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JP2008130312A - Electroluminescent element panel manufacturing method and electroluminescent element panel sealing substrate - Google Patents

Electroluminescent element panel manufacturing method and electroluminescent element panel sealing substrate Download PDF

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JP2008130312A
JP2008130312A JP2006312728A JP2006312728A JP2008130312A JP 2008130312 A JP2008130312 A JP 2008130312A JP 2006312728 A JP2006312728 A JP 2006312728A JP 2006312728 A JP2006312728 A JP 2006312728A JP 2008130312 A JP2008130312 A JP 2008130312A
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JP
Japan
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adhesive layer
substrate
element panel
layer pattern
region
Prior art date
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Application number
JP2006312728A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiki Koshiyama
良樹 越山
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
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Abstract

【課題】
大型基板から複数のEL素子パネルを多面取りする場合に特に有効な、製造方法及び封止基板を提供することを課題とする。
【解決手段】
(a)第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、
(b)第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
(c)前記封止基板を前記素子基板に貼り合わせてエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する第三工程、
を含むエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともAg、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含む非接着層パターンを設け、且つ前記特定領域が、少なくとも前記配線部の一部を含む前記表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【選択図】図4
【Task】
It is an object of the present invention to provide a manufacturing method and a sealing substrate that are particularly effective when a plurality of EL element panels are taken from a large substrate.
[Solution]
(A) a first step of forming a sealing substrate by providing an adhesive layer on the first substrate;
(B) a second step of forming an element substrate provided with a plurality of electroluminescent elements including a display part and a wiring part on the second base material;
(C) a third step of bonding the sealing substrate to the element substrate to form an electroluminescence element panel;
In the first step, at least one of Ag, Al, Au, Cd, Cu, Mg, Sn, and Ti is provided in the specific region on the adhesive layer in the first step. A method for producing an electroluminescent element panel, wherein a non-adhesive layer pattern including a metal is provided, and the specific region is a region corresponding to an outer peripheral region of the display unit including at least a part of the wiring unit. .
[Selection] Figure 4

Description

エレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板に関する。特には、大型基板で複数のエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する場合(以下、多面取り、ともいう)に有効な製造方法及び封止基板に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an electroluminescence element panel and a sealing substrate for an electroluminescence element panel. In particular, the present invention relates to a manufacturing method and a sealing substrate that are effective when a plurality of electroluminescent element panels are formed using a large substrate (hereinafter, also referred to as multi-cavity).

従来より、携帯電話やPDA等の携帯機器やパーソナルコンピューター等の表示部に、エレクトロルミネッセンス(以下、単にELともいう)表示装置を用いたものが開発されている。EL表示装置は、単独またはアレイ状の発光層を有するEL素子を駆動し、所望の表示を行っている。このようなEL表示装置は、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、例えば素子基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、封止部材側から光を取り出すトップエミッション型のものとに分類できるが、材料選択の自由度が高い等の理由から、これまで主にボトムエミッション型の構造について研究されてきた。 2. Description of the Related Art Conventionally, a display using an electroluminescence (hereinafter simply referred to as EL) display device has been developed for a display unit of a mobile device such as a mobile phone or a PDA, or a personal computer. An EL display device drives an EL element having a single or array of light emitting layers to perform a desired display. Such EL display devices can be classified into, for example, a bottom emission type in which light is extracted from the element substrate side and a top emission type in which light is extracted from the sealing member side, depending on the difference in the light extraction direction from the light emitting layer. However, the bottom emission type structure has been mainly studied so far because of the high degree of freedom of material selection.

一方、表示装置の分野では、大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、EL表示装置についても大型化を目指した研究が盛んに行われている。しかし、上述のボトムエミッション型のEL表示装置を大型化した場合、電極に信号を供給する配線電極を太くする必要があり、画素の開口率が低下するという問題があった。また、このように開口率が低下した場合、画素の輝度を確保するために発光層に大きな電流を流す結果、製品寿命が短くなるという問題も生じていた。このため、近年、画素の開口率が配線等の構造に影響されないトップエミッション型の構造が注目され、盛んに研究されている。 On the other hand, in the field of display devices, there are high needs for enlargement, high definition, and high brightness, and research aimed at increasing the size of EL display devices is also actively conducted. However, when the above-mentioned bottom emission type EL display device is increased in size, it is necessary to increase the thickness of the wiring electrode for supplying a signal to the electrode, which causes a problem that the aperture ratio of the pixel is lowered. In addition, when the aperture ratio is reduced in this way, a large current is passed through the light emitting layer in order to ensure the luminance of the pixel, resulting in a problem that the product life is shortened. For this reason, in recent years, a top emission type structure in which the aperture ratio of a pixel is not affected by the structure of a wiring or the like has attracted attention and has been actively studied.

ここで、EL素子は、陽極としての電極と、陰極としての電極との間に、少なくともEL現象を呈する発光層を挟持してなる構造を有し、電極間に電圧が印加されると、発光層に正孔と電子が注入され、この正孔と電子とが発光層で再結合することにより、発光層が発光する自発光型の素子である。さらに、発光効率を増大させるなどの目的から、陽極と発光層との間に正孔注入層、正孔輸送層、又は、及び、発光層と陰極との間に電子輸送層、電子注入層などが適宜選択して設けられている。そして、発光層とこれら正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを合わせて発光媒体層と呼ばれている。 Here, the EL element has a structure in which a light emitting layer exhibiting at least an EL phenomenon is sandwiched between an electrode as an anode and an electrode as a cathode, and emits light when a voltage is applied between the electrodes. The light emitting layer emits light by injecting holes and electrons into the layer and recombining the holes and electrons in the light emitting layer. Furthermore, for the purpose of increasing luminous efficiency, a hole injection layer, a hole transport layer, or an electron transport layer, an electron injection layer, etc. between the anode and the light emitting layer Are appropriately selected and provided. The light emitting layer and these hole injection layer, hole transport layer, electron transport layer, electron injection layer and the like are collectively referred to as a light emitting medium layer.

EL素子には、無機EL素子と有機EL素子とがあるが、有機EL素子の発光媒体層の典型的な例としては、正孔注入層に銅フタロシアニン、正孔輸送層にN、N’−ジ(1−ナフチル)−N、N’−ジフェニル−1、1’−ビフェニル−4、4’−ジアミン、蛍光体層にトリス(8−キノリノール)アルミニウムをそれぞれ積層した低分子型EL素子や、正孔輸送層にポリチオフェン誘導体、発光層にポリアルキルフルオレン誘導体を積層した高分子型EL素子がある。 The EL element includes an inorganic EL element and an organic EL element. Typical examples of the light emitting medium layer of the organic EL element include copper phthalocyanine for the hole injection layer and N, N′− for the hole transport layer. Di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl-1, 1′-biphenyl-4, 4′-diamine, a low molecular EL element in which tris (8-quinolinol) aluminum is laminated on the phosphor layer, There is a polymer EL element in which a polythiophene derivative is stacked on a hole transport layer and a polyalkylfluorene derivative is stacked on a light emitting layer.

EL素子は、発光媒体層や陰極層を大気暴露させた状態で放置すると、大気中の水分や酸素により劣化することが知られている。特に水分の影響は顕著で、具体的な代表例として、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生し、時間の経過と共に拡大するといった現象がある。 It is known that the EL element is deteriorated by moisture and oxygen in the atmosphere when the light emitting medium layer and the cathode layer are left exposed to the atmosphere. In particular, the influence of moisture is remarkable, and a specific representative example is a phenomenon in which a non-light-emitting region called a dark spot occurs and expands with time.

そこで、水分を遮断する封止構造が必要となるが、従来は水分を遮断するガラス又は金属製の封止缶を接着剤で貼り合わせて中空構造とし、接着剤断面から侵入する水分は、封止缶の内側に設けた乾燥剤で捕集し、素子に到達させない構造(缶封止構造)を一般に用いてきた(例えば、特許文献1,2参照)。 Therefore, a sealing structure that blocks moisture is required, but conventionally, glass or metal sealing cans that block moisture are bonded together with an adhesive to form a hollow structure, and moisture entering from the cross section of the adhesive is sealed. A structure (can sealing structure) that collects with a desiccant provided inside the stopper and does not reach the element has been generally used (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

しかしながら、トップエミッション構造では、表示側に中空の封止缶を被せると、画像の多重化を引き起こすため、好ましくない。従って、平板を密着させて封止するベタ封止が必要となる。ベタ封止の方法として、例えば特許文献3のようにシート状の固体接着剤と平板をEL素子上に貼り合わせる方法が提案されているが、このようなシート状の固体接着剤を複数のEL素子が設けられた多面取り用の素子基板上に貼り合わせた場合、EL素子の外周部に設けられた配線部も接着剤で覆われてしまい、EL素子を駆動させることが出来なくなってしまうという問題があった。
特開平7−169567号公報 特開平10−12376号公報 特開2006−179352号公報
However, in the top emission structure, it is not preferable to cover the display side with a hollow sealing can because it causes image multiplexing. Therefore, solid sealing is required to seal the flat plate in close contact. As a solid sealing method, for example, a method of bonding a sheet-like solid adhesive and a flat plate on an EL element has been proposed as in Patent Document 3, and such a sheet-like solid adhesive is used as a plurality of ELs. When pasted on a multi-sided element substrate provided with an element, the wiring part provided on the outer periphery of the EL element is also covered with an adhesive, and the EL element cannot be driven. There was a problem.
JP-A-7-169567 Japanese Patent Laid-Open No. 10-12376 JP 2006-179352 A

本発明は、上記問題を鑑みてなされたもので、大型基板から複数のEL素子パネルを多面取りする場合に特に有効な、製造方法及び封止基板を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a manufacturing method and a sealing substrate that are particularly effective when a plurality of EL element panels are taken from a large substrate.

請求項1に係る発明は、
(a)第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、
(b)第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
(c)前記封止基板を前記素子基板に貼り合わせてエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する第三工程、
を含むエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともAg、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含む非接着層パターンを設け、且つ前記特定領域が、少なくとも前記配線部の一部を含む前記表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
The invention according to claim 1
(A) a first step of forming a sealing substrate by providing an adhesive layer on the first substrate;
(B) a second step of forming an element substrate provided with a plurality of electroluminescent elements including a display part and a wiring part on the second base material;
(C) a third step of bonding the sealing substrate to the element substrate to form an electroluminescence element panel;
In the first step, at least one of Ag, Al, Au, Cd, Cu, Mg, Sn, and Ti is provided in the specific region on the adhesive layer in the first step. A method for producing an electroluminescent element panel, wherein a non-adhesive layer pattern including a metal is provided, and the specific region is a region corresponding to an outer peripheral region of the display unit including at least a part of the wiring unit. It is.

接着剤層上の特定領域に、少なくともAg、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含む非接着層パターンを設け、且つ特定領域が、少なくとも配線部の一部を含む表示部の外周領域に相当する領域であることで、EL素子表示部を接着剤でベタ封止できると同時に、EL素子表示部の外周領域にある配線部は接着剤で直接ベタ封止されることのないEL素子パネルの製造方法を提供することができる。 A non-adhesive layer pattern containing at least one of Ag, Al, Au, Cd, Cu, Mg, Sn, and Ti is provided in a specific region on the adhesive layer, and the specific region is at least in the wiring portion. By being an area corresponding to the outer peripheral area of the display part including a part, the EL element display part can be solid-sealed with an adhesive, and at the same time, the wiring part in the outer peripheral area of the EL element display part is directly solid with an adhesive. A method for manufacturing an EL element panel that is not sealed can be provided.

請求項2に係る発明は、
(a)第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、
(b)第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
(c)前記封止基板を前記素子基板に貼り合わせてエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する第三工程、
を含むエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンを設け、且つ前記特定領域が、少なくとも前記配線部の一部を含む前記表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
The invention according to claim 2
(A) a first step of forming a sealing substrate by providing an adhesive layer on the first substrate;
(B) a second step of forming an element substrate provided with a plurality of electroluminescent elements including a display part and a wiring part on the second base material;
(C) a third step of bonding the sealing substrate to the element substrate to form an electroluminescence element panel;
In the first step, a non-adhesive layer pattern containing at least a fluororesin is provided in a specific region on the adhesive layer, and the specific region is at least the wiring It is an area corresponding to the outer peripheral area of the display part including a part of the part.

接着剤層上の特定領域に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンを設け、且つ特定領域が、少なくとも配線部の一部を含む表示部の外周領域に相当する領域であることで、EL素子表示部を接着剤でベタ封止できると同時に、EL素子表示部の外周領域にある配線部は接着剤で直接ベタ封止されることのないEL素子パネルの製造方法を提供することができる。 A non-adhesive layer pattern including at least a fluororesin is provided in a specific region on the adhesive layer, and the specific region is a region corresponding to an outer peripheral region of the display unit including at least a part of the wiring portion. It is possible to provide a method for manufacturing an EL element panel in which the display part can be solid-sealed with an adhesive and the wiring part in the outer peripheral region of the EL element display part is not directly solid-sealed with an adhesive.

請求項3に係る発明は、前記非接着層パターンが転写法で形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。 The invention according to claim 3 is the method of manufacturing an electroluminescent element panel according to claim 1 or 2, wherein the non-adhesive layer pattern is formed by a transfer method.

非接着層パターンを転写法で形成することで、パターン形成時の接着剤の劣化を防止することができる。 By forming the non-adhesion layer pattern by a transfer method, it is possible to prevent the adhesive from deteriorating during pattern formation.

請求項4に係る発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
(d)前記エレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除く第4工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
Invention of Claim 4 is a manufacturing method of the electroluminescent element panel in any one of Claim 1 thru | or 3, Comprising: Furthermore,
(D) a fourth step of removing the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern in a specific region from the electroluminescence element panel;
And the specific region is a region in which the non-adhesive layer pattern is provided, and is a region including at least a part of the wiring portion.

非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも配線部の一部を含む領域について、第一基材と接着剤層と非接着層パターンとを取り除く工程を含むことで、EL素子表示部が接着剤層でベタ封止されている同時に、EL素子表示部の外周領域にある配線部が取り出されたEL素子パネルの製造方法を提供することができる。 By including a step of removing the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern in a region where the non-adhesive layer pattern is provided and including at least a part of the wiring portion, the EL element display unit Can be provided with a method of manufacturing an EL element panel in which the wiring part in the outer peripheral region of the EL element display part is taken out at the same time that is solid-sealed with an adhesive layer.

請求項5に係る発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
(d)前記エレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除くと同時に前記エレクトロルミネッセンス素子パネルを個片化する第4工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
The invention according to claim 5 is the method of manufacturing an electroluminescent element panel according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
(D) a fourth step of removing the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern in a specific region from the electroluminescent element panel and simultaneously separating the electroluminescent element panel;
And the specific region is a region in which the non-adhesive layer pattern is provided, and is a region including at least a part of the wiring portion.

非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも配線部の一部を含む領域について、第一基材と接着剤層と非接着層パターンとを取り除くと同時にEL素子パネルを個片化する工程を含むことで、EL素子表示部が接着剤層でベタ封止されている同時に、EL素子表示部の外周領域にある配線部が取り出され、且つ個片化されたEL素子パネルの製造方法を提供することができる。 For the region where the non-adhesive layer pattern is provided and including at least a part of the wiring portion, the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern are removed and the EL element panel is separated into pieces. By including the steps, the EL element display part is solid-sealed with an adhesive layer, and at the same time, the wiring part in the outer peripheral area of the EL element display part is taken out and separated into individual EL element panels. Can be provided.

請求項6に係る発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
(d)前記エレクトロルミネッセンス素子パネルを個片化する第4工程、
(e)前記個片化されたエレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除く第5工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
The invention according to claim 6 is the method of manufacturing an electroluminescent element panel according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
(D) a fourth step of separating the electroluminescence element panel into pieces;
(E) a fifth step of removing the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern in a specific region from the separated electroluminescence element panel;
And the specific region is a region in which the non-adhesive layer pattern is provided, and is a region including at least a part of the wiring portion.

EL素子パネルを個片化した後に、非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも配線部の一部を含む領域について、第一基材と接着剤層と非接着層パターンとを取り除く工程を含むことで、EL素子表示部が接着剤層でベタ封止されている同時に、EL素子表示部の外周領域にある配線部が取り出され、且つ個片化されたEL素子パネルの製造方法を提供することができる。 After the EL element panel is separated into pieces, the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern are removed from the region where the non-adhesive layer pattern is provided and includes at least a part of the wiring portion. By including the steps, the EL element display part is solid-sealed with an adhesive layer, and at the same time, the wiring part in the outer peripheral area of the EL element display part is taken out and separated into individual EL element panels. Can be provided.

請求項7に係る発明は、前記第一基材の水蒸気透過率が10−4g/m/day以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。 The invention according to claim 7 is the electroluminescence according to any one of claims 1 to 6, wherein the water vapor permeability of the first base material is 10 -4 g / m 2 / day or less. It is a manufacturing method of an element panel.

第一基材の水蒸気透過率が10−4g/m/day以下であることで、水分の浸入が防止され、ダークスポットの発生が防止されたEL素子パネルの製造方法を提供することができる。 Providing a method for producing an EL element panel in which moisture permeation is prevented and generation of dark spots is prevented when the water vapor permeability of the first substrate is 10 −4 g / m 2 / day or less. it can.

請求項8に係る発明は、前記第一基材の光透過率が80%以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項7に記載のいずれかにエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。 The invention according to claim 8 is the method of manufacturing an electroluminescent element panel according to any one of claims 1 to 7, wherein the light transmittance of the first base material is 80% or more. .

第一基材の光透過率が80%以上であることで、トップエミッション型のEL素子パネルの製造方法を提供することができる。 When the light transmittance of the first substrate is 80% or more, a method for manufacturing a top emission type EL element panel can be provided.

請求項9に係る発明は、水蒸気透過率が10−4g/m/day以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ前記接着剤層上の一部に、少なくともAg、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板である。 The invention according to claim 9 has an adhesive layer on a first substrate having a water vapor transmission rate of 10 −4 g / m 2 / day or less, and at least part of Ag on the adhesive layer, A sealing substrate for an electroluminescent element panel, wherein a non-adhesive layer pattern containing any one of Al, Au, Cd, Cu, Mg, Sn, and Ti is provided.

表示部と配線部を含むEL素子が設けられた素子基板へ貼り合わせた際、第一基材の水蒸気透過率が10−4g/m/day以下であることで、EL素子への水分の浸入が防止され、ダークスポットの発生を防止でき、且つ接着剤層によりEL素子表示部をベタ封止することができるEL素子パネル用封止基板を提供することができる。 When bonded to an element substrate provided with an EL element including a display part and a wiring part, the water vapor transmission rate of the first substrate is 10 −4 g / m 2 / day or less, so that the moisture to the EL element Can be prevented, the occurrence of dark spots can be prevented, and an EL element panel sealing substrate capable of solid-sealing an EL element display portion with an adhesive layer can be provided.

さらに、接着剤層上の一部に、少なくともAg、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含む非接着層パターンが設けられていることで、配線部等の所望の領域は接着剤で直接ベタ封止することのないEL素子パネル用封止基板を提供することができる。 Further, a wiring part is provided by providing a non-adhesive layer pattern including at least one of Ag, Al, Au, Cd, Cu, Mg, Sn, and Ti on a part of the adhesive layer. It is possible to provide a sealing substrate for an EL element panel in which a desired region such as the above is not directly solid-sealed with an adhesive.

請求項10に係る発明は、水蒸気透過率が10−4g/m/day以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ前記接着剤層上の一部に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板である。 The invention according to claim 10 has an adhesive layer on the first base material having a water vapor transmission rate of 10 −4 g / m 2 / day or less, and at least a fluororesin on a part of the adhesive layer. A sealing substrate for an electroluminescent element panel, wherein a non-adhesive layer pattern including is provided.

表示部と配線部を含むEL素子が設けられた素子基板へ貼り合わせた際、第一基材の水蒸気透過率が10−4g/m/day以下であることで、EL素子への水分の浸入が防止され、ダークスポットの発生を防止でき、且つ接着剤層によりEL素子表示部をベタ封止することができるEL素子パネル用封止基板を提供することができる。 When bonded to an element substrate provided with an EL element including a display part and a wiring part, the water vapor transmission rate of the first base material is 10 −4 g / m 2 / day or less, so that moisture to the EL element is obtained. Can be prevented, the occurrence of dark spots can be prevented, and an EL element panel sealing substrate capable of solid-sealing an EL element display portion with an adhesive layer can be provided.

さらに、接着剤層上の一部に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンが設けられていることで、配線部等の所望の領域は接着剤で直接ベタ封止することのないEL素子パネル用封止基板を提供することができる。 Furthermore, a non-adhesive layer pattern including at least a fluororesin is provided on a part of the adhesive layer, so that an EL element panel in which a desired region such as a wiring portion is not directly sealed with an adhesive. An encapsulating substrate can be provided.

請求項11に係る発明は、前記非接着剤層パターンが格子状であることを特徴とする請求項9または請求項10に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板である。 The invention according to claim 11 is the sealing substrate for an electroluminescent element panel according to claim 9 or 10, wherein the non-adhesive layer pattern is a lattice.

非接着層パターンが格子状であることで、表示部と配線部を含むEL素子が複数設けられた素子基板へ貼り合わせた際、配線部等の所望の領域は接着剤で直接ベタ封止することのないEL素子パネル用封止基板を提供することができる。 When the non-adhesive layer pattern is in a lattice shape, a desired region such as a wiring portion is directly solid-sealed with an adhesive when bonded to an element substrate provided with a plurality of EL elements including a display portion and a wiring portion. A sealing substrate for an EL element panel can be provided.

請求項12に係る発明は、請求項9乃至請求項11のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板であって、光透過率が80%以上であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板である。 An invention according to claim 12 is the electroluminescent element panel sealing substrate according to any one of claims 9 to 11, wherein the electroluminescent element has a light transmittance of 80% or more. It is the sealing substrate for panels.

第一基材の光透過率が80%以上であることで、トップエミッション型のEL素子パネルに適用可能な封止基板を提供することができる。 When the light transmittance of the first base material is 80% or more, a sealing substrate applicable to a top emission type EL element panel can be provided.

本発明によれば、(a)第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、(b)第二基材上に表示部と配線部を含むEL素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、(c)封止基板を素子基板に貼り合わせてEL素子パネルを形成する第三工程、を含むEL素子パネルの製造方法であって、第一工程において、接着剤層上の特定領域に、少なくともAg、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含む非接着層パターンを設け、且つ特定領域が、少なくとも配線部の一部を含む表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とすることで、EL素子表示部を接着剤でベタ封止できると同時に、EL素子表示部の外周領域にある配線部は接着剤で直接ベタ封止されることのないEL素子パネルの製造方法を提供することができた。 According to the present invention, (a) a first step in which an adhesive layer is provided on a first substrate to form a sealing substrate, and (b) an EL element including a display unit and a wiring unit on a second substrate. A method for manufacturing an EL element panel, comprising: a second step of forming a plurality of element substrates; and (c) a third step of forming an EL element panel by bonding a sealing substrate to the element substrate. , A non-adhesive layer pattern containing at least one of Ag, Al, Au, Cd, Cu, Mg, Sn, and Ti is provided in a specific region on the adhesive layer, and the specific region is at least wiring The EL element display part can be solid-sealed with an adhesive, and at the same time, the wiring in the outer peripheral area of the EL element display part. The part of the EL element panel that is not directly solid-sealed with an adhesive It is possible to provide a production method.

また、(a)第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、(b)第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
(c)封止基板を素子基板に貼り合わせてEL素子パネルを形成する第三工程、を含むEL素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンを設け、且つ特定領域が、少なくとも配線部の一部を含む表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とすることで、EL素子表示部を接着剤でベタ封止できると同時に、EL素子表示部の外周領域にある配線部は接着剤で直接ベタ封止されることのないEL素子パネルの製造方法を提供することができた。
(A) a first step of providing an adhesive layer on the first base material to form a sealing substrate; (b) a plurality of electroluminescent elements including a display portion and a wiring portion provided on the second base material. A second step of forming an element substrate;
(C) a third step of forming an EL element panel by bonding a sealing substrate to an element substrate, and in the first step, in a specific region on the adhesive layer The EL element display unit is characterized in that a non-adhesive layer pattern including at least a fluororesin is provided, and the specific region is a region corresponding to an outer peripheral region of the display unit including at least a part of the wiring portion. It was possible to provide a method for manufacturing an EL element panel that can be solid-sealed with an adhesive and at the same time the wiring part in the outer peripheral region of the EL element display part is not directly solid-sealed with an adhesive.

さらには、水蒸気透過率が10−4g/m/day以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ接着剤層上の一部に、少なくともAg、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とすることで、表示部と配線部を含むEL素子が設けられた素子基板へ貼り合わせた際、第一基材の水蒸気透過率が10−4g/m/day以下であるので、EL素子への水分の浸入が防止され、ダークスポットの発生を防止でき、且つ接着剤層によりEL素子表示部をベタ封止することができるEL素子パネル用封止基板を提供することができた。さらに、接着剤層上の一部に、少なくともAg、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含む非接着層パターンが設けられていることで、配線部等の所望の領域は接着剤で直接ベタ封止することのないEL素子パネル用封止基板を提供することができた。 Furthermore, it has an adhesive layer on the first substrate having a water vapor transmission rate of 10 −4 g / m 2 / day or less, and at least part of the adhesive layer has Ag, Al, Au, Cd, A non-adhesive layer pattern containing any one metal of Cu, Mg, Sn, and Ti is provided, so that it is attached to an element substrate provided with an EL element including a display portion and a wiring portion. When combined, the water vapor permeability of the first substrate is 10 −4 g / m 2 / day or less, so that moisture can be prevented from entering the EL element, and the occurrence of dark spots can be prevented, and the adhesive layer Thus, an EL element panel sealing substrate capable of solid-sealing the EL element display portion can be provided. Further, a wiring part is provided by providing a non-adhesive layer pattern including at least one of Ag, Al, Au, Cd, Cu, Mg, Sn, and Ti on a part of the adhesive layer. Thus, it was possible to provide a sealing substrate for an EL element panel in which a desired region such as the above was not directly solid-sealed with an adhesive.

さらには、水蒸気透過率が10−4g/m/day以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ接着剤層上の一部に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とすることで、表示部と配線部を含むEL素子が設けられた素子基板へ貼り合わせた際、第一基材の水蒸気透過率が10−4g/m/day以下であるので、EL素子への水分の浸入が防止され、ダークスポットの発生を防止でき、且つ接着剤層によりEL素子表示部をベタ封止することができるEL素子パネル用封止基板を提供することができた。さらに、接着剤層上の一部に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンが設けられていることで、配線部等の所望の領域は接着剤で直接ベタ封止することのないEL素子パネル用封止基板を提供することができた。 Furthermore, the non-adhesive layer pattern which has an adhesive layer on the 1st base material whose water-vapor-permeation rate is 10 < -4 > g / m < 2 > / day or less, and contains a fluororesin at least in part on an adhesive layer Is provided, and when bonded to an element substrate provided with an EL element including a display portion and a wiring portion, the water vapor permeability of the first base material is 10 −4 g / m 2. / Day or less, the penetration of moisture into the EL element is prevented, the generation of dark spots can be prevented, and the EL element display unit can be solid-sealed with an adhesive layer. Could be provided. Furthermore, a non-adhesive layer pattern including at least a fluororesin is provided on a part of the adhesive layer, so that an EL element panel in which a desired region such as a wiring portion is not directly sealed with an adhesive. A sealing substrate for use could be provided.

以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の実施の形態の説明において参照する図面は、本発明の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さ、寸法等は、実際のものとは異なる。また、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings referred to in the following description of the embodiments are for explaining the configuration of the present invention, and the size, thickness, dimensions, and the like of each part shown in the drawings are different from the actual ones. The present invention is not limited to these.

図1に、封止基板10の一例を示す。図1は断面の模式図である。第一基材11上に接着剤層12が設けられ、接着剤層12上に格子状の非接着層パターン13が設けられている。 FIG. 1 shows an example of the sealing substrate 10. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view. An adhesive layer 12 is provided on the first substrate 11, and a lattice-like non-adhesive layer pattern 13 is provided on the adhesive layer 12.

ここで、接着剤層12上に形成された非接着層パターン13は、図2に示す様に封止基板10と、第二基材21上に表示部22と配線部23を含むEL素子が複数設けられた素子基板20とを対向配置した時の、少なくとも配線部23の一部を含む、表示部22の外周領域に相当する領域に設けられている。これにより、表示部22をベタ封止できると同時に、EL素子の配線部23全体が接着剤層12で直接ベタ封止されることのない封止基板を得ることができる。 Here, the non-adhesive layer pattern 13 formed on the adhesive layer 12 includes an EL element including a display part 22 and a wiring part 23 on the sealing substrate 10 and the second base material 21 as shown in FIG. It is provided in a region corresponding to the outer peripheral region of the display unit 22 including at least a part of the wiring unit 23 when the plurality of element substrates 20 are arranged to face each other. As a result, the display unit 22 can be solid-sealed, and at the same time, a sealing substrate can be obtained in which the entire wiring portion 23 of the EL element is not directly solid-sealed with the adhesive layer 12.

ここで、配線部23は外付けの駆動ICとのコンタクト部や内蔵駆動回路と外部とのコンタクト部が接着剤層で直接覆われなければ良く、配線部23の一部又は大部分が接着剤層に覆われていても良い。図2では、EL素子として、ライン状の第一電極31、発光媒体層32、発光媒体層を隔てるための隔壁34を設け、第1電極31と直交するように第2電極33を積層して設けられたものを例示したが、これに限られるものではない。 Here, the wiring portion 23 is not required to directly cover the contact portion with the external drive IC or the contact portion between the built-in drive circuit and the outside with the adhesive layer, and a part or most of the wiring portion 23 is adhesive. It may be covered with a layer. In FIG. 2, as the EL element, a linear first electrode 31, a light emitting medium layer 32, a partition wall 34 for separating the light emitting medium layer is provided, and a second electrode 33 is stacked so as to be orthogonal to the first electrode 31. Although what was provided was illustrated, it is not restricted to this.

図3に本発明の封止基板10の製造方法の一例を示す。まず、第一基材11上に接着剤層12を形成する。 FIG. 3 shows an example of a method for manufacturing the sealing substrate 10 of the present invention. First, the adhesive layer 12 is formed on the first substrate 11.

第一基材11は、第一基材側が表示側となる、トップエミッション型のEL素子パネルに適用する場合には、透明基材であることが好ましく、光透過率は80%以上であることが好ましい。光透過率が80%より小さいと、所望の輝度を満たすためにより大きな電圧を要し、EL素子の短寿命化に繋がってしまう。さらには平滑性が高いことが好ましい。 The first base material 11 is preferably a transparent base material when applied to a top emission type EL element panel in which the first base material side is the display side, and the light transmittance is 80% or more. Is preferred. If the light transmittance is less than 80%, a larger voltage is required to satisfy the desired luminance, leading to a shortened life of the EL element. Furthermore, it is preferable that the smoothness is high.

例えばソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス板等の無機材料、またはフィルム上に成形が可能な樹脂基板等を用いることができる。このような樹脂基板に用いられる樹脂としては、EL素子に影響を与える揮発成分を含まない耐溶媒性、耐熱性の比較的高い高分子材料が好ましく、具体的には、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリミクロイキシレンジメチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリルニトリル−スチレン樹脂、シリコーン樹脂、非昌質ポリオレフィン等が挙げられ、これらを1種、または2種類以上の共重合体として用いても良い。 For example, an inorganic material such as a glass plate such as soda lime glass, lead alkali glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, or silica glass, or a resin substrate that can be formed on a film can be used. As the resin used for such a resin substrate, a polymer material having relatively high solvent resistance and heat resistance that does not contain a volatile component that affects the EL element is preferable. Specifically, fluorine resin, polyethylene, Polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, ABS resin, polyamide, polyacetal, polyester, polycarbonate, modified polyphenylene ether, polysulfone, polyarylate, polyetherimide, polyethersulfone, polyamideimide, polyimide, polyphenylene sulfide, liquid crystalline polyester, polyethylene Terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polymicroxylene dimethylene terephthalate, polyoxymethylene, polyethersulfone, polyetherketone, polyacrylate Relate, acrylonitrile - styrene resins, silicone resins, HiAkiraTadashi polyolefin and the like, which one, or may be used as a copolymer of two or more kinds.

また、EL素子は、酸素や水分によってダークスポットや端部劣化が生じるので、樹脂基板は水分、酸素に対するバリア性があることが望ましく、水蒸気透過率は10−4g/m/day以下が望ましい。水蒸気透過率が10−4g/m/dayより大きいと、EL素子は、透過してきた水分によってダークスポットや端部劣化を生ずる。 In addition, since the EL element causes dark spots and edge deterioration due to oxygen and moisture, the resin substrate preferably has a barrier property against moisture and oxygen, and the water vapor transmission rate is 10 −4 g / m 2 / day or less. desirable. When the water vapor transmission rate is larger than 10 −4 g / m 2 / day, the EL element causes dark spots and edge deterioration due to the transmitted water.

厚さとしては、トップエミッション型のEL素子パネルに適用する場合には、高透過率を有する厚さであればよく、特に制限されるものではないが、ガラス等については、0.5mmから1.8mmが好ましく、また、樹脂基板等については、10μmから2mmが好ましい。 The thickness is not particularly limited as long as it is a thickness having a high transmittance when applied to a top emission type EL element panel. .8 mm is preferable, and the resin substrate is preferably 10 μm to 2 mm.

接着剤層12の材料としては、例えば、ポリエステルアクリレート,ポリエーテルアクリレート,エポキシアクリレート,ポリウレタンアクリレートなどの各種アクリレートを主成分とする光ラジカル重合性樹脂や、エポキシ,ビニルエーテルなどの樹脂を主成分とする光カチオン重合性樹脂や、チオール・エン付加型樹脂などの光硬化性樹脂や、ポリエチレン,ポリプロピレン,ポリエチレンテレフタレート,ポリメチルメタクリレート,ポリスチレン,ポリエーテルスルホン,ポリアリレート,ポリカーボネート,ポリウレタン,アクリル樹脂,ポリアクリルニトリル,ポリビニルアセタール,ポリアミド,ポリイミド,ジアクリルフタレート樹脂,セルロース系プラスチック,ポリ酢酸ビニル,ポリ塩化ビニル,ポリ塩化ビニリデンなどや、これらの2つまたは3つ以上の共重合体などの熱可塑性樹脂や、熱硬化型樹脂などが挙げられる。接着剤層12を形成する樹脂は、EL素子パネルの作製工程の中で劣化原因となるアウトガスを発生しない、または発生量が少なく、温度や経時で変形、収縮、膨張などの変化が小さいものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、第一基材11や表示部22への密着性及び接着性が良好であるという点から、接着剤層12を形成する樹脂としては、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂が好ましい。また、膜厚均一性や貯蔵安定性を考慮すれば、接着剤層材料は常温では非流動性を示し、固体もしくは軟質固体であり、50〜100℃で溶融する樹脂であることが望ましく、また、シート状(フィルム状)に加工されていることが望ましい。接着剤層12の膜厚は10μmから100μmが好ましい。さらにはトップエミッション型のEL素子パネルに適用する場合には、透明な接着剤が望ましい。 As a material for the adhesive layer 12, for example, a radically polymerizable resin mainly composed of various acrylates such as polyester acrylate, polyether acrylate, epoxy acrylate, polyurethane acrylate, or a resin mainly composed of epoxy, vinyl ether or the like is used. Photo-curing resins such as cationic photopolymerizable resins, thiol / ene-added resins, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyethersulfone, polyarylate, polycarbonate, polyurethane, acrylic resin, polyacrylic Nitrile, polyvinyl acetal, polyamide, polyimide, diacryl phthalate resin, cellulosic plastic, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride And, and thermoplastic resins such as those of two or more copolymers, such as thermosetting resins. The resin forming the adhesive layer 12 does not generate outgas which causes deterioration in the manufacturing process of the EL element panel, or the generation amount is small, and changes such as deformation, shrinkage and expansion with temperature and time are small. If there is, it will not be specifically limited. However, from the viewpoint of good adhesion and adhesion to the first base material 11 and the display unit 22, the resin forming the adhesive layer 12 is a thermosetting resin that cures when heated. preferable. In consideration of film thickness uniformity and storage stability, the adhesive layer material is preferably a resin that exhibits non-flowability at room temperature, is a solid or soft solid, and melts at 50 to 100 ° C. It is desirable to be processed into a sheet (film). The thickness of the adhesive layer 12 is preferably 10 μm to 100 μm. Further, when applied to a top emission type EL element panel, a transparent adhesive is desirable.

また、熱硬化型の樹脂を使用した場合の硬化のための加熱は、EL素子との貼り合わせ後に行うことが好ましいが、これに限られるものではない。 In addition, heating for curing in the case of using a thermosetting resin is preferably performed after bonding to the EL element, but is not limited thereto.

接着剤層12の形成方法に特に制限はなく、ロール法、ダイコート法、グラビア印刷法、コンマコータ法等の各種コーティング法を好適に用いて、第一基材11上に形成する方法の他、図3(a)、(b)に示すように、保護基材41上に、前述の各種コーティング法を用い接着剤層12を形成した後、熱ラミネータ、真空ラミネータ等の公知のラミネータを使用し、転写法で第一基材11上に転写することもできる。 The method for forming the adhesive layer 12 is not particularly limited, and various methods such as a roll method, a die coating method, a gravure printing method, and a comma coater method are preferably used to form the first adhesive layer 12 on the first substrate 11. 3 (a) and (b), after forming the adhesive layer 12 on the protective substrate 41 using the various coating methods described above, a known laminator such as a thermal laminator or a vacuum laminator is used. It can also be transferred onto the first substrate 11 by a transfer method.

保護基材41の材料としては、フィルム状であることが好ましく、例えば、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、PET等のプラスチックフィルムが挙げられるがこれらに制限されるものではない。膜厚は10μmから100μmが好ましい。 The material of the protective substrate 41 is preferably a film, and examples thereof include, but are not limited to, plastic films such as polyester, polyethylene, polypropylene, and PET. The film thickness is preferably 10 μm to 100 μm.

次に、接着剤層12上に、非接着層パターン13を設け、封止基板10を形成する。非接着剤層パターン13は、図2に示したように、封止基板10と、素子基板20とを対向配置した時、少なくとも配線部23の一部を含む、表示部22の外周領域に相当する領域に設ける。 Next, the non-adhesive layer pattern 13 is provided on the adhesive layer 12 to form the sealing substrate 10. As shown in FIG. 2, the non-adhesive layer pattern 13 corresponds to an outer peripheral region of the display unit 22 including at least a part of the wiring unit 23 when the sealing substrate 10 and the element substrate 20 are disposed to face each other. It is provided in the area to be used.

非接着層パターン13の材料としては、EL素子の配線部23との密着性及び接着性が低いものであれば制限はないが、パターニングが容易であることから、フォトレジスト材料、金属材料等が望ましい。フォトレジスト材料はフッ素樹脂が好ましく、ポジ型のものがより好ましい。また、金属材料は、成膜が容易な材料であることが好ましく、Ag、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含むことがより好ましい。形成方法としては、フォトレジスト材料の場合は、スピンコート法、スリットコータ法により塗布した後、フォトマスクを使用し、露光・現像し、パターン形成を行うことができる。金属材料の場合は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、高周波誘導加熱蒸着法などの真空蒸着法で膜形成した後、ケミカルエッチングによりパターン形成を行うことができる。非接着層パターン13の膜厚としては、10nmから50μmが好ましい。 The material of the non-adhesive layer pattern 13 is not limited as long as it has low adhesion and adhesion to the wiring portion 23 of the EL element. However, since the patterning is easy, a photoresist material, a metal material, or the like can be used. desirable. The photoresist material is preferably a fluororesin, more preferably a positive type. Further, the metal material is preferably a material that can be easily formed, and more preferably includes any one of Ag, Al, Au, Cd, Cu, Mg, Sn, and Ti. As a forming method, in the case of a photoresist material, after applying by a spin coat method or a slit coater method, a pattern can be formed by using a photomask, exposing and developing. In the case of a metal material, a pattern can be formed by chemical etching after a film is formed by a vacuum evaporation method such as a resistance heating evaporation method, an electron beam evaporation method, or a high frequency induction heating evaporation method. The film thickness of the non-adhesive layer pattern 13 is preferably 10 nm to 50 μm.

また、非接着層パターン13の別の形成方法としては、図3(c)から(f)に示すように、転写基材51上に上述の方法で、非接着層パターン13を設け、転写基板50を形成した後、熱ラミネータ、真空ラミネータ等の公知のラミネータを使用し、転写法で非接着層パターン13を接着剤層12上に形成することもできる。転写法を用いることで、接着剤層12上に直接非接着層パターン13を形成する場合に比べ、パターン形成時の接着剤層の劣化を防止することができる。 As another method for forming the non-adhesive layer pattern 13, as shown in FIGS. 3C to 3F, the non-adhesive layer pattern 13 is provided on the transfer base 51 by the above-described method, After forming 50, the non-adhesive layer pattern 13 can be formed on the adhesive layer 12 by a transfer method using a known laminator such as a thermal laminator or a vacuum laminator. By using the transfer method, it is possible to prevent deterioration of the adhesive layer at the time of pattern formation as compared with the case where the non-adhesive layer pattern 13 is directly formed on the adhesive layer 12.

また、転写基材51はフィルム状であることが好ましく、例えば、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、PET等のプラスチックフィルムが挙げられるがこれらに制限されるものではない。膜厚は10μmから100μmが好ましい。 Moreover, it is preferable that the transfer base material 51 is a film form, For example, although plastic films, such as polyester, polyethylene, a polypropylene, and PET, are mentioned, it is not restrict | limited to these. The film thickness is preferably 10 μm to 100 μm.

このとき、非接着層パターン13と接着剤層12の界面強度は、非接着層パターン13と転写基材51の界面強度よりも大きい必要がある。 At this time, the interface strength between the non-adhesive layer pattern 13 and the adhesive layer 12 needs to be greater than the interface strength between the non-adhesive layer pattern 13 and the transfer substrate 51.

図4に、EL素子パネルの製造方法の一例を示す。 FIG. 4 shows an example of a method for manufacturing an EL element panel.

表示部22と配線部23を含むEL素子を複数設けた素子基板20と、第一基材11上に接着剤層12と少なくとも配線部23の一部を含む、表示部22の外周領域に相当する領域に非接着層パターン13を設けた封止基板10とを貼り合わせる(図4(a))ことにより、EL素子パネル100(図4(b))を製造することができる。 Corresponding to an outer peripheral region of the display unit 22 including the element substrate 20 provided with a plurality of EL elements including the display unit 22 and the wiring unit 23, and the adhesive layer 12 and at least a part of the wiring unit 23 on the first base material 11. The EL element panel 100 (FIG. 4B) can be manufactured by bonding the sealing substrate 10 provided with the non-adhesive layer pattern 13 to the region to be processed (FIG. 4A).

EL素子パネル100により、表示部22がベタ封止されていると同時に、表示部22の外周領域にある配線部23の一部は接着剤で直接ベタ封止されておらず、配線の取り出しが容易なEL素子パネルを得ることができる。 The display unit 22 is solid-sealed by the EL element panel 100, and at the same time, a part of the wiring unit 23 in the outer peripheral region of the display unit 22 is not directly solid-sealed with an adhesive, so that the wiring can be taken out. An easy EL element panel can be obtained.

貼り合わせ方法は公知の方法を用いることができるが、例えば、熱ラミネート、真空ラミネート等の公知のラミネート法が挙げられる。 A known method can be used as the bonding method, and examples thereof include known laminating methods such as thermal lamination and vacuum laminating.

素子基板の第二基材21としては、ガラスや石英、プラスチックシート等の透光性基材の他に、アルミニウムやステンレスなどの金属箔やシート、シリコン基板、プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。 As the second substrate 21 of the element substrate, in addition to a translucent substrate such as glass, quartz, and a plastic sheet, a metal foil or sheet such as aluminum or stainless steel, a silicon substrate, a plastic film or sheet, aluminum, copper, A non-translucent base material in which a metal film such as nickel or stainless steel is laminated can be used.

第二基材21上に必要に応じて、薄膜トランジスタ(TFT)を設けることもできる。TFTの半導体材料としては、ポリチオフェンやポリアニリン、銅フタロシアニンやペリレン誘導体等の有機半導体材料や、アモルファスシリコンやポリシリコンのケイ素半導体材料が挙げられるが特に制限はなく、好適に用いることができる。 A thin film transistor (TFT) can be provided on the second substrate 21 as necessary. Examples of the semiconductor material of TFT include organic semiconductor materials such as polythiophene, polyaniline, copper phthalocyanine, and perylene derivatives, and silicon semiconductor materials such as amorphous silicon and polysilicon, and can be preferably used.

EL素子としては、例えば、図5に示すように、ライン状の第一電極31、発光媒体層32、発光媒体層を隔てるための隔壁34を設け、第一電極31と直交するように第2電極33を積層して設けられたものを例示したが、これに限られるものではない。 As the EL element, for example, as shown in FIG. 5, a line-shaped first electrode 31, a light emitting medium layer 32, a partition wall 34 for separating the light emitting medium layer is provided, and the second electrode is orthogonal to the first electrode 31. An example in which the electrode 33 is stacked is illustrated, but the present invention is not limited to this.

第1電極31の材料や形成方法としては、公知のものを好適に使用でき、例えば、第1電極が陽極の場合、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料等を抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法で成膜してパターニング処理するか、金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散液をグラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いてパターン印刷して得ることができる。また、第1電極の形状は好適に設定することができ、ライン状でもデルタ配列でもセグメント状でも画素状でも良い。 As the material and formation method of the first electrode 31, known materials can be suitably used. For example, when the first electrode is an anode, ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, zinc aluminum composite oxide is used. Metal composite oxides such as materials and metal materials such as gold and platinum are formed by dry film formation methods such as resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, reactive vapor deposition, ion plating, and sputtering. Obtained by patterning using a wet film-forming method such as gravure printing or screen printing, etc. with a fine particle dispersion in which fine particles of metal oxide or metal material are dispersed in epoxy resin or acrylic resin. be able to. Further, the shape of the first electrode can be suitably set, and may be a line shape, a delta arrangement, a segment shape, or a pixel shape.

なお、必要に応じ、外付けの駆動ICとのコンタクト部や内蔵駆動回路と外部とのコンタクト部となる配線部23の配線抵抗を低減させるために第1電極上に銅、クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこれらの積層物をバス電極35として部分的に設けることもできる。 If necessary, copper, chromium, aluminum, titanium on the first electrode in order to reduce the wiring resistance of the wiring part 23 which is a contact part with an external drive IC and a contact part between the built-in drive circuit and the outside. It is also possible to partially provide a metal such as these or a laminate thereof as the bus electrode 35.

隔壁34は必要に応じ形成することができる。第1電極31が形成された第二基材21上に例えば、アクリル樹脂あるいはポリイミド樹脂をベース樹脂とした感光性樹脂溶液をロールコート、スピンコート、スクリーン印刷、スプレーコート等のコーティング法を用いて、所定厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、所定位置に隔壁34を形成することができる。隔壁34は、特に、多色の有機の発光媒体層をウエットプロセスで塗り分ける際、混色を防ぐ場合に有効である。 The partition 34 can be formed as needed. For example, a photosensitive resin solution based on an acrylic resin or a polyimide resin is applied onto the second base material 21 on which the first electrode 31 is formed using a coating method such as roll coating, spin coating, screen printing, or spray coating. The barrier ribs 34 can be formed at predetermined positions by forming a photosensitive layer having a predetermined thickness and performing patterning processing such as pattern exposure and development. The partition wall 34 is particularly effective in preventing color mixing when a multicolor organic light emitting medium layer is separately applied by a wet process.

発光媒体層31は、発光層を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。発光媒体層31を多層膜で形成する場合の例としては、正孔注入輸送層と電子輸送性発光層や、正孔輸送性発光層と電子輸送層の2層構成の他、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層からなる3層構成、さらには、必要に応じて、電子ブロック層や正孔ブロック層などを挿入することにより、さらに多層で形成することも可能である。材料は無機、有機の公知の材料を好適に使用することができ、形成方法も、特に制限は無く、公知のドライプロセスやウエットプロセスを材料に応じて好適に使用することができる。 The luminescent medium layer 31 can be formed of a single layer film including a luminescent layer or a multilayer film. Examples of the case where the light emitting medium layer 31 is formed of a multilayer film include a hole injection transport layer and an electron transporting light emitting layer, a hole transporting light emitting layer and an electron transport layer, and a hole injection transport. A three-layer structure comprising a layer, a light emitting layer, and an electron injecting and transporting layer, and further, if necessary, an electron blocking layer, a hole blocking layer, and the like can be inserted to form a multilayer. Inorganic and organic known materials can be suitably used as the material, and the forming method is not particularly limited, and a known dry process or wet process can be suitably used depending on the material.

第2電極33は、公知の材料を好適に用いることができるが、例えば、第2電極33が陰極で、表示側の場合、仕事関数が低いLi、Ca、Baを薄く設けた後に、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物のような透明性材料を使用することができる。また、発光媒体層31に、仕事関数が低いLi、Caなどの金属を少量ドーピングして、ITOなどの金属酸化物を積層しても良い。第2電極33の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。 For the second electrode 33, a known material can be preferably used. For example, in the case where the second electrode 33 is a cathode and the display side is provided, after thinly providing Li, Ca, Ba having a low work function, ITO ( Transparent materials such as metal composite oxides such as indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, and zinc aluminum composite oxide can be used. Further, the light emitting medium layer 31 may be laminated with a metal oxide such as ITO by doping a small amount of a metal such as Li or Ca having a low work function. As a method of forming the second electrode 33, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method can be used depending on the material.

また、第2電極の表示部以外の下部に配線部23の一部として補助電極36をITO等で予め設けておくこともでき、必要に応じ、外付けの駆動ICとのコンタクト部や内蔵駆動回路と外部とのコンタクト部となる配線部23の配線抵抗を低減させるために第2電極上に銅、クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこれらの積層物をバス電極35として部分的に併設することもできる。 Further, the auxiliary electrode 36 may be provided in advance as a part of the wiring portion 23 below the second electrode other than the display portion by ITO or the like, and if necessary, a contact portion with an external drive IC or a built-in drive In order to reduce the wiring resistance of the wiring portion 23 that is a contact portion between the circuit and the outside, a metal such as copper, chromium, aluminum, titanium, or a laminate thereof is partially provided as a bus electrode 35 on the second electrode. You can also.

さらには、上記EL素子上にSiNx、SiONx、ポリパラキシレン膜等の材料のパッシベーション層を好適に設けることもできる。 Furthermore, a passivation layer made of a material such as SiNx, SiONx, or polyparaxylene film can be suitably provided on the EL element.

ここで、EL素子パネル100は、非接着層パターンが少なくとも配線部23の一部を含む、表示部22の外周領域に相当する領域に設けられている封止基板が貼り合わされているので、非接着層パターンが設けられている領域については、容易に第一基材と接着剤層と非接着層パターンを取り除くことでき、配線部若しくは所望の配線部の一部を取り出すことができる。 Here, the EL element panel 100 is bonded to a sealing substrate provided in a region corresponding to the outer peripheral region of the display unit 22 in which the non-adhesive layer pattern includes at least a part of the wiring unit 23. In the region where the adhesive layer pattern is provided, the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern can be easily removed, and the wiring portion or a part of the desired wiring portion can be taken out.

取り除く方法としては、例えば、第一基材11が樹脂基板ならばカッター、ガラス等ならダイヤモンドカッター又はスクライバー装置等を使用して図6(a)のAの部分に切り込み61を入れ(図6(b))、必要に応じ、ブレーク装置等で切り込み口とは反対側から力を加え、亀裂62を非接着層パターンまで達しさせるもしくは、非接着層パターン近くに達しさせた後(図6(c))、吸着装置等を利用して取り除くことができ、配線部の一部が露出されたEL素子パネル200を得ることができる(図6(d))。 As a method of removing, for example, a cutter 61 is used if the first base material 11 is a resin substrate, a diamond cutter or a scriber device is used if glass or the like is used, and a cut 61 is made in the portion A of FIG. b)) If necessary, a force is applied from the side opposite to the cut opening with a break device or the like to cause the crack 62 to reach the non-adhesive layer pattern or close to the non-adhesive layer pattern (FIG. 6C). )), An EL device panel 200 that can be removed by using a suction device or the like and a part of the wiring portion is exposed can be obtained (FIG. 6D).

切り込みの深さに制限はなく、切り込み61を入れ、必要に応じ力を加えることにより、亀裂62が非接着層パターン13に達するもしくは、非接着層パターン13近くに達すれば良く、第一基材11のみに切り込みを入れても良いし、第一基材11と接着剤層12に切り込みを入れても良い。 There is no limitation on the depth of the cut, and it is sufficient that the crack 62 reaches the non-adhesive layer pattern 13 or near the non-adhesive layer pattern 13 by applying the force if necessary, by inserting the cut 61. A cut may be made only in 11, or a cut may be made in the first base material 11 and the adhesive layer 12.

また、EL素子パネル100について、上述同様に配線部若しくは所望の配線部の一部を取り出すために第一基材と接着剤層と非接着層パターンを取り除くと同時に、EL素子パネルの個片化を行うこともできる。例えば、図7(a)のA〜Cの部分に切り込みを入れ、好適にブレイク装置等で力を加えることで実施することができる。切り込む順序、力を加える順序に制限はないが、例えば、まず、図7(a)のAとBの部分に切り込み61を入れ(図7(b))、必要に応じ、ブレーク装置等で切り込み口とは反対側から力を加え、亀裂62を非接着層パターンに達しさせるもしくは、非接着層パターン近くに達しさせることができる(図7(c))。その後、Cの部分に切り込みを入れ(図7(d))、ブレーク装置等でCの切り口の反対側から力を加え、AとBの間の第一基材と接着剤層と非接着層パターンを取り除くと同時に、EL素子パネルを個片化することができ、EL素子の配線部の一部が露出され、且つ個片化されたEL素子パネル300を得ることができる(図7(e))。 In addition, for the EL element panel 100, the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern are removed in order to take out the wiring part or a part of the desired wiring part as described above, and at the same time, the EL element panel is separated into pieces. Can also be done. For example, it can be carried out by making cuts in the portions A to C in FIG. 7A and applying force with a break device or the like. There is no restriction on the order of cutting and the order of applying force, but for example, first, cuts 61 are made in portions A and B in FIG. 7A (FIG. 7B), and if necessary, cut with a break device or the like. A force can be applied from the opposite side of the mouth to cause the crack 62 to reach the non-adhesive layer pattern or close to the non-adhesive layer pattern (FIG. 7C). Thereafter, a cut is made in the portion C (FIG. 7 (d)), and a force is applied from the opposite side of the cut end of the C with a break device or the like, and the first base material, the adhesive layer and the non-adhesive layer between A and B At the same time as removing the pattern, the EL element panel can be separated into pieces, and an EL element panel 300 can be obtained in which a part of the wiring portion of the EL element is exposed and separated (see FIG. 7E). )).

切り込みの深さに制限はなく、第一基材への切込み61は、切り込みを入れ、必要に応じ力を加えることにより、亀裂62が非接着剤層パターン13に達するもしくは、非接着層パターン13近くに達すれば良く、第一基材11のみに切り込みを入れても良いし、第一基材11と接着剤層12に切り込みを入れても良い。第二基材21への切り込みは、切り込み61を入れ、必要に応じ力を加えることで、亀裂がBの亀裂に達すれば良い。 The depth of the cut is not limited, and the cut 61 in the first base material is cut, and the crack 62 reaches the non-adhesive layer pattern 13 by applying a force as needed, or the non-adhesive layer pattern 13 It suffices if the distance is close, and only the first base material 11 may be cut, or the first base material 11 and the adhesive layer 12 may be cut. The incision into the second base material 21 may be achieved by making the incision 61 and applying a force as necessary so that the crack reaches the B crack.

さらには、EL素子パネル100について、EL素子パネルを個片化した後、上述同様に配線部若しくは所望の配線部の一部を取り出すために第一基材と接着剤層と非接着層パターンを取り除くこともできる。例えば、図7(a)のBに切り込み61を入れ、必要に応じ、ブレーク装置等で切り込み口とは反対側から力を加え、亀裂62を非接着層パターン13に達しさせるもしくは、非接着層パターン13近くに達しさせた後、Cの部分に切り込みを入れ、ブレーク装置等でCの切り口の反対側から力を加え、EL素子パネルを個片化することができる。その後、Aに切り込み61を入れ、必要に応じ、ブレーク装置等で切り込み口とは反対側から力を加え、亀裂62を非接着層パターンに達しさせるもしくは、非接着層パターン近くに達しさせ、必要に応じ吸着装置等を利用することで、AとBの間の第一基材と接着剤層と非接着層パターンを容易に取り除くことができ、EL素子の配線部の一部が露出され、且つ個片化されたEL素子パネル300を得ることができる。 Further, for the EL element panel 100, after the EL element panel is singulated, the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern are formed in order to take out the wiring portion or a part of the desired wiring portion as described above. It can also be removed. For example, a notch 61 is made in B of FIG. 7A, and if necessary, a force is applied from the opposite side to the notch with a break device or the like to cause the crack 62 to reach the non-adhesive layer pattern 13 or the non-adhesive layer. After reaching the vicinity of the pattern 13, the EL element panel can be divided into pieces by cutting the portion C and applying a force from the opposite side of the C cut with a break device or the like. After that, incision 61 is made in A, and if necessary, a force is applied from the opposite side to the incision port with a break device or the like to cause crack 62 to reach the non-adhesive layer pattern or close to the non-adhesive layer pattern. Accordingly, by using an adsorption device or the like, the first base material, the adhesive layer and the non-adhesive layer pattern between A and B can be easily removed, and a part of the wiring portion of the EL element is exposed, In addition, the EL element panel 300 that is separated into pieces can be obtained.

(実施例1)
まず、PETフィルムの保護基材41上に室温で非流動性かつ50〜100℃で流動性を示す熱硬化型エポキシ樹脂をエタノールに溶解したものを、ロール法で延展し、エタノールを揮発させて厚み25μmの接着剤層12を形成した。
(Example 1)
First, a thermosetting epoxy resin which is non-flowable at room temperature and flowable at 50 to 100 ° C. is dissolved in ethanol on a protective substrate 41 of PET film, and is spread by a roll method to volatilize ethanol. An adhesive layer 12 having a thickness of 25 μm was formed.

次に保護基材41上に形成した接着剤層12を、無アルカリガラスの第一基材11上に熱ローラを使って転写した(図3(a)、図3(b)参照)。このときの接着剤層転写条件は、温度85℃、圧力0.2MPaであった。 Next, the adhesive layer 12 formed on the protective base material 41 was transferred onto the first base material 11 made of alkali-free glass using a heat roller (see FIGS. 3A and 3B). The adhesive layer transfer conditions at this time were a temperature of 85 ° C. and a pressure of 0.2 MPa.

また、PETフィルムの転写基材51上に真空蒸着法で厚み500nmのアルミニウムを蒸着し、ケミカルエッチング法にてアルミニウムの非接着層パターン13を形成し、転写基板50を作製した(図3(c)、図3(d)参照)。非接着層パターン13は、素子基板20と転写基板50を重ねた場合、配線部23の一部を含む、表示部22の外周領域に相当する領域に形成した。 Further, aluminum having a thickness of 500 nm was deposited on the transfer base 51 of the PET film by a vacuum deposition method, and an aluminum non-adhesive layer pattern 13 was formed by a chemical etching method, thereby producing a transfer substrate 50 (FIG. 3C). ), FIG. 3 (d)). The non-adhesive layer pattern 13 was formed in a region corresponding to the outer peripheral region of the display unit 22 including a part of the wiring unit 23 when the element substrate 20 and the transfer substrate 50 were overlapped.

そして、アルミニウムの非接着層パターン13が形成された転写基板50を、接着剤層12を形成した第一基材11上に、熱ローラを使って転写した(図3(e)、図3(f)参照)。このときの接着剤層転写条件は、温度75℃、圧力0.2MPaであった。 Then, the transfer substrate 50 on which the non-adhesive layer pattern 13 of aluminum was formed was transferred onto the first base material 11 on which the adhesive layer 12 was formed using a heat roller (FIG. 3 (e), FIG. f)). The adhesive layer transfer conditions at this time were a temperature of 75 ° C. and a pressure of 0.2 MPa.

一方、ガラスからなる基板21上にインジウム・錫合金酸化物、クロムを順次スパッタリングにより成膜し、それぞれ150nm、300nmの膜を得た。その後、ケミカルエッチングにより、EL素子のライン状の第1電極31及びバス電極35を形成した。次に、第1電極31が形成された基板21上にポリイミド樹脂からなる感光性樹脂溶液をスピンコーターにて塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等の1連のパターニング処理を行って、画素の土手として1μm厚の隔壁34を形成した。 On the other hand, an indium / tin alloy oxide and chromium were sequentially formed on a glass substrate 21 by sputtering to obtain films of 150 nm and 300 nm, respectively. Thereafter, the line-shaped first electrode 31 and the bus electrode 35 of the EL element were formed by chemical etching. Next, a photosensitive resin solution made of polyimide resin is applied onto the substrate 21 on which the first electrode 31 is formed by a spin coater to form a photosensitive layer, and a series of patterning processes such as pattern exposure and development are performed. Thus, a partition wall 34 having a thickness of 1 μm was formed as a bank of the pixel.

次に、隔壁34の間にポリ(3、4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物からなる20nmの正孔輸送層と、ポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシロキシ)−1、4−フェニレンビニレン](MEHPPV)からなる80nm厚の発光体層とからなる2層構成の100nm厚の有機発光媒体層32を印刷法で形成した。   Next, a 20 nm hole transport layer made of a mixture of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid between the partition walls 34, and poly [2-methoxy-5- (2′-ethylhexene). A 100 nm-thick organic light-emitting medium layer 32 having a two-layer structure composed of a light-emitting layer having a thickness of 80 nm made of (siloxy) -1,4-phenylenevinylene] (MEHPPV) was formed by a printing method.

次に、真空蒸着でカルシウムを5nm、インジウム・錫合金化合物をスパッタリングして50nm厚のITO膜をパターニング成膜することで有機発光媒体層32上に第2電極33を形成し、素子基板20を作製した(図5参照)。   Next, the second electrode 33 is formed on the organic light emitting medium layer 32 by patterning an ITO film having a thickness of 50 nm by sputtering with 5 nm of calcium and an indium / tin alloy compound by vacuum deposition. It produced (refer FIG. 5).

そして、上記の素子基板20と封止基板10を対向配置し(図4(a)参照)、真空ラミネータで貼り合わせた。貼り合わせ条件は、温度85℃、時間3分、圧力1.0MPaで行った。その後、熱キュアを120℃、1h行って、有機EL素子パネル100を得た(図4(b)参照)。   Then, the element substrate 20 and the sealing substrate 10 were disposed to face each other (see FIG. 4A), and were bonded together with a vacuum laminator. The bonding conditions were a temperature of 85 ° C., a time of 3 minutes, and a pressure of 1.0 MPa. Thereafter, thermal curing was performed at 120 ° C. for 1 hour to obtain an organic EL element panel 100 (see FIG. 4B).

また、さらに、有機EL素子パネル100に対し、スクライバー装置(三星ダイヤモンド製、MS5220)を使用し、図7(a)に示すAとBの箇所に、スクライブを行った(図7(b))。切り込み量は0.1mmで行った。その後、ガラスブレーカー(イーエッチシー製、MLB−300)を使用し、AとBの箇所の亀裂を非接着層まで達しさせた(図7(c))。 Furthermore, a scriber device (MS5220, manufactured by Samsung Diamond) was used for the organic EL element panel 100, and scribing was performed at locations A and B shown in FIG. 7A (FIG. 7B). . The cutting depth was 0.1 mm. Thereafter, a glass breaker (MLB-300, manufactured by ECH) was used to cause cracks at locations A and B to reach the non-adhesive layer (FIG. 7C).

次にCの箇所に、同様に0.1mmのスクライブを行った(図7(d))。その後同様の装置でCの箇所をブレイクすることで、EL素子の配線部の一部が露出され、且つ個片化されたEL素子パネル300を得た(図7(e)参照)。 Next, 0.1 mm scribing was similarly performed at the location C (FIG. 7D). Thereafter, the portion C was broken with the same apparatus to obtain an EL element panel 300 in which a part of the wiring portion of the EL element was exposed and separated (see FIG. 7E).

(実施例2)
まず、PETフィルムの保護基材41上に室温で非流動性かつ50〜100℃で流動性を示す熱硬化型エポキシ樹脂をエタノールに溶解したものを、ロール法で延展し、エタノールを揮発させて厚み25μmの接着剤層12を形成した。
(Example 2)
First, a thermosetting epoxy resin which is non-flowable at room temperature and flowable at 50 to 100 ° C. is dissolved in ethanol on a protective substrate 41 of PET film, and is spread by a roll method to volatilize ethanol. An adhesive layer 12 having a thickness of 25 μm was formed.

次に保護基材41上に形成した接着剤層12を、無アルカリガラスの第一基材11上に熱ローラを使って転写した(図3(a)、図3(b)参照)。このときの接着剤層転写条件は、温度85℃、圧力0.2MPaであった。 Next, the adhesive layer 12 formed on the protective base material 41 was transferred onto the first base material 11 made of alkali-free glass using a heat roller (see FIGS. 3A and 3B). The adhesive layer transfer conditions at this time were a temperature of 85 ° C. and a pressure of 0.2 MPa.

また、PETフィルムの転写基材51上に、熱ラミネータ法でフッ素含有のドライフィルムレジストを20μm形成し、露光・現像にてフッ素含有レジストの非接着層パターン13を形成し、転写基板50を作製した(図3(c)、図3(d)参照)。非接着層パターン13は、素子基板20と転写基板50を重ねた場合、配線部23の一部を含む、表示部22の外周領域に相当する領域に形成した。 Further, 20 μm of a fluorine-containing dry film resist is formed on the transfer base 51 of the PET film by a thermal laminator method, and a non-adhesive layer pattern 13 of the fluorine-containing resist is formed by exposure and development to produce a transfer substrate 50. (See FIG. 3C and FIG. 3D). The non-adhesive layer pattern 13 was formed in a region corresponding to the outer peripheral region of the display unit 22 including a part of the wiring unit 23 when the element substrate 20 and the transfer substrate 50 were overlapped.

そして、フッ素含有レジストの非接着層パターン13が形成された転写基板50を、接着剤層12を形成した第一基材11上に、熱ローラを使って転写した(図3(e)、図3(f)参照)。このときの接着剤層転写条件は、温度75℃、圧力0.2MPaであった。 Then, the transfer substrate 50 on which the non-adhesive layer pattern 13 of the fluorine-containing resist was formed was transferred onto the first base material 11 on which the adhesive layer 12 was formed using a heat roller (FIG. 3 (e), FIG. 3 (f)). The adhesive layer transfer conditions at this time were a temperature of 75 ° C. and a pressure of 0.2 MPa.

以下、素子基板20の作成法及び有機EL素子パネル100の断裁方法は実施例1と同様である。 Hereinafter, the production method of the element substrate 20 and the cutting method of the organic EL element panel 100 are the same as those in the first embodiment.

本発明の封止基板の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the sealing substrate of this invention. 本発明の封止基板と素子基板の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the sealing substrate and element substrate of this invention. 本発明の封止基板の製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the sealing substrate of this invention. 本発明のEL素子パネルの製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the EL element panel of this invention. 本発明の素子基板の一例を示す断面図と平面図である。It is sectional drawing and a top view which show an example of the element substrate of this invention. 本発明のEL素子パネルの製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the EL element panel of this invention. 本発明のEL素子パネルの製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the EL element panel of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10……封止基板
11……第一基材
12……接着剤層
13……非接着層パターン
20……素子基板
21……第二基材
22……表示部
23……配線部
31……第1電極
32……発光媒体層
33……第2電極
34……隔壁
41……保護基材
42……熱ラミネータ
50……転写基板
51……転写基材
52……熱ラミネータ
61……切り込み
62……亀裂
100……EL素子パネル
200……EL素子パネル
300……EL素子パネル
10 ... Sealing substrate 11 ... First base material 12 ... Adhesive layer 13 ... Non-adhesive layer pattern 20 ... Element substrate
21 …… Second substrate 22 …… Display unit 23 …… Wiring unit 31 …… First electrode 32 …… Luminescent medium layer 33 …… Second electrode 34 …… Partition wall 41 …… Protective substrate 42 …… Thermal laminator 50 ... Transfer substrate 51 ... Transfer substrate 52 ... Thermal laminator 61 ... Incision 62 ... Crack 100 ... EL element panel 200 ... EL element panel 300 ... EL element panel

Claims (12)

(a)第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、
(b)第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
(c)前記封止基板を前記素子基板に貼り合わせてエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する第三工程、
を含むエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともAg、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含む非接着層パターンを設け、且つ前記特定領域が、少なくとも前記配線部の一部を含む前記表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
(A) a first step of forming a sealing substrate by providing an adhesive layer on the first substrate;
(B) a second step of forming an element substrate provided with a plurality of electroluminescent elements including a display part and a wiring part on the second base material;
(C) a third step of bonding the sealing substrate to the element substrate to form an electroluminescence element panel;
In the first step, at least one of Ag, Al, Au, Cd, Cu, Mg, Sn, and Ti is provided in the specific region on the adhesive layer in the first step. A method for producing an electroluminescent element panel, wherein a non-adhesive layer pattern including a metal is provided, and the specific region is a region corresponding to an outer peripheral region of the display unit including at least a part of the wiring unit. .
(a)第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、
(b)第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
(c)前記封止基板を前記素子基板に貼り合わせてエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する第三工程、
を含むエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンを設け、且つ前記特定領域が、少なくとも前記配線部の一部を含む前記表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
(A) a first step of forming a sealing substrate by providing an adhesive layer on the first substrate;
(B) a second step of forming an element substrate provided with a plurality of electroluminescent elements including a display part and a wiring part on the second base material;
(C) a third step of bonding the sealing substrate to the element substrate to form an electroluminescence element panel;
In the first step, a non-adhesive layer pattern including at least a fluororesin is provided in a specific region on the adhesive layer, and the specific region is at least the wiring. A method for manufacturing an electroluminescent element panel, which is a region corresponding to an outer peripheral region of the display part including a part of the part.
前記非接着層パターンが転写法で形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。 The method for manufacturing an electroluminescent element panel according to claim 1 or 2, wherein the non-adhesive layer pattern is formed by a transfer method. 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
(d)前記エレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除く第4工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
It is a manufacturing method of the electroluminescent element panel in any one of Claims 1 thru | or 3, Comprising: Furthermore,
(D) a fourth step of removing the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern in a specific region from the electroluminescence element panel;
And the specific region is a region in which the non-adhesive layer pattern is provided, and is a region including at least a part of the wiring portion.
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
(d)前記エレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除くと同時に前記エレクトロルミネッセンス素子パネルを個片化する第4工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
It is a manufacturing method of the electroluminescent element panel in any one of Claims 1 thru | or 3, Comprising: Furthermore,
(D) a fourth step of removing the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern in a specific region from the electroluminescent element panel and simultaneously separating the electroluminescent element panel;
And the specific region is a region in which the non-adhesive layer pattern is provided, and is a region including at least a part of the wiring portion.
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
(d)前記エレクトロルミネッセンス素子パネルを個片化する第4工程、
(e)前記個片化されたエレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除く第5工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
It is a manufacturing method of the electroluminescent element panel in any one of Claims 1 thru | or 3, Comprising: Furthermore,
(D) a fourth step of separating the electroluminescence element panel into pieces;
(E) a fifth step of removing the first base material, the adhesive layer, and the non-adhesive layer pattern in a specific region from the separated electroluminescence element panel;
And the specific region is a region in which the non-adhesive layer pattern is provided, and is a region including at least a part of the wiring portion.
前記第一基材の水蒸気透過率が10−4g/m/day以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。 The method for producing an electroluminescent element panel according to claim 1, wherein the first substrate has a water vapor transmission rate of 10 −4 g / m 2 / day or less. 前記第一基材の光透過率が80%以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。 8. The method for manufacturing an electroluminescent element panel according to claim 1, wherein the light transmittance of the first base material is 80% or more. 水蒸気透過率が10−4g/m/day以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ前記接着剤層上の一部に、少なくともAg、Al、Au、Cd、Cu、Mg、Sn、Tiのいずれか1種の金属を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板。 It has an adhesive layer on the first substrate having a water vapor transmission rate of 10 −4 g / m 2 / day or less, and at least part of the adhesive layer has Ag, Al, Au, Cd, Cu, A sealing substrate for an electroluminescence element panel, wherein a non-adhesive layer pattern containing any one metal of Mg, Sn, and Ti is provided. 水蒸気透過率が10−4g/m/day以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ前記接着剤層上の一部に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板。 A non-adhesive layer pattern including at least a fluororesin is provided on a part of the adhesive layer on the first base material having a water vapor transmission rate of 10 −4 g / m 2 / day or less. A sealing substrate for an electroluminescence element panel. 前記非接着剤層パターンが格子状であることを特徴とする請求項9または請求項10に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板。 The sealing substrate for an electroluminescent element panel according to claim 9 or 10, wherein the non-adhesive layer pattern has a lattice shape. 請求項9乃至請求項11のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板であって、光透過率が80%以上であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板。 12. The electroluminescent element panel sealing substrate according to claim 9, wherein the electroluminescent element panel sealing substrate has a light transmittance of 80% or more.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102449804A (en) * 2009-05-28 2012-05-09 娜我比可隆株式会社 Fabrication method of organic electroluminescence display device having a getter layer
WO2012164612A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 パナソニック株式会社 Method for manufacturing joined body, and joined body
JP5282786B2 (en) * 2008-11-13 2013-09-04 コニカミノルタ株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5282786B2 (en) * 2008-11-13 2013-09-04 コニカミノルタ株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element
CN102449804A (en) * 2009-05-28 2012-05-09 娜我比可隆株式会社 Fabrication method of organic electroluminescence display device having a getter layer
JP2012528449A (en) * 2009-05-28 2012-11-12 ネオビューコロン カンパニー,リミテッド Method for manufacturing organic electroluminescent display device having getter layer
CN102449804B (en) * 2009-05-28 2015-12-09 娜我比可隆株式会社 There is the manufacture method of the organic elctroluminescent device of getter layer
WO2012164612A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 パナソニック株式会社 Method for manufacturing joined body, and joined body
US9156206B2 (en) 2011-05-31 2015-10-13 Joled Inc. Method for manufacturing joined body, and joined body
JP5990745B2 (en) * 2011-05-31 2016-09-14 株式会社Joled Manufacturing method of joined body and joined body

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