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JP2008288388A - Packaging method of electronic component, and manufacturing method of electronic component incorporated substrate - Google Patents

Packaging method of electronic component, and manufacturing method of electronic component incorporated substrate Download PDF

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JP2008288388A
JP2008288388A JP2007132059A JP2007132059A JP2008288388A JP 2008288388 A JP2008288388 A JP 2008288388A JP 2007132059 A JP2007132059 A JP 2007132059A JP 2007132059 A JP2007132059 A JP 2007132059A JP 2008288388 A JP2008288388 A JP 2008288388A
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JP
Japan
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electronic component
conductor
substrate
resin layer
forming
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2007132059A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Kawabata
賢一 川畑
Hiroyuki Uematsu
博幸 上松
Toshinobu Miyakoshi
俊伸 宮越
Hisashi Kosara
恒 小更
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
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Publication of JP2008288388A publication Critical patent/JP2008288388A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a packaging method of electronic components, along with a manufacturing method of an electronic component incorporated substrate, capable of surely fixing an electronic component by sufficiently enhancing adhesion strength of the electronic component to a base body, and surely realizing connection to a wiring even if the pitch between terminals of electronic component is made shorter. <P>SOLUTION: A conductor 12 of a sintered metal conductor being softer that a bump 32 of an electronic component 30 is formed by baking at a resin layer 11a to obtain a base body 10. The bump 32 of the electronic component 30 is positioned at a through hole in which the conductor 12 is embedded. Both are pressed so that the bump 32 is inserted into the through hole, causing a terminal surface of the electronic component 30 to abut against the resin layer 11a. Under such condition as the electronic component 30 is tightly secured to the resin layer 11a, the electronic component 30 is covered with a resin layer 40, and the resin layers 11a and 40 are hardened. Then, wirings 51 and 52 are formed and a passive component 60 is mounted to obtain the electronic component incorporated substrate 1. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、基体へ電子部品を実装する方法、および絶縁層中に電子部品が埋め込まれた電子部品内蔵基板を製造する方法に関する。   The present invention relates to a method for mounting an electronic component on a substrate, and a method for manufacturing an electronic component-embedded substrate in which the electronic component is embedded in an insulating layer.

近年、半導体IC等の能動部品やコンデンサ等の受動部品が搭載されたモジュールに対する小型化および薄型化の要求を満たすべく、例えば半導体ICをベアチップ(ダイ:Die)の状態でプリント基板等に搭載する技術が知られている。このようなベアチップ状態の半導体ICは、パッケージに収納された半導体ICに比して電極ピッチが非常に狭いことから、これをプリント基板等に搭載する場合、半導体ICに設けられた電極端子とプリント基板に設けられた配線とを如何にして確実に接続するかが重要な問題となる。   In recent years, for example, a semiconductor IC is mounted on a printed circuit board or the like in a bare chip (die) state in order to satisfy the demand for miniaturization and thinning of a module on which active components such as a semiconductor IC and passive components such as a capacitor are mounted. Technology is known. Such a bare-chip semiconductor IC has a very narrow electrode pitch compared to the semiconductor IC housed in the package. Therefore, when mounting this on a printed circuit board or the like, the electrode terminals provided on the semiconductor IC and the printed circuit An important issue is how to securely connect the wiring provided on the substrate.

このようなモジュールにおいて電子部品の端子と配線とを接続する方法としては、基板上に電子部品をその端子面(フェース)が基板と反対側に向くように、いわゆるフェースアップで載置し、その電子部品を覆う樹脂層を形成し硬化させ、当該樹脂層に接続孔(ビアホールやコンタクトホール)を形成して電子部品の端子を露出させ、前記接続孔を埋め込むように配線を形成する技術が知られている(特許文献1参照)。   In such a module, as a method of connecting the terminals of the electronic component and the wiring, the electronic component is placed on the substrate with a so-called face-up so that the terminal surface (face) faces away from the substrate. A technology is known in which a resin layer covering an electronic component is formed and cured, a connection hole (via hole or contact hole) is formed in the resin layer to expose a terminal of the electronic component, and a wiring is formed so as to fill the connection hole. (See Patent Document 1).

また、他の方法として、例えば配線や接続点を形成した基板(硬化樹脂)上に電子部品をその端子面が基板側に向くように、いわゆるフェースダウンで載置し、基板の配線等と電子部品の端子とを接触させ、その電子部品を覆う樹脂層を形成し硬化させる方法も知られている(特許文献2参照)。
特開2005−64470号公報 特開2003−188538号公報
As another method, for example, an electronic component is placed on a substrate (cured resin) on which wiring and connection points are formed, so that the terminal surface thereof faces the substrate side, so-called face-down. A method is also known in which a terminal of a component is brought into contact and a resin layer covering the electronic component is formed and cured (see Patent Document 2).
JP 2005-64470 A JP 2003-188538 A

しかしながら、フェースアップ方式では、電子部品を覆う樹脂層が硬化時に収縮するため、不可避的に、電子部品が当初の載置位置からずれてしまう。その結果、樹脂層に埋設された電子部品の端子の位置に確実に合致した接続孔をパターニング形成することが困難となってしまう。そのため、樹脂層の硬化収縮による端子の位置ずれの程度を予め見込んでおき、そのような位置ずれがあっても端子を露出させることが可能な大きな接続孔を穿設することが必要となる。その結果、端子間ピッチの更なる狭小化に十分に対応することが困難となり、電子部品が内蔵されたモジュールの更なる小型化に十分に対応できないおそれがある。   However, in the face-up method, the resin layer that covers the electronic component contracts during curing, so that the electronic component is inevitably displaced from the initial placement position. As a result, it becomes difficult to pattern and form a connection hole that reliably matches the position of the terminal of the electronic component embedded in the resin layer. Therefore, it is necessary to anticipate in advance the degree of positional displacement of the terminal due to the curing shrinkage of the resin layer, and to make a large connection hole that can expose the terminal even if there is such positional displacement. As a result, it becomes difficult to sufficiently cope with further narrowing of the pitch between terminals, and there is a possibility that it cannot sufficiently cope with further downsizing of the module in which the electronic component is built.

一方、フェースダウン方式では、上述の如く、電子部品を接続する配線や接続点が形成された基板に電子部品を載置するので、フェースアップ方式に比して、電子部品の接続精度は高くなる。しかしながら、電子部品の電極端子は、電子部品の本体面から突出しているので、既に硬化して配線パターンが形成されているような基板に電子部品を載置した場合、その端子の高さに起因して、基板と電子部品本体との間に空隙(隙間)ができてしまい、その状態で電子部品を樹脂層で被覆しても、その空隙は残ってしまうので、基板と電子部品の接着性が低下し、基板上への電子部品の固定が不安定となってしまう。よって、フェースダウン方式は、一般に、フェースダウン方式に比して基板と電子部品との接着強度(機械的な接続強度)に劣る傾向にある。   On the other hand, in the face-down method, as described above, the electronic components are placed on the substrate on which wiring and connection points for connecting the electronic components are formed, so that the connection accuracy of the electronic components is higher than in the face-up method. . However, since the electrode terminal of the electronic component protrudes from the body surface of the electronic component, when the electronic component is placed on a substrate that has already been cured and a wiring pattern is formed, it is caused by the height of the terminal. As a result, a gap (gap) is formed between the substrate and the electronic component main body, and even if the electronic component is covered with the resin layer in this state, the void remains, so that the adhesion between the substrate and the electronic component is maintained. And the fixing of the electronic component on the board becomes unstable. Therefore, the face-down method generally tends to be inferior in the adhesive strength (mechanical connection strength) between the substrate and the electronic component as compared with the face-down method.

そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子部品の基体への接着強度を十分に高めて電子部品を確実に固定することができ、これにより電子部品の位置ずれを抑止して電気的な接続信頼性を向上させることができ、しかも、電子部品の端子間ピッチが狭小化されても、配線との接続を確実に実現できるので、電子部品をモジュール化する際の更なる小型化に資することが可能な電子部品の実装方法、および電子部品内蔵基板の製造方法を提供することにある。   Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, and the object thereof is to sufficiently increase the adhesive strength of the electronic component to the substrate, thereby securely fixing the electronic component. Electrical connection reliability can be improved by suppressing misalignment, and even if the pitch between terminals of the electronic component is narrowed, the connection with the wiring can be realized reliably, so the electronic component is modularized An object of the present invention is to provide an electronic component mounting method and a method for manufacturing an electronic component-embedded substrate that can contribute to further miniaturization.

上記課題を解決するために、本発明による電子部品の実装方法は、基体に端子を備える電子部品を実装する方法であって、樹脂層と、樹脂層を貫通する貫通孔に埋め込まれた、端子よりも柔らかい導体とを備える基体を形成する工程と、電子部品の端子をその貫通孔に挿入させて電子部品の基体側の面を基体に当接させる工程とを有する。なお、「導体」が「端子よりも柔らかい」とは、端子と導体とを押し当ててそれらに荷重を印加(つまり押圧)したときに導体の変形の程度が端子に比して大きいことを示し、材料自体の硬度のみならず、「導体」と「端子」の構造的な強度における柔らかさを示す。   In order to solve the above-described problem, an electronic component mounting method according to the present invention is a method for mounting an electronic component including a terminal on a base, the terminal embedded in a resin layer and a through-hole penetrating the resin layer. Forming a base including a softer conductor, and inserting a terminal of the electronic component into the through-hole and bringing the surface of the electronic component on the base into contact with the base. “Conductor” is “softer than the terminal” means that the degree of deformation of the conductor is larger than that of the terminal when the terminal and the conductor are pressed against each other and a load is applied (that is, pressed) to them. In addition to the hardness of the material itself, it indicates the softness in the structural strength of the “conductor” and “terminal”.

かかる構成においては、まず、基体として、樹脂層とそれを貫通するように形成された貫通孔に埋め込まれた導体とを形成し、樹脂層から露出したその導体に電子部品の端子を当接させて位置合わせを行なう。この状態で電子部品に所定の荷重を印加すると、導体の方が端子に比べて柔らかいことから、電子部品の端子が貫通孔に挿入され、最終的に電子部品本体の面(端子が設けられている面)と基体とが当接し、その結果、電子部品全体が樹脂層と確実に接触する。よって、電子部品と基体とが密着して接着強度が向上される。また、予め形成された導体が言わば接続ポスト(接続点)として機能するので、電子部品の位置合わせが極めて平易となり、電子部品が基体に精度良く実装される。   In such a configuration, first, as a base, a resin layer and a conductor embedded in a through hole formed so as to penetrate the resin layer are formed, and a terminal of an electronic component is brought into contact with the conductor exposed from the resin layer. Position. When a predetermined load is applied to the electronic component in this state, since the conductor is softer than the terminal, the terminal of the electronic component is inserted into the through hole, and finally the surface of the electronic component body (the terminal is provided) Surface) and the substrate come into contact with each other, and as a result, the entire electronic component reliably contacts the resin layer. Therefore, the electronic component and the substrate are in close contact with each other, and the adhesive strength is improved. In addition, since the conductor formed in advance functions as a connection post (connection point), the positioning of the electronic component becomes extremely easy, and the electronic component is mounted on the base with high accuracy.

好ましくは、基体を形成する工程においては、樹脂層として未硬化のものを備える基体を形成し、樹脂層を硬化させて電子部品を基体に固定する工程をさらに有する。このようにすれば、電子部品が当接した状態の未硬化の樹脂層を硬化することにより、基体への電子部品の接着強度がさらに高められ、その後の工程における電子部品の位置ずれとそれに起因する電子部品の電気的な接続不良が確実に防止される。   Preferably, the step of forming the substrate further includes a step of forming a substrate including an uncured resin layer and curing the resin layer to fix the electronic component to the substrate. In this way, by curing the uncured resin layer in a state in which the electronic component is in contact, the adhesion strength of the electronic component to the substrate is further increased, and the positional deviation of the electronic component in the subsequent process and the cause thereof Thus, poor electrical connection of electronic components is prevented.

より好ましくは、基体を形成する工程において、導体として空孔を有する焼結金属導体を備える基体を形成する。一般に、金属粉末を含む導電ペーストを焼成して得られる焼結金属導体は、導電ペーストのマトリックスである例えば有機ビヒクルが焼成時に揮散し金属粉末が焼結した多孔質状態、換言すれば多数の空孔が形成された三次元的な網の目状(ネットワーク)の構造を有するので、その導体に電子部品の端子が押し当てられて荷重が印加されると、多孔質構造が変形することにより、電子部品の端子が、導体が埋め込まれている貫通孔内に挿入され易くなる。   More preferably, in the step of forming the substrate, a substrate including a sintered metal conductor having pores as a conductor is formed. In general, a sintered metal conductor obtained by firing a conductive paste containing a metal powder is a porous state in which a matrix of the conductive paste, for example, an organic vehicle is volatilized during firing and the metal powder is sintered, in other words, a large number of voids. Since it has a three-dimensional mesh-like structure (network) with holes formed, when the terminal of the electronic component is pressed against the conductor and a load is applied, the porous structure is deformed, The terminal of the electronic component is easily inserted into the through hole in which the conductor is embedded.

具体的には、基体を形成する工程は、導体形成用シートに貫通孔を形成する工程と、貫通孔に導電ペーストを充填する工程と、導電ペーストが充填された導体形成用シートを下地基板上に積層する工程と、導体形成用シートを焼成して、導電ペーストを焼結金属導体とする工程と、下地基板から導体形成用シートの焼成物を除去する工程と、下地基板上に焼結金属導体を被覆するように樹脂層を形成する工程とを有すると好適である。   Specifically, the step of forming the base includes a step of forming a through hole in the conductor forming sheet, a step of filling the through hole with a conductive paste, and a step of forming the conductor forming sheet filled with the conductive paste on the base substrate. Laminating the conductor forming sheet, firing the conductive paste into a sintered metal conductor, removing the fired conductor forming sheet from the base substrate, and sintering the metal on the base substrate. And a step of forming a resin layer so as to cover the conductor.

このとき、導体形成用シートとして、非収縮性を有するものを用いると有用であり、かかる導体形成用シートとしては、焼結温度が導体よりも高いセラミックス材料からなるシートを例示できる。これにより、焼結金属導体を得るための焼成時においても、導体形成用シート自体の焼結が進まないことから、収縮がほとんど起こらない。その結果、導体の位置ずれが防止され、導体形成用シートから下地基板上に導体が精度良く転写される。   At this time, it is useful to use a non-shrinkable sheet as the conductor forming sheet, and examples of the conductor forming sheet include a sheet made of a ceramic material having a sintering temperature higher than that of the conductor. As a result, even during firing to obtain a sintered metal conductor, the conductor forming sheet itself does not proceed with sintering, and therefore shrinkage hardly occurs. As a result, the displacement of the conductor is prevented, and the conductor is accurately transferred from the conductor forming sheet onto the base substrate.

さらに、本発明による電子部品内蔵基板の製造方法は、本発明の電子部品の実装方法を用い、基体に設けられた絶縁層の内部に、端子を備える電子部品が配置された電子部品内蔵基板を製造する方法であって、樹脂層と、樹脂層を貫通する貫通孔に埋め込まれた、端子よりも柔らかい導体とを備える基体を形成する工程と、電子部品の端子を貫通孔に挿入させて、電子部品の基体側の面を基体に当接させる工程と、基体上に電子部品を覆うように絶縁層を形成する工程とを有する。   Furthermore, a method for manufacturing an electronic component built-in substrate according to the present invention includes an electronic component built-in substrate in which an electronic component including a terminal is disposed inside an insulating layer provided on a base using the electronic component mounting method according to the present invention. A method of manufacturing, a step of forming a base including a resin layer and a conductor embedded in a through hole penetrating the resin layer and softer than a terminal, and inserting a terminal of an electronic component into the through hole, A step of bringing the surface of the electronic component on the substrate side into contact with the substrate, and a step of forming an insulating layer on the substrate so as to cover the electronic component.

これによれば、基体へ電子部品を実装する際の位置決め精度が高められ、かつ、基体へ電子部品を確実に固定した後に絶縁層を形成して電子部品を埋め込むことにより、基体への電子部品の機械的および電気的な接続強度が向上された電子部品内蔵基板が製造される。特に、電子部品を覆う絶縁層として樹脂層を用いた場合であっても、その樹脂層で電子部品を被覆する前に電子部品が基体へ接着固定されているので、当該樹脂の硬化時の収縮に起因して電子部品の位置ずれが生じてしまうことが防止される。   According to this, the positioning accuracy when mounting the electronic component on the base is improved, and after the electronic component is securely fixed to the base, the insulating layer is formed and the electronic component is embedded, whereby the electronic component is mounted on the base. The electronic component built-in substrate with improved mechanical and electrical connection strength is manufactured. In particular, even when a resin layer is used as an insulating layer for covering an electronic component, the electronic component is bonded and fixed to the base before the electronic component is covered with the resin layer. This prevents the electronic components from being displaced.

好ましくは、前記絶縁層および前記電子部品の上面を研磨する工程をさらに有する。こうすれば、電子部品ひいては電子部品内蔵基板の薄型化・低背化が実現される。しかも、研磨するときに、電子部品が基体に十分に接着固定されていることから、電子部品の研磨が確実に実行されるとともに、その際の電子部品の位置ずれも抑止される。   Preferably, the method further includes a step of polishing the upper surface of the insulating layer and the electronic component. In this way, it is possible to reduce the thickness and height of the electronic component, and thus the electronic component built-in substrate. In addition, since the electronic component is sufficiently bonded and fixed to the base body when polishing, the polishing of the electronic component is surely executed and the displacement of the electronic component at that time is also suppressed.

さらに、基体の裏面に露出した導体に接続する配線を形成する工程を有するとより好ましい。基体の裏面には導体が露出しているので、その裏面においても導体が接続ポスト(接続点)として機能し、これにより、当該導体に配線を確実に接続させることができる。また、配線と電子部品の端子が異なる材料で形成されており、かつ、それらの各々と導体との接続性(結合性)が、配線と端子との接続性よりも優れる導体を用いれば、すなわち、そのような導体を介して配線と電子部品の端子を接続することにより、その接続部位における電気抵抗の増大が抑制され得る。   Furthermore, it is more preferable to have a step of forming a wiring connected to the conductor exposed on the back surface of the substrate. Since the conductor is exposed on the back surface of the base body, the conductor also functions as a connection post (connection point) on the back surface, whereby the wiring can be reliably connected to the conductor. In addition, if the wiring and the terminal of the electronic component are formed of different materials, and the conductor (connectivity) between each of them and the conductor is superior to the connectivity between the wiring and the terminal, that is, By connecting the wiring and the terminal of the electronic component through such a conductor, an increase in electrical resistance at the connection site can be suppressed.

またさらに、基体の裏面に露出した導体の少なくとも一部を除去して電子部品の端子を露出させる工程と、基体の裏面に露出した電子部品の端子に接続する配線を形成する工程とを有しても好適である。このようにすれば、導体の電気抵抗が電子部品の端子の電気抵抗に比べて大きい場合であっても、電子部品の端子に配線が直接接続されるので、端子と配線間の導電性がより高められる。   Furthermore, the method includes a step of removing at least a part of the conductor exposed on the back surface of the substrate to expose the terminal of the electronic component, and a step of forming a wiring connected to the terminal of the electronic component exposed on the back surface of the substrate. Is also suitable. In this way, even if the electrical resistance of the conductor is larger than the electrical resistance of the terminal of the electronic component, the wiring is directly connected to the terminal of the electronic component, so the conductivity between the terminal and the wiring is more Enhanced.

本発明の電子部品の実装方法、および電子部品内蔵基板の製造方法によれば、電子部品の端子を、接続ポストとして機能する導体が埋め込まれた貫通孔に挿入させることにより、電子部品の本体を基体に密着させて確実に固定することができるので、電子部品の位置ずれを抑止して電気的な接続信頼性を向上させることができるとともに、電子部品の端子間ピッチが狭小化されても、その端子と配線とを確実に接続することができ、これにより、電子部品をモジュール化する際の更なる小型化に対応することが可能となる。   According to the electronic component mounting method and the electronic component-embedded substrate manufacturing method of the present invention, the electronic component main body is inserted by inserting the terminal of the electronic component into the through hole in which the conductor functioning as the connection post is embedded. Since it can be securely fixed by being in close contact with the base, it is possible to improve the electrical connection reliability by suppressing the displacement of the electronic component, and even if the pitch between the terminals of the electronic component is narrowed, The terminal and the wiring can be reliably connected, and this makes it possible to cope with further downsizing when the electronic component is modularized.

以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Furthermore, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios. Further, the following embodiments are exemplifications for explaining the present invention, and are not intended to limit the present invention only to the embodiments. Furthermore, the present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.

図1は、本実施形態に係る電子部品内蔵基板の要部を示す概略断面図である。電子部品内蔵基板1は、基体10の一方の面(図示下面)上に樹脂層41が形成されており、樹脂層41の内部に電子部品30が埋め込まれて配置されたものである。基体10の他方の面(図示上面)上には、配線51が形成されており、基体10の一方の面上に配置された電子部品30と、基体10の他方の面上に配置された配線51とは、接続部位13において電気的に接続されている。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the main part of the electronic component built-in substrate according to the present embodiment. The electronic component built-in substrate 1 has a resin layer 41 formed on one surface (the lower surface in the drawing) of the base 10, and the electronic component 30 is embedded inside the resin layer 41. A wiring 51 is formed on the other surface (the upper surface in the drawing) of the base 10, and the electronic component 30 disposed on one surface of the base 10 and the wiring disposed on the other surface of the base 10. 51 is electrically connected at the connection site 13.

樹脂層41の図示下面(基体10とは反対側の面)には配線52が形成されており、基体10上の配線51と、樹脂層41上の配線52とは、樹脂層41を貫通するビア53を介して電気的に接続されている。また、樹脂層41の配線52側の面上には、樹脂層42が形成されており、樹脂層42の表面には配線54が形成されている。配線54と配線52とは、樹脂層42を貫通するビア55を介して電気的に接続されている。   A wiring 52 is formed on the lower surface of the resin layer 41 in the figure (the surface opposite to the base 10), and the wiring 51 on the base 10 and the wiring 52 on the resin layer 41 penetrate the resin layer 41. It is electrically connected via the via 53. A resin layer 42 is formed on the surface of the resin layer 41 on the wiring 52 side, and a wiring 54 is formed on the surface of the resin layer 42. The wiring 54 and the wiring 52 are electrically connected via a via 55 that penetrates the resin layer 42.

さらに、基体10の配線51側の面上には、樹脂層43が形成されており、樹脂層43の表面には配線56が形成されている。配線56と配線51とは、樹脂層43を貫通するビア57を介して電気的に接続されており、配線56には、抵抗やキャパシタ等の受動部品60が設置されている。   Further, a resin layer 43 is formed on the surface of the base 10 on the wiring 51 side, and a wiring 56 is formed on the surface of the resin layer 43. The wiring 56 and the wiring 51 are electrically connected through a via 57 that penetrates the resin layer 43, and a passive component 60 such as a resistor or a capacitor is installed in the wiring 56.

ここで、樹脂層41,42,43に用いられる材料としては、具体的には、例えば、ビニルベンジル樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、ポリフェニレエーテル(ポリフェニレンエーテルオキサイド)樹脂(PPE,PPO)、シアネートエステル樹脂、エポキシ+活性エステル硬化樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂(ポリフェニレンオキサオド樹脂)、硬化性ポリオレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂又はベンゾオキサジン樹脂の単体、又は、これらの樹脂に、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸アルミウイスカ、チタン酸カリウム繊維、アルミナ、ガラスフレーク、ガラス繊維、窒化タンタル、窒化アルミニウム等を添加した材料、さらに、これらの樹脂に、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、錫、ネオジウム、サマリウム、アルミニウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム及びタンタルのうち少なくとも1種の金属を含む金属酸化物粉末を添加した材料、またさらには、これらの樹脂に、ガラス繊維、アラミド繊維等の樹脂繊維等を配合した材料、或いは、これらの樹脂をガラスクロス、アラミド繊維、不織布等に含浸させ材料、等を挙げることができ、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。   Here, as a material used for the resin layers 41, 42, 43, specifically, for example, vinyl benzyl resin, polyvinyl benzyl ether compound resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), polyphenyl ether (polyphenylene ether oxide) ) Resins (PPE, PPO), cyanate ester resins, epoxy + active ester cured resins, polyphenylene ether resins (polyphenylene oxide resins), curable polyolefin resins, benzocyclobutene resins, polyimide resins, aromatic polyester resins, aromatic liquid crystals Polyester resin, polyphenylene sulfide resin, polyetherimide resin, polyacrylate resin, polyetheretherketone resin, fluorine resin, epoxy resin, phenol resin or benzoxazine resin Single substance or these resins, silica, talc, calcium carbonate, magnesium carbonate, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, aluminum borate whisker, potassium titanate fiber, alumina, glass flake, glass fiber, tantalum nitride, aluminum nitride In addition, to these resins, at least one of magnesium, silicon, titanium, zinc, calcium, strontium, zirconium, tin, neodymium, samarium, aluminum, bismuth, lead, lanthanum, lithium and tantalum. Materials in which metal oxide powders containing metals are added, and further, materials in which resin fibers such as glass fibers and aramid fibers are blended with these resins, or glass resins, aramid fibers, nonwoven fabrics, and the like of these resins Impregnated materials, etc. It can, electrical properties, mechanical properties, water absorption, from the viewpoint of reflow resistance, can be appropriately selected.

また、図2は、電子部品30の構造を概略的に示す斜視図である。電子部品30は、ベアチップ状態の半導体IC(ダイ)等の半導体装置(電子部品)であり、略矩形板状をなす主面30aに多数のランド電極31を有している。なお、図示においては、四隅にのみランド電極31および後述するバンプ32(端子)を表示し、それ以外のランド電極31の表示を省略した。また、電子部品30の種類は、特に制限されるものではないが、例えば、CPUやDSPのように動作周波数が非常に高いデジタルICが挙げられる。   FIG. 2 is a perspective view schematically showing the structure of the electronic component 30. The electronic component 30 is a semiconductor device (electronic component) such as a semiconductor IC (die) in a bare chip state, and has a large number of land electrodes 31 on a main surface 30a having a substantially rectangular plate shape. In the figure, land electrodes 31 and bumps 32 (terminals) to be described later are displayed only at the four corners, and the display of other land electrodes 31 is omitted. Further, the type of the electronic component 30 is not particularly limited, and examples thereof include a digital IC having a very high operating frequency such as a CPU or a DSP.

さらに、特に限定されるものではないが、電子部品30の裏面30bは研磨されており、これにより電子部品30の厚さt(主面30aから裏面30bまでの距離)は、通所の半導体ICに比して薄くされており、例えば、好ましくは200μm以下、より好ましくは20〜50μm程度とされる。また、裏面30bは、電子部品30を薄型にするべく、エッチング、プラズマ処理、レーザ処理、ブラスト研磨、バフ研磨、薬品処理などによる粗面化処理を行なうと好ましい。   Further, although not particularly limited, the back surface 30b of the electronic component 30 is polished, and the thickness t (distance from the main surface 30a to the back surface 30b) of the electronic component 30 is thereby changed to a conventional semiconductor IC. For example, it is preferably 200 μm or less, more preferably about 20 to 50 μm. Further, the back surface 30b is preferably subjected to a roughening process such as etching, plasma processing, laser processing, blast polishing, buffing, chemical processing, etc. in order to make the electronic component 30 thin.

本実施形態では、後述するように、電子部品30の裏面30bの研磨は、ダイシングにより個別の電子部品30に分離した後に行なうことが可能となる。なお、ウェハの状態で多数の電子部品に対して一括して研磨し、その後、ダイシングにより個別の電子部品30に分離してもよい。あるいは、ウェハの状態で多数の電子部品に対して一括して研磨し、その後、ダイシングにより個別の電子部品30に分離した後に、当該個別の電子部品を研磨してさらなる薄型化を図ってもよい。   In the present embodiment, as will be described later, the back surface 30b of the electronic component 30 can be polished after being separated into individual electronic components 30 by dicing. Note that a large number of electronic components may be polished together in the state of a wafer and then separated into individual electronic components 30 by dicing. Alternatively, a large number of electronic components may be polished in a wafer state and then separated into individual electronic components 30 by dicing, and then the individual electronic components may be polished to further reduce the thickness. .

また、各ランド電極31には、導電性突起物の一種であるバンプ32(端子)が形成されている。バンプ32の種類は、特に制限されず、スタッドバンプ、プレートバンプ、メッキバンプ、ボールバンプ等の各種のバンプを例示できる。図示においては、スタッドバンプを例示した。バンプ32としてスタッドバンプを用いる場合には、銀(Ag)や銅(Cu)をワイヤボンディングにて形成することができ、プレートバンプを用いる場合には、メッキ、スパッタ又は蒸着によって形成することができる。また、メッキバンプを用いる場合には、メッキによって形成することができ、ボールバンプを用いる場合には、半田ボールをランド電極31上に載置した後、これを溶融させるか、クリーム半田をランド電極上に印刷した後、これを溶融させることによって形成することができる。また、導電性材料をスクリーン印刷し、これを硬化させた円錐状、円柱状等のバンプや、ナノペーストを印刷し、加熱によりこれを焼結させてなるバンプを用いることもできる。   Each land electrode 31 is provided with a bump 32 (terminal) which is a kind of conductive protrusion. The type of the bump 32 is not particularly limited, and various bumps such as a stud bump, a plate bump, a plating bump, and a ball bump can be exemplified. In the drawing, a stud bump is illustrated. When stud bumps are used as the bumps 32, silver (Ag) or copper (Cu) can be formed by wire bonding, and when plate bumps are used, they can be formed by plating, sputtering or vapor deposition. . Further, in the case of using a plating bump, it can be formed by plating. In the case of using a ball bump, the solder ball is placed on the land electrode 31 and then melted or cream solder is applied to the land electrode. After printing on top, it can be formed by melting it. Further, it is also possible to use conical or columnar bumps obtained by screen printing a conductive material and curing it, or bumps obtained by printing nano paste and sintering it by heating.

バンプ32に使用可能な金属種としては、特に限定されず、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、スズ(Sn)、クロム(Cr)、ニッケル・クロム合金、半田等が挙げられ、これらのなかでは、銅を用いることが好ましい。バンプ32の材料として銅を用いると、例えば金を用いた場合に比して、ランド電極31に対する高い接合強度を得ることが可能となり、電子部品30自体の信頼性が高められる。   The metal species that can be used for the bump 32 are not particularly limited. For example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), nickel A chromium alloy, solder, etc. are mentioned, Among these, it is preferable to use copper. When copper is used as the material of the bump 32, for example, compared to the case where gold is used, it is possible to obtain a high bonding strength with respect to the land electrode 31, and the reliability of the electronic component 30 itself is enhanced.

また、バンプ32の寸法形状は、ランド電極31間の間隔(ピッチ)に応じて適宜設定することができ、例えば、ランド電極31のピッチが約100μmである場合には、バンプ32の最大径を10〜90μm程度、高さを2〜100μm程度にすればよい。なお、バンプ32は、ウェハのダイシングにより個別の電子部品30に切断分離した後、ワイヤボンダーを用いて各ランド電極31に接合することができる。   Further, the size and shape of the bumps 32 can be appropriately set according to the interval (pitch) between the land electrodes 31. For example, when the pitch of the land electrodes 31 is about 100 μm, the maximum diameter of the bumps 32 is set. What is necessary is just to make about 10-90 micrometers and height into about 2-100 micrometers. The bumps 32 can be cut and separated into individual electronic components 30 by wafer dicing and then bonded to the land electrodes 31 using a wire bonder.

このような構成の電子部品30は、接続部位13において各バンプ32が配線51に電気的に接続された状態で樹脂層41の内部に配置されている(図1)。   The electronic component 30 having such a configuration is arranged inside the resin layer 41 in a state where each bump 32 is electrically connected to the wiring 51 in the connection portion 13 (FIG. 1).

さらに、図3は、接続部位13の周辺の構成を示す概略断面図である。同図に示す如く、基体10は、接続部位13に接続孔(貫通孔)14が形成された樹脂層11と、接続部位13に設けられ樹脂層11の両面において露出した導体12とを備える。バンプ32は、導体12を貫通するように配置されており、接続孔14内にて、導体12の先端部が配線51と直接接続されている。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the configuration around the connection site 13. As shown in FIG. 1, the base 10 includes a resin layer 11 in which a connection hole (through hole) 14 is formed in a connection part 13 and a conductor 12 provided in the connection part 13 and exposed on both surfaces of the resin layer 11. The bump 32 is disposed so as to penetrate the conductor 12, and the tip end portion of the conductor 12 is directly connected to the wiring 51 in the connection hole 14.

樹脂層11は、樹脂材料からなり、その樹脂材料としては、シート状、フィルム状に成型可能なものであれば特に制限されず使用可能であり、例えば、熱硬化性樹脂を用いることができる。より具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネートエステル系樹脂、ポリイミド、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル、ポリフェニレンオキサイド、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられ、これらを単独または複数組み合わせて使用することができる。また、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム等のゴム材料や、ゴム成分を一部含むような樹脂材料であってもよい。   The resin layer 11 is made of a resin material, and the resin material is not particularly limited as long as it can be molded into a sheet shape or a film shape. For example, a thermosetting resin can be used. More specifically, epoxy resin, phenol resin, vinyl benzyl ether compound resin, bismaleimide triazine resin, cyanate ester resin, polyimide, polyolefin resin, polyester, polyphenylene oxide, liquid crystal polymer, silicone resin, fluorine resin, etc. These may be used alone or in combination of two or more. Further, it may be a rubber material such as acrylic rubber or ethylene acrylic rubber, or a resin material partially including a rubber component.

導体12は、バンプ32よりも柔らかい材料または構造を有してなり、上述の如く、導体12にバンプ32を対向させて押圧した場合に、導体12が埋め込まれた接続孔14にバンプ32が挿入可能な程度に柔らかいものであれば、材料自体の硬さ(一般的には様々な硬さ試験による測定値、例えば、ブリネル硬さ、ブィカーズ硬さ、ロックウェル硬さ等)がバンプ32に比して柔らかいものに制限されない。換言すれば、導体12にバンプ32を押し当てたときに、バンプ32が接続孔14の内部に挿入されさえすればよい。   The conductor 12 has a softer material or structure than the bump 32. As described above, when the bump 32 is pressed against the conductor 12 and pressed, the bump 32 is inserted into the connection hole 14 in which the conductor 12 is embedded. If it is soft as much as possible, the hardness of the material itself (generally measured values by various hardness tests, such as Brinell hardness, Bickers hardness, Rockwell hardness, etc.) is compared to the bump 32. And not limited to soft ones. In other words, it is only necessary that the bump 32 is inserted into the connection hole 14 when the bump 32 is pressed against the conductor 12.

このような導体12としては、多孔質状のものが好ましく、例えば、金属粉末を含む導電ペーストを焼成して得られる焼結金属導体を用いることができる。焼結金属導体に使用可能な金属材料としては、焼結状態の金属であればいずれも使用可能であるが、例えばAg、Pd、Au、Cu、Ni等の金属や合金等を用いることができる。また、焼結金属導体は、例えば、上記金属を90%(質量基準)以上含むとともに、酸化物を含み、さらに、ガラス成分を含んでいてもよい。かかるガラス成分としては、PbO、SiO2、B23、ZnO、およびアルカリ土類金属酸化物から選ばれる少なくとも1種の酸化物を主成分とするものが挙げられる。ただし、酸化物、ガラス成分は必ずしも含まれていなくてもよい。 As such a conductor 12, a porous thing is preferable, for example, the sintered metal conductor obtained by baking the electrically conductive paste containing metal powder can be used. Any metal material that can be used for the sintered metal conductor can be used as long as it is a sintered metal. For example, metals such as Ag, Pd, Au, Cu, and Ni, alloys, and the like can be used. . Moreover, the sintered metal conductor may contain, for example, 90% (mass basis) or more of the above metal, an oxide, and a glass component. Examples of the glass component include those containing as a main component at least one oxide selected from PbO, SiO 2 , B 2 O 3 , ZnO, and alkaline earth metal oxides. However, oxides and glass components are not necessarily included.

次に、上記の本実施形態に係る電子部品内蔵基板1の製造方法の一例について、電子部品30の実装方法と併せて、図4〜図20(いずれも断面図)を参照して説明する。   Next, an example of the manufacturing method of the electronic component built-in substrate 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 20 (all are sectional views) together with the mounting method of the electronic component 30.

まず、図4に示すように、支持フィルム21上に導体形成用シート22を形成する。支持フィルム21としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)からなるシートを用いることができる。導体形成用シート22は、導体12を形成する目的で用いるものであり、焼結金属導体を得るための焼成時において非収縮性を有するものが好ましい。かかる導体形成用シートとしては、焼結温度が導体よりも高いセラミックス材料からなるシートを例示できる。これにより、焼結金属導体を得るための焼成時においても、導体形成用シート自体の焼結が進まないことから、収縮がほとんど起こらない。より具体的には、例えば、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、石英、ムライト、クリストバライト、トリジマイトが挙げられる。   First, as shown in FIG. 4, a conductor forming sheet 22 is formed on the support film 21. As the support film 21, for example, a sheet made of polyethylene terephthalate (PET) can be used. The conductor forming sheet 22 is used for the purpose of forming the conductor 12, and preferably has a non-shrinkable property at the time of firing for obtaining a sintered metal conductor. Examples of the conductor forming sheet include a sheet made of a ceramic material having a sintering temperature higher than that of the conductor. As a result, even during firing to obtain a sintered metal conductor, the conductor forming sheet itself does not proceed with sintering, and therefore shrinkage hardly occurs. More specifically, examples include aluminum oxide, zirconium oxide, calcium carbonate, quartz, mullite, cristobalite, and tridymite.

上記の中でも、導体形成用シート22として、炭酸カルシウム(CaCO3)を母材としたシートを用いることが好ましい。炭酸カルシウム材は、収縮率が数%と小さく、焼成後に吸湿させると水分と反応して剥離が生じやすいからである。また、炭酸カルシウムの外側にさらに、より収縮率が低い材料からなるシートを固着させてもよい。これにより、導体形成用シート22の収縮率を制御でき、また、その剥離性を向上させることができる。このようなシート材料としては、トリジマイト材が好ましい。なお、トリジマイトシートの代わりに、酸化アルミニウムに焼結助剤としてアルカリ土類金属(カリウム、カルシウム、ナトリウム等)を添加した材料からなるシートを固着させてもよい。 Among these, as the conductor forming sheet 22, a sheet using calcium carbonate (CaCO 3 ) as a base material is preferably used. This is because the calcium carbonate material has a small shrinkage rate of several percent, and when moisture is absorbed after firing, it reacts with moisture and easily peels off. In addition, a sheet made of a material having a lower shrinkage rate may be fixed to the outside of the calcium carbonate. Thereby, the shrinkage | contraction rate of the sheet | seat 22 for conductor formation can be controlled, and the peelability can be improved. As such a sheet material, a tridymite material is preferable. Instead of the tridymite sheet, a sheet made of a material obtained by adding an alkaline earth metal (potassium, calcium, sodium, etc.) as a sintering aid to aluminum oxide may be fixed.

次に、図5に示すように、導体形成用シート22および支持フィルム21の積層体に、導体充填用の貫通孔23を形成する。貫通孔23の形成方法については特に制限されるものではなく、例えば、金型によるプレス加工、パンチング加工、レーザ加工等が挙げられる。レーザ加工に用いる光源としては、例えば炭酸ガスレーザや、YAGレーザを用いることができる。   Next, as shown in FIG. 5, a conductor-filling through hole 23 is formed in the laminate of the conductor-forming sheet 22 and the support film 21. The method for forming the through hole 23 is not particularly limited, and examples thereof include press working with a mold, punching processing, and laser processing. As a light source used for laser processing, for example, a carbon dioxide laser or a YAG laser can be used.

次いで、図6に示すように、貫通孔23内に導体前駆体24を形成する。導体前駆体24の形成方法としては、例えば、スクリーン印刷法により、貫通孔23に導電ペーストを充填する方法が挙げられる。導体前駆体24を構成する導電ペーストは、例えばAg、Pd、Au、Cu、Ni等の各種導電性金属や合金からなる導電材料と有機ビヒクルとを混練することにより調整されるものである。有機ビヒクルはバインダと溶剤とを主たる成分とするものであり、前記導電材料との混合比等は任意であるが、通常は、質量基準でバインダが1〜15%、溶剤が10〜50%となるように導電材料に配合される。導電ペーストには、必要に応じて各種分散剤や可塑剤等の適宜の添加物が添加されてもよい。   Next, as shown in FIG. 6, a conductor precursor 24 is formed in the through hole 23. Examples of the method for forming the conductor precursor 24 include a method of filling the through holes 23 with a conductive paste by a screen printing method. The conductive paste constituting the conductor precursor 24 is prepared by kneading a conductive material made of various conductive metals or alloys such as Ag, Pd, Au, Cu, and Ni and an organic vehicle. The organic vehicle is mainly composed of a binder and a solvent, and the mixing ratio with the conductive material is arbitrary. Usually, the binder is 1 to 15% and the solvent is 10 to 50% on a mass basis. It mix | blends with an electrically-conductive material. Appropriate additives such as various dispersants and plasticizers may be added to the conductive paste as necessary.

次に、図7に示すように、収縮性が非常に小さい、例えば、アルミナ、ジルコニア、ガラス基板、銅板、銅箔等の下地基板20上に導体形成用シート22を積層し、例えば、静水圧プレスして両者を圧着させた後、支持フィルム21を剥離する。   Next, as shown in FIG. 7, a sheet 22 for forming a conductor is laminated on an underlying substrate 20 such as alumina, zirconia, glass substrate, copper plate, copper foil, etc., which has a very low shrinkage. After pressing and pressure-bonding both, the support film 21 is peeled off.

さらに、図8に示すように、下地基板20および導体形成用シート22の積層体を焼成する。焼成雰囲気としては、例えば酸化雰囲気、還元雰囲気などを使用することができ、具体的には大気を使用すればよい。焼成時において、導体形成用シート22自体の焼結が進まないことから、収縮がほとんど起こらない。その結果、導体の位置ずれを防止することができる。   Furthermore, as shown in FIG. 8, the laminated body of the base substrate 20 and the conductor forming sheet 22 is fired. As the firing atmosphere, for example, an oxidizing atmosphere, a reducing atmosphere, or the like can be used. Specifically, air may be used. At the time of firing, since the sintering of the conductor forming sheet 22 itself does not proceed, the shrinkage hardly occurs. As a result, it is possible to prevent the displacement of the conductor.

また、焼成を行なうことにより、導体形成用シート22に保持された導体前駆体24が下地基板20の表面に付着するとともに、導体前駆体24中の金属の焼結反応が進み、焼結金属導体からなる導体12が形成される。   Also, by firing, the conductor precursor 24 held on the conductor forming sheet 22 adheres to the surface of the base substrate 20, and the sintering reaction of the metal in the conductor precursor 24 proceeds, so that the sintered metal conductor A conductor 12 made of is formed.

次に、図9に示すように、導体形成用シート22aを除去する。このとき、導体形成用シートの母材として炭酸カルシウムを用いた場合には、保湿雰囲気下に放置して炭酸カルシウムを除去した後、超音波洗浄を行うことにより、残渣を除去する。炭酸カルシウムを含む導体形成用シート22は、焼成後の焼成物の除去作業が容易であることから、導体形成用シート22として好ましく用いられる。導体形成用シート22の非収縮性により、シートの収縮に起因する導体12の位置ずれが抑制されるので、導体12が導体形成用シート22から下地基板20へと高い位置精度で転写される。   Next, as shown in FIG. 9, the conductor forming sheet 22a is removed. At this time, when calcium carbonate is used as the base material of the conductor-forming sheet, the residue is removed by leaving it in a moisturizing atmosphere and removing the calcium carbonate, followed by ultrasonic cleaning. The conductor forming sheet 22 containing calcium carbonate is preferably used as the conductor forming sheet 22 because the operation of removing the fired product after firing is easy. Due to the non-shrinkage of the conductor forming sheet 22, the displacement of the conductor 12 due to the contraction of the sheet is suppressed, so that the conductor 12 is transferred from the conductor forming sheet 22 to the base substrate 20 with high positional accuracy.

それから、図10に示すように、下地基板20上に、導体12を覆うように樹脂層11aを形成する。樹脂層11aとしては、低粗化で高いピール強度(引き剥がし強度)を実現できる材料が好ましい。樹脂層11aを形成する方法としては、例えば、導体12に対応した位置に貫通孔を有する熱硬化性の樹脂シートを常圧または真空中でラミネートした後(仮圧着)、オートクレーブ装置を用いて樹脂層11aの密着性を高める方法が挙げられる。ここで、本実施形態においては、樹脂層11aは未硬化(半硬化状態を含む)の状態とする。   Then, as shown in FIG. 10, a resin layer 11 a is formed on the base substrate 20 so as to cover the conductor 12. As the resin layer 11a, a material that can realize high peel strength (peeling strength) with low roughness is preferable. As a method for forming the resin layer 11a, for example, a thermosetting resin sheet having a through hole at a position corresponding to the conductor 12 is laminated in a normal pressure or a vacuum (temporary pressure bonding), and then the resin is formed using an autoclave device. A method for improving the adhesion of the layer 11a is mentioned. Here, in the present embodiment, the resin layer 11a is in an uncured state (including a semi-cured state).

次に、図11に示すように、樹脂層11aの表面を除去して、導体12を露出させる。樹脂層11aの除去方法は特に限定はないが、例えば、グラインダーを用いた研磨や、ブラスト処理、炭酸ガスレーザの照射などが挙げられる。   Next, as shown in FIG. 11, the surface of the resin layer 11 a is removed to expose the conductor 12. The method for removing the resin layer 11a is not particularly limited, and examples thereof include polishing using a grinder, blasting, and irradiation with a carbon dioxide laser.

次いで、図12に示すように、電子部品30のバンプ32と、樹脂層11aの導体12とを位置合わせし、電子部品30をフェースダウンで樹脂層11a上に載置する。このとき、樹脂層11aの表面に露出した導体12を接続ポストとして用いることができるので、電子部品30の位置合わせが極めて平易となる。このとき、電子部品30に荷重を印加し、バンプ32を導体12が埋め込まれた接続孔内に挿入させて電子部品30本体の一方面を樹脂層11aへ当接させる。   Next, as shown in FIG. 12, the bumps 32 of the electronic component 30 and the conductor 12 of the resin layer 11a are aligned, and the electronic component 30 is placed face down on the resin layer 11a. At this time, since the conductor 12 exposed on the surface of the resin layer 11a can be used as a connection post, the alignment of the electronic component 30 becomes extremely easy. At this time, a load is applied to the electronic component 30 and the bumps 32 are inserted into the connection holes in which the conductors 12 are embedded, so that one surface of the electronic component 30 main body is brought into contact with the resin layer 11a.

導体12が、上記のとおり、金属粉末を含む導電ペーストを焼成して得られる焼結金属導体の場合、導電ペーストのマトリックスである有機ビヒクルが焼成時に揮散することにより、導体12は多孔質で三次元的な網の目状の構造を有する。よって、電子部品30のバンプ32が導体12に押圧されると、バンプ32が導体12の多孔質構造を圧縮変形させ、導体12が埋め込まれた貫通孔内に簡易に挿入される。これにより、電子部品30と樹脂層11aとの間に空隙が生じないように両者が密着固定される。さらに、その状態で全体に加熱処理を施し、樹脂層11aが完全に固化しない程度に仮硬化させる。   When the conductor 12 is a sintered metal conductor obtained by firing a conductive paste containing metal powder as described above, the organic vehicle that is the matrix of the conductive paste is volatilized during firing, so that the conductor 12 is porous and tertiary. It has an original mesh structure. Therefore, when the bump 32 of the electronic component 30 is pressed against the conductor 12, the bump 32 compresses and deforms the porous structure of the conductor 12, and is easily inserted into the through hole in which the conductor 12 is embedded. Thereby, both are closely fixed so that no gap is generated between the electronic component 30 and the resin layer 11a. Furthermore, the whole is heat-treated in that state, and is temporarily cured to such an extent that the resin layer 11a is not completely solidified.

次に、図13に示すように、樹脂層11a上に、電子部品30を覆うように樹脂層40を形成する。樹脂層40としては、樹脂層11aと同様に、低粗化で高いピール強度(引き剥がし強度)を実現できる材料が好ましい。樹脂層40の形成方法としては、例えば、電子部品30に対応した位置に開口部を有する熱硬化性の樹脂シートを常圧または真空中でラミネートした後(仮圧着)、オートクレーブ装置を用いて樹脂層40の密着性を高める方法が挙げられる。続いて、その状態で全体に加熱処理を施し、樹脂層40が完全に固化しない程度に仮硬化させる。   Next, as illustrated in FIG. 13, the resin layer 40 is formed on the resin layer 11 a so as to cover the electronic component 30. As the resin layer 40, a material that can realize high peel strength (peeling strength) with low roughness is preferable, as with the resin layer 11a. As a method for forming the resin layer 40, for example, a thermosetting resin sheet having an opening at a position corresponding to the electronic component 30 is laminated in a normal pressure or a vacuum (temporary pressure bonding), and then the resin is formed using an autoclave device. A method for increasing the adhesion of the layer 40 is exemplified. Subsequently, the whole is heat-treated in that state, and is temporarily cured to such an extent that the resin layer 40 is not completely solidified.

さらに、図14に示すように、樹脂層40とともに電子部品30の上面を、例えばグラインダーやCMP等により研磨して電子部品30を薄型化させる。このとき、電子部品30は、その端子面の全面において樹脂層11aに密着固定されていることから、研磨時の電子部品30の剥離を防止することができる。   Further, as shown in FIG. 14, the upper surface of the electronic component 30 together with the resin layer 40 is polished by, for example, a grinder or CMP to make the electronic component 30 thinner. At this time, since the electronic component 30 is tightly fixed to the resin layer 11a over the entire terminal surface, peeling of the electronic component 30 during polishing can be prevented.

次に、図15に示すように、下地基板20の電子部品30側の面上に、樹脂層41を形成する。樹脂層41としては、例えば、ガラスクロス41aに熱硬化性樹脂を含浸させて形成されたプリプレグを使用する。ガラスクロス41aが存在することにより、支持基板26を剥離した後の電子部品内蔵基板1の撓みを抑制することができる。それから、全体に対して加熱処理を施し、これにより、仮硬化状態の樹脂層11a,40および未硬化状態の樹脂層41を硬化させる。   Next, as shown in FIG. 15, a resin layer 41 is formed on the surface of the base substrate 20 on the electronic component 30 side. As the resin layer 41, for example, a prepreg formed by impregnating a glass cloth 41a with a thermosetting resin is used. The presence of the glass cloth 41a can suppress the bending of the electronic component built-in substrate 1 after the support substrate 26 is peeled off. Then, the whole is subjected to a heat treatment, whereby the temporarily cured resin layers 11a and 40 and the uncured resin layer 41 are cured.

次いで、図16に示すように、下地基板20を剥離して樹脂層11の裏面(図示下面)に導体12を露出させた後、それら樹脂層11および導体12を研磨する。そして、図17に示すように、電子部品30のバンプ32に接続する配線51を樹脂層11上に形成する。このとき、配線51の形成と同時またはその前後において、樹脂層41上に配線52を形成する。図18〜図20は、樹脂層11上への配線51の形成方法の詳細を示す図である。   Next, as shown in FIG. 16, the base substrate 20 is peeled off to expose the conductor 12 on the back surface (lower surface in the drawing) of the resin layer 11, and then the resin layer 11 and the conductor 12 are polished. Then, as shown in FIG. 17, wirings 51 connected to the bumps 32 of the electronic component 30 are formed on the resin layer 11. At this time, the wiring 52 is formed on the resin layer 41 at the same time before or after the formation of the wiring 51. 18 to 20 are diagrams showing details of a method of forming the wiring 51 on the resin layer 11.

図18は、研磨後において、樹脂層11の表面に導体12が露出しており、かつ、バンプ32は露出していない状態、すなわちバンプ32が導体12を貫通していない状態の一例を示す。この場合には、例えば、図19に示すように、導体12の表層部を選択的にエッチングして接続孔14内でバンプ32を露出させ、その後、図20に示すように、接続孔14内及び樹脂層11上に配線51を形成し、これにより、接続部位13においてバンプ32に配線51を直接接続させることができる。   FIG. 18 shows an example of the state in which the conductor 12 is exposed on the surface of the resin layer 11 and the bump 32 is not exposed after the polishing, that is, the bump 32 does not penetrate the conductor 12. In this case, for example, as shown in FIG. 19, the surface layer portion of the conductor 12 is selectively etched to expose the bumps 32 in the connection holes 14, and then in the connection holes 14 as shown in FIG. In addition, the wiring 51 is formed on the resin layer 11, whereby the wiring 51 can be directly connected to the bump 32 at the connection portion 13.

このようにバンプ32に配線51を直接接続する形態は、バンプ32と配線51との電気的な接続抵抗が、導体12と配線51との接続抵抗よりも小さい場合に有効である。例えば、導体12が焼結金属導体の場合には、導体12の多孔質構造はバンプ32の挿入によって圧縮され空隙は低減されるものの、残存する空隙の存在により配線51との接続抵抗が高められてしまうような場合が想定される。   Thus, the form in which the wiring 51 is directly connected to the bump 32 is effective when the electrical connection resistance between the bump 32 and the wiring 51 is smaller than the connection resistance between the conductor 12 and the wiring 51. For example, when the conductor 12 is a sintered metal conductor, the porous structure of the conductor 12 is compressed by the insertion of the bumps 32 and the gap is reduced, but the connection resistance with the wiring 51 is increased by the presence of the remaining gap. It is assumed that this will happen.

ここで、配線51は、例えば、セミアディティブ法によりパターン形成することができる。セミアディティブ法では、接続部位13を含む樹脂層11の全面に下地層を形成した後、該下地層の配線パターン部分以外を選択的に除去又はマスクし、パターン上に残った又は露出した下地層上に金属層を堆積させて配線51を形成する。或いは、サブトラクティブ法により、すなわち、接続部位13を含む樹脂層11の全面に金属層を形成した後に、金属層をエッチングすることにより配線51のパターン形成を行ってもよい。その際、金属層の成膜には無電解めっき法を用いることが好ましいが、スパッタリングや蒸着等のPDV法、または、CVD法を用いることもできる。また、配線52の形成方法は、配線51と同様である。   Here, the wiring 51 can be patterned by, for example, a semi-additive method. In the semi-additive method, after a base layer is formed on the entire surface of the resin layer 11 including the connection portion 13, the base layer remaining or exposed on the pattern is selectively removed or masked except for the wiring pattern portion of the base layer. A wiring 51 is formed by depositing a metal layer thereon. Alternatively, the wiring 51 may be patterned by a subtractive method, that is, after a metal layer is formed on the entire surface of the resin layer 11 including the connection portion 13, the metal layer is etched. At that time, the electroless plating method is preferably used for forming the metal layer, but a PDV method such as sputtering or vapor deposition, or a CVD method can also be used. The method for forming the wiring 52 is the same as that for the wiring 51.

また、図21および図22に示す如く、樹脂層11上に配線51を形成してもよい。図21および図22は、接続部位13において配線51を形成している他の状態を示す要部断面図である。この例では、図21に示すように、樹脂層11および導体12の研磨によりバンプ32を樹脂層11から露出させる。   Further, as shown in FIGS. 21 and 22, the wiring 51 may be formed on the resin layer 11. 21 and 22 are cross-sectional views of the main part showing another state in which the wiring 51 is formed at the connection site 13. In this example, as shown in FIG. 21, the bump 32 is exposed from the resin layer 11 by polishing the resin layer 11 and the conductor 12.

なお、図示においては、バンプ32の上端部が幅広に変形した状態を示したが、これは、例えば、バンプ32の高さ(長さ)が、図12における樹脂層11aの厚さより大きく、バンプ32が導体12を貫通し、アルミナ等からなる下地基板20に当接した状態で加圧されたような場合に、その先端の当接部が圧縮変形されて生起され得る。それから、ブラスト処理、デスミア処理等によりバンプ32および導体12の表面を清浄化した後、図22に示すように、バンプ32および導体12に電気的に接続する配線51を上記と同様に形成することができる。   In the drawing, the upper end portion of the bump 32 is deformed to be wide. For example, the height (length) of the bump 32 is larger than the thickness of the resin layer 11a in FIG. When 32 is pressed while penetrating the conductor 12 and in contact with the base substrate 20 made of alumina or the like, the contact portion at the tip thereof can be compressed and deformed. Then, after the surfaces of the bumps 32 and the conductors 12 are cleaned by blasting, desmearing, etc., as shown in FIG. 22, the wirings 51 electrically connected to the bumps 32 and the conductors 12 are formed in the same manner as described above. Can do.

以上のとおり配線51を形成した後、一般的な工程、すなわち、例えば銅箔付きまたは銅箔無しの樹脂層をラミネートする樹脂層形成工程と、当該樹脂層にビアホールを形成し、当該ビアホールを埋め込むビアおよび配線をパターン形成する配線形成工程とを繰り返し行ない、受動部品60を搭載することにより、図1に示す電子部品内蔵基板1を得ることができる。   After forming the wiring 51 as described above, a general process, for example, a resin layer forming process of laminating a resin layer with or without copper foil, a via hole is formed in the resin layer, and the via hole is embedded. By repeatedly performing the wiring formation process of patterning the vias and wiring and mounting the passive component 60, the electronic component built-in substrate 1 shown in FIG. 1 can be obtained.

このように構成された本発明による電子部品の実装方法を用いた電子部品内蔵基板の製造方法によれば、電子部品30のバンプ32よりも柔らかい導体12を高い位置精度で形成した後、その導体12を接続ポストとして、電子部品30を載置する。このとき、電子部品30のバンプ32を導体12が埋め込まれた接続孔(貫通孔)14内に挿入させ、電子部品30の端子面が樹脂層11aに密着するように当接させるので、電子部品30全体が接着性を有する樹脂層11aに確実に固定され、これにより、電子部品30と基体10との接着強度を格段に高めることができ、電子部品30の位置ずれを抑止して電気的な接続信頼性を向上させることができる。   According to the method of manufacturing an electronic component built-in substrate using the electronic component mounting method according to the present invention configured as described above, after the conductor 12 softer than the bump 32 of the electronic component 30 is formed with high positional accuracy, the conductor The electronic component 30 is placed using 12 as a connection post. At this time, the bump 32 of the electronic component 30 is inserted into the connection hole (through-hole) 14 in which the conductor 12 is embedded, and the terminal surface of the electronic component 30 is brought into contact with the resin layer 11a. 30 is securely fixed to the resin layer 11a having adhesiveness, whereby the adhesive strength between the electronic component 30 and the base 10 can be remarkably increased, and the electronic component 30 is prevented from being displaced and electrically Connection reliability can be improved.

また、予め形成された導体12が接続ポストとして機能するので、電子部品30の位置合わせが極めて平易となる。よって、電子部品30のバンプ32間ピッチが狭小化されても、バンプ32と配線51とを確実に接続することができ、これにより、電子部品30がモジュール搭載された電子部品内蔵基板1の更なる小型化に対応することが可能となる。   Further, since the conductor 12 formed in advance functions as a connection post, the positioning of the electronic component 30 becomes extremely easy. Therefore, even if the pitch between the bumps 32 of the electronic component 30 is narrowed, the bump 32 and the wiring 51 can be reliably connected. As a result, the electronic component built-in substrate 1 on which the electronic component 30 is mounted on the module can be further connected. It becomes possible to cope with downsizing.

また、導体12として焼結金属導体を用いる場合には、非収縮性を有する導体形成用シート22を採用することにより、導体12の位置精度を十分に高めることができる。よって、電子部品30の位置決め精度もより向上させることができ、電子部品30の接続信頼性をさらに高めることが可能となる。さらに、焼結金属導体は、多孔質であって、その三次元構造によってバンプ32の挿入を容易ならしめることができるので、電子部品30と基体10とをより一層確実に密着させることができる。   Further, when a sintered metal conductor is used as the conductor 12, the position accuracy of the conductor 12 can be sufficiently increased by adopting the non-shrinkable conductor forming sheet 22. Therefore, the positioning accuracy of the electronic component 30 can be further improved, and the connection reliability of the electronic component 30 can be further increased. Furthermore, since the sintered metal conductor is porous and the bumps 32 can be easily inserted due to its three-dimensional structure, the electronic component 30 and the base body 10 can be more closely adhered to each other.

またさらに、そのように電子部品30が基体10に密着固定された状態を実現できるので、樹脂層40とともに電子部品30を研磨して薄型化する際の位置ずれをも防止でき、よって、電子部品30および電子部品内蔵基板1の信頼性を損なうことなく、それらのを小型化および低背化を達成することができる。   Furthermore, since the electronic component 30 can be realized in such a state that the electronic component 30 is tightly fixed to the base body 10, it is possible to prevent positional displacement when the electronic component 30 is polished and thinned together with the resin layer 40. 30 and the electronic component built-in substrate 1 can be reduced in size and height without impairing the reliability.

なお、上述したとおり、本発明は、上記の実施形態の限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない限度において種々の変形が可能である。例えば、電子部品30としてバンプ32を有さずランド電極31または同種の電極構造のみが設けられたものを用いてもよい。この場合、ランド電極31または同種の電極構造が「端子」に相当する。また、導体12として、導電ペーストを用いてもよい。さらに、図10に示す如く導体12を樹脂層11aで覆わなくともよく、図10の状態を省略して樹脂層11aをビルトアップして図11の状態としてもよい。またさらに、ガラスクロス41aは必ずしも必要ではない。さらにまた、導体12と配線51との接続抵抗が十分に低い場合には、導体12をエッチングせずに、配線51を形成しても構わない。加えて、電子部品内蔵基板1を多段(2段以上)に対向配置(積層)してモジュール化してもよい。また、電子部品30は、半導体IC等の能動部品に限られず、コンデンサ等の受動部品であっても構わない。さらに、樹脂層11aと樹脂層40を、同時に仮硬化してもよい。   In addition, as above-mentioned, this invention is not limited to said embodiment, A various deformation | transformation is possible in the limit which does not deviate from the summary. For example, an electronic component 30 that does not have the bump 32 but is provided with only the land electrode 31 or the same type of electrode structure may be used. In this case, the land electrode 31 or the same type of electrode structure corresponds to a “terminal”. Further, as the conductor 12, a conductive paste may be used. Furthermore, the conductor 12 may not be covered with the resin layer 11a as shown in FIG. 10, and the state of FIG. 10 may be omitted and the resin layer 11a may be built up to the state of FIG. Furthermore, the glass cloth 41a is not always necessary. Furthermore, when the connection resistance between the conductor 12 and the wiring 51 is sufficiently low, the wiring 51 may be formed without etching the conductor 12. In addition, the electronic component built-in substrate 1 may be modularized by opposingly arranging (stacking) the multi-stage (two or more stages). The electronic component 30 is not limited to an active component such as a semiconductor IC, and may be a passive component such as a capacitor. Further, the resin layer 11a and the resin layer 40 may be temporarily cured at the same time.

以上説明した通り、本発明による電子部品に実装方法および半導体内蔵基板の製造方法によれば、電子部品の基体への接着強度を十分に高めて電子部品を確実に固定することができ、これにより電子部品の位置ずれを抑止して電気的な接続信頼性を向上させ、また、電子部品をモジュール化する際の更なる小型化に資することができるので、半導体装置等の能動部品、及び/又は、抵抗、キャパシタ等の受動部品を内蔵する機器、装置、システム、各種デバイス等、特に小型化及び高性能化が要求されるものの製造に広くかつ有効に利用することができる。   As described above, according to the method for mounting an electronic component and the method for manufacturing a semiconductor-embedded substrate according to the present invention, the electronic component can be securely fixed by sufficiently increasing the adhesive strength of the electronic component to the base. It is possible to improve the electrical connection reliability by suppressing the displacement of the electronic component, and to contribute to further miniaturization when the electronic component is modularized. Therefore, active components such as semiconductor devices and / or It can be widely and effectively used for the manufacture of devices, apparatuses, systems, various devices, etc. that incorporate passive components such as resistors and capacitors, especially those that require miniaturization and high performance.

本実施形態に係る電子部品内蔵基板の要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of the electronic component built-in substrate which concerns on this embodiment. 電子部品30の構造を概略的に示す斜視図である。2 is a perspective view schematically showing a structure of an electronic component 30. FIG. 配線と電子部品との接続部位13の周辺の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the periphery of the connection site | part 13 of wiring and an electronic component. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate. 電子部品内蔵基板を製造する手順の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the procedure which manufactures an electronic component built-in board | substrate.

符号の説明Explanation of symbols

1…電子部品内蔵基板、10…基体、11,11a…樹脂層、12…導体、13…接続部位、14…接続孔、20…下地基板、21…支持フィルム、22,22a…導体形成用シート、23…貫通孔、24…導体前駆体、25…接着層、26…支持基板、30…電子部品、30a…主面、30b…裏面、31…ランド電極、32…バンプ(端子)、40,41,42,43…樹脂層、41a…ガラスクロス、51,52,54,56…配線、53,55,57…ビア、60…受動部品。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic component built-in substrate, 10 ... Base | substrate, 11, 11a ... Resin layer, 12 ... Conductor, 13 ... Connection part, 14 ... Connection hole, 20 ... Base substrate, 21 ... Support film, 22, 22a ... Sheet for conductor formation , 23 through-holes, 24 conductor conductors, 25 adhesive layers, 26 support substrates, 30 electronic components, 30a main surfaces, 30b back surfaces, 31 land electrodes, 32 bumps (terminals), 40 41, 42, 43 ... resin layer, 41a ... glass cloth, 51, 52, 54, 56 ... wiring, 53, 55, 57 ... via, 60 ... passive component.

Claims (9)

基体に端子を備える電子部品を実装する方法であって、
樹脂層と、前記樹脂層を貫通する貫通孔に埋め込まれた、前記端子よりも柔らかい導体とを備える前記基体を形成する工程と、
前記電子部品の端子を前記貫通孔に挿入させて前記電子部品の前記基体側の面を前記基体に当接させる工程と、
を有する電子部品の実装方法。
A method of mounting an electronic component having a terminal on a substrate,
Forming the base body comprising a resin layer and a conductor softer than the terminal embedded in a through-hole penetrating the resin layer;
Inserting the terminal of the electronic component into the through-hole and bringing the base-side surface of the electronic component into contact with the base; and
A method of mounting an electronic component having
前記基体を形成する工程においては、前記樹脂層として未硬化のものを備える前記基体を形成し、
前記樹脂層を硬化させて前記電子部品を前記基体に固定する工程を有する、
請求項1記載の電子部品の実装方法。
In the step of forming the substrate, the substrate is provided with an uncured resin layer,
Curing the resin layer and fixing the electronic component to the substrate;
The electronic component mounting method according to claim 1.
前記基体を形成する工程においては、前記導体として空孔を有する焼結金属導体を備える前記基体を形成する、
請求項1記載の電子部品の実装方法。
In the step of forming the base, the base is provided with a sintered metal conductor having pores as the conductor.
The electronic component mounting method according to claim 1.
前記基体を形成する工程は、
導体形成用シートに貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に導電ペーストを充填する工程と、
前記導電ペーストが充填された前記導体形成用シートを下地基板上に積層する工程と、
前記導体形成用シートを焼成して、前記導電ペーストを焼結金属導体とする工程と、
前記下地基板から前記導体形成用シートの焼成物を除去する工程と、
前記下地基板上に前記焼結金属導体を被覆するように前記樹脂層を形成する工程と、
を有する請求項1記載の電子部品の実装方法。
The step of forming the substrate includes
Forming a through hole in the conductor forming sheet;
Filling the through hole with a conductive paste;
Laminating the sheet for forming a conductor filled with the conductive paste on a base substrate;
Firing the conductor-forming sheet and using the conductive paste as a sintered metal conductor;
Removing the fired product of the conductor-forming sheet from the base substrate;
Forming the resin layer to cover the sintered metal conductor on the base substrate;
The electronic component mounting method according to claim 1, further comprising:
前記導体形成シートとして、非収縮性を有するものを用いる、
請求項4記載の電子部品の実装方法。
As the conductor-forming sheet, a non-shrinkable material is used.
The electronic component mounting method according to claim 4.
基体に設けられた絶縁層の内部に、端子を備える電子部品が配置された電子部品内蔵基板を製造する方法であって、
樹脂層と、前記樹脂層を貫通する貫通孔に埋め込まれた、前記端子よりも柔らかい導体とを備える前記基体を形成する工程と、
前記電子部品の前記端子を前記貫通孔に挿入させて前記電子部品の前記基体側の面を前記基体に当接させる工程と、
前記基体上に前記電子部品を覆うように絶縁層を形成する工程と、
を有する電子部品内蔵基板の製造方法。
A method of manufacturing an electronic component-embedded substrate in which an electronic component having a terminal is disposed inside an insulating layer provided on a substrate,
Forming the base body comprising a resin layer and a conductor softer than the terminal embedded in a through-hole penetrating the resin layer;
Inserting the terminal of the electronic component into the through-hole and bringing the base-side surface of the electronic component into contact with the base;
Forming an insulating layer on the substrate to cover the electronic component;
The manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate which has this.
前記絶縁層および前記電子部品の上面を研磨する工程を有する、
請求項6記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
Polishing the upper surface of the insulating layer and the electronic component;
The manufacturing method of the electronic component built-in substrate according to claim 6.
前記基体の裏面に露出した前記導体に接続する配線を形成する工程を有する、
請求項6記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
Forming a wiring connected to the conductor exposed on the back surface of the substrate;
The manufacturing method of the electronic component built-in substrate according to claim 6.
前記基体の裏面に露出した前記導体の少なくとも一部を除去して前記電子部品の端子を露出させる工程と、
前記基体の裏面に露出した前記端子に接続する配線を形成する工程と、
を有する請求項6記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
Removing at least a portion of the conductor exposed on the back surface of the base to expose the terminal of the electronic component;
Forming a wiring connected to the terminal exposed on the back surface of the substrate;
The manufacturing method of the electronic component built-in board | substrate of Claim 6 which has these.
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