）…（ＶＩＩＩ）
以上の式（ＶＩ）〜（ＶＩＩＩ）により、上述の式（ＩＩ）が導かれる。 In addition, the following formula (b) is defined between the incident angle θ ′, the angle θ _B that the return light L _B makes with the perpendicular P of the substrate body 10, and the angle θ _A that the boundary surface B makes with the substrate body 10. VII) is satisfied.
θ ′ = 180 ° − (θ _A + θ _B ) (VIII)
The above formula (II) is derived from the above formulas (VI) to (VIII).

上述の式（ＩＩ）を用いることで、角度θ_Ｂの範囲に応じて、角度θ_Ａ、屈折率Ｎ１、および屈折率Ｎ２の値を最適化することができる。戻り光Ｌ_Ｂが基板本体１０の垂線Ｐとなす角の角度θ_Ｂの範囲は、装置の構成等によって多少異なるが、例えば、±約９°の範囲となる。本実施形態では、この角度θ_Ｂに対応して、上述の式（ＩＩ）を満たすように、各パラメータが設定されている。 By using the above formula (II), the values of the angle θ _A , the refractive index N1, and the refractive index N2 can be optimized according to the range of the angle θ _B. Angle θ range _B of the perpendicular P and the angle of the return light L _B is the substrate main body 10 is somewhat different, but the configuration of the apparatus, for example, in the range of ± about 9 °. In the present embodiment, in response to the angle theta _B, so as to satisfy the above Formula (II), each parameter is set.

すなわち、第三層間絶縁層１４は屈折率Ｎ２が約１．５４の第二誘電体ＳｉＯＮによって形成され、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３は屈折率Ｎ１が約１．４５の第一誘電体ＳｉＯ_２によって形成されている。また、境界面Ｂが基板本体１０となす角の角度θ_Ａは約８０°に形成されている。これにより、角度θ_Ｂが約２９．６°以下の範囲の戻り光Ｌ_Ｂを境界面Ｂによって全反射させることができるように構成されている。 That is, the third interlayer insulating layer 14 is formed of the second dielectric SiON having a refractive index N2 of about 1.54, and the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 have a refractive index N1 of about 1.45. The first dielectric SiO ₂ is used. Further, the angle θ _A between the boundary surface B and the substrate body 10 is formed to be about 80 °. Thus, the angle theta _B is configured to be able to be totally reflected by the boundary surface B of the returning light L _B in the range of about 29.6 ° or less.

したがって、ＴＦＴ３０が形成された領域に入射しようとする戻り光Ｌ_Ｂを、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３と第三層間絶縁層１４との境界面Ｂによって全反射させ、ＴＦＴ３０のチャネル領域３１ｃに戻り光Ｌ_Ｂの一部が到達することを防止できる。 Therefore, the return light L _B to be incident on the TFT30 is formed regions, it is totally reflected by the boundary surface B of the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 and the third interlayer insulating layer 14, some of the channel region 31c return light _{L B} of TFT30 can be prevented from reaching.

以上のように、境界面Ｂに対して、それぞれ所定の値の入射角θおよび入射角θ´を有する入射光Ｌ_Ｔおよび戻り光Ｌ_Ｂの両者に対して、上述の式（Ｉ）および式（ＩＩ）を同時に満たすように角度θ_Ａ、屈折率Ｎ１，Ｎ２が設定されているので、入射光Ｌ_Ｔと戻り光Ｌ_Ｂの両者を同時に全反射させることができ、ＴＦＴ３０のチャネル領域３１ｃに入射光Ｌ_Ｔまたは戻り光Ｌ_Ｂの一部が到達することをより効果的に防止できる。 As described above, the boundary surface B, and both the incident light L _T and the returning light L _B, respectively having an incident angle θ and the incident angle θ'predetermined value, the above-mentioned formula (I) and formula angle theta _a so as to satisfy (II) at the same time, the refractive index N1, N2 is set, both of the return light _{L B} and the incident light _{L T} can be made to totally reflect at the same time, the channel region 31c of the TFT30 some of the incident light L _T or return light L _B can be more effectively prevented from reaching.

また、第一遮光層１１は、図４に示すように、少なくとも第一層間絶縁層１２の下面を覆い、端面が第三層間絶縁層１４下に位置するように延長して設けられ、第一遮光層１１上に境界面Ｂが位置するように形成されている。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域３１ｃに平面的に重なるように形成されている。
これにより、アクティブマトリクス基板１の下側（液晶層９の反対側）からＴＦＴ３０の形成領域に入射しようとする戻り光Ｌ_Ｂが第一遮光層１１によって遮蔽されると共に、境界面Ｂと第一遮光層１１との間に隙間ができることを防止して、ＴＦＴ３０のチャネル領域３１ｃに戻り光Ｌ_Ｂの一部が到達することを防止できる。 Further, as shown in FIG. 4, the first light shielding layer 11 covers at least the lower surface of the first interlayer insulating layer 12 and extends so that the end surface is located below the third interlayer insulating layer 14. The boundary surface B is formed on one light shielding layer 11. Further, it is formed so as to overlap with the channel region 31c of the TFT 30 in a planar manner.
Thus, the lower side of the active matrix substrate 1 with the return light L _B to be incident on the formation region of the TFT30 from (opposite side of the liquid crystal layer 9) is shielded by the first light-shielding layer 11, the interface B and the first it is possible to prevent a gap between the light-shielding layer 11 can be prevented from reaching a portion of the return light L _B in the channel region 31c of the TFT 30.

また、配線層であるデータ線２１は、図４に示すように、少なくとも第二層間絶縁層１３上を覆いＴＦＴ３０と平面的に重なるように形成され、データ線２１下に境界面Ｂが位置している。これにより、データ線２１をＴＦＴ３０の上層側（液晶層９側）を覆う遮光層として機能させることができるだけでなく、ＴＦＴ３０の形成領域に上層側から入射しようとする入射光Ｌ_Ｔが境界面Ｂとデータ線２１との間からＴＦＴ３０の形成領域を第二層間絶縁層１３に入射することを防止できる。
したがって、ＴＦＴ３０の形成領域に上層側から入射しようとする入射光Ｌ_Ｔを、対向基板４の第二遮光層４４に加えてデータ線２１によって遮蔽し、ＴＦＴ３０のチャネル領域３１ｃに入射光Ｌ_Ｔの一部が到達することをより効果的に防止できる。 Further, as shown in FIG. 4, the data line 21 which is a wiring layer is formed so as to cover at least the second interlayer insulating layer 13 and to overlap the TFT 30 in a plane, and the boundary surface B is located under the data line 21. ing. Thus, not only can function data line 21 as a light shielding layer covering the upper side of the TFT 30 (the liquid crystal layer 9 side), the incident light L _T boundary surface B to be incident from the upper side to the formation region of the TFT 30 It is possible to prevent the TFT 30 formation region from entering the second interlayer insulating layer 13 from between the data line 21 and the data line 21.
Therefore, the incident light _{L T} to be incident from the upper side to the formation region of the TFT 30, is shielded by the data line 21 in addition to the second light-shielding layer 44 of the counter substrate 4, the incident light _{L T} to the channel region 31c of the TFT 30 It is possible to prevent a part from reaching more effectively.

また、図４に示すように、第一誘電体からなる第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３は上層側の幅Ｗ１が下層側の幅Ｗ２よりも小さくなるように側面に斜面が形成されているので、第一誘電体ＳｉＯ_２と第二誘電体ＳｉＯＮとの境界面ＢもＴＦＴ３０の形成領域の上層側から下層側に傾斜した状態となる。 Further, as shown in FIG. 4, the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 made of the first dielectric are inclined on the side surfaces so that the width W1 on the upper layer side is smaller than the width W2 on the lower layer side. Therefore, the boundary surface B between the first dielectric SiO ₂ and the second dielectric SiON is also inclined from the upper layer side to the lower layer side of the TFT 30 formation region.

これにより、ＴＦＴ３０の形成領域の下層側から光透過領域に入射してＴＦＴ３０の形成領域に入射しようとする戻り光Ｌ_Ｂを、境界面Ｂが上述のように傾斜していない場合と比較して、境界面Ｂにより大きい入射角θ´で到達させることができる。したがって、ＴＦＴ３０の形成領域に入射しようとする戻り光Ｌ_Ｂを、上述の境界面Ｂによってより確実に反射させ、ＴＦＴ３０のチャネル領域３１ｃに戻り光Ｌ_Ｂの一部が到達することをより効果的に防止できる。 Thus, the return light L _B to be incident on the formation region of the TFT 30 is incident from the lower side in the light transmitting region of the formation region of the TFT 30, as compared with the case where the boundary B not inclined as described above The boundary surface B can be reached with a larger incident angle θ ′. Therefore, the return light L _B to be incident on the formation region of the TFT 30, is reliably reflected by the above-described boundary B, more effective to reach a part of the return light L _B in the channel region 31c of the TFT 30 Can be prevented.

以上説明したように、本実施形態によれば、光透過領域から入射し、ＴＦＴ３０が形成された領域に入射しようとする入射光Ｌ_Ｔおよび戻り光Ｌ_Ｂを、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３と、第三層間絶縁層１４との境界面Ｂによって全反射させ、ＴＦＴ３０のチャネル領域３１ｃに入射光Ｌ_Ｔおよび戻り光Ｌ_Ｂの一部が到達することを防止できる。よって、液晶装置１００のトランジスタ特性が劣化することを防止し、画像不良を防止することができる。 As described above, according to this embodiment, incident from the light transmitting area, the incident light L _T and the returning light L _B attempts to enter the TFT30 is formed region, the first interlayer insulating layer 12 and a second interlayer insulating layer 13, can be prevented by the total reflection by the boundary surface B of the third interlayer insulating layer 14, and reaches a part of the incident light L _T and the returning light L _B in the channel region 31c of the TFT 30. Therefore, it is possible to prevent the transistor characteristics of the liquid crystal device 100 from being deteriorated and to prevent image defects.

[液晶装置の製造方法]
次に、図７（ａ）〜図７（ｄ）を用いて液晶装置１００の製造方法を説明する。図７（ａ）〜図７（ｄ）では第三層間絶縁層１４の形成工程を中心に説明し、他の工程の説明は省略する。なお、第三層間絶縁層１４の形成工程以外の工程については、公知のものを採用することができる。 [Method of manufacturing liquid crystal device]
Next, a method for manufacturing the liquid crystal device 100 will be described with reference to FIGS. 7A to 7D, the description will focus on the process of forming the third interlayer insulating layer 14, and the description of the other processes will be omitted. In addition, about a process other than the formation process of the 3rd interlayer insulation layer 14, a well-known thing is employable.

図７（ａ）に示すように、基板本体１０上に、第一遮光層１１、第一層間絶縁層１２を形成し、ドレイン電極３５およびデータ線２１を除いて上述のＴＦＴ３０および蓄積容量２５を形成する。次いで、ゲート絶縁膜３４、走査線２２および容量線２４を覆って第二層間絶縁層１３を形成する。そして、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３にフォトリソグラフィ、エッチング等により光透過領域に対応した開口部Ｈを形成する。このとき、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３は上層側（液晶層９側）の幅Ｗ１が下層側（液晶層９の反対側）の幅Ｗ２よりも小さくなるように側面が傾斜した状態に形成される。このとき、開口部Ｈの形成によって露出した第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３の側面は第一遮光層１１上に位置し、第一遮光層１１および基板本体１０と角度θ_Ａをなすように傾斜した状態で形成される。 As shown in FIG. 7A, the first light shielding layer 11 and the first interlayer insulating layer 12 are formed on the substrate body 10, and the TFT 30 and the storage capacitor 25 described above except for the drain electrode 35 and the data line 21. Form. Next, the second interlayer insulating layer 13 is formed so as to cover the gate insulating film 34, the scanning line 22, and the capacitor line 24. Then, an opening H corresponding to the light transmission region is formed in the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 by photolithography, etching, or the like. At this time, the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 have side surfaces so that the width W1 on the upper layer side (liquid crystal layer 9 side) is smaller than the width W2 on the lower layer side (opposite side of the liquid crystal layer 9). Is formed in an inclined state. At this time, the side surfaces of the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 exposed by the formation of the opening H are positioned on the first light shielding layer 11, and the angle θ between the first light shielding layer 11 and the substrate body 10. _It is formed in an inclined state so as to form _A.

次に、図７（ｂ）に示すように、例えば、スパッタリング法等により、開口部Ｈに第二誘電体ＳｉＯＮを充填して第三層間絶縁層１４を形成し、開口部Ｈによって露出した第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３の側面に第三層間絶縁層１４が接するように形成する。これにより、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３の側面が、第一層間絶縁層１２および第二層間絶縁層１３と、第三層間絶縁層１４との境界面Ｂとなり、境界面Ｂが第一遮光層１１上に位置し、基板本体１０に対して角度θ_Ａなすように傾斜した状態となる。また、第三層間絶縁層１４は第二層間絶縁層１３上の一部を含んで形成される。 Next, as shown in FIG. 7B, the third interlayer insulating layer 14 is formed by filling the opening H with the second dielectric SiON by, for example, a sputtering method, and the first exposed by the opening H. The third interlayer insulating layer 14 is formed in contact with the side surfaces of the one interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13. Thereby, the side surfaces of the first interlayer insulating layer 12 and the second interlayer insulating layer 13 become the boundary surface B between the first interlayer insulating layer 12, the second interlayer insulating layer 13, and the third interlayer insulating layer 14, boundary B is located on the first light-shielding layer 11, an inclined state so as to form an angle theta _a relative to the substrate main body 10. The third interlayer insulating layer 14 is formed so as to include a part on the second interlayer insulating layer 13.

次に、図７（ｃ）に示すように、第二層間絶縁層１３および第三層間絶縁層１４の表面を、例えば、ＣＭＰ（化学機械研磨）によって平坦化した後、フォトリソグラフィ、エッチング等により、第二層間絶縁層１３を貫通し、それぞれ高濃度ドレイン領域３１ａ、高濃度ソース領域３１ｅに達するコンタクトホール３２，３３を形成する。次いで、スパッタリング法等により、コンタクトホール３２，３３に、例えば、金属材料等の導電材料を充填すると共に、第二層間絶縁層１３および第三層間絶縁層１４上に導電性材料層を形成する。そして、フォトリソグラフィ、エッチング等によって導電体材料層をパターニングしてデータ線２１およびドレイン電極３５を形成する。これにより、それぞれ高濃度ドレイン領域３１ａおよび高濃度ソース領域３１ｅに電気的に接続されたドレイン電極３５およびデータ線２１が形成される。このとき、データ線２１はＴＦＴ３０のチャネル領域３１ｃに平面的に重なり、データ線２１下に境界面Ｂが位置するように形成する。 Next, as shown in FIG. 7C, the surfaces of the second interlayer insulating layer 13 and the third interlayer insulating layer 14 are planarized by, for example, CMP (Chemical Mechanical Polishing), and then by photolithography, etching, or the like. Then, contact holes 32 and 33 penetrating through the second interlayer insulating layer 13 and reaching the high concentration drain region 31a and the high concentration source region 31e, respectively, are formed. Next, the contact holes 32 and 33 are filled with a conductive material such as a metal material by sputtering or the like, and a conductive material layer is formed on the second interlayer insulating layer 13 and the third interlayer insulating layer 14. Then, the data line 21 and the drain electrode 35 are formed by patterning the conductor material layer by photolithography, etching, or the like. Thereby, the drain electrode 35 and the data line 21 electrically connected to the high concentration drain region 31a and the high concentration source region 31e are formed. At this time, the data line 21 is formed so as to overlap the channel region 31 c of the TFT 30 in plan and the boundary surface B is positioned under the data line 21.

次に、図７（ｄ）に示すように、第二層間絶縁層１３、第三層間絶縁層１４、データ線２１およびドレイン電極を覆って第四層間絶縁層１５を形成する。次いで、フォトリソグラフィ、エッチング等により第四層間絶縁層１５を貫通しドレイン電極３５に達するコンタクトホール３６を形成する。次いで、スパッタリング法等により、第四層間絶縁層１５上に、ＩＴＯ等の透明導電材料層を形成すると共にコンタクトホール３６に透明導電性材料充填し、コンタクトホール３６を介してドレイン電極３５に電気的に接続する。次いで、フォトリソグラフィ、エッチング等により第四層間絶縁層１５上の透明導電性材料層をパターニングして画素電極２３を形成する。 Next, as shown in FIG. 7D, a fourth interlayer insulating layer 15 is formed to cover the second interlayer insulating layer 13, the third interlayer insulating layer 14, the data line 21, and the drain electrode. Next, a contact hole 36 that penetrates the fourth interlayer insulating layer 15 and reaches the drain electrode 35 is formed by photolithography, etching, or the like. Next, a transparent conductive material layer such as ITO is formed on the fourth interlayer insulating layer 15 by sputtering or the like, and the contact hole 36 is filled with the transparent conductive material, and the drain electrode 35 is electrically connected to the contact hole 36 through the contact hole 36. Connect to. Next, the transparent conductive material layer on the fourth interlayer insulating layer 15 is patterned by photolithography, etching or the like to form the pixel electrode 23.

以上説明したように、本実施形態の製造方法によれば、第一遮光層１１および第一層間絶縁層１２と第三層間絶縁層１４との境界面Ｂを、基板本体１０および第一遮光層１１に対して所定の角度θ_Ａだけ傾斜させることができる。また、境界面Ｂを第一遮光層１１上、およびデータ線２１下に配置することができる。 As described above, according to the manufacturing method of the present embodiment, the boundary surface B between the first light shielding layer 11 and the first interlayer insulating layer 12 and the third interlayer insulating layer 14 is formed on the substrate body 10 and the first light shielding layer. The layer 11 can be inclined by a predetermined angle θ _A. Further, the boundary surface B can be arranged on the first light shielding layer 11 and below the data line 21.

[プロジェクタ]
次に、本発明の電子機器としてプロジェクタの一実施形態について、図８を用いて説明する。図８は、プロジェクタ８００の要部を示す概略構成図である。このプロジェクタ８００は、前述した実施形態に係る液晶装置１００を光変調手段として備えたものである。 [projector]
Next, an embodiment of a projector as an electronic apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a main part of the projector 800. The projector 800 includes the liquid crystal device 100 according to the above-described embodiment as a light modulation unit.

図８において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は前述した実施形態に係る液晶装置１００からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズである。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とによって構成されている。 In FIG. 8, 810 is a light source, 813 and 814 are dichroic mirrors, 815, 816 and 817 are reflection mirrors, 818 is an entrance lens, 819 is a relay lens, 820 is an exit lens, and 822, 823 and 824 are the above-described embodiments. The light modulation means comprising the liquid crystal device 100, 825 is a cross dichroic prism, and 826 is a projection lens. The light source 810 includes a lamp 811 such as a metal halide and a reflector 812 that reflects the light of the lamp.

ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。 The dichroic mirror 813 transmits red light contained in white light from the light source 810 and reflects blue light and green light. The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 817 and is incident on the red light light modulating means 822. The green light reflected by the dichroic mirror 813 is reflected by the dichroic mirror 814 and is incident on the light modulating means 823 for green light. Further, the blue light reflected by the dichroic mirror 813 passes through the dichroic mirror 814. For blue light, in order to prevent light loss due to a long optical path, a light guide means 821 including a relay lens system including an incident lens 818, a relay lens 819, and an exit lens 820 is provided. Blue light is incident on the light modulating means for blue light 824 via the light guiding means 821.

各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。 The three color lights modulated by the respective light modulation means 822, 823, and 824 are incident on the cross dichroic prism 825. This cross dichroic prism 825 is formed by bonding four right-angle prisms, and a dielectric multilayer film reflecting red light and a dielectric multilayer film reflecting blue light are formed in an X shape at the interface. Yes. These dielectric multilayer films combine the three color lights to form light representing a color image. The synthesized light is projected on the screen 827 by the projection lens 826 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

前述したプロジェクタ８００は、上述した液晶装置を光変調手段として備えている。この液晶装置は、上述したようにトランジスタ特性が良好で、画像不良を防止することができるものとなっているので、このプロジェクタ８００は応答性、信頼性に優れ、画像表示性能の良好な高性能のプロジェクタとなる。 The projector 800 described above includes the above-described liquid crystal device as light modulation means. Since the liquid crystal device has good transistor characteristics and can prevent image defects as described above, the projector 800 is excellent in responsiveness and reliability, and has high image display performance. Projector.

なお、本発明の技術的範囲は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、前述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、前記実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、前記実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。 It should be noted that the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and includes those in which various modifications are made to the above-described embodiment without departing from the gist of the present invention. For example, in the above-described embodiment, a liquid crystal device including a TFT as a switching element has been described as an example. However, the present invention is applied to a liquid crystal device including a two-terminal element such as a thin film diode as a switching element. It is also possible. In the above embodiment, the transmissive liquid crystal device has been described as an example. However, the present invention can also be applied to a reflective liquid crystal device.

また、前記実施形態ではＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、実施形態では３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。 In the above embodiment, the liquid crystal device functioning in the TN (Twisted Nematic) mode has been described as an example. However, the present invention can be applied to a liquid crystal device functioning in the VA (Vertical Alignment) mode. Further, in the embodiment, the description has been given by taking a three-plate projection display device (projector) as an example, but the present invention can also be applied to a single-plate projection display device or a direct-view display device.

また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した各実施形態またはその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。 The liquid crystal device of the present invention can also be applied to electronic devices other than projectors. A specific example is a mobile phone. This mobile phone includes the liquid crystal device according to each of the above-described embodiments or modifications thereof in a display unit. Other electronic devices include, for example, IC cards, video cameras, personal computers, head-mounted displays, fax machines with display functions, digital camera finders, portable TVs, DSP devices, PDAs, electronic notebooks, and electronic bulletin boards. And advertising announcement displays.

本発明の実施形態における液晶装置の全体構成図である。1 is an overall configuration diagram of a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態における液晶装置の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal device in the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態における液晶装置の画素の詳細構成を示す図である。It is a figure which shows the detailed structure of the pixel of the liquid crystal device in embodiment of this invention. 図３のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram taken along the line A-A ′ of FIG. 3. 図４の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of FIG. 図４の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of FIG. 本発明の実施形態における液晶装置の製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the liquid crystal device in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるプロジェクタの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the projector in embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１０基板本体（基板）、１１第一遮光層（遮光層）、１２第一層間絶縁層（第一誘電体層）、１３第二層間絶縁層（第一誘電体層）、１４第三層間絶縁層（第二誘電体層）、２１データ線（配線層）、３０ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１００液晶装置（電気光学装置）、８００プロジェクタ（電子機器）、Ｂ境界面、Ｌ_Ｂ戻り光、Ｌ_Ｔ入射光、Ｐ垂線、Ｗ１幅（上層側の幅）、Ｗ２幅（下層側の幅）、θ_Ａ角度、θ_Ｔ角度、θ_Ｂ角度 10 substrate body (substrate), 11 first light shielding layer (light shielding layer), 12 first interlayer insulating layer (first dielectric layer), 13 second interlayer insulating layer (first dielectric layer), 14 third interlayer insulating layer (second dielectric layer), 21 data lines (wiring layer), 30 TFT (thin film transistor), 100 liquid crystal device (electro-optical device), 800 projector (electronic apparatus), B interface, _{L B} returned light, L _T incident light, P perpendicular, W1 width (upper layer side width), W2 width (lower layer side width), θ _A angle, θ _T angle, θ _B angle

Claims

An electro-optical device including a substrate in which a plurality of pixels are arranged in a matrix and a thin film transistor is provided corresponding to each of the plurality of pixels.
A first dielectric layer is formed so as to cover a periphery including a lower layer side and an upper layer side of the thin film transistor, and a light shielding layer is formed so as to cover at least the lower surface of the first dielectric layer and overlap the thin film transistor in a plane. A second dielectric layer having a refractive index different from that of the first dielectric layer is a light transmission region of the pixel and is formed so as to be in contact with a side surface of the first dielectric layer. An electro-optical device, wherein a boundary surface between the dielectric layer and the second dielectric layer is located.

2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the refractive index of the first dielectric layer is smaller than the refractive index of the second dielectric layer.

The wiring layer is formed so as to cover at least the first dielectric layer and to overlap the thin film transistor in a planar manner, and the boundary surface is located under the wiring layer. The electro-optical device according to 1.

The electro-optic according to any one of claims 1 to 3, wherein the first dielectric layer has a slope formed on a side surface so that a width on an upper layer side is smaller than a width on a lower layer side. apparatus.

The angle of the angle between the inclined surface and the substrate is θ _A , the angle between the incident light incident on the boundary surface from the upper side of the substrate and the perpendicular of the substrate is θ _T , and the refractive index of the first dielectric layer 5. The electro-optical device according to claim 4, wherein a relationship satisfying the following formula (I) is established when N1 is N1 and the refractive index of the second dielectric layer is N2.
N2> N1 / sin (θ _A −θ _T ) (I)

The angle of the angle between the inclined surface and the substrate is θ _A , the angle between the return light incident on the boundary surface from the lower side of the substrate and the perpendicular of the substrate is θ _B , and the refraction of the first dielectric layer 6. The electro-optical device according to claim 4, wherein a relationship satisfying the following formula (II) is established, where N1 is a refractive index and N2 is a refractive index of the second dielectric layer.
N2> N1 / sin (θ _A + θ _B ) (II)

An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.