JP2008121054A - 真空処理装置のクリーニング方法及び真空処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】クリーニングガスとして、ハロゲン類を含有するガスを使用するチャンバクリーニングにおいて、チャンバ内にハロゲン類が残留することを抑制することができる真空処理装置のクリーニング方法及び真空処理装置を提供する。
【解決手段】まず、チャンバ１０内にハロゲン類含有ガスを導入して、チャンバ１０内に付着した付着物を除去する処理を行う（ステップ２０５からステップ２０８）。この後、チャンバ１０内に還元性ガスを導入し（ステップ２０９）、当該還元性ガスのプラズマを生成する（ステップ２１０）。当該処理時により、チャンバ１０内にハロゲン類が残留することを抑制でき、当該ハロゲン類に起因する金属汚染の発生を低減することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置のクリーニング方法及び真空処理装置に関し、特に、ハロゲンあるいは、ハロゲン化合物を含有するクリーニングガスを用いた真空処理装置のクリーニング方法及び当該クリーニング方法を実施する真空処理装置に関する。

半導体装置の製造工程では、半導体基板上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法等により、絶縁体や導体等からなる材料膜の成膜処理を行うために、真空処理装置が使用されている。このような真空処理装置の一例として、プラズマを利用して成膜処理を行う真空処理装置の構成を図５に示す。

図５に示すように、この種の真空処理装置１００は、例えば、鉛直軸を有する略円筒状のチャンバ１０を備える。チャンバ１０の内部には、被処理基板９０が略水平に載置されるステージ２０が設けられる。チャンバ１０の上壁１１には、ステージ２０の基板載置面と平行な面内に多数のガス導入孔３１を備えたシャワープレート３０が設けられる。

さらに、上壁１１には、ガス供給管５１が連通されている。ガス供給管５１の他端は、材料膜の成膜を行うための原料ガスや、後述のチャンバクリーニング処理を行うクリーニングガス等のプロセスガスを供給するガス供給部５０が設けられている。ガス供給部５０は、原料ガスを供給する原料ガス供給部５３、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部５４、及び、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部５５を備え、各供給部５３、５４、５５とガス供給管５１との間に、マスフローコントローラ５２がそれぞれ介在されている。そして、供給量制御部５７が各マスフローコントローラ５２に、各供給部５３、５４、５５が供給するガスの流量を指示することにより、当該指示に応じた流量でガス供給部５０（５３、５４、５５）からプロセスガスがガス供給管５１に導入される。このようにしてガス供給管５１に導入されたプロセスガスは、ガス導入孔３１からステージ２０に向けて均一に噴出される。

また、チャンバ１０の下壁１２には、ガス排気管６１が連通されている。ガス排気管６１はスロットルバルブ６２を備えるとともに、他端が真空ポンプ６３に接続される。そして、スロットルバルブ６２の開口量（回転角）を所定量とすることで、真空ポンプ６３による排気量が制御され、チャンバ１０の内部圧力が所定の圧力に維持される。

一方、ステージ２０は、チャンバ１０の下壁１２に挿抜可能に設けられたシャフト２１の先端に支持されており、チャンバ１０の内部を昇降可能に構成されている。例えば、ステージ２０は、チャンバ１０の側壁１３の下部に開閉自在に設けられた基板入出口１４を介して被処理基板９０の搬入出が行われる搬入出位置、シャワープレート３０に近接し、材料膜の成膜等が行われる処理位置、当該処理位置よりもさらにシャワープレート３０に近接するクリーニング位置等に移動可能に構成される。

また、ステージ２０には、ステージ温度（被処理基板の温度）を所定温度とするための発熱手段が設けられている。図５の例では、抵抗加熱ヒータ２２が発熱手段としてステージ２０に埋設されており、直流電源７１が抵抗加熱ヒータ２２に供給する電流量を制御することで、ステージ温度が所定温度に維持される。

なお、図５の例では、シャワープレート３０及びステージ２０には、高周波電源７２と高周波電源７３がそれぞれ接続されている。そして、高周波電源７２と高周波電源７３との一方、または両方が高周波電力を印加することにより、シャワープレート３０とステージ２０との間に、プロセスガスのプラズマが生成される。

さて、上記構成の真空処理装置１００における成膜処理では、原料ガス供給部５３からチャンバ１０内に導入された原料ガスがプラズマ化され、ステージ２０上に載置された被処理基板９０が当該プラズマに曝されることにより、被処理基板９０上に原料ガスに応じた材料膜が堆積される。このとき、材料膜は、被処理基板９０上だけでなく、チャンバ１０の内壁やチャンバ１０内に配置された部材にも堆積する。チャンバ１０の内壁やチャンバ１０内の部材に堆積した不要な材料膜（以下、付着物という。）は、材料膜の膜厚均一性の悪化や、パーティクル（微細粒子）発生の要因となるため、通常、当該付着物を除去するクリーニング処理（以下、チャンバクリーニングという。）が定期的に実施される。

例えば、半導体装置において、導体膜と絶縁膜との密着性の向上や、導体膜と導体膜との接触抵抗の低減のために多用されているチタン膜や窒化チタン膜等の金属膜の成膜を行う真空処理装置では、チャンバクリーニングは、金属膜との反応性が高い、Ｃｌ₂、Ｆ₂、ＣｌＦ₃、Ｃ₂Ｆ₆等、ハロゲンやハロゲン化合物（以下、ハロゲン類という。）を含有するクリーニングガスをチャンバ１０内に導入することにより実施される（例えば、特許文献１参照。）。

図６は、真空処理装置１００において、上述のチタン膜の成膜、及びチャンバクリーニングの過程で実施される一連の処理を示すフロー図である。また、図７は、チャンバクリーニングにおける各処理の処理条件の一例である。なお、図６において、ステップ６０１からステップ６０３までの処理が成膜処理であり、ステップ６０５からステップ６０８までの処理がチャンバクリーニングである。また、以下では、１枚目の被処理基板９０に対する成膜処理の開始時に、チャンバ１０内に付着物が存在しないものとする。

図６に示すように、まず、成膜処理では、ステージ２０が搬入出位置に移動され、被処理基板９０がステージ２０上に載置される（ステップ６０１）。次に、ステージ２０がシャワープレート３０に近接する処理位置（例えば、シャワープレート３０との間隔が９ｍｍ）に移動された後、ガス供給部５０の原料ガス供給部５３からチタン膜の原料ガスが所定の流量で供給されるとともに、当該原料ガスがプラズマ化される（ステップ６０２）。このとき、チャンバ１０の内部圧力は、スロットルバルブ６２の開口量を制御することにより、例えば、５Ｔｏｒｒに維持される。そして、当該状態が、チタン膜の目標膜厚に応じた時間の間維持される。上記原料ガスとしては、一般に、ＴｉＣｌ₄を含有するガスが使用されることが多い。

この後、プラズマの生成が停止されるとともに、ステージ２０が搬入出位置に移動され、被処理基板９０が搬出される（ステップ６０３）。

以上のようにして成膜処理が完了すると、チャンバクリーニングを行うか否かが判定される。当該判定は、例えば、成膜処理の処理枚数や累積処理時間に基づいて行われればよい。

チャンバクリーニングが開始されると、まず、図６及び図７に示すように、スロットルバルブ６２が全開（ＴＦＯ：Throttle valve Full Open）の状態、すなわち、チャンバ１０の内部圧力の制御が行われない状態で数秒間の排気が行われ、チャンバ１０内のガスが排出される（ステップ６０４Ｙｅｓ→ステップ６０５）。

続いて、ステージ２０がクリーニング位置（例えば、シャワープレート３０との間隔が７．５ｍｍの位置）に移動された後、ＴＦＯ状態で、クリーニングガスである塩素ガスがクリーニングガス供給部５４からチャンバ１０内に所定の流量で、数秒から数十秒の間導入される。図７の事例では、塩素ガスの流量は、４００ｓｃｃｍとしている。

このとき、チャンバ１０内では、上記成膜処理の際に生成された付着物と導入された塩素ガスとが反応し、金属ハロゲン化物（金属塩化物）が生成される。金属ハロゲン化物は蒸気圧が高いため、生成されると同時に揮発し、未反応の塩素ガスとともにチャンバ１０の外部に排出される（ステップ６０６）。なお、図７では、プラズマを生成することなくチャンバクリーニングを行う事例を説明しているが、チャンバクリーニングは、後掲の特許文献１に開示されているように、チャンバ１０の内部圧力が制御された状態で生成された塩素ガスのプラズマにより行われることもある。

この後、ステージ２０が、搬入出位置、あるいは、搬入出位置の近傍の位置まで下降されるとともに、パージガスであるアルゴンガスが、不活性ガス供給部５５からチャンバ１０内に所定の流量で数秒間導入され、チャンバ１０内の塩素ガスがパージされる（ステップ６０７）。図７の例では、アルゴンガスの流量は７０００ｓｃｃｍであり、スロットルバルブ６２はＴＦＯ状態である。

続いて、不活性ガス供給部５５からのパージガスの供給が停止されるとともに、チャンバ１０内のパージガスを除去するために、ＴＦＯ状態で排気が行われる（ステップ６０８）。

以上のようにしてチャンバクリーニングが完了すると、続いて処理すべき被処理基板９０が存在するときは、上述の成膜処理が実施され（ステップ６０９Ｙｅｓ→ステップ６０１からステップ６０３）、続いて処理すべき被処理基板９０が存在しないときは処理が終了する（ステップ６０９Ｎｏ）。

なお、上述のチャンバクリーニングが、複数枚の被処理基板９０の成膜処理の度に実施される場合には、図６のステップ６０１からステップ６０３までの処理が、当該枚数に応じた回数だけ繰り返される（ステップ６０４Ｎｏ→ステップ６０１）。また、上記チャンバクリーニングは、一般に、抵抗加熱ヒータ２２によりステージ２０が加熱された状態で行われる。図７の例では、抵抗加熱ヒータ２２の温度が６５０℃に維持されている。
特表２００２−５２９９１２号公報

しかしながら、上述のような、ハロゲン類含有ガスをクリーニングガスに使用するチャンバクリーニングでは、クリーニングガス中に含まれるハロゲン類が、チャンバ１０やチャンバ１０内の部材への付着等により、チャンバ１０から完全に排出されずに残留することがある。特に、シャワープレート３０は、クリーニングガスの導入経路であるため、ハロゲン類が残留しやすい。

シャワープレート３０を始めとするチャンバ１０内の部材やチャンバ１０の内壁は、通常、ニッケル、鉄、クロム、アルミニウム等の金属やこれらの合金により構成されており、チャンバ１０内に残留したハロゲン類は、これらの部材と反応して金属ハロゲン化物を生成する。このようにして生成された金属ハロゲン化物は、チャンバクリーニング後の成膜処理で、被処理基板９０上に形成される材料膜に混入することになる。そして、材料膜中に混入した金属ハロゲン化物はイオン化して金属イオンを生じ、当該金属イオンがマイグレーションを生じる等、半導体装置の信頼性を低下させる要因となる。

本発明は、上記従来の事情を鑑みて提案されたものであって、クリーニングガスとして、ハロゲン類を含有するガスを使用するチャンバクリーニングにおいて、チャンバ内にハロゲン類が残留することを抑制し、信頼性の高い材料膜の成膜を安定して行うことができる真空処理装置のクリーニング方法及び真空処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用している。すなわち、本発明に係る真空処理装置のクリーニング方法は、チャンバ内に、ハロゲン、あるいはハロゲン化合物を含有するガスを導入して、チャンバ内に堆積した不要な生成物を除去した後、チャンバ内に還元性物質を含有するガスを導入するとともに、当該ガスのプラズマを生成する。

上記還元性物質としては、水素、モノシラン、及びジシランから選択された少なくとも１種を使用することができる。

本構成によれば、チャンバ内、特に、クリーニングガスの導入経路であるシャワープレートに残留したハロゲン類を効率的にチャンバの外部に排出することができ、信頼性の高い材料膜の成膜を安定して行うことが可能となる。

一方、他の観点では、本発明は、上述のクリーニング方法の実施に好適な真空処理装置を提供することができる。すなわち、本発明に係る真空処理装置は、被処理基板が載置されるステージを備える。当該ステージと対向する位置には、複数のガス導入孔を備えるとともに、当該ガス導入孔から供給されるプロセスガスからプラズマを生成する電極が配設される。さらに、上記真空処理装置は、上記ガス導入孔を介してハロゲン、あるいはハロゲン化合物を含有するクリーニング用プロセスガスを供給する第１のガス供給手段と、上記ガス導入孔を介して還元性物質を含有するプロセスガスを供給する第２のガス供給手段とを備える。そして、上記第１のガス供給手段が供給するプロセスガスを使用した処理が終了した後、前記第２のガス供給手段がプロセスガスを供給するとともに、上記電極が当該プロセスガスのプラズマを生成する。

本発明によれば、チャンバ内にハロゲン類が残留することを抑制することができる。この結果、チャンバクリーニング後の成膜処理において形成される材料膜への金属元素の混入を低減することができ、信頼性の高い材料膜の形成を安定して行うことが可能となる。

以下、本発明を、チタン膜を成膜する真空処理装置に適用した事例に基づいて、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明を適用した真空処理装置の概略構成図であり、図２は、当該真空処理装置における成膜、及びチャンバクリーニングにおいて実施される一連の処理を示すフロー図である。また、図３は、図２に示すチャンバクリーニングにおける各処理の処理条件の一例を示している。

図１に示すように、本発明に係る真空処理装置１は、ガス供給部５０が、チャンバクリーニングの際に、水素、シラン、ジシラン等の還元性物質を含有する還元性ガスを供給する還元性ガス供給部５６を備えている。他の構造は、従来の真空処理装置１００と同一であるため、真空処理装置１において、従来の真空処理装置１００と同一の機能を有する部位に同一の符号を付すとともに、以下での説明を省略する。

図１に示す真空処理装置１においても、図２に示すように、チタン膜の成膜処理（ステップ２０１からステップ２０３）が実施された後、チャンバクリーニング（ステップ２０５からステップ２１３）が行われる。当該成膜処理の各ステップ２０１、２０２、２０３は、図６に示した従来の成膜処理の各ステップ６０１、６０２、６０３のそれぞれと同一であるため、ここでの説明は省略する。

図２のステップ２０１からステップ２０３に示すチタン膜の成膜処理が完了すると、従来技術と同様に、例えば、成膜処理の処理枚数が所定枚数に到達した場合、あるいは累積処理時間が所定時間に到達した場合に、チャンバクリーニングが実施される。本実施形態では、上記所定枚数を１枚とし、被処理基板９０の成膜処理が完了する度にチャンバクリーニングが実施されるものとする（ステップ２０４Ｙｅｓ）。

本発明に係るチャンバクリーニングでは、まず、図３に示すように、スロットルバルブ６２をＴＦＯとした状態で、チャンバ１０内の排気が数秒間行われる（ステップ２０５）。

次に、ステージ２０が上述したクリーニング位置に移動された後、ＴＦＯ状態で、クリーニングガスであるハロゲン類を含有するガスが、クリーニングガス供給部５４からチャンバ１０内に、数秒から数十秒の間導入される。当該ハロゲン類含有ガスの導入により、成膜処理の際に生成されたチャンバ１０内の付着物とハロゲン類とが反応し、チャンバ１０内の付着物が除去される（ステップ２０６）。図３に示すように、本実施の形態では、クリーニングガスとしてチタン膜の除去に好適な塩素ガスを使用しているが、特に限定されるものではない。クリーニングガスとしては、チャンバ１０内の付着物（ここではチタン膜）が除去可能であれば、任意のハロゲン類含有ガスを採用することができる。また、当該クリーニングガスの流量は、チャンバ１０の容積等に基づいて設定されるため一概にいえないが、図３の事例では、塩素ガスの流量を４００ｓｃｃｍとしている。

チャンバ１０内の付着物の除去が完了すると、ステージ２０が、搬入出位置、あるいは、その近傍まで下降されるとともに、ＴＦＯ状態で、パージガスである不活性ガスが不活性ガス供給部５５からチャンバ１０内に数秒間導入される（ステップ２０７）。これにより、チャンバ１０内のクリーニングガスはパージガスに置換される。図３の例では、パージガスとしてアルゴンガスを採用しているが、他の希ガスや窒素ガス等を使用することもできる。また、図３の例では、パージガスの流量を７０００ｓｃｃｍとしているが、当該流量は、スロットルバルブ６２がＴＦＯ状態でチャンバ１０内をパージ可能な流量であればよい。

続いて、不活性ガス供給部５５からのパージガスの供給が停止されるとともに、ＴＦＯ状態で排気が行われ、チャンバ１０内のパージガスが排出される（ステップ２０８）。

さて、本発明では、パージガスの排出が完了すると、ステージ２０が、再度、クリーニング位置に移動されるとともに、還元性物質を含有する還元性ガスが還元性ガス供給部５６からチャンバ１０内に導入される（ステップ２０９）。このとき、チャンバ１０の内部圧力は、後述のプラズマ生成が可能な圧力に設定される。本実施の形態では、図３に示すように、チャンバ１０の内部圧力を５Ｔｏｒｒとし、還元性ガス供給部５６から水素ガスを３０００ｓｃｃｍの流量で供給すると同時に、希釈ガスとして不活性ガス供給部５５からアルゴンガスを５０００ｓｃｃｍの流量で供給している。なお、当該ステップ２０９は、チャンバ１０の内部圧力、及び、プロセスガスの流量が安定するまで、数秒から数十秒の間継続される。

チャンバ１０の内部圧力及びプロセスガスの流量が安定すると、高周波電源７２がシャワープレート３０に約６００Ｗの高周波電力を印加する（ステップ２１０）。当該高周波電力の印加により、シャワープレート３０の直下には、還元性物質を含有するガスのプラズマが生成される。このとき、プラズマを生成するための電極であるシャワープレート３０の表面近傍では、プラズマ中に生成された電子とイオンとの移動度の違いにより、イオンシースが形成されている。

イオンシースが形成された状態では、シャワープレート３０は負に帯電しているため、シャワープレート３０には、プラズマ中の還元性を有するイオン（ここでは、水素イオン）が積極的に衝突する。このため、シャワープレート３０に付着残留しているハロゲン類と、還元性物質とを非常に効率良く反応させることができ、シャワープレート３０から除去することができる。また、プラズマ中に固形物が存在する場合、当該固形物の表面にはイオンシースが形成される。このため、チャンバ１０内の他の部材に付着残留したハロゲン類も、シャワープレート３０に付着残留するハロゲン類と同様に除去される。

この結果、チャンバ１０内に残留したハロゲン類とチャンバ１０内の金属部材とが反応して金属ハロゲン化物が生成されることが抑制され、以降に実施される成膜処理において成膜される材料膜に混入する金属元素を低減することができる。なお、上記還元性ガスのプラズマによる処理時間は１０秒程度でよい。

この後、高周波電源７２が印加する高周波電力を低下させてプラズマパージを行った後、プラズマの生成を停止し、ＴＦＯ状態での排気により、チャンバ１０内のガスを排出する（ステップ２１１→ステップ２１２）。そして、続いて処理すべき被処理基板９０が存在するときは、上述の成膜処理が実施され（ステップ２１３Ｙｅｓ→ステップ２０１からステップ２０３）、続いて処理すべき被処理基板９０が存在しないときは処理が終了する（ステップ２１３Ｎｏ）。なお、上述したチャンバクリーニングは、従来同様、抵抗加熱ヒータ２２によりステージ２０が加熱された状態で行われる。図３の例では、抵抗加熱ヒータ２２の温度が６５０℃に維持されている。

図４に、本発明のクリーニング方法によるチャンバクリーニング（図３に示す処理条件）の実施後に成膜したチタン膜と、従来のクリーニング方法によるチャンバクリーニング（図７に示す処理条件）の実施後に成膜したチタン膜とのそれぞれにおいて、膜表面に存在する混入元素を蛍光Ｘ線分析装置を用いて定量した結果を示す。図４において、左縦軸がＮｉとＣｌの原子数に対応し、右縦軸がＦｅの原子数に対応する。また、当該定量は、２台の真空処理装置のそれぞれにおいて、各チャンバクリーニングを実施後に成膜したチタン膜に対して行っており、装置別の定量結果を上段と下段に分けて示している。なお、成膜に用いた真空処理装置のシャワープレートの材質はＮｉである。

図４から理解できるように、従来のクリーニング方法の場合、いずれの装置において成膜したチタン膜においても、５００×１０¹⁰ atoms/cm²を越える多量のＮｉが混入している。これに対し、本発明のクリーニング方法の場合、Ｎｉの混入量は、いずれの装置において成膜したチタン膜においても、０．０１×１０¹⁰ atoms/cm²未満であり、大幅に低減している。また、本発明のクリーニング方法によれば、チタン膜中のＣｌの混入量も、従来のクリーニング方法に比べて大幅に低減されている。また、チャンバ１０内の他の部材を構成するＦｅは、従来のクリーニング方法においても、混入量が０．１×１０¹⁰ atoms/cm²程度ではあるが、本発明のクリーニング方法によれば、Ｆｅの混入量がさらに低減されている。

すなわち、本発明のクリーニング方法によれば、チャンバ１０内に残留するハロゲン類を効率良く排出でき、この結果、クリーニング後に成膜された膜中に不要な元素が混入することを抑制できることが確認できる。

以上説明したように、本発明によれば、ハロゲン類含有ガスをクリーニングガスとしたチャンバクリーニングの際に、チャンバ内にハロゲン類が残留することを抑制することができる。この結果、チャンバ内に残留したハロゲン類と、チャンバ内の金属部材とが反応して、金属ハロゲン化物が生成されることが抑制され、以降の成膜処理において、材料膜中への金属元素の混入を低減することができる。したがって、信頼性の高い材料膜の形成を安定して行うことが可能となる。

なお、本発明は以上で説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記では、材料膜がチタン膜である事例について説明したが、上述の材料膜は、他の金属膜や導体膜、あるいは、絶縁膜であってもよいことは勿論である。また、上記では、材料膜の成膜時にチャンバ内に生成された付着物を除去する事例について説明したが、エッチング時にチャンバ内に生成された付着物を除去する場合にも、当然、適用可能である。すなわち、本発明は、真空処理装置において、ハロゲン類を含有するガスによりチャンバクリーニングを行う、いかなる場合にも適用することができる。

本発明は、チャンバ内にハロゲン類が残留することを抑制することができるという効果を有し、ハロゲンあるいはハロゲン化合物を導入してチャンバのクリーニング処理を行う真空処理装置に適用可能である。

本発明を適用した真空処理装置の概略構成図。 本発明を適用した真空処理装置において実行される処理を示すフロー図。 本発明のクリーニング方法の処理条件の一例を示す図。 本発明を適用した真空処理装置により成膜された材料膜中の混入元素量を示す図。 従来の真空処理装置の概略構成図。 従来の真空処理装置において実行される処理を示すフロー図。 従来のクリーニング方法の処理条件の一例を示す図。

符号の説明

１、１００ 真空処理装置
１０ チャンバ
２０ ステージ
３０ シャワープレート
３１ ガス導入孔
５０ ガス供給部
５１ ガス供給管
５３ 原料ガス供給部
５４ クリーニングガス供給部（第１のガス供給手段）
５５ 不活性ガス供給部
５６ 還元性ガス供給部（第２のガス供給手段）
６１ ガス排気管
７１ 直流電源
７２、７３ 高周波電源

Claims (4)

1. チャンバ内に収容された被処理基板にプラズマ処理を行う真空処理装置のクリーニング方法において、
   前記チャンバ内に、ハロゲン、あるいは、ハロゲン化合物を含有するガスを導入して、チャンバ内に堆積した不要な生成物を除去するステップと、
   前記チャンバ内に、還元性物質を含有するガスを導入するとともに、当該ガスのプラズマを生成するステップと、
   を有することを特徴とする真空処理装置のクリーニング方法。
2. 前記還元性物質が、水素、モノシラン、及びジシランから選択された少なくとも１種である請求項１に記載の真空処理装置のクリーニング方法。
3. 前記真空処理装置が、前記チャンバ内に金属を含有する部材を備えた請求項１に記載の真空処理装置のクリーニング方法。
4. チャンバ内に収容された被処理基板にプラズマ処理を行う真空処理装置おいて、
   被処理基板が載置されるステージと、
   前記ステージと対向する位置に設けられ、前記チャンバ内にプロセスガスを供給する複数のガス導入孔を備えるとともに、当該プロセスガスからプラズマを生成する電極と、
   前記ガス導入孔を介して、ハロゲン、あるいは、ハロゲン化合物を含有するクリーニング用プロセスガスを供給する第１のガス供給手段と、
   前記ガス導入孔を介して、還元性物質を含有するプロセスガスを供給する第２のガス供給手段と、
   を備え、
   前記第１のガス供給手段が供給するクリーニング用プロセスガスを用いた処理が終了した後、前記第２のガス供給手段がプロセスガスを供給するとともに、前記電極により当該プロセスガスのプラズマを生成することを特徴とする真空処理装置。

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