JP2008293129A - Touch panel - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、タッチパネルに関し、さらに詳しくは、抵抗膜方式のタッチパネルに関するものである。 The present invention relates to a touch panel, and more particularly to a resistive film type touch panel.
タッチパネルは、ＬＣＤやＰＤＰなどのディスプレイの前面に取り付けて使用される入力装置である。タッチパネルの方式としては、従来、抵抗膜方式が広く知られている。 The touch panel is an input device used by being attached to the front surface of a display such as an LCD or a PDP. Conventionally, a resistive film method is widely known as a touch panel method.
抵抗膜方式のタッチパネルは、透明導電膜が形成された上部電極基板と下部電極とを、透明導電膜同士が対向するようにスペーサを介して対向配置させた構造を有している。指やペンなどにより上部電極基板にタッチすると、透明導電膜同士が接触して導通する。そのため、その入力ポイントの座標を検出することにより、スイッチとして動作させることができる。 A resistive film type touch panel has a structure in which an upper electrode substrate on which a transparent conductive film is formed and a lower electrode are arranged to face each other through a spacer so that the transparent conductive films face each other. When the upper electrode substrate is touched with a finger or a pen, the transparent conductive films are brought into contact with each other to be conducted. Therefore, it can be operated as a switch by detecting the coordinates of the input point.
抵抗膜方式のタッチパネルは、４線式と５線式とに大別することができる。前者の４線式は、上下の電極基板にＸ軸とＹ軸の電極が分けて設けられている。そのため、タッチしたポイントの一方の座標の検出は、上部電極基板により行われ、他方の座標の検出は、下部電極基板により行われる。 Resistive touch panels can be roughly classified into 4-wire type and 5-wire type. In the former four-wire system, X-axis and Y-axis electrodes are separately provided on upper and lower electrode substrates. Therefore, detection of one coordinate of the touched point is performed by the upper electrode substrate, and detection of the other coordinate is performed by the lower electrode substrate.
これに対し、後者の５線式は、Ｘ軸とＹ軸の電極が、下部電極基板に設けられている。そのため、上部電極基板は、単に電圧を感知するプローブとして機能するだけで、タッチしたポイントのＸ−Ｙ座標の検出は、下部電極基板により行われる。さらに、それぞれの方式に類似の方式や発展形なども提案されている。 On the other hand, in the latter 5-wire system, the X-axis and Y-axis electrodes are provided on the lower electrode substrate. Therefore, the upper electrode substrate simply functions as a probe for sensing voltage, and the XY coordinates of the touched point are detected by the lower electrode substrate. Furthermore, methods similar to the respective methods and advanced forms have been proposed.
４線式のタッチパネルは、上部電極基板に傷や亀裂が生じると使用することができないが、５線式のタッチパネルは、上部電極基板が座標検出に関わらないため、傷や亀裂の影響がほとんどない。そのため、５線式のタッチパネルは、４線式に比較して、優れた耐久性を発現することができるという長所を有している。 The 4-wire touch panel cannot be used if the upper electrode substrate is scratched or cracked, but the 5-wire touch panel is hardly affected by scratches or cracks because the upper electrode substrate is not involved in coordinate detection. . Therefore, the 5-wire type touch panel has an advantage that it can exhibit excellent durability as compared with the 4-wire type.
従来、抵抗膜方式のタッチパネルでは、上部電極基板、下部電極基板として、所定の電気抵抗を有するＩＴＯ膜を形成したフィルムやガラスが広く使用されてきた（例えば、特許文献１などを参照）。 Conventionally, in a resistive film type touch panel, a film or glass on which an ITO film having a predetermined electric resistance is formed has been widely used as an upper electrode substrate and a lower electrode substrate (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、従来のタッチパネルは、以下の点で問題があった。 However, the conventional touch panel has the following problems.
すなわち、タッチパネルは、ディスプレイの前面に取り付けて使用されることから、高い視認性が要求される。とりわけ、カーナビやカーオーディオなど、車内でタッチパネルを使用する場合には、直射日光が差し込むことから視認性が低下しやすく、視認性の向上が望まれている。 That is, since the touch panel is used by being attached to the front surface of the display, high visibility is required. In particular, when a touch panel is used in a car such as a car navigation system or a car audio system, direct sunlight is inserted, so that visibility is easily lowered, and improvement in visibility is desired.
タッチパネルの視認性を向上させるには、光透過率が高く、反射率が低いことが望ましい。ところが、従来のタッチパネルの多くは、透明基板の表面にＩＴＯ膜を一層形成した上部電極フィルムを用いていた。 In order to improve the visibility of the touch panel, it is desirable that the light transmittance is high and the reflectance is low. However, many conventional touch panels use an upper electrode film in which an ITO film is formed on the surface of a transparent substrate.
この上部電極基板は、比較的、光透過率が低く、反射率が高い。そのため、タッチパネルの視認性をこれ以上向上させることができないといった問題があった。 This upper electrode substrate has a relatively low light transmittance and a high reflectance. Therefore, there has been a problem that the visibility of the touch panel cannot be further improved.
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、本発明が解決しようとする課題は、従来に比較して、視認性の向上を図ることが可能なタッチパネルを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and a problem to be solved by the present invention is to provide a touch panel capable of improving the visibility as compared with the related art.
上記課題を解決するため、種々の実験を重ね、鋭意検討した結果、本発明者らは以下の知見を得るに至った。 As a result of repeating various experiments and intensive studies to solve the above problems, the present inventors have obtained the following knowledge.
５線式抵抗膜方式のタッチパネルのように、上部電極基板が、電圧を感知するプローブとして機能し、下部電極基板が、タッチ位置の座標検出を行う方式のタッチパネルであれば、上部電極基板は、基本的に導通性を有しておれば良く、表面抵抗による制約が小さくなる。そのため、上部電極基板の構造、材料選択の自由度が高くなる。それ故、光透過率および反射率の改善を主に図った特定の上部電極基板を用いれば、高視認性のタッチパネルが得られるのではないかと考えるに至った。 If the upper electrode substrate functions as a probe that senses voltage and the lower electrode substrate is a touch panel that detects coordinates of the touch position, like the 5-wire resistive touch panel, the upper electrode substrate Basically, it only needs to have conductivity, and the restriction due to surface resistance is reduced. Therefore, the structure of the upper electrode substrate and the degree of freedom in material selection are increased. Therefore, it came to be considered that a high-visibility touch panel could be obtained by using a specific upper electrode substrate mainly intended to improve light transmittance and reflectance.
本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、本発明に係るタッチパネルは、電圧を感知するプローブとして機能する上部電極基板と、タッチ位置の座標検出を行う下部電極基板とが、互いの導電面同士が対向するように配置されてなるものであって、上部電極基板は、透明基板の下部電極基板に対向する面に、有機分を含有する金属酸化物薄膜と、金属薄膜とが積層されており、かつ、上記金属薄膜の少なくとも一方面には、上記有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜が形成されていることを要旨とする。 The present invention has been made based on the above knowledge, and the touch panel according to the present invention is configured such that an upper electrode substrate that functions as a probe for sensing voltage and a lower electrode substrate that performs coordinate detection of a touch position are electrically connected to each other. The upper electrode substrate is formed by laminating a metal oxide thin film containing an organic component and a metal thin film on the surface of the transparent substrate facing the lower electrode substrate. In addition, the gist is that a metal oxide thin film thinner than the metal oxide thin film containing the organic component is formed on at least one surface of the metal thin film.
ここで、上記有機分を含有する金属酸化物薄膜および上記有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜を構成する金属酸化物は、チタンの酸化物、亜鉛の酸化物、インジウムの酸化物、スズの酸化物、インジウムとスズとの酸化物、マグネシウムの酸化物、アルミニウムの酸化物、ジルコニウムの酸化物、ニオブの酸化物およびセリウムの酸化物から選択される１種または２種以上であり、上記金属薄膜を構成する金属は、銀、金、白金、銅、アルミニウム、クロム、チタン、亜鉛、スズ、ニッケル、コバルト、ニオブ、タンタル、タングステン、ジルコニウム、鉛、パラジウムおよびインジウムから選択される１種または２種以上の金属または上記金属を１種以上含む合金であると良い。 Here, the metal oxide thin film containing the organic content and the metal oxide constituting the metal oxide thin film thinner than the metal oxide thin film containing the organic content are titanium oxide, zinc oxide, indium. One or two selected from oxides of tin, oxides of tin, oxides of indium and tin, magnesium oxides, aluminum oxides, zirconium oxides, niobium oxides and cerium oxides The metal constituting the metal thin film is selected from silver, gold, platinum, copper, aluminum, chromium, titanium, zinc, tin, nickel, cobalt, niobium, tantalum, tungsten, zirconium, lead, palladium and indium. One kind or two or more kinds of metals or an alloy containing one or more kinds of the above metals may be used.
特には、上記有機分を含有する金属酸化物薄膜および上記有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜を構成する金属酸化物は、チタンの酸化物であり、上記金属薄膜を構成する金属は、銀または銀合金であると良い。 In particular, the metal oxide thin film containing the organic component and the metal oxide thin film that is thinner than the organic oxide thin film containing the organic component are titanium oxides. The metal to constitute is preferably silver or a silver alloy.
この際、上記銀合金は、Ａｇ−Ｂｉ系合金であると良い。 At this time, the silver alloy is preferably an Ag-Bi alloy.
また、上記有機分を含有する金属酸化物薄膜は、液相法により形成されており、上記有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜は、気相法により形成されていると良い。 The metal oxide thin film containing the organic component is formed by a liquid phase method, and the metal oxide thin film thinner than the metal oxide thin film containing the organic component is formed by a vapor phase method. And good.
この際、上記液相法はゾル−ゲル法であり、上記気相法はスパッタリング法であると良い。 At this time, the liquid phase method is preferably a sol-gel method, and the gas phase method is preferably a sputtering method.
また、上記透明基板の上記下部電極基板に対向する面とは反対側の面に、反射防止膜が形成されていると良い。 In addition, an antireflection film may be formed on a surface of the transparent substrate opposite to the surface facing the lower electrode substrate.
また、上記タッチパネルは、５線式抵抗膜方式に好適に適用することができる。 The touch panel can be suitably applied to a 5-wire resistive film system.
一方、本発明に係る表示装置は、上記タッチパネルを備えていることを要旨とする。 On the other hand, the gist of the display device according to the present invention is that it includes the touch panel.
本発明に係るタッチパネルは、上部電極基板が、電圧を感知するプローブとして機能し、下部電極基板が、タッチ位置の座標検出を行う方式のタッチパネルであって、上部電極基板として、特定の薄膜が積層された積層構造を有している。 The touch panel according to the present invention is a touch panel in which the upper electrode substrate functions as a probe for sensing voltage and the lower electrode substrate detects coordinates of the touch position, and a specific thin film is laminated as the upper electrode substrate. Has a laminated structure.
この上部電極基板は、従来の上部電極基板に比べ、全光線透過率が高く、可視光反射率が低い。そのため、本発明に係るタッチパネルは、視認性に優れる。さらに、上記方式を採用しているので、４線式抵抗膜方式のタッチパネルに比べ、打鍵耐久性にも優れる。 This upper electrode substrate has a higher total light transmittance and a lower visible light reflectance than the conventional upper electrode substrate. Therefore, the touch panel according to the present invention is excellent in visibility. Furthermore, since the above method is adopted, the keystroke durability is excellent as compared with a 4-wire resistive touch panel.
なお、上部電極基板は、金属薄膜を用いている点で、表面抵抗が低めになる。しかし、上記方式であれば、上部電極基板の表面抵抗の高低は、パネル動作上ほとんど問題にならない。 The upper electrode substrate has a lower surface resistance in that a metal thin film is used. However, with the above method, the surface resistance of the upper electrode substrate is hardly a problem in panel operation.
また、金属薄膜の少なくとも一方面には、有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜が形成されている。そのため、金属薄膜を構成する金属が、有機分を含有する金属酸化物薄膜中へ拡散するのを十分に抑制することができる。それ故、光線透過性を損ない難く、耐久性の向上にも寄与することができる。 In addition, a metal oxide thin film thinner than the metal oxide thin film containing an organic component is formed on at least one surface of the metal thin film. Therefore, it can fully suppress that the metal which comprises a metal thin film diffuses in the metal oxide thin film containing organic content. Therefore, it is difficult to impair the light transmittance and can contribute to the improvement of durability.
また、有機分を含有する金属酸化物薄膜は、液相法により好適に形成することができる。そのため、その分、タッチパネルの製造コストを低減することができる。 Moreover, the metal oxide thin film containing organic components can be suitably formed by a liquid phase method. Therefore, the manufacturing cost of the touch panel can be reduced accordingly.
ここで、有機分を含有する金属酸化物薄膜および有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜を構成する金属酸化物が、チタンの酸化物であり、金属薄膜を構成する金属が、銀または銀合金である場合には、可視光領域の透明性に優れる。そのため、視認性の向上を図りやすくなる。 Here, the metal oxide thin film containing the organic component and the metal oxide constituting the metal oxide thin film thinner than the metal oxide thin film containing the organic component are oxides of titanium, and the metal constituting the metal thin film. However, when it is silver or a silver alloy, it is excellent in transparency in the visible light region. Therefore, it becomes easy to improve the visibility.
また、金属薄膜を構成する金属が、Ａｇ−Ｂｉ系合金である場合には、Ａｇの凝集やＡｇの拡散を効果的に抑制しやすくなる。そのため、Ａｇに起因する劣化を低減でき、その分、耐久性の向上を図りやすくなる。したがって、例えば、車両など、熱環境の厳しいところにも適用しやすくなる。 Moreover, when the metal which comprises a metal thin film is an Ag-Bi type-alloy, it becomes easy to suppress effectively Ag aggregation and Ag spreading | diffusion. Therefore, deterioration due to Ag can be reduced, and the durability can be easily improved accordingly. Therefore, it becomes easy to apply to places with severe thermal environments such as vehicles.
また、有機分を含有する金属酸化物薄膜が、ゾル−ゲル法などの液相法により形成されておれば、原料、加工、設備投資などについてコスト的にも有利である。加えて、有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜が、スパッタリング法などの気相法により形成されておれば、薄くて緻密な膜質を得やすく、上記拡散抑制効果に優れる。 In addition, if the metal oxide thin film containing an organic component is formed by a liquid phase method such as a sol-gel method, it is advantageous in terms of cost for raw materials, processing, equipment investment, and the like. In addition, if a metal oxide thin film that is thinner than a metal oxide thin film containing an organic component is formed by a vapor phase method such as sputtering, it is easy to obtain a thin and dense film quality and is excellent in the above-described diffusion suppressing effect. .
また、上記透明基板の下部電極基板に対向する面とは反対側の面に、反射防止膜が形成されている場合には、可視光反射率をより低くすることができ、より視認性に優れたタッチパネルが得られる。 In addition, when an antireflection film is formed on the surface of the transparent substrate opposite to the surface facing the lower electrode substrate, the visible light reflectance can be further lowered and the visibility is more excellent. Touch panel is obtained.
また、５線式抵抗膜方式は、６線式や７線式など類似の方式や発展形に比べ市場での普及度が高い。そのため、上記方式が５線式であれば、比較的早い段階で、従来のタッチパネルと代替を図ることが可能になり、早期に市場に投入しやすくなる。 In addition, the 5-wire resistive film method is more popular in the market than similar methods and developments such as the 6-wire and 7-wire methods. Therefore, if the above method is a five-wire system, it is possible to replace the conventional touch panel at a relatively early stage, and it is easy to put it on the market at an early stage.
一方、本発明に係る表示装置は、上記タッチパネルを備えている。そのため、視認性、耐久性に優れる。 On the other hand, a display device according to the present invention includes the touch panel. Therefore, it is excellent in visibility and durability.
本実施形態に係るタッチパネル（以下、「本タッチパネル」ということがある。）について詳細に説明する。 The touch panel according to the present embodiment (hereinafter sometimes referred to as “the present touch panel”) will be described in detail.
本タッチパネルは、上部電極基板と下部電極基板とが、互いの導電面同士が対向するように配置されてなる。上下の基板の間には、任意にスペーサが介在されていても良い。本タッチパネルは、アナログ形式であり、抵抗膜方式を採用している。 In the touch panel, an upper electrode substrate and a lower electrode substrate are arranged so that their conductive surfaces face each other. A spacer may optionally be interposed between the upper and lower substrates. This touch panel is an analog type and adopts a resistive film method.
ここで、上部電極基板は、電圧を感知するプローブとして機能する。一方、下部電極基板は、タッチ位置の座標を検出する役割を有している。抵抗膜方式において、上下の基板がこのように機能する方式としては、代表的なものとして５線式がある。 Here, the upper electrode substrate functions as a probe for sensing voltage. On the other hand, the lower electrode substrate has a role of detecting the coordinates of the touch position. In the resistive film system, as a system in which the upper and lower substrates function in this manner, there is a typical 5-wire system.
本タッチパネルは、比較的早い段階で、従来のタッチパネルとの代替を図りやすいなどの観点から、５線式であることが好ましい。もっとも、本タッチパネルは、上下の基板が上記のように機能する方式のものであれば特に限定されるものではなく、６線式、７線式、これらに類似する方式やその発展形などであっても良い。 The touch panel is preferably a 5-wire type from the viewpoint that it is easy to replace the conventional touch panel at a relatively early stage. However, the touch panel is not particularly limited as long as the upper and lower substrates function as described above, and may be a 6-wire type, a 7-wire type, a method similar to these, or a developed form thereof. May be.
本タッチパネルは、上部電極基板が電圧を感知するプローブとして機能し、下部電極基板がタッチ位置の座標検出を行う方式を採用し、かつ、特定の上部電極基板を適用したことを最大のポイントとしている。 This touch panel uses a method in which the upper electrode substrate functions as a probe for sensing voltage, the lower electrode substrate detects the coordinates of the touch position, and the most important point is that a specific upper electrode substrate is applied. .
つまり、このような方式であれば、上部電極基板は、座標検出に関与しないため、表面抵抗をそれほど気にする必要がなくなる。そのため、上部電極基板の光透過率および反射率の改善に注力すれば、視認性を向上させることが可能になる。 In other words, with such a method, the upper electrode substrate does not participate in coordinate detection, so it is not necessary to worry about the surface resistance. Therefore, visibility can be improved by focusing on improving the light transmittance and reflectance of the upper electrode substrate.
したがって、下部電極基板は、特に限定されるものではなく、従来知られる材質、構造のものを適宜選択して採用することができる。 Therefore, the lower electrode substrate is not particularly limited, and conventionally known materials and structures can be appropriately selected and employed.
下部電極基板としては、例えば、所定の表面抵抗を備えたＩＴＯ薄膜などの透明導電性薄膜を１層以上有するＩＴＯフィルム、ＩＴＯガラスなどが挙げられる。 Examples of the lower electrode substrate include an ITO film having at least one transparent conductive thin film such as an ITO thin film having a predetermined surface resistance, ITO glass, and the like.
また、スペーサを介在させる場合、スペーサは、特に限定されるものではなく、従来知られる材質、構造のものを採用することができる。 Moreover, when interposing a spacer, a spacer is not specifically limited, A conventionally well-known material and a structure can be employ | adopted.
スペーサとしては、例えば、紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂などによりドットパターンを印刷形成したものなどが挙げられる。これらは１種または２種以上併用されていても良い。 Examples of the spacer include those obtained by printing a dot pattern with an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin. These may be used alone or in combination of two or more.
以下、本タッチパネルが有する上部電極基板について詳細に説明する。 Hereinafter, the upper electrode substrate included in the touch panel will be described in detail.
上部電極基板は、透明基板の下部電極基板に対向する面に、有機分を含有する金属酸化物薄膜（以下、「ＭＯ」と略表記することがある。）と、金属薄膜（以下、「Ｍ」と略表記することがある。）と、有機分を含有する金属酸化物薄膜（ＭＯ）よりも薄い金属酸化物薄膜（以下、「Ｂ」と略表記することがある。）とを備えている。 The upper electrode substrate has a metal oxide thin film (hereinafter sometimes abbreviated as “MO”) containing an organic component and a metal thin film (hereinafter “M”) on the surface of the transparent substrate facing the lower electrode substrate. And a metal oxide thin film (hereinafter sometimes abbreviated as “B”) thinner than the metal oxide thin film (MO) containing an organic component. Yes.
ここで、上部電極基板において、金属酸化物薄膜（ＭＯ）と、金属薄膜（Ｍ）とは、交互に積層されている。また、金属酸化物薄膜（Ｂ）は、金属薄膜（Ｍ）の何れか一方面、または、金属薄膜（Ｍ）の両面に接して形成されている。 Here, in the upper electrode substrate, the metal oxide thin films (MO) and the metal thin films (M) are alternately stacked. Further, the metal oxide thin film (B) is formed in contact with either one surface of the metal thin film (M) or both surfaces of the metal thin film (M).
したがって、透明基板の下部電極基板に対向する面に形成される積層構造の基本単位としては、具体的には、例えば、透明基板側から、ＭＯ│Ｂ／Ｍ／Ｂ、ＭＯ│Ｍ／Ｂ、ＭＯ│Ｂ／Ｍといった第１基本単位、または、透明基板側から、Ｂ／Ｍ／Ｂ│ＭＯ、Ｍ／Ｂ│ＭＯ、Ｂ／Ｍ│ＭＯといった第２基本単位などを例示することができる。 Accordingly, as a basic unit of the laminated structure formed on the surface of the transparent substrate facing the lower electrode substrate, specifically, for example, from the transparent substrate side, MO | B / M / B, MO | M / B, Examples include a first basic unit such as MO | B / M, or a second basic unit such as B / M / B | MO, M / B | MO, and B / M | MO from the transparent substrate side.
下部電極基板は、第１基本単位から選択される１または２以上の基本単位を単数または複数繰り返し積層した積層構造を有していても良いし、第２基本単位から選択される１または２以上の基本単位を単数または複数繰り返し積層した積層構造を有していても良い。 The lower electrode substrate may have a laminated structure in which one or more basic units selected from the first basic units are stacked one or more times, or one or more selected from the second basic units. These basic units may be laminated one or more times.
金属薄膜（Ｍ）を構成する金属は、透明基板側とは反対側に拡散しやすい傾向が見られる。そのため、第１基本単位であれば、ＭＯ│Ｂ／Ｍ／Ｂ、ＭＯ│Ｍ／Ｂの単位を好適に選択することができる。また、第２基本単位であれば、Ｂ／Ｍ／Ｂ│ＭＯ、Ｍ／Ｂ│ＭＯの単位を好適に選択することができる。 There is a tendency that the metal constituting the metal thin film (M) tends to diffuse to the side opposite to the transparent substrate side. Therefore, if it is the 1st basic unit, the unit of MO | B / M / B and MO | M / B can be selected suitably. Moreover, if it is a 2nd basic unit, the unit of B / M / B | MO and M / B | MO can be selected suitably.
とりわけ、金属薄膜を構成する金属の拡散を抑制しやすいなどの観点から、第１基本単位であれば、ＭＯ│Ｂ／Ｍ／Ｂの単位を、第２基本単位であれば、Ｂ／Ｍ／Ｂ│ＭＯの単位を最も好適に選択することができる。 In particular, from the viewpoint of easily suppressing diffusion of the metal constituting the metal thin film, the unit of MO | B / M / B is used for the first basic unit, and B / M / is used for the second basic unit. The unit of B | MO can be selected most preferably.
なお、第１基本単位を用いる場合には、金属薄膜（Ｍ）を劣化し難くする、全光線透過率を向上させやすいなどの観点から、透明基板から最も遠い表面に、別途、有機分を含有する金属酸化物薄膜（ＭＯ）を積層するのが好ましい。 When the first basic unit is used, an organic component is separately contained on the surface farthest from the transparent substrate from the viewpoint of making the metal thin film (M) difficult to deteriorate and improving the total light transmittance. It is preferable to laminate a metal oxide thin film (MO).
上記積層構造における積層数は、各薄膜の材料や膜厚、要求される視認性、製造コストなどを考慮して異ならせることができる。上記積層数としては、２〜１０層が好ましく、３層、５層、７層、９層などの奇数層がより好ましい。 The number of stacked layers in the stacked structure can be varied in consideration of the material and thickness of each thin film, required visibility, manufacturing cost, and the like. The number of layers is preferably 2 to 10 layers, and more preferably odd layers such as 3, 5, 7, and 9 layers.
なお、上記積層数では、有機分を含有する金属酸化物薄膜（ＭＯ）を１層、有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜（Ｂ）を含めた金属薄膜（Ｍ）を１層として数えている。 In addition, in the said lamination | stacking number, the metal oxide thin film (M) including the metal oxide thin film (B) thinner than the metal oxide thin film (MO) containing one layer and the metal oxide thin film containing an organic component in the said number of layers Is counted as one layer.
上記積層数としては、視認性、製造コストのバランスに優れるなどの観点から、ＭＯ│Ｂ／Ｍ／Ｂ│ＭＯ、ＭＯ│Ｂ／Ｍ│ＭＯ、ＭＯ│Ｍ／Ｂ│ＭＯなどの３層が最も好ましい。 From the standpoint of excellent balance between visibility and manufacturing cost, the number of stacked layers is 3 layers such as MO│B / M / B│MO, MO│B / M│MO, MO│M / B│MO. Most preferred.
上部電極基板において、各薄膜は、一度に形成されたものであっても良いし、分割形成されたものであっても良い。また、各薄膜のうち、一部または全部が分割形成されていても良い。各薄膜が、複数の分割層よりなる場合、その分割数は、各薄膜ごとに同じであっても良いし、異なっていても良い。なお、分割層は積層数として数えず、複数の分割層が集合して形成された１つの薄膜を１層として数える。 In the upper electrode substrate, each thin film may be formed at a time, or may be divided and formed. Moreover, some or all of each thin film may be divided and formed. When each thin film is composed of a plurality of divided layers, the number of divisions may be the same or different for each thin film. In addition, a division | segmentation layer is not counted as a lamination | stacking number, and one thin film formed by the assembly of a plurality of division layers is counted as one layer.
各薄膜の組成または材料は、それぞれ同一の組成または材料から形成されていても良いし、異なる組成または材料から形成されていても良い。なお、この点は、各薄膜が複数の分割層よりなる場合も同様である。 The composition or material of each thin film may be formed from the same composition or material, or may be formed from different compositions or materials. This also applies to the case where each thin film is composed of a plurality of divided layers.
また、各薄膜の膜厚は、ほぼ同一であっても良いし、各膜ごとに異なっていても良い。 Moreover, the film thickness of each thin film may be substantially the same, and may differ for each film.
上部電極基板は、概略、上述した積層構造を有している。以下、透明基板、有機分を含有する金属酸化物薄膜（ＭＯ）、金属薄膜（Ｍ）、有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜（Ｂ）についてより詳細に説明する。 The upper electrode substrate generally has the laminated structure described above. Hereinafter, the transparent substrate, the metal oxide thin film (MO) containing an organic component, the metal thin film (M), and the metal oxide thin film (B) thinner than the metal oxide thin film containing an organic component will be described in more detail.
＜透明基板＞
透明基板は、上記積層構造を形成するためのベースとなるものである。透明基板の形態としては、フィルム状、シート状、板状など、透明基板材料に応じて選択することができる。透明基板材料としては、可視光領域において透明性を有し、その表面に薄膜を支障なく形成できるものであれば、基本的には、何れのものでも用いることができる。
<Transparent substrate>
The transparent substrate serves as a base for forming the laminated structure. The form of the transparent substrate can be selected according to the transparent substrate material, such as a film shape, a sheet shape, or a plate shape. As the transparent substrate material, basically any material can be used as long as it has transparency in the visible light region and can form a thin film on its surface without any trouble.
透明基板材料としては、具体的には、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、トリアセチルセルロース、ポリウレタン、シクロオレフィンポリマーなどの透明高分子材料、ガラスなどを例示することができる。これらは１種または２種以上併用しても良い。 Specific examples of the transparent substrate material include polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyethylene, polypropylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, polystyrene, polyimide, polyamide, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polysulfone. Examples thereof include polyether sulfone, polyether ether ketone, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, triacetyl cellulose, polyurethane, and a transparent polymer material such as cycloolefin polymer, glass, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
これらのうち、とりわけ、透明性、耐久性、加工性などに優れるなどの観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、シクロオレフィンポリマーなどを好適なものとして例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。 Among these, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, cycloolefin polymer, and the like can be exemplified as preferable from the viewpoint of excellent transparency, durability, workability, and the like. These may be contained alone or in combination of two or more.
また、上記透明基板の厚みは、用いる材料などを考慮して種々調節することができる。その好ましい下限値として、具体的には、例えば、１０μｍ、２５μｍなどを例示することができる。一方、これら好ましい下限値と組み合わせ可能な好ましい上限値として、具体的には、例えば、５００μｍ、２５０μｍなどを例示することができる。 The thickness of the transparent substrate can be variously adjusted in consideration of the material used. Specific examples of the preferable lower limit value include 10 μm and 25 μm. On the other hand, specific examples of preferable upper limit values that can be combined with these preferable lower limit values include 500 μm and 250 μm.
＜金属酸化物薄膜（ＭＯ）＞
金属酸化物薄膜（ＭＯ）は、可視光領域において透明性を有し、主として高屈折率層として機能するものである。ここで、高屈折率とは、６３３ｎｍの光に対する屈折率が１．７以上ある場合をいう。
<Metal oxide thin film (MO)>
The metal oxide thin film (MO) has transparency in the visible light region and functions mainly as a high refractive index layer. Here, the high refractive index means a case where the refractive index for light of 633 nm is 1.7 or more.
上記金属酸化物としては、具体的には、例えば、チタンの酸化物、亜鉛の酸化物、インジウムの酸化物、スズの酸化物、インジウムとスズとの酸化物、マグネシウムの酸化物、アルミニウムの酸化物、ジルコニウムの酸化物、ニオブの酸化物、セリウムの酸化物などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。また、これら金属酸化物は、２種以上の金属酸化物が複合した複酸化物であっても良い。 Specific examples of the metal oxide include titanium oxide, zinc oxide, indium oxide, tin oxide, indium and tin oxide, magnesium oxide, and aluminum oxide. Products, zirconium oxide, niobium oxide, cerium oxide, and the like. These may be contained alone or in combination of two or more. Further, these metal oxides may be double oxides in which two or more metal oxides are combined.
上記金属酸化物としては、とりわけ、屈折率が比較的大きいなどの観点から、酸化チタン（IV）（ＴｉＯ２）、ＩＴＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）などを好適なものとして例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。 Among the above metal oxides, titanium oxide (IV) (TiO 2 ), ITO, zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), etc. are preferable from the viewpoint of a relatively large refractive index. It can be illustrated. These may be contained alone or in combination of two or more.
ここで、上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）は、主成分として金属酸化物を含んでいるが、それ以外にも、有機分を含有している。この有機分を含有することで、透明高分子フィルムを用いたときのタッチパネルの可撓性をより向上させることができる。この種の有機分としては、具体的には、例えば、金属酸化物薄膜（ＭＯ）の形成材料に由来する成分などを例示することができる。 Here, although the said metal oxide thin film (MO) contains the metal oxide as a main component, it contains organic content besides that. By containing this organic component, the flexibility of the touch panel when using a transparent polymer film can be further improved. Specific examples of this type of organic component include components derived from the metal oxide thin film (MO) forming material.
上記有機分としては、より具体的には、例えば、上述した金属酸化物を構成する金属の金属アルコキシド、金属アシレート、金属キレートなどといった有機金属化合物（その分解物なども含む）などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。 More specifically, examples of the organic component include organic metal compounds (including decomposition products thereof) such as metal alkoxides, metal acylates, metal chelates and the like of the metal oxides described above. Can do. These may be contained alone or in combination of two or more.
上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）中に含まれる有機分の含有量としては、その好ましい下限値として、具体的には、例えば、３、５、１０質量％などを例示することができる。 Specific examples of the preferable lower limit of the content of the organic component contained in the metal oxide thin film (MO) include 3, 5, and 10% by mass.
一方、これら好ましい下限値と組み合わせ可能な好ましい上限値として、具体的には、例えば、３０、２０、１５質量％などを例示することができる。 On the other hand, specific examples of preferable upper limit values that can be combined with these preferable lower limit values include 30, 20, and 15% by mass.
なお、上記有機分の種類は、赤外分光法（ＩＲ）（赤外吸収分析）などを用いて調べることができる。また、上記有機分の含有量は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）などを用いて調べることができる。 In addition, the kind of said organic content can be investigated using infrared spectroscopy (IR) (infrared absorption analysis) etc. The organic content can be examined by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) or the like.
上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）は、必要な屈折率を確保でき、可視光領域の透明性などに悪影響を及ぼさない範囲内であれば、上記主成分や上記有機分以外にも、他の成分を含んでいても良い。 The metal oxide thin film (MO) can secure a necessary refractive index and has other components in addition to the main component and the organic component as long as it does not adversely affect the transparency of the visible light region. May be included.
例えば、上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）の形成時に使用した各種の添加剤、不可避不純物などの物質を１種または２種以上含んでいても良い。上記添加剤としては、上記有機金属化合物と反応して紫外線吸収性のキレートを形成する化合物（後述する）などを例示することができる。 For example, you may contain 1 type, or 2 or more types of substances, such as various additives used at the time of formation of the said metal oxide thin film (MO), and an unavoidable impurity. Examples of the additive include a compound that reacts with the organometallic compound to form an ultraviolet-absorbing chelate (described later).
また、上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）の膜厚は、全光線透過率や可視光反射率などを考慮して種々調節することができる。上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）の膜厚としては、具体的には、例えば、その好ましい下限値として、１８ｎｍ、２０ｎｍなどを例示することができる。一方、これら好ましい下限値と組み合わせ可能な好ましい上限値として、具体的には、例えば、１５０ｎｍ、１００ｎｍなどを例示することができる。 The film thickness of the metal oxide thin film (MO) can be variously adjusted in consideration of the total light transmittance, the visible light reflectance, and the like. Specifically as a film thickness of the said metal oxide thin film (MO), 18 nm, 20 nm, etc. can be illustrated as a preferable lower limit, for example. On the other hand, specific examples of preferable upper limit values that can be combined with these preferable lower limit values include 150 nm and 100 nm.
以上のような構成を有する上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）は、液相法により好適に形成することができる。液相法は、気相法と比較して、真空引きしたり、大電力を使用したりする必要がない。そのため、その分、コスト的に有利であり、生産性にも優れている。 The metal oxide thin film (MO) having the above configuration can be suitably formed by a liquid phase method. The liquid phase method does not need to be evacuated or use a large electric power as compared with the gas phase method. Therefore, it is advantageous in terms of cost and productivity.
上記液相法としては、有機分を残存させやすいなどの観点から、ゾル−ゲル法を好適に利用することができる。 As the liquid phase method, a sol-gel method can be suitably used from the viewpoint of easily leaving an organic component.
上記ゾル−ゲル法としては、より具体的には、例えば、金属酸化物を構成する金属の有機金属化合物を含有するコーティング液を層状にコーティングし、これを必要に応じて乾燥させ、金属酸化物薄膜（ＭＯ）の前駆体膜を形成した後、この前駆体膜中の有機金属化合物を加水分解・縮合反応させ、有機金属化合物を構成する金属の酸化物を合成するなどの方法を例示することができる。これによれば、金属酸化物を主成分として含み、有機分を含有する金属酸化物薄膜（ＭＯ）を形成することができる。以下、上記方法について詳細に説明する。 More specifically, as the sol-gel method, for example, a coating liquid containing a metal organometallic compound constituting a metal oxide is coated in a layer form, and this is dried as necessary. Illustrate a method of forming a thin film (MO) precursor film and then hydrolyzing and condensing an organometallic compound in the precursor film to synthesize an oxide of a metal constituting the organometallic compound. Can do. According to this, a metal oxide thin film (MO) containing a metal oxide as a main component and containing an organic component can be formed. Hereinafter, the above method will be described in detail.
上記コーティング液は、上記有機金属化合物を適当な溶媒に溶解して調製することができる。この際、有機金属化合物としては、具体的には、例えば、チタン、亜鉛、インジウム、スズ、マグネシウム、アルミニウム、ジルコニウム、ニオブ、セリウム、シリコン、ハフニウム、鉛などの金属の有機化合物などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。 The coating liquid can be prepared by dissolving the organometallic compound in a suitable solvent. In this case, specific examples of the organometallic compound include organic compounds of metals such as titanium, zinc, indium, tin, magnesium, aluminum, zirconium, niobium, cerium, silicon, hafnium, and lead. Can do. These may be contained alone or in combination of two or more.
上記有機金属化合物としては、具体的には、例えば、上記金属の金属アルコキシド、金属アシレート、金属キレートなどを例示することができる。好ましくは、空気中での安定性などの観点から、金属キレートであると良い。 Specific examples of the organometallic compound include metal alkoxides, metal acylates, and metal chelates of the above metals. A metal chelate is preferable from the viewpoint of stability in air.
上記有機金属化合物としては、とりわけ、高屈折率を有する金属酸化物になり得る金属の有機化合物を好適に用いることができる。このような有機金属化合物としては、例えば、有機チタン化合物などを例示することができる。 As the organic metal compound, in particular, a metal organic compound that can be a metal oxide having a high refractive index can be preferably used. Examples of such organometallic compounds include organic titanium compounds.
上記有機チタン化合物としては、具体的には、例えば、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラメトキシチタンなどのＭ−Ｏ−Ｒ結合（Ｒはアルキル基を示し、Ｍはチタン原子を示す）を有するチタンのアルコキシドや、イソプロポキシチタンステアレートなどのＭ−Ｏ−ＣＯ−Ｒ結合（Ｒはアルキル基を示し、Ｍはチタン原子を示す）を有するチタンのアシレートや、ジイソプロポキシチタンビスアセチルアセトナート、ジヒドロキシビスラクタトチタン、ジイソプロポキシビストリエタノールアミナトチタン、ジイソプロポキシビスエチルアセトアセタトチタンなどのチタンのキレートなどを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。 Specific examples of the organic titanium compound include M-O-R bonds such as tetra-n-butoxy titanium, tetraethoxy titanium, tetra-i-propoxy titanium, and tetramethoxy titanium (R represents an alkyl group). , M represents a titanium atom) and an acylate of titanium having an M—O—CO—R bond (R represents an alkyl group and M represents a titanium atom) such as isopropoxy titanium stearate. Examples thereof include titanium chelates such as diisopropoxy titanium bisacetylacetonate, dihydroxy bis lactato titanium, diisopropoxy bis triethanolaminato titanium, diisopropoxy bis ethyl acetoacetate titanium, and the like. These may be used alone or in combination.
上記コーティング液中に占める有機金属化合物の含有量としては、その好ましい上限値として、具体的には、例えば、２０、１５、１０質量％などを例示することができる。これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として、具体的には、例えば、１、３、５質量％などを例示することができる。 Specific examples of the preferable upper limit of the content of the organometallic compound in the coating liquid include 20, 15, and 10% by mass. Specific examples of preferable lower limit values that can be combined with these preferable upper limit values include 1, 3, and 5% by mass.
一方、上記有機金属化合物を溶解させる溶媒としては、具体的には、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘプタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、酢酸エチルなどの有機酸エステル、アセトニトリル、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのシクロエーテル類、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの酸アミド類、ヘキサンなどの炭化水素類、トルエンなどの芳香族類などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。 On the other hand, specific examples of the solvent for dissolving the organometallic compound include alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, heptanol, and isopropyl alcohol, organic acid esters such as ethyl acetate, acetonitrile, acetone, and methyl ethyl ketone. Examples thereof include ketones such as tetrahydrofuran, cycloethers such as dioxane, acid amides such as formamide and N, N-dimethylformamide, hydrocarbons such as hexane, aromatics such as toluene, and the like. These may be used alone or in combination.
この際、上記溶媒量としては、その好ましい下限値として、具体的には、例えば、上記有機金属化合物の固形分質量に対して、５、１０倍量などを例示することができる。一方、これら好ましい下限値と組み合わせ可能な好ましい上限値として、具体的には、例えば、上記有機金属化合物の固形分質量に対して、５０、３０、２０倍量などを例示することができる。 In this case, as the amount of the solvent, as a preferable lower limit, specifically, for example, 5 to 10 times the amount of the solid content of the organometallic compound can be exemplified. On the other hand, specific examples of preferable upper limit values that can be combined with these preferable lower limit values include 50, 30, and 20 times the amount of the solid content of the organometallic compound.
上記溶媒量が５０倍量より多くなると、一回のコーティングで形成できる層厚が薄くなり、所望の厚みを得るために多数回のコーティングが必要となる傾向が見られる。一方、５倍量より少なくなると、層厚が厚くなり過ぎ、有機金属化合物の加水分解・縮合反応が十分に進行し難くなる傾向が見られる。したがって、上記溶媒量は、これらを考慮して選択すると良い。 When the amount of the solvent is more than 50 times, the layer thickness that can be formed by a single coating becomes thin, and a tendency to require a large number of coatings to obtain a desired thickness is observed. On the other hand, when the amount is less than 5 times, the layer thickness becomes too thick, and there is a tendency that the hydrolysis / condensation reaction of the organometallic compound does not proceed sufficiently. Therefore, the amount of the solvent is preferably selected in consideration of these.
また、上記コーティング液中には、ゾル−ゲル法による加水分解が促進され、高屈折率化が図りやすくなるなどの観点から、必要に応じて水が含まれていても良い。 In addition, the coating liquid may contain water as necessary from the viewpoint of promoting hydrolysis by a sol-gel method and facilitating a high refractive index.
この場合、上記コーティング液中に占める水分含有量は、好ましくは１質量％以上あると良い。 In this case, the water content in the coating solution is preferably 1% by mass or more.
もっとも、上記水分含有量を過度に多くしても、屈折率の向上効果も頭打ちになるし、コーティングもやり難くなるなどの傾向が見られる。そのため、上記水分含有量の好ましい上限値として、具体的には、例えば、５０、４０、３０、２０、１０質量％などを例示することができる。 However, even if the water content is excessively increased, the effect of improving the refractive index reaches its peak and coating tends to be difficult. Therefore, specific examples of the preferable upper limit of the water content include 50, 40, 30, 20, 10% by mass, and the like.
なお、上記水分含有量は、カールフィッシャー水分計（容量滴定方式）により測定される値である。すなわち、カールフィッシャー水分計を用い、被測定対象であるコーティング液を脱水溶剤中に溶解または分散した後、カールフィッシャー試薬（滴定剤）にて滴定すれば、コーティング液中に占める水分含有量を求めることができる。 The water content is a value measured by a Karl Fischer moisture meter (volumetric titration method). That is, if the coating liquid to be measured is dissolved or dispersed in a dehydrated solvent using a Karl Fischer moisture meter and then titrated with a Karl Fischer reagent (a titrant), the water content in the coating liquid is obtained. be able to.
上記カールフィッシャー水分計は、例えば、京都電子工業（株）などにより上市されている。また、脱水溶剤、カールフィッシャー試薬についても、例えば、三菱化学（株）などにより、アクアミクロン（登録商標、以下省略）脱水溶剤ＧＥＸ、アクアミクロン滴定剤ＳＳ−Ｚなどとして上市されている。 The Karl Fischer moisture meter is marketed by, for example, Kyoto Electronics Industry Co., Ltd. In addition, dehydrated solvents and Karl Fischer reagents are also marketed by, for example, Mitsubishi Chemical Corporation as Aquamicron (registered trademark, hereinafter omitted) dehydrated solvent GEX, Aquamicron titrant SS-Z, and the like.
上記コーティング液の調製は、例えば、所定割合となるように秤量した有機金属化合物と、適当な量の溶媒と、必要に応じて添加される他の成分とを、攪拌機などの撹拌手段により所定時間撹拌・混合するなどの方法により調製することができる。この場合、各成分の混合は、１度に混合しても良いし、複数回に分けて混合しても良い。 The coating liquid is prepared, for example, by mixing an organometallic compound weighed so as to have a predetermined ratio, an appropriate amount of solvent, and other components added as necessary, with a stirring means such as a stirrer for a predetermined time. It can be prepared by a method such as stirring and mixing. In this case, the components may be mixed at a time or may be mixed in a plurality of times.
また、上記コーティング液のコーティング法としては、均一なコーティングが行いやすいなどの観点から、マイクログラビア法、グラビア法、リバースロールコート法、ダイコート法、ナイフコート法、ディップコート法、スピンコート法、バーコート法など、各種のウェットコーティング法を好適なものとして例示することができる。これらは適宜選択して用いることができ、１種または２種以上併用しても良い。 In addition, as a coating method of the coating liquid, from the viewpoint of easy uniform coating, a micro gravure method, a gravure method, a reverse roll coating method, a die coating method, a knife coating method, a dip coating method, a spin coating method, a bar coating method, and the like. Various wet coating methods such as a coating method can be exemplified as suitable ones. These may be appropriately selected and used, and one or more may be used in combination.
また、コーティングされたコーティング液を乾燥する場合、公知の乾燥装置などを用いて乾燥させれば良い。この際、乾燥条件としては、具体的には、例えば、８０℃〜１２０℃の温度範囲、０．５分〜５分の乾燥時間などを例示することができる。 Moreover, what is necessary is just to dry using the well-known drying apparatus etc. when drying the coated coating liquid. In this case, specific examples of the drying conditions include a temperature range of 80 ° C. to 120 ° C., a drying time of 0.5 minutes to 5 minutes, and the like.
また、前駆体膜中の有機金属化合物を加水分解・縮合反応させる手段としては、具体的には、例えば、紫外線照射、電子線照射、加熱など、各種の手段を例示することができる。これらは１種または２種以上組み合わせて用いても良い。これらのうち、とりわけ、紫外線照射を好適に用いることができる。他の手段と比較した場合、低温、短時間で金属酸化物を生成できるし、透明基板として透明高分子フィルムを用いた場合に、熱劣化など、熱による負荷をフィルムに与え難いからである。また、有機分として、有機金属化合物（その分解物なども含む）などを残存させやすい利点もあるからである。 Specific examples of means for hydrolysis / condensation reaction of the organometallic compound in the precursor film include various means such as ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, and heating. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, ultraviolet irradiation can be preferably used. This is because when compared with other means, a metal oxide can be produced at a low temperature and in a short time, and when a transparent polymer film is used as the transparent substrate, it is difficult to apply a load due to heat, such as thermal degradation, to the film. In addition, there is an advantage that an organic metal compound (including a decomposition product thereof) or the like is easily left as an organic component.
この際、用いる紫外線照射機としては、具体的には、例えば、水銀ランプ、キセノンランプ、重水素ランプ、エキシマランプ、メタルハライドランプなどを例示することができる。これらは１種または２種以上組み合わせて用いても良い。 In this case, specific examples of the ultraviolet irradiator to be used include a mercury lamp, a xenon lamp, a deuterium lamp, an excimer lamp, a metal halide lamp, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
また、照射する紫外線の光量は、前駆体膜を主に形成している有機金属化合物の種類、コーティング層の厚みなどを考慮して種々調節することができる。もっとも、照射する紫外線の光量が過度に小さすぎると、金属酸化物薄膜（ＭＯ）の高屈折率化を図り難くなる。一方、照射する紫外線の光量が過度に大きすぎると、透明基板として透明高分子フィルムを用いた場合に、紫外線照射の際に生じる熱によりフィルムが変形することがある。したがって、これらに留意すると良い。 Further, the amount of ultraviolet light to be irradiated can be variously adjusted in consideration of the kind of the organometallic compound mainly forming the precursor film, the thickness of the coating layer, and the like. However, if the amount of ultraviolet light to be irradiated is too small, it is difficult to increase the refractive index of the metal oxide thin film (MO). On the other hand, if the amount of ultraviolet light to be irradiated is excessively large, when a transparent polymer film is used as the transparent substrate, the film may be deformed by heat generated during ultraviolet irradiation. Therefore, these should be noted.
照射する紫外線の光量としては、具体的には、例えば、測定波長３００〜３９０ｎｍのとき、その好ましい下限値として、具体的には、例えば、３００ｍＪ／ｃｍ２、５００ｍＪ／ｃｍ２などを例示することができる。一方、これら好ましい下限値と組み合わせ可能な好ましい上限値として、具体的には、例えば、８０００ｍＪ／ｃｍ２、５０００ｍＪ／ｃｍ２などを例示することができる。 Specifically, for example, when the measurement wavelength is 300 to 390 nm, the preferable lower limit value is, for example, 300 mJ / cm 2 , 500 mJ / cm 2, etc. Can do. On the other hand, these preferred lower limit can be combined with the preferred upper limit, specifically, for example, and the like can be exemplified 8000mJ / cm 2, 5000mJ / cm 2.
なお、前駆体膜中の有機金属化合物を加水分解・縮合反応させる手段として、紫外線照射を用いる場合、上述したコーティング液中に、有機金属化合物と反応して紫外線吸収性のキレートを形成する添加剤を添加しておくと良い。出発溶液であるコーティング液中に上記添加剤が添加されている場合には、予め紫外線吸収性キレートが形成されたところに紫外線照射がなされるので、比較的低温下において金属酸化物薄膜（ＭＯ）の高屈折率化を図り得やすくなるからである。 In addition, when using ultraviolet irradiation as a means for hydrolyzing and condensing the organometallic compound in the precursor film, an additive that reacts with the organometallic compound to form an ultraviolet-absorbing chelate in the coating liquid described above It is good to add. When the above additives are added to the coating solution, which is the starting solution, ultraviolet irradiation is performed where an ultraviolet absorbing chelate has been formed in advance, so that a metal oxide thin film (MO) is formed at a relatively low temperature. This is because it is easy to increase the refractive index.
上記添加剤としては、具体的には、例えば、βジケトン類、アルコキシアルコール類、アルカノールアミン類などの添加剤を例示することができる。より具体的には、上記βジケトン類としては、例えば、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、アセト酢酸エチル、アセト酢酸メチル、マロン酸ジエチルなどを例示することができる。上記アルコキシアルコール類としては、例えば、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−メトキシ−２−プロパノールなどを例示することができる。上記アルカノールアミン類としては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。 Specific examples of the additive include additives such as β diketones, alkoxy alcohols, and alkanolamines. More specifically, examples of the β diketones include acetylacetone, benzoylacetone, ethyl acetoacetate, methyl acetoacetate, diethyl malonate, and the like. Examples of the alkoxy alcohols include 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-methoxy-2-propanol, and the like. Examples of the alkanolamines include monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine. These may be used alone or in combination.
これらのうち、とりわけ、βジケトン類が好ましく、中でもアセチルアセトンを最も好適に用いることができる。 Of these, β diketones are particularly preferred, and acetylacetone can be most preferably used.
また、上記添加剤の配合割合としては、上記有機金属化合物における金属原子１モルに対して、例えば、０．１〜２倍モルの範囲などを例示することができる。 Moreover, as a compounding ratio of the said additive, the range etc. of 0.1-2 times mole etc. can be illustrated with respect to 1 mol of metal atoms in the said organometallic compound.
＜金属薄膜（Ｍ）＞
金属薄膜は、主として導電層として機能する。
<Metal thin film (M)>
The metal thin film mainly functions as a conductive layer.
金属薄膜を主に構成する金属としては、具体的には、例えば、銀、金、白金、銅、アルミニウム、クロム、チタン、亜鉛、スズ、ニッケル、コバルト、ニオブ、タンタル、タングステン、ジルコニウム、鉛、パラジウム、インジウムなどの金属や、これら金属の合金などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。 Specifically, as the metal mainly constituting the metal thin film, for example, silver, gold, platinum, copper, aluminum, chromium, titanium, zinc, tin, nickel, cobalt, niobium, tantalum, tungsten, zirconium, lead, Examples thereof include metals such as palladium and indium, alloys of these metals, and the like. These may be contained alone or in combination of two or more.
上記金属としては、導電性、透明性などに優れるなどの観点から、銀および／または銀合金が好ましい。より好ましくは、熱、光、水蒸気などの環境に対する耐久性が向上するなどの観点から、ビスマス、金、パラジウム、白金、銅などの金属元素を少なくとも１種以上含んだ銀合金である。特に好ましくは、銀の拡散抑制効果が大きい、コスト的に有利であるなどの観点から、ビスマスを含む銀合金（Ａｇ−Ｂｉ系合金）である。 The metal is preferably silver and / or a silver alloy from the viewpoint of excellent conductivity, transparency and the like. More preferably, it is a silver alloy containing at least one metal element such as bismuth, gold, palladium, platinum, and copper from the viewpoint of improving durability against an environment such as heat, light, and water vapor. Particularly preferred is a silver alloy (Ag-Bi alloy) containing bismuth from the viewpoint of a large silver diffusion suppression effect and cost advantage.
ビスマスを含む銀合金を用いる場合、ビスマスの割合としては、銀とビスマスとの総量に対して、その好ましい下限値として、具体的には、例えば、０．０１原子％、０．０５原子％などを例示することができる。一方、これら好ましい下限値と組み合わせ可能な好ましい上限値として、具体的には、例えば、５原子％、２原子％などを例示することができる。なお、上記ビスマスの割合は、ＩＣＰ分析法を用いて測定することができる。 When a silver alloy containing bismuth is used, the preferred bismuth ratio relative to the total amount of silver and bismuth is, for example, 0.01 atomic%, 0.05 atomic%, etc. Can be illustrated. On the other hand, specific examples of preferable upper limit values that can be combined with these preferable lower limit values include 5 atomic% and 2 atomic%. The bismuth ratio can be measured using ICP analysis.
上記金属薄膜の膜厚は、導電性と可視光領域の透明性とのバランスなどを考慮して種々調節することができる。金属薄膜の膜厚が過度に厚すぎると、可視光領域の透明性が低下する傾向が見られる。一方、その膜厚が過度に薄すぎると、導電性や耐久性が低下する傾向が見られる。したがって、上記金属薄膜の膜厚の選択には、これらに留意すると良い。 The film thickness of the metal thin film can be variously adjusted in consideration of the balance between conductivity and transparency in the visible light region. When the film thickness of the metal thin film is excessively large, the transparency in the visible light region tends to decrease. On the other hand, when the film thickness is too thin, the conductivity and durability tend to be reduced. Therefore, these should be taken into consideration when selecting the thickness of the metal thin film.
上記金属薄膜の膜厚としては、その好ましい下限値として、具体的には、例えば、５ｎｍ、６ｎｍなどを例示することができる。一方、これら好ましい下限値と組み合わせ可能な好ましい上限値として、具体的には、例えば、３０ｎｍ、２０ｎｍなどを例示することができる。 Specific examples of the preferable lower limit of the thickness of the metal thin film include 5 nm and 6 nm. On the other hand, specific examples of preferable upper limit values that can be combined with these preferable lower limit values include 30 nm, 20 nm, and the like.
ここで、上記金属薄膜を形成する方法としては、具体的には、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法、レーザーアブレーションなどといった物理的気相成長法（ＰＶＤ）、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤなどといった化学的気相成長法（ＣＶＤ）などの気相法、導電性ペーストを塗工し、焼結する方法などを例示することができる。上記積層構造中の各金属薄膜は、これらのうち何れか１つの方法を用いて形成されていても良いし、あるいは、２つ以上の方法を用いて形成されていても良い。 Here, as a method for forming the metal thin film, specifically, for example, physical vapor deposition (PVD) such as vacuum deposition, sputtering, ion plating, MBE, laser ablation, thermal Examples thereof include a vapor phase method such as chemical vapor deposition (CVD) such as CVD and plasma CVD, and a method of applying and sintering a conductive paste. Each metal thin film in the laminated structure may be formed using any one of these methods, or may be formed using two or more methods.
より具体的には、例えば、真空蒸着法を用いる場合には、蒸発源として所望の金属を用い、抵抗加熱、レーザ加熱、電子ビーム加熱などにより、金属を加熱蒸着させて金属薄膜を形成すれば良い。 More specifically, for example, when a vacuum deposition method is used, a desired metal is used as an evaporation source, and a metal thin film is formed by heat vapor deposition by resistance heating, laser heating, electron beam heating, or the like. good.
また、例えば、スパッタリング法を用いる場合には、ターゲットとして所望の金属を用いるとともに、スパッタリングガスとしてアルゴン、ネオンなどの不活性ガスを用い、ターゲットと透明基板との間に直流（ＤＣ）電圧（ＤＣスパッタリング法）または高周波（ＲＦ）電圧（ＲＦスパッタリング法）を印加し、金属薄膜を形成すれば良い。成膜速度を速くする観点から、直流マグネトロンスパッタリング法や高周波マグネトロンスパッタリング法を用いても良い。 Further, for example, when using a sputtering method, a desired metal is used as a target, an inert gas such as argon or neon is used as a sputtering gas, and a direct current (DC) voltage (DC) is applied between the target and the transparent substrate. A metal thin film may be formed by applying a sputtering method or a radio frequency (RF) voltage (RF sputtering method). From the viewpoint of increasing the deposition rate, a direct current magnetron sputtering method or a high frequency magnetron sputtering method may be used.
また、例えば、イオンプレーティング法を用いる場合には、蒸発源として所望の金属を用い、真空蒸着装置内に低圧ガスを導入し電界をかけてプラズマを発生させ、蒸発源からの蒸発粒子をイオン化しながら蒸着させ、金属薄膜を形成すれば良い。 For example, when using the ion plating method, a desired metal is used as an evaporation source, a low-pressure gas is introduced into the vacuum deposition apparatus to generate a plasma by applying an electric field, and the evaporated particles from the evaporation source are ionized. The metal thin film may be formed by vapor deposition.
＜金属酸化物薄膜（Ｂ）＞
金属酸化物薄膜（Ｂ）は、主として、上記金属薄膜（Ｍ）を構成する金属が、金属酸化物薄膜（ＭＯ）中へ拡散するのを抑制するバリア的な機能を有している。また、金属薄膜（Ｍ）と金属酸化物薄膜（ＭＯ）との間に介在することで、両者の密着性の向上などにも寄与する。
<Metal oxide thin film (B)>
The metal oxide thin film (B) mainly has a barrier function that suppresses diffusion of the metal constituting the metal thin film (M) into the metal oxide thin film (MO). Further, by interposing between the metal thin film (M) and the metal oxide thin film (MO), it contributes to improvement of adhesion between the two.
なお、金属酸化物薄膜（Ｂ）は、連続的に層状に形成されていることが好ましいが、上記拡散を抑制できれば、浮島状など、不連続な部分があっても良い。 In addition, although it is preferable that the metal oxide thin film (B) is continuously formed in a layer shape, a discontinuous portion such as a floating island shape may be provided as long as the diffusion can be suppressed.
上記金属酸化物薄膜（Ｂ）は、主として金属酸化物より形成されている。上記金属酸化物としては、具体的には、例えば、チタンの酸化物、亜鉛の酸化物、インジウムの酸化物、スズの酸化物、インジウムとスズとの酸化物、マグネシウムの酸化物、アルミニウムの酸化物、ジルコニウムの酸化物、ニオブの酸化物、セリウムの酸化物などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。また、これら金属酸化物は、２種以上の金属酸化物が複合した複酸化物であっても良い。なお、上記金属酸化物薄膜（Ｂ）は、上記金属酸化物以外に不可避不純物などを含んでいても良い。 The metal oxide thin film (B) is mainly formed of a metal oxide. Specific examples of the metal oxide include titanium oxide, zinc oxide, indium oxide, tin oxide, indium and tin oxide, magnesium oxide, and aluminum oxide. Products, zirconium oxide, niobium oxide, cerium oxide, and the like. These may be contained alone or in combination of two or more. Further, these metal oxides may be double oxides in which two or more metal oxides are combined. The metal oxide thin film (B) may contain inevitable impurities in addition to the metal oxide.
この際、上記金属酸化物薄膜（Ｂ）を構成する金属酸化物は、上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）との密着性を一層向上させやすいなどの観点から、上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）を構成する金属酸化物と同一種であると良い。 At this time, the metal oxide composing the metal oxide thin film (B) is formed from the metal oxide thin film (MO) from the viewpoint of easily improving the adhesion with the metal oxide thin film (MO). It is good that it is the same kind as the metal oxide which comprises.
上記金属酸化物薄膜（Ｂ）を構成する金属酸化物としては、とりわけ、チタンの酸化物を好適に用いることができる。 As the metal oxide constituting the metal oxide thin film (B), a titanium oxide can be particularly preferably used.
ここで、上記金属酸化物薄膜（Ｂ）は、上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）よりも膜厚が薄い。これは、上記金属薄膜（Ｍ）を構成する金属の拡散は、原子レベルで生じるので、屈折率を十分確保するのに必要な膜厚まで厚くする必要性が低いからである。また、薄く形成することで、その分、成膜コストが安価になり、本タッチパネルの製造コストの低減にも寄与することができる。 Here, the metal oxide thin film (B) is thinner than the metal oxide thin film (MO). This is because the diffusion of the metal constituting the metal thin film (M) occurs at the atomic level, and therefore it is not necessary to increase the film thickness to a sufficient level to ensure the refractive index. In addition, by forming the thin film, the film formation cost is reduced correspondingly, which can contribute to the reduction of the manufacturing cost of the touch panel.
上記金属酸化物薄膜（Ｂ）の膜厚としては、その好ましい下限値として、具体的には、例えば、１．０ｎｍ、１．５ｎｍ、２．０ｎｍなどを例示することができる。一方、これら好ましい下限値と組み合わせ可能な好ましい上限値として、具体的には、例えば、１５．０ｎｍ、１０．０ｎｍ、８．０ｎｍなどを例示することができる。 Specific examples of the preferable lower limit of the thickness of the metal oxide thin film (B) include 1.0 nm, 1.5 nm, and 2.0 nm. On the other hand, specific examples of preferable upper limit values that can be combined with these preferable lower limit values include 15.0 nm, 10.0 nm, 8.0 nm, and the like.
上記金属酸化物薄膜（Ｂ）を構成する金属酸化物として、チタンの酸化物を用いる場合、チタンの酸化物における酸素に対するチタンの原子モル比Ｔｉ／Ｏとしては、その好ましい下限値として、具体的には、例えば、１．０／４．０、１．０／３．８、１．０／３．５、１．０／３．０、１．０／２．８などを例示することができる。一方、これら好ましい下限値と組み合わせ可能な好ましい上限値として、具体的には、例えば、１．０／０．５、１．０／０．７、１．０／１．０、１．０／１．２、１．０／１．５、１．０／２．０などを例示することができる。Ｔｉ／Ｏ比がこの範囲内にあれば、膜質、界面の膜表面形状などに優れることから、金属薄膜（Ｍ）を構成する金属の拡散を抑制しやすくなるからである。 When a titanium oxide is used as the metal oxide constituting the metal oxide thin film (B), the atomic molar ratio Ti / O of titanium to oxygen in the titanium oxide is specifically set as a preferred lower limit. Examples include 1.0 / 4.0, 1.0 / 3.8, 1.0 / 3.5, 1.0 / 3.0, 1.0 / 2.8, and the like. it can. On the other hand, as preferable upper limit values that can be combined with these preferable lower limit values, specifically, for example, 1.0 / 0.5, 1.0 / 0.7, 1.0 / 1.0, 1.0 / Examples include 1.2, 1.0 / 1.5, 1.0 / 2.0, and the like. This is because if the Ti / O ratio is within this range, the film quality and the film surface shape at the interface are excellent, and it becomes easy to suppress the diffusion of the metal constituting the metal thin film (M).
上記Ｔｉ／Ｏ比は、当該膜の組成から算出することができる。当該膜の組成分析方法としては、極めて薄い薄膜の組成を比較的正確に分析することが可能な観点から、エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析（ＥＤＸ）を好適に用いることができる。 The Ti / O ratio can be calculated from the composition of the film. As a method for analyzing the composition of the film, energy dispersive X-ray fluorescence analysis (EDX) can be suitably used from the viewpoint that the composition of an extremely thin thin film can be analyzed relatively accurately.
具体的な組成分析方法について説明すると、先ず、超薄切片法（ミクロトーム）などを用いて、分析対象となる当該膜を含む積層構造の断面方向の厚みが１００ｎｍ以下の試験片を作製する。次いで、断面方向から積層構造と当該膜の位置を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により確認する。次いで、ＥＤＸ装置の電子銃から電子線を放出させ、分析対象となる当該膜の膜厚中央部近傍に入射させる。試験片表面から入射した電子は、ある深さまで入り込み、各種の電子線やＸ線を発生させる。この際の特性Ｘ線を検出して分析することで、当該膜の構成元素分析を行うことができる。 A specific composition analysis method will be described. First, using an ultrathin section method (microtome) or the like, a test piece having a thickness of 100 nm or less in the cross-sectional direction of the laminated structure including the film to be analyzed is prepared. Next, the laminated structure and the position of the film are confirmed from the cross-sectional direction with a transmission electron microscope (TEM). Next, an electron beam is emitted from the electron gun of the EDX apparatus and is incident on the vicinity of the central portion of the film to be analyzed. Electrons incident from the surface of the test specimen enter to a certain depth and generate various electron beams and X-rays. By detecting and analyzing characteristic X-rays at this time, the constituent elements of the film can be analyzed.
上記金属酸化物薄膜（Ｂ）は、緻密な膜を形成できる、数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の薄膜を均一な膜厚で形成できるなどの観点から、気相法により好適に形成すると良い。 The metal oxide thin film (B) is preferably formed by a vapor phase method from the viewpoint that a dense film can be formed and a thin film of several nm to several tens of nm can be formed with a uniform film thickness.
上記気相法としては、具体的には、例えば、上述した真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法、レーザーアブレーションなどといった物理的気相成長法（ＰＶＤ）、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤなどといった化学的気相成長法（ＣＶＤ）などを例示することができる。 Specific examples of the vapor phase method include physical vapor deposition methods (PVD) such as the above-described vacuum deposition method, sputtering method, ion plating method, MBE method, laser ablation, thermal CVD, and plasma CVD. Examples thereof include chemical vapor deposition (CVD) and the like.
この際、上記金属酸化物薄膜（Ｂ）は、主に金属酸化物より形成されているので、上記各薄膜形成法による成膜時には、その雰囲気中に酸素を含むガスを導入する必要がある。 At this time, since the metal oxide thin film (B) is mainly formed of a metal oxide, it is necessary to introduce a gas containing oxygen into the atmosphere at the time of film formation by the respective thin film formation methods.
なお、各金属酸化物薄膜（Ｂ）は、これら気相法のうち何れか１つの方法を用いて形成されていても良いし、あるいは、２つ以上の方法を用いて形成されていても良い。 Each metal oxide thin film (B) may be formed using any one of these vapor phase methods, or may be formed using two or more methods. .
上記気相法としては、真空蒸着法などと比較して膜界面の密着性に優れる、膜厚制御が容易であるなどの観点から、上述したスパッタリング法を好適に用いることができる。 As the gas phase method, the above-described sputtering method can be suitably used from the viewpoints of excellent adhesion at the film interface as compared with a vacuum vapor deposition method and the like and easy film thickness control.
但し、スパッタリング法を用いる場合には、例えば、スパッタリングガスとしてのアルゴン、ネオンなどの不活性ガスに、さらに反応性ガスとして酸素を含むガスを混合し、金属と酸素とを反応させながら金属酸化物薄膜（Ｂ）を形成することになる（反応性スパッタリング法）。 However, when the sputtering method is used, for example, a gas containing oxygen as a reactive gas is mixed with an inert gas such as argon or neon as a sputtering gas, and a metal oxide is reacted while reacting the metal and oxygen. A thin film (B) is formed (reactive sputtering method).
また、反応性スパッタリング法を用いて、例えば、上記Ｔｉ／Ｏ比を有するチタン酸化物薄膜を得る場合、雰囲気中の酸素濃度（不活性ガスに対する酸素を含むガスの体積割合）は、上述した膜厚範囲を考慮して最適な割合を適宜選択すれば良い。 In addition, for example, when a titanium oxide thin film having the Ti / O ratio is obtained by using the reactive sputtering method, the oxygen concentration in the atmosphere (volume ratio of the gas containing oxygen to the inert gas) An optimum ratio may be selected as appropriate in consideration of the thickness range.
具体的には、膜厚を厚くするには、金属チタンターゲットへの投入電力などを増やせば良く、一方、膜厚を薄くするには、同投入電力などを減らせば良い。したがって、上述した最小膜厚値を選択した場合には、酸素濃度の好ましい下限値として、具体的には、例えば、２ｖｏｌ％などを例示することができる。一方、上述した最大膜厚値を選択した場合には、酸素濃度の好ましい上限値として、具体的には、例えば、３５ｖｏｌ％などを例示することができる。酸素濃度がこの範囲にあれば、上記Ｔｉ／Ｏ比を有するチタン酸化物薄膜を得ることができる。 Specifically, in order to increase the film thickness, it is sufficient to increase the input power to the titanium metal target. On the other hand, to decrease the film thickness, the input power may be decreased. Therefore, when the above-mentioned minimum film thickness value is selected, specifically, for example, 2 vol% can be exemplified as a preferable lower limit value of the oxygen concentration. On the other hand, when the above-described maximum film thickness value is selected, specific examples of the preferable upper limit value of the oxygen concentration include 35 vol%. If the oxygen concentration is within this range, a titanium oxide thin film having the Ti / O ratio can be obtained.
なお、上部電極基板における積層構造において、上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）、金属薄膜（Ｍ）および金属酸化物薄膜（Ｂ）の各材料は、必要に応じて上述したものから適宜選択して用いることができる。最も好適な膜材料の組み合わせとしては、上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）および金属酸化物薄膜（Ｂ）における金属酸化物として、チタンの酸化物、金属薄膜（Ｍ）における金属として、銀または銀合金を例示することができる。全光線透過率が高い、可視光反射率が低い、導電性が高いなど、光学特性および電気特性のバランスが良いからである。 In the laminated structure of the upper electrode substrate, the materials for the metal oxide thin film (MO), the metal thin film (M), and the metal oxide thin film (B) are appropriately selected from those described above as necessary. be able to. As the most preferable combination of film materials, as the metal oxide in the metal oxide thin film (MO) and the metal oxide thin film (B), titanium oxide, as the metal in the metal thin film (M), silver or silver alloy Can be illustrated. This is because the optical properties and electrical properties are well balanced, such as high total light transmittance, low visible light reflectance, and high conductivity.
＜各薄膜の積層方法＞
上記積層構造を形成するにあたり、上記金属酸化物薄膜（ＭＯ）の形成方法と、上記金属薄膜（Ｍ）の形成方法と、上記金属酸化物薄膜（Ｂ）の形成方法とを適宜組み合わせ、透明基板の表面に、金属酸化物薄膜（ＭＯ）、金属薄膜（Ｍ）、金属酸化物薄膜（Ｂ）を積層していく方法としては、具体的には、例えば、次のような方法を例示することができる。以下、透明高分子フィルムの表面に、ＭＯ│Ｂ／Ｍ／Ｂ│ＭＯの積層構造を備えた上部電極基板を形成する場合について説明する。
<Lamination method of each thin film>
In forming the laminated structure, the method for forming the metal oxide thin film (MO), the method for forming the metal thin film (M), and the method for forming the metal oxide thin film (B) are appropriately combined to form a transparent substrate. As a method of laminating the metal oxide thin film (MO), the metal thin film (M), and the metal oxide thin film (B) on the surface of the metal, specifically, for example, the following method is exemplified. Can do. Hereinafter, the case where the upper electrode substrate provided with the laminated structure of MO | B / M / B | MO is formed on the surface of the transparent polymer film will be described.
先ず、透明高分子フィルムの表面上に、上述したゾル−ゲル法などの液相法により金属酸化物薄膜（ＭＯ）を形成した後、これをロールに巻き取る。 First, a metal oxide thin film (MO) is formed on the surface of a transparent polymer film by a liquid phase method such as the sol-gel method described above, and then wound on a roll.
次に、このロールを、上述した反応性スパッタリング法などの気相法による薄膜形成装置の成膜室内に装着し、ロールを繰り出しながら、酸素を含む雰囲気中で、金属酸化物薄膜（ＭＯ）の表面上に金属酸化物薄膜（Ｂ）を形成する。次いで、このフィルム体を他の成膜室に移動させ、引き続き、酸素を実質的に含まない雰囲気中で、金属酸化物薄膜（Ｂ）の表面上に金属薄膜（Ｍ）を形成する。次いで、このフィルム体を他の成膜室に移動させ、上記と同様にして、酸素を含む雰囲気中で金属薄膜（Ｍ）の表面上に金属酸化物薄膜（Ｂ）を形成し、これをロールに巻き取る。 Next, this roll is mounted in a film forming chamber of a thin film forming apparatus using a vapor phase method such as the above-described reactive sputtering method, and the metal oxide thin film (MO) is formed in an oxygen-containing atmosphere while the roll is fed out. A metal oxide thin film (B) is formed on the surface. Next, this film body is moved to another film formation chamber, and subsequently, a metal thin film (M) is formed on the surface of the metal oxide thin film (B) in an atmosphere substantially free of oxygen. Next, this film body is moved to another film formation chamber, and in the same manner as described above, a metal oxide thin film (B) is formed on the surface of the metal thin film (M) in an atmosphere containing oxygen, and this is rolled. Take up around.
次に、このロールを繰り出しながら、上記と同様にして、金属酸化物薄膜（Ｂ）の表面上に金属酸化物薄膜（ＭＯ）を形成し、これをロールに巻き取る。 Next, while feeding out this roll, a metal oxide thin film (MO) is formed on the surface of the metal oxide thin film (B) in the same manner as described above, and this is wound around the roll.
基本的には、このような操作を行えば、上部電極基板を連続的に製造することができる。なお、他の基本単位を含む積層構造を形成するには、上記方法に準じて行えば良い。また、各薄膜を複数の分割層より形成する場合には、各操作を分割数だけ繰り返し行えば良い。 Basically, the upper electrode substrate can be continuously manufactured by performing such an operation. In addition, what is necessary is just to perform according to the said method in order to form the laminated structure containing another basic unit. When each thin film is formed from a plurality of divided layers, each operation may be repeated for the number of divisions.
また、上部電極基板は、透明基板の下部電極基板に対向する面とは反対側の面に、反射防止膜を有していても良い。 Further, the upper electrode substrate may have an antireflection film on the surface of the transparent substrate opposite to the surface facing the lower electrode substrate.
反射防止膜は、例えば、フッ素含有樹脂や低屈折率フィラー添加樹脂などを含む塗工液を、透明基板の下部電極基板に対向する面とは反対側の面に塗工し、乾燥、必要に応じて重合させるなどして形成することができる。 For example, the antireflection film is coated with a coating solution containing fluorine-containing resin or low-refractive-index filler-added resin on the surface of the transparent substrate opposite to the surface facing the lower electrode substrate, and then dried and necessary. It can be formed by polymerization or the like.
本タッチパネルは、例えば、次のように製造することができる。上部電極基板の基板周囲に、導電性ペーストなどの導電性材料により、取り出し電極を形成し、この取り出し電極に電位取り出し配線を取り付ける。 This touch panel can be manufactured as follows, for example. A take-out electrode is formed around the upper electrode substrate by a conductive material such as a conductive paste, and a potential take-out wiring is attached to the take-out electrode.
また、下部電極基板の基板周囲に、導電性ペーストなどの導電性材料により電圧印加電極を形成し、この電圧印加電極の四隅にそれぞれ配線を取り付ける。 In addition, a voltage application electrode is formed from a conductive material such as a conductive paste around the lower electrode substrate, and wirings are attached to the four corners of the voltage application electrode, respectively.
そして、上部電極基板の導電面と下部電極基板の導電面とを対向させ、スペーサなどを任意に介して所定の隙間を形成した状態で貼り合わせるなどすれば、本タッチパネルを製造することができる。 Then, if the conductive surface of the upper electrode substrate and the conductive surface of the lower electrode substrate are opposed to each other and bonded together in a state where a predetermined gap is formed via a spacer or the like, this touch panel can be manufactured.
以下、実施例および比較例を用いて本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail using Examples and Comparative Examples.
１．上部電極フィルムの作製
初めに、実施例に係るタッチパネルに適用可能な上部電極フィルムとして、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５に係る上部電極フィルムを作製した。
1. Production of Upper Electrode Film First, as an upper electrode film applicable to the touch panel according to the example, No. 1-No. The upper electrode film which concerns on 5 was produced.
ここで、各上部電極フィルムは、基本的には、それぞれ、ＰＥＴフィルムの片面に、ゾル−ゲル法によるチタン酸化物薄膜（ＭＯ）│反応性スパッタリング法によるチタン酸化物薄膜（Ｂ）／銀系薄膜（Ｍ）／反応性スパッタリング法によるチタン酸化物薄膜（Ｂ）│ゾル−ゲル法によるチタン酸化物薄膜（ＭＯ）の３層よりなる積層構造を有している。 Here, each upper electrode film basically has a titanium oxide thin film (MO) by a sol-gel method on one side of a PET film, and a titanium oxide thin film (B) by a reactive sputtering method / silver system. It has a laminated structure consisting of three layers: thin film (M) / titanium oxide thin film (B) by reactive sputtering method | titanium oxide thin film (MO) by sol-gel method.
表１に、後述する手順により作製した各上部電極フィルムの積層構造の詳細な膜構成および膜厚を示す。表２に、各上部電極フィルム作製時における、反応性スパッタリング法によるチタン酸化物薄膜（Ｂ）の成膜条件を示す。表３に、各上部電極フィルム作製時における、銀系薄膜（Ｍ）の成膜条件を示す。 Table 1 shows the detailed film configuration and film thickness of the laminated structure of each upper electrode film produced by the procedure described later. Table 2 shows the film forming conditions of the titanium oxide thin film (B) by the reactive sputtering method at the time of preparing each upper electrode film. Table 3 shows the film forming conditions of the silver-based thin film (M) at the time of producing each upper electrode film.
以下、各上部電極フィルムの具体的な作製手順を示す。 Hereinafter, the specific preparation procedure of each upper electrode film is shown.
以下の手順により、チタン酸化物薄膜（ＭＯ）の形成に使用するコーティング液を調製した。すなわち、チタンアルコキシドとして、テトラ−ｎ−ブトキシチタン４量体（日本曹達（株）製、「Ｂ４」）と、紫外線吸収性のキレートを形成する添加剤として、アセチルアセトンとを、ｎ−ブタノールとイソプロピルアルコールとの混合溶媒に配合し、これを攪拌機を用いて１０分間混合することにより、コーティング液を調製した。この際、テトラ−ｎ−ブトキシチタン４量体／アセチルアセトン／ｎ−ブタノール／イソプロピルアルコールの配合は、それぞれ６．７５質量％／３．３８質量％／５９．８７質量％／３０．００質量％とした。 A coating solution used for forming a titanium oxide thin film (MO) was prepared by the following procedure. That is, tetra-n-butoxytitanium tetramer (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., “B4”) as titanium alkoxide, and acetylacetone as an additive that forms an ultraviolet-absorbing chelate, n-butanol and isopropyl It mix | blended with the mixed solvent with alcohol, and this was mixed for 10 minutes using the stirrer, and the coating liquid was prepared. At this time, the composition of tetra-n-butoxy titanium tetramer / acetylacetone / n-butanol / isopropyl alcohol was 6.75% by mass / 3.38% by mass / 59.87% by mass / 30.00% by mass, respectively. did.
次に、透明高分子フィルムとして、易接着層が片面に形成された厚み１２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製、「コスモシャイン（登録商標）Ａ４１００」）（以下、「ＰＥＴフィルム」という。）を用い、このＰＥＴフィルムの易接着層面側とは反対側の面（ＰＥＴ面）側に、１層目として、ＴｉＯ２薄膜（ＭＯ）を以下の手順により成膜した。 Next, as a transparent polymer film, a polyethylene terephthalate film having a thickness of 125 μm having an easy-adhesion layer formed on one side (“Cosmo Shine (registered trademark) A4100” manufactured by Toyobo Co., Ltd.) (hereinafter referred to as “PET film”) )), A TiO 2 thin film (MO) was formed as a first layer on the surface (PET surface) side opposite to the easily adhesive layer surface side of this PET film by the following procedure.
すなわち、ＰＥＴフィルムのＰＥＴ面側に、ダイレクトグラビアコーターを用いて、線速３ｍ／ｍｉｎで上記コーティング液を連続的に塗工した。次いで、インラインの乾燥炉を用いて、塗工膜を１００℃で８０秒間乾燥させ、ＴｉＯ２薄膜（ＭＯ）の前駆体膜を形成した。次いで、インラインの紫外線照射機〔高圧水銀ランプ（１６０Ｗ／ｃｍ）〕を用いて、上記塗工時と同線速で、上記前駆体膜に対して連続的に紫外線を１．５秒間照射した。これによりＰＥＴフィルム上に、ゾル−ゲル法によるＴｉＯ２薄膜（ＭＯ）が形成されたロール状のサンプルを作製した。 That is, the coating liquid was continuously applied to the PET surface side of the PET film at a linear speed of 3 m / min using a direct gravure coater. Next, the coating film was dried at 100 ° C. for 80 seconds using an in-line drying furnace to form a TiO 2 thin film (MO) precursor film. Then, using an in-line ultraviolet irradiator [high pressure mercury lamp (160 W / cm)], the precursor film was continuously irradiated with ultraviolet rays for 1.5 seconds at the same linear velocity as that during the coating. Thus on the PET film, the sol - to prepare a rolled samples TiO 2 thin film (MO) are formed by gel method.
なお、この薄膜中に含まれる有機分の含有量を、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定したところ、５質量％であった。 In addition, it was 5 mass% when content of the organic content contained in this thin film was measured by the X ray photoelectron spectroscopy (XPS).
次に、２層目として、１層目のＴｉＯ２薄膜上に、チタン酸化物薄膜（Ｂ）／銀系薄膜（Ｍ）／チタン酸化物薄膜（Ｂ）を以下の手順により成膜した。なお、成膜条件は、上記表に示した通りである。 Next, as a second layer, a titanium oxide thin film (B) / silver-based thin film (M) / titanium oxide thin film (B) was formed on the first TiO 2 thin film by the following procedure. The film forming conditions are as shown in the above table.
すなわち、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、先ず、下側のチタン酸化物薄膜（Ｂ）を反応性スパッタにより成膜した。次いで、この下側のチタン酸化物薄膜（Ｂ）上に銀系薄膜（Ｍ）をスパッタリングにより成膜した。次いで、この銀系薄膜（Ｍ）上に上側のチタン酸化物薄膜（Ｂ）を反応性スパッタにより成膜した。 That is, first, a lower titanium oxide thin film (B) was formed by reactive sputtering using a DC magnetron sputtering apparatus. Next, a silver-based thin film (M) was formed on the lower titanium oxide thin film (B) by sputtering. Next, the upper titanium oxide thin film (B) was formed on the silver thin film (M) by reactive sputtering.
次に、３層目として、２層目の上側のチタン酸化物薄膜（Ｂ）上に、ＴｉＯ２薄膜（ＭＯ）を成膜した。 Next, as the third layer, a TiO 2 thin film (MO) was formed on the upper titanium oxide thin film (B) of the second layer.
その後、ロール状の各上部電極フィルムから、それぞれ１５ｃｍ角の大きさのフィルムを切り出した。これにより、各上部電極フィルムを作製した。 Then, a 15 cm square film was cut out from each roll-shaped upper electrode film. Thereby, each upper electrode film was produced.
なお、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜付きＰＥＴフィルム（トービ（株）製、「ＯＴＥＣ−２３０」）を比較用の上部電極フィルム（Ｎｏ．比１）とした。 In addition, the PET film with an indium tin oxide (ITO) thin film (Tobe Co., Ltd. product, "OTEC-230") was used as the upper electrode film for comparison (No. ratio 1).
２．上部電極フィルムの評価
次に、各上部電極フィルムについて、その初期および１００℃にて１２５時間加熱処理した後の全光線透過率、可視光反射率、表面抵抗値を測定した。
2. Evaluation of Upper Electrode Film Next, for each upper electrode film, the total light transmittance, the visible light reflectance, and the surface resistance value were measured at the initial stage and after heat treatment at 100 ° C. for 125 hours.
全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ７１０５に準拠し、ヘーズコンピューター（スガ試験機（株）製、「ＨＧＭ−２ＤＰ」）を用いて行った。また、可視光反射率は、ＪＩＳ Ｒ３１０６に準拠し、分光光度計（島津製作所（株）製、「ＵＶ３１００」）を用いて、波長３００〜１０００ｎｍの透過スペクトルを測定し、可視光反射率を計算することにより行った。また、表面抵抗値の測定には、渦電流計（コペル電子（株）製、「非接触抵抗率計モデル７１７」）を用いた。 The total light transmittance was performed using a haze computer (“HGM-2DP” manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.) in accordance with JIS K7105. The visible light reflectance is based on JIS R3106, and a visible light reflectance is calculated by measuring a transmission spectrum with a wavelength of 300 to 1000 nm using a spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, “UV3100”). It was done by doing. Further, an eddy current meter (manufactured by Coper Electronics Co., Ltd., “non-contact resistivity meter model 717”) was used for the measurement of the surface resistance value.
また、各チタン酸化物薄膜（Ｂ）について、ＥＤＸ分析を行い、Ｔｉ／Ｏ比を次のようにして求めた。 Moreover, about each titanium oxide thin film (B), the EDX analysis was performed and Ti / O ratio was calculated | required as follows.
すなわち、各上部電極フィルムをミクロトーム（ＬＫＢ（株）製、「ウルトロームＶ２０８８」）により切り出し、分析対象となるチタン酸化物薄膜（Ｂ）を含む積層構造の断面方向の厚みが１００ｎｍ以下の試験片を作製した。 In other words, each upper electrode film was cut out by a microtome (“Lultrome V2088” manufactured by LKB Co., Ltd.), and a test piece having a thickness in the cross-sectional direction of the laminated structure including the titanium oxide thin film (B) to be analyzed was 100 nm or less Produced.
次いで、この試験片の断面（積層構造とチタン酸化物薄膜（Ｂ）の位置）を、電界放出型電子顕微鏡（ＨＲＴＥＭ）（日本電子（株）製、「ＪＥＭ２００１Ｆ」）により確認した。 Subsequently, the cross section (position of the laminated structure and the titanium oxide thin film (B)) of the test piece was confirmed by a field emission electron microscope (HRTEM) (manufactured by JEOL Ltd., “JEM2001F”).
次いで、ＥＤＸ装置（分解能１３３ｅＶ以下）（日本電子（株）製、「ＪＥＤ−２３００Ｔ」）を用い、この装置の電子銃から電子線を放出させ、分析対象となるチタン酸化物薄膜（Ｂ）の膜厚中央部近傍に入射させ、発生した特性Ｘ線を検出して分析することにより、各チタン酸化物薄膜（Ｂ）の構成元素分析を行った。 Next, using an EDX apparatus (resolution: 133 eV or less) (manufactured by JEOL Ltd., “JED-2300T”), an electron beam is emitted from the electron gun of this apparatus, and the titanium oxide thin film (B) to be analyzed The component element analysis of each titanium oxide thin film (B) was performed by making it enter into the film thickness center vicinity, and detecting and analyzing the generated characteristic X ray.
表４に、各上部電極フィルムについて得られた測定結果をまとめて示す。 Table 4 summarizes the measurement results obtained for each upper electrode film.
上記表４によれば、次のことが分かる。 According to Table 4 above, the following can be understood.
すなわち、Ｎｏ．比１に係る上部電極フィルムは、他に比較して、全光線透過率が低く、可視光反射率が高いことが分かる。 That is, no. It can be seen that the upper electrode film according to the ratio 1 has a lower total light transmittance and a higher visible light reflectance than others.
これに対し、Ｎｏ．１〜５に係る上部電極フィルムは、上記に比較して、全光線透過率が高く、可視光反射率が低いことが分かる。また、Ｎｏ．１〜５に係る上部電極フィルムは、銀系薄膜を有するにも関わらず、加熱後も、全光線透過率がほとんど変動していないことが分かる。また、表面抵抗は、いずれも２０Ω以下であり、良好な導電性を有していることが分かる。 In contrast, no. It can be seen that the upper electrode films according to 1 to 5 have higher total light transmittance and lower visible light reflectance than the above. No. Although the upper electrode film which concerns on 1-5 has a silver-type thin film, it turns out that a total light transmittance has hardly fluctuate | varied even after a heating. In addition, the surface resistance is 20Ω or less, and it can be seen that the surface resistance is good.
これらのことから、Ｎｏ．１〜５に係る上部電極フィルムは、視認性に優れ、しかも、銀合金薄膜を構成する銀の拡散を抑制できており、耐久性、耐熱性に優れていることが確認できた。 From these facts, no. It was confirmed that the upper electrode films according to 1 to 5 were excellent in visibility and could suppress diffusion of silver constituting the silver alloy thin film, and were excellent in durability and heat resistance.
４．タッチパネルの作製
（実施例１）
次に、Ｎｏ．１に係る上部電極フィルムを用い、実施例１に係るタッチパネルを作製した。
4). Production of touch panel (Example 1)
Next, no. A touch panel according to Example 1 was prepared using the upper electrode film according to 1.
すなわち、図１に示すように、上部電極フィルム１０の薄膜形成面側における四辺の全周縁部に、導電性ペースト（藤倉化成（株）製、「ドータイト（登録商標） ＦＡ−３０１ＣＡ」）を用いて、２ｍｍ幅、１０μｍ厚の取り出し電極１２を形成するとともに、電位取り出し配線Ｅを取り付けた。
That is, as shown in FIG. 1, a conductive paste (manufactured by Fujikura Kasei Co., Ltd., “Dotite (registered trademark) FA-301CA”) is used on all peripheral edges of the four sides on the thin film forming surface side of the
次いで、下部電極ガラスとして、表面抵抗が５００Ω／□のＩＴＯ薄膜が形成されたＩＴＯガラス１４（日本曹達（株）製、ＳＬＧガラス品、大きさ１５ｃｍ角、厚み１．１ｍｍ）を準備した。 Next, as the lower electrode glass, an ITO glass 14 (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., SLG glass product, size 15 cm square, thickness 1.1 mm) on which an ITO thin film having a surface resistance of 500Ω / □ was formed was prepared.
次いで、上部電極フィルム１０と同様にして、ＩＴＯガラス１４にけるＩＴＯ薄膜形成面側における四辺の全周縁部に、上記導電性ペーストを用いて、１ｍｍ幅、５μｍ厚の電圧印加電極１６を形成するとともに、四隅に配線Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを取り付けた。
Next, in the same manner as the
次いで、上部電極フィルム１０上の取り出し電極１２と、ＩＴＯガラス１４上の電圧印加電極１６との間に、絶縁性の両面テープ１８（積水化学工業（株）製、「両面テープＷ３−１５Ｃ」）を挟み込み、取り出し電極１２と電圧印加電極１６とが導通しないように貼り合わせた。
Then, between the
これによりアナログ形式かつ５線抵抗膜方式の実施例１に係るタッチパネルを得た。なお、作製したタッチパネルでは、スペーサは省略した。 This obtained the touch panel which concerns on Example 1 of an analog type and a 5-wire resistive film system. In the manufactured touch panel, the spacer is omitted.
（実施例２）
上記実施例１に係るタッチパネルの作製において、上部電極フィルムの薄膜形成面側とは反対側の面に、低屈折率塗工液（触媒化成（株）製、「ＥＬＣＯＭ ＴＱ１００３ＳＩＣ」）を塗工し、８０℃で乾燥させ、窒素パージ条件にて６００ｍＪ／ｃｍ２で紫外線照射することにより、反射防止膜（厚み９０ｎｍ）を形成したこと以外は同様にして、アナログ形式かつ５線抵抗膜方式の実施例２に係るタッチパネルを作製した。
(Example 2)
In the production of the touch panel according to Example 1 above, a low refractive index coating solution (“ELCOM TQ1003SIC” manufactured by Catalytic Chemical Co., Ltd.) is applied to the surface of the upper electrode film opposite to the thin film forming surface. In the same manner except that an antireflection film (thickness 90 nm) was formed by drying at 80 ° C. and irradiating with ultraviolet rays at 600 mJ / cm 2 under a nitrogen purge condition. A touch panel according to Example 2 was produced.
（比較例１）
市販のカーナビゲーションシステム（富士通テン（株）製、「ＡＶＮ４４０５ＳＤ」）のディスプレイ表面に取り付けられているタッチパネルを取り外し、これを比較例１に係るタッチパネルとした。なお、当該タッチパネルは、アナログ形式かつ４線抵抗膜方式であり、上部電極基板としてＩＴＯフィルムを用いている。
(Comparative Example 1)
The touch panel attached to the display surface of a commercially available car navigation system (manufactured by Fujitsu Ten Ltd., “AVN4405SD”) was removed, and this was used as the touch panel according to Comparative Example 1. The touch panel is an analog type and a four-wire resistive film type, and an ITO film is used as the upper electrode substrate.
５．タッチパネルの評価
先ず、実施例に係るタッチパネルにつき、下記の手順により動作確認を行った。すなわち、図１に示す配線Ａ、配線Ｂの各端子に５Ｖ印加するとともに配線Ｃ、配線Ｄを接地した。次いで、上部電極フィルム１０の任意の位置を指で押さえることにより、上部電極フィルム１０および下部電極ガラス１４の導電面を接触させ、配線Ｅの端子から接触位置の電位を検出した。その結果、図１の矢印Ｘ方向の位置によって電位が変化していることを確認した。
5. Evaluation of Touch Panel First, the operation of the touch panel according to the example was confirmed by the following procedure. That is, 5 V was applied to each terminal of the wiring A and the wiring B shown in FIG. 1, and the wiring C and the wiring D were grounded. Next, the conductive surface of the
同様に、図１に示す配線Ｂ、配線Ｃの各端子に５Ｖ印加するとともに配線Ａ、配線Ｄを接地した。次いで、上部電極フィルム１０の任意の位置を指で押さえることにより、上部電極フィルム１０および下部電極ガラス１４の導電面を接触させ、配線Ｅの端子から接触位置の電位を検出した。その結果、図１の矢印Ｙ方向の位置によって電位が変化していることを確認した。以上の結果から、実施例に係るタッチパネルは、タッチパネルとして動作することを確認できた。
Similarly, 5 V was applied to each terminal of the wiring B and the wiring C shown in FIG. 1, and the wiring A and the wiring D were grounded. Next, the conductive surface of the
次に、各タッチパネルについて、初期の全光線透過率、可視光反射率を測定した。なお、全光線透過率、可視光反射率の測定方法は、上述した通りである。 Next, the initial total light transmittance and visible light reflectance of each touch panel were measured. In addition, the measuring method of a total light transmittance and visible light reflectance is as having mentioned above.
表５に、各タッチパネルの光学特性の測定結果をまとめて示す。 Table 5 summarizes the measurement results of the optical characteristics of each touch panel.
表５の結果を相対比較すると以下のことが分かる。すなわち、実施例に係るタッチパネルは、５線式抵抗膜方式のタッチパネルであって、全光線透過率が高く、かつ、可視光反射率が低い上部電極フィルムを用いている。 Comparing the results of Table 5 with each other reveals the following. That is, the touch panel according to the example is a 5-wire resistive touch panel, and uses an upper electrode film having a high total light transmittance and a low visible light reflectance.
そのため、実施例に係るタッチパネルは、比較例に係るタッチパネルよりも視認性に優れる。さらに、上記方式を採用しているので、４線式抵抗膜方式のタッチパネルに比較して、打鍵耐久性も向上させることが可能である。 Therefore, the touch panel according to the example is more visible than the touch panel according to the comparative example. Furthermore, since the above method is adopted, it is possible to improve the keystroke durability as compared with a 4-wire resistive touch panel.
本発明は上記実施形態、実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改変が可能である。 The present invention is not limited to the above embodiments and examples, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
１０ 上部電極フィルム
１２ 取り出し電極
１４ ＩＴＯガラス（下部電極ガラス）
１６ 電圧印加電極
１８ 両面テープ
Ａ 配線
Ｂ 配線
Ｃ 配線
Ｄ 配線
Ｅ 電位取り出し配線
10
16
Claims (9)
前記上部電極基板は、
透明基板の前記下部電極基板に対向する面に、有機分を含有する金属酸化物薄膜と、金属薄膜とが積層されており、かつ、
前記金属薄膜の少なくとも一方面には、前記有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜が形成されていることを特徴とするタッチパネル。 A touch panel in which an upper electrode substrate that functions as a probe for sensing voltage and a lower electrode substrate that performs coordinate detection of a touch position are arranged so that their conductive surfaces face each other,
The upper electrode substrate is
A metal oxide thin film containing an organic component and a metal thin film are laminated on a surface of the transparent substrate facing the lower electrode substrate, and
A touch panel, wherein a metal oxide thin film thinner than the metal oxide thin film containing the organic component is formed on at least one surface of the metal thin film.
前記金属薄膜を構成する金属は、銀、金、白金、銅、アルミニウム、クロム、チタン、亜鉛、スズ、ニッケル、コバルト、ニオブ、タンタル、タングステン、ジルコニウム、鉛、パラジウムおよびインジウムから選択される１種または２種以上の金属または前記金属を１種以上含む合金であることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。 The metal oxide thin film containing the organic component and the metal oxide thin film that is thinner than the metal oxide thin film containing the organic component are titanium oxide, zinc oxide, and indium oxide. One or more selected from: oxides of tin, oxides of indium and tin, oxides of magnesium, oxides of aluminum, oxides of zirconium, oxides of niobium and oxides of cerium ,
The metal constituting the metal thin film is one selected from silver, gold, platinum, copper, aluminum, chromium, titanium, zinc, tin, nickel, cobalt, niobium, tantalum, tungsten, zirconium, lead, palladium, and indium. The touch panel according to claim 1, wherein the touch panel is an alloy including two or more kinds of metals or one or more kinds of the metals.
前記金属薄膜を構成する金属は、銀または銀合金であることを特徴とする請求項１または２に記載のタッチパネル。 The metal oxide thin film that is thinner than the metal oxide thin film containing the organic content and the metal oxide thin film containing the organic content is an oxide of titanium,
The touch panel according to claim 1 or 2, wherein the metal constituting the metal thin film is silver or a silver alloy.
前記有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜は、気相法により形成されていることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載のタッチパネル。 The metal oxide thin film containing the organic component is formed by a liquid phase method,
The touch panel according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal oxide thin film thinner than the metal oxide thin film containing an organic component is formed by a vapor phase method.
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