JP2008274090A - 接着剤組成物及びその使用方法 - Google Patents

Abstract

【課題】エポキシ樹脂と反応性の基を備え、且つ、耐熱衝撃性に優れた硬化物を与える、非シリコーン系の接着剤を提供する。
【解決手段】
（Ａ）下記の式（１）で示される繰り返し単位からなる、アルコール性水酸基を有する交互共重合体 １００質量部、
（Ｂ）１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂
１０〜１０００質量部、
及び
（Ｃ）硬化促進剤 ０．１〜１０００質量部
を含む接着剤組成物

（Ｘは芳香族または脂環式の２価の基であり、Ｙは酸素原子を含む２価の脂肪族基から選ばれる）。
【選択図】なし

Description

本発明は、エポキシ樹脂を含む接着剤組成物に関し、詳細には、アルコール性水酸基から誘導されるソフトセグメントを含む柔軟な硬化物を与える接着剤組成物に関する。該樹脂組成物は、チップを基板上、或いは他のチップ上に固定するダイボンド剤として好適である。

半導体装置は、ＩＣ回路が形成された大径のシリコンウエハをダイシング（切断）工程で半導体チップに切り分け、リードフレームに硬化性の液状接着剤（ダイボンド剤）等で熱圧着、接着固定（マウント）し、電極間のワイヤボンディングの後、ハンドリング性や外部環境からの保護ため、封止することにより製造されている。この封止形態としては、樹脂によるトランスファーモールド法が、量産性に優れ、安価なため、最も一般的に用いられている。

近年の電気・電子機器の小型化、多機能化に伴い、リードフレームを有しないエリアアレイ接合型（ＣＳＰ）、あるいはチップが積層された構造（スタックドＣＳＰ、ＳｉＰ）が多用されている。これらパッケージング（ＰＫＧ）では、従来に増して厳しい耐熱衝撃性（応力）が要求される。

更に、鉛フリーはんだに対応した耐リフロー性の温度も高温（２６５℃）となり、厳しいものとなってきている。パッケージング構成材料において、ダイボンド剤は比較的広範囲での特性制御が可能であり、これらの要求に対して比較的容易に対応ができることから、ダイボンド剤に対して厳しい耐熱衝撃（応力）に対応できる特性が求められてきている。

応力を低下するために、可撓化剤を添加する方法が知られており、例えば、ヒドロキシフェニル基を有する変性シリコーンオイルとエポキシ樹脂との反応物である可撓化剤（特許文献１）がある。該可撓化剤は、エポキシ樹脂と、イミダゾール誘導体と共に使用され、ボイドが無く耐熱衝撃性に優れた硬化物を与えるとされている。
特開平６−３３３９６３号公報

上記可撓化剤のように、シリコーン部分の可撓性を利用することはよく行なわれている。しかし、シリコーン部分が在ると、相溶性の点から、組合わせて使用する他の成分が限定される場合がある。また、用途によっては、シリコーン部分が無い方が好ましいものもある。

そこで、本発明は、エポキシ樹脂と反応性の基を備え、且つ、耐熱衝撃性に優れた硬化物を与える、非シリコーン系の接着剤を提供することを目的とする。

即ち本発明は、下記（Ａ）〜（Ｃ）を含む接着剤組成物である。
（Ａ）下記の式（１）で示される繰り返し単位からなるアルコール性水酸基を有する交互共重合体 １００質量部、
（Ｂ）１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂
１０〜１０００質量部、
及び
（Ｃ）硬化促進剤 ０．１〜１０００質量部

[式（１）においてＸは、下記に示す２価の有機基から選ばれる少なくとも１種類であり、

Ｙは、下記に示す２価の有機基から選ばれる少なくとも１種である。

（ａは１〜１００の整数、ｂは１〜６の整数、ｃは１〜４０の整数である。）

（ｘ、ｙ、及びｚは０以上の整数、但し０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．３及び３０≦（ｘｚ＋ｙｚ）≦１００である。）]

上記成分（Ａ）は、そのアルコール性水酸基が（Ｂ）エポキシ樹脂と反応して、柔軟性、耐衝撃性に優れた硬化物を形成する。これにより、チップを基板上、或いは他のチップ上に固定するダイボンド剤に好適である。

成分（Ａ）：アルコール性水酸基を有するポリマー
（Ａ）アルコール性水酸基を有する交互共重合体は下記式（１）で表される繰り返し単位を有する。

このように、β位が何れもメチレン基である２級アルコール性水酸基を有する。アルコール性水酸基はエポキシ樹脂との反応性が低いが、上記アルコール性水酸基は、立体障害が小さく、特に硬化促進剤として、後述するイミダゾール誘導体を用いると、高い反応性を示す。得られる硬化物は、フェノール性水酸基からの硬化物よりも可撓性である。

式（１）において、Ｘは下記に示す２価の有機基から選ばれる少なくとも１種類である。

Ｙは、下記に示す２価の有機基から選ばれる少なくとも１種である。

上式で、ａは１〜１００、好ましくは４〜１００の整数であり、ｂは１〜６、好ましくは２〜６の整数であり、ｃは１〜４０、好ましくは１〜３０の整数である。

上式で、ｘ、ｙ、及びｚは０以上の整数、但し０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．３及び３０≦（ｘｚ＋ｙｚ）≦１００であり、好ましくはｙ／（ｘ＋ｙ）が０．１〜０．２及びｚが１０〜２０である。

アルコール性水酸基を有するポリマーとしては、フェノキシ樹脂が知られている。しかし、本発明における交互共重合体（Ａ）は、ビスフェノール骨格或いは水添ビスフェノール骨格から選ばれる剛直部位Ｘに加えて、エチレン骨格、エーテル骨格、ブタジエン・ニトリル骨格或いはシロキサン骨格から選ばれる柔軟部位Ｙを含む。これにより、従来のフェノキシ樹脂と同様の耐熱衝撃性を維持しつつ、より柔軟な硬化物を与える。

交互共重合体（Ａ）は、Ｘ部分を誘導するための芳香族または脂環式の環状化合物と、Ｙ部分を誘導するための鎖状化合物を反応させることによって、得ることができる。剛直部位と柔軟部位の種類、分子量、含有量を調整することにより樹脂組成物の用途に応じた柔軟性を達成することが可能である。

アルコール性水酸基を有する交互共重合体（Ａ）は、好ましくはポリスチレン換算の重量平均分子量が５，０００乃至１５０，０００程度である。前記下限値未満の重量平均分子量では、硬化物の耐熱衝撃性が低い場合がある。又、組成物が希釈剤を含む場合、該希釈剤が除去された後の組成物の粘度が低く、ダイシングの際に、樹脂組成物がダイサーの刃に付着する等の支障をきたす場合がある。一方、重量平均分子量が前記上限値より大きい場合は、エポキシ樹脂との相溶性が低い場合がある。又、組成物が希釈剤を含む場合、該希釈剤が除去された後の組成物の粘度が高く、樹脂組成物が基板に十分に接合しない場合がある。

交互共重合体（Ａ）のガラス転移温度が０℃〜９０℃、より好ましくは０℃〜６０℃である。該ガラス転移温度は、ポリマーの原料の種類、分子量、含有量、ポリマーの合成条件を調整することにより達成される。特に剛直部位と柔軟部位の含有量を調整することが有効であり、剛直部位が多ければガラス転移温度は高く、逆に柔軟部位が多ければ低くなる。ガラス転移温度の測定は、示差熱分析法（ＤＳＣ）により行うことができる。ここでガラス転移温度が前記下限値より低い場合は、柔軟成分が多く、希釈剤溶が除去された後に過度に柔軟になり、チップが基板或いは他のチップに十分に固定されない等の支障をきたす場合がある。一方、ガラス転移温度が前記上限値より高い場合は、剛直成分が多く、十分な柔軟性が得られない恐れがある。

成分（Ｂ）：エポキシ樹脂
（Ｂ）１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂は、好ましくはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及び下記式（２）で表されるクレゾールノボラック樹脂から選ばれる。

（ｐは１〜８の整数である。）

このエポキシ樹脂はグリシジル基が成分（Ａ）アルコール性水酸基と反応して、架橋構造を形成する。また、組成物の、基板或いは他のチップに対する接合性を向上する。即ち、チップを基板又は他のチップにボンディングする工程で、加温されると、成分（Ａ）のマトリックスから、粘度が低下したエポキシ樹脂が染み出し、これが基板或いは他のチップの表面に濡れ広がることにより、組成物の接合性を向上する。

エポキシ樹脂（Ｂ）の含有量は、成分（Ａ）の１００重量部に対して１０乃至１０００重量部、好ましくは２０〜５００重量部である。ここでエポキシ樹脂の含有量が前記下限値未満である場合は、十分に架橋構造が形成されない、或いは上述の接合性向上効果が十分に出現しない。一方、エポキシ樹脂の含有量が前記上限値より多い場合は、成分（Ａ）の含有量が相対的に小さくなる為に、硬化物の十分な柔軟性や耐熱衝撃性が得られない恐れがある。

成分（Ｃ）：硬化促進剤
硬化促進剤（Ｃ）は、（Ａ）成分の水酸基と、（Ｂ）成分のエポキシ基を反応させることができるものであればよく、例えば、ジシアンジアミド、イミダゾール誘導体が挙げられる。好ましくは下記の式（５）に示されるイミダゾール誘導体である。

Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は、夫々、炭素数１〜１０の有機基である。好ましくは、下記の式（６）の２−フェニル−４−ヒドロキシメチルイミダゾール又は（７）の２−フェニル−４、５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが使用される。

本発明の樹脂組成物を後述する方法で使用する場合は、希釈剤を添加するが、上記２−フェニル−４−ヒドロキシメチルイミダゾールと２−フェニル−４、５−ジヒドロキシメチルイミダゾールは多くの希釈剤に不溶であるので、組成物の保存安定性が高い。また、成分（Ａ）のアルコール性水酸基と成分（Ｂ）のグリシジル基の反応に対する活性温度が２００℃近辺と高いが、一旦反応が開始すれば高い活性を示す。このため、加熱により希釈剤を除去して固形状にする際の温度或いは時間の条件の幅が広く、固形状での保存安定性に優れ、更に、硬化度の高い硬化物を与える。

この硬化促進剤は、成分（Ａ）の１００重量部に対して０．１〜１０重量部、好ましくは０．２〜１重量部である。ここで硬化促進剤の含有量が前記下限値未満である場合は、十分に硬化反応が進行しない恐れがある。一方、硬化促進剤の含有量が前記上限値より多い場合は、保存安定性が損なわれる恐れがある。

成分（Ｄ）：希釈剤
本発明の樹脂組成物は、被着体に施与する際の作業性を高めるために、希釈剤を添加してよい。希釈剤の種類は特に限定されるものではないが、該希釈剤を揮発させた後の固形状物での保存安定性を向上させる為に、交互共重合体（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｂ）、更に後述する任意成分であるエポキシ樹脂の硬化剤に対しては良溶媒であり、硬化促進剤（Ｃ）に対しては、貧溶媒であるものが望ましい。例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、ジアセトンアルコール等のケトン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール等のグリコールエーテル、メチルセルソルブアセテート、エチルセルソルブアセテート、カルビトールアセテート等のグリコールエステル等が挙げられる。上述の希釈剤の中でも、イソホロン、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、カルビトールアセテート等が、沸点が１８０℃〜２３０℃であり、被着体に施与する際の作業性が良いので、より好ましい。

この希釈剤の含有量は、目的に応じて適宜調整することができるが、通常、樹脂組成物全体の１００重量部に対して１０〜９０重量部である。希釈剤の含有量が、９０重量部より多い場合は、後述する無機充填剤を含む場合には、該無機充填剤が長期保存中に沈降する恐れがある。

エポキシ樹脂の硬化剤
本発明の樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない量で、エポキシ樹脂用の硬化剤を含有してよい。エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂、酸無水物、芳香族アミン等が挙げられるが、本発明の樹脂組成物は（Ａ）アルコール性水酸基を含有することから、フェノール樹脂であることが望ましく、好ましくは下記の式（８）乃至（１０）のいずれかで表されるものから選ばれる。

（ｑは０以上、好ましくは１〜８の整数である）
このエポキシ樹脂の硬化剤の含有量は、成分（Ｂ）に対して当量比で０．８乃至１．２とすることが望ましい。

その他の成分
本発明の樹脂組成物は上記の各成分に加えて、シリカやアルミナ等の絶縁性粉末、銀粉等の導電性粉末等の無機充填剤、アルコキシシラン等の接着助剤、難燃助剤、イオントラップ剤等が目的や用途に応じて任意に選択される。無機充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。この無機充填剤は、接着剤硬化物の膨張係数を小さくし、半導体素子に加わる応力を低下させる効果を奏する。無機充填剤の例としては、破砕状や球状の形状を有する溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ系充填剤が挙げられ、この他にはアルミナ、チッ化ケイ素、チッ化アルミなども使用可能である。なお、硬化物の低膨張化と、高い充填度とを両立させるために、球状と破砕品のブレンド、或いは球状品のみを用いることが推奨される。また、上記無機質充填剤は予めシランカップリング剤で表面処理して使用することが好ましい。

樹脂組成物の製造方法
本発明の樹脂組成物の製造方法は特に制限されず、成分や目的に応じて任意に選択される。通常はミキサー、ロール等を用い、混合して得られる。必要に応じて混合順序、時間、温度、気圧等の条件を制御することができる。

樹脂組成物の使用方法
本発明の組成物は、下記の工程１〜４を含む方法、或いは工程ｉ〜ｖを含む方法により、使用することができる。
第１の使用方法は、接着剤組成物を基板上に塗付する方法である。
（工程１）接着剤組成物を基板上に塗布し、
（工程２）加熱により（Ｄ）希釈剤を除去して固形状にし、
（工程３）樹脂組成物の上にチップを搭載し、
（工程４）樹脂組成物を硬化させる。
第２の使用方法は、接着剤組成物をウエハーに塗付する方法である。
（工程ｉ）該接着剤組成物をウエハー下面に塗布し、
（工程ｉｉ）加熱により、（Ｄ）希釈剤を除去して接着剤層を形成し、
（工程ｉｉｉ）ウエハーを、接着剤層を介してダイサーに固定した後、複数のチップに切断し、
（工程ｉｖ）チップの一つを、その下面に接着剤層が付着された状態で、ダイサーから取り出し、次いで、該接着剤層を介して基板或いは他のチップ上に搭載し、
（工程ｖ）該接着剤層を硬化させる。
ここで工程１及びiでは樹脂組成物がディスペンサー、プリンター、スピンコーター等によって基板上又はウエハーに提供され、工程２及びｉｉでは開閉式や連続式のオーブンで加熱により希釈剤を除去して組成物が流動性の無い状態にされる。工程３及びｉｖではダイボンダーを用いてチップが基板上に搭載され、工程４及び工程ｖでは開閉式や連続式のオーブンで組成物を硬化させる。第２の使用方法では工程ｉｉｉで、ダイサーを用いて、ウエハーとその下面に塗布された樹脂組成物を同時にチップ状に切断する。ウエハーに塗付する代わりに、予め樹脂組成物をフィルム基材に塗布して該組成物層を備えたフィルムを形成し、該フィルムをウエハーに貼り付けた後、前記フィルム基材を剥離して使用してもよい。

樹脂組成物の応用分野
本発明の接着剤組成物は、特に半導体の製造に好適であるが、柔軟性、耐熱衝撃性、保存安定性が要求される、他の接着用途、シーリング用途にも好適である。

以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（Ｉ）使用材料
ポリマーＡ（合成例１）
ポリマーＢ（合成例２）
ポリマーＣ（合成例３）
ポリマーＤ（合成例４）
エポキシ樹脂：ビスフェノール型エポキシ樹脂、当量１８０、日本化薬製ＲＥ３１０Ｓ
硬化促進剤：２−フェニル−４、５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、四国化成製２ＰＨＺ
フェノール樹脂：フェノールノボラック樹脂、当量１１０、明和化学製ＤＬ−９２）、
シリカ：球状溶融シリカ、平均粒径０．８ミクロン、最大粒径３ミクロン、アドマッテクス製ＳＥ２０３０）
接着助剤：γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業製ＫＢＭ−４０３）
希釈剤：カルビトールアセテート
比較例で使用した樹脂：ポリマーＥ（下記式（１１）で表されるフェノキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン製ＹＬ１２５６、重量平均分子量５１０００、ガラス転移温度９８℃）

（平均繰り返し数２６）

（ＩＩ）アルコール性水酸基を有する交互共重合体の合成
（合成例１）ポリマーＡ
攪拌羽、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、式（１２）のエポキシ樹脂（新日本理化製Ｗ−１００）１５．０ｇ（０．１ｍｏｌ）、ビスフェノールＡ １１．４ｇ（０．１ｍｏｌ）、触媒（トリフェニルホスフィン、北興化学製ＴＰＰ）０．２６２ｇ（０．００１ｍｏｌ）とトルエン１０６．６ｇを入れ、窒素通気して１００℃で反応させた。逐次エポキシ当量を測定して、１００００乃至２５０００となった時点（反応時間約６〜８時間）を反応の終着点とした。
これを室温に冷却した後、分液ロートに移し、脱イオン水１０６６ｇを加え、２時間洗浄した。これを２時間静置して、分離した上層（トルエン層）を少量採取して、元素分析を実施して、リン元素の含有量が固形分中の１０ｐｐｍとなった時点（３〜５回程度）を洗浄の終着点とした。トルエン層を取り出し、蒸留してトルエンを除去し、無色透明な固体（ガラス転移温度２０℃）を得た。

（合成例２）ポリマーＢ
攪拌羽、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、式（１３）のエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジンＹＬ７２１７）４３．０ｇ（０．１ｍｏｌ）、ビスフェノールＡ １１．４ｇ（０．１ｍｏｌ）、触媒（トリフェニルホスフィン、北興化学製ＴＰＰ）０．２６２ｇ（０．００１ｍｏｌ）とトルエン２１８．６ｇを入れ、窒素通気して１００℃で反応させた。逐次エポキシ当量を測定して、１００００乃至２５０００となった時点を反応の終着点とした。
これを室温に冷却し、分液ロートに移し、脱イオン水２１８６ｇを加え、合成例１と同様に処理して、無色透明な固体（ガラス転移温度５℃）を得た。

（cの平均値：８．５）

（合成例３）ポリマーＣ
攪拌羽、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、ビフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬製ＲＥ３１０Ｓ）１８．０ｇ（０．１０ｍｏｌ）、液状ブタジエンゴム（式（１４）、宇部興産製ＣＴＢ２０００＊１６２）２３８．８ｇ（０．１ｍｏｌ）とキシレン１０２７．２ｇを入れ、窒素通気して１２０℃で反応させた。逐次エポキシ当量を測定して、１００００乃至２５０００となった時点（反応時間１２〜１６時間）を反応の終着点とした。これからトルエンを留去し、黄色透明な固体（ガラス転移温度１８℃）を得た。

（平均繰り返し１５０）

（合成例４）ポリマーＤ
攪拌羽、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、ビフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬製ＲＥ３１０Ｓ）１８．０ｇ（０．１０ｍｏｌ）、液状ブタジエンゴム（式（１５）、宇部興産製ＣＴＢＮ１３００＊８）１８９．２ｇ（０．１ｍｏｌ）とキシレン８２８．８ｇを入れ、窒素通気して１２０℃で反応させた。逐次エポキシ当量を測定して、１００００乃至２５０００となった時点を反応の終着点とした。これからトルエンを除去し、褐色透明な固体（ガラス転移温度４８℃）を得た。

（ｙ／（ｘ＋ｙ）＝０．１７、ｎの平均値１５）

（ＩＩＩ）組成物の調製
表１に示す量（質量部）の各成分を、２５℃のプラネタリーミキサーで混合し、２５℃の３本ロールを通過させ、再度２５℃のプラネタリーミキサーで混合して、樹脂組成物を得た。これらの樹脂組成物について、下記（ａ）〜（ｃ）の諸試験を行い、表１の結果を得た。

（ＩＶ）試験方法
（ａ）硬化物のヤング率
各樹脂組成物を、１２０℃、１時間、次いで１６５℃、２時間で硬化させ、ＤＭＡ（動的粘弾性）測定を行い、−５５℃、２５℃、及び１２５℃でのヤング率を測定した。

（ｂ）耐湿、耐半田試験
（１）図１に示す試験片を、樹脂組成物毎に２０個、下記方法により作製した。
（ｉ）樹脂組成物のウエハーへの施与
シリコンウエハー（８インチ径、０．３ｍｍ）の片面に、樹脂組成物を２ｇ塗出して、スピンコーターでウエハー全面に薄い樹脂組成物層を形成した。ここでのスピンコートの条件は、０回転から１０秒で１５００回転まで上げ、１５００回転で３０秒維持し、さらに３０００回転まで１０秒で上げ、３０００回転で３０秒維持した後、１０秒で０回転まで落とした。得られた、厚み３０ミクロン〜５０ミクロンの樹脂組成物層を、１２０℃で1時間、窒素気流下で、希釈剤を除去し、樹脂組成物が施与されたウエハーを得た。
（ｉｉ）ウエハーのダイシング及びチップ搭載
得られたウエハーの樹脂組成物を施した面に市販のダイシングフィルムを貼付け、ウエハーを１２ｍｍ×１２ｍｍのチップにダイシングした。チップをピックアップし、表面にソルダーレジスト（２０ミクロン厚）が塗布されたＢＴ基板（２００ミクロン厚、３５ｍｍ×３５ｍｍ）上に樹脂組成物の面を介して、チップ温度１５０℃、基板温度１００℃で、１ｋｇの力を０．１秒間かけて、搭載した。樹脂組成物を１６５℃／２時間／窒素雰囲気で、硬化させた。
（ｉｉｉ）樹脂封止
得られたチップ付き基板を、ＫＭＣ−２５２０（信越化学工業製エポキシ封止材）で封止した。成型条件は金型温度１７５℃、注入時間１０秒、注入圧７０ＫＰａ、成型時間９０秒、後硬化条件は１８０℃／２時間であり、成型後の試験片全体は１０００ミクロン厚、３５ｍｍ×３５ｍｍであった。
（２）試験片２０個を、８５℃／８５％ＲＨの恒温恒湿器に１６８時間放置した後、最高温度が２６０℃であるＩＲリフロー炉中を３回通過させた後に、超音波索傷装置で剥離、クラック等の不良の有無を観測し、不良が見られる試験片数／総試験片数（２０個）を数えた。

（ｃ）温度サイクル試験
（ｂ）の耐湿、耐半田試験で、クラック等が無かったものにつき、引き続き温度サイクル試験機に入れ、−５５℃／３０分、（−５５℃→１２５℃）／５分、１２５℃／３０分、（１２５℃→−５５℃）／５分を１サイクルとし、５００サイクル後、及び１０００サイクル後に、超音波索傷装置で剥離、クラック等の不良の有無を観測し、不良が見られる試験片数を数えた。

表１及び２に示すように、アルコール性水酸基を有する交互共重合体を含む実施例の組成物は、それを含まない比較例１，２の組成物に比べて、ヤング率が小さく、耐熱衝撃性に優れた硬化物を与える。

本発明の接着剤組成物は、信頼性の高い半導体装置の製造に好適である。

実施例で作成した半導体装置の断面図である。

Claims (8)

1. （Ａ）下記の式（１）で示される繰り返し単位からなる、アルコール性水酸基を有する交互共重合体 １００質量部、
   （Ｂ）１分子中に２個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂
   １０〜１０００質量部、
   及び
   （Ｃ）硬化促進剤 ０．１〜１０００質量部
   を含む接着剤組成物
   
   

   

   [式（１）においてＸは、下記に示す２価の有機基から選ばれる少なくとも１種類であり、
   

   

   Ｙは、下記に示す２価の有機基から選ばれる少なくとも１種である。
   

   

   （ａは１〜１００の整数、ｂは１〜６の整数、ｃは１〜４０の整数である。）
   

   

   （ｘ、ｙ、及びｚは０以上の整数、但し０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．３及び３０≦（ｘｚ＋ｙｚ）≦１００である。）]
2. アルコール性水酸基を有する交互共重合体（Ａ）の示差熱分析法により求められるガラス転移温度が０℃〜６０℃であることを特徴とする請求項１記載の接着剤組成物。
3. エポキシ樹脂（Ｂ）が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及び下記式（２）で表されるクレゾールノボラック樹脂から選ばれることを特徴とする請求項１または２記載の接着剤組成物。
   

   

   （ｐは１〜８の整数）
4. （Ｃ）硬化促進剤が下記の式（５）に示されるイミダゾール誘導体である、請求項１〜３の何れか１項に記載の接着剤組成物。
   

   

   （Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は、夫々、炭素数１〜１０の有機基である）。
5. （Ｃ）硬化促進剤が２−フェニル−４−ヒドロキシメチルイミダゾール又は２−フェニル−４、５−ジヒドロキシメチルイミダゾールである、請求項４に記載の接着剤組成物。
6. イソホロン、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、カルビトールアセテートから選ばれる（Ｄ）希釈剤をさらに含む請求項１〜５のいずれかに記載の接着剤組成物。
7. 請求項１〜６の何れか１項に記載の接着剤組成物が施与された半導体装置。
8. 請求項６記載の接着剤組成物を使用する方法であって、下記ステップを含む方法
   （工程ｉ）該接着剤組成物をウエハーの下面に塗布し、
   （工程ｉｉ）加熱により、（Ｄ）希釈剤を除去して接着剤層を形成し、
   （工程ｉｉｉ）ウエハーを、接着剤層を介してダイサーに固定した後、複数のチップに切断し、
   （工程ｉｖ）チップの一つを、その下面に接着剤層が付着された状態で、ダイサーから取り出し、次いで、該接着剤層を介して基板或いは他のチップ上に搭載し、
   （工程ｖ）該接着剤層を硬化させる。

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