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JP2008294009A - Method of microfabrication under controlled pressure, and microfabrication apparatus - Google Patents

Method of microfabrication under controlled pressure, and microfabrication apparatus Download PDF

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JP2008294009A
JP2008294009A JP2005256479A JP2005256479A JP2008294009A JP 2008294009 A JP2008294009 A JP 2008294009A JP 2005256479 A JP2005256479 A JP 2005256479A JP 2005256479 A JP2005256479 A JP 2005256479A JP 2008294009 A JP2008294009 A JP 2008294009A
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workpiece
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pressure
displacement
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Japanese (ja)
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Takahisa Kusuura
崇央 楠浦
Mitsuru Fujii
充 藤井
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Scivax Corp
Original Assignee
Scivax Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of microfabrication by which the adhesion of a die with a processing object (resin or the like) is inhibited, and shape loss of the pattern transferred to the processing object is prevented, and to provide a microfabrication apparatus. <P>SOLUTION: A method for microfabrication in which pressure is applied to a die 100 with a given pattern and a processing object 200 to transfer a pattern onto a surface to be shaped of the processing object 200, includes a heating step of heating the die 100 and the processing object 200 at respective given temperatures, and a pressure application step of pressing the die 100 and the processing object 200 at a pressure of 1 MPa or below after the heating step. Furthermore, there is provided the microfabrication apparatus 1 for realizing the microfabrication method. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、型と加工対象物との押圧力を制御して型のパターンを加工対象物に転写する微細加工方法および微細加工装置に関するものである。   The present invention relates to a micromachining method and a micromachining apparatus for controlling a pressing force between a mold and a workpiece and transferring a pattern of the mold onto the workpiece.

LSI(大規模集積回路)に代表される微細回路パターンを半導体基板(以下、単に基板と称する)上に形成するには、フォトリソグラフィーと呼ばれる技術が一般に用いられている。しかしながら、この方法では、形成するパターンの微細化にともない、装置の大型化やコストの増大を招いていた。   In order to form a fine circuit pattern typified by an LSI (Large Scale Integrated Circuit) on a semiconductor substrate (hereinafter simply referred to as a substrate), a technique called photolithography is generally used. However, this method has led to an increase in the size and cost of the apparatus as the pattern to be formed is miniaturized.

また、微細な成型物を得るために、加熱されて溶融した樹脂を、この樹脂のガラス転移温度以下に加熱された型に高速・高圧で流し込み、圧力をコントロールしながら凝固させて成型する射出成型も用いられている。しかしながら、この方法では、供給された樹脂が型に熱を奪われながら凝固するため、型の微細なパターンの中に樹脂が侵入し難く、微細な形状を形成することは困難であった。また、型を加熱し、微細なパターン内に樹脂が侵入するのを待った後、型を冷却し成型することも考えられる。しかしながら、射出成型では、型に樹脂を高圧で流し込む必要があるため、高圧に耐えられる大きな型が必要であり、型の熱容量が大きくなる結果、加熱・冷却に時間がかかるという問題があった。   In addition, in order to obtain a fine molding, injection molding is carried out by pouring a molten resin heated at a high speed and high pressure into a mold heated to a temperature lower than the glass transition temperature of the resin and solidifying it while controlling the pressure. Are also used. However, in this method, since the supplied resin is solidified while the mold is deprived of heat, it is difficult for the resin to enter the fine pattern of the mold, and it is difficult to form a fine shape. It is also conceivable to heat the mold and wait for the resin to enter the fine pattern, and then cool and mold the mold. However, in the injection molding, since it is necessary to pour the resin into the mold at a high pressure, a large mold that can withstand the high pressure is necessary, and as a result, the heat capacity of the mold increases, and there is a problem that it takes time for heating and cooling.

近年、上記問題を解決するものとして、超微細なパターンを基板上に形成するナノインプリンティングプロセス技術が注目されている。このプロセスは、簡単に説明すると以下の手順で行われる。   In recent years, nanoimprinting process technology for forming ultrafine patterns on a substrate has been attracting attention as a solution to the above problems. This process is briefly described as follows.

まず、形成したいパターンが表面に作りこまれた型を準備し、ガラス転移温度以下の温度に保持された樹脂に、加工対象物のガラス転移温度以上に加熱された型を押圧する。すると、樹脂表面が溶融、流動されて、型のパターンが樹脂に転写される。次に、型を冷却して樹脂を凝固させ、型を離型する。これにより、樹脂に所定のパターンが形成される(例えば、特許文献1参照)。   First, a mold in which a pattern to be formed is formed on the surface is prepared, and a mold heated to a temperature higher than the glass transition temperature of the object to be processed is pressed against a resin held at a temperature lower than the glass transition temperature. Then, the resin surface is melted and fluidized, and the pattern of the mold is transferred to the resin. Next, the mold is cooled to solidify the resin, and the mold is released. Thereby, a predetermined pattern is formed in resin (for example, refer patent document 1).

この方法では、高価な電子ビーム光源や光学系を必要とせず、加熱用ヒータとプレス装置を基本とした簡易な構造を用いることができる。   In this method, an expensive electron beam light source or optical system is not required, and a simple structure based on a heater and a press device can be used.

また、この方法では、樹脂が型に熱を奪われて凝固するという問題もなく、樹脂を型の微細なパターン内に進入させることができる。また、射出成型のような高圧に耐える大型の型は不要であるため、高速に昇降温が可能であり、スループットの問題は生じない。   Further, in this method, the resin can enter the fine pattern of the mold without the problem that the resin is deprived of heat and solidified. In addition, since a large mold that can withstand high pressure such as injection molding is not required, the temperature can be increased and decreased at high speed, and there is no problem of throughput.

実際、型に作り込まれた形状をそのまま精度良く転写することが可能となっており、すでにこの方法によって約20nmの線幅をもつ細線が形成されたという報告がある。   In fact, it is possible to accurately transfer the shape formed in the mold as it is, and there is a report that a thin line having a line width of about 20 nm has already been formed by this method.

更に、このようなナノインプリンティングプロセス技術を用いることで、回折格子、フォトニック結晶、導波路、等の光デバイスや、マイクロチャネル、リアクター等の流体デバイスのような、各種のマイクロチップ、マイクロデバイスの製作も可能な状況が実現しつつある。   Furthermore, by using such nanoimprinting process technology, various microchips and microdevices such as optical devices such as diffraction gratings, photonic crystals, and waveguides, and fluid devices such as microchannels and reactors are used. The situation where it is possible to produce is now being realized.

ここで従来は、高速で成型することを考慮していたため大圧力で成型しようという傾向があり、低圧で、特に1MPa以下で成型しようと試みた例は皆無であった(例えば、非特許文献1〜4参照)。   Here, conventionally, there was a tendency to mold at a high pressure because it was considered to mold at a high speed, and there was no example of trying to mold at a low pressure, particularly 1 MPa or less (for example, Non-Patent Document 1). To 4).

国際公開番号WO2004/093171(第12頁、第2図)International Publication Number WO2004 / 093171 (page 12, FIG. 2) J.Photopolym,sci,Techonol.,Vol.16,No4,2003,p.615-620J.Photopolym, sci, Techonol., Vol.16, No4,2003, p.615-620 J.Photopolym,sci,Techonol.,Vol.14,No3,2001,p.457-462J. Photopolym, sci, Techonol., Vol.14, No3,2001, p.457-462 Science,Vol.272,5.April.1996,p.85-87Science, Vol.272,5.April.1996, p.85-87 Appl.Phys.Lett.,Vol.67,No.21,20November1995,p.3114-3116Appl.Phys.Lett., Vol.67, No.21,20November1995, p.3114-3116

しかしながら、転写するパターンの大きさがマイクロ又はサブマイクロオーダになると、型と加工対象物とを大きな圧力で押圧すると、型と樹脂が強固にくっついて離型できなかったり、加工対象物に形成されたパターンが型崩れを起こしたりするという問題があった。この問題は、パターンの幅(加工対象物の平面方向の寸法)が小さくなる程、パターンの深さ(加工対象物の垂直方向の寸法)が大きくなる程、アスペクト比が大きくなる程顕著になる。   However, when the size of the pattern to be transferred is on the micro or sub-micro order, when the mold and the object to be processed are pressed with a large pressure, the mold and the resin are firmly adhered to each other and cannot be released or formed on the object to be processed. There was a problem that the pattern was out of shape. This problem becomes more prominent as the pattern width (dimension in the plane direction of the workpiece) becomes smaller, the depth of the pattern (dimension in the vertical direction of the workpiece) becomes larger, and the aspect ratio becomes larger. .

そこで本発明は、型と加工対象物(樹脂等)とがくっつき難く、パターンの型崩れの発生し難い微細加工方法および微細加工装置を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a micromachining method and a micromachining apparatus in which a mold and an object to be processed (resin or the like) are difficult to stick to each other, and pattern deformation is difficult to occur.

上記目的を達成するために、本発明の微細加工方法は、所定のパターンを有する型と加工対象物とを押圧して、前記パターンを前記加工対象物の被成型面に転写する微細加工方法において、前記型と前記加工対象物とを1MPa以下の圧力で押圧することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a micromachining method of the present invention is a micromachining method in which a mold having a predetermined pattern and a workpiece are pressed and the pattern is transferred to a molding surface of the workpiece. The mold and the workpiece are pressed at a pressure of 1 MPa or less.

また、本発明の更に好ましい微細加工方法は、所定のパターンを有する型と加工対象物とを押圧して、前記パターンを前記加工対象物の被成型面に転写する微細加工方法において、前記型と前記加工対象物をそれぞれ所定温度に加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後、前記型と前記加工対象物とを1MPa以下の圧力で押圧する押圧工程と、を有することを特徴とする。   Furthermore, a more preferable micromachining method of the present invention is a micromachining method in which a mold having a predetermined pattern and a workpiece are pressed and the pattern is transferred to a molding surface of the workpiece. A heating step of heating the workpieces to a predetermined temperature, respectively, and a pressing step of pressing the mold and the workpieces with a pressure of 1 MPa or less after the heating step.

この場合、前記加熱工程は、前記型を前記加工対象物より高い温度に加熱する方が良く、更に好ましくは、前記型を前記加工対象物のガラス転移温度以上に加熱すると共に、前記加工対象物をそのガラス転移温度以下に加熱する方が良い。   In this case, in the heating step, the mold is preferably heated to a temperature higher than that of the workpiece, and more preferably, the mold is heated to a temperature higher than the glass transition temperature of the workpiece, and the workpiece is processed. It is better to heat to below the glass transition temperature.

また、前記パターンのアスペクト比は0.2以上である方が好ましい。また、前記パターンの幅は2μm以下である方が好ましい。更に、前記パターンの深さは200nm以上である方が好ましい。   The aspect ratio of the pattern is preferably 0.2 or more. The width of the pattern is preferably 2 μm or less. Furthermore, the depth of the pattern is preferably 200 nm or more.

また、本発明の別の微細加工方法は、所定のパターンを有する型と加工対象物とを押圧して、前記パターンを前記加工対象物の被成型面に転写する微細加工方法において、前記型と前記加工対象物との間の圧力が1MPaを超えないように、前記加工対象物に対する前記型の変位速度を調節することを特徴とする。   Another micromachining method of the present invention is a micromachining method in which a mold having a predetermined pattern and a workpiece are pressed and the pattern is transferred to a molding surface of the workpiece. The displacement speed of the mold relative to the workpiece is adjusted so that the pressure between the workpiece and the workpiece does not exceed 1 MPa.

また、本発明の微細加工装置は、所定のパターンを有する型と加工対象物とを押圧して、前記型のパターンを前記加工対象物の被成型面に転写する微細加工装置において、前記加工対象物に対する前記型の相対的な位置および前記位置を変化させる変位速度を調節可能な変位手段と、前記加工対象物に対する前記型の相対的な位置を検出可能な位置検出手段と、前記型と前記加工対象物との間の圧力を検出する圧力検出手段と、前記位置検出手段および前記圧力検出手段の情報に基づいて前記変位手段を制御し、前記型と前記加工対象物との間の圧力が1MPaを超えないように、前記加工対象物に対する前記型の変位速度を調節する制御手段と、を具備することを特徴とする。   Further, the micromachining apparatus of the present invention is a micromachining apparatus that presses a mold having a predetermined pattern and a workpiece and transfers the pattern of the mold to a molding surface of the workpiece. A displacement means capable of adjusting a relative position of the mold with respect to an object and a displacement speed for changing the position; a position detection means capable of detecting a relative position of the mold with respect to the workpiece; the mold; Pressure detecting means for detecting a pressure between the workpiece and the displacement detecting means based on the information of the position detecting means and the pressure detecting means, and the pressure between the mold and the workpiece is Control means for adjusting the displacement speed of the mold relative to the workpiece so as not to exceed 1 MPa.

本発明によれば、型と加工対象物とを1MPa以下の圧力で押圧することにより、パターンの型崩れ等を防止して、型のパターンを正確に転写することができる。特に、パターンの幅が小さい場合又はパターンの深さが大きい場合、もしくはアスペクト比が大きい場合にも、パターンの型崩れ等を防止して、型のパターンを正確に転写することができる。   According to the present invention, by pressing a mold and an object to be processed with a pressure of 1 MPa or less, the pattern of the mold can be prevented from being deformed and the pattern of the mold can be accurately transferred. In particular, even when the pattern width is small, when the pattern depth is large, or when the aspect ratio is large, the pattern of the pattern can be prevented and the pattern of the mold can be accurately transferred.

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。   Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

本発明の微細加工装置1は、図1に示すように、所定のパターンを有する型100と加工対象物200とを押圧して、型のパターンを加工対象物200に転写する微細加工装置であって、型100を保持する型保持部2と、加工対象物200を保持する加工対象物保持部12と、加工対象物200に対する型100の相対的な位置およびその位置を変化させる変位速度を調節可能な変位手段5と、加工対象物200に対する型100の相対的な位置を検出する位置検出手段7と、型100と加工対象物200との間の圧力を検出する圧力検出手段8と、型100を加熱する型加熱手段3と、型100を冷却する型冷却手段4と、型100の温度を検出する型温度検出手段31と、加工対象物200を加熱する加工対象物加熱手段13と、加工対象物200を冷却する加工対象物冷却手段14と、加工対象物200の温度を検出する加工対象物温度検出手段131と、位置検出手段7、圧力検出手段8、型温度検出手段31および加工対象物温度検出手段131の検出情報に基づいて、変位手段5、型加熱手段3、型冷却手段4、加工対象物加熱手段13および加工対象物冷却手段14の作動を制御する制御手段300と、で主に構成される。   As shown in FIG. 1, the micromachining apparatus 1 of the present invention is a micromachining apparatus that presses a mold 100 having a predetermined pattern and a workpiece 200 to transfer the pattern of the mold to the workpiece 200. The mold holding unit 2 that holds the mold 100, the workpiece holding unit 12 that holds the workpiece 200, and the relative position of the mold 100 with respect to the workpiece 200 and the displacement speed that changes the position are adjusted. Possible displacement means 5, position detection means 7 for detecting the relative position of the mold 100 with respect to the workpiece 200, pressure detection means 8 for detecting the pressure between the mold 100 and the workpiece 200, and the mold Mold heating means 3 for heating 100, mold cooling means 4 for cooling the mold 100, mold temperature detection means 31 for detecting the temperature of the mold 100, workpiece heating means 13 for heating the workpiece 200, processing The object cooling means 14 for cooling the object 200, the object temperature detecting means 131 for detecting the temperature of the object 200, the position detecting means 7, the pressure detecting means 8, the mold temperature detecting means 31, and the object to be processed. Based on the detection information of the object temperature detection means 131, the control means 300 for controlling the operation of the displacement means 5, the mold heating means 3, the mold cooling means 4, the workpiece heating means 13, and the workpiece cooling means 14. Mainly composed.

型100の材料は「ニッケル等の金属」、「セラミックス」、「ガラス状カーボン等の炭素素材」、「シリコン」などが用いられる。また、型100は、加工対象物200に押圧して加工対象物200を加工し得るものであればどのようなものでもよいが、その一端面(パターン面100a)に、凹凸からなる所定のパターンが形成されている。このパターンは、そのパターン面100aに精密機械加工を施すことで形成することができる。また、型100の原盤となるシリコン基板等にエッチング等の半導体微細加工技術によって所定の凹凸を形成した後、このシリコン基板等の表面に電気鋳造(エレクトロフォーミング)法、例えばニッケルメッキ法によって金属メッキを施し、この金属メッキ層を剥離して、凹凸からなるパターンを形成することもできる。もちろん型100は、微細パターンが形成できるものであれば材質やその製造法が特に限定されるものではない。このパターンの幅(加工対象物200の平面方向の寸法)は、用いられる加工対象物200の種類にもよるが、100μm以下、10μm以下、2μm以下、1μm以下、100nm以下、10nm以下等種々の大きさに形成される。更に、このパターンの深さ(加工対象物200の垂直方向の寸法)は、10nm以上、100nm以上、200nm以上、500nm以上、1μm以上、10μm以上、100μm以上等種々の大きさに形成される。また、このパターンのアスペクト比としては、0.2以上、0.5以上、1以上、2以上等種々のものがある。なお、この型は、インプリントプロセス中に加熱・冷却されるため、できる限り薄型化し、その熱容量を小さくする方が好ましい。   As the material of the mold 100, “metal such as nickel”, “ceramics”, “carbon material such as glassy carbon”, “silicon” and the like are used. Further, the mold 100 may be anything as long as it can press the workpiece 200 and process the workpiece 200, but a predetermined pattern made of unevenness on one end surface (pattern surface 100a). Is formed. This pattern can be formed by subjecting the pattern surface 100a to precision machining. In addition, after forming predetermined irregularities on a silicon substrate or the like as a master disk of the mold 100 by a semiconductor micromachining technique such as etching, the surface of the silicon substrate or the like is subjected to metal plating by an electroforming (electroforming) method, for example, a nickel plating method. Then, the metal plating layer can be peeled off to form a pattern consisting of irregularities. Of course, as long as the mold 100 can form a fine pattern, the material and the manufacturing method thereof are not particularly limited. The width of this pattern (dimension in the planar direction of the workpiece 200) depends on the type of the workpiece 200 used, but is various, such as 100 μm or less, 10 μm or less, 2 μm or less, 1 μm or less, 100 nm or less, 10 nm or less. Formed in size. Further, the depth of the pattern (the vertical dimension of the workpiece 200) is formed in various sizes such as 10 nm or more, 100 nm or more, 200 nm or more, 500 nm or more, 1 μm or more, 10 μm or more, 100 μm or more. The aspect ratio of this pattern includes various patterns such as 0.2 or more, 0.5 or more, 1 or more, 2 or more. Since this mold is heated and cooled during the imprint process, it is preferable to make it as thin as possible and reduce its heat capacity.

加工対象物200としては、種々のものを用いることができ、例えばポリカーボネート、ポリイミド等の樹脂の他、アルミニウム等の金属、ガラス、石英ガラス、シリコン、ガリウム砒素、サファイア、酸化マグネシウム等の材料など、成形素材がそのまま基板形状をなしているものを用いることができる。また、シリコンやガラス等からなる基板本体の表面に、「樹脂」、「フォトレジスト」、「配線パターンを形成するためのアルミニウム、金、銀などの金属」等の被覆層が形成されたものを用いることもできる。更に、加工対象物200は、基板以外の形状、例えばフィルム等であっても勿論良い。   Various objects can be used as the workpiece 200, for example, a resin such as polycarbonate and polyimide, a metal such as aluminum, a material such as glass, quartz glass, silicon, gallium arsenide, sapphire, and magnesium oxide. A molding material having a substrate shape as it is can be used. Also, the surface of the substrate body made of silicon, glass, etc., with a coating layer such as “resin”, “photoresist”, “aluminum, gold, silver or other metal for forming a wiring pattern” formed It can also be used. Furthermore, the workpiece 200 may of course have a shape other than the substrate, such as a film.

型保持部2は、図1に示すように、型100を保持する型保持面2aに、ねじやクランプ金具等の締結具で型100を面接触するように固定可能に形成される。なお、型保持部2の構造は、型100を型保持面2a上に保持するものであればどのようなものでも良く、例えば、型保持面2aに静電吸着や真空吸着により吸着保持する構造とすることも可能である。   As shown in FIG. 1, the mold holding unit 2 is formed on a mold holding surface 2 a that holds the mold 100 so that the mold 100 can be fixed in surface contact with a fastener such as a screw or a clamp fitting. The structure of the mold holding unit 2 may be any structure as long as it holds the mold 100 on the mold holding surface 2a. For example, the structure that holds the mold 100 by electrostatic suction or vacuum suction on the mold holding surface 2a. It is also possible.

また、型保持部2には、型100を加熱するための型加熱手段3、例えば非常に応答性の良いカーボンヒータを備えている。カーボンヒータは、制御手段300によって図示しない電源からの電流供給を制御されており、型100を所定の一定温度に維持することができる。なお、ヒータとしては、例えば、伝熱ヒータやセラミックヒータ、ハロゲンヒータ、IHヒータ等を用いることも可能である。   Further, the mold holding unit 2 includes a mold heating means 3 for heating the mold 100, for example, a carbon heater having a very high response. The carbon heater is controlled to supply current from a power source (not shown) by the control means 300, and can maintain the mold 100 at a predetermined constant temperature. As the heater, for example, a heat transfer heater, a ceramic heater, a halogen heater, an IH heater, or the like can be used.

また、型保持部2には、型100を冷却する型冷却手段4が設けられている。型冷却手段4としては、例えばアルミニウムや銅等の熱伝導性の高い金属で形成された型保持部2の内部に水や油等の冷却液、空気や不活性ガス等の冷却気体を流すことで、型100を冷却することができる冷却流路を用いることができる。   The mold holding unit 2 is provided with mold cooling means 4 for cooling the mold 100. As the mold cooling means 4, for example, a coolant such as water or oil, or a cooling gas such as air or inert gas is allowed to flow inside the mold holder 2 formed of a metal having high thermal conductivity such as aluminum or copper. Thus, a cooling channel capable of cooling the mold 100 can be used.

また、型保持部2には、型100の温度を検出する型温度検出手段31、例えば熱伝対が設けられている。また、型温度検出手段31は、制御手段300に電気的に接続されており、検出した型100の温度に関する情報を制御手段300に伝達するように形成されている。   Further, the mold holding unit 2 is provided with a mold temperature detecting means 31 for detecting the temperature of the mold 100, for example, a thermocouple. The mold temperature detection means 31 is electrically connected to the control means 300 and is formed so as to transmit information regarding the detected temperature of the mold 100 to the control means 300.

加工対象物保持部12は、図1に示すように、加工対象物200を略水平状態に保持するものであり、上面に加工対象物保持面12aを有した保持ステージを備えている。   As illustrated in FIG. 1, the workpiece holding unit 12 holds the workpiece 200 in a substantially horizontal state, and includes a holding stage having a workpiece holding surface 12 a on the upper surface.

この保持ステージには、加工対象物保持面12aに多数のバキューム孔(図示せず)が形成されており、このバキューム孔に図示しない負圧源から負圧を作用させることで、加工対象物保持面12a上に、加工対象物200を吸着保持できる構成となっている。なお、加工対象物保持部12の構造は、加工対象物200を加工対象物保持面12aに保持するものであればどのようなものでも良く、例えば、クランプ金具等の締結具で加工対象物保持面12aに固定したり、静電吸着で吸着保持したりする構造とすることも勿論可能である。   In this holding stage, a large number of vacuum holes (not shown) are formed in the workpiece holding surface 12a, and a negative pressure is applied to the vacuum holes from a negative pressure source (not shown) to hold the workpiece. The workpiece 200 can be sucked and held on the surface 12a. The structure of the workpiece holding unit 12 may be anything as long as the workpiece 200 is held on the workpiece holding surface 12a. For example, the workpiece holding unit 12 may be held by a fastener such as a clamp fitting. Of course, it is also possible to adopt a structure that is fixed to the surface 12a or is held by suction by electrostatic attraction.

また、保持ステージの下部には保持した加工対象物200を加熱するための加工対象物加熱手段13、例えば非常に応答性の良いカーボンヒータを備えている。カーボンヒータは、制御手段300によって図示しない電源からの電流供給を制御されており、保持ステージ上の加工対象物200を所定の一定温度に維持することができる。なお、ヒータとしては、例えば、伝熱ヒータやセラミックヒータ、ハロゲンヒータ、IHヒータ等を用いることも可能である。   Further, a workpiece heating means 13 for heating the workpiece 200 to be held, for example, a carbon heater with very good responsiveness, is provided below the holding stage. The carbon heater is controlled by the control means 300 to supply current from a power source (not shown), and can maintain the workpiece 200 on the holding stage at a predetermined constant temperature. As the heater, for example, a heat transfer heater, a ceramic heater, a halogen heater, an IH heater, or the like can be used.

また、加工対象物保持部12には、加工対象物200を冷却する加工対象物冷却手段14を設けることも可能である。加工対象物冷却手段14としては、例えばアルミニウムや銅等の熱伝導性の高い金属で形成された加工対象物保持部12の内部に水や油等の冷却液、空気や不活性ガス等の冷却気体を流すことで、加工対象物200を冷却することができる冷却流路を用いることができる。   Further, the processing object holding unit 12 may be provided with a processing object cooling means 14 for cooling the processing object 200. As the processing object cooling means 14, for example, cooling of water, oil or the like cooling liquid, air, inert gas, or the like inside the processing object holding part 12 formed of a metal having high thermal conductivity such as aluminum or copper. The cooling flow path which can cool the workpiece 200 can be used by flowing gas.

また、加工対象物保持部12には、加工対象物200の温度を検出する加工対象物温度検出手段131、例えば熱伝対が設けられている。また、加工対象物温度検出手段131は、制御手段300に電気的に接続されており、検出した加工対象物200の温度に関する情報を制御手段300に伝達するように形成されている。   Further, the processing object holding unit 12 is provided with a processing object temperature detecting means 131 for detecting the temperature of the processing object 200, for example, a thermocouple. Further, the processing object temperature detecting means 131 is electrically connected to the control means 300 and is formed so as to transmit information regarding the detected temperature of the processing object 200 to the control means 300.

変位手段5は、図1に示すように、例えば、垂直方向に配置されたボールネジ51と、このボールネジ51を回転駆動させる電気モータ52とから構成されている。また、ボールネジ51の下端部と型保持部2の上面は、押圧部53、ベアリング機構54を介して連結されている。そして、ボールネジ51を電気モータ52で回転駆動することで、基台50と上部ベース55との間に設けられた複数例えば4本の支柱56に対し、押圧部53を型100と加工対象物200の接離方向(以下、Z方向と称する)に変位させることができる。なお、電気モータ52としては、直流モータ、交流モータ、ステッピングモータ、サーボモータ等、種々のものを用いることができる。ここで、変位手段5は、加工対象物200に対する型100の位置を、型100のパターンの深さ以下の変位量で調節できる方が好ましい。具体的には、変位量を100μm以下で調節することができるものが良く、好ましくは10μm以下、更に好ましくは1μm以下、更に好ましくは100nm以下、更に好ましくは10nm以下、更に好ましくは1nm以下で調節できるものが好ましい。   As shown in FIG. 1, the displacing means 5 includes, for example, a ball screw 51 arranged in the vertical direction and an electric motor 52 that rotationally drives the ball screw 51. Further, the lower end portion of the ball screw 51 and the upper surface of the mold holding portion 2 are connected via a pressing portion 53 and a bearing mechanism 54. Then, the ball screw 51 is rotationally driven by the electric motor 52, so that the pressing portion 53 is placed on the mold 100 and the workpiece 200 with respect to a plurality of, for example, four columns 56 provided between the base 50 and the upper base 55. Can be displaced in the direction of contact / separation (hereinafter referred to as the Z direction). As the electric motor 52, various types such as a direct current motor, an alternating current motor, a stepping motor, and a servo motor can be used. Here, it is preferable that the displacement means 5 can adjust the position of the mold 100 with respect to the workpiece 200 by a displacement amount equal to or less than the depth of the pattern of the mold 100. Specifically, it is preferable that the amount of displacement can be adjusted to 100 μm or less, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, more preferably 100 nm or less, more preferably 10 nm or less, more preferably 1 nm or less. What can be done is preferred.

また、変位手段5は、加工対象物200に対する型100の変位速度を調節できるものが好ましい。具体的には、100μm/秒以下で調節できるものが良く、好ましくは10μm/秒以下、更に好ましくは1μm/秒以下、更に好ましくは100nm/秒以下、更に好ましくは10nm/秒以下、更に好ましくは1nm/秒以下で調節できるものが良い。なぜなら、制御手段300は、圧力検出手段8が検出した情報に基づいて変位手段5の作動を制御し、型100と加工対象物200との間の圧力を調節しているが、圧力検出手段8が検出した情報を変位手段5にフィードバックするには、多少の時間が掛かる。したがって、変位速度が大き過ぎると圧力検出手段8が検出した情報を変位手段5にフィードバックするのが遅れ、型100と加工対象物200との間の実際の圧力を正確に制御することができなくなるからである。   Further, the displacement means 5 is preferably one that can adjust the displacement speed of the mold 100 relative to the workpiece 200. Specifically, it can be adjusted at 100 μm / second or less, preferably 10 μm / second or less, more preferably 1 μm / second or less, further preferably 100 nm / second or less, more preferably 10 nm / second or less, and still more preferably. Those that can be adjusted at 1 nm / second or less are preferable. This is because the control means 300 controls the operation of the displacement means 5 based on the information detected by the pressure detection means 8 and adjusts the pressure between the mold 100 and the workpiece 200, but the pressure detection means 8 It takes some time to feed back the detected information to the displacement means 5. Therefore, if the displacement speed is too high, the information detected by the pressure detection means 8 is delayed from being fed back to the displacement means 5, and the actual pressure between the mold 100 and the workpiece 200 cannot be accurately controlled. Because.

なお、ここでは、変位手段5を型保持部2側に設ける場合について説明したが、加工対象物保持部12側に設けることも勿論可能である。また、変位手段5としては、型100と加工対象物200との相対的な変位量や変位速度を調節できるものであれば、ボールねじと電気モータにより構成されるものに限られず、例えば、電圧を調節して大きさ(寸法)を変化させることができる圧電素子や磁界を調節して大きさ(寸法)を変化させることができる磁歪素子を用いることもできる。また、ボールねじおよび電気モータと圧電素子又は磁歪素子の両方を用いることも勿論可能である。この場合には、型100と加工対象物200を大きく変位させる際に、ボールねじおよび電気モータを適用し、型100と加工対象物200を微小量変位させる際に、圧電素子又は磁歪素子を用いることができる。更に、油圧式のものや空圧式のもの等を用いることも勿論可能である。   Here, the case where the displacement means 5 is provided on the mold holding unit 2 side has been described, but it is of course possible to provide the displacement means 5 on the workpiece holding unit 12 side. Further, the displacement means 5 is not limited to one constituted by a ball screw and an electric motor as long as the relative displacement amount and displacement speed between the mold 100 and the workpiece 200 can be adjusted. It is also possible to use a piezoelectric element that can change the size (dimension) by adjusting the size, or a magnetostrictive element that can change the size (dimension) by adjusting the magnetic field. It is of course possible to use both a ball screw and an electric motor and a piezoelectric element or a magnetostrictive element. In this case, a ball screw and an electric motor are applied when the mold 100 and the workpiece 200 are largely displaced, and a piezoelectric element or a magnetostrictive element is used when the mold 100 and the workpiece 200 are displaced by a small amount. be able to. Further, it is of course possible to use a hydraulic type or a pneumatic type.

変位手段5をこのように構成することによって、型100を保持する型保持部2を上下し、加工対象物保持部12に保持される加工対象物200に対し、型100のパターン面100aを精密に近接・押圧及び離間することができる。   By configuring the displacing means 5 in this way, the mold holding unit 2 that holds the mold 100 is moved up and down, and the pattern surface 100a of the mold 100 is precisely set against the workpiece 200 held by the workpiece holding unit 12. Can be approached, pressed, and separated.

位置検出手段7は、例えば、型保持部2に配置されたリニアスケールにより形成される。このリニアスケールを用いて、加工対象物200と型保持部2との距離を測定し、その値から加工対象物200に対する型100の相対的な位置や変位速度を計算して検出することができる。また、位置検出手段7は、制御手段300に電気的に接続されており、検出した型100の位置や変位速度に関する情報を伝達するように形成されている。なお、位置検出手段7としては、リニアスケールに限らず種々のものを用いることができ、例えば、型保持部2側に設けられたレーザー測長機を用いて、加工対象物200の位置を測定するか、加工対象物保持部12側に設けられたレーザー測長機を用いて、型100の位置を測定すればよい。また、電気モータに設けられたエンコーダを用いて、変位手段5の変位量から計算により測定するものでもよい。なお、位置検出手段7の分解能は、少なくとも型100のパターンの深さ方向(Z方向)の大きさ以下、あるいは、変位手段5が調節できる変位量以下の値で検出できるものが好ましい。具体的には、100μm以下で検出することができるものが良く、好ましくは10μm以下、更に好ましくは1μm以下、更に好ましくは100nm以下、更に好ましくは10nm以下、更に好ましくは1nm以下で検出することができるものが好ましい。   The position detecting means 7 is formed by, for example, a linear scale disposed on the mold holding unit 2. Using this linear scale, the distance between the workpiece 200 and the mold holder 2 can be measured, and the relative position and displacement speed of the mold 100 relative to the workpiece 200 can be calculated and detected from the measured value. . Further, the position detection means 7 is electrically connected to the control means 300 and is formed to transmit information on the detected position and displacement speed of the mold 100. The position detecting means 7 is not limited to a linear scale, and various types can be used. For example, the position of the workpiece 200 is measured using a laser length measuring device provided on the mold holding unit 2 side. Alternatively, the position of the mold 100 may be measured using a laser length measuring machine provided on the workpiece holding unit 12 side. Alternatively, an encoder provided in the electric motor may be used to measure the amount of displacement of the displacement means 5 by calculation. The resolution of the position detection means 7 is preferably one that can be detected with a value that is at least smaller than the size of the pattern of the mold 100 in the depth direction (Z direction) or less than the amount of displacement that the displacement means 5 can adjust. Specifically, it can be detected at 100 μm or less, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, further preferably 100 nm or less, more preferably 10 nm or less, more preferably 1 nm or less. What can be done is preferred.

位置検出手段7をこのように構成することによって、パターンの大きさや型100と加工対象物200との間の圧力に応じて、加工対象物200に対する型100のパターン面100aの位置を精密に調節することができるので、パターンの転写性および離型性を向上することができる。   By configuring the position detecting means 7 in this way, the position of the pattern surface 100a of the mold 100 with respect to the workpiece 200 is precisely adjusted according to the size of the pattern and the pressure between the mold 100 and the workpiece 200. Therefore, the pattern transfer property and mold release property can be improved.

圧力検出手段8は、型100と加工対象物200との間の圧力を検出するもので、例えば、型100と加工対象物200との間の荷重を測定するロードセルを用いることができる。これにより、荷重を測定し、型100のパターン面100aの面積で割れば型100と加工対象物200との間の圧力を検出することができる。また、圧力検出手段8は、制御手段300に電気的に接続されており、検出した圧力に関する情報を伝達するように形成されている。   The pressure detection unit 8 detects a pressure between the mold 100 and the workpiece 200, and for example, a load cell that measures a load between the mold 100 and the workpiece 200 can be used. Thus, if the load is measured and divided by the area of the pattern surface 100a of the mold 100, the pressure between the mold 100 and the workpiece 200 can be detected. Moreover, the pressure detection means 8 is electrically connected to the control means 300, and is configured to transmit information regarding the detected pressure.

制御手段300は、位置検出手段7、圧力検出手段8、型温度検出手段31および加工対象物温度検出手段131の検出情報に基づいて、変位手段5、押圧手段6、型加熱手段3、型冷却手段4、加工対象物加熱手段13および加工対象物冷却手段14の作動を制御するもので、例えばコンピュータを用いることができる。   Based on the detection information of the position detecting means 7, the pressure detecting means 8, the mold temperature detecting means 31, and the workpiece temperature detecting means 131, the control means 300 is based on the displacement means 5, the pressing means 6, the mold heating means 3, the mold cooling. For controlling the operation of the means 4, the workpiece heating means 13, and the workpiece cooling means 14, for example, a computer can be used.

特に、本発明では、制御手段300は、位置検出手段7および圧力検出手段8の情報に基づいて変位手段5を制御し、型100と加工対象物200との間の圧力が1MPaを超えないように、加工対象物200に対する型100の相対的な変位や変位速度を調節する。具体的には、変位速度を圧力検出手段8の情報を検出してから変位手段5を制御するまでの間に型100と加工対象物200との間の圧力が1MPaを超えない大きさに調節する。ここで、調節する変位速度は、加工対象物200の材料や温度等にもよるが、例えば、100μm/秒以下で調節するのが良く、好ましくは10μm/秒以下、更に好ましくは1μm/秒以下、更に好ましくは100nm/秒以下、更に好ましくは10nm/秒以下、更に好ましくは1nm/秒以下で調節するのが良い。これにより、型100と加工対象物200の間の実際の圧力を確実に予め設定した所定値以下に調節することができる。なお、圧力検出手段8の情報に基づいて型加熱手段3および加工対象物加熱手段13の少なくともいずれか一方を制御し、加工対象物200の被成型面の温度を変化させて、型100と加工対象物200との間の圧力を調節することも可能である。   In particular, in the present invention, the control means 300 controls the displacement means 5 based on the information of the position detection means 7 and the pressure detection means 8 so that the pressure between the mold 100 and the workpiece 200 does not exceed 1 MPa. In addition, the relative displacement and displacement speed of the mold 100 with respect to the workpiece 200 are adjusted. Specifically, the displacement speed is adjusted so that the pressure between the mold 100 and the workpiece 200 does not exceed 1 MPa between the time when the information of the pressure detection means 8 is detected and the time when the displacement means 5 is controlled. To do. Here, the displacement speed to be adjusted depends on the material and temperature of the workpiece 200, but is preferably adjusted to 100 μm / second or less, preferably 10 μm / second or less, more preferably 1 μm / second or less. More preferably, the adjustment should be made at 100 nm / second or less, more preferably 10 nm / second or less, more preferably 1 nm / second or less. Thereby, the actual pressure between the mold 100 and the workpiece 200 can be reliably adjusted to be equal to or less than a predetermined value set in advance. In addition, based on the information of the pressure detection means 8, at least one of the mold heating means 3 and the workpiece heating means 13 is controlled, and the temperature of the molding surface of the workpiece 200 is changed to change the mold 100 and the workpiece. It is also possible to adjust the pressure between the object 200.

次に、本発明の微細加工方法について説明する。本発明の微細加工方法は、所定のパターンを有する型100と加工対象物200とを押圧して、パターンを加工対象物200の被成型面に転写する微細加工方法において、型と加工対象物200とを1MPa以下の圧力で押圧することを特徴とするものである。   Next, the fine processing method of the present invention will be described. The micromachining method of the present invention is a micromachining method in which a mold 100 having a predetermined pattern and a workpiece 200 are pressed to transfer a pattern onto a molding surface of the workpiece 200. Are pressed at a pressure of 1 MPa or less.

まず、型100と加工対象物200は、成型するための所定の温度に加熱される。この場合、型100は加工対象物200より高い温度に加熱される方が好ましく、更に好ましくは、型100を加工対象物200のガラス転移温度(または軟化温度)より高い温度に加熱し、加工対象物200はそのガラス転移温度(または軟化温度)より低い温度に加熱する方が好ましい。これにより、型100と加工対象物200とを押圧した際に、型100から加工対象物200に熱が伝達し、加工対象物200の表面近傍のみを軟化させることができるので、成型時に加工対象物200が潰れる等の問題を回避することができる。   First, the mold 100 and the workpiece 200 are heated to a predetermined temperature for molding. In this case, the mold 100 is preferably heated to a temperature higher than that of the workpiece 200, and more preferably, the mold 100 is heated to a temperature higher than the glass transition temperature (or softening temperature) of the workpiece 200 to be processed. The article 200 is preferably heated to a temperature below its glass transition temperature (or softening temperature). Thereby, when the mold 100 and the workpiece 200 are pressed, heat is transferred from the mold 100 to the workpiece 200, and only the vicinity of the surface of the workpiece 200 can be softened. Problems such as the object 200 being crushed can be avoided.

型100と加工対象物200とを所定温度に加熱した後、型100と加工対象物200とを予め設定した圧力以下で押圧する。この際、型100と加工対象物200との間の圧力は、型100のパターンを加工対象物200に転写できる大きさの範囲で、できる限り小さい圧力を用いる方が良い。具体的には、1MPa以下、更に好ましくは、0.5MPa以下、更に好ましくは0.25MPa以下にするのが良い。これにより、従来よりも比較的小さい圧力で押圧するため、型100と加工対象物200との間の密着力を増加させることがなく、型100崩れ等を防止して離型を容易にすることができる。また、型100にかかる負荷を小さくすることができるため、結果として型100が疲労破壊を起こすのを防止し、型100の寿命を延ばすことができる。この場合、加工対象物200に対する型100の変位速度は、型100と加工対象物200との間の圧力が予め設定した圧力、例えば1MPaを常に超えないように調節できる速度にする方が良い。なお、更に好ましくは、加工対象物200に対する型100の変位量を制御して押圧する方が好ましい。   After heating the mold 100 and the workpiece 200 to a predetermined temperature, the mold 100 and the workpiece 200 are pressed below a preset pressure. At this time, it is preferable that the pressure between the mold 100 and the workpiece 200 is as small as possible within a range in which the pattern of the mold 100 can be transferred to the workpiece 200. Specifically, it may be 1 MPa or less, more preferably 0.5 MPa or less, and still more preferably 0.25 MPa or less. Thereby, since it presses with a pressure comparatively smaller than before, it does not increase the adhesive force between the mold 100 and the workpiece 200, and prevents the mold 100 from collapsing and facilitating mold release. Can do. In addition, since the load applied to the mold 100 can be reduced, it is possible to prevent the mold 100 from causing fatigue failure as a result, and to extend the life of the mold 100. In this case, the displacement speed of the mold 100 relative to the workpiece 200 is preferably set to a speed that can be adjusted so that the pressure between the mold 100 and the workpiece 200 does not always exceed a preset pressure, for example, 1 MPa. More preferably, it is preferable to control and press the displacement amount of the mold 100 with respect to the workpiece 200.

次に、型100と加工対象物200とを接触させたまま、型100と加工対象物200を冷却し、加工対象物200の温度をガラス転移温度(または軟化温度)以下にする。この際、型100と加工対象物200との間の圧力を保持したままで冷却しても良いし、ゼロ近傍まで減圧した後に冷却しても良い。   Next, the mold 100 and the workpiece 200 are cooled while keeping the mold 100 and the workpiece 200 in contact with each other, and the temperature of the workpiece 200 is set to a glass transition temperature (or softening temperature) or lower. At this time, cooling may be performed while maintaining the pressure between the mold 100 and the workpiece 200, or cooling may be performed after reducing the pressure to near zero.

最後に、型100と加工対象物200とを離型して、微細加工方法のプロセスを終了する。   Finally, the mold 100 and the workpiece 200 are released, and the process of the fine processing method is finished.

このように型100と加工対象物200とを1MPa以下の圧力で押圧することにより、型100と加工対象物200との間の密着力を低減することができるので、インプリント性(パターンの転写性、離型性等)を向上することができる。特に、型100のパターンの幅(加工対象物200の平面方向の寸法)が100μm以下、10μm以下、2μm以下、1μm以下、100nm以下、10nm以下と小さくなる程、パターンの深さ(加工対象物200の垂直方向の寸法)が、10nm以上、100nm以上、200nm以上、500nm以上、1μm以上、10μm以上、100μm以上と大きくなる程、パターンのアスペクト比が0.2以上、0.5以上、1以上、2以上と大きくなる程、インプリント性を向上することができる。   By pressing the mold 100 and the workpiece 200 at a pressure of 1 MPa or less in this way, the adhesion between the mold 100 and the workpiece 200 can be reduced, so imprintability (pattern transfer) Property, releasability, etc.) can be improved. In particular, as the pattern width (dimension in the planar direction of the workpiece 200) of the mold 100 becomes 100 μm or less, 10 μm or less, 2 μm or less, 1 μm or less, 100 nm or less, or 10 nm or less, the pattern depth (working object) As the vertical dimension of 200) increases to 10 nm or more, 100 nm or more, 200 nm or more, 500 nm or more, 1 μm or more, 10 μm or more, 100 μm or more, the pattern aspect ratio becomes 0.2 or more, 0.5 or more, 1 As described above, the imprintability can be improved as the value increases to 2 or more.

以下に実施例により本発明を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

なお、供試材としては、ガラス転移温度が135℃のエチレン/ノルボルネン共重合体からなる厚さ2mmの透明な射出成形体を用いた。   As a test material, a transparent injection molded product having a thickness of 2 mm made of an ethylene / norbornene copolymer having a glass transition temperature of 135 ° C. was used.

なお、インプリントの評価は、SCIVAX社のインプリント装置(VX-2000N-US)を使用し、30mm×30mmの金型を用いて、それぞれ実施例に記載の条件で実施した。表1に、成型圧とインプリント性(パターンの転写性、離型性等)との関係についてまとめる。ここで、インプリント性は得られた微細な凹凸パターンを電子顕微鏡で観察し、金型と同様なパターンが良好に転写されているものを○、パターン不良(充填不足、伸び、欠損)が認められたものを×として評価した。   The imprint was evaluated using an imprint apparatus (VX-2000N-US) manufactured by SCIVAX and using a 30 mm × 30 mm mold under the conditions described in the examples. Table 1 summarizes the relationship between molding pressure and imprintability (pattern transfer property, mold release property, etc.). Here, the imprintability was observed with an electron microscope for the obtained fine uneven pattern, and the pattern similar to that of the mold was transferred well. ○, pattern defect (underfill, elongation, defect) was recognized. What was obtained was evaluated as x.

実施例1(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ライン/スペース(L/S)=1μm/1μm、深さ1μm、アスペクト比1)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが450N(圧力0.5MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 1 (imprint evaluation on injection-molded body)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: line / space (L / S ) = 1μm / 1μm, depth 1μm, aspect ratio 1) was pressed against the surface of the resin plate at a speed of 1μm / sec. When the load sensor attached to the top of the mold reached 450N (pressure 0.5MPa), the load Held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例2(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ライン/スペース(L/S)=1μm/1μm、深さ1μm、アスペクト比1)を1000μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが450N(圧力0.5MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 2 (imprint evaluation on injection-molded body)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: line / space (L / S ) = 1μm / 1μm, depth 1μm, aspect ratio 1) was pressed against the surface of the resin plate at a speed of 1000μm / sec. When the load sensor attached to the top of the mold reached 450N (pressure 0.5MPa), the load Held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例3(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ホール直径1μm/深さ1μm、アスペクト比1)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが450N(圧力0.5MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 3 (imprint evaluation on injection-molded body)
Specimen 1 fixed on a plate heated to glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to mold setting temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: hole diameter 1μm / depth 1μm) The aspect ratio 1) was pressed against the surface of the resin flat plate at a speed of 1 μm / second, and when the load sensor attached to the upper part of the mold reached 450 N (pressure 0.5 MPa), the load was held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例4(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ピラー直径0.5μm/深さ1μm、アスペクト比0.5)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが450N(圧力0.5MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 4 (imprint evaluation on injection-molded body)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: pillar diameter 0.5 µm / depth) 1 μm, aspect ratio 0.5) was pressed against the surface of the resin flat plate at a speed of 1 μm / second, and when the load sensor attached to the upper part of the mold reached 450 N (pressure 0.5 MPa), the load was held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例5(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ライン/スペース(L/S)=1μm/1μm、深さ1μm、アスペクト比1)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが675N(圧力0.75MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 5 (imprint evaluation on injection-molded body)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: line / space (L / S ) = 1μm / 1μm, depth 1μm, aspect ratio 1) is pressed against the surface of the resin plate at a speed of 1μm / sec. When the load sensor attached to the top of the mold reaches 675N (pressure 0.75MPa), the load Held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例6(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ライン/スペース(L/S)=1μm/1μm、深さ1μm、アスペクト比1)を1000μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが675N(圧力0.75MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 6 (imprint evaluation on injection-molded body)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: line / space (L / S ) = 1μm / 1μm, depth 1μm, aspect ratio 1) is pressed against the surface of the resin plate at a speed of 1000μm / sec. When the load sensor attached to the top of the mold reaches 675N (pressure 0.75MPa), the load Held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例7(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ホール直径1μm/深さ1μm、アスペクト比1)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが675N(圧力0.75MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 7 (imprint evaluation on injection-molded body)
Specimen 1 fixed on a plate heated to glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to mold setting temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: hole diameter 1μm / depth 1μm) The aspect ratio 1) was pressed against the surface of the resin flat plate at a speed of 1 μm / second, and when the load sensor attached to the upper part of the mold reached 675 N (pressure 0.75 MPa), the load was held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例8(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ピラー直径0.5μm/深さ1μm、アスペクト比0.5)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが675N(圧力0.75MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 8 (imprint evaluation on injection-molded body)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: pillar diameter 0.5 µm / depth) 1 μm, aspect ratio 0.5) was pressed against the surface of the resin flat plate at a speed of 1 μm / second, and when the load sensor attached to the upper part of the mold reached 675 N (pressure 0.75 MPa), the load was held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例9(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ライン/スペース(L/S)=1μm/1μm、深さ1μm、アスペクト比1)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが900N(圧力1MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 9 (imprint evaluation on injection-molded body)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: line / space (L / S ) = 1μm / 1μm, depth 1μm, aspect ratio 1) was pressed against the surface of the resin plate at a speed of 1μm / sec. When the load sensor attached to the top of the mold reached 900N (pressure 1MPa), Hold for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例10(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ライン/スペース(L/S)=1μm/1μm、深さ1μm、アスペクト比1)を1000μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが900N(圧力1MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 10 (imprint evaluation on an injection molded product)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: line / space (L / S ) = 1μm / 1μm, depth 1μm, aspect ratio 1) is pressed against the surface of the resin flat plate at a speed of 1000μm / sec. Hold for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例11(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ホール直径1μm/深さ1μm、アスペクト比1)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが900N(圧力1MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 11 (imprint evaluation on an injection molded product)
Specimen 1 fixed on a plate heated to glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to mold setting temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: hole diameter 1μm / depth 1μm) The aspect ratio 1) was pressed against the surface of the resin plate at a speed of 1 μm / second, and when the load sensor attached to the upper part of the mold reached 900 N (pressure 1 MPa), the load was held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

実施例12(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ピラー直径0.5μm/深さ1μm、アスペクト比0.5)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが900N(圧力1MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところ良好なパターンが転写されていた。観察結果を表1にまとめる。
Example 12 (imprint evaluation on an injection molded product)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: pillar diameter 0.5 µm / depth) 1 μm, aspect ratio 0.5) was pressed against the surface of the resin flat plate at a speed of 1 μm / second. When the load sensor attached to the upper part of the mold reached 900 N (pressure 1 MPa), the load was held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, a good pattern was transferred. The observation results are summarized in Table 1.

比較例1(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ライン/スペース(L/S)=1μm/1μm、深さ1μm、アスペクト比1)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが9000N(圧力10MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところバリ等が目立ち、不良パターンとなっていた。観察結果を表1にまとめる。
Comparative Example 1 (imprint evaluation on injection molded product)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: line / space (L / S ) = 1μm / 1μm, depth 1μm, aspect ratio 1) is pressed against the surface of the resin plate at a speed of 1μm / sec. When the load sensor attached to the top of the mold reaches 9000N (pressure 10MPa), Hold for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, burrs and the like were conspicuous and had a defective pattern. The observation results are summarized in Table 1.

比較例2(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ライン/スペース(L/S)=1μm/1μm、深さ1μm、アスペクト比1)を1000μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが9000N(圧力10MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところバリ等が目立ち、不良パターンとなっていた。観察結果を表1にまとめる。
Comparative Example 2 (imprint evaluation on injection molded product)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: line / space (L / S ) = 1μm / 1μm, depth 1μm, aspect ratio 1) is pressed against the surface of the resin plate at a speed of 1000μm / sec. When the load sensor attached to the top of the mold reaches 9000N (pressure 10MPa), Hold for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, burrs and the like were conspicuous and had a defective pattern. The observation results are summarized in Table 1.

比較例3(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ホール直径1μm/深さ1μm、アスペクト比1)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが9000N(圧力10MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところバリ等が目立ち、不良パターンとなっていた。観察結果を表1にまとめる。
Comparative Example 3 (imprint evaluation on injection molded product)
Specimen 1 fixed on a plate heated to glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to mold setting temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: hole diameter 1μm / depth 1μm) The aspect ratio 1) was pressed against the surface of the resin flat plate at a speed of 1 μm / second. When the load sensor attached to the upper part of the mold reached 9000 N (pressure 10 MPa), the load was held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, burrs and the like were conspicuous and had a defective pattern. The observation results are summarized in Table 1.

比較例4(射出成形体へのインプリント評価)
供試材1をガラス転移温度Tg−15℃(120℃)に加熱したプレート上に固定し、予め成型設定温度Tg+35℃(170℃)に加熱した金型(パターン:ピラー直径0.5μm/深さ1μm、アスペクト比0.5)を1μm/秒の速度で該樹脂平板表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサーが9000N(圧力10MPa)に達したところで、その荷重で20秒間保持した。その後、金型の変位を保持しながら、Tg−15℃(120℃)まで冷却し、冷却完了後、金型を1μm/秒の速度で平板から離型した。電子顕微鏡で観察したところバリ等が目立ち、不良パターンとなっていた。観察結果を表1にまとめる。
Comparative Example 4 (imprint evaluation on injection molded product)
Specimen 1 was fixed on a plate heated to a glass transition temperature Tg-15 ° C (120 ° C) and pre-heated to a preset molding temperature Tg + 35 ° C (170 ° C) (pattern: pillar diameter 0.5 µm / depth) 1 μm, aspect ratio 0.5) was pressed against the surface of the resin flat plate at a speed of 1 μm / second, and when the load sensor attached to the upper part of the mold reached 9000 N (pressure 10 MPa), the load was held for 20 seconds. Thereafter, while maintaining the displacement of the mold, the mold was cooled to Tg-15 ° C. (120 ° C.). After completion of the cooling, the mold was released from the flat plate at a speed of 1 μm / second. When observed with an electron microscope, burrs and the like were conspicuous and had a defective pattern. The observation results are summarized in Table 1.

Figure 2008294009
Figure 2008294009

L/S(ライン/スペース):1μm/1μm、パターン深さ、アスペクト比1
ホール:直径1μm/深さ1μm、アスペクト比1
ピラー:ピラー直径0.5μm/深さ1μm、アスペクト比0.5
成型時の供試材の温度:Tg−15℃
離型温度:Tg−15℃
L / S (line / space): 1 μm / 1 μm, pattern depth, aspect ratio 1
Hall: Diameter 1μm / Depth 1μm, Aspect ratio 1
Pillar: Pillar diameter 0.5μm / depth 1μm, aspect ratio 0.5
Temperature of sample material during molding: Tg-15 ° C
Mold release temperature: Tg-15 ℃

本実施例から、インプリントプロセスにおいては、型と加工対象物とを1MPa以下で押圧する方が、インプリント性(パターンの転写性、離型性等)に優れることが明らかとなった。   From this example, it was revealed that in the imprint process, pressing the mold and the object to be processed at 1 MPa or less is superior in imprintability (pattern transfer property, release property, etc.).

本発明の微細加工装置を示す概略正面図である。It is a schematic front view which shows the microfabrication apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 微細加工装置
3 型加熱手段
4 型冷却手段
5 変位手段
7 位置検出手段
8 圧力検出手段
13 加工対象物加熱手段
14 加工対象物冷却手段
31 型温度検出手段
100 型
131 加工対象物温度検出手段
200 加工対象物
300 制御手段

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Fine processing apparatus 3 Type | mold heating means 4 Type | mold cooling means 5 Displacement means 7 Position detection means 8 Pressure detection means 13 Processing object heating means 14 Processing object cooling means 31 Type | mold temperature detection means 100 Type | mold 131 Processing object temperature detection means 200 Processing object 300 Control means

Claims (9)

所定のパターンを有する型と加工対象物とを押圧して、前記パターンを前記加工対象物の被成型面に転写する微細加工方法において、
前記型と前記加工対象物とを1MPa以下の圧力で押圧することを特徴とする微細加工方法。
In a fine processing method of pressing a mold having a predetermined pattern and a workpiece, and transferring the pattern to a molding target surface of the workpiece,
A fine processing method, wherein the mold and the object to be processed are pressed with a pressure of 1 MPa or less.
所定のパターンを有する型と加工対象物とを押圧して、前記パターンを前記加工対象物の被成型面に転写する微細加工方法において、
前記型と前記加工対象物をそれぞれ所定温度に加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後、前記型と前記加工対象物とを1MPa以下の圧力で押圧する押圧工程と、
を有することを特徴とする微細加工方法。
In a fine processing method of pressing a mold having a predetermined pattern and a workpiece, and transferring the pattern to a molding target surface of the workpiece,
A heating step of heating the mold and the workpiece to respective predetermined temperatures;
After the heating step, a pressing step of pressing the mold and the workpiece with a pressure of 1 MPa or less,
A fine processing method characterized by comprising:
前記加熱工程は、前記型を前記加工対象物より高い温度に加熱することを特徴とする請求項2記載の微細加工方法。 The micromachining method according to claim 2, wherein the heating step heats the mold to a temperature higher than that of the workpiece. 前記加熱工程は、前記型を前記加工対象物のガラス転移温度以上に加熱すると共に、前記加工対象物をそのガラス転移温度以下に加熱することを特徴とする請求項2記載の微細加工方法。 3. The micromachining method according to claim 2, wherein the heating step heats the mold to a temperature higher than the glass transition temperature of the workpiece, and heats the workpiece to a temperature lower than the glass transition temperature. 前記パターンのアスペクト比が0.2以上であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の微細加工方法。 5. The microfabrication method according to claim 1, wherein an aspect ratio of the pattern is 0.2 or more. 前記パターンの幅が2μm以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の微細加工方法。 5. The microfabrication method according to claim 1, wherein a width of the pattern is 2 [mu] m or less. 前記パターンの深さが200nm以上であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の微細加工方法。 5. The microfabrication method according to claim 1, wherein the pattern has a depth of 200 nm or more. 所定のパターンを有する型と加工対象物とを押圧して、前記パターンを前記加工対象物の被成型面に転写する微細加工方法において、
前記型と前記加工対象物との間の圧力が1MPaを超えないように、前記加工対象物に対する前記型の変位速度を調節することを特徴とする微細加工方法。
In a fine processing method of pressing a mold having a predetermined pattern and a workpiece, and transferring the pattern to a molding target surface of the workpiece,
A fine processing method, wherein a displacement speed of the mold relative to the processing object is adjusted so that a pressure between the mold and the processing object does not exceed 1 MPa.
所定のパターンを有する型と加工対象物とを押圧して、前記型のパターンを前記加工対象物の被成型面に転写する微細加工装置において、
前記加工対象物に対する前記型の相対的な位置および前記位置を変化させる変位速度を調節可能な変位手段と、
前記加工対象物に対する前記型の相対的な位置を検出可能な位置検出手段と、
前記型と前記加工対象物との間の圧力を検出する圧力検出手段と、
前記位置検出手段および前記圧力検出手段の情報に基づいて前記変位手段を制御し、前記型と前記加工対象物との間の圧力が1MPaを超えないように、前記加工対象物に対する前記型の変位速度を調節する制御手段と、
を具備することを特徴とする微細加工装置。


In a microfabrication apparatus that presses a mold having a predetermined pattern and a workpiece and transfers the pattern of the mold to a molding surface of the workpiece,
A displacement means capable of adjusting a relative position of the mold with respect to the workpiece and a displacement speed for changing the position;
Position detecting means capable of detecting a relative position of the mold with respect to the workpiece;
Pressure detecting means for detecting pressure between the mold and the workpiece;
The displacement means is controlled based on the information of the position detection means and the pressure detection means, and the displacement of the mold with respect to the workpiece so that the pressure between the mold and the workpiece does not exceed 1 MPa. Control means for adjusting the speed;
A microfabrication apparatus comprising:


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