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JP2008294428A - 発光ダイオードパッケージ - Google Patents

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舜天 林
Jyun-Wei Huang
俊▲偉▼ 黄
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Tysun Inc
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Abstract

【課題】放熱基板、電気絶縁層、回路層及びLEDチップを含む発光ダイオード(LED)パッケージを提供する。
【解決手段】電気絶縁層220は、放熱基板210上に配置される。回路層230は、電気絶縁層上に配置される。回路層は、放熱基板の一部を露出するために電気絶縁層を貫通して延在する受入孔Hを有する。LEDチップ240は、受入孔によって露出した放熱基板上に配置され、回路層とボンディングワイヤ260によって電気的に接続される。
【選択図】図2

Description

本発明は、概して発光ダイオード(LED)パッケージに関し、特に放熱基板として二相流れの熱伝導媒体を有するLEDパッケージに関するものである。
発光ダイオード(LED)の発光効率が益々改良されるにつれて、LEDは、一部の分野、例えば、迅速な応答に必要なスキャナーのランプ光源、液晶ディスプレイ(LCD)のバックライト光源又はフロントライト光源、並びに自動車の計器盤、交通信号灯及び通常の照明装置用の照明において、蛍光灯や白熱灯に取って代わっている。従来のランプと比較すると、LEDは、絶対的な利点、例えば、小容量、長期寿命、低駆動電圧/電流、非脆性、無水銀(無公害)及び優れた発光効率(省力化)を有する。しかしながら、LEDの発光効率を改善する場合、放熱効率が、LEDの信頼性に影響を与える主な要因となってきている。
図1は、従来のLEDモジュールの断面図である。図1を参照すると、従来のLEDモジュール100では、第一にLEDパッケージ110のピン112がプリント回路基板(PCB)120に溶接され、その結果、PCB120を通して作業電圧をLEDパッケージ110に伝える。しかしながら、LEDパッケージ110の発光効率の向上を増大させる場合には、発光過程時に発生する熱が急激に増大する。LEDパッケージ110を損傷させる過熱を避けるため、PCB120が放熱基板130上に配置され、その結果、放熱基板130によって外部に熱を急速に導き、それにより、放熱効率を向上させる。しかしながら、LEDパッケージ110によって発生した熱は、PCB120を通して放熱基板130に伝わる。PCB120は熱伝導率が不十分で、基本的に熱遮断層であると考えられているため、大量の熱エネルギーは、PCB120内に蓄積され、放熱基板130に効果的に伝導することができず、従って、全体的な放熱効果は深刻な影響を受け、有効寿命が短縮される。更に、発光効率を改善する最適位置にLEDパッケージ110を設置するため、第一に放熱基板130上の正確な位置にPCB120を固定しなければならず、組立てにおいてより多くの時間や費用を導く。
そのため、優れた放熱効率と長期的な有効寿命を達成させることは、LEDの現在のパッケージ形態を改良する方法を必要とした、実際に重要な問題である。
従って、本発明は、従来技術においてプリント回路基板(PCB)上に直接固定されたLEDに起因する放熱効率不良の問題を解決するためのLEDパッケージに向けられている。
本発明は、放熱基板、電気絶縁層、回路層及びLEDチップを含むLEDパッケージを提供する。電気絶縁層は、放熱基板上に配置される。回路層は、電気絶縁層上に配置される。回路層は、放熱基板の一部を露出するために電気絶縁層を貫通して延在する受入孔を有する。LEDチップは、受入孔によって露出した放熱基板上に配置され、回路層と電気的に接続される。
本発明の一の実施態様においては、放熱基板が、更にヒートパイプ、ヒートコラム又は蒸気室を含む。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更に放熱基板の底部に配置された複数の冷却フィンを含む。
本発明の一の実施態様においては、電気絶縁層及び回路層が、プリント回路基板(PCB)の電気絶縁層及び回路層からなる。
本発明の一の実施態様においては、電気絶縁層が高分子有機材料からなり、回路層が金属被覆層、金属焼結層又は金属箔からなる。
本発明の一の実施態様においては、電気絶縁層がセラミック材料からなり、回路層が金属被覆層、金属焼結層又は金属箔からなる。
本発明の一の実施態様においては、電気絶縁層が高分子有機材料とセラミック粉末の複合材料からなり、回路層が金属被覆層、金属焼結層又は金属箔からなる。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更に接着剤層を含み、該接着剤層によって、LEDチップが放熱基板上に固定される。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更にLEDチップと回路層との間に接続された複数のボンディングワイヤを含む。
本発明の一の実施態様においては、LEDパッケージが、更に放熱基板上に配置され、LEDチップ及びボンディングワイヤを封入する成形材料を含む。
本発明のLEDパッケージは、熱伝導媒体として二相流れを有する放熱基板、例えば、ヒートパイプ、ヒートコラム又は蒸気室上にLEDチップを直接配置する。従って、LEDチップの操作時に発生する熱エネルギーを放熱基板の底部から直接に放散することができ、その結果、現在のLEDパッケージ化における放熱問題を効果的に解決する。また、放熱基板の放熱効果を更に向上させるため、放熱基板の底部に複数の冷却フィンを任意に配置してもよい。
本発明の特徴や利点をより明確且つ理解できるようにするため、下記に示す実施態様を、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
本発明の更なる理解をもたらすために添付図面を含み、そして本願明細書中に組み込まれ、本願明細書の一部を構成する。図面は、本発明の実施態様を説明しており、図面の簡単な説明と共に本発明の本質を説明する役目を果たす。
図1は、従来のLEDモジュールの断面図である。図2は、本発明の一の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図3は、本発明の他の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図4は、本発明の他の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。
これから、本発明の実施態様について詳細に言及する。本発明の実施態様の例は、添付図面において説明される。可能である限り、図面及び説明において同一の参照番号を用い、同一の部材又は同様な部材を指す。
図2は、本発明の一の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図2を参照すると、LEDパッケージ200は、主として放熱基板210、電気絶縁層220、回路層230及びLEDチップ240を含む。LEDパッケージ200は、主に熱伝導媒体として二相流れを有する放熱素子(例えば、ヒートパイプ、ヒートコラム又は蒸気室)を利用する。そのため、LEDチップで発生した熱エネルギーは、放熱素子によって直接に取り除かれ、それにより、パッケージの放熱効率を向上させる。以下に、図を参照しながら、LEDパッケージ200の要素と該要素間の接続関係を説明する。
放熱基板210は、LEDチップ240を載せる。本発明は、LEDチップ240を載せるために、主として、ヒートパイプ、ヒートコラム又は蒸気室等、熱伝導媒体として二相流れを有する高熱伝導素子を利用する。そのため、操作時にLEDチップ240により発生する熱エネルギーを放熱基板210によって直接に取り除くことができ、それにより、放熱効率を向上させる。この実施態様において、放熱基板210は、例えば、平板ヒートパイプ210aである。
電気絶縁層220は、放熱基板210上に配置される。回路層230は、電気絶縁層220上に配置される。回路層230は、放熱基板210の一部を露出するために電気絶縁層220を貫通して延在する受入孔Hを有する。本発明の一の実施態様においては、電気絶縁層220及び回路層230が、PCBの絶縁層及び回路層からなる。更に、電気絶縁層220はまた、高分子有機材料又はセラミック材料からなっていてもよいし、また、回路層230は、金属被覆層、金属焼結層又は金属箔からなっていてもよい。電気絶縁層220及び回路層230の材料は、本発明において制限されない。
LEDチップ240は、受入孔Hによって露出した放熱基板210上に配置され、回路層230と電気的に接続される。この実施態様においては、LEDパッケージ200は、更に接着剤層250を含み、その結果、LEDチップ240は、接着剤層250によって放熱基板210上に固定される。しかしながら、本発明においては、LEDチップ240を他の手段によって放熱基板210上に固定してもよく、それについて制限されるべきではない。また、LEDチップ240と回路層230とを電気的に接続するため、ワイヤボンディング技術によって、LEDチップ240と回路層230との間に複数のボンディングワイヤ260を形成させることができる。更に、LEDチップ240及びボンディングワイヤ260の損傷や、LEDチップ240及びボンディングワイヤ260に入り込む湿気を防ぐため、放熱基板210上に成形材料270を任意に適用してもよい。成形材料270は、回路層230を封入し、受入孔Hと、とりわけLEDチップ240及びボンディングワイヤ260とを覆い、その結果、それらの損傷や、それらに入り込む湿気を防ぐ。
図3は、本発明の他の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図3を参照すると、LEDパッケージ200'は、図2のLEDパッケージと実質的に同一であり、それらの間の差異は、以下に記載されるもののみである。LEDパッケージ200'は、放熱基板210としてヒートコラム210bを利用し、また、LEDチップ240は、ヒートコラム210上に直接固定され、その結果、優れた放熱効果を達成する。更に、放熱範囲を増大させるため、放熱基板210の底部に複数の冷却フィン280を結合してもよい。
図4は、本発明の他の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。図4を参照すると、LEDパッケージ200''は、図2のLEDパッケージと実質的に同一であり、それらの間の差異は、以下に記載されるもののみである。LEDパッケージ200''は、放熱基板210として蒸気室210cを利用し、LEDチップ240は、ヒートコラム210c上に直接固定され、その結果、優れた放熱効果を達成する。
上記したことを考慮すると、本発明のLEDパッケージは、主として、熱伝導媒体として二相流れを有する放熱基板、例えば、ヒートパイプ、ヒートコラム又は蒸気室上にLEDチップを直接配置することを含み、その結果、操作時にLEDチップによって発生する熱エネルギーを放熱基板の底部から直接放出することができ、現在のLEDパッケージの放熱問題を解決する。また、放熱基板の放熱効果を更に改善するため、放熱基板の底部に複数の冷却フィンを任意に配置してもよい。
本発明の構造に対し、本発明の範囲又は精神から逸脱することなく種々の変更及び変化を行うことができることが、当業者に明らかとなる。上記のことを考慮すると、本発明が、特許請求の範囲及びその均等の範囲内であれば、この発明の変更及び変化に及ぶことが意図される。
従来のLEDモジュールの断面図である。 本発明の一の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。 本発明の他の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。 本発明の他の実施態様に従うLEDパッケージの略断面図である。
符号の説明
200 LEDパッケージ
210 放熱基板
220 電気絶縁層
230 回路層
240 LEDチップ
250 接着剤層
260 ボンディングワイヤ
270 成形材料
280 冷却フィン

Claims (10)

  1. 放熱基板と、
    前記放熱基板上に配置された電気絶縁層と、
    前記電気絶縁層上に配置され、前記放熱基板の一部を露出するために電気絶縁層を貫通して延在する受入孔と共に形成される回路層と、
    前記受入孔によって露出した放熱基板上に配置され、前記回路層と電気的に接続されたLEDチップと、
    を具える発光ダイオード(LED)パッケージ。
  2. 前記放熱基板が、ヒートパイプ、ヒートコラム又は蒸気室を具える請求項1に記載のLEDパッケージ。
  3. 更に、前記放熱基板の底部に配置された複数の冷却フィンを具える請求項1に記載のLEDパッケージ。
  4. 前記電気絶縁層及び前記回路層が、プリント回路基板(PCB)の絶縁層及び回路層からなる請求項1に記載のLEDパッケージ。
  5. 前記電気絶縁層が高分子有機材料からなり、前記回路層が金属被覆層、金属焼結層又は金属箔からなる請求項1に記載のLEDパッケージ。
  6. 前記電気絶縁層がセラミック材料からなり、前記回路層が金属被覆層、金属焼結層又は金属箔からなる請求項1に記載のLEDパッケージ。
  7. 前記電気絶縁層が高分子有機材料とセラミック粉末とからなる複合材料からなり、前記回路層が金属被覆層、金属焼結層又は金属箔からなる請求項1に記載のLEDパッケージ。
  8. 更に、接着剤層を具えてなり、該接着剤層によって、LEDチップが放熱基板上に固定される請求項1に記載のLEDパッケージ。
  9. 更に、前記LEDチップと前記回路層との間に接続された複数のボンディングワイヤを具える請求項1に記載のLEDパッケージ。
  10. 更に、前記回路層上に適用され、前記受入孔を覆う成形材料を具える請求項1に記載のLEDパッケージ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013516076A (ja) * 2010-01-01 2013-05-09 中山偉強科技有限公司 発光ダイオードのパッケージ構造

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7846579B2 (en) 2005-03-25 2010-12-07 Victor Krasnov Thin film battery with protective packaging
US8679674B2 (en) 2005-03-25 2014-03-25 Front Edge Technology, Inc. Battery with protective packaging
KR100802393B1 (ko) * 2007-02-15 2008-02-13 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 그 제조방법
US8188595B2 (en) * 2008-08-13 2012-05-29 Progressive Cooling Solutions, Inc. Two-phase cooling for light-emitting devices
US20100132404A1 (en) * 2008-12-03 2010-06-03 Progressive Cooling Solutions, Inc. Bonds and method for forming bonds for a two-phase cooling apparatus
TWM362513U (en) * 2009-01-22 2009-08-01 Yeh Chiang Technology Corp Packaging structure for LED
WO2010139116A1 (zh) * 2009-06-04 2010-12-09 He Zhongliang Led灯散热方法
US8378559B2 (en) * 2009-08-20 2013-02-19 Progressive Cooling Solutions, Inc. LED bulb for high intensity discharge bulb replacement
CN101980387A (zh) * 2010-09-07 2011-02-23 浙江西子光电科技有限公司 Led模组及其制造工艺
CN101980388A (zh) * 2010-09-07 2011-02-23 浙江西子光电科技有限公司 基于散热器封装的led器件及led器件的制作工艺
CN101980386A (zh) * 2010-09-07 2011-02-23 浙江西子光电科技有限公司 一种基于散热器封装的led器件及led器件的制作工艺
KR20130027611A (ko) * 2011-05-18 2013-03-18 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, led 모듈의 제조방법
US8865340B2 (en) 2011-10-20 2014-10-21 Front Edge Technology Inc. Thin film battery packaging formed by localized heating
US20120074455A1 (en) * 2011-11-20 2012-03-29 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Led package structure
US9887429B2 (en) 2011-12-21 2018-02-06 Front Edge Technology Inc. Laminated lithium battery
US8864954B2 (en) 2011-12-23 2014-10-21 Front Edge Technology Inc. Sputtering lithium-containing material with multiple targets
US9257695B2 (en) 2012-03-29 2016-02-09 Front Edge Technology, Inc. Localized heat treatment of battery component films
US9077000B2 (en) 2012-03-29 2015-07-07 Front Edge Technology, Inc. Thin film battery and localized heat treatment
US9159964B2 (en) 2012-09-25 2015-10-13 Front Edge Technology, Inc. Solid state battery having mismatched battery cells
US8753724B2 (en) 2012-09-26 2014-06-17 Front Edge Technology Inc. Plasma deposition on a partially formed battery through a mesh screen
US9356320B2 (en) 2012-10-15 2016-05-31 Front Edge Technology Inc. Lithium battery having low leakage anode
US10008739B2 (en) 2015-02-23 2018-06-26 Front Edge Technology, Inc. Solid-state lithium battery with electrolyte

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004265986A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Citizen Electronics Co Ltd 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法
JP2005136224A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 発光ダイオード照明モジュール

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5951908A (en) * 1998-01-07 1999-09-14 Alliedsignal Inc. Piezoelectrics and related devices from ceramics dispersed in polymers
US20030129379A1 (en) * 1999-04-23 2003-07-10 Shigeru Yao Porous insulating film and its laminates
KR100784057B1 (ko) * 2005-06-24 2007-12-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법
TWI257722B (en) * 2005-07-15 2006-07-01 Ind Tech Res Inst Package structure of light-emitting diode with electrothermal component
US7551442B2 (en) * 2005-12-05 2009-06-23 Nvidia Corporation Embedded heat pipe in a hybrid cooling system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004265986A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Citizen Electronics Co Ltd 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法
JP2005136224A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 発光ダイオード照明モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013516076A (ja) * 2010-01-01 2013-05-09 中山偉強科技有限公司 発光ダイオードのパッケージ構造

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Publication number Publication date
US20080290363A1 (en) 2008-11-27
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