JP2008130955A - 部品内蔵多層配線基板装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】工数が少なく容易かつ安価に製造することができ、しかも、小型化、低背化の妨げになることもない新規で効果の高いシールド構造の部品内蔵多層配線基板装置を提供する。
【解決手段】電子部品６を実装した１または２以上の層を樹脂封止し、この樹脂封止のモールド体７の少なくとも一側面の一部を形成するようにモールド体７に密着して金属板５を設け、この金属板５をモールド体７の上面側、下面側の少なくともいずれか一側の一部の電極４ｇに接続し、部品内蔵多層配線基板装置１ａ内の金属板５によってシールド構造を形成する。
【選択図】図１

Description

この発明は、電子部品を実装した１または２以上の層を樹脂封止して形成される部品内蔵多層配線基板装置及びその製造方法に関し、詳しくは、新規なシールド構造を備えた部品内蔵多層配線基板装置及びその製造方法に関する。

従来、各種の電子部品モジュールの分野においては、小型化、低背化の要求に応えるため、部品内蔵多層配線基板装置によってモジュールを形成することが提案されている。

この部品内蔵多層配線基板装置は、１又２以上の層を有する配線基板を備え、多層配線基板の電子部品を実装した１または２以上の層を樹脂封止して形成され、多層配線基板に電子部品を埋め込むように実装することでモジュールの小型化、低背化が実現される。

ところで、この種の部品内蔵多層配線基板装置が形成する高周波帯域の送受信モジュールにおいては、電気的なシールドが必要となる場合がある。

そして、この種の部品内蔵多層基板装置のシールド構造としては、従来、以下に説明するように、複数個のビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）を縦格子状に配置した構造（従来構造１）及び、配線基板に金属ケースを取り付けた構造（従来構造２）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

［従来構造１］
従来構造１は、図１２に示す３枚の両面プリント基板１０１、１０２、１０３を貼り合わせた構造の多層配線基板装置において、同図に示すように、両面プリント基板１０１上である両面プリント基板１０２内に電子部品であるチップ部品１１０、ベアチップＩＣ１１１を埋め込んでチップコート樹脂１１３や絶縁樹脂１１４で封止し、複数のスルーホール１１５で上面側と下面側の電極としての銅パターン１０４、１０９間の導通をとりながらチップ部品１１０、べアチップＩＣ１１１の側面を囲んでシールドする構造である。なお、図中の１０５〜１０８は銅パターン、１１２はボンディングワイヤである。

［従来構造２］
従来構造２は、図１３に示すように両面プリント基板３０１の上面側電極としての銅パターン３０２に回路部品３０５を半田付けし、スルーホール３０４により下面側電極としての銅パターン３０３とシールドケース３０６を半田付けし、回路部品３０５及び銅パターン３０２を合む回路ブロックを囲みシールドする構造である。
実開平５−５３２６９号公報（段落［０００６］−［００１０］、図１、図３等）

前記従来構造１の場合、スルーホール１１５の本数が少ないと十分なシールド効果が得られないことから、スルーホール１１５を多数形成する必要があり、工数が増えて製造に時間がかかり、容易かつ安価に製造することができない問題がある。なお、スルーホールに代えてビアホールを設ける場合も同様の問題がある。

また、スルーホール１１５の抵抗によってシールド効果が低下するおそれもある。さらに、能動素子の電子部品を搭載する場合には、別途放熱の手段を設けなければならず、モジュールの十分な小型化、低背化が図れない。

前記従来構造２の場合、回路部品３０５とシールドケース３０６の間隔や、シールドケース３０６の厚みが必要になるため、嵩高くなり、モジュールの小型化、低背化の妨げとなる。

また、製造する際にシールドケース３０６の半田付け等の工程を要し、容易かつ安価に製造することができない問題もある。さらに、能動素子の電子部品を搭載する場合には、従来構造１の場合と同様の問題もある。

本発明は、工数が少なく容易かつ安価に製造することができ、しかも、小型化、低背化の妨げになることもない新規で効果の高いシールド構造の部品内蔵多層配線基板装置及びその製造方法を提供することを目的とし、さらには、能動素子の電子部品を実装する際の放熱を併せて実現することも目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明の部品内蔵多層配線基板装置は、電子部品を実装した１または２以上の層を樹脂封止して形成される部品内蔵多層配線基板装置において、前記樹脂封止のモールド体の少なくとも一側面の一部を形成するように前記モールド体に密着して金属板が設けられ、前記金属板が前記モールド体の上面側、下面側の少なくともいずれか一方の一部の電極に接続されていることを特徴としている（請求項１）。

また、本発明の部品内蔵多層配線基板装置は、前記樹脂封止のモールド体の少なくとも一側面の一部の内側に金属板が設けられ、前記金属板が前記モールド体の上面側、下面側の少なくともいずれか一方の一部の電極に接続されていることを特徴としている（請求項２）。

さらに、本発明の部品内蔵多層配線基板装置は、電子部品を実装した１または２以上の層を樹脂封止して形成される部品内蔵多層配線基板装置において、前記電子部品の少なくとも１つが能動素子であり、前記能動素子に金属板が着接され、前記金属板が前記樹脂封止されたモールド体の上面側、下面側の少なくともいずれか一方の一部の電極に接続されていることを特徴としている（請求項３）。

また、本発明の部品内蔵多層配線基板装置は、上記請求項１または２の部品内蔵多層配線基板装置において、電子部品の少なくとも１つが能動素子であり、前記能動素子に放熱用の金属板が着接され、前記放熱用の金属板が前記モールド体の上面側、下面側の少なくともいずれか一方の一部の電極に接続されていることを特徴としている（請求項４）。

そして、本発明の上記各部品内蔵多層配線基板装置において、金属板は穴が形成されていることが好ましく（請求項５）、金属板が接続された電極はグランド電極であることが望ましい（請求項６）。

つぎに、本発明の部品内蔵多層配線基板装置の製造方法は、複数個のセルが下面側の電極としてのリードフレームに金属板が接続した打ち抜きパターンに形成されたリードフレーム基板を準備するリードフレーム準備工程と、前記リードフレーム基板の各セルを曲げ加工して前記金属板を曲げ起こすリードフレーム曲げ工程と、複数個の基板セルを有するマザー基板を準備するマザー基板準備工程と、前記マザー基坂の各基板セル上に電子部品の配線層を実装する第１の実装工程と、前記マザー基板上に前記リードフレーム基板を実装する第２の実装工程と、前記マザー基板上の前記電子部品の配線層を前記リードフレーム基板とともに樹指封止する樹脂封止工程と、前記樹脂封止によって前記マザー基板上に形成されたモールド体を硬化させる樹脂硬化工程と、前記マザー基板のモールド体上に上面側の電極を形成する電極形成工程と、前記マザー基板を基板セル単位に切断する切断工程とを含むことを特徴としている（請求項７）。

そして、自動化を図る上からは、前記リードフレーム準備工程、前記リードフレーム曲げ工程、前記第１の実装工程、前記第２の実装工程、前記樹脂対止工程、前記樹脂硬化工程、前記電極形成工程、前記切断工程は、この順の順送の工程であることが好ましい（請求項８）。

請求項１の発明によれば、電極に接続された金属板のシールド構造を備えることができる。

この場合、多数個のビアホールやスルーホールをシールド構造として設ける必要がなく、製造工数が少なくなって製造時間が短縮され、容易かつ安価に製造することができる。

しかも、モールド体の上面側、下面側の電極に金属板が金属接合で安定に導通し、高いシールド効果を奏して電気的なシールド性能が向上する。

さらに、金属板は基板装置に内装され、従来のシールドケースを用いた場合のような小型化、低背化の妨げとなることがない。

したがって、工数が少なく容易かつ安価に製造することができ、しかも、小型化、低背化の妨げになることもない新規で効果の高いシールド構造の部品内蔵多層配線基板装置を提供することができる。その上、金属板のカバーによってモールド体の露出する樹脂部分が少なくなるため、吸湿を防ぐ効果を奏する利点もある。

請求項２の発明によれば、モールド体に内包された電極板によって請求項１の発明と同様の効果を奏することができる。

そして、金属板をモールド体に内包すればよいので、前記の防湿の効果に代えて、製造する際の基板装置のセル単位の切り分けが、請求項１の発明のようにモールド体の側面を形成する場合より少ない工数で容易に行える効果を奏する。

請求項３の発明によれば、電極に接続された金属板は能動素子に着接されその放熱手段も形成することができる。この場合、金属板が基板装置に内蔵されているので小型化、低背化を図ることができる。

そして、前記金属板の放熱手段により、前記能動素子の温度上昇が抑えられて素子の信頼性が向上するだけでなく、基板装置の温度上昇が緩和されてオーミック損の増加が抑制される。

請求項４の発明によれば、請求項１または２の発明の構成に請求項３の発明の構成を組み合わせた構成であるので、請求項１または２の発明の効果及び請求項３の発明の効果を奏する新規な部品内蔵多層配線基板装置を提供することができる。

つぎに、請求項５の発明によれば、上記各請求項の発明の金属板に穴が形成されているので、樹脂封止の際の樹脂の流動に対する金属板の影響を少なくすることができる。

また、請求項６の発明によれば、金属板がグランド電極に接続されるため、シールド効果が一層向上する。

つぎに、請求項７の発明によれば、前記各請求項の発明の部品内蔵多層基板装置を一度に多数個、容易に製造して量産することができる具体的な製造方法を提供することができる。

また、請求項８の発明によれば、請求項７の発明の自動化に最適な構成を提供することができる。

つぎに、本発明をより詳細に説明するため、実施形態について、図１〜図１１にしたがって詳述する。

（第１の実施形態）
第１の実施形態について、図１〜図５を参照して説明する。

図１は部品内蔵多層配線基板装置ｌａの断面図、図２はその製造方法の説明図である。また、図３は部品内蔵多層配線基板装置１ａの電極等を形成するリードフレームαａのセルを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は左側面図、（ｃ）は正面図である。

図４はリードフレームαａの多数個のセルがプレス加工等で形成されたリードフレーム基板βａの曲げ加工前の平面図、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はその曲げ加工後の平面図、左側面図、正面図である。

（部品内蔵多層配線基板装置１ａの構造）
部品内蔵多層配線基板装置１ａは、説明を簡単にするため、ベース基板２が部品実装層を１層とした構造である。

そして、ベース基板２は電気的絶縁基板であり、裏面に複数個の電極３、３ｇが設けられ、表面には本発明の下両側の電極を形成する複数個の電極４、４ｇが設けられている。なお、電極３ｇ、４ｇはグランド電極であり、電極３、４は信号電極等のホット電極である。

ところで電極３、３ｇは、ＳＵＳにより形成された転写板上に電解めっき、無電解めっき、スパッタにより銅電極を形成後、パターニングし、その電極パターンの上に所定の電子部品を実装後、絶縁層となる樹脂層を混合樹脂組成物（プリプレグ）により形成し、樹脂層を硬化させた後転写板を剥がすことにより形成される。本実施形態に用いられる樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましい。また、混合樹脂組成物に含まれる無機フィラーとしては、例えばガラスクロスやアルミナ、シリカ等が好ましい。尤も、樹脂層の中に何らかの電子部品を埋め込まない場合はガラエポ基板やテフロン（登録商標）基板のように両面に電極が形成された電極板をベース基板２として用いても良い。本願の実施例においては、電極３、３ｇ上に実装され、ベース基板２内に埋め込まれている電子部品は図示していない。

また、電極４、４ｇは、転写板を装着したままのベース基板２上に、電解めっき、無電解めっきやスパッタにより銅電極を形成後、パターニングして形成される。上述と同様、両面に電極が形成されたガラエポ基板やテフロン（登録商標）基板を用いる場合にはパターニングを行なうだけで電極４、４ｇが形成される。

リードフレームαａは板金をプレスによる打ち抜き、もしくはエッチング加工することによって形成される。リードフレームαａの枠部αａ１の中には、最終的にシールドとして機能させるための金属板５となる矩形片αａ３が繋ぎ部αａ２を介して形成されている。矩形片αａ３は最終的に電極４、４ｇに電気的に接合させるため、銅や銅合金（真鍮）の半田接合可能金属とすることが好ましい。尤も、材料は銅や銅合金に限られるものではなく、アルミ、鉄、ＳＵＳ等の金属を用いてもよく、この場合は半田付け性を向上させるために金、銀、銅、スズ、亜鉛もしくはニッケルなどのめっきを適宜施せばよい。特に磁気的なシールドが要求される場合には鉄や、磁性を有するＳＵＳ（ＳＵＳ４３０）を用いることが好ましい。

そして、各矩形片αａ３を曲げ起こすことにより、ベース基板２上において、４辺に沿ってベース基板２の表面上を壁面状に囲む本発明の金属板５が形成される。なお、図１においては、構造を見易くする等のため、正面（紙面手前）の金属板５を除去し、モールド体７の一部を透視した状態にしている。

さらに、ベース基板２の各金属板５で囲まれた部分の電極パターン上にモジュールの各電子部品６が搭載された後、一括リフローの半田付けによって金属板５および電子部品６がベース基板２上に実装される。

また、ベース基板２上に各電子部品６を樹脂封止した断面矩形のモールド体７が形成され、前記配線層が樹脂封止される。

そして、各金属板５は前記樹脂封止によって形成された断面矩形のモールド体７の各側面を形成するようにモールド体７に密着し、側面シールド板を形成する。

さらに、モールド体７の上面に一体に上面側の電極８の層が設けられて部品内蔵多層配線基板装置１ａが形成されている。このとき、電極８がグランド電極であれば、その裏面にモールド体７から露出した各金属板５の上端面が接続され、電極４ｇ、８が金属板５を介して電気的に導通する。この後、繋ぎ部αａ２をカットすることにより枠部αａ１を切り離す。尤も、枠部αａ１を含めてモールド体７の中に埋め込んでもよい。

したがって、部品内蔵多層配線基板装置１ａは、少なくとも下両側の電極４ｇに接続された各金属板５のシールド構造を備え、該シールド構造によって電子部品６等を囲い、シールド効果を奏することができる。

そして、本実施形態の場合、各金属板５が上両側の電極８にも接続されるため、電極４ｇ、８及び金属板５によってモールド体７全体が１枚の金属板で包むように電気的にシールドされるため、シールド効果が極めて高くなる。

また、各金属板５は、部品内蔵多層配線基板装置ｌａ内に埋め込まれた状態にあるため、部品内蔵多層配線基板装置ｌａが形成するモジュールの小型化、低背化の妨げになることがない。

しかも、各金属板５のカバーによってモールド体７の露出する樹脂部分が少なくなるため、吸湿を防ぐ効果を奏する利点もある。

なお、ベース基板２の部品実装層が２層以上の場合は、１つのリードフレームαａで形成される金属板５の側壁の高さの範囲に、部品実装層が複数個積層された多層構造になり、この多層構造の場合にも前記と同様の効果が得られる。

ところで、本発明においては、金属板５はベース基板２の少なくとも一側に設けられていればよく、さらに、その金属板５は一側の一部を形成するものであってもよい。その際、金属板５は下面側のグランド電極でない電極４に接続されていてもよく、上面側の電極にのみ接続されていてもよい。すなわち、金属板５は部品内蔵多層配線基板装置ｌａのシールド効果が生じる適当な電極に接続されていればよい。

（部品内蔵多層配線基板装置１ａの製造方法）
つぎに、図１の部品内蔵多層配線基板装置１ａの具体的な製造方法について、図２等を参照して説明する。なお、図２においても、構造を見易くする等のため、正面（紙面手前）の金属板５等を除去した状態にしている。

本実施形態の製造方法は、図４のシート状のリードフレーム基板βａを準備するリードフレーム準備工程、リードフレーム曲げ工程、マザー基板準備工程、電子部品６の配線層を実装する第１の実装工程、リードフレーム基板βａをマザー基板に実装する第２の実装工程、樹脂封止工程と、樹脂硬化工程と、上面側の電極８を形成する電極形成工程と、マザー基板を基板セル単位に切断する切断工程を含む各工程の処理を実施して部品内蔵多層配線基板装置１ａを量産する。

そして、リードフレーム準備工程は、図４のリードフレーム基板βａを準備する工程であり、リードフレーム基板βａは板金のプレス加工、エッチング等により、図３のリードフレームαａの複数個のセルが連続した打ち抜きパターンに形成される。

リードフレーム曲げ工程は、金型を用いてリードフレーム基板βａの各セルの金属板５となる矩形片αａ３を図５に示すように曲げ起こす工程であり、各セルの矩形片αａ３によって金属板５が形成される。

マザー基板準備工程は、ベース基板２となる複数個の基板セルが連続した図２のマザー基板γを準備する工程である。

第１の実装工程は、マザー基板γの各基板セル上に電子部品６の配線層を実装する工程であり、第２の実装工程は、マザー基板γ上にリードフレーム基板βａを実装する工程である。

そして、第１、第２の実装工程の終了後に一括リフローの半田付けの処理が施され、図２（ａ）の状態になる。

樹脂封止工程は、例えば熱硬化性樹脂を用いてマザー基板γ上の電子部品６の配線層をリードフレーム基板βａとともに樹指封止する工程であり、樹脂硬化工程は、前記樹脂封止によリマザー基板γ上に形成されたモールド体７を硬化させる工程である。なお、この工程の終了後、必要に応じて厚みだしの研磨等が実施される。

電極形成工程は、モールド体６上に上面側の電極となる電極εを形成する工程であり、この工程の実施によって図２（ｂ）の状態になる。

切断工程は、ダイサーカットにより図２（ｃ）の白抜きの矢印線の位置でマザー基板γを高精度に位置決めして基板セル単位に切断する工程であり、この切断によって、図２（ｄ）に示すようにマザー基板γは金属板５がモールド体７の側面を形成するように個片化されてベース基板２を形成し、複数個の部品内蔵多層配線基板装置１ａが製造される。

したがって、部品内蔵多層配線基板装置１ａを一度に多数個、容易に製造して量産することができる。なお、ベース基板２の部品実装層が２層以上の場合にも部品実装層を多層に形成することで、略同様にして製造することができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態について、図６〜図９を参照して説明する。

図６は部品内蔵多層配線基板装置ｌｂの断面図であり、この図６においても、構造を見易くする等のため、正面（紙面手前）の金属板５を除去し、モールド体７の一部を透視した状態にしている。

図７は部品内蔵多層配線基板装置１ｂのリードフレームαｂのセルの平面図、図８はリードフレームαｂの多数個のセルがプレス加工等で形成されたリードフレーム基板βｂの曲げ加工前の平面図、図９（ａ）、（ｂ）はその曲げ加工後の平面図、ｋーｋ線断面図である。なお、ｋ−ｋ線断面図は上下方向の寸法を誇張して図示してある。これらの図面において、図１〜図６と同一の符号を付したものは同一又は相当するものを示す。

（部品内蔵多層配線基板装置１ｂの構造）
そして、本実施形態の部品内蔵多層配線基板装置１ｂは、図６に示すようにベース基板２に発熱部品である例えば電力用の集積回路９を内蔵した能動素子の電子部品６１が少なくとも１個実装される。

さらに、図１の部品内蔵多層配線基板装置１ａの左側の金属板５に代えて、電子部品６１の上面に放熱性の高い導電接着剤や蝋材で着接した放熱用の金属板５１が設けられ、この金属板５１は少なくとも下両側の電極４ｇに接続されてシールド効果も奏する。

そして、本発明においては、放熱用の金属板５１のみを設けた構成であってもよいが、本実施形態においては、図１の部品内蔵多層配線基板装置１ａの残りの３個の金属板５と同様の金属板５２も備え、シールド効果を高める。

したがって、本実施形態の場合、金属板５１が能動素子の電子部品６１に着接され、その放熱手段も形成することができ、この場合、金属板５１が部品内蔵多層配線基板装置１ｂに内蔵されているので小型化、低背化を図ることができる。

そして、金属板５１の放熱手段により、電子部品６１の温度上昇が抑えられてその信頼性が向上するだけでなく、部品内蔵多層配線基板装置１ｂの温度上昇が緩和されてオーミック損の増加が抑制される利点がある。その上、残りの各金属板５２によってシールド効果が一層向上する。

（部品内蔵多層配線基板装置ｌｂの製造方法）
ところで、金属板５１は４つの折曲部５１ａ〜５１ｄを階段状に折曲した形状であり、各金属板５１、２は図７のリードフレームαｂを曲げ起こして形成される。

また、各金属板５２は、例えば図２（ｃ）のマザー基板γと同様のマザー基板を同図の破線矢印に示す位置で切断して部品内蔵多層配線基板装置ｌｂが形成されることにより、図６に示したように、モールド体７の側面の内側に位置してモールド体７に埋められた状態になる。

この場合、前記切断の位置は第１の実施形態の場合のように精密に位置決めしなくてよく、切断工数も少なくなる。

すなわち、部品内蔵多層配線基板装置１ｂの製造も、部品内蔵多層配線基板装置１ａの製造と同様、リードフレーム準備工程、リードフレーム曲げ工程、マザー基板準備工程、電子部品６、６１の配線層を実装する第１の実装工程、図８のリードフレーム基板βｂをマザー基板に実装する第２の実装工程、樹脂封止工程、樹脂硬化工程、上面側の電極８を形成する電極形成工程、マザー基板を基板セル単位に切断する切断工程を含む各工程の処理を実施して行なうことができる。

そして、部品内蔵多層配線基板装置１ａを製造する場合と異なるのは、図８のリードフレーム基板βｂが複数個のリードフレームαｂのセルが連続した打ち抜きパターンに形成され、リードフレーム曲げ工程により、リードフレーム基板βｂを図９のように曲げ加工してベース基板２のマザー基板γに取り付け、その金属板５１となる矩形片αｂ３を電子部品６１に着接し、さらに、切新工程により、図２の前記破線矢印に示したようにセルの中間でマザー基板γを個片化する点である。なお、図７、図９のαｂｌ、αｂ２は図３のαａ１、αａ２と同様の枠部、繋ぎ部である。

この場合、セルの中間でマザー基板γを個片化するので切断工数が第１の実施形態の場合より減少する。

（第３の実施形態）
つぎに、前記両実施形態の製造方法で、部品内蔵多層配線基板装置ｌａ、１ｂを自動化して大量に製造する実施形態について、図１０を参照して説明する。

本実施形態の場合、図１０の製造工程のフロー図に示すように、上述の各工程を、リードフレーム準備工程Ｑ１、リードフレーム曲げ工程Ｑ２、第１の実装工程Ｑ３、第２の実装工程Ｑ４、樹脂封止工程Ｑ５、樹脂硬化工程Ｑ６、電極形成工程Ｑ７、切新工程Ｑ８の順の順送の工程とし、例えばロール状の金属板を引き出してリードフレーム準備工程Ｑ１に送り、リードフレーム基板βａ、βｂを連続的に形成して、部品内蔵多層配線基板装置１ａ、１ｂを連続的に多数個製造する。

そして、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、金属板５は、図１１に示すような適当な大きさの穴１０を１個または複数個形成し、樹脂封止の際の樹脂の流動に対する金属板５の影響を少なくするようにしてもよい。

また、例えば第１の実施形態において、各金属板５の隙間の部分等にビアホール等を形成し、シールド効果をより高めるようにしてもよい。

さらに、各金属板５、５１、５２の形状や横幅、高さ等はシールド効果を高めるように種々に変形・調整してよいのは勿論である。

さらに、本発明は、ベース基板２を複数段にした多層構造の部品内蔵多層配線基板装置にも適用することができ、この場合、各層のリードフレームの形状等が異なっていてもよい。

そして、本発明は、高周波や低周波のモジュール等を形成する種々の部品内蔵多層配線基板装置に適用することができる。

第１の実施形態の部品内蔵多層配線基板装置の断面図である。 図１の部品内蔵多層配線基板装置の製造過程の説明図である。 図１の部品内蔵多層配線基板装置のリードフレームのセルを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は左側面図、（ｃ）は正面図である。 図３のリードフレームの多数個のセルが形成されたリードフレーム基板の曲げ加工前の平面図である。 図４のリードフレーム基板を曲げ加工した状態を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は左側面図、（ｃ）は正面図である。 第２の実施形態の部品内蔵多層配線基板装置の断面図である。 図６の部品内蔵多層配線基板装置のリードフレームのセルの平面図である。 図７のリードフレームの多数個のセルが形成されたリードフレーム基板の曲げ加工前の平面図である。 図８のリードフレーム基板を曲げ加工した状態を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はｋーｋ線断面図である。 第３の実施形態の順送の製造工程のフロー図である。 穴を形成した金属板の説明図である。 従来装置の一例の断面図である。 従来装置の他の例の断面図である。

符号の説明

１ａ、１ｂ 部品内蔵多層配線基板装置
３、３ｇ、４、４ｇ、８ 電極
６、６１ 電子部品
１０ 穴
αａ、αｂ リードフレーム
βａ、βｂ リードフレーム基板
γ マザー基板

Claims (8)

1. 電子部品を実装した１または２以上の層を樹脂封止して形成される部品内蔵多層配線基板装置において、
   前記樹脂封止のモールド体の少なくとも一側面の一部を形成するように前記モールド体に密着して金属板が設けられ、
   前記金属板が前記モールド体の上面側、下面側の少なくともいずれか一方の一部の電極に接続されていることを特徴とする部品内蔵多層配線基板装置。
2. 電子部品を実装した１または２以上の層を樹脂封止して形成される部品内蔵多層配線基板装置において、
   前記樹脂封止のモールド体の少なくとも一側面の一部の内側に金属板が設けられ、
   前記金属板が前記モールド体の上面側、下両側の少なくともいずれか一方の一部の電極に接続されていることを特徴とする部品内蔵多層配線基板装置。
3. 電子部品を実装した１または２以上の層を樹脂封止して形成される部品内蔵多層配線基板装置において、
   前記電子部品の少なくとも１つが能動素子であり、
   前記能動素子に金属板が着接され、
   前記金属板が前記樹脂封止のモールド体の上面側、下面側の少なくともいずれか一方の一部の電極に接続されていることを特徴とする部品内蔵多層配線基板装置。
4. 請求項１または２に記載の部品内蔵多層配線基板装置において、
   前記電子部品の少なくとも１つが能動素子であり、
   前記能動素子に放熱用の金属板が着接され、
   前記放熱用の金属板が前記モールド体の上面側、下面側の少なくともいずれか一方の一部の電極に接続されていることを特徴とする部品内蔵多層配線基板装置。
5. 金属板は穴が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の部品内蔵多層配線基板装置。
6. 金属板が接続された電極はグランド電極であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の部品内蔵多層配線基板装置。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の部品内蔵多層配線基板装置の製造方法であって、
   複数個のセルが下面側の電極としてのリードフレームに金属板が接続した打ち抜きパターンに形成されたリードフレーム基板を準備するリードフレーム準備工程と、
   前記リードフレーム基板の各セルを曲げ加工して前記金属板を曲げ起こすリードフレーム曲げ工程と、
   複数個の基板セルを有するマザー基板を準備するマザー基板準備工程と、
   前記マザー基板の各基板セル上に電子部品の配線層を実装する第１の実装工程と、
   前記マザー基板上に前記リードフレーム基板を実装する第２の実装工程と、
   前記マザー基板上の前記電子部品の配線層を前記リードフレーム基板とともに樹指封止する樹脂封止工程と、
   前記樹脂封止によって前記マザー基板上に形成されたモールド体を硬化させる樹脂硬化工程と、
   前記マザー基板のモールド体上に上面側の電極を形成する電極形成工程と、
   前記マザー基板を基板セル単位に切断する切断工程と
   を含むことを特徴とする部品内蔵多層配線基板装置の製造方法。
8. 前記リードフレーム準備工程、前記リードフレーム曲げ工程、前記第１の実装工程、前記第２の実装工程、前記樹脂封止工程、前記樹脂硬化工程、前記電極形成工程、前記切新工程は、この順の順送の工程であることを特徴とする請求墳７記載の部品内蔵多層配線基板装置の製造方法。

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