JP2008125164A - 発電装置 - Google Patents
発電装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008125164A JP2008125164A JP2006303082A JP2006303082A JP2008125164A JP 2008125164 A JP2008125164 A JP 2008125164A JP 2006303082 A JP2006303082 A JP 2006303082A JP 2006303082 A JP2006303082 A JP 2006303082A JP 2008125164 A JP2008125164 A JP 2008125164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnet
- capacitor
- base material
- cylindrical space
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Power Sources (AREA)
Abstract
【課題】 小型化、低背化を実現すると共に、製造コストを低減および製造工程の簡略化を図ることができる発電装置を提供する。
【解決手段】 発電装置は、内部に磁石用筒状空間1aが形成されると共にコンデンサ用収容部が形成された立体状の絶縁性基材1と、絶縁性基材1の磁石用筒状空間1aに転動または摺動可能に収容された磁石3と、絶縁性基材1のコンデンサ用収容部に埋め込まれたコンデンサ5と、絶縁性基材1の表面上に、磁石用筒状空間1aの長手方向と略直交するように形成された薄膜コイル2と、絶縁性基材1が実装される回路基板7と、絶縁性基材1の表面に形成され薄膜コイル2とコンデンサ5と回路基板7とを導通させる回路パターン4とを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】 発電装置は、内部に磁石用筒状空間1aが形成されると共にコンデンサ用収容部が形成された立体状の絶縁性基材1と、絶縁性基材1の磁石用筒状空間1aに転動または摺動可能に収容された磁石3と、絶縁性基材1のコンデンサ用収容部に埋め込まれたコンデンサ5と、絶縁性基材1の表面上に、磁石用筒状空間1aの長手方向と略直交するように形成された薄膜コイル2と、絶縁性基材1が実装される回路基板7と、絶縁性基材1の表面に形成され薄膜コイル2とコンデンサ5と回路基板7とを導通させる回路パターン4とを備える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、筒状に形成されたコイル内にて磁石を移動させて発電を行う発電装置に関する。
従来より、小型の発電装置としては、下記の特許文献1などに記載された発電装置が知られている。この発電装置は、振動、人の移動、車の移動などにより発電を可能にし、電子機器に内蔵した電池の消耗を低減する、または電池を不要にすることを目的としている。
具体的には、従来の発電装置は、図2の一部断面図に示すように、コイルボビン101内部に磁石102を入れ、且つコイルボビン101の導線のコイル103を巻回して構成されている。コイルこのような発電装置は、振動などによって磁石102が移動し、当該移動によって発電を行う。この発電により発生した電流は、コイル103と接続された導線104を介して、コンデンサ105に充電を行う。このとき、発電電流は、コイルボビン101と一体化したリード線106及びハンダ107を介して、実装基板108に実装されたコンデンサ105に流れる。
特開平10−42540号公報
しかしながら、上述した発電装置の構成では、部品点数が多いために実装面積が大きくなる問題や、部品点数が多いためにコストが高くなる問題や、部品点数が多いために電気的な接続を実現する製造工程に多くの手間がかかるという問題がある。
そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、小型化、低背化を実現すると共に、製造コストを低減および製造工程の簡略化を図ることができる発電装置を提供することを目的とする。
本発明は、上述の課題を解決するために、内部に磁石用筒状空間が形成されると共にコンデンサ用収容部が形成された立体状の絶縁性基材と、絶縁性基材の磁石用筒状空間に転動または摺動可能に収容された磁石と、絶縁性基材のコンデンサ用収容部に埋め込まれたコンデンサと、絶縁性基材の表面上に、磁石用の筒状空間の長手方向と略直交するように形成された薄膜コイルと、絶縁性基材が実装される回路基板と、絶縁性基材の表面に形成され薄膜コイルとコンデンサと回路基板とを導通させる回路パターンとを備える。
本発明によれば、絶縁性基材とコンデンサと薄膜コイルとを一体化した構成となっているので、小型化、低背化を実現すると共に、製造コストを低減および製造工程の簡略化を図ることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
本発明は、例えば図1に示すように構成された発電装置に適用される。図1は、発電装置を側面から見た図であり、発電装置の一部を断面として示している。
この発電装置は、例えばセラミック焼結体からなる絶縁性基材1を備えている。この絶縁性基材1は、内部に磁石用筒状空間1aが形成されている。この絶縁性基材1は、コンデンサ用収容部1bが一体化して構成されている。
この磁石用筒状空間1aには、絶縁性基材1の長手方向に転動または摺動可能に磁石3が収容される。磁石3は、絶縁性基材1に振動が与えられることによって、磁石用筒状空間1a内を移動する。磁石用筒状空間1aに磁石3を収容する製造時においては、磁石用筒状空間1aの内部が露出した状態で磁石3を磁石用筒状空間1aに収容し、その後に樹脂等で磁石用筒状空間1aを塞ぐ。
なお、図1においては、立方体上の磁石3を磁石用筒状空間1a内に収容して磁石3が磁石用筒状空間1a内で摺動する場合を示しているが、これにかぎらず、S極とN極が対照的な位置関係にある磁石であれば球状の磁石を磁石用筒状空間1aに収容して磁石用筒状空間1a内で球状の磁石が転動するような構成であっても良い。
コンデンサ用収容部1bには、発電した電流が供給されることによって充電を行うコンデンサ5が埋め込まれる。このコンデンサ5は、絶縁性基材1のコンデンサ用収容部に埋め込まれた状態において樹脂6で固定される。コンデンサ5の導線は、樹脂6を通じてコンデンサ用収容部1bの表面に露出される。本例において、コンデンサ5は絶縁性基材1の長手方向における一端のみに設けられているが、蓄電容量の増大を図り、もう一方の端部にコンデンサ用収容部を絶縁性基材1と一体形成して他のコンデンサを設けても良い。
なお、本例においては、絶縁性基材1にコンデンサ5を埋め込む構成を示したが、これに限らず、絶縁性基材1として積層構造のセラミックを用い、電極を設けることで、当該積層構造の層間に誘電体としての機能を持たせて、コンデンサ5を内蔵させるても良い。このような構成であっても、コンデンサ5を外付けする必要がない。
絶縁性基材1の表面には、磁石用筒状空間1aの長手方向と略直交するように形成された薄膜コイル2が形成される。この薄膜コイル2には、コンデンサ5の導線と回路基板7上の導体部8とを導通させる回路パターン4が接続される。回路パターン4は、薄膜コイル2と同様に、薄膜として絶縁性基材1の表面上に形成される。
このように構成された発電装置において、薄膜コイル2及び回路パターン4は、薄膜輪郭除去法によって絶縁性基材1上に形成されて、立体回路基板を容易に形成することができる。この薄膜輪郭除去法は、以下のようなプロセスからなる。
まず、薄膜輪郭除去法は、加熱処理プロセスを実行し、内部に磁石用筒状空間1aを設け且つコンデンサ用収容部1bが成形された絶縁性基材1である焼結体を温度1000℃、保持時間1時間の条件で加熱処理し、表面を清浄化する。
続いて、薄膜輪郭除去法においては、導電性薄膜形成プロセスを実行する。この導電性薄膜形成プロセスは、真空蒸着装置やDCマグネトロンスパッタリング装置等を使用した物理的蒸着法や無電解めっき等の湿式法等により、導電性薄膜を試験体表面に形成するものである。具体的には、試験体をプラズマ処理装置のチャンバ内にセットし、チャンバ内を10−4Pa程度に減圧した後、温度150℃で3分間程度、試験体を予備加熱する。その後、チャンバ内に酸素ガスを流通させるとともに、チャンバ内のガス圧を10Pa程度に制御する。そして、電極間に1kWの高周波電圧(RF:13.56MHz)を300秒間印加することにより、プラズマ処理を行う。続いて、チャンバ内の圧力を10−4Pa以下に制御し、この状態でチャンバ内にアルゴンガスをガス圧が0.6Pa程度になるように導入した後、さらに500Vの直流電圧を印加することにより、金属ターゲットをボンバートし、試験体表面に膜厚が300nm程度の導電性薄膜を形成する。なお、導電性材料としては、銅、ニッケル、クロム、チタン等が用いられる。
続いて、薄膜輪郭除去法においては、回路パターン形成プロセスを実行し、大気中でYAGレーザーの第3高調波(THG−YAGレーザー)を使用して薄膜コイル2及び回路パターン4となる回路パターンの輪郭に沿ってレーザーを走査し、アルミナ基板上に形成された導電性薄膜のうち、薄膜コイル2及び回路パターン4となる回路パターンの輪郭部の薄膜のみを除去した薄膜除去部を形成する。
続いて、薄膜輪郭除去法においては、めっきプロセスを実行し、焼結体表面の電気回路部のみに電解めっきによって銅めっきを施して厚膜化し、厚さが約15μmの銅膜を形成する。その後、非電気回路部に残存している導電性薄膜をエッチングによって除去する。このとき、銅めっきは、導電性薄膜よりも厚く形成されているために、残存する。そして、電気回路部に電気めっきによってニッケルめっきや金めっきを施す。このような薄膜輪郭除去法によって発電装置は容易に薄膜コイル2及び回路パターン4を形成することができる。
以上説明したように、本発明を適用した発電装置によれば、絶縁性基材1と薄膜コイル2と回路パターン4とコンデンサ5とを一体化する構成により、小型化、低背化を実現できる。特に、絶縁性基材1にコンデンサ用収容部1bを設けてコンデンサ5を三次元的に実装することができるので、回路基板7に対する実装面積を小さくすることができる。したがって、例えば補聴器等のウエアラブル装置に電力供給をする発電装置として最適なものを提供できる。
また、絶縁性基材1と薄膜コイル2と回路パターン4とコンデンサ5とを一体化した状態で、回路パターン4と回路基板7上の導体部8とをハンダにより固定するのみで発電装置を回路基板7上に実装することができるので、磁石3を内蔵した部材とコンデンサとを別個に回路基板上に実装する場合と比較して、実装コストを低減することができる。また、製造工程を簡略化できる。
なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
1 絶縁性基材
1a 磁石用筒状空間
1b コンデンサ用収容部
2 薄膜コイル
3 磁石
4 回路パターン
5 コンデンサ
6 樹脂
7 回路基板
8 導体部
1a 磁石用筒状空間
1b コンデンサ用収容部
2 薄膜コイル
3 磁石
4 回路パターン
5 コンデンサ
6 樹脂
7 回路基板
8 導体部
Claims (1)
- 内部に磁石用筒状空間が形成されると共にコンデンサ用収容部が形成された立体状の絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の磁石用筒状空間に転動または摺動可能に収容された磁石と、
前記絶縁性基材のコンデンサ用収容部に埋め込まれたコンデンサと、
前記絶縁性基材の表面上に、前記磁石用の筒状空間の長手方向と略直交するように形成された薄膜コイルと、
前記絶縁性基材が実装される回路基板と、
前記絶縁性基材の表面に形成され前記薄膜コイルと前記コンデンサと前記回路基板とを導通させる回路パターンと
を備えることを特徴とする発電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006303082A JP2008125164A (ja) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | 発電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006303082A JP2008125164A (ja) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | 発電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008125164A true JP2008125164A (ja) | 2008-05-29 |
Family
ID=39509376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006303082A Withdrawn JP2008125164A (ja) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | 発電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008125164A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012002109A1 (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-05 | ブラザー工業株式会社 | 振動発電機 |
-
2006
- 2006-11-08 JP JP2006303082A patent/JP2008125164A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012002109A1 (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-05 | ブラザー工業株式会社 | 振動発電機 |
| JP2012010569A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Brother Ind Ltd | 振動発電機 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5397504B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製造方法 | |
| TWI273653B (en) | Apparatus and methods for minimizing arcing in a plasma processing chamber | |
| JP3980658B2 (ja) | 薄膜コンデンサの形成方法、薄膜コンデンサの製造方法、薄膜バイパスコンデンサの製造方法および薄膜コンデンサ | |
| CN106847467A (zh) | 电子部件和电子部件的制造方法 | |
| JP5432002B2 (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
| TW201637039A (zh) | 電子零件及其製造方法 | |
| JP6343529B2 (ja) | 電子部品、回路モジュール及び電子機器 | |
| KR100453246B1 (ko) | 구리막의 막형성방법 | |
| CN102577629A (zh) | 等离子体生成装置 | |
| CN105704925B (zh) | 嵌入式装置及具有该嵌入式装置的印刷电路板 | |
| JP2008125164A (ja) | 発電装置 | |
| JP2001148310A (ja) | マイクロコイル | |
| JP4905537B2 (ja) | アンテナ装置 | |
| JP6218660B2 (ja) | コンデンサ | |
| CN113133195A (zh) | 三维电路的制作方法和电子元件 | |
| JP4437327B2 (ja) | 回路パターン形成方法及び該形成方法を用いて回路パターンが形成された回路板 | |
| KR20150019232A (ko) | 세라믹 모노 블록 및 이를 이용한 세라믹 필터의 입출력단자 및 상면 패턴 형성 방법 | |
| KR20110055273A (ko) | 고주파 전력장치용 필터 및 그 필터를 구비한 고주파 전력장치 | |
| JP5286645B2 (ja) | インダクタンス部品とその製造方法 | |
| JP5082282B2 (ja) | インダクタンス部品とその製造方法 | |
| KR20050059055A (ko) | 고 주파수 기술로 사용하기 위한 전기 전도성 구조물들을제조하는 방법 | |
| JP2008038240A (ja) | チップ状電子部品のめっき方法 | |
| Chiang et al. | Microfabricated flexible electrodes for multiaxis sensing in the large plasma device at UCLA | |
| JP2005012084A (ja) | 回路モジュール | |
| KR101468077B1 (ko) | 상압 플라즈마 처리장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080408 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090423 |