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JP2008278584A - Motor controller, and motor control method - Google Patents

Motor controller, and motor control method Download PDF

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Publication number
JP2008278584A
JP2008278584A JP2007116994A JP2007116994A JP2008278584A JP 2008278584 A JP2008278584 A JP 2008278584A JP 2007116994 A JP2007116994 A JP 2007116994A JP 2007116994 A JP2007116994 A JP 2007116994A JP 2008278584 A JP2008278584 A JP 2008278584A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switching
motor
temperature
mos1
operation speed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007116994A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Muneharu Nakabayashi
宗治 中林
Takashi Ota
隆 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Ten Ltd
Original Assignee
Denso Ten Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Ten Ltd filed Critical Denso Ten Ltd
Priority to JP2007116994A priority Critical patent/JP2008278584A/en
Publication of JP2008278584A publication Critical patent/JP2008278584A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Steering Control In Accordance With Driving Conditions (AREA)
  • Power Steering Mechanism (AREA)
  • Control Of Direct Current Motors (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a motor controller which properly controls the drive of a motor according to the heat generation state of a device, performs control for getting the effect of suppressing a temperature rise when the temperature of each part of the device goes up accompanying the drive control of the motor and a margin is lost to its tolerable temperature, and performs control for getting the effect of reducing the noise caused by the distortion of a motor current or its switching action when there is a margin to its tolerable temperature. <P>SOLUTION: The controller includes a switching circuit 4 which is interposed in a line which supplies a motor 50 with a drive current, a predriver 3 which drives the switching circuit 4, a control means 20 which controls the drive of the motor 50 by driving the predriver 3, an operation speed switching means 11 which switches the operation speed at switching changeover of the switching circuit 4, and a switching control means 20 which switches the setting of the operation speed switching means 11, based on the heating state. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明はモータ制御装置、及びモータ制御方法に関し、より詳細には、モータの駆動制
御を行う際に、モータに駆動電流を供給するラインに介装されるスイッチング手段の駆動
信号にデッドタイムを設けて制御を行うモータ制御装置、及びモータ制御方法に関する。
The present invention relates to a motor control device and a motor control method, and more specifically, when a drive control of a motor is performed, a dead time is provided in a drive signal of a switching unit interposed in a line that supplies a drive current to the motor. The present invention relates to a motor control device that performs control and a motor control method.

図1は、従来のモータ制御装置が採用された車載用の電動パワーステアリング制御装置
の概略構成を示した図である。
電動パワーステアリング制御装置(以下、EPS制御装置と記す)1は、車両の運転状
況に応じて、車両の操舵機構(図示せず)に連結されたモータ50を駆動させることによ
り操舵補助力を与える制御を行うものであり、マイクロコンピュータ(マイコン)2と、
プリドライバ3と、スイッチング回路4と、電流検出回路5と、温度センサ6とを含んで
構成されている。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an in-vehicle electric power steering control device in which a conventional motor control device is adopted.
An electric power steering control device (hereinafter referred to as an EPS control device) 1 gives a steering assist force by driving a motor 50 connected to a steering mechanism (not shown) of a vehicle in accordance with the driving state of the vehicle. Which controls the microcomputer 2 and
A pre-driver 3, a switching circuit 4, a current detection circuit 5, and a temperature sensor 6 are included.

また、ハンドルの操舵状態を検出するトルクセンサ7など、操舵補助制御に必要な車両
各部の情報を得るための各種センサ(図示せず)がマイコン2に接続されており、トルク
センサ7などの各種センサで検出された信号がマイコン2に入力されるようになっている
。また、電流検出回路5で検出されたモータ50の電流値がマイコン2に入力され、装置
内の所定箇所に設置された温度センサ6で検出された信号もマイコン2に入力されるよう
になっている。
Further, various sensors (not shown) for obtaining information on various parts of the vehicle necessary for steering assist control, such as a torque sensor 7 for detecting the steering state of the steering wheel, are connected to the microcomputer 2, and various sensors such as the torque sensor 7 are provided. A signal detected by the sensor is input to the microcomputer 2. Further, the current value of the motor 50 detected by the current detection circuit 5 is input to the microcomputer 2, and the signal detected by the temperature sensor 6 installed at a predetermined location in the apparatus is also input to the microcomputer 2. Yes.

スイッチング回路4は、スイッチング素子であるNチャネルMOSFET(以下、MO
Sと記す)1、MOS2からなる上下アーム素子対と、MOS3、MOS4からなる上下
アーム素子対とを含むHブリッジ回路で構成されており、MOS1、MOS2の間の接続
点と、MOS3、MOS4の間の接続点とが、モータ50の各端子に接続されており、M
OS1〜MOS4のスイッチング状態に応じて、直流電源であるバッテリBからモータ5
0に電流が供給されるようになっている。
The switching circuit 4 includes an N-channel MOSFET (hereinafter referred to as MO) that is a switching element.
S) 1) It is composed of an H bridge circuit including a pair of upper and lower arm elements composed of MOS2 and a pair of upper and lower arm elements composed of MOS3 and MOS4, and a connection point between MOS1 and MOS2 and between MOS3 and MOS4 Are connected to the terminals of the motor 50, and M
Depending on the switching state of OS1 to MOS4, the battery B serving as a DC power source is connected to the motor 5
A current is supplied to zero.

また、MOS1〜MOS4の各ゲート端子とプリドライバ3との間には、所定値に設定
されたゲート抵抗R1〜R4が介装されている。また、MOS2及びMOS4と接地GN
Dとの間には、電流検出用の抵抗R11が介装されている。なお、各MOS1〜MOS4
には、図示しない帰還ダイオードが並列に接続されている。
Further, gate resistors R1 to R4 set to predetermined values are interposed between the gate terminals of the MOS1 to MOS4 and the pre-driver 3. Also, MOS2 and MOS4 and ground GN
Between D, a current detection resistor R11 is interposed. Each MOS1-MOS4
A feedback diode (not shown) is connected in parallel.

また、プリドライバ3は、マイコン2からの制御信号(PWM信号)に基づいてMOS
1〜MOS4をオン、オフし得るスイッチング信号を生成して出力するパルス変調回路を
含んで構成されており、プリドライバ3からMOS1〜MOS4に対して出力されるスイ
ッチング信号には、貫通電流を抑えるための所定期間のデッドタイムが設けられている。
プリドライバ3、及びスイッチング回路4を含んでモータ駆動回路が構成されている。
Further, the pre-driver 3 is connected to the MOS based on the control signal (PWM signal) from the microcomputer 2.
1 to 4 includes a pulse modulation circuit that generates and outputs a switching signal that can turn on and off the MOS 4. The switching signal output from the pre-driver 3 to the MOS 1 to MOS 4 suppresses a through current. A dead time of a predetermined period is provided.
A motor drive circuit is configured including the pre-driver 3 and the switching circuit 4.

このように構成されたEPS制御装置1のモータ駆動回路の動作について、図2に示し
たタイミング図に基づいて説明する。なお、ここではMOS1、MOS2に対する制御に
ついて説明するが、MOS3、MOS4についても同様な制御が行われる。
The operation of the motor drive circuit of the EPS control apparatus 1 configured as described above will be described based on the timing chart shown in FIG. Although the control for MOS1 and MOS2 will be described here, the same control is performed for MOS3 and MOS4.

図2(a)は、プリドライバ3からMOS1に出力された駆動信号の波形、(b)は、
MOS1のドレイン電流の波形、(c)は、プリドライバ3からMOS2に出力された駆
動信号の波形、(d)は、MOS2のドレイン電流の波形、(e)は、バッテリBからM
OS1、MOS2を介して流れる貫通電流の波形を示している。
2A shows the waveform of the drive signal output from the pre-driver 3 to the MOS 1, and FIG.
The waveform of the drain current of the MOS 1, (c) is the waveform of the drive signal output from the pre-driver 3 to the MOS 2, (d) is the waveform of the drain current of the MOS 2, and (e) is the battery B to M
The waveform of the through current flowing through OS1 and MOS2 is shown.

プリドライバ3では、マイコン2からの制御信号に基づいて、MOS1とMOS2とが
、同じタイミングでオンしないように、すなわち、交互にオン、オフを繰り返すように、
デューティ比が設定された駆動信号(スイッチング信号)を生成して出力するようになっ
ている。
In the pre-driver 3, based on the control signal from the microcomputer 2, the MOS1 and the MOS2 are not turned on at the same timing, that is, alternately turned on and off repeatedly.
A drive signal (switching signal) with a set duty ratio is generated and output.

ただし、プリドライバ3から出力される駆動信号のオン、オフの切り替えに対して、M
OS1やMOS2は、瞬時にオン状態、オフ状態に切り替わることはなく、ゲート抵抗R
1〜R4の設定値やMOS1、MOS2の電気的特性(端子間に内在する寄生容量など)
の影響を受けて、MOS1、MOS2のドレイン電流の立ち上がりや立ち下がりが遅れて
しまう、所謂ターンオン時間やターンオフ時間を要してしまう。
However, when the drive signal output from the pre-driver 3 is switched on / off, M
OS1 and MOS2 do not instantly switch between the on state and the off state, and the gate resistance R
Set values of 1 to R4 and electrical characteristics of MOS1 and MOS2 (parasitic capacitance existing between terminals, etc.)
As a result, the rise and fall of the drain currents of the MOS1 and MOS2 are delayed, so-called turn-on time and turn-off time are required.

このため、プリドライバ3からMOS1をオン(又はオフ)させる駆動信号と、MOS
2をオフ(又はオン)させる駆動信号とが同時に出力されると、MOS1のドレイン電流
の立ち上がり(又は立ち下がり)と、MOS2のドレイン電流の立ち下がり(又は立ち上
がり)とが重なる期間が長くなってしまい、その間、MOS1とMOS2とが同時にオン
状態となって貫通電流が流れてしまう。
For this reason, a drive signal for turning on (or turning off) the MOS 1 from the pre-driver 3 and the MOS
When the drive signal for turning off (or turning on) 2 is output at the same time, the period in which the rise (or fall) of the drain current of MOS1 overlaps with the fall (or rise) of the drain current of MOS2 becomes longer. In the meantime, the MOS1 and the MOS2 are simultaneously turned on and a through current flows.

そこで、MOS1やMOS2のドレイン電流の立ち上がりや立ち下がりの遅れによって
、MOS1とMOS2とが同時にオン状態となる期間が短くなるように、プリドライバ3
からは、MOS2(又はMOS1)をオフさせるLレベルの駆動信号を出力した後、直ち
にMOS1(又はMOS2)をオンさせるHレベルの駆動信号を出力するのではなく、そ
の間にデッドタイムDTという期間をおいて、MOS1(又はMOS2)をオンさせるH
レベルの駆動信号を出力することにより、MOS1とMOS2とが同時にオン状態となっ
てしまう期間を短くなるようにして、貫流電流を抑える構成が採用されている。
Therefore, the pre-driver 3 is designed so that the period during which the MOS1 and the MOS2 are simultaneously turned on is shortened by the delay of the rise and fall of the drain currents of the MOS1 and MOS2.
Does not output an H level drive signal for turning on MOS1 (or MOS2) immediately after outputting an L level drive signal for turning off MOS2 (or MOS1), but has a period of dead time DT between them. H1 that turns on MOS1 (or MOS2)
By outputting a level driving signal, a configuration is adopted in which the period during which the MOS1 and the MOS2 are simultaneously turned on is shortened and the through current is suppressed.

しかしながら、MOS1〜MOS4のドレイン電流の立ち上がりや立ち下がりの速度、
すなわちスイッチング動作速度に対してデッドタイムDTの期間を十分に大きくとれば、
貫通電流が流れないようにスイッチング回路4を駆動させることが可能となるが、デッド
タイムDTの期間を大きくとると、モータ電圧や電流の歪みの増加やトルクリップルの増
大を招き、モータ50の駆動制御に与える悪影響が大きくなってしまう。
However, the drain current rise and fall speed of MOS1 to MOS4,
That is, if the period of the dead time DT is sufficiently large with respect to the switching operation speed,
The switching circuit 4 can be driven so that no through current flows. However, if the period of the dead time DT is increased, the motor voltage and current are increased and torque ripple is increased, and the motor 50 is driven. The adverse effect on the control will increase.

そこで、従来は、両者のバランスを考慮して、個々の製品仕様(例えば、装置各部の許
容温度(耐熱温度)や操舵フィーリングなど)を満たすことができるように、設計計算や
実機確認による貫通電流の波形観測の結果などから適切と考えられる値を求め、その値を
制御に用いる固定値として予めソフトウェアに書き込んで使用しているが、実際には、図
2(e)に示しているように、予め設計計算や実機確認等の結果から求めた値をデッドタ
イムDTとして設けた場合であっても、MOS1、MOS2のオン、オフの切替時に貫通
電流がある程度流れてしまう。
Therefore, conventionally, considering the balance between the two, penetration through design calculation and actual machine check so that individual product specifications (for example, allowable temperature (heat-resistant temperature) of each part of the device, steering feeling, etc.) can be satisfied. A value that is considered appropriate is obtained from the result of current waveform observation and the like, and the value is written in the software in advance as a fixed value used for control. In practice, however, as shown in FIG. Even if a value obtained from a result of design calculation or actual machine confirmation in advance is provided as the dead time DT, a through current flows to some extent when the MOS1 and MOS2 are switched on and off.

したがって、大きな貫通電流が流れる状態が断続的に継続すると、部品の温度が許容温
度を越えてしまい、部品が破損したり、劣化が速まる虞があるため、このような温度上昇
に対応すべく、従来のEPS制御装置1には過熱保護機能が装備されている。すなわち、
マイコン2が、装置内の温度を温度センサ6を通じて検出し、検出温度が、所定の許容温
度に達する前に、モータ50へ供給する電流を制限する制御を行うようになっている。
Therefore, if the state in which a large through current flows intermittently continues, the temperature of the component exceeds the allowable temperature, the component may be damaged, or the deterioration may be accelerated.To cope with such a temperature increase, The conventional EPS control apparatus 1 is equipped with an overheat protection function. That is,
The microcomputer 2 detects the temperature in the apparatus through the temperature sensor 6 and performs control to limit the current supplied to the motor 50 before the detected temperature reaches a predetermined allowable temperature.

また、下記の特許文献1には、モータ駆動回路を構成する昇圧回路とスイッチング素子
の制御端子との間に、ダイオード、抵抗、コンデンサを含んで構成されたゲート信号調整
回路を介在させる構成として、前記抵抗や前記コンデンサの値を適切な値に設定しておく
ことにより、スイッチング素子の電力損失の低減、スイッチング素子の保護、及びEMI
ノイズの低減を図る技術が開示されている。
In addition, in the following Patent Document 1, as a configuration in which a gate signal adjustment circuit including a diode, a resistor, and a capacitor is interposed between a booster circuit constituting a motor drive circuit and a control terminal of a switching element, By setting the values of the resistor and the capacitor to appropriate values, the power loss of the switching element is reduced, the switching element is protected, and the EMI
A technique for reducing noise is disclosed.

しかしながら、上記した過熱保護機能(駆動電流の制限)が作動すると、モータ50に
よる操舵補助量が大きく制限されることとなるため、必要としている操舵アシスト量を付
与することができず、運転者の操舵フィーリングが悪化してしまうという問題があった。
However, when the overheat protection function (driving current limitation) described above is activated, the steering assist amount by the motor 50 is greatly limited, so that the necessary steering assist amount cannot be given, and the driver's There was a problem that the steering feeling deteriorated.

また、温度上昇に対応すべく、耐熱性に優れた部品を採用することも考えられるが、部
品コストが高くつくという別の問題が生じることとなり、高コストな部品を使用しなくて
もすむように、装置の温度上昇を抑制する効果を高めることのできる対策が求められてい
た。
In addition, it may be possible to adopt parts with excellent heat resistance to cope with temperature rise, but this causes another problem that the parts cost is high, so that it is not necessary to use expensive parts. Therefore, a countermeasure capable of enhancing the effect of suppressing the temperature rise of the apparatus has been demanded.

また、上記した特許文献1に開示された技術では、前記ゲート信号調整回路を構成する
抵抗やコンデンサの値を予め適切な値に設定しておくことはできるが、その設定された値
(固定された値)で、モータの駆動制御が行われるため、モータの駆動制御中に、装置各
部の発熱状態に応じてスイッチング素子の動作速度を適切な速度に切り替えることはでき
なかった。
特開2003−189592号公報
In the technique disclosed in Patent Document 1 described above, the values of the resistors and capacitors constituting the gate signal adjustment circuit can be set to appropriate values in advance, but the set values (fixed) are fixed. Therefore, during the motor drive control, the operation speed of the switching element cannot be switched to an appropriate speed according to the heat generation state of each part of the apparatus.
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-189592

課題を解決するための手段及びその効果Means for solving the problems and their effects

本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、モータの駆動制御に伴って、装置各部
の温度が上昇し、その許容温度(耐熱温度)に対して余裕がなくなってきた場合は、装置
各部の温度上昇を抑制する効果が得られる制御を行い、一方、その許容温度(耐熱温度)
に対して余裕がある場合は、モータ電流の歪やスイッチング動作に起因するノイズを低減
する効果が得られる制御を行うことができ、装置各部の発熱状態に応じて適切なモータの
駆動制御を実行することができるモータ制御装置、及びモ−タ制御方法を提供することを
目的としている。
The present invention has been made in view of the above problems, and when the temperature of each part of the device rises along with the drive control of the motor and there is no room for the allowable temperature (heat-resistant temperature), each part of the device The control to obtain the effect of suppressing the temperature rise is performed while the allowable temperature (heat-resistant temperature)
If there is a margin for this, control can be performed to reduce the noise caused by motor current distortion and switching operation, and appropriate motor drive control is performed according to the heat generation state of each part of the device An object of the present invention is to provide a motor control device and a motor control method that can be used.

上記目的を達成するために本発明に係るモータ制御装置(1)は、モータに駆動電流を
供給するラインに介装されるスイッチング手段と、該スイッチング手段を駆動させるため
の駆動手段と、該駆動手段を駆動させてモータの駆動を制御するモータ制御手段と、前記
スイッチング手段のスイッチング切替時の動作速度を切り替えるための動作速度切替手段
と、発熱状態に基づいて前記動作速度切替手段の設定を切り替える切替制御手段とを備え
ていることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a motor control device (1) according to the present invention comprises a switching means interposed in a line for supplying a driving current to the motor, a driving means for driving the switching means, and the driving Motor control means for controlling the drive of the motor by driving the means, operating speed switching means for switching the operating speed at the time of switching switching of the switching means, and switching of the setting of the operating speed switching means based on the heat generation state And a switching control means.

上記モータ制御装置(1)によれば、前記切替制御手段によって、前記スイッチング手
段のスイッチング切替時の動作速度を切り替えるための動作速度切替手段の設定が、発熱
状態に基づいて切り替えられるので、実際の発熱状態(温度変化)に対応させて、その状
況に対応した前記スイッチング動作速度に切り替えて、前記モータの駆動制御を行うこと
ができる。
According to the motor control device (1), the setting of the operation speed switching means for switching the operation speed at the time of switching switching of the switching means is switched by the switching control means based on the heat generation state. The drive control of the motor can be performed by switching to the switching operation speed corresponding to the situation in correspondence with the heat generation state (temperature change).

したがって、例えば、前記スイッチング手段の温度が、その許容温度に対して余裕がな
くなってきた場合、上下アームを形成する各スイッチング手段のスイッチング切替時に、
同時にオン状態とならないように、前記スイッチング動作速度を速める切り替えを行うこ
とにより、前記スイッチング手段に貫通電流が流れないようにすることができ、前記スイ
ッチング手段の発熱を抑えて、温度上昇を防止することができる。したがって、許容温度
の高い(耐熱性の高い)コストの高く付く部品を採用しなくても済むため、装置のコスト
アップを抑えることができる。
Therefore, for example, when the temperature of the switching means has no room for its allowable temperature, at the time of switching switching of each switching means forming the upper and lower arms,
By switching so as to increase the switching operation speed so as not to be turned on at the same time, it is possible to prevent a through current from flowing through the switching means, and to suppress the heat generation of the switching means and prevent a temperature rise. be able to. Therefore, it is not necessary to use costly parts with a high allowable temperature (high heat resistance), and thus the cost of the apparatus can be suppressed.

また、前記スイッチング手段の温度が、その許容温度に対して余裕がある場合、上下ア
ームを形成する各スイッチング手段のスイッチング切替時に、共にオフ状態とならないよ
うに、前記スイッチング動作速度を緩める切り替えを行うことにより、モータ電圧や電流
の歪などのモータの制御に与える好ましくない影響を低減させることができ、モータの回
転駆動をよりスムーズなものにすることができる。また、スイッチング動作に起因するノ
イズを低減させることができる。
Further, when the temperature of the switching means has a margin with respect to the allowable temperature, the switching operation speed is switched so as not to be turned off at the time of switching switching of the switching means forming the upper and lower arms. As a result, undesirable effects on motor control such as motor voltage and current distortion can be reduced, and the motor can be rotated more smoothly. Further, noise due to the switching operation can be reduced.

また、本発明に係るモータ制御方法(1)は、温度情報を取得するステップと、モータ
に駆動電流を供給するラインに介装されるスイッチング手段のスイッチング切替時の動作
速度を切り替えるための動作速度切替手段の設定を、前記取得した温度情報に基づいて切
り替えるステップと、該切り替えられた前記動作速度切替手段の設定状態で、前記スイッ
チング手段を駆動させる制御を行うステップとを含むことを特徴としている。
In addition, the motor control method (1) according to the present invention includes a step of acquiring temperature information and an operation speed for switching the operation speed at the time of switching switching of the switching means interposed in the line for supplying the drive current to the motor. A step of switching the setting of the switching means based on the acquired temperature information, and a step of performing control to drive the switching means in the switched setting state of the operating speed switching means. .

上記モータ制御方法(1)によれば、前記スイッチング手段のスイッチング動作速度を
切り替えるための動作速度切替手段の設定が、温度情報に基づいて切り替えられるので、
実際の温度変化に対応させて、その状況に対応した前記スイッチング動作速度に切り替え
て、前記モータの駆動制御を行うことができる。
According to the motor control method (1), the setting of the operation speed switching means for switching the switching operation speed of the switching means is switched based on the temperature information.
The motor can be controlled by switching to the switching operation speed corresponding to the actual temperature change.

したがって、前記スイッチング手段の温度が、その許容温度に対して余裕がなくなって
きた場合、前記スイッチング動作速度を速める切り替えを行うことにより、前記スイッチ
ング手段に貫通電流が流れないようにすることができ、前記スイッチング手段の発熱を抑
えて、温度上昇を防止することができる。また、前記スイッチング手段の温度が、その許
容温度に対して余裕がある場合、前記スイッチング動作速度を緩める切り替えを行うこと
により、モータ電圧や電流の歪などのモータの制御に与える好ましくない影響を低減させ
ることができ、モータの回転駆動をよりスムーズなものにすることができる。また、スイ
ッチング動作に起因するノイズを低減させることができる。
Therefore, when the temperature of the switching means becomes less than the allowable temperature, by performing switching to increase the switching operation speed, it is possible to prevent a through current from flowing through the switching means, Heat generation of the switching means can be suppressed and temperature rise can be prevented. In addition, when the temperature of the switching means has a margin with respect to the allowable temperature, switching which reduces the switching operation speed reduces undesirable influences on motor control such as motor voltage and current distortion. Therefore, the rotational drive of the motor can be made smoother. Further, noise due to the switching operation can be reduced.

以下、本発明に係るモータ制御装置、及びモ−タ制御方法の実施の形態を図面に基づい
て説明する。
図3は、実施の形態(1)に係るモータ制御装置(及びモータ制御方法)が採用された
車載用の電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。但し、図1に示
したEPS制御装置1と同一機能を有する構成部品については、同一符号を付し、その説
明を省略する。
Embodiments of a motor control device and a motor control method according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 3 is a diagram illustrating a schematic configuration of an in-vehicle electric power steering control device in which the motor control device (and the motor control method) according to the embodiment (1) is employed. However, components having the same functions as those of the EPS control device 1 shown in FIG.

電動パワーステアリング装置の制御を行うEPS制御装置10は、CPU21、RAM
22、ROM23、EEPROM24を含んで構成されるマイコン20と、プリドライバ
3と、スイッチング回路4と、電流検出回路5と、温度センサ6と、動作速度切替手段1
1とを含んで構成されている。スイッチング回路4は、車両の操舵機構(図示せず)に設
けられたモータ(DCブラシ付きモータ)50に接続されており、プリドライバ3、スイ
ッチング回路4、及び動作速度切替手段11を含んでモータ駆動回路が構成されている。
The EPS control device 10 for controlling the electric power steering device includes a CPU 21, a RAM
22, a microcomputer 20 including a ROM 23 and an EEPROM 24, a pre-driver 3, a switching circuit 4, a current detection circuit 5, a temperature sensor 6, and an operating speed switching means 1.
1. The switching circuit 4 is connected to a motor (DC brush motor) 50 provided in a vehicle steering mechanism (not shown), and includes a pre-driver 3, a switching circuit 4, and an operation speed switching means 11. A drive circuit is configured.

また、ハンドルの操舵状態を検出するトルクセンサ7など、操舵補助制御に必要な車両
各部の情報を得るための各種センサ(図示せず)がマイコン20に接続されており、トル
クセンサ7などの各種センサで検出された信号がマイコン20に入力されるようになって
いる。また、電流検出回路5で検出されたモータ50の電流値がマイコン20に入力され
、装置内の所定箇所に設置されたサーミスタなどの温度センサ6で検出された信号もマイ
コン20に入力されるようになっている。
In addition, various sensors (not shown) for obtaining information on various parts of the vehicle necessary for steering assist control, such as a torque sensor 7 for detecting the steering state of the steering wheel, are connected to the microcomputer 20. A signal detected by the sensor is input to the microcomputer 20. Further, the current value of the motor 50 detected by the current detection circuit 5 is input to the microcomputer 20, and the signal detected by the temperature sensor 6 such as a thermistor installed at a predetermined location in the apparatus is also input to the microcomputer 20. It has become.

スイッチング回路4は、スイッチング素子であるNチャネルMOSFET(以下、MO
Sと記す)1、MOS2からなる上下アーム素子対と、MOS3、MOS4からなる上下
アーム素子対とを含むHブリッジ回路で構成されており、MOS1、MOS2の間の接続
点と、MOS3、MOS4の間の接続点とが、モータ50の各端子に接続されており、M
OS1〜MOS4のスイッチング状態に応じて、直流電源であるバッテリBからモータ5
0に電流が供給されるようになっている。
The switching circuit 4 includes an N-channel MOSFET (hereinafter referred to as MO) that is a switching element.
S) 1) It is composed of an H bridge circuit including a pair of upper and lower arm elements composed of MOS2 and a pair of upper and lower arm elements composed of MOS3 and MOS4, and a connection point between MOS1 and MOS2 and between MOS3 and MOS4 Are connected to the terminals of the motor 50, and M
Depending on the switching state of OS1 to MOS4, the battery B serving as a DC power source is connected to the motor 5
A current is supplied to zero.

また、MOS1〜MOS4の各ゲート端子G(制御端子)とプリドライバ3との間には
、可変抵抗手段11a〜11dが介装されており、可変抵抗手段11a〜11dにより動
作速度切替手段11が構成されている。可変抵抗手段11a〜11dは、MOS1〜MO
S4のゲート抵抗の値を切り替え可能に構成されたものであって、ここでは可変抵抗器と
しての機能を有するディジタルポテンショメータが採用されており、マイコン20から出
力されるディジタル信号(抵抗値切替信号)に基づいて、所定の可変範囲内における任意
の値に抵抗値の設定が切り替えられるようになっている。
Further, variable resistance means 11a to 11d are interposed between the gate terminals G (control terminals) of the MOS1 to MOS4 and the pre-driver 3, and the operation speed switching means 11 is changed by the variable resistance means 11a to 11d. It is configured. The variable resistance means 11a to 11d are MOS1 to MO.
A digital potentiometer having a function as a variable resistor is employed here, and the digital signal output from the microcomputer 20 (resistance value switching signal) is configured so that the value of the gate resistance of S4 can be switched. Based on the above, the setting of the resistance value can be switched to an arbitrary value within a predetermined variable range.

また、MOS2及びMOS4と接地GNDとの間には、電流検出用の抵抗R11が介装
されている。なお、各MOS1〜MOS4には、図示しない帰還ダイオードが並列に接続
されている。
Further, a resistor R11 for current detection is interposed between the MOS2 and MOS4 and the ground GND. A feedback diode (not shown) is connected to each of the MOS1 to MOS4 in parallel.

また、プリドライバ3は、マイコン2からの制御信号(PWM信号)に基づいてMOS
1〜MOS4をオン、オフし得るスイッチング信号を生成して出力するパルス変調回路を
含んで構成されており、プリドライバ3から各MOS1〜MOS4に対して出力されるス
イッチング信号には、貫通電流を抑えるための所定期間のデッドタイムが設けられている
Further, the pre-driver 3 is connected to the MOS based on the control signal (PWM signal) from the microcomputer 2.
1 to 4 includes a pulse modulation circuit that generates and outputs a switching signal capable of turning on and off the MOS 4. The switching signal output from the pre-driver 3 to each of the MOS 1 to MOS 4 includes a through current. A dead time of a predetermined period is provided for suppression.

実施の形態(1)に係るEPS制御装置10では、プリドライバ3とMOS1〜MOS
4の各ゲート端子Gとの間に、動作速度切替手段11として可変抵抗手段11a〜11d
が介装されており、EPS制御中に、可変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値を
、装置の発熱状態に基づいて適宜切り替え、MOS1〜MOS4のスイッチング動作速度
を調整できるように構成されている点に特徴がある。
In the EPS control device 10 according to the embodiment (1), the pre-driver 3 and the MOS1 to MOS
The variable resistance means 11a to 11d as the operation speed switching means 11 between each of the four gate terminals G.
Is configured so that during EPS control, the resistance values set in the variable resistance means 11a to 11d are appropriately switched based on the heat generation state of the device, and the switching operation speed of the MOS1 to MOS4 can be adjusted. There is a feature in that.

より具体的には、装置各部の温度が所定の許容温度(耐熱温度)に対して余裕がなくな
ってきた場合は、更なる温度上昇を抑えるために、可変抵抗手段11a〜11dに設定す
る抵抗の値が小さな値に切り替えられ、MOS1〜MOS4のスイッチング動作速度を速
めて、スイッチング切替時に各上下アーム素子対に貫通電流が流れないように駆動制御が
行われる。
More specifically, when the temperature of each part of the apparatus is no longer sufficient with respect to a predetermined allowable temperature (heat-resistant temperature), the resistances set in the variable resistance means 11a to 11d are controlled in order to suppress further temperature rise. The value is switched to a small value, the switching operation speed of MOS1 to MOS4 is increased, and drive control is performed so that no through current flows through each pair of upper and lower arm elements during switching.

また、装置各部の温度が所定の許容温度に対して余裕がある場合は、モータ電圧や電流
の歪、さらにMOS1〜MOS4のスイッチング動作に起因するノイズが少なくなる状態
でEPS制御が行えるように、可変抵抗手段11a〜11dの抵抗の値が大きな値に切り
替えられ、MOS1〜MOS4のスイッチング動作速度を緩めて、スイッチング切替時に
各上下アーム素子対が共にオフ状態となる期間が生じない様に駆動制御が行われる。
In addition, when the temperature of each part of the apparatus has a margin with respect to a predetermined allowable temperature, EPS control can be performed in a state where noise due to motor voltage and current distortion, and further, switching operation of MOS1 to MOS4 is reduced. Drive control is performed so that the resistance values of the variable resistance means 11a to 11d are switched to a large value, the switching operation speed of the MOS1 to MOS4 is slowed, and there is no period in which the upper and lower arm element pairs are both turned off during switching. Is done.

また、実施の形態(1)に係るEPS制御装置10では、EPS制御装置10の工場出
荷前の検査工程、又は車両の組立工程や該工程後の検査工程などにおけるEPS制御装置
10の検査通電時に、ROM23に格納されている可変抵抗手段11a〜11dの抵抗値
と温度上昇との関係を記憶するプログラムを実行し、可変抵抗手段11a〜11dの抵抗
値と温度上昇との関係をEEPROM24に記憶しておき、車両搭載後の実際のEPS制
御に使用するように構成されている。
Further, in the EPS control device 10 according to the embodiment (1), the EPS control device 10 is in an inspection process before factory shipment of the EPS control device 10, or during inspection energization of the EPS control device 10 in a vehicle assembly process or an inspection process after the process. Then, a program for storing the relationship between the resistance value of the variable resistance means 11a to 11d and the temperature rise stored in the ROM 23 is executed, and the relationship between the resistance value of the variable resistance means 11a to 11d and the temperature rise is stored in the EEPROM 24. It is configured to be used for actual EPS control after being mounted on the vehicle.

図4は、実施の形態(1)に係るEPS制御装置10におけるマイコン20の行うマッ
プ情報記憶処理動作(可変抵抗手段11a〜11dの抵抗値と温度上昇との関係を記憶す
る処理動作)を示したフローチャートである。なお、本処理動作は、EPS制御装置10
の工場出荷前の検査工程、又は車両の組立工程や該工程後の検査工程などにおけるEPS
制御装置10の検査通電時等において実行されるものとして説明するが、エンジン始動後
の通電時に実行する構成としてもよい。
FIG. 4 shows a map information storage processing operation (processing operation for storing the relationship between the resistance value of the variable resistance means 11a to 11d and the temperature rise) performed by the microcomputer 20 in the EPS control apparatus 10 according to the embodiment (1). It is a flowchart. This processing operation is performed by the EPS control device 10.
EPS in the inspection process before factory shipment or the vehicle assembly process and the inspection process after the process
Although described as being executed when the control device 10 is energized for inspection, it may be configured to be executed when energizing after the engine is started.

上記所定の工程において、EPS制御装置10への検査通電が開始されると、まず、可
変抵抗手段の抵抗値と温度上昇との関係が記憶済であることを示す記憶実行フラグFが1
であるか否かを判断し(ステップS1)、記憶実行フラグFが1である、すなわち、記憶
済であると判断すれば処理を終える一方、記憶実行フラグFが1ではない、すなわち、未
記憶であると判断すればステップS2に進む。
When inspection energization to the EPS control device 10 is started in the predetermined process, first, the storage execution flag F indicating that the relationship between the resistance value of the variable resistance means and the temperature rise is already stored is 1.
(Step S1), and if the storage execution flag F is 1, that is, if it is determined that the storage has been completed, the process ends, while the storage execution flag F is not 1, that is, not stored If it is determined, the process proceeds to step S2.

ステップS2では、温度上昇との関係を求める可変抵抗手段11a〜11dの抵抗値の
設定情報を読み出し、その設定情報の中からまず最も値の小さな抵抗値を可変抵抗手段1
1a〜11dの抵抗値に設定する処理を行い、次にスイッチング回路4の各上下アーム素
子対(MOS1とMOS2、並びにMOS3とMOS4)を、モータ50に電流が流れな
い様に駆動させる制御を開始し(ステップS3)、該駆動制御を所定時間実行したときの
温度上昇を計測する処理を行う(ステップS4)。
In step S2, the setting information of the resistance values of the variable resistance means 11a to 11d for obtaining the relationship with the temperature rise is read, and the resistance value having the smallest value is first selected from the setting information.
The process of setting the resistance values 1a to 11d is performed, and then control for driving each pair of upper and lower arm elements (MOS1 and MOS2, and MOS3 and MOS4) of the switching circuit 4 so that no current flows through the motor 50 is started. Then (step S3), a process of measuring a temperature rise when the drive control is executed for a predetermined time is performed (step S4).

なお、上記ステップS3において、プリドライバ3から出力されるMOS1、MOS3
に対する駆動信号は、オン、オフのデューティ比が50%に設定されており、一方、MO
S2、MOS4に対する駆動信号は、MOS1、MOS3に対する駆動信号のオン、オフ
の切替えに対して、所定のデッドタイムDTを設けたタイミングでオン、オフの切替えを
行うように設定されている。つまり、MOS1とMOS3とを同時にオン(又はオフ)さ
せるとともに、MOS2とMOS4とを同時にオフ(又はオン)させる駆動制御を行うよ
うになっている。
In step S3, MOS1 and MOS3 output from the pre-driver 3
On the other hand, the ON / OFF duty ratio is set to 50%, while the drive signal for MO
The drive signals for S2 and MOS4 are set so as to be switched on and off at a timing at which a predetermined dead time DT is provided for switching on and off of the drive signals for MOS1 and MOS3. That is, drive control is performed so that the MOS1 and the MOS3 are turned on (or off) at the same time, and the MOS2 and the MOS4 are turned off (or turned on) at the same time.

続いて、所定時間が経過したか否かを判断し(ステップS5)、所定時間が経過したと
判断すれば、所定時間内に上昇した温度を算出し(ステップS6)、設定した抵抗値と上
昇温度とを対応付けて、EEPROM24に記憶する処理を行う(ステップS7)。
Subsequently, it is determined whether or not a predetermined time has elapsed (step S5). If it is determined that the predetermined time has elapsed, the temperature that has risen within the predetermined time is calculated (step S6), and the set resistance value and the increase are determined. A process for storing the temperature in association with the temperature in the EEPROM 24 is performed (step S7).

次のステップS8では、次に設定する抵抗値があるか否かを判断し、次に設定する抵抗
値があると判断すれば、前記設定情報の中から次に値の小さな抵抗値を可変抵抗手段11
a〜11dの抵抗値に設定する処理を行い(ステップS9)、その後ステップS3に戻り
処理を繰り返す一方、ステップS8において、次に設定する抵抗値がないと判断すれば、
記憶実行フラグFを1にして(ステップS10)、その後処理を終える。
In the next step S8, it is determined whether there is a resistance value to be set next. If it is determined that there is a resistance value to be set next, a resistance value having the next smallest value is selected from the setting information. Mean 11
A process of setting resistance values a to 11d is performed (step S9), and then the process returns to step S3 to repeat the process. On the other hand, if it is determined in step S8 that there is no resistance value to be set next,
The storage execution flag F is set to 1 (step S10), and then the process ends.

なお、図5には、EEPROM24に記憶された、可変抵抗手段11a〜11dの設定
抵抗値と上昇温度との関係を示したマップ情報の一例を示しており、設定抵抗値として、
可変抵抗手段11a〜11dの可変範囲(Rmin〜Rmax)内の4つの値(Rmin
<Ra<Rb<Rc<Rd<Rmax)が設定されており、各設定抵抗値における上昇温
度が、ΔTa<ΔTb<ΔTc<ΔTdとなっている、すなわち、抵抗値が大きくなるに
つれて上昇温度が大きくなる(貫通電流により発熱しやすくなる)傾向を示している。
FIG. 5 shows an example of map information stored in the EEPROM 24 and showing the relationship between the set resistance values of the variable resistance means 11a to 11d and the rising temperature.
Four values (Rmin within the variable range (Rmin to Rmax) of the variable resistance means 11a to 11d
<Ra <Rb <Rc <Rd <Rmax) is set, and the rising temperature at each set resistance value is ΔTa <ΔTb <ΔTc <ΔTd, that is, the rising temperature increases as the resistance value increases. (Prone to generate heat easily due to through current).

次に実施の形態(1)に係るEPS制御装置10におけるマイコン20の行う可変抵抗
手段11a〜11dの抵抗値の設定処理動作を図6に示したフロ−チャ−トに基づいて説
明する。なお、本処理動作は、車両のエンジン始動後に実行される。
Next, the resistance value setting processing operation of the variable resistance means 11a to 11d performed by the microcomputer 20 in the EPS control apparatus 10 according to the embodiment (1) will be described based on the flowchart shown in FIG. This processing operation is executed after the vehicle engine is started.

エンジン始動後、まず、可変抵抗手段11a〜11dの抵抗の値を、予め設定されてい
るデフォルト値に設定する処理を行い(ステップS11)、続いて、通常のEPS制御を
開始する(ステップS12)。なお、ステップS11で設定される抵抗のデフォルト値と
しては、例えば、エンジン始動後で温度上昇も小さいので、可変範囲内におけるやや大き
めの値、又は温度センサ6で検出された温度に対応付けられた値などが設定される。
After the engine is started, first, a process of setting the resistance values of the variable resistance means 11a to 11d to a preset default value is performed (step S11), and then normal EPS control is started (step S12). . The default value of the resistance set in step S11 is associated with a slightly larger value within the variable range or the temperature detected by the temperature sensor 6, for example, because the temperature rise is small after the engine is started. Value is set.

その後、トルクセンサ7から取得した信号に基づいて算出された操舵トルク指令値T*
(操舵補助トルクの目標値)が所定値T’以上であるか否かを判断し(ステップS13)
、操舵トルク指令値T*が所定値T’以上である、すなわち、操舵アシストが必要な運転
状況であると判断すれば、温度センサ6から取得した信号に基づいて、装置各部、例えば
MOS1〜MOS4の温度(推定温度)Tsを算出する(ステップS14)。
Thereafter, the steering torque command value T * calculated based on the signal acquired from the torque sensor 7
It is determined whether or not (target value of steering assist torque) is equal to or greater than a predetermined value T ′ (step S13).
If it is determined that the steering torque command value T * is equal to or greater than the predetermined value T ′, that is, the driving situation requires steering assist, each part of the device, for example, MOS1 to MOS4, for example, based on the signal acquired from the temperature sensor 6. Temperature (estimated temperature) Ts is calculated (step S14).

次にMOS1〜MOS4の許容温度(すなわち、耐熱設定温度)Tmaxと、算出され
た推定温度Tsとの差が所定値ΔT以上あるか、すなわち、MOS1〜MOS4の許容温
度に対して余裕があるか否かを判断し(ステップS15)、MOS1〜MOS4の許容温
度Tmaxと推定温度Tsとの差が所定値ΔT未満である、すなわち、MOS1〜MOS
4の許容温度に対して余裕がないと判断すれば、MOS1〜MOS4の動作速度が速くな
るように、可変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値を小さな値に切り替える処理
を行い(ステップS16)、その後、ステップS13に戻り処理を繰り返す。
Next, whether the difference between the allowable temperature (ie, heat-resistant set temperature) Tmax of MOS1 to MOS4 and the calculated estimated temperature Ts is equal to or greater than a predetermined value ΔT, that is, whether there is a margin with respect to the allowable temperature of MOS1 to MOS4 (Step S15), and the difference between the allowable temperature Tmax of the MOS1 to MOS4 and the estimated temperature Ts is less than a predetermined value ΔT, that is, MOS1 to MOS.
If it is determined that there is no allowance for the allowable temperature 4, processing for switching the resistance values set in the variable resistance means 11 a to 11 d to a small value is performed so that the operating speed of the MOS <b> 1 to MOS <b> 4 is increased (step S <b> 16). Then, the process returns to step S13 to repeat the process.

すなわち、ステップS16では、MOS1〜MOS4の許容温度Tmaxと推定温度T
sとの温度差を、EEPROM24に記憶された設定抵抗値と上昇温度との関係マップ(
図5参照)に当てはめて、該関係マップから前記温度差に対応する設定抵抗値を求め、可
変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値を、前記温度差から求めた設定抵抗値に切
り替える処理を行う。その後は、切り替えた抵抗値でEPS制御が実施される。
That is, in step S16, the allowable temperature Tmax and the estimated temperature Tmax of MOS1 to MOS4.
The relationship between the set resistance value stored in the EEPROM 24 and the temperature rise (
5), a setting resistance value corresponding to the temperature difference is obtained from the relationship map, and the resistance values set in the variable resistance means 11a to 11d are switched to the setting resistance value obtained from the temperature difference. I do. Thereafter, EPS control is performed with the switched resistance value.

なお、この場合、許容温度に対して余裕がない、すなわち、MOS1〜MOS4の許容
温度と推定温度との温度差が小さくなっているので、該温度差以上の温度上昇が起きない
ように(換言すると、許容温度を越えないように)するための抵抗値(すなわち、小さめ
の抵抗値)が設定される。また、許容温度に対して余裕がない状況で小さな抵抗値が設定
された場合のモータ駆動回路を構成する各部の動作については、後ほど説明する。
In this case, there is no allowance for the allowable temperature, that is, the temperature difference between the allowable temperature of the MOS1 to MOS4 and the estimated temperature is small, so that a temperature increase beyond the temperature difference does not occur (in other words, Then, a resistance value (that is, a smaller resistance value) for setting the temperature so as not to exceed the allowable temperature is set. The operation of each part of the motor drive circuit when a small resistance value is set in a situation where there is no allowance for the allowable temperature will be described later.

一方ステップS15において、MOS1〜MOS4の許容温度Tmaxと推定温度Ts
との差が、所定値ΔT以上あると判断すれば、MOS1〜MOS4のスイッチング動作速
度を緩めるように、可変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値を大きな値に切り替
える処理を行い(ステップS17)、その後、ステップS13に戻り処理を繰り返す。
On the other hand, in step S15, the allowable temperature Tmax and the estimated temperature Ts of the MOS1 to MOS4.
Is determined to be greater than or equal to a predetermined value ΔT, a process of switching the resistance values set in the variable resistance means 11a to 11d to a large value is performed so as to slow down the switching operation speed of the MOS1 to MOS4 (step S17). Then, the process returns to step S13 to repeat the process.

すなわち、ステップS17では、MOS1〜MOS4の許容温度Tmaxと推定温度T
sとの温度差を、EEPROM24に記憶された設定抵抗値と上昇温度との関係マップ(
図5参照)に当てはめて、該関係マップから前記温度差に対応する抵抗値を求め、可変抵
抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値を、前記温度差から求めた抵抗値に切り替える
処理を行う。その後は、切り替えられた抵抗値でEPS制御が実施される。
That is, in step S17, the allowable temperature Tmax of MOS1 to MOS4 and the estimated temperature T
The relationship between the set resistance value stored in the EEPROM 24 and the temperature rise (
5), a resistance value corresponding to the temperature difference is obtained from the relationship map, and the resistance value set in the variable resistance means 11a to 11d is switched to the resistance value obtained from the temperature difference. . Thereafter, EPS control is performed with the switched resistance value.

なお、この場合、許容温度に対して余裕がある、すなわち、MOS1〜MOS4の許容
温度Tmaxと推定温度Tsとの温度差が大きいので、該温度差以上の温度上昇が起きな
いようにすればよく、大きめの抵抗値が設定できる。また、許容温度に対して余裕がある
状況で大きめの抵抗値が設定された場合のモータ駆動回路を構成する各部の動作について
は、後ほど説明する。
In this case, there is a margin with respect to the allowable temperature, that is, the temperature difference between the allowable temperature Tmax of the MOS1 to MOS4 and the estimated temperature Ts is large. A larger resistance value can be set. The operation of each part of the motor drive circuit when a large resistance value is set in a situation where there is a margin with respect to the allowable temperature will be described later.

また一方、ステップS13において、操舵トルク指令値T*が所定値T’以上ではない
、すなわち、操舵アシストが必要されていない運転状況であると判断すれば、ステップS
17に進み、MOS1〜MOS4のスイッチング動作速度を緩めるように、可変抵抗手段
11a〜11dに設定する抵抗の値を切り替える処理を行い、その後、ステップS13に
戻り処理を繰り返す。
On the other hand, if it is determined in step S13 that the steering torque command value T * is not equal to or greater than the predetermined value T ′, that is, if the driving situation does not require steering assist, step S13 is performed.
Proceeding to 17, a process of switching the resistance values set in the variable resistance means 11a to 11d is performed so as to slow down the switching operation speed of the MOS1 to MOS4, and then the process returns to step S13 to repeat the process.

次に、実施の形態(1)に係るEPS制御装置10におけるモータ駆動回路の各部の動
作について、図7、8に示した波形図に基づいて説明する。なお、ここではMOS1、M
OS2からなる上下アーム素子対に対する制御について説明するが、MOS3、MOS4
からなる上下アーム素子対についても同様な制御が行われる。
Next, the operation of each part of the motor drive circuit in the EPS control apparatus 10 according to the embodiment (1) will be described based on the waveform diagrams shown in FIGS. Here, MOS1, M
The control for the upper and lower arm element pairs composed of OS2 will be described.
The same control is performed for the upper and lower arm element pairs consisting of

図7は、図6のステップS16において、可変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗
の値が小さな値(可変範囲内での小さめの値)に切り替えられた後の動作を示しており、
(a)は、プリドライバ3からMOS1に出力された駆動信号の波形、(b)は、プリド
ライバ3からMOS2に出力された駆動信号の波形、(c)〜(g)は、順に、MOS1
のゲート電圧、ドレイン電流の各波形、MOS2のゲート電圧、ドレイン電流の各波形、
MOS1、MOS2を介して流れる貫通電流の波形を示している。
FIG. 7 shows the operation after the resistance value set in the variable resistance means 11a to 11d is switched to a small value (a smaller value within the variable range) in step S16 of FIG.
(A) is the waveform of the drive signal output from the pre-driver 3 to the MOS 1, (b) is the waveform of the drive signal output from the pre-driver 3 to the MOS 2, and (c) to (g) are in order of the MOS 1
Each waveform of the gate voltage and drain current, each waveform of the gate voltage and drain current of MOS2,
The waveform of the through current flowing through MOS1 and MOS2 is shown.

まず、時刻t1において、プリドライバ3からMOS1に対してHレベルの信号が出力
されると、可変抵抗手段11aを通過してMOS1のゲート端子にゲート電圧Vgが印加
され始め、可変抵抗手段11aで設定された小さな値の抵抗と、MOS1に内在するゲー
ト・ソース間の寄生容量との作用によって、期間αの間、MOS1のゲート電圧Vgが立
ち上がり始める。そして、期間αの途中で、MOS1のゲート電圧Vgが、MOS1のス
イッチングの閾値電圧Vthを越えると、MOS1のドレイン電流Idが流れ始め、MO
S1のドレイン・ソース間が、オン抵抗を伴いながら導通を開始する。
First, when an H level signal is output from the pre-driver 3 to the MOS 1 at time t1, the gate voltage Vg begins to be applied to the gate terminal of the MOS 1 through the variable resistance means 11a, and the variable resistance means 11a The gate voltage Vg of the MOS 1 starts to rise during the period α by the action of the set small value resistor and the parasitic capacitance between the gate and the source inherent in the MOS 1. When the gate voltage Vg of the MOS 1 exceeds the switching threshold voltage Vth of the MOS 1 in the middle of the period α, the drain current Id of the MOS 1 starts to flow, and the MO
Conduction is started between the drain and source of S1 with on-resistance.

MOS1にドレイン電流Idが流れ始めると、可変抵抗手段11aで設定された小さな
値の抵抗と、MOS1に内在するゲート・ソース間、及びドレイン・ゲート間の合成容量
によって、次の期間βの間、ゲート電圧Vgがさらに緩やかに立ち上がる。
When the drain current Id starts to flow through the MOS1, the resistance of a small value set by the variable resistance means 11a and the combined capacitance between the gate and the source and the drain and the gate inherent in the MOS1 during the next period β, The gate voltage Vg rises more gently.

そして、次の期間γの間、傾きを増加しながらゲート電圧Vgが上昇し、期間γの経過
後ゲート電圧Vgの立ち上がりが完了する。なお、閾値電圧Vthを越えてから期間βが
経過するまでの期間Tonがターンオン時間に相当し、期間Tonの後にMOS1がオン
状態となる。
Then, during the next period γ, the gate voltage Vg increases while increasing the slope, and the rising of the gate voltage Vg is completed after the period γ has elapsed. Note that a period Ton from when the threshold voltage Vth is exceeded until the period β elapses corresponds to a turn-on time, and the MOS1 is turned on after the period Ton.

その後、時刻t2において、プリドライバ3からMOS1に対してLレベルの信号が出
力されると、MOS1に蓄えられた電荷が放電され、電流となって可変抵抗手段11aに
流れる。すると、期間δの間、負の傾きを増加しながらゲート電圧Vgが下降する。
After that, when an L level signal is output from the pre-driver 3 to the MOS 1 at time t2, the charge stored in the MOS 1 is discharged and flows into the variable resistance means 11a as a current. Then, during the period δ, the gate voltage Vg decreases while increasing the negative slope.

次の期間εの間は、MOS1に内在するゲート・ソース間の寄生容量と、ドレイン・ゲ
ート間の寄生容量とに蓄えられた電荷も放電され始め、減少傾向が緩やかになるとともに
、ターンオフが開始されてドレイン電流Idが減少し始め、寄生容量の放電が終了すると
、MOS1のドレイン・ソース間が遮断する方向に向かい、次の期間ζの間、ゲート電圧
Vgがさらに下降し、MOS1の閾値電圧Vthを下回るとターンオフが終了し、MOS
1のオフ状態への移行が完了する。なお、期間εが開始してから閾値電圧Vthを下回る
までの期間Toffがターンオフ時間に相当し、期間Toffの経過後にMOS1がオフ
状態となる。
During the next period ε, the charge stored in the gate-source parasitic capacitance and the drain-gate parasitic capacitance inherent in the MOS1 begins to be discharged, the decreasing tendency becomes moderate, and the turn-off starts. When the drain current Id begins to decrease and the discharge of the parasitic capacitance is completed, the drain-source connection of the MOS 1 is cut off, and during the next period ζ, the gate voltage Vg further decreases, and the threshold voltage of the MOS 1 When Vth falls below, turn-off ends and MOS
1 completes the transition to the off state. Note that the period Toff from the start of the period ε to the time when it falls below the threshold voltage Vth corresponds to the turn-off time, and the MOS1 is turned off after the lapse of the period Toff.

そして、プリドライバ3からMOS1に対するLレベル信号が出力された時刻t2の後
、デッドタイムDTが経過した時刻t3において、プリドライバ3からMOS2に対して
Hレベルの信号が出力される。すると、可変抵抗手段11bを通過してMOS2のゲート
端子にゲート電圧Vgが印加され始め、以下、MOS2のゲート電圧Vg、ドレイン電流
Idが、MOS1のゲート電圧Vg、ドレイン電流Idと略同様なパターンで変化する。
Then, after time t2 when the pre-driver 3 outputs the L level signal for the MOS1, the pre-driver 3 outputs an H level signal to the MOS 2 at the time t3 when the dead time DT has elapsed. Then, the gate voltage Vg starts to be applied to the gate terminal of the MOS2 through the variable resistance means 11b. Hereinafter, the gate voltage Vg and the drain current Id of the MOS2 are substantially the same pattern as the gate voltage Vg and the drain current Id of the MOS1. It changes with.

この場合、可変抵抗手段11a、11bの抵抗の値が、可変範囲内での小さめの値に設
定されているので、MOS1、MOS2のスイッチング動作速度、すなわち、各ドレイン
電流の立ち上がり、立ち下がり速度を速めることができ、スイッチング切替時に、MOS
1とMOS2とが共にオン状態となる期間が生じないため、貫通電流の発生を防止するこ
とができ、MOS1、MOS2の発熱に伴う温度上昇が抑制されることとなる。
In this case, since the resistance values of the variable resistance means 11a and 11b are set to a smaller value within the variable range, the switching operation speeds of the MOS1 and MOS2, that is, the rising and falling speeds of the respective drain currents are set. MOS can be speeded up when switching switching
Since there is no period during which both 1 and MOS2 are in the ON state, it is possible to prevent the occurrence of a through current and to suppress the temperature rise caused by the heat generation of MOS1 and MOS2.

図8(a)は、プリドライバ3からMOS1に出力された駆動信号の波形、(b)は、
プリドライバ3からMOS2に出力された駆動信号の波形、(c)〜(g)は、可変抵抗
手段11a、11bの抵抗の値が、可変範囲内での大きめの値に設定されている場合のM
OS1のゲート電圧、ドレイン電流の各波形、MOS2のゲート電圧、ドレイン電流の各
波形、MOS1、MOS2を介して流れる貫通電流の波形をそれぞれ示している。
FIG. 8A shows the waveform of the drive signal output from the pre-driver 3 to the MOS 1, and FIG.
The waveforms (c) to (g) of the drive signal output from the pre-driver 3 to the MOS 2 are obtained when the resistance values of the variable resistance means 11a and 11b are set to a large value within the variable range. M
The waveforms of the OS1 gate voltage and drain current, the MOS2 gate voltage and drain current, and the through current flowing through the MOS1 and MOS2 are shown.

以下、図7との相違点について説明する。図8(c)〜(g)と、図7(c)〜(g)
とを比較すると明らかなように、図8(c)、(e)に示したゲート電圧Vgの立ち上が
りを示す期間α’、β’、γ’の長さ及び、立ち下がりを示す期間δ’、ε’、ζ’の長
さは、図7(c)、(e)に示したゲート電圧Vgの立ち上がりを示す期間α、β、γ及
び、立ち下がりを示す期間δ、ε、ζよりもそれぞれ長くなっている。
Hereinafter, differences from FIG. 7 will be described. 8 (c)-(g) and FIGS. 7 (c)-(g)
As is clear from the comparison with FIGS. 8C and 8E, the lengths of the periods α ′, β ′, and γ ′ indicating the rise of the gate voltage Vg and the periods δ ′ indicating the fall of the gate voltage Vg shown in FIGS. The lengths of ε ′ and ζ ′ are respectively longer than the periods α, β, and γ indicating the rising edge of the gate voltage Vg and the periods δ, ε, and ζ indicating the falling edge shown in FIGS. It is getting longer.

それに伴い、図8(d)、(f)に示したドレイン電流Idが流れ始めるタイミングが
、図7(d)、(f)に示したタイミングよりも遅れ、また、ターンオン時間Tonやタ
ーンオフ時間Toffも長くなっており、MOS1、MOS2のスイッチング動作速度、
すなわち、各ドレイン電流の立ち上がり、立ち下がり速度がより緩やかになっている。
Accordingly, the timing at which the drain current Id shown in FIGS. 8D and 8F begins to flow is delayed from the timing shown in FIGS. 7D and 7F, and the turn-on time Ton and the turn-off time Toff. The switching operation speed of MOS1 and MOS2
That is, the rising and falling speeds of each drain current are more gradual.

その結果、プリドライバ3からMOS1(又はMOS2)のLレベル信号が出力されて
から、次にプリドライバ3からMOS2(又はMOS1)のHレベル信号が出力されるま
でのデッドタイムDTの間に、MOS1(又はMOS2)のオフ状態への移行が完了せず
、プリドライバ3からMOS2(又はMOS1)のHレベル信号が出力された後に、オフ
状態への移行が完了する。
As a result, during the dead time DT from when the pre-driver 3 outputs the MOS 1 (or MOS 2) L-level signal to when the pre-driver 3 outputs the MOS 2 (or MOS 1) H-level signal next time, The transition to the off state of the MOS1 (or MOS2) is not completed, and the transition to the off state is completed after the H level signal of the MOS2 (or MOS1) is output from the pre-driver 3.

したがって、MOS1とMOS2とが同時にオン状態となる期間が生じて、貫通電流が
流れてしまうが、この場合、MOSの許容温度に対して余裕がある状態であるので、温度
上昇は余り問題とならず、逆に、スイッチング切替時にMOS1とMOS2とが共にオフ
状態となる期間が生じないため、モータ電流の歪や放射ノイズを低減させることが可能と
なり、操舵フィーリングの良い操舵アシスト制御を行うことが可能となる。
Accordingly, a period in which the MOS1 and the MOS2 are simultaneously turned on occurs and a through current flows. In this case, since there is a margin with respect to the allowable temperature of the MOS, the temperature rise is not a problem. On the contrary, since there is no period in which both MOS1 and MOS2 are off during switching, it is possible to reduce motor current distortion and radiation noise, and to perform steering assist control with good steering feeling. Is possible.

上記実施の形態(1)に係るEPS制御装置10によれば、動作速度切替手段11を構
成する可変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値が、装置の発熱状態に基づいて多
段階に切り替えられるので、実際の発熱状態(温度変化)に対応させて、その状況に応じ
たスイッチング動作速度に切り替えてモータ50の駆動制御を行うことができる。
According to the EPS control apparatus 10 according to the embodiment (1), the resistance values set in the variable resistance means 11a to 11d constituting the operation speed switching means 11 are switched in multiple stages based on the heat generation state of the apparatus. Therefore, the drive control of the motor 50 can be performed by switching to the switching operation speed corresponding to the actual heat generation state (temperature change).

したがって、MOS1〜MOS4の温度が、その許容温度に対して余裕がなくなってき
た場合、上下アーム素子対のスイッチング切替時に、同時にオン状態とならないように、
可変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値を小さくすることにより、スイッチング
切替時にMOS1〜MOS4に貫通電流が流れないようにすることができ、MOS1〜M
OS4の発熱を抑えて、温度上昇を防止することができる。したがって、許容温度の高い
(耐熱性の高い)コストの高く付く部品を採用しなくても済むため、装置のコストアップ
を抑えることができる。
Therefore, when the temperature of the MOS1 to MOS4 has no room for the allowable temperature, at the time of switching switching between the upper and lower arm element pairs,
By reducing the value of the resistance set in the variable resistance means 11a to 11d, it is possible to prevent a through current from flowing through the MOS1 to MOS4 when switching is performed.
The temperature rise can be prevented by suppressing the heat generation of the OS4. Therefore, it is not necessary to use costly parts with a high allowable temperature (high heat resistance), and thus the cost of the apparatus can be suppressed.

また、MOS1〜MOS4の温度が、その許容温度に対して余裕がある場合、上下アー
ム素子対のスイッチング切替時に、共にオフ状態とならないように、可変抵抗手段11a
〜11dに設定する抵抗の値を大きくすることにより、モータ電圧や電流の歪などのモー
タ50の制御に与える好ましくない影響を低減させることができ、モータ50の回転駆動
をよりスムーズなものにすることができる。また、スイッチング動作に起因するノイズを
低減させることができる。
Further, when the temperatures of the MOS1 to MOS4 have a margin with respect to the allowable temperature, the variable resistance means 11a is set so that both the upper and lower arm element pairs are not turned off at the time of switching switching.
By increasing the resistance value set to ˜11d, it is possible to reduce undesirable effects on the control of the motor 50 such as motor voltage and current distortion, and to make the rotation driving of the motor 50 smoother. be able to. Further, noise due to the switching operation can be reduced.

なお、上記実施の形態(1)では、動作速度切替手段11を構成する可変抵抗手段11
a〜11dとして、ディジタルポテンショメータを適用した場合について説明したが、別
の実施の形態に係るEPS制御装置10Aでは、図9に示したように、動作速度切替手段
11Aを、MOS1〜MOS4の各ゲート抵抗R1〜R4に、アナログスイッチ12a〜
12dと抵抗R21〜R24とを並列に接続したものから構成し、これらアナログスイッ
チ12a〜12dをマイコン20Aから制御信号に基づいて、オン/オフの切替を行うこ
とによって、プリドライバ3とMOS1〜MOS4の各ゲート端子との間に設定する抵抗
の値を切り替える構成とすることができる。このような構成は、可変抵抗器の許容電流が
小さいために、十分な電流が流せない場合などに適用することができる。
In the embodiment (1), the variable resistance means 11 constituting the operation speed switching means 11 is used.
Although the case where a digital potentiometer is applied as a to 11d has been described, in the EPS control apparatus 10A according to another embodiment, the operation speed switching means 11A is connected to each gate of the MOS1 to MOS4 as shown in FIG. Resistors R1 to R4 and analog switches 12a to 12
12d and resistors R21 to R24 are connected in parallel, and these analog switches 12a to 12d are switched on / off based on a control signal from the microcomputer 20A, whereby the predriver 3 and the MOS1 to MOS4 The resistance value set between each of the gate terminals can be switched. Such a configuration can be applied to a case where a sufficient current cannot flow because the allowable current of the variable resistor is small.

また、さらに別の実施の形態に係るEPS制御装置10Bでは、図10に示したように
、動作速度切替手段11Bを、プリドライバ3と、MOS1〜MOS4の各ゲート端子と
の間に、MOS11〜MOS14と、ゲート抵抗R1〜R4とを直列に接続したもので構
成することができる。
Further, in the EPS control apparatus 10B according to another embodiment, as shown in FIG. 10, the operation speed switching means 11B is connected between the pre-driver 3 and the gate terminals of the MOS1 to MOS4. The MOS 14 and gate resistors R1 to R4 can be connected in series.

すなわち、プリドライバ3をMOS11〜MOS14の各ドレイン端子Dに接続し、M
OS11〜MOS14の各ソース端子Sを、ゲート抵抗R1〜R4に接続し、MOS11
〜MOS14の各ゲート端子Gをゲート抵抗R21〜R24を介してマイコン20Bに接
続して、マイコン20BからDAコンバータ(DAC)25で変換された電圧信号をMO
S11〜MOS14の各ゲート端子Gに印加し、該電圧信号に応じてMOS11〜MOS
14のドレイン電流Idを調整することで、MOS1〜MOS4のゲート端子Gへ流れる
電流量を調整し、MOS1〜MOS4のスイッチング動作速度を切り替える構成とするこ
ともできる。
That is, the pre-driver 3 is connected to each drain terminal D of the MOSs 11 to 14 and M
The source terminals S of the OS11 to MOS14 are connected to the gate resistors R1 to R4, and the MOS11
Each gate terminal G of the MOS 14 is connected to the microcomputer 20B via the gate resistors R21 to R24, and the voltage signal converted from the microcomputer 20B by the DA converter (DAC) 25 is output as MO.
Applied to each gate terminal G of S11 to MOS14, and MOS11 to MOS in accordance with the voltage signal
By adjusting the drain current Id of 14, the amount of current flowing to the gate terminals G of the MOS1 to MOS4 can be adjusted, and the switching operation speed of the MOS1 to MOS4 can be switched.

図11は、実施の形態(2)に係るモータ制御装置が採用された車載用の電動パワース
テアリング制御装置の概略構成を示した図である。但し、図3に示したEPS制御装置1
0と同一機能を有する構成部品については、同一符号を付し、その説明を省略する。
FIG. 11 is a diagram illustrating a schematic configuration of an in-vehicle electric power steering control device in which the motor control device according to the embodiment (2) is employed. However, the EPS control device 1 shown in FIG.
Constituent parts having the same function as 0 are given the same reference numerals and their description is omitted.

実施の形態(1)に係るEPS制御装置10では、動作速度切替手段11として、プリ
ドライバ3と、MOS1〜MOS4の各ゲート端子との間に、可変抵抗手段11a〜11
dがそれぞれ介装されているが、実施の形態(2)に係るEPS制御装置10Cでは、動
作速度切替手段11Cとして、MOS1〜MOS4の各ゲート端子Gとソース端子Sとの
間に、アナログスイッチ13a〜13dとコンデンサC1〜C4とがそれぞれ介装され、
また、プリドライバ3と、MOS1〜MOS4の各ゲート端子との間には、固定値のゲー
ト抵抗R1〜R4が介装されている点が大きな相違点である。
In the EPS control apparatus 10 according to the embodiment (1), as the operation speed switching means 11, the variable resistance means 11a to 11 are provided between the pre-driver 3 and the gate terminals of the MOS1 to MOS4.
In the EPS control device 10C according to the embodiment (2), an analog switch is provided between the gate terminals G and the source terminals S of the MOS1 to MOS4 as the operation speed switching means 11C. 13a to 13d and capacitors C1 to C4 are interposed,
The main difference is that fixed-value gate resistors R1 to R4 are interposed between the pre-driver 3 and the gate terminals of the MOS1 to MOS4.

このようにEPS制御装置10Cでは、MOS1〜MOS4の各ゲート端子とソース端
子との間に、それぞれアナログスイッチ13a〜13dとコンデンサC1〜C4とを含ん
で構成される可変容量手段が介装されており、EPS制御中に、アナログスイッチ13a
〜13dのオン/オフ状態を切り替えることにより、MOS1〜MOS4の各ゲート端子
とソース端子との間の合成容量を、装置の発熱状態に基づいて適宜切り替え、MOS1〜
MOS4のスイッチング動作速度を調整できるように構成されている点に特徴がある。
As described above, in the EPS control apparatus 10C, variable capacitance means configured to include the analog switches 13a to 13d and the capacitors C1 to C4 are interposed between the gate terminals and the source terminals of the MOS1 to MOS4. During the EPS control, the analog switch 13a
By switching the on / off states of ˜13d, the combined capacitance between the gate terminals and the source terminals of the MOS1 to MOS4 is appropriately switched based on the heat generation state of the device.
It is characterized in that the switching operation speed of the MOS 4 can be adjusted.

より具体的には、装置各部の温度が所定の許容温度(耐熱温度)に対して余裕がなくな
ってきた場合は、更なる温度上昇を抑えるために、可変容量手段を構成するアナログスイ
ッチ13a〜13dがオフに切り替えられ、MOS1〜MOS4の各ゲート端子とソース
端子との間の容量を内在する寄生容量のみとし、合成容量を小さくすることによって、M
OS1〜MOS4のスイッチング動作速度を速めて、スイッチング切替時に上下アーム素
子対に貫通電流が流れないように駆動制御が行われる。
More specifically, when the temperature of each part of the apparatus becomes less than a predetermined allowable temperature (heat-resistant temperature), the analog switches 13a to 13d constituting the variable capacitance means are used to suppress further temperature rise. Is switched off, and the capacitance between each gate terminal and the source terminal of the MOS1 to MOS4 is limited to the inherent parasitic capacitance, and the combined capacitance is reduced.
Driving control is performed so as to increase the switching operation speed of OS1 to MOS4 and prevent a through current from flowing through the pair of upper and lower arm elements during switching.

また、装置各部の温度が所定の許容温度に対して余裕がある状態の場合には、モータ電
圧や電流の歪、さらにMOS1〜MOS4のスイッチング動作に起因するノイズが少なく
なる状態でEPS制御が行えるように、可変容量手段を構成するアナログスイッチ13a
〜13dがオンに切り替えられ、MOS1〜MOS4の各ゲート端子とソース端子との間
の合成容量を大きくして、MOS1〜MOS4のスイッチング動作速度を緩めて、スイッ
チング切替時に各上下アーム素子対が共にオフ状態となる期間が生じない様に駆動制御が
行われる。
Further, when the temperature of each part of the apparatus has a margin with respect to a predetermined allowable temperature, EPS control can be performed in a state in which motor voltage and current distortion and noise due to switching operation of MOS1 to MOS4 are reduced. Thus, the analog switch 13a constituting the variable capacitance means
To 13d are turned on, the combined capacitance between the gate terminals and the source terminals of the MOS1 to MOS4 is increased, the switching operation speed of the MOS1 to MOS4 is slowed, and the upper and lower arm element pairs are connected together at the time of switching. Drive control is performed so that there is no period in which it is turned off.

図12は、実施の形態(2)に係るEPS制御装置10Cにおけるマイコン20Cの行
う可変容量手段の容量設定処理動作を示したフローチャートである。なお、本処理動作は
、車両のエンジン始動後に実行される。
FIG. 12 is a flowchart showing the capacity setting processing operation of the variable capacity means performed by the microcomputer 20C in the EPS control apparatus 10C according to the embodiment (2). This processing operation is executed after the vehicle engine is started.

エンジン始動後、まず、アナログスイッチ13a〜13dをオンさせる処理を行い、す
なわち、ゲート・ソース間の容量を、MOS1〜MOS4にそれぞれ内在するゲート・ソ
ース間の寄生容量と、コンデンサC1〜C4の容量との合成容量とし(ステップS21)
、続いて、通常のEPS制御を開始する(ステップS22)。
After the engine is started, the analog switches 13a to 13d are first turned on. That is, the gate-source capacitance is determined by the gate-source parasitic capacitance inherent in each of the MOS1 to MOS4 and the capacitance of the capacitors C1 to C4. (Step S21)
Subsequently, normal EPS control is started (step S22).

その後、トルクセンサ7から取得した信号に基づいて算出された操舵トルク指令値T*
が所定値T’以上であるか否かを判断し(ステップS23)、操舵トルク指令値T*が所
定値T’以上である、すなわち、操舵アシストが必要な運転状況であると判断すれば、温
度センサ6から取得した信号に基づいて、装置各部、例えばMOS1〜4の温度(推定温
度)Tsを算出する(ステップS24)。
Thereafter, the steering torque command value T * calculated based on the signal acquired from the torque sensor 7
Is determined to be equal to or greater than a predetermined value T ′ (step S23), and it is determined that the steering torque command value T * is equal to or greater than the predetermined value T ′, that is, a driving situation requiring steering assist. Based on the signal acquired from the temperature sensor 6, the temperature (estimated temperature) Ts of each part of the device, for example, the MOSs 1 to 4, is calculated (step S24).

次に、MOS1〜4の許容温度(すなわち、耐熱設定温度)Tmaxと、算出された推
定温度Tsとの差が所定値ΔT以上あるか、すなわち、MOS1〜MOS4の許容温度に
対して余裕があるか否かを判断し(ステップS25)、MOS1〜MOS4の許容温度T
maxと推定温度Tsとの差が所定値ΔT未満である、すなわち、許容温度に対して余裕
がないと判断すれば、アナログスイッチ13a〜13dをオフさせる処理を行い、すなわ
ちMOS1〜MOS4のスイッチング動作速度が速くなるように、ゲート・ソース間の容
量を、MOSの寄生容量のみにして、容量を小さくする処理を行い(ステップS26)、
その後、ステップS23に戻り処理を繰り返す。
Next, whether the difference between the allowable temperature (ie, the heat-resistant set temperature) Tmax of the MOS1 to 4 and the calculated estimated temperature Ts is equal to or greater than the predetermined value ΔT, that is, there is a margin with respect to the allowable temperature of the MOS1 to MOS4. (Step S25), the allowable temperature T1 of MOS1 to MOS4
If it is determined that the difference between max and the estimated temperature Ts is less than the predetermined value ΔT, that is, there is no allowance for the allowable temperature, the analog switches 13a to 13d are turned off, that is, the switching operation of the MOS1 to MOS4 In order to increase the speed, the capacitance between the gate and the source is made only the parasitic capacitance of the MOS to reduce the capacitance (step S26),
Then, it returns to step S23 and repeats a process.

一方ステップS25において、MOS1〜MOS4の許容温度Tmaxと推定温度Ts
との差が、所定値ΔT以上あると判断すれば、アナログスイッチ13a〜13dのオン状
態を継続する処理を行い、すなわちMOS1〜MOS4の動作速度を緩めるように、ゲー
ト・ソース間の容量を大きくした状態を継続する処理を行い(ステップS27)、その後
、ステップS23に戻り処理を繰り返す。
On the other hand, in step S25, the allowable temperature Tmax and the estimated temperature Ts of the MOS1 to MOS4.
Is determined to be greater than or equal to the predetermined value ΔT, the process of continuing the ON state of the analog switches 13a to 13d is performed, that is, the capacity between the gate and the source is increased so as to reduce the operating speed of the MOS1 to MOS4. The process which continues the state which performed is performed (step S27), and it returns to step S23 and repeats a process after that.

また一方、ステップS23において、操舵トルク指令値T*が所定値T’以上ではない
、すなわち、操舵アシストが必要ない運転状況であると判断すれば、ステップS27に進
み、MOS1〜MOS4の動作速度を緩めるように、アナログスイッチ13a〜13dの
オン状態を継続する処理を行い、その後、ステップS23に戻り処理を繰り返す。
On the other hand, if it is determined in step S23 that the steering torque command value T * is not equal to or greater than the predetermined value T ′, that is, the driving situation does not require steering assist, the process proceeds to step S27, and the operating speed of the MOS1 to MOS4 is set. In order to loosen, the process which continues the ON state of analog switch 13a-13d is performed, and it returns to step S23 and repeats a process after that.

このように許容温度に対して余裕がない、すなわち、MOS1〜MOS4の許容温度と
推定温度との温度差が小さい場合は、アナログスイッチ13a〜13dがオフされ、この
ときのモータ駆動回路を構成する各部の動作は、図7に示した各部の動作と略同様のパタ
ーンで行われ、MOS1、MOS2のスイッチング動作速度、すなわち、各ドレイン電流
の立ち上がり、立ち下がり速度を速めて、スイッチング切替時に、MOS1とMOS2と
が共にオン状態となる期間が生じないようにして、貫通電流の発生を防止して、MOS1
、MOS2の発熱に伴う温度上昇を抑制するようになっている。
Thus, when there is no allowance for the allowable temperature, that is, when the temperature difference between the allowable temperature of MOS1 to MOS4 and the estimated temperature is small, the analog switches 13a to 13d are turned off, and the motor drive circuit at this time is configured. The operation of each part is performed in a pattern substantially the same as the operation of each part shown in FIG. 7, and the switching operation speed of MOS1, MOS2, that is, the rise and fall speeds of each drain current is increased, and the switching of MOS1 Is prevented from occurring during the period in which both of the MOS1 and the MOS2 are turned on, thereby preventing the occurrence of a through current.
The temperature rise accompanying the heat generation of the MOS 2 is suppressed.

また、許容温度に対して余裕がある、すなわち、MOS1〜MOS4の許容温度と推定
温度との差が大きい場合は、アナログスイッチ13a〜13dがオンされ、このときのモ
ータ駆動回路を構成する各部の動作は、図8に示した各部の動作と略同様のパターンで行
われ、MOS1、MOS2のスイッチング動作速度、すなわち、各ドレイン電流の立ち上
がり、立ち下がり速度を緩めて、スイッチング切替時にMOS1とMOS2とが共にオフ
状態となる期間が生じないようにして、モータ電流の歪や放射ノイズを低減させ、操舵フ
ィーリングの良い操舵アシスト制御が行われるようになっている。
Further, when there is a margin with respect to the allowable temperature, that is, when the difference between the allowable temperature of MOS1 to MOS4 and the estimated temperature is large, the analog switches 13a to 13d are turned on, and the components of the motor drive circuit at this time The operation is performed in a pattern substantially the same as the operation of each part shown in FIG. 8, and the switching operation speed of MOS1, MOS2, that is, the rise and fall speeds of each drain current is slowed down. Thus, the steering assist control with good steering feeling is performed by reducing the distortion of the motor current and the radiation noise so as not to cause a period in which both of them are off.

上記実施の形態(2)に係るEPS制御装置10Aによれば、動作速度切替手段11C
としての可変容量手段を構成するアナログスイッチ13a〜13dのオン/オフが、装置
の発熱状態に基づいて切り替えられるので、実際の発熱状態(温度変化)に対応させて、
その状況に応じたスイッチング動作速度に切り替えてモータ50の駆動制御を行うことが
できる。
According to the EPS control device 10A according to the above embodiment (2), the operation speed switching means 11C.
Since the on / off of the analog switches 13a to 13d constituting the variable capacity means is switched based on the heat generation state of the device, it corresponds to the actual heat generation state (temperature change),
The drive control of the motor 50 can be performed by switching to the switching operation speed according to the situation.

したがって、MOS1〜MOS4の温度が、その許容温度に対して余裕がなくなってき
た場合、アナログスイッチ13a〜13dをオフにして、容量を小さくすることにより、
上下アーム素子対のスイッチング動作速度を速めて、スイッチング切替時に上下アーム素
子対が同時にオン状態とならないように、すなわちMOS1〜MOS4に貫通電流が流れ
ないようにすることができ、MOS1〜MOS4の発熱を抑えて、温度上昇を防止するこ
とができる。したがって、許容温度の高い(耐熱性の高い)コストの高く付く部品を採用
しなくても済むため、装置のコストアップを抑えることができる。
Therefore, when the temperature of the MOS1 to MOS4 has no room for the allowable temperature, the analog switches 13a to 13d are turned off to reduce the capacitance.
The switching operation speed of the upper and lower arm element pairs can be increased so that the upper and lower arm element pairs are not simultaneously turned on at the time of switching, that is, no through current flows through the MOS1 to MOS4. It is possible to prevent the temperature from rising. Therefore, it is not necessary to use costly parts with a high allowable temperature (high heat resistance), and thus the cost of the apparatus can be suppressed.

また、MOS1〜MOS4の温度が、その許容温度に対して余裕がある場合、アナログ
スイッチ13a〜13dをオンにして、容量を大きくすることにより、上下アーム素子対
のスイッチング動作速度を緩めて、スイッチング切替時に共にオフ状態とならないように
することができ、モータ電圧や電流の歪などのモータ50の制御に与える好ましくない影
響を低減させることができ、モータ50の回転駆動をよりスムーズなものにすることがで
きる。また、スイッチング動作に起因するノイズを低減させることができる。
Further, when the temperatures of the MOS1 to MOS4 have a margin with respect to the allowable temperature, the analog switches 13a to 13d are turned on to increase the capacity, thereby slowing the switching operation speed of the upper and lower arm element pairs and switching. Both can be prevented from being turned off at the time of switching, unfavorable influence on the control of the motor 50 such as motor voltage and current distortion can be reduced, and the rotational drive of the motor 50 can be made smoother. be able to. Further, noise due to the switching operation can be reduced.

なお、上記実施の形態(2)に係るEPS制御装置10Cでは、可変容量手段として、
MOS1〜MOS4のゲート端子とソース端子との間に、それぞれアナログスイッチ13
a〜13dとコンデンサC1〜C4とが介装されている場合について説明したが、別の実
施の形態に係るEPS制御装置10Dでは、図13に示したように、MOS1〜MOS4
の各ゲート端子とドレイン端子との間に、それぞれアナログスイッチ14a〜14dとコ
ンデンサC11〜C14とが介装された構成にして、ゲート・ドレイン間の容量をアナロ
グスイッチ14a〜14dのオン/オフの切り替え制御に基づいて増減させる構成とする
こともできる。
In the EPS control device 10C according to the above embodiment (2), as the variable capacity means,
The analog switch 13 is connected between the gate terminals and the source terminals of the MOS1 to MOS4, respectively.
Although a case where a to 13d and capacitors C1 to C4 are interposed has been described, in the EPS control device 10D according to another embodiment, as illustrated in FIG.
The analog switches 14a to 14d and the capacitors C11 to C14 are respectively interposed between the gate terminals and the drain terminals of the first and second terminals, and the capacitance between the gate and the drain is turned on / off of the analog switches 14a to 14d. It can also be set as the structure increased / decreased based on switching control.

また、さらに別の実施の形態EPS制御装置10Eでは、図14に示したように、MO
S1〜MOS4の各ドレイン端子とソース端子との間に、それぞれアナログスイッチ15
a〜15dとコンデンサC21〜C24とが介装された構成にして、ドレイン・ソース間
の容量をアナログスイッチ15a〜15dのオン/オフの切り替え制御に基づいて増減さ
せる構成とすることもできる。
Furthermore, in another embodiment EPS control apparatus 10E, as shown in FIG.
Analog switches 15 are connected between the drain terminals and the source terminals of S1 to MOS4, respectively.
It is also possible to adopt a configuration in which a to 15d and capacitors C21 to C24 are interposed, and the capacitance between the drain and the source is increased or decreased based on on / off switching control of the analog switches 15a to 15d.

さらに、MOS1〜MOS4の各ゲート端子とソース端子との間、各ゲート端子とドレ
イン端子との間、又は各ドレイン端子とソース端子との間のいずれか2箇所以上に、それ
ぞれ上記したアナログスイッチとコンデンサとが介装された構成にすることもできる。
Furthermore, the above-mentioned analog switch is provided at any two or more positions between each gate terminal and source terminal of MOS1 to MOS4, between each gate terminal and drain terminal, or between each drain terminal and source terminal. A configuration in which a capacitor is interposed may be employed.

また、上記実施の形態では、MOS1〜MOS4の各端子間に、アナログスイッチとコ
ンデンサとが1つ並列に介装されている場合について説明したが、MOS1〜MOS4の
各端子間に、アナログスイッチとコンデンサとを並列に接続して、MOS1〜MOS4の
各端子間の容量を多段階に切り替える構成とすることもできる。
In the above embodiment, the case where one analog switch and one capacitor are interposed in parallel between the terminals of the MOS1 to MOS4 has been described. However, the analog switch and the capacitor are connected between the terminals of the MOS1 to MOS4. A capacitor may be connected in parallel to switch the capacitance between the terminals of the MOS1 to MOS4 in multiple stages.

図15は、実施の形態(3)に係るモータ制御装置が採用された車載用の電動パワース
テアリング制御装置の概略構成を示した図である。但し、図3に示したEPS制御装置1
0と同一機能を有する構成部品については、同一符号を付し、その説明を省略する。
FIG. 15 is a diagram illustrating a schematic configuration of an in-vehicle electric power steering control device in which the motor control device according to the embodiment (3) is employed. However, the EPS control device 1 shown in FIG.
Constituent parts having the same function as 0 are given the same reference numerals and their description is omitted.

実施の形態(1)に係るEPS制御装置10では、動作速度切替手段11として、プリ
ドライバ3と、各MOS1〜MOS4のゲート端子との間に、それぞれ可変抵抗手段11
a〜11dが介装されているが、実施の形態(3)に係るEPS制御装置10Fでは、動
作速度切替手段11Fとして、プリドライバ3とMOS1〜MOS4の各ゲート端子との
間に、それぞれ可変抵抗手段11a〜11dが介装されるとともに、MOS1〜MOS4
の各ゲート端子とソース端子との間に、それぞれアナログスイッチ13a〜13dとコン
デンサC1〜C4とが介装されている点が大きな相違点である。
In the EPS control apparatus 10 according to the embodiment (1), the variable resistance means 11 is provided as the operation speed switching means 11 between the pre-driver 3 and the gate terminals of the MOS1 to MOS4.
a to 11d are interposed, but in the EPS control device 10F according to the embodiment (3), the operation speed switching unit 11F is variable between the pre-driver 3 and each gate terminal of the MOS1 to MOS4. Resistance means 11a to 11d are interposed, and MOS1 to MOS4
The main difference is that analog switches 13a to 13d and capacitors C1 to C4 are interposed between the gate terminals and the source terminals of the above.

すなわち、実施の形態(3)に係るEPS制御装置10Fにおける動作速度切替手段1
1Fは、実施の形態(1)における動作速度切替手段11と、実施の形態(2)における
動作速度切替手段11Cとを組み合わせた構成となっている。
That is, the operation speed switching means 1 in the EPS control apparatus 10F according to the embodiment (3).
1F is a combination of the operation speed switching means 11 in the embodiment (1) and the operation speed switching means 11C in the embodiment (2).

次に実施の形態(3)に係るEPS制御装置10Fにおけるマイコン20Fの行う抵抗
値・容量設定処理動作を図16に示したフロ−チャ−トに基づいて説明する。なお、本処
理動作は、車両のエンジン始動後に実行される。
Next, the resistance value / capacitance setting processing operation performed by the microcomputer 20F in the EPS control apparatus 10F according to the embodiment (3) will be described based on the flowchart shown in FIG. This processing operation is executed after the vehicle engine is started.

エンジン始動後、まず、可変抵抗手段11a〜11dの抵抗の値を、予め設定されてい
るデフォルト値に設定する処理と、アナログスイッチ13a〜13dをオンさせる処理と
を行い(ステップS31)、続いて、通常のEPS制御を開始する(ステップS32)。
After the engine is started, first, a process of setting the resistance values of the variable resistance means 11a to 11d to a preset default value and a process of turning on the analog switches 13a to 13d are performed (step S31). Then, normal EPS control is started (step S32).

その後、トルクセンサ7から取得した信号に基づいて算出された操舵トルク指令値T*
(操舵補助トルクの目標値)が所定値T’以上であるか否かを判断し(ステップS33)
、操舵トルク指令値T*が所定値T’以上である、すなわち、操舵アシストが必要な運転
状況であると判断すれば、温度センサ6から取得した信号に基づいて、装置各部、例えば
MOS1〜MOS4の温度(推定温度)Tsを算出する(ステップS34)。
Thereafter, the steering torque command value T * calculated based on the signal acquired from the torque sensor 7
It is determined whether (target value of steering assist torque) is equal to or greater than a predetermined value T ′ (step S33).
If it is determined that the steering torque command value T * is equal to or greater than the predetermined value T ′, that is, the driving situation requires steering assist, each part of the device, for example, MOS1 to MOS4, for example, based on the signal acquired from the temperature sensor 6. Temperature (estimated temperature) Ts is calculated (step S34).

次にMOS1〜MOS4の許容温度(すなわち、耐熱設定温度)Tmaxと、算出され
た推定温度Tsとの差が所定値ΔT以上あるか、すなわち、MOS1〜MOS4の許容温
度に対して余裕があるか否かを判断し(ステップS35)、MOS1〜MOS4の許容温
度Tmaxと推定温度Tsとの差が所定値ΔT未満である、すなわち、MOS1〜MOS
4の許容温度に対して余裕がないと判断すれば、MOS1〜MOS4の動作速度が速くな
るように、可変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値を小さな値に切り替える処理
、及び/又はアナログスイッチ13a〜13dをオフさせる処理を行い(ステップS36
)、その後、ステップS33に戻り処理を繰り返す。
Next, whether the difference between the allowable temperature (ie, heat-resistant set temperature) Tmax of MOS1 to MOS4 and the calculated estimated temperature Ts is equal to or greater than a predetermined value ΔT, that is, whether there is a margin with respect to the allowable temperature of MOS1 to MOS4 (Step S35), and the difference between the allowable temperature Tmax of the MOS1 to MOS4 and the estimated temperature Ts is less than a predetermined value ΔT, that is, MOS1 to MOS.
If it is determined that there is no room for the allowable temperature of 4, the process of switching the resistance values set in the variable resistance means 11a to 11d to a small value and / or analog so that the operating speed of the MOS1 to MOS4 increases. Processing for turning off the switches 13a to 13d is performed (step S36).
Then, the process returns to step S33 to repeat the process.

すなわち、ステップS36では、MOS1〜MOS4の許容温度Tmaxと推定温度T
sとの温度差を、マイコン20F内のEEPROMに記憶された設定抵抗値と上昇温度と
の関係マップに当てはめて、該関係マップから前記温度差に対応する設定抵抗値を求め、
可変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値を、前記温度差から求めた設定抵抗値に
切り替える処理、及び/又はアナログスイッチ13a〜13dをオフにして、ゲート・ソ
ース間の容量を小さくする処理を行う。その後は、切り替えた抵抗値でEPS制御が実施
される。
That is, in step S36, the allowable temperature Tmax and the estimated temperature Tmax of the MOS1 to MOS4.
The temperature difference from s is applied to the relationship map between the set resistance value and the rising temperature stored in the EEPROM in the microcomputer 20F, and the set resistance value corresponding to the temperature difference is obtained from the relationship map.
A process of switching the resistance value set in the variable resistance means 11a to 11d to a set resistance value obtained from the temperature difference and / or a process of turning off the analog switches 13a to 13d to reduce the capacitance between the gate and the source I do. Thereafter, EPS control is performed with the switched resistance value.

なお、この場合、許容温度に対して余裕がない、すなわち、MOS1〜MOS4の許容
温度と推定温度との温度差が小さくなっているので、該温度差以上の温度上昇が起きない
ように(換言すると、許容温度を越えないように)するための抵抗値(すなわち、小さめ
の抵抗値)が設定される。また、許容温度に対して余裕がない状況で小さな抵抗値に設定
された場合、及び/又はアナログスイッチ13a〜13dがオフされた場合のモータ駆動
回路を構成する各部の動作については、図7に示した動作と略同様なので、ここでは説明
を省略する。
In this case, there is no allowance for the allowable temperature, that is, the temperature difference between the allowable temperature of the MOS1 to MOS4 and the estimated temperature is small, so that a temperature increase beyond the temperature difference does not occur (in other words, Then, a resistance value (that is, a smaller resistance value) for setting the temperature so as not to exceed the allowable temperature is set. FIG. 7 shows the operation of each part of the motor drive circuit when a small resistance value is set in a situation where there is no allowance for the allowable temperature and / or when the analog switches 13a to 13d are turned off. Since it is substantially the same as the operation shown, the description is omitted here.

一方ステップS35において、MOS1〜MOS4の許容温度Tmaxと推定温度Ts
との差が、所定値ΔT以上あると判断すれば、MOS1〜MOS4のスイッチング動作速
度を緩めるように、可変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値を大きな値に切り替
える処理とアナログスイッチ13a〜13dのオン状態を継続する処理とを行い(ステッ
プS37)、その後、ステップS33に戻り処理を繰り返す。
On the other hand, in step S35, the allowable temperature Tmax and the estimated temperature Ts of the MOS1 to MOS4.
And the analog switches 13a to 13a to switch the resistance values set in the variable resistance means 11a to 11d to a large value so as to slow down the switching operation speed of the MOS1 to MOS4. The process of continuing the ON state of 13d is performed (step S37), and then the process returns to step S33 to repeat the process.

すなわち、ステップS37では、MOS1〜MOS4の許容温度Tmaxと推定温度T
sとの温度差を、マイコン20F内のEEPROMに記憶された設定抵抗値と上昇温度と
の関係マップに当てはめて、該関係マップから前記温度差に対応する抵抗値を求め、可変
抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値を、前記温度差から求めた抵抗値に切り替え
る処理と、アナログスイッチ13a〜13dのオン状態を継続する処理とを行う。その後
は、切り替えられた抵抗値でEPS制御が実施される。
That is, in step S37, allowable temperature Tmax and estimated temperature Tmax of MOS1 to MOS4.
The temperature difference from s is applied to a relationship map between the set resistance value and the rising temperature stored in the EEPROM in the microcomputer 20F, and a resistance value corresponding to the temperature difference is obtained from the relationship map, and the variable resistance means 11a to 11a- A process of switching the resistance value set to 11d to the resistance value obtained from the temperature difference and a process of continuing the ON state of the analog switches 13a to 13d are performed. Thereafter, EPS control is performed with the switched resistance value.

なお、この場合、許容温度に対して余裕がある、すなわち、MOS1〜MOS4の許容
温度Tmaxと推定温度Tsとの温度差が大きいので、該温度差以上の温度上昇が起きな
いようにすればよく、大きめの抵抗値が設定できる。また、許容温度に対して余裕がある
状況で大きめの抵抗値が設定され、アナログスイッチ13a〜13dがオン状態である場
合のモータ駆動回路を構成する各部の動作については、図8に示した動作と略同様である
ので、ここでは説明を省略する。
In this case, there is a margin with respect to the allowable temperature, that is, the temperature difference between the allowable temperature Tmax of the MOS1 to MOS4 and the estimated temperature Ts is large. A larger resistance value can be set. The operation of each part of the motor drive circuit when a large resistance value is set in a situation where there is a margin with respect to the allowable temperature and the analog switches 13a to 13d are in the on state is shown in FIG. The description thereof is omitted here.

また一方、ステップS33において、操舵トルク指令値T*が所定値T’以上ではない
、すなわち、操舵アシストが必要されていない運転状況であると判断すれば、ステップS
37に進み、MOS1〜MOS4のスイッチング動作速度を緩めるように、可変抵抗手段
11a〜11dに設定する抵抗の値を切り替える処理とアナログスイッチ13a〜13d
のオン状態を継続する処理とを行い、その後、ステップS33に戻り処理を繰り返す。
On the other hand, if it is determined in step S33 that the steering torque command value T * is not equal to or greater than the predetermined value T ′, that is, if the driving situation does not require steering assist, step S33 is performed.
37, the process of switching the resistance values set in the variable resistance means 11a to 11d and the analog switches 13a to 13d so as to slow down the switching operation speed of the MOS1 to MOS4.
The process of continuing the ON state is performed, and then the process returns to step S33 to repeat the process.

上記実施の形態(3)に係るEPS制御装置10Fによれば、動作速度切替手段11F
を構成する可変抵抗手段11a〜11dに設定する抵抗の値と、可変容量手段を構成する
アナログスイッチ13a〜13dのオン/オフとが、装置の発熱状態に基づいて切り替え
られるので、実際の温度変化に対応させて、その状況に応じたスイッチング動作速度をよ
り細かく調整することができる。
According to the EPS control device 10F according to the above embodiment (3), the operation speed switching means 11F.
Since the resistance values set in the variable resistance means 11a to 11d constituting the switch and the on / off of the analog switches 13a to 13d constituting the variable capacitance means are switched based on the heat generation state of the device, the actual temperature change The switching operation speed according to the situation can be adjusted more finely.

なお、上記実施の形態では、モータ50にDCブラシ付きモータが適用されている場合
で説明しているが、3相ブラシレスモータ等の他の構成のモータにも適用することができ
、例えば、3相ブラシレスモータを適用する場合は、それに対応するモータ駆動回路、例
えば、バッテリBから供給される直流電圧をパルス幅変調(PWM)制御により3相の交
流電圧に変換してモータに供給するように構成された回路を使用すればよく、そのスイッ
チング回路には、U相、V相、W相の各相に対応する上下アーム素子対を備えた3相ブリ
ッジ回路構成を備えたものを使用すればよい。
In the above embodiment, a case where a motor with a DC brush is applied to the motor 50 has been described. However, the present invention can also be applied to a motor having another configuration such as a three-phase brushless motor. When a phase brushless motor is applied, a DC voltage supplied from a corresponding motor drive circuit, for example, battery B, is converted into a three-phase AC voltage by pulse width modulation (PWM) control and supplied to the motor. It is only necessary to use a configured circuit, and a switching circuit having a three-phase bridge circuit configuration including a pair of upper and lower arm elements corresponding to each of the U-phase, V-phase, and W-phase may be used. Good.

また、上記実施の形態では、装置内に設けた温度センサ6から取り込んだ信号に基づい
て、温度を検出するように構成されているが、モータ50やスイッチング回路31に流れ
る電流値などから演算により温度を求める構成を採用することもできる。
In the above embodiment, the temperature is detected on the basis of a signal acquired from the temperature sensor 6 provided in the apparatus. However, the current value flowing in the motor 50 or the switching circuit 31 is calculated by calculation. A configuration for obtaining the temperature can also be adopted.

また、本発明に係るモータ制御装置は、上述した電動パワーステアリング制御装置のみ
ならず、上下アーム素子対を有するスイッチング回路を駆動させて、モータを駆動させる
他のモータ制御装置にも適用することができる。
The motor control device according to the present invention can be applied not only to the above-described electric power steering control device but also to other motor control devices that drive a motor by driving a switching circuit having a pair of upper and lower arm elements. it can.

従来の電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。It is the figure which showed schematic structure of the conventional electric power steering control apparatus. 従来の電動パワーステアリング制御装置におけるモータ駆動回路の動作を説明するための波形図である。It is a wave form diagram for demonstrating operation | movement of the motor drive circuit in the conventional electric power steering control apparatus. 本発明の実施の形態(1)に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。It is the figure which showed schematic structure of the electric power steering control apparatus which concerns on Embodiment (1) of this invention. 実施の形態(1)に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行うマップ情報記憶処理動作を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the map information storage processing operation which the microcomputer in the electric power steering control device which relates to execution form (1). 実施の形態(1)に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンのEEPROMに格納されたマップ情報を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the map information stored in EEPROM of the microcomputer in the electric power steering control apparatus which concerns on embodiment (1). 実施の形態(1)に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行う抵抗値切替処理動作を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the resistance value switching process operation | movement which the microcomputer in the electric power steering control apparatus which concerns on embodiment (1) performs. (a)〜(g)は、実施の形態(1)に係る電動パワーステアリング制御装置におけるモータ駆動回路の動作を説明するための波形図である。(A)-(g) is a wave form diagram for demonstrating operation | movement of the motor drive circuit in the electric power steering control apparatus which concerns on embodiment (1). (a)〜(g)は、実施の形態(1)に係る電動パワーステアリング制御装置におけるモータ駆動回路の動作を説明するための波形図である。(A)-(g) is a wave form diagram for demonstrating operation | movement of the motor drive circuit in the electric power steering control apparatus which concerns on embodiment (1). 別の実施の形態に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the electric power steering control apparatus which concerns on another embodiment. さらに別の実施の形態に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the electric power steering control apparatus which concerns on another embodiment. 実施の形態(2)に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。It is the figure which showed schematic structure of the electric power steering control apparatus which concerns on embodiment (2). 実施の形態(2)に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行う容量切替処理動作を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the capacity | capacitance switching process operation which the microcomputer in the electric power steering control apparatus which concerns on embodiment (2) performs. 別の実施の形態に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the electric power steering control apparatus which concerns on another embodiment. さらに別の実施の形態に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the electric power steering control apparatus which concerns on another embodiment. 実施の形態(3)に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。It is the figure which showed schematic structure of the electric power steering control apparatus which concerns on embodiment (3). 実施の形態(3)に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行う容量切替処理動作を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the capacity | capacitance switching process operation which the microcomputer in the electric power steering control apparatus which concerns on embodiment (3) performs.

符号の説明Explanation of symbols

3 プリドライバ
4 スイッチング回路
6 温度センサ
10、10A〜10F 電動パワーステアリング制御装置
11、11A〜11F 動作速度切替手段
20、20A〜20F マイコン
50 モータ
3 Pre-driver 4 Switching circuit 6 Temperature sensor 10, 10A to 10F Electric power steering control device 11, 11A to 11F Operating speed switching means 20, 20A to 20F Microcomputer 50 Motor

Claims (5)

モータに駆動電流を供給するラインに介装されるスイッチング手段と、
該スイッチング手段を駆動させるための駆動手段と、
該駆動手段を駆動させてモータの駆動を制御するモータ制御手段と、
前記スイッチング手段のスイッチング切替時の動作速度を切り替えるための動作速度切
替手段と、
発熱状態に基づいて前記動作速度切替手段の設定を切り替える切替制御手段とを備えて
いることを特徴とするモータ制御装置。
Switching means interposed in a line for supplying drive current to the motor;
Drive means for driving the switching means;
Motor control means for controlling the drive of the motor by driving the drive means;
An operation speed switching means for switching the operation speed at the time of switching of the switching means;
A motor control device comprising switching control means for switching the setting of the operation speed switching means based on a heat generation state.
前記動作速度切替手段が、前記スイッチング手段の制御端子に接続される抵抗の値を切
り替え可能な可変抵抗手段を含んで構成され、
前記切替制御手段が、発熱状態に基づいて前記可変抵抗手段の抵抗値の設定を切り替え
る抵抗切替制御手段を含んで構成されていることを特徴とする請求項1記載のモータ制御
装置。
The operating speed switching means includes variable resistance means capable of switching a resistance value connected to a control terminal of the switching means,
2. The motor control device according to claim 1, wherein the switching control unit includes a resistance switching control unit that switches setting of a resistance value of the variable resistance unit based on a heat generation state.
前記動作速度切替手段が、前記スイッチング手段の端子間容量を切り替え可能な可変容
量手段を含んで構成され、
前記切替制御手段が、発熱状態に基づいて前記可変容量手段の容量の設定を切り替える
容量切替制御手段を含んで構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の
モータ制御装置。
The operating speed switching means includes variable capacity means capable of switching the inter-terminal capacity of the switching means,
3. The motor control device according to claim 1, wherein the switching control unit includes a capacity switching control unit that switches a setting of a capacity of the variable capacity unit based on a heat generation state.
車両の運転状況に応じて、操舵機構に設けられたモータを駆動させて操舵をアシストす
る制御を行う電動パワーステアリング制御装置に採用されるものであり、
操舵アシストが必要な運転状況であるか否かを判断する判断手段を備え、
前記切替制御手段が、前記判断手段による判断結果を考慮して、前記動作速度切替手段
の設定を切り替えるものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかの項に記載のモ
ータ制御装置。
According to the driving situation of the vehicle, it is adopted in an electric power steering control device that performs control to assist steering by driving a motor provided in a steering mechanism,
A determination means for determining whether or not the driving situation requires steering assist;
The motor control device according to any one of claims 1 to 3, wherein the switching control unit switches the setting of the operation speed switching unit in consideration of a determination result by the determination unit. .
温度情報を取得するステップと、
モータに駆動電流を供給するラインに介装されるスイッチング手段のスイッチング切替
時の動作速度を切り替えるための動作速度切替手段の設定を、前記取得した温度情報に基
づいて切り替えるステップと、
該切り替えられた前記動作速度切替手段の設定状態で、前記スイッチング手段を駆動さ
せる制御を行うステップとを含むことを特徴とするモータ制御方法。
Obtaining temperature information; and
Switching the setting of the operation speed switching means for switching the operation speed at the time of switching switching of the switching means interposed in the line for supplying the drive current to the motor based on the acquired temperature information;
And a step of performing control to drive the switching means in the switched setting state of the operation speed switching means.
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