JP2008294150A

JP2008294150A - 配線板

Info

Publication number: JP2008294150A
Application number: JP2007136903A
Authority: JP
Inventors: Masato Ishii; 正人石井; Makoto Dobashi; 誠土橋
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Kinzoku Co Ltd
Priority date: 2007-05-23
Filing date: 2007-05-23
Publication date: 2008-12-04

Abstract

【解決手段】本発明の配線板は、絶縁フィルムからなる一のキャリアに複数のデバイスホールが形成され、該絶縁フィルムの表面に配線が形成された配線板であって、該配線が、常態における引張り強さが７０kgf／mm²以上の高抗張力銅箔から形成され、該配線の端部がデバイスホール縁に片持ち状態で複数延設されてインナーリードを形成しており、該デバイスホール内に延設されたインナーリードの延設長さ（L）が、該インナーリードの線
幅（W）に対して、４０以上（L／W）であることを特徴としている。
【効果】本発明によれば、複数の電子部品をそのデバイスホール内に収納して実装可能な配線板を得ることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、単一のフィルムキャリアに複数のデバイスホールが形成されており、複数の高抗張力銅箔からなる配線の端部がそのデバイスホールの縁に片持ち状態で複数延設されてインナーリード（フライングリードともいう）を形成している配線板（Printed Wiring
Board）に関する。

電子装置の小型軽量化に伴って、電子回路をさらに高密度にすることが必要になってきている。これまでの電子部品は、たとえばTABテープのように1個の電子部品を1つのキャ
リアに実装して電子装置に組み込むのが一般的である。

しかしながら、このような電子部品の実装方法では、電子部品の実装密度が一定以上には向上しない。
そこで、一つのキャリアにICのような電子部品を単独で実装するのではなく、コンデンサー、受動素子、コイル、抵抗などの他の電子部品を実装した配線板を積層した高密度の部品内蔵多層配線板（Electronic-component-embedded Multilayer Printed Circuit Board）（以下、多層配線板ともいう）が提案されている（例えば特開2005-45111号公報、特許文献１参照）。

しかしながら、このような多層配線板を形成する配線パターンは、それが従来の銅箔で形成されている場合には常態（２５℃×２４時間放置条件、以下同様）における引張り強度が低いために、フライングリードが曲がることにより位置精度がくるってボンディングできなかったり、ボンディングされた素子が安定に保持されないという問題があり、実装する電子部品の数が多いとさらに不良率が高くなる傾向がある。

また、配線パターンの常態における引張り強度が低いために、電子部品をフィルム又はシート上の配線パターンの上に実装しなければならず、多層配線板が厚くなってしまうという問題もある。

このように多層配線板をより薄くし、高密度に電子部品を実装するためには、より高い抗張力を有する銅箔を用いて配線パターンを形成することが必要になってきている。
特開2005-45111号公報

本発明は、高抗張力銅箔を用いてデバイスホール内に長いフライングリードを有し、複数のデバイスホールを有する配線板を提供することを目的としている。

本発明の配線板（Printed Wiring Board）は、絶縁フィルムからなる一のキャリアに複数のデバイスホールが形成され、該絶縁フィルムの表面に配線が形成された配線板であって、
該配線が、常態における引張り強さが７０kgf／mm²以上の高抗張力銅箔から形成され、該配線の端部がデバイスホール縁に片持ち状態で複数延設されてインナーリードを形成しており、該デバイスホール内に延設されたインナーリードの延設長さ（L）が、該インナ
ーリードの線幅（W）に対して、４０以上（L／W）であることを特徴としている。

本発明の配線板は、非常に高い引張り強さを有する高抗張力銅箔を用いて配線パターンが形成された構成を有している。この配線板に形成される配線パターンは、高抗張力銅箔を用いて形成されており、配線パターンに形成されたデバイスホールの内部にむかって、デバイスホールの縁部に片持ち状態で延設されているフライングリードを長く形成しても、こうしたフライングリードの強度が高いために、予定していない変形あるいは断線などが生じにくい。さらに、本発明の配線板では、デバイスホール内に延設された長いフライングリードを所定の形状にデバイスホール内で折り曲げて電子部品をボンディングすることができる。このようにデバイスホール内で長尺に形成されたフライングリードを折り曲げて電子部品を実装しても、フライングリードを折り曲げることによってフライングリードが断線することがない。

本発明の配線板では、実装される電子部品がデバイスホール内に収納されるので、電子部品をデバイスホール内に収納して得られる回路板（Printed Circuit Board）の厚さが
、配線板の厚さよりも過度に厚くはならない。

また、本発明の配線板を用いて作成した回路板を積層して、厚さ方向に回路板同士の電気的接続を確立することにより、立体的に高密度で電子部品が実装された多層配線板を得ることもできる。

本発明の配線板によれば、デバイスホール内に延設されたインナーリード（フライングリード）が高抗張力銅箔で形成されているため、非常に強度が高くデバイスホール内でインナーリードを長く形成することができる。このようにして長く形成されたインナーリードは、高抗張力銅箔で形成されているので、高い強度を有すると共に、デバイスホール内で任意の形状に折り曲げて使用することが可能であり、配線板に複数のデバイスホールを設けてそれぞれのデバイスホール内に電子部品を収納して実装することができる。このようにして形成された回路板を複数積層しても、実装された電子部品がデバイスホール内に収納され、即ち、電子部品を実装した回路板が、電子部品を実装していない配線板とほぼ同一の厚さを有するので、こうして電子部品が実装された回路板を多数積層したとしても、全体の厚さが配線板を同様に積層したのとほぼ同一にすることができる。しかも、ここで使用する配線板には複数のデバイスホールが形成されており、それぞれのデバイスホールに、IC、薄膜抵抗素子、薄膜コンデンサーなどの電子部品を任意に配置して回路を構成することができ、しかもこれを三次元的に積層させて立体的多層配線板を形成することもでき、非常に高密度に電子部品を配置することができる。

次に本発明の配線板について図面を参照しながらより詳細に説明する。
図１は、本発明の配線板について、その製造工程の例に沿って説明する断面図であり、図２は、本発明の配線板を用いて製造できる回路板について、本発明の配線板に電子部品を実装して回路板を製造する工程の一例に沿って説明する断面図であり、図３は、上記の回路板を用いて製造することができる多層配線板について、上記のようにして製造された回路板を用いて多層配線板を製造する工程の例を示して説明する断面図である。

図１に示すように、本発明の配線板は、絶縁フィルム10と配線パターン15とから形成されている。
絶縁フィルム10は、銅張積層板（Laminate）の基材となるものであり、通常は絶縁性を有する樹脂フィルムから形成されている。この絶縁フィルムとして使用可能な樹脂フィルムとしては、ポリイミドフィルム、ポリイミドアミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、薄いガラス入りエポキシ樹脂シート、フッ素樹脂フィルムおよび液晶ポリマーフィルム等を挙げることでき
る。すなわち、これらの絶縁フィルム10は、エッチングの際に使用されるエッチング液、あるいは、洗浄の際に使用されるアルカリ溶液などに侵食されることがない程度に優れた耐酸・耐アルカリ性を有し、さらに電子部品を実装する際などの加熱によって大きく熱変形しない程度の耐熱性を有している。こうした特性を有する絶縁フィルム10としては、ポリイミドフィルムが好ましい。

ここで好適に使用されるポリイミド樹脂の例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミドを挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド（例；商品名：ユーピレックスS、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。ビフェニル骨格を有す
る全芳香族ポリイミドは、他の全芳香族ポリイミドよりも吸水率が低い。本発明で使用可能な絶縁フィルムの厚さは、通常は５〜１５０μｍ、好ましくは５〜１２５μｍ、特に好ましくは２５〜７５μｍの平均厚さを有している。

このような絶縁フィルム10の幅方向の縁部近傍には、このフィルムを搬送し、さらにこのフィルムの位置決め手段となるスプロケットホールが形成されていてもよい。さらに、この銅張積層板又は配線板の位置決めをする位置決め孔、出力用スリットなど、必要な貫通孔が形成されていてもよい。

さらに、本発明の絶縁フィルムあるいはシート10には、明確な折り曲げ位置を形成するために、折り曲げ用のスリットが形成されていてもよい。
本発明の絶縁フィルムあるいはシート10には、複数のデバイスホール12が形成されている。このデバイスホール12は、パンチング、レーザー加工などにより形成することができる。図１（ｂ）には、集積回路（IC）を実装するためのデバイスホール12b、薄層抵抗素
子を実装するためのデバイスホール12a、薄膜コンデンサーを実装するためのデバイスホ
ール12cの3個のデバイスホールを有する態様が示されている。

デバイスホール12は、通常は、実装しようとする電子部品よりもわずかに大きく形成されている。
上記のようにして例えば、パンチングにより必要なデバイスホール12、さらに必要によりスプロケットホール、位置決め孔、折り曲げ用スリットなどを形成した絶縁フィルム10の表面に銅箔を配置する。一般には、絶縁フィルムあるいはシート10の表面に、必要により粘着剤層あるいは接着剤層（図示なし）を形成させて、それを介して絶縁フィルムあるいはシート10の表面に銅箔を圧着する。

本発明で使用する銅箔は、高抗張力銅箔であり、常態における引張り強さが７０kgf／mm²以上、好ましくは７０〜１００kgf／mm²の範囲、特に好ましくは７０〜９５kgf／mm²の範囲の引っ張り強度を有する高抗張力銅箔を使用する。

さらに、本発明で使用する高抗張力銅箔は加熱により引張り強さが低下しにくく、１８０℃×６０分間加熱処理した後の常態における引張り強さに対する引張り強さは通常は８５％以上、好ましくは９０％以上を維持するという特性を有している。

ここで、加熱後の引張り強さとは、銅箔を１８０℃×６０分間大気中で加熱し、その後、室温に放冷して測定した引張り強さを意味する。従来広汎に使用されている電解銅箔の場合、１８０℃×６０分間の加熱条件で加熱し冷却した後の引張り強さは、上限値でも、常態における引張り強さの６０％の値を維持するのが限度である。これに対して本発明で使用する高抗張力銅箔が加熱によっても引張り強さの低下が少ないのは、この高抗張力銅箔を構成する結晶粒がきわめて微細であると共に、結晶粒経のばらつきが小さいことで、
後述する電解銅箔の製造時に、電解液中に共存する添加剤成分が銅粒子の粒界面に均一に分散し、加熱時には拡散バリアとして機能して、銅の結晶粒子の成長を抑制するため、加熱によっても銅の結晶粒子の微細化の効果が損なわれないためであると思われる。ここで選定した加熱温度１８０℃×６０分間は、最も一般的に行われる銅張積層板製造の際のプレス成形時の温度条件に近似させて選択されたものである。

従って、常態における引張り強度と加熱後の引張り強さが上記のような関係を有する銅箔を加熱プレスする工程を経て配線板が製造された際にも、形成された配線パターン、特に高抗張力銅箔で形成されたフライングリードに高抗張力銅箔の優れた機械的特性が付与される。

ところで、一般的に電解銅箔の微細結晶構造は、導電率の低下の原因になり得るとの知見もある。従って、本発明で使用する高抗張力銅箔の場合にも銅の結晶粒界に均一に析出する添加剤成分が、この銅の結晶粒子を微細化することによって、この高抗張力銅箔の電気伝導率を１０％程度低下させると考えられる。しかしながら、本発明で使用する高抗張力銅箔を製造する際に使用する添加剤は、銅の結晶粒界に１nm未満の厚さで存在し、こうした添加剤の存在によって、特殊な用途、たとえば電源回路を想定したプリント配線板においては若干の影響がでることがあるとしても、通常使用されるプリント回路板において、その電気伝導度の低下が問題になることはあり得ない。

このような高抗張力銅箔は、経時的にもその特性が安定しており、製造後３０日経過後の常態における引張り強さは、通常は６５kgf/mm²以上である。一般に電解銅箔の品質保
証期間は最低３カ月であるため、製造後３カ月経過後の状態における引張り強さを測定して、この値で品質管理を行うことが望ましいが、本発明で使用する高張力電解銅箔の機械的特性は、室温で保管すると、製造直後から３０日間は経時的に変化するが、製造後３０日経過すると安定期に移行し、その後室温で保管する限り著しい機械的特性の変動は認められない。従って、製造後３０日経過した状態における引張り強さを測定すれば、この高抗張力銅箔の品質管理が事実上可能になる。なお、上記記載において、製造後３０日経過後の状態における引張り強さの上限値は限定していないが、この上限値は、通常は、製造直後の常態における引張り強さに依存して９０kgf/mm²、好ましくは１００kgf/mm²である。

本発明で使用する高抗張力銅箔は、常態伸び率が通常は３〜１５％の範囲内にある。常態伸び率が３％以上であれば、銅張積層板に加工して配線板を形成した際にスルーホールをメカニカルドリルあるいはパンチを用いて形成したとしても、ファインクラックの発生を防止できる。そして、本発明で使用する高抗張力銅箔は、微細な結晶粒子で形成されているために常態伸び率が１５％程度になることがあるが、メカニカルドリルあるいはパンチを用いた加工性を考慮すれば常態伸び率は１０％以下であることが好ましい。

さらに、本発明で使用する高抗張力銅箔は１８０℃×６０分間の加熱後の伸び率の値が、常態における伸び率よりも低い値を示す。ここで加熱後の伸び率とは、この高抗張力銅箔を１８０℃の温度で６０分間、大気中で加熱し、そののち室温にまで放冷して測定した伸び率である。従来の電解銅箔の多くは、加熱を受けると焼鈍効果が現れ、特に低温アニール性のよい電解銅箔では１８０℃で５分間〜１５分間程度の加熱で５％程度の伸び率の低下が認められるが低レベルのものであり、１８０℃×６０分間の加熱を行うと加熱後伸び率は常態伸び率に比べて大きくなる。しかしながら、本発明で使用する高抗張力銅箔の場合には、加熱後の伸び率の値が、常態における伸び率を基準として比較すると著しく低い値を示し、従来の電解銅箔とは明らかに異なる挙動を示す。

具体的に例を挙げて示すと、本発明で使用する高抗張力銅箔の加熱後の伸び率は、常態
における伸び率を１００％としたときの５〜５０％の範囲で伸び率が低下する。このように加熱によって、引張り強さ及び伸び率がともに低下する現象は、伸銅品分野でいう焼鈍効果と同様の現象ととらえることができる。従って、さらに加熱を継続すると加熱後引張り強さは低下し続け、加熱後伸び率はある段階から上昇に転ずると考えられる。

さらに、本発明で使用する高抗張力銅箔は、銅の結晶粒径が微細で均一であるから、その析出面（M面）の凹凸形状が滑らかになるとの特性を有する。この高抗張力銅箔の析出
面の滑らかさを示す指標として光沢度を採用すると、この高抗張力銅箔の析出面の光沢度〔Gs(60)〕は８０以上になる。後述する製造例を採用することを前提としてこの光沢度
が８０以上の高抗張力銅箔の場合、常態における引張り強さが７０〜１００kgf/mm²の範
囲内になり、１８０℃×６０分間の加熱後の加熱後引張り強さが、常態における引張り強さの値の８５％以上、より好ましくは９０％以上という機械的特性を示す。このように析出面の光沢度〔Gs(60)〕は、高抗張力銅箔の他の機械的特性と密接な関係を有することから、後述する製造例で製造される高抗張力銅箔の機械的特性の代替指標として、上記光沢度を用いることもできる。

このような常態における引張り強度は、銅合金で表わせばリン青銅のハード材（硬度H
）あるいはコルソン合金の引張り強度に匹敵するものでありながら、実質的には銅の単独金属であり、電気抵抗値は実質的に純銅の電気抵抗値を示す。

上記のような特性を有する高抗張力銅箔は、たとえば硫酸系の銅電解液を用い電解法により電解銅箔を製造するに際して、用いる硫酸系の銅電解液に下記に示す添加剤A〜Cを配合することにより得ることができる。ここでいう硫酸系銅電解液中の銅濃度は、通常は５０〜１２０g/リットル、好ましくは５０〜８０g/リットルの範囲内にあり、また、フリー硫酸濃度は通常は６０〜２５０g/リットル、好ましくは８０〜１５０g/リットルの範囲内にある。

このような硫酸系銅電解液に添加する添加剤Aは、分子内にNとSとを含む化合物であり
、好ましくはベンゼン環とNを含む複素環とを備え、この複素環にメルカプト基が結合し
た構造を有する化合物である。この添加剤Aは、得られる電解銅箔に高い引張り強さを付
与するように作用する。ここで添加剤Aは、電解銅箔の電析時に結晶粒界に均一に分散し
易く析出銅の結晶粒の微細化を促進する作用に優れ、電解銅箔の製造の安定化に寄与する。この点に関して例えばチオ尿素を添加剤として使用した場合、チオ尿素の分解物が低分子量であり、その除去が困難で、電析した電解銅箔中に包含される銅の析出状態を安定化させることはできない。本発明で使用する添加剤Aは、ベンゼン環という安定した構造を
基本骨格として有し、このベンゼン環という基本骨格にNを含む複素環構造を結合させて
いるので、この添加剤Aは、硫酸系銅電解液中においても分解しにくく安定した状態で存
在することが可能になる。そして、この添加剤Aとしては、メルカプト基が複素環に結合
して、スルホン基がベンゼン環に結合している構造を有する化合物が特に好ましく、このような構造を有する化合物は、極性が大きく水溶液系に対して容易に溶解するので、硫酸系銅電解液に用いる添加剤として安定性が高い。

なお、前記添加剤Aに共通の構造（ベンゼン環とNを含む複素環とを備え、この複素環にはメルカプト基が結合した構造）を備えていないチオ尿素系の化合物にも、同様の作用効果を有するものがある。例えば、炭素数が２以上のアルキル基を両端に有するチオ尿素化合物は、チオ尿素の極性がアルキル基により弱められる。従って、銅イオンとの反応時には＝S構造を有したままでありながら、電解反応時にチオ尿素のような分解挙動を示しに
くいと考えられる。従って、このような化合物は、本発明においては添加剤Aとして使用
することが可能である。

上記のような高抗張力銅箔の製造のために使用される添加剤Aの具体的な例としては、
イミダゾール系化合物、チアゾール系化合物およびテトラゾール系化合物並びにトリアゾール系化合物およびオキサゾール系化合物を挙げることができ、またチオ尿素系の添加剤Aとしては炭素数が２以上の置換基を有するチオ尿素系化合物を挙げることができる。こ
れらの化合物は単独であるいは組み合わせて使用することができる。

このような添加剤Aとしては、ベンゼン環にスルホン基が結合している構造を有する化
合物が好ましい。ベンゼン環にスルホン基が結合した構造の化合物は、硫酸系銅電解液中で極めて良好な安定性を示し、電解状態が安定化し、溶液寿命も長くなる。

上記のような添加物Aとして使用するイミダゾール系化合物、チアゾール系化合物、テ
トラゾール系化合物などの中でも、ベンゼン環とNを含む複素環とを備え、この複素環に
はメルカプト基が結合している構造を有する化合物として、たとえば以下に記載する化合物を挙げることができる。

２-メルカプト-5-ベンゾイミダゾールスルホン酸（以下「２M-5S」と記載することもある。以下に示す化合物(i)）。

3-（5-メルカプト-1Hテトラゾールイル）ベンゼンスルホナート（以下、「MSPMT-C」と記載することもある。以下に示す化合物(ii)）。

2-メルカプトベンゾチアゾール（以下「WM」と記載することもある。以下に示す化合物(iii)）。

1-（4-ヒドロキシフェニル）-5-メルカプトテトラゾール（以下、「HPMT」と記載する
こともある。以下に示す化合物(iv)）。

これらの化合物を単独であるいは組み合わせて使用することが特に好ましい。
これらの化合物を使用するにあたっては、入手の容易な易水溶性の塩類、たとえばナトリウム塩のようなアルカリ金属塩として使用することもできる。特に本発明では添加物A
として式[i]、[ii]、[iii]で表される化合物を単独であるいは組み合わせて使用することが好ましい。

また、炭素数が２以上のアルキル基を両末端に有するチオ尿素系化合物としてはN,N-ジエチルチオ尿素（以下「EUR」と記載することもある。以下に示す化合物(v)）も好適に使用することができる。EURは、チオ尿素と同様の構造であるNおよびSを含んでおり、他の
添加剤Aと同等の作用効果を明らかに有しているが、チオ尿素と異なりエチル基を端部に
有していることで末端の活性が低くなり、電解液中での安定性が良好になる。

この添加剤Aの硫酸系銅電解液中における合計の濃度は、通常は１〜５０ppmであり、３〜３０ppmの範囲内にあることが好ましい。硫酸系銅電解液中における添加剤Aの合計濃度が１ppmに満たないと電解により析出する電解銅箔に取り込まれる添加剤Aの量が不足し、得られる電解銅箔が長期間にわたって高い機械的強度を保持することが難しくなる。一方、添加剤Aの合計濃度が５０ppmを超えると、電解銅箔の析出面の滑らかさが損なわれ、光沢度が低く、同時に高い機械的強度が得られなくなる。硫酸系銅電解液中における添加剤Aをはじめとする添加剤の含有率は、HPLC(High Performance Liquid Chromatography) により確認することができる。

本発明で使用する高抗張力銅箔の製造に使用される添加剤Bは、活性硫黄化合物のスル
ホン酸塩である。この添加剤Bは、得られる電解銅箔の表面の高光沢化を促進するように
作用する。ここで使用される添加剤Bの具体的な例としては、以下に記載する化合物を挙
げることができる。

3-メルカプト-1-プロパンスルホン酸（以下「MPS」と記載することもある。以下に示す化合物(vi))。

ビス（3-スルホプロピル）ジスルフィド（以下「SPS」と記載することもある。以下に
示す化合物(vii))。

これらは単独であるいは組み合わせて使用することができる。
なお、上記式[vi]で表わされるSPSは、硫酸系銅電解得液中にMPSを添加すると、この硫酸系銅電解液中で二量体化して生成するものである。従って、SPSの直接添加を行うこと
なくMPSを添加してもかまわない。
添加剤Bの硫酸系銅電解液中の濃度は１〜８０ｐｐｍであることが好ましく、より好ま
しい範囲は１０〜６０ｐｐｍ、さらに好ましい範囲は１０〜５０ｐｐｍである。当該濃度が１ｐｐｍ未満の場合には、電解銅箔の析出面に光沢が得られにくく、安定した高い機械的強度の電解銅箔が得られにくくなる。一方、当該濃度が８０ｐｐを超えると、銅の析出状態が不安定になる傾向にあり、安定した高い機械的強度の電解銅箔が得られにくくなる。

本発明で使用する高抗張力銅箔を製造する際に使用する添加剤Cは、環状構造を有する
四級アンモニウム塩重合体である。具体的には添加物Cの例としては、ジアリルジメチル
アンモニウムクロライド（以下「DDAC」と記載することもある。）重合体（以下に示す構造単位からなる重合体(viii)）を挙げることができる。

上記式[viii]において、ｎは通常は２〜３２の整数である。
上記式[viii]で表わされるDDACは、重合体構造をとる際に環状構造をなすものであり、環状構造の一部は四級アンモニウムの窒素原子で構成されている。そして、DDAC重合体には、前記環状構造が５員環、６員環のものなど複数の形態が存在し、実際の重合体は、合成条件により、これらのいずれかまたはこれらの混合物であると考えられる。従って、ここではこれらの重合体のうち、５員環構造を採る化合物を代表例として、塩素イオンを対イオンとした重合体を式[viii]で示したが、環状構造部分が５員環構造に限らず６員環等の多員環構造を有する共重合体をも含むものである。

本発明で使用する添加剤Cは、硫酸系銅電解液中の濃度が、通常は０．５〜１００ppm、好ましくは１０〜８０ppmの範囲内の量、さらに好ましくは２０〜７０ppmの範囲内の量になるように配合される。硫酸系銅電解液中の添加剤Cの濃度が０．５ppmに満たないと得られる高抗張力銅箔の表面の平滑化が不充分になることがあり、SPSの濃度をいかに高めて
も電析銅の析出面が粗くなり、高い機械的強度を得るための低プロファイル電解銅箔を得ることが困難になる。なお、「低プロファイル」という用語は、電析銅の析出面の凹凸が少なく滑らかであるという意味で使用している。また、硫酸系銅電解液中の添加剤Cの濃
度が１００ppmを超えても、得られる銅箔の析出面の平滑化に対する効果は向上せず、む
しろ析出状態が不安定になって安定した状態で高い機械的強度を有する銅箔を得られにくくなる傾向がある。

このように硫酸系銅電解液中の添加剤A,添加剤B,添加剤Cの成分バランスが、高抗張力
銅箔を得るためには非常に重要であり、これらの量的バランスが上記範囲を逸脱すると、平滑で光沢のある析出面が粗くなって低プロファイルを維持できなくなり、結果として高い機械的強度も得られなくなってしまう。

このように本発明で使用する高抗張力銅箔を製造する際には、硫酸系銅電解液中には塩素が含有されていることが好ましい。硫酸系銅電解液中における塩素濃度は、DDACを添加した後の状態で、５〜１００ppmであることが好ましく、２０〜６０ppmの範囲内にあることが特に好ましい。この塩素濃度が５ppm未満では電解銅箔の機械的強度が低下しやすく
なる。また、塩素濃度が１００ppmを超えると、電解銅箔の電析状態が安定しないために
安定した高い機械的強度が発現しにくい。そして、この塩素濃度の調整には、塩酸または塩化銅を用いることが好ましい。硫酸系銅電解液の性状を変動させないからである。

上記のような高抗張力銅箔の表面には粗化処理、防錆処理、シランカップリング処理などの表面処理が施されていてもよい。
ここでいう粗化処理は、絶縁フィルムとの密着性を物理的に向上させるための表面処理であり、析出面上に施されるのが一般的である。具体的には電解銅箔の表面に微細金属粒子を付着させるか、エッチング法で粗化表面を形成するいずれかの方法を採用することができる。本発明においては高抗張力銅箔の析出面に微細な金属粒子を析出させて固定する粗化処理を採用することが好ましい。この粗化処理は、電解銅箔の析出面に微細銅粒を析出付着させるヤケメッキ工程と、この微細銅粒の脱落を防止するための被せメッキ工程から構成されるのが一般的である。

本発明で使用する高抗張力銅箔には、通常は防錆処理が施されている。この防錆処理とは、銅張積層板、配線板、回路板あるいは多層配線板を製造する工程で、高抗張力銅箔が酸化腐食するのを防止するために高抗張力銅箔の表面に被覆層を形成する処理のことである。ここで防錆処理には、ベンゾトリアゾール、イミダゾールなどの有機防錆剤を用いることもできるし、亜鉛、クロメート、亜鉛合金などの無機防錆剤を用いることもできる。このような防錆剤を用いた防錆処理の方法に特に制限はなく、有機防錆剤を用いる場合には、有機防錆剤の溶液中への浸漬塗布法、シャワーリング塗布法、電着法などの方法を採用することができる。また、無機防錆剤を用いる場合には、電解法、無電解メッキ法、スパッタリング法、置換析出法などを採用することができる。

また、本発明で使用する高抗張力銅箔にはシランカップリング剤処理をすることもできる。ここでシランカップリング剤処理とは、粗化処理、防錆処理等が終了した後に、絶縁フィルムとの密着性を化学的に向上させるための処理である。本発明においてシランカップリング剤処理の方法などに特に制限はないが、使用する絶縁フィルム、配線板、回路板などの性状を考慮して、エポキシ系シランカップリング剤、アミノ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤などの通常使用されているシランカップリング剤から適宜選択して使用することができる。こうしたシランカップリング剤を用いた処理では、シランカップリング剤を含有する溶液に高抗張力銅箔を浸漬塗布する方法、シャワーリングにより塗布する方法、電着する方法などの方法を採用することができる。

例えば上記のようにして得られた高抗張力銅箔の析出面の平均表面粗度（Rz）は、通常は０．４〜１．７５μm、好ましくは０．５〜０．８μmであり、さらに析出面の幅方向に対して６０°の反射角で測定した光沢度〔Gs(60°)〕は、通常は８０以上、好ましくは１００〜５５０の範囲内にある。

なお、このような高抗張力銅箔については特願2007-116707号明細書に詳細に記載され
ている。
本発明の配線板では、まず、上述のように種々の貫通孔が穿設された絶縁フィルム10の表面に上記のような高抗張力銅箔13を接着剤（図示なし）を介して貼着して銅張積層板を形成する。図１（ｃ）には、3個のデバイスホール12が形成された絶縁フィルムの一方の
表面に上述の高抗張力銅箔13が積層された銅張積層板の断面が示されている。

ここで積層される高抗張力銅箔13の平均厚さは、通常は８〜７５μm、好ましくは８〜
５０μmの範囲内にある。本発明の配線板に形成されるフライングリードの線幅は、ICの
デバイスホールの場合、通常は５〜５０μm、好ましくは５〜３０μmの範囲内にある。高抗張力銅箔13の平均厚さを上記の範囲内にすることによりこうした細いフライングリードを形成することができ、よりファインピッチのフライングリード（インナーリード）および配線パターンを形成することができる。なお、薄膜コンデンサーなどを実装するためのフライングリードの線幅は、たとえば５〜３００μｍの範囲内にすることができる。

本発明の配線板を製造するに際しては、上記のようにして形成された銅張積層板に図１（ｄ）に示すように、高抗張力銅箔の表面に感光性樹脂を塗布し、所望のパターンマスクを用いて露光して感光性樹脂からなるエッチングレジストパターン14を形成する。ここで使用する感光性樹脂には、露光することにより硬化するタイプと、露光することにより溶解可能になるタイプがあるが、本発明ではいずれのタイプの感光性樹脂を使用することもできる。

一方、絶縁フィルム10には複数のデバイスホール12をはじめとしてその他多数の貫通孔が形成されており、エッチングの際に、こうした貫通孔にエッチング液が侵入して、銅張積層板の高抗張力銅箔を貫通孔内から侵食する。こうした裏面からの高抗張力銅箔のエッチングを防止するために、銅張積層板の裏面側から裏レジスト層16を形成する。この裏レジスト層16は、エッチング液との接触によって侵されることはないが、エッチング後には、レジスト剥離剤などによって容易に除去することができる耐薬品性樹脂を用いて形成されている。

図１（ｄ）には、裏レジスト層16が銅張積層板の裏面全面に形成された態様が示されているが、この裏レジスト層16は、絶縁フィルム10に形成された貫通孔12内にエッチング液が侵入して高抗張力銅箔13を裏面側から侵食するのを防止するためのものであり、従って、裏レジスト層16は、少なくともデバイスホールなどの貫通孔内に露出した高抗張力銅箔を裏面側から被覆するように形成されていればよい。

上記のようにして、裏面側には裏レジスト層16を形成し、表面側には所望の感光性樹脂レジストパターンが形成された銅張積層板を、エッチング液と接触させて、感光性樹脂からなるレジストパターンによってマスキングされていない高抗張力銅箔を選択的にエッチングして配線パターン15を形成する。

こうして形成された配線パターン15は、図１(e)に示すように、高抗張力銅箔で形成さ
れているために非常に強度が高く、デバイスホール12内に延設されるフライングリードを長く形成することができる。

即ち、通常の電解銅箔を使用した場合、デバイスホール内に延設されるフライングリードの長さ（L）は、そのフライングリードの線幅をＷで表わすと、銅箔の厚さによって異
なるが、３５μｍの厚みの銅箔ではＬ／Ｗの値が４０未満、さらに不良率の低減を考慮すると３０にするのが限度である。殊に従来使用されている厚さが１８μｍ以下の電解銅箔を用いた配線板では、Ｌ／Ｗの値が２５以下に設定されていた。従って、デバイスホールの縁からデバイスホール内に延設されるフライングリードの長さは、最も長い場合であっても１５００μｍを超えることはあり得なかった。

しかしながら、本発明で使用している高抗張力銅箔は、常態における引張り強さが７０kgf／mm²以上、好ましくは９０kgf／mm²以上、さらに好適な条件で高抗張力銅箔を製造することにより常態における引張り強さを１００kgf／mm²以上にすることも可能である。

このような常態における引張り強さは、従来知られていた電解銅箔の２〜３倍にも相当する。従って、本発明においては、デバイスホール12内に延設されるフライングリードの長さを、このフライングリードの線幅Ｗに対して、４０〜１０００倍の長さの範囲内、好ましくは５０〜５００倍の長さの範囲内にすることができる。具体的にはフライングリードの線幅Ｗが２０μｍの場合、フライングリードの長さＬを５ｍｍ以上にすることができる。

このようにデバイスホール12内に延設されるフライングリード17は、図1(e)に示すようにデバイスホール12内に延設され、例えば図４、図５に示すように、デバイスホール12内に配置された電子部品（IC）20の表面に形成されているバンプ電極21と電気的に接続することができる。そして、本発明ではフライングリードの長さを付番18で示すように長く形成することができ、この場合のバンプ電極21は、電子部品20の中心に近い位置に形成することが可能になる。また、本発明ではフライングリードの長さを一定の範囲で長く形成してもよいし、この範囲内であれば短くすることもできる。図４、図５には、長いフライングリード18と、短いフライングリード17とを組み合わせて、デバイスホール12内で電子部品20を実装した例が示されているが、本発明では、このようにフライングリードを付番18で示すように長くすることもでき、さらに付番17で示すように短くすることも可能である。従って、電子部品20に形成するバンプ電極21の位置をフライングリード17,18の長さに
合わせて設定することが可能になる。このため電子部品20の表面全面にバンプ電極21を形成することが可能になり、バンプ電極21の配置位置に拘束されずに、電子部品20を高性能化することができる。

さらに、本発明において高抗張力銅箔で形成されているフライングリード17は、常態における引張り強さが高いので、質量の大きい電子部品を実装しても、電子部品の重量によってフライングリード17が変形することがなく、安定した実装状態を構成できる。

また、上記のようにして高抗張力銅箔で形成されたフライングリードは、引張り強度が高いばかりではなく、弾性を有しており、図１（ｆ）および図６に示されるように、デバイスホール12内に延設された対をなすフライングリード19,19aの一方を折り曲げて使用することができる。

例えば、電子部品がコンデンサーである場合には、電極面積をより大きくすることが必要となることがあり、こうした場合には、バンプ電極を電子部品であるコンデンサーの表面および裏面に設けることにより、小容積で高い電気容量のコンデンサー24とすることができる。この場合の電極24a,24bは、コンデンサー24の表面および裏面に形成するのが有
利である。そこで、図１(f)に示すようにデバイスホール内に長く延設されたフライング
リードの一方を折り曲げて、図６に示すようにたとえばコンデンサー24の裏面側で電気的に接続させるとともに、延設された他方のフライングリード19aをコンデンサー24の表面
で電気的に接続させることにより、電子部品であるコンデンサー24を表裏面にあるフライングリード19,19aで挟み込んで実装することができる。

特に本発明ではこうしたフライングリード19，19aは高抗張力銅箔で形成されており、
このフライングリードは、良好な機械的弾性を有している。従って、デバイスホール12内で折り曲げて使用しているフライングリード19と折り曲げずに長く形成したフライングリード19aとの間に例えばコンデンサー24のような電子部品をボンディングせずに挟みこん
だとしても、フライングリード19aとフライングリード19の有する機械的弾性力によって
保持される。従って、このように長く形成されたフライングリードを折り曲げたフライングリード19と長く形成され折り曲げずに使用されているフライングリード19aとによって
挟持されている電子部品は、ボンディングによるフライングリードに対する係留力だけでなく、フライングリードの有する弾性に起因する挟持力によっても保持されている。

こうした電子部品はボンディング後、封止樹脂２８で封止されるが、封止されるまでの間は、フライングリードとバンプ電極21との金属結合による結合力によって接合されており、比較的不安定な状態にあるが、上述のようにフライングリード19aと折り曲げたフラ
イングリード19aとで挟持して弾性力によっても保持することにより、電子部品をより安
定な状態で封止工程に搬送することができる。

このようにして形成された配線パターンのインナーリードおよびアウターリード以外の部分には通常はソルダーレジスト層が形成されて配線パターンを保護している。ソルダーレジスト層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂などからなるソルダーレジスト層形成用塗布液を、例えばスクリーン印刷技術を利用して塗布し硬化させて形成することもできるし、また、所定の形状に打ち抜いた粘着剤層付きのフィルム（カバーレイ）を貼着して形成することもできる。

上記のようにしてソルダーレジスト層を形成した後、このソルダーレジスト層から露出しているアウターリードおよびインナーリードの表面をメッキ処理する。即ち、アウターリードおよびインナーリードは、接続端子であり、他の部材との電気的接合点になる部分であり、デバイスホール内に延設されたインナーリードがフライングリードである。

このインナーリードおよびアウターリードは、他の部材との電気的接合点になるので、電気的接合を確立しやすいように通常はメッキ処理を施す。
ここでメッキ処理の例としては、錫メッキ処理、金メッキ処理、ニッケル-金メッキ処
理、ニッケルメッキ処理、はんだメッキ処理、銀メッキ処理などがあり、配線板の用途に合せて適宜選択することができる。また、これらのメッキ処理は組み合わせて施してもよい。こうして形成されるメッキ層の厚さは、メッキの種類にもよるが、通常は０．１〜２．５μm、好ましくは０．１〜０．５μmの範囲内にある。なお、このようにメッキ処理により形成されるメッキ層は単層であってもよいし、複数のメッキ処理を組み合わせた多層構造であってもよい。また、このメッキ処理は、通常はソルダーレジスト層を形成した後に行われるが、ソルダーレジスト層を形成する前に薄いメッキ層（プレメッキ層）を形成し、次いでソルダーレジスト層を形成した後にさらにメッキ処理を行って厚いメッキ層（本メッキ層）を形成してもよい。このようにソルダーレジスト層を形成する前に薄いプレメッキ層を形成することにより、本メッキ層を形成する際にソルダーレジスト層の縁部からソルダーレジスト層の下部にメッキ液が侵入したとしても、配線パターンに、侵入したメッキ液による孔蝕が発生しにくくなる。

本発明の配線板は、上記のように複数のデバイスホールを有し、このデバイスホール内に高抗張力銅箔によって長いフライングリードが形成されている。それぞれのデバイスホール内に電子部品を配置し、この配線板の各デバイスホール内に延設された長いインナーリードに電子部品を実装して回路板を形成させることもできる。以下この回路板について説明する。

この回路板は、図２（ｇ）に示すように、上述の絶縁フィルム10の表面に形成された配線パターン15を有し、この配線パターン15には、この配線パターンに形成された複数のデバイスホール内に長く延設されたフライングリード17,18,19,19aが形成されている。そして、このフライングリード17,18,19,19aによって、デバイスホール内にそれぞれ電子部品
が実装されている。

ここで実装される電子部品には、集積回路（ＩＣ）、薄膜コンデンサー、抵抗素子、コイル、MEMS部品などがあり、図２（ｈ）に示すような回路板内において、一定の論理回路が形成されるように各種電子部品を配置することが好ましい。

図２には、集積回路（ＩＣ）20を挟んで前後に抵抗素子22および薄膜コンデンサー24が配置された例が示されている。
これらの電子部品20,22,24は、配線パターン15がデバイスホール内に延設されたフライングリード１７の裏面側、即ち、絶縁フィルム10に形成されたデバイスホール内に収納されるように抵抗素子22、ＩＣ20においては、抵抗素子22、ＩＣ20の上面に形成されたバンプ電極と高抗張力銅箔の析出面であるフライングリード17の下面とが電気的に接続している。

抵抗素子22、ＩＣ20に形成されたバンプ電極21は、多くの場合金バンプであり、フライングリード17の表面には錫メッキ層が形成されているので、加熱下に超音波をかけることにより、フライングリードと金バンプ電極との間に金錫共晶物が形成され、抵抗素子22およびＩＣ20は、デバイスホール12内に収納された状態で実装される。

他方、電子部品の一種である薄膜コンデンサー24は、表面および裏面に接続端子24bお
よび24aを有しており、デバイスホール12内でフライングリード19を裏面の接続端子と接
合可能なように折り曲げて使用する。もう一方のフライングリード19aは、薄膜コンデン
サー24の表面の接続端子24bと接続可能なようにデバイスホール12内を直進している。そ
して、図２（ｇ）および図６に示すように折り曲げたフライングリード19と直進するフライングリード19aとによって薄膜コンデンサー24を挟持するとともに加熱下に超音波をか
けることにより、この薄膜コンデンサー24をデバイスホール12内に収納した状態で電気的な接続を確立することができる。

なお、上記の回路板における電子部品は、配列の一例を示すものであり、回路設計に伴って、実装する電子部品の種類、配列の順序、位置などを適宜変更することができるのは勿論である。

上記のようにしてそれぞれのデバイスホール12に電子部品を実装したのち、図２（ｈ）に示すように、デバイスホール12内に樹脂を流し込んで、配線板と電子部品とを一体化する。ここで使用する樹脂は、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂を使用するのが一般的である。

また、本発明の配線板を用いて製造できる回路板には、絶縁フィルム10の表面に配線パターン15が形成され、絶縁フィルム10の裏面には外部接続端子が存在しないが、絶縁フィルム10を貫通する外部接続手段を設けることができる。図２（ｇ）、（ｈ）には外部接続手段が付番26で示されている。

この外部接続手段26としては、配線板にスルーホールを設けてこのスルーホールの内壁面に金属を析出させて形成することもできるし、スルーホール内部に導電性金属粒子を多量に含有する導電性ペーストを充填して形成することもできるし、さらにまた、絶縁フィルムの裏面側から先端の尖ったバンプを突き刺して形成することもできる。

本発明では、インプラント法と称される導電性金属片の打ち込み導入により配線板の裏面に外部接続端子を形成することが好ましい。
このインプラント法は、図７に示すように、貫通孔56を有する基台55の上に上述のよう
にして形成した配線板を配置し、この配線板の配線パターン上に導電性金属箔を移動可能に載置する。この導電性金属箔は、ある程度の硬度を有し、かつ導電性に優れた金属箔である。

この導電性金属箔としては、銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ハンダ箔、ハンダメッキした銅箔もしくは銅合金箔などを挙げることができるが、本発明では銅箔又はハンダメッキした銅箔を使用することが好ましい。ここで使用する銅箔52の厚さは、絶縁フィルムおよび高抗張力銅箔からなる配線パターンの厚さの合計よりもわずかに厚い銅箔を用いることが好ましい。絶縁フィルムおよび高抗張力銅箔の合計の厚さ（１００％）に対して、１０１〜１５０％の厚さの銅箔又はハンダメッキした銅箔を使用することが好ましい。

この銅箔52の上には金属からなるストッパー58が載置されており、配線板および銅箔52を基台55に押し付けて固定するとともに、上部にあるポンチ51を有するポンチ固定台50が下降した際のポンチ固定台50の下降下端位置を特定するためのストッパーとして作用する。

図７（A）に示すように、基台55の上に配線板および銅箔52を重ねて載置し、位置決め
を行った後、ストッパー58でこれらを固定する。次いで、図７（B）に示すように、ポン
チ51をポンチ固定台50とともに下降させて、ポンチ51で銅箔52を打ち抜く。ポンチ51をポンチ固定台50とともに下降させて、ストッパー58によって下降できなくなるまで下降させると、ポンチ51は、銅箔52を打ち抜くことにより、銅箔の打ち抜き片60を形成させる。

この銅箔の打ち抜き片60は、配線板の配線パターン17を打ち抜くと共に配線板の絶縁性フィルム10を打ち抜き、この配線パターン17の打ち抜き片および絶縁性フィルム10の打ち抜き片は、基台55に形成された貫通孔56に押し出される。図７（B）は、ポンチ51が銅箔52を途中まで打ち抜き、こうして形成された銅箔の打ち抜き片60が回路板を途中まで打ち
抜いた状態を示している。

さらに、図７（C）に示すように、ポンチ固定台50がストッパー58に当接するまで下降
させると、ポンチ51は、銅箔52を打ち抜き、この銅箔52を打ち抜くことによって形成される銅箔の打ち抜き片60が配線板を打ち抜いて、この配線板の打ち抜き片62が基台55に穿設された貫通孔56に押し出される。他方、銅箔の打ち抜き片60は、配線板中に留置される。配線板の上部には高抗張力銅箔で形成された配線パターン17が存在し、留置された銅箔の打ち抜き片60は、この部分で配線パターン17と電気的に接続する。その一方で、銅箔の打ち抜き片60の下端部は、銅箔52が配線板の厚さよりもわずかに厚いことから、配線板を構成する絶縁フィルム10を突き抜けて、絶縁フィルム10の裏面側に接続端子を形成する。

このようにポンチを用いたインプラント法によりプレス加工を行っても、配線パターンが高抗張力銅箔で形成されているので、配線パターンにクラック等が発生することはない。

このようにして銅箔52を打ち抜いた打ち抜き片を配線板内に留置した後、図７（D）に
示すように、ポンチ51をポンチ固定台５０とともに上昇させる工程を繰り返すことにより、配線板の裏面の任意の位置に接続端子を形成させることができる。

なお、上記説明は、電子部品を実装する前の配線板を用いて説明したが、配線板に電子部品を実装した後の回路板を用いて上記と同様に操作することもできるし、配線パターンを形成する前の銅張積層板を用いて上記と同様にして裏面側に接続端子を形成し、その後配線パターンを形成することもできる。

上記のようなインプラント法に関しては、たとえば特許第3554552号公報、特許第3554553号公報、特許第3554554号公報および特許第3561744号公報に詳細に記載されている。
上記のようにして得られる回路板を複数製造し、図３（ｊ）および図８に示すように例えば接着剤などを用いて積層することにより、多層配線板を得ることもできる。以下、この多層配線板について説明する。

図３（ｊ）は、多層配線板の一例を示す断面図であり、図８は、多層配線板の一例を示す一部切欠きを有する分解斜視図である。
この多層配線板は、上述のようにして形成した回路板30を、少なくとも2枚用意して、
接着剤33を介して張り合わせる。このとき、回路板30aを貫通して表裏面を電気的に接続
する接続端子の下端部が、積層される回路板30bの配線パターンと接触するように回路板30aおよび回路板30bを配置する。図８では、回路板30aの接続端子の下端部が、この回路板30aに積層される回路板30bの接続端子の上端部に接着剤層を突き抜けて接合し、さらに回路板30bの接続端子の下端部が回路板30cの上端部に接合するように3枚の回路板を積層し
た態様が示されている。

本発明の配線板は、配線パターンが高抗張力銅箔を用いて形成されているために、デバイスホール内に形成されるフライングリードを長く形成することができ、電子部品をデバイスホールの中に収納して実装することができる。従って、積層される回路板自体を薄くすることができるとともに、フライングリードの強度が高いので、ボンディングされた電子部品のボンディングの安定性及びボンディング後の部品の保持安定性が高い。さらに、高抗張力銅箔で配線パターンを形成することで、デバイスホール内で、フライングリードを折り曲げて使用することもできるため、回路板の設計の自由度が高くなり、これを複数積層することにより、より高密度の多層配線板を得ることができる。

なお、上記の説明では、実装する電子部品として集積回路（IC）、薄膜コンデンサー、抵抗を例にして説明したが、そのほかにコイル、MEMS部品などを用いることもできる。
また、積層される回路板は、同一の電子部品が実装された回路板を積層した例を示して説明したが、積層される回路板が全く異なるものであってもよいし、同一の回路板であってもよいことは勿論である。

次に本発明の実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
〔実施例１〕
硫酸系銅電解液として、銅濃度が８０ｇ／リットル、フリー硫酸濃度が１４０ｇ／リットルに調整された基本溶液を用いて、塩素濃度が４５ppm、ビス（3-スルホプロピル）ジ
スルフィドを６０ppm、DDAC重合体が８０ppm、2-メルカプト-5-ベンゾイミダゾールスル
ホン酸を３５ppmの量になるように添加した。

高抗張力銅箔の製造は、陰極として表面を＃２０００の研磨紙を用いて研磨したチタン板電極を、陽極にはDSAを用いて、液温５０℃、電流密度５１．５A／dm²の条件で硫酸系
銅電解液を電解して、厚さ１５μmの電解銅箔を製造した。

特性の評価には、連続電解した3枚の電解銅箔を作成し、3枚目に得られた電解銅箔を用いた。
この電解銅箔の光沢面の表面粗さ（Rz_jis）は、０．８４μm、析出面の表面粗さ（Rz_jis）は０．８０μm、光沢度〔Gs（60°）〕は５３０であった。

そして、この電解銅箔（高抗張力銅箔）の常態における引張り強さは９７．１kgf/mm²
、１８０℃×６０分間加熱した後の引張り強さは９５．７kgf/mm²であり、引張り強さの
維持率は９８．６％であった。

また、この電解銅箔（高抗張力銅箔）の常態における伸び率は、５．６％であり、１８０℃×６０分間加熱した後の伸び率は４．５％であり、伸び率の維持率は８０．８％であった。

厚さ７５μmのポリイミドフィルムに、3か所のデバイスホールをパンチングにより形成した。こうしてデバイスホールを形成したポリイミドフィルムの表面にポリイミド系接着剤を塗布して上記のようにして得られた高抗張力銅箔を２３０℃の温度で、プレス圧０．０１kg/mm²の条件で圧着した。

こうして貼着した高抗張力銅箔の表面に感光性樹脂を乾燥厚さ２μmになるように塗布
し、露光現像した。形成したレジストパターンは、図８に示すパターンであり、スルーホール内に形成されたフライングリードの線幅が２０μmであり、ICを実装するために形成
したフライングリードの中で最も長いフライングリードの長さは３mmである。また、薄膜コンデンサーをボンディングするために、線幅３００μm、長さ７mmのフライングリード
を形成し、このフライングリードをデバイスホール内で折り曲げて、薄膜コンデンサーの裏面にある電極と接続可能にした。

また、この銅張積層板の裏面側から全面に裏レジストを乾燥厚さ３μmになるように塗
布した。なお、感光性樹脂からなるレジストパターンおよび裏レジストは、銅箔をエッチングした後、剥離液で除去した。

なお、上記のようにして形成した配線パターンの表面にはインナーリード、アウターリードが露出するようにソルダーレジストを塗布し加熱硬化させた。
さらに、こうしてソルダーレジスト層を形成した後、インナーリードおよびアウターリードに厚さ０．４μmの錫メッキ層を形成した。

上記のように形成した配線板に、図８に示すように、薄型抵抗、集積回路（IC）および薄膜コンデンサーを絶縁フィルムに形成されたデバイスホール内に収納されるようにボンディングし、このデバイスホール内にエポキシ系の封止樹脂２８を充填して、加熱硬化させ回路板を製造した。この配線板の配線パターンおよび絶縁フィルムが形成されている部分の厚さは、１０８μmである。

なお、上記のようにして製造した配線板の表面に厚さ１３０μm（配線板の厚さの１１
８％）の銅箔を載置して、図７に示すようなインプラント形成用装置の基台上に載置し、位置合わせを行って、直径１００μmのポンチにより銅箔を打ち抜き、この銅箔を打ち抜
くことにより形成された銅箔の打ち抜き片は配線板を打ち抜き、銅箔の打ち抜き片は配線板内に留置されている。

こうして貫通した銅箔の打ち抜き片の下端部は、配線板の裏面から２０μmだけ突出し
ている。
次に多層配線板を製造するために、上記と同様にして3枚の回路板を製造して、図８に
示すように、厚さ１５μmのポリイミド系接着剤を用いてこれらを加熱圧着した。このと
き接続端子となる銅箔の打ち抜き片が重なりあうように各回路パターンを配置して、各回路板の厚さ方向における電気的な接続を確立し、多層配線板を製造した。

こうして得られた多層配線板の厚さは、プレスにより突出した打ち抜き片と接着剤層が圧縮されるため０．３３mmであり、それぞれの回路板は正常に機能するとともに、縦方向
においても電気的な接続が確立されており、多層配線板は正常に駆動した。

上記と同様にして４枚の回路板を積層したが、得られた多層配線板は正常に駆動することが確認された。

上記のように本発明の配線板は、高抗張力銅箔を用いて配線パターンを形成しているので、デバイスホール内に長いフライングリードを形成することができる。このように長いフライングリードを用いることにより、電子部品をデバイスホール内に収納して実装した回路板を製造することができるので、この回路板を多層積層しても薄く形成することができる。しかも厚さ方向の電気的接続を、好適にはインプラント法を用いて確立することにより、厚さ方向に積層された回路板の電気的接続が非常に安定する。

図１は、本発明の配線板を製造する工程を模式的に示す断面図である。図２は、本発明の配線板を使用して製造することができる回路板を製造する工程を模式的に示す断面図である。図３は、本発明の配線板を使用して製造した回路板からなる部品内蔵多層配線板を製造する工程を模式的に示す断面図である。図４は、長いフライングリードを有するデバイスホール内に電子部品を実装した状態を示す図である。図５は、長いフライングリードを有するデバイスホール内に電子部品を実装した状態を示す断面図である。図６は、デバイスホール内でフライングリードを折り曲げて使用する態様を示す断面図である。図７は、配線板の厚さ方向に電気的接続を確立するインプラント法を模式的に示す図である。図８は、本発明の配線板を使用して製造した回路板からなる部品内蔵多層配線板を示す一部切欠きを有する分解斜視図である。

符号の説明

１０・・・絶縁フィルム
１２・・・デバイスホール
１３・・・高抗張力銅箔
１４・・・感光性樹脂からなるパターン
１５・・・配線パターン
１６・・・裏レジスト層
１７，１８．１９・・・フライングリード
２０・・・電子部品（IC）
２２・・・抵抗素子（電子部品）
２４・・・薄膜コンデンサー（電子部品）
２６・・・外部接続手段
２８・・・封止樹脂
３０・・・回路板
５０・・・ポンチ固定台
５１・・・ポンチ
５２・・・銅箔
５５・・・基台
５６・・・貫通孔
５８・・・ストッパー
６０・・・銅箔からなる打ち抜き片
６２・・・配線板からなる打ち抜き片

Claims

絶縁フィルムからなる一のキャリアに一または複数のデバイスホールが形成され、該絶縁フィルムの表面に配線が形成された配線板において、
該配線が、常態における引張り強さが７０kgf／mm²以上の高抗張力銅箔から形成され、該配線の端部がデバイスホール縁に片持ち状態で複数延設されてインナーリードを形成しており、該デバイスホール内に延設されたインナーリードの延設長さ（L）が、該インナ
ーリードの線幅（W）に対して、４０以上（L／W）であることを特徴とする配線板。
上記デバイスホール縁に片持ち状態で複数延設されたインナーリードの少なくとも一部が、該デバイスホール内で折り曲げて使用可能に形成されていることを特徴とする請求項第1項記載の配線板。
上記高抗張力銅箔を１８０℃で加熱した後の引張り強さが、常態における引張り強さの８５％以上であることを特徴とする請求項第1項記載の配線板。
上記高抗張力銅箔の析出面の幅方向に対して６０°の反射角度で測定した光沢度が８０以上であることを特徴とする請求項第1項記載の配線板。