JP2008242031A - 液晶素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】無機配向膜の形成方向に起因する配向ムラを解消することのできる液晶素子のシール形状を提供する。
【解決手段】本発明の液晶素子７は液晶駆動領域９を取り囲むように円形のシール材８を備えており、そのシール材８の所定の部分を取り除き注入口１１を形成している。注入口１１の形成位置は柱状構造物からなる蒸着配向膜の形成方向ｄ６と、注入口１１におけるシール材の二つの端部を結んだ線分ｈとが垂直になるように形成する。マザー基板内のすべての液晶素子において注入口１１の形成位置を上記のように設定することにより、マザー基板内のすべての液晶素子において最適な条件で注入をおこなうことができ、柱状構造物からなる蒸着配向膜の形成方向に起因する配向ムラを解消できる。
【選択図】図１

Description

本発明は液晶素子に関するもので、さらに詳しくは、液晶の注入特性を向上させるための液晶素子の構造および製造方法に関するものである。

現在知られている液晶の配向方法として、有機配向膜をラビングする方法と無機配向膜を斜方蒸着する方法の大きく分けて２つに分かれている。このうち有機配向膜は生産性に優れているが、耐熱性、耐光性が十分ではない。また、強誘電性液晶を用いた液晶素子など、高プレチルト角が必要な液晶素子などでは、無機配向膜を用いなければ高プレチルト角を得るのは困難である。

無機配向膜は、主に斜方蒸着法により形成される。蒸着源はＳｉＯ、ＳｉＯ2、などが用いられ、これらの蒸着源を抵抗加熱等で加熱して蒸発させ基板に付着させる。基板に付着した無機化合物が柱状構造物を形成する。この柱状構造物の集合体が配向膜となっている。液晶分子の配向方向はこの柱状構造物により定められる。

斜方蒸着法で作成された無機配向膜は、耐熱性や耐光性に優れ、高プレチルト角が容易に得られるという利点があるが、一方で斜方蒸着の特性上基板に形成される柱状構造物の形成方向に分布が生じ、液晶の配向ムラが生じやすいことが知られている。

液晶の配向ムラを軽減する方法として例えば特許文献１にあるような方法が提案されている。これによると、斜方蒸着で形成された無機配向膜に強誘電性液晶を良好に配向させるには液晶注入方向が重要であること述べられている。特に柱状構造物の形成方向と注入方向を一致させる方法が述べられている。図１５は特許文献１で述べられている液晶素子の概略図である。２０１は液晶素子、２０２は接着シール、２０３は接着シールとの間に所定の間隔をおいてあけられた開口部、２０４は注入口、２０５は液晶だめである。図１５では、液晶パネルの接着シール２０２を二重に作り、内側の接着シール２０２には所定の間隔をおいて開口部２０３を持たせ、液晶を注入するときに液晶を分散して注入させることで配向ムラを低減させるというものである。

実用新案公開平成５−５９４２９号公報（第７頁、第１図）

通常液晶素子を製造する場合は、マザー基板内に複数個の液晶素子となるセル基板を配置し、柱状構造物の蒸着配向膜をマザー基板上に蒸着し、個々のセル基板はすべて同時に蒸着配向膜が形成され、多数個取りできるようにする。

一般的な斜方蒸着におけるマザー基板内の柱状構造物の形成方向について説明する。図１１に蒸着されるマザー基板と蒸着源との位置関係を示す。図１1で１０４は蒸着源、１０５はマザー基板を固定する治具であり、この治具の中心と蒸着源の中心は一致している。１０６はマザー基板、L1は蒸着源から治具１０５までの距離、L2は治具１０５の中心からマザー基板１０６を固定しているところまでの距離、L3はマザー基板１０６の大きさである。またマザー基板１０６の中央部分が蒸着源１０４を中心とした半径L2の円周上になるようにマザー基板１０６を固定している。

図１2に、図１１でのL1、L2、L3が、それぞれL1＝８００ｍｍ、L2＝５００ｍｍ、L3＝
４００ｍｍである場合の柱状構造物の形成方向を示す。図１２中の矢印は柱状構造物の形成方向である。マザー基板の成膜面中心位置では、柱状構造物の形成方向はマザー基板縦方向と平行方向になっているが、マザー基板の成膜面中心位置から離れると柱状構造物の形成方向は一定の角度をもって形成される。つまりマザー基板内でも位置によって柱状構造物の向きが異なり、液晶分子の配向方向は異なっている。

図１３は代表的な従来の液晶素子の平面図である。図１３の液晶素子は、図１２に図示したマザー基板のうち、１個の液晶素子となるセル基板ａまたはセル基板ｂを切り出して作成したものとする。図１３の１００は液晶素子、１０１は液晶をはさむ上下のガラス基板を接着するシール材、１０２は液晶素子の液晶駆動領域、１０３は液晶の注入口である。

図１４は、図１３の液晶素子に液晶を注入する注入過程の様子を模式的に示した図である。通常液晶素子の液晶駆動領域１０２が四角形の場合、シール形状はそれに添うような形で四角形にするのが一般的である。液晶注入開始直後はS1のように注入口を中心に半円状に注入されていく。そのため液晶素子の中央部分はｄ１方向に注入されていくが中央部分から左右に離れていくに従い注入方向は所定角度傾きｄ２およびd３方向に注入されていく。このため注入口近傍は配向ムラが発生する恐れがある。その後時間経過とともに液晶が両端のシール部分に到達するとS２のように液晶はほぼ均一にｄ１方向に注入されていく。

このため、液晶素子１００の基板内に形成されている柱状構造物の形成方向がｄ１と同一方向ならば、注入口付近を除いて、注入条件に起因する配向ムラはほとんど発生しない。つまり図１２のセル基板ａを液晶素子として、図１４のように注入口１０３から注入するのであれば、配向ムラはほぼ発生しない。しかし、前述したようにマザー基板内で柱状構造物の形成方向に分布があるので、例えば図１２のセル基板ｂを液晶素子として、図１３の注入口１０３から注入すると、セル基板ｂの柱状構造物の形成方向がｄ１と異なるため、配向ムラを引き起こしてしまう。特に、注入方向と柱状構造物の形成方向とが液晶分子の配向性に関係する強誘電性液晶などにおいては、注入方向と柱状構造物の形成方向とが一致しないと配向ムラが発生しやすく問題であった。

前述の通り、柱状構造物の形成方向は蒸着装置の大きさおよび成膜するマザー基板サイズにより決定される。よって、マザー基板内のすべて液晶素子が配向ムラを起こさないように柱状構造物の形成方向の分布を抑えるためには、蒸着装置を大きくするか、基板サイズ小さくする必要があった。しかし大型の蒸着装置を用いたり、また基板サイズを小さくしたりするのは、生産性に問題があった。よって、簡易な方法で配向ムラを解消する方法が望まれていた。

上記目的を達成するために、本発明では以下の構成を採用する。基板上に蒸着によって柱状構造物の蒸着配向膜が形成された一対の基板間に、液晶が挟持され、一対の基板を接着するシール材と、液晶を注入するための注入口とを有した液晶素子において、シール材の形状が円形であり、注入口はシール材の円周上で、かつ円形のシール材の一部を取り除いて形成され、さらに、注入口を形成しているシール材における円周上の２つの端部を結んだ線分に対して垂直となる方向に、柱状構造物の形成方向を配置することを特徴とする。

また、一対の基板間には、液晶を駆動する電極が配置され、液晶が駆動される液晶駆動領域を有し、注入口が前記液晶駆動領域から離れて配置されていることを特徴とする。蒸着配向膜が斜方蒸着または水平蒸着で形成されることを特徴とする。

また、本発明の製造方法は、複数の液晶セル基板を備えたマザー基板を用意する工程と、マザー基板に蒸着配向膜を蒸着する蒸着工程と、各々の前記液晶セル基板に円形のシール材を設け、かつ同時に、シール材の円周上で、円形の前記シール材の一部を取り除いて注入口を形成し、さらに、注入口を形成しているシール材における円周上の２つの端部を結んだ線分に対して垂直となる方向に、蒸着配向膜における柱状構造物の形成方向が一致するように、注入口の位置を配置するシール材配置工程とを有することを特徴とする。

また、マザー基板を２枚用意し、２枚の前記マザー基板について蒸着工程を行い、２枚のマザー基板のうち、一方の前記マザー基板に対してシール材配置工程を行い、一方のマザー基板と、他方のマザー基板とを張り合わせる張り合わせ工程と、張り合わせた一対のマザー基板から、個々の液晶セルを切り出す切断工程と、液晶セルに液晶を注入する注入工程をさらに有することを特徴とする。

本発明の液晶素子は、液晶駆動領域を取り囲むように円形のシール形状をとることで、注入口の位置を任意に変えることがき、それにより注入方向を柱状構造物で形成された蒸着配向膜の方向にそって注入することができる。これにより蒸着配向膜と注入方向の不一致による配向ムラが解消できる。また、液晶駆動領域が注入口から離れているため注入直後に液晶が半円状に広がることによる注入口近傍の配向ムラも解消される。

以下、本発明にかかる実施形態について図を用いて説明するがこの発明は以下の実施形態に限定されるものではない。実施例では、斜方蒸蒸着法より形成された無機配向膜を蒸着配向膜として用いた強誘電性液晶素子を例にとって説明する。

まずは本実施例における液晶素子の構造について図２を用いて説明する。図２は強誘電性液晶を内蔵した液晶素子を説明するために、液晶素子の断面を模式的に示す図である。図２において、１はガラス基板、２は透明電極膜、３は無機配向膜、４は強誘電性液晶、５はスペーサである。

ガラス基板１には透明電極膜２が形成されている。この透明電極膜２は、ガラス基板１４にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）の膜を形成し、所定の形状にフォトリソグラフィ技術を用いてパターンニングを行って形成したものである。透明電極膜２の上にＳｉＯ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化ケイ素）等の無機化合物の配向膜３を真空蒸着法等で作成した。

配向膜３を形成した一対のガラス基板１を対向させて２つ合わせ、その間に強誘電性液晶４を挟んでいる。セルギャップと呼ばれる配向膜３間の距離を一定に保つために、この２枚のガラス基板の間に加圧等で変形しないスペーサ５を適当な数だけ配設する。

次に、強誘電性液晶の電気光学効果について説明する。図３は強誘電性液晶の透過率と電圧の特性図である。強誘電性液晶は２つの安定状態を持ち、その２つの安定状態はある閾値を超えた電圧を印加することによって状態が切り替わり、印加電圧の極性によって第１の安定状態あるいは第２の安定状態を選択することができる。

強誘電性液晶のようなメモリ性を有する液晶では、電圧印加前、液晶分子は第１の安定状態または第２の安定状態のいずれか片方に位置しており、電圧が印加されないかぎりこの状態を保持することができる。電圧印加前、どちらかの安定状態にであった液晶分子は、図３に図示されるように印加電圧を徐々に上げて行くと、Ｖ１になったところで第１の
安定状態に切り替わり始め、Ｖ２に達したところですべての液晶分子が第１の安定状態になる。その後Ｖ２から徐々に電圧を下げていくと、Ｖ３になるまでは液晶分子は第１の安定状態のままであるが、印加電圧がＶ３よりも大きくなったところで液晶分子が第２の安定状態に切り替わり始める。更に印加電圧がＶ４に達するとすべとの液晶分子が第２の安定状態になる。よって、印加電圧が０となる電圧無印加時には、第１の安定状態か第２の安定状態のどちらかが維持される。そして、状態を逆にするためには閾値以上の逆極性の電圧を印加する必要がある。

図４を用いて強誘電性液晶分子の電圧印加による挙動を説明する。強誘電性液晶は、閾値以上の異なる極性の電圧を印加すると柱状構造物形成方向からチルト角θだけ傾いた２つの安定状態のみをとることができる。ここで、６は液晶分子、図４中の矢印は自発分極の向きである。つまり、閾値以上の電圧を印加すると片方の安定状態からもう一方の安定状態になることで液晶分子の光軸は２θ変化する。このときの入射光量と透過光量の関係は以下の数式になる。

式１ Ｉ_ｏｕｔ＝Ｉ_ｉｎ＊Ｓｉｎ^２（２θ）＊Ｓｉｎ^２（πΔｎｄ／λ）

上記数式においてＩ_ｉｎは入射光量、Ｉ_ｏｕｔは透過光量、Δｎは液晶分子の複屈折率異方性、ｄはセルギャップ、λは入射波長である。

強誘電性液晶の場合、安定状態からもう一方の安定状態になることで液晶分子の光軸は２θ変化する。柱状構造物の形成方向はこの二つの安定状態になるときの液晶分子の位置のちょうど中間点となっている。

強誘電性液晶を挟持した液晶素子で用いられる配向膜は様々であるが、強誘電性液晶の大きな特徴であるメモリ性を発現させるためには液晶分子に大きなプレチルト角を持たせることが必要となる。そのために無機配向膜も用いた斜方蒸着方で作成するのが一般的である。

代表的な斜方蒸着工程の例を以下に説明する。図５は斜方蒸着に用いられる蒸着装置および蒸着装置内のマザー基板位置を模式的に表した図である。１２は排気手段を備えた真空槽である。図５では簡略化のため排気手段は省略する。１３は蒸着源である。ここに配置されたＳｉＯ、ＳｉＯ2などの蒸着材料が抵抗加熱、イオンビームなどにより過熱され真空槽１２内に飛散する。１４は液晶セル基板が多数個配置されたマザー基板である。１５はマザー基板を回転させるための回転手段である。この回転手段１５の中心は蒸着源１３の位置と一致しておりマザー基板１４を真空槽１２内で回転させることにより蒸着源１３から飛散する無機材料をすべてのマザー基板１４に均一に蒸着することができる。１６はマザー基板１４と回転手段１５とを固定する治具であり、角度調整機能がついておりこれにより斜方蒸着の蒸着角度を調整できる。この例では回転転手段１５と治具１６を用いてマザー基板１４を固定したが、この方法には限定されず他の方法でマザー基板１４の回転、固定をおこなってもかまわない。

斜方蒸着による無機配向膜は、前述した通り斜方蒸着による特性としてマザー基板面内における柱状構造物の形成方向に分布が発生する。以下、柱状構造物の形成方向に分布に関して、図６および図７ａ，図７ｂを用いて説明する。

図６の点Oはマザー基板最上部のうちマザー基板横方向の中点である。この点Ｏは回転転手段１５の円周上に位置している。点ＡはＯから水平に延ばした線と回転手段１５の中心軸との交点である。Z1は蒸着源１３と点Ａまでの距離である。Z2は蒸着源１３からマザー基板１４上の点Ｏまでの距離である。Rは回転手段１５の半径の距離である。すなわち
（Z1^２+R²）^0.5＝Z2である。点Pはマザー基板１４上の任意点である。この場合、マザー基板１４のZ２上の位置では斜方蒸着により形成される柱状構造物の形成方向はマザー基板１４縦方向と平行方向である。

次にマザー基板１４上のある任意の点Pでの柱状構造物の形成方向に関して図７a、図７ｂをもちいて考える。図７aはマザー基板１４を横から見たもの、図７ｂはマザー基板１４を正面から見たときの図である。図７ａ、図７ｂ中の点Oはマザー基板１４の中心位置であり、その位置を（０，０）とする。点Pの位置は点Oを（０，０）としたとき（Xp，Yp）とあらわすことにする。Z3は（Z2-Yp）である。ここで、図７aで示すようにマザー基板１4とｚ１がなす角を角度θとし、点Pでの柱状構造物の形成方向の角度を角度θpとするとθpは以下の数式で表される。

式２ θｐ＝Atan（Xp/Z3）
式３ Z3＝{(R-Ypsinθ)^２+（Z1-Ypcosθ）^２}^0.5

上式のように柱状構造物の形成方向は蒸着源１３からのマザー基板１４までの高さ（Z1）、回転手段１５の半径（R）、マザー基板１４上の位置（Xｐ、Yｐ）、により決定される。そのため、角度θｐのバラツキを抑えるためには、Z1、Rを大きくするすなわち蒸着装置自体を大きくするか、マザー基板１４のサイズを小さくする必要があるといえる。

次に本実施例のシール材配置工程について、詳しく説明する。図８はマザー基板１４面内に複数の液晶セル基板を配置したときの模式図である。図８の７ａ〜７eは液晶セル基板であり、それぞれ注入口１１の形成位置が異なっている。ｄ６〜ｄ１０はそれぞれ液晶セル基板７ａ〜７e上での柱状構造物の形成方向であり、これは前述の式２中のθｐから算出することができる。このように、柱状構造物の形成方向と注入方向を同一方向にするには、マザー基板１４内の液晶素子７の位置からθｐを割り出し、その角度だけ注入口１１の配置位置を傾斜さえればよい。

個々の液晶セル基板７ａ〜７ｅは液晶を駆動するための駆動電極が配置されており、液晶セル基板の中央領域は、液晶が駆動される液晶駆動領域を有するが、より好ましくは、液晶セル基板７ａ〜７ｅにおいて、液晶駆動領域の中心部分における柱状構造物の形成方向と注入方向を合わせれば、液晶素子面内での配向ムラが最も良く解消される。

次に注入口の配置位置について、図１および図８を用いて以下説明する。前述したように、マザー基板１４の中心位置における柱状構造物の形成方向ｄ６は、マザー基板１４の縦辺方向と平行である。そのため、図１に図示するように、この中央位置に作成される液晶セル基板７（図８では液晶セル基板７ａ）の注入口１１は、注入口１１を形成しているシール材８の二つの端部を結んだ線分ｈと、形成方向ｄ６とが、垂直になるように、シール材８の一部を取り除いて注入口１１を設ける。これと同様に、図８に図示したように、液晶セル基板７ｂは形成方向ｄ７に、液晶セル基板７ｃは形成方向ｄ８と、液晶セル基板７ｄは形成方向ｄ９と、液晶セル基板７ｅは形成方向ｄ１０とが、それぞれ垂直になるよう注入口１１を形成する。このように注入口を配置することによって、各液晶セル基板７ａ〜７ｅの柱状構造物の形成方向と注入方向が同一方向になり配向ムラが解消される。

ここで、マザー基板１４において、下側面から上側面に行くにしたがっても、柱状構造物の形成方向は変化している。図８では縦の列における液晶セル基板の注入口１１の配置位置は同じくしたが、個々の液晶セル基板に対して注入口１１の配置位置を設定すればｍマザー基板１４内のすべての液晶セル基板について、その柱状構造物の形成方向と注入方向とを同一方向にすることができる。

次に、液晶セル基板を張り合わせる張り合わせ工程と、液晶セルの切断工程と、注入工程について説明する。マザー基板を２枚用意し、２枚のマザー基板について、前述したように蒸着工程を行い、２枚の前記マザー基板のうち、一方の前記マザー基板に対して、前述したシール材配置工程を行う。そして、一方のマザー基板と、のマザー基板とを張り合わせる張り合わせ工程を行った後、張り合わせた一対のマザー基板から、個々の液晶セルを切り出す切断工程を行う。得られた１個の液晶セルに液晶を注入する注入工程を行い、液晶素子を得ることができる。

この円形のシール形状での注入工程について図を用いて説明する。図９は液晶素子の平面図であり、液晶素子における注入過程を示したものである。７は液晶セル基板、８は液晶を挟持するため上下のガラス基板を接着するシール材、９は液晶素子の液晶駆動領域、１０は液晶充填領域（液晶駆動領域９も含む）、１１は液晶の注入口である。

まず、液晶素子を高温焼成して液晶素子内部に形成されている無機配向膜に吸着された水分等を取り除く。次に液晶素子を常温に戻した後、液晶素子を真空チャンバー内部に配置し液晶素子内の液晶充填領域１０を減圧する。十分減圧をおこなった後に液晶を注入口１１に塗布し、注入口１１を塞ぐ。この状態で液晶を加熱し粘性を下げる。これは強誘電性液晶が常温では粘性が高く液晶充填領域１０に侵入していかないためである。そして、真空チャンバー内を大気圧に戻すと液晶素子に内外の圧力差によって液晶は注入されていく。液晶充填領域１０が液晶で満たされたら、例えば光硬化樹脂などの封止剤で注入口１１を封鎖する。

従来の四角形シール形状での場合と同様に、液晶注入開始直後は注入口１１を中心にＳ３のように半円状に注入されていく。その後は四角形のシール形状とは異なり、両側のシール８に到達するのが四角形よりも早いため、注入後すぐＳ４のように液晶は注入口の両端を結んだ線と垂直方向ｄ４に注入されていく。また液晶駆動領域９が注入口１１から離れているため注入直後に液晶が半円状に広がることによる注入口１１近傍の配向ムラも解消される。

図１０は図９と同様に、円形のシール材が形成された液晶素子の平面図である。しかし、注入口１１の位置が図９とは異なり、傾斜して形成されている。図１０も円形のシール形状の液晶素子に、液晶を注入する過程を示した図である。図１０のように注入口１１をずらしてもシール形状が円形のため注入口１１の位置と液晶充填領域１０の相対位置は変わらない。これにより注入過程Ｓ５、Ｓ６は、図９の注入過程Ｓ３、Ｓ４と変わらず、液晶は柱状構造物の形成方向ｄ５方向に注入されていく。

つまり注入口１１の位置は、シール材８の円周上のどの位置に配置しても、その注入特性は同一である。また、シール材８の形状が円形なので、注入口１１の位置を変えても液晶素子の外形サイズ、シール形状は注入口１１部分以外変わらない。

上記のようなシール材の形状を用い、液晶素子のごとに注入口の配置を変えることで、柱状構造物の形成方向と注入方向をマザー基板内のすべての液晶セル基板について一致させることができる。マザー基板内の各液晶セル基板の注入口をどの程度傾けるべきかは蒸着の特性により決定する。

本実施例では基板を適当な角度傾ける斜方蒸着を例にとって説明したがこの特性は斜方蒸着および回転機構を有する治具を用いた場合には限定されず、水平に蒸着した場合においても適応される。

本実施例であげた斜方蒸着による柱状構造物の形成方向は、マザー基板と回転手段と治
具との固定位置、マザー基板と蒸着源との位置関係により変化するが、注入口の位置をその蒸着特性に合わせて設定すればよく、その他条件においても適用可能である。マザー基板から切り出されて作成されたすべての液晶素子が適切な注入方向から注入されるので配向ムラがすくなくなくなり液晶素子の品質が向上する。

本発明の液晶素子の構造を模式的に示す平面図である。 本発明の液晶素子の構造を模式的に示す断面図である。 実施例に用いられている強誘電性液晶の特性を説明するための図である。 実施例に用いられている強誘電性液晶の特性を説明するための図である。 本発明の液晶素子の蒸着工程を説明するための図である。 本発明の柱状構造物の形成方向を説明するための図である。 本発明の柱状構造物の形成方向を説明するための図である。 本発明の柱状構造物の形成方向を説明するための図である。 本発明のマザー基板と液晶セル基板とを説明するための図である。 本発明の液晶素子の注入工程を説明するための図である。 本発明の液晶素子の注入工程を説明するための図である。 蒸着の特性を説明するための図である。 蒸着の特性を説明するための図である。 従来の液晶素子の平面図である。 従来の液晶素子の注入工程を説明するための図である。 従来技術を説明する図である。

符号の説明

１ガラス基板
２透明電極
３無機配向膜
４強誘電性液晶
５スペーサ
６液晶分子
７液晶セル基板
８シール材
９液晶駆動領域
１０液晶充填領域
１１注入口
１２真空槽
１３蒸着源
１４マザー基板
１５回転手段
１６治具
１００液晶素子
１０１シール
１０２液晶駆動領域
１０３注入口
１０４蒸着源
１０５治具
１０６治具
２０１液晶素子
２０２接着シール
２０３開口部
２０４注入口
２０５液晶だめ

Claims (5)

1. 基板上に蒸着によって柱状構造物の蒸着配向膜が形成された一対の基板間に、液晶が挟持され、前記一対の基板を接着するシール材と、前記液晶を注入するための注入口とを有した液晶素子において、
   前記シール材の形状が円形であり、前記注入口は前記シール材の円周上で、かつ円形の前記シール材の一部を取り除いて形成され、さらに、前記注入口を形成している前記シール材における円周上の２つの端部を結んだ線分に対して垂直となる方向に、前記柱状構造物の形成方向を配置することを特徴とする液晶素子。
2. 前記一対の基板間には、前記液晶を駆動する電極が配置され、前記液晶が駆動される液晶駆動領域を有し、前記注入口が前記液晶駆動領域から離れて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶素子。
3. 前記蒸着配向膜が斜方蒸着または水平蒸着で形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶素子。
4. 複数の液晶セル基板を備えたマザー基板を用意する工程と、
   前記マザー基板に蒸着配向膜を蒸着する蒸着工程と、
   各々の前記液晶セル基板に円形のシール材を設け、かつ同時に、前記シール材の円周上で、円形の前記シール材の一部を取り除いて注入口を形成し、さらに、前記注入口を形成している前記シール材における円周上の２つの端部を結んだ線分に対して垂直となる方向に、前記蒸着配向膜における柱状構造物の形成方向が一致するように、前記注入口の位置を配置するシール材配置工程とを有する液晶素子の製造方法。
5. 前記マザー基板を２枚用意し、２枚の前記マザー基板について蒸着工程を行い、２枚の前記マザー基板のうち、一方の前記マザー基板に対してシール材配置工程を行い、前記一方のマザー基板と、他方のマザー基板とを張り合わせる張り合わせ工程と、前記張り合わせた一対の前記マザー基板から、個々の液晶セルを切り出す切断工程と、前記液晶セルに液晶を注入する注入工程をさらに有する請求項４に記載の液晶素子の製造方法。

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