JP2008111106A - 電子部品封止用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置 - Google Patents

Abstract

【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ボイド発生がなく、フィレット形成性に優れた電子部品封止用液状樹脂組成物、及びこれにより封止された信頼性（耐湿性、耐熱衝撃性）の高い電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）液状芳香族アミンを含む硬化剤、（Ｃ）平均粒径が２μｍ未満のヒドラジド化合物及び（Ｄ）平均粒径が２μｍ未満の無機充填剤を含有することを特徴とする電子部品封止用液状樹脂組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、電子部品封止用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置に関する。

従来から、トランジスタ、ＩＣ等の電子部品装置の素子封止の分野では生産性、コスト等の面から樹脂による封止が主流となり、エポキシ樹脂組成物が広く用いられている。この理由としては、エポキシ樹脂が作業性、成形性、電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着性等の諸特性にバランスがとれているためである。ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｂｏａｒｄ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のベアチップ実装した半導体装置においては電子部品封止用液状樹脂組成物が封止材として広く使用されている。また、半導体素子をセラミック、ガラス／エポキシ樹脂、ガラス／イミド樹脂またはポリイミドフィルム等を基板とする配線基板上に直接バンプ接続してなる半導体装置（フリップチップ方式）では、バンプ接続した半導体素子と配線基板の間隙（ギャップ）を充填するアンダーフィル材として電子部品封止用液状樹脂組成物が使用されている。これらの電子部品封止用液状樹脂組成物は電子部品を温湿度や機械的な外力から保護するために重要な役割を果たしている。

電子部品封止用樹脂組成物の硬化剤としては、これまで酸無水物系の硬化剤が多く使用されてきた。この理由としては低粘度な液状物が容易に入手できることと、硬化促進剤を選択することで硬化性も比較的容易に調整出来ることが挙げられる。しかし、酸無水物系の硬化剤を用いた場合は硬化物の耐湿性が劣るという欠点があり、耐湿性向上の観点から硬化剤としてアミン系の硬化剤を使用してなるアンダーフィル材が主流になりつつある（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−３５０６１８号公報

しかしながら半導体の進歩は著しく、バンプ接続を行うフリップチップ方式ではバンプ数の増加に伴いバンプのピッチが狭く、バンプの高さが小さくなり、結果として狭ギャップ化が進んでいる。また、半導体素子の高集積化に伴いチップサイズも大きくなっている。アンダーフィル材としては、狭ギャップにおいて大面積を流動する特性が求められてきた。また、狭ギャップ化とともにバンプ数が増加し、バンプのピッチも狭くなるため、アンダーフィル材の流動経路も複雑になり、ボイドが発生し易くなる。さらには、アンダーフィル材は配線基板と半導体素子の間隙を充填した後、半導体素子周辺部に一定量シミ出し、フィレットを形成するが、フィレットの形状が不均一であると温度サイクル時などにフィレットにクラックが入ったり、配線基板或いは半導体素子と剥離を生じることがある。この様なボイドの発生や形状が不均一なフィレットの形成はフリップチップ実装してなる半導体装置の信頼性に大きな影響を与える。特にボイドに関しては、アンダーフィル材を充填した後、速やかに硬化することがボイド発生の低減に有効であることが分かってきた。

前述のように従来の酸無水物系の硬化剤では硬化性の調整は比較的容易であったが、アミン系の硬化剤では一般的に硬化性の調整が難しく、硬化性を速くすることで接着性が低下するといった問題が出てくる。

本発明は、狭ギャップでの流動性が良好であり、ボイドの発生がなく、フィレット形成性に優れた電子部品封止用液状樹脂組成物、及びこれにより封止された電子部品を備えてなる耐湿性、耐熱衝撃性に優れた信頼性の高い電子部品装置を提供することを目的とする。

かかる課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討を進めた結果、液状芳香族アミンを含む硬化剤と平均粒径が２μｍ未満のヒドラジド化合物を用いればよいことを見出し、この知見に基づいて、本発明を完成するに至った。

本発明は、（１）（Ａ）液状エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）液状芳香族アミンを含む硬化剤、（Ｃ）平均粒径が２μｍ未満のヒドラジド化合物及び（Ｄ）平均粒径が２μｍ未満の無機充填剤を含有することを特徴とする電子部品封止用液状樹脂組成物に関する。

また、本発明は、（２）前記ヒドラジド化合物が、炭素数２〜１０の脂肪族多塩基酸ジヒドラジド化合物及び炭素数８〜１５の芳香族多塩基酸ジヒドラジド化合物から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする前記（１）記載の電子部品封止用液状樹脂組成物に関する。

また、本発明は、（３）前記（１）または（２）記載の電子部品封止用液状樹脂組成物により封止された電子部品を備えた電子部品装置に関する。

また、本発明は、（４）前記電子部品が半導体素子であり、該半導体素子を配線基板上に直接バンプ接続してなる前記（３）記載の電子部品装置に関する。

また、本発明は、（５）前記バンプが鉛を含まない金属である前記（４）記載の電子部品装置に関する。

また、本発明は、（６）前記電子部品の長辺の長さが５ｍｍ以上であり、かつ、電子部品装置を構成する配線基板と該電子部品のバンプ接続面の距離が６０μｍ以下である前記（３）〜（５）のいずれか一項に記載の電子部品装置に関する。

また、本発明は、（７）前記電子部品の長辺の長さが５ｍｍ以上であり、かつ、該電子部品が誘電率３．０以下の誘電体層を有する半導体素子である前記（３）〜（６）のいずれか一項に記載の電子部品装置に関する。

本発明によれば、狭ギャップでの流動性が良好であり、ボイドの発生がなく、フィレット形成性に優れた電子部品封止用液状樹脂組成物、及びこれにより封止された電子部品を備えてなる耐湿性、耐熱衝撃性に優れた信頼性の高い電子部品装置を提供することができる。

本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物は、実施例で示したようにゲルタイムを短縮することで、成形時のボイドの発生を抑制するとともに硬化温度の低温化を可能にし、吸湿後においても各種基材との接着力が高いため、この電子部品封止用液状樹脂組成物を用いて電子部品を封止すれば、チップ反りが小さく信頼性の高い電子部品装置を得ることができるので、その工業的価値は大である。

本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物は、（Ａ）液状エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）液状芳香族アミンを含む硬化剤、（Ｃ）平均粒径が２μｍ未満のヒドラジド化合物及び（Ｄ）平均粒径が２μｍ未満の無機充填剤を含有することを特徴とする。

（Ａ）エポキシ樹脂
本発明で用いる（Ａ）エポキシ樹脂は、液状エポキシ樹脂を含むものである。液状エポキシ樹脂としては、常温で液状であれば特に限定されず、電子部品封止用液状樹脂組成物で一般に使用されている液状エポキシ樹脂を用いることができる。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、水添ビスフェノールＡ等のジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を代表とするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの；
レゾルシノール、ピロガロールなどの低分子多価フェノールとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；
フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂；
ｐ―アミノフェノール、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のアミン化合物とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂；
オレフィン結合を過酢酸等の過酸により酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂；
脂環族エポキシ樹脂；等が挙げられる。これらの液状エポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記液状エポキシ樹脂のエポキシ当量は、５０〜５００の範囲にあることが好ましい。
また、上記液状エポキシ樹脂のなかでも、流動性の観点からビスフェノール型エポキシ樹脂が好適であり、耐熱性、接着性及び流動性の観点からグリシジルアミン型エポキシ樹脂が好適である。これらの好適な液状エポキシ樹脂は、いずれか１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの好適な液状エポキシ樹脂の配合量は、上記性能を発揮するために液状エポキシ樹脂全量に対して、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、特に好ましくは５０重量％以上である。

また、本発明の効果が達成される範囲内であれば、（Ａ）エポキシ樹脂は固形エポキシ樹脂を含んでいてもよく、該固形エポキシ樹脂の配合量は成形時の流動性の観点から、エポキシ樹脂全量に対して、好ましくは２０重量％以下である。

また、本発明において、（Ａ）エポキシ樹脂中に含まれる加水分解性塩素量はＩＣなど素子上のアルミ配線腐食に係わるため少ない方が好ましく、耐湿性に優れた電子部品封止用液状樹脂組成物を得るためには、該加水分解性塩素量は５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。ここで、加水分解性塩素量とはエポキシ樹脂１ｇをジオキサン３０ｍｌに溶解し、１Ｎ−ＫＯＨメタノール溶液５ｍｌを添加して３０分間リフラックス後、電位差滴定により求めた値を尺度としたものである。

（硬化剤）
本発明で用いる（Ｂ）硬化剤は、液状芳香族アミンを含むものである。液状芳香族アミンとしては、常温で液状の芳香環を有するアミンであれば特に限定されない。液状芳香族アミンの具体例としては、ジエチルトルエンジアミン、１−メチル−３，５−ジエチル−２，４−ジアミノベンゼン、１−メチル−３，５−ジエチル−２，６−ジアミノベンゼン、１，３，５−トリエチル−２，６−ジアミノベンゼン、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，５，３’，５’−テトラメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタンなどが挙げられる。これら液状芳香族アミン化合物の市販品は、エピキュア−Ｗ、エピキュア−Ｚ（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）、カヤハードＡ−Ａ、カヤハードＡ−Ｂ、カヤハードＡ−Ｓ（日本化薬株式会社製、商品名）、トートアミンＨＭ−２０５（東都化成株式会社製、商品名）、アデカハードナーＥＨ−１０１（旭電化工業株式会社製、商品名）、エポミックＱ−６４０、エポミックＱ−６４３（三井化学株式会社製、商品名）、ＤＥＴＤＡ８０（Ｌｏｎｚａ社製、商品名）等が挙げられる。

上記液状芳香族アミンは１種を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

上記液状芳香族アミンのなかでも、保存安定性の点で、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ジエチルトルエンジアミンが好適である。ジエチルトルエンジアミンとしては、３，５−ジエチルトルエン−２，４−ジアミン、３，５−ジエチルトルエン−２，６−ジアミンが挙げられ、これらは１種を単独で用いてもよいし、両者の混合物として用いてもよいが、３，５−ジエチルトルエン−２，４−ジアミンを６０重量％以上含む混合物として用いることが好ましい。

また、本発明の効果が達成される範囲内であれば、（Ｂ）硬化剤は、フェノール性硬化剤、酸無水物系硬化剤等の従来、エポキシ樹脂用硬化剤として用いられているものを含んでいてもよく、固形硬化剤も併用することもできる。

液状芳香族アミンの含有量は、その性能を発揮するために（Ｂ）硬化剤全量に対して、好ましくは６０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上である。

また、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との当量比、すなわち（Ａ）エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する（Ｂ）硬化剤中の反応性基数の比（硬化剤中の活性水素数＋水酸基数＋無水酸基数／エポキシ樹脂中のエポキシ基数）は、特に制限はないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために、０．７〜１．６の範囲内にあることが好ましく、０．８〜１．４の範囲内にあることがより好ましく、０．９〜１．２の範囲内にあることが特に好ましい。

（Ｃ）ヒドラジド化合物
本発明では、平均粒径が２μｍ未満のヒドラジド化合物を用いることが必須であり、それによって、（Ａ）液状エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂と（Ｂ）液状芳香族アミンを含む硬化剤との反応が促進され、基板表面のソルダーレジスト、銅配線又は半導体チップ表面のポリイミド膜、窒化珪素又は酸化ケイ素などのパッシベーション膜などへの接着性が良好な電子部品封止用液状樹脂組成物が得られる。

本発明において用いられる（Ｃ）ヒドラジド化合物は、一塩基酸又は多塩基酸のヒドロキシ基をヒドラジノ基で置換した化合物である。このようなヒドラジド化合物の具体例としては、酢酸ヒドラジド、プロピオン酸ヒドラジド、酪酸ヒドラジド、ペンタン酸ヒドラジド、カプロン酸ヒドラジド、エナント酸ヒドラジド、カプリル酸ヒドラジド等の脂肪族一塩基酸ヒドラジド化合物；コハク酸ジヒドラジド、マレイン酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカンニ酸ジヒドラジド、シクロヘキサンジカルボン酸ヒドラジド等の脂肪族二塩基酸ジヒドラジド化合物；安息香酸ヒドラジド等の芳香族一塩基酸ヒドラジド化合物；フタル酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド等の芳香族多塩基酸ジヒドラジド化合物；等を挙げることができる。

上記ヒドラジド化合物は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記ヒドラジド化合物のなかでも、硬化促進作用の観点から、炭素数２〜１０の脂肪族多塩基酸ジヒドラジド化合物または炭素数８〜１５の芳香族多塩基酸ジヒドラジド化合物が好適である。

また、本発明において（Ｃ）ヒドラジド化合物の平均粒径は、２μｍ未満であることが重要である。前記平均粒径を２μｍ未満とすることによって、少ない配合量で十分な硬化促進作用が発揮でき、電子部品封止用液状樹脂組成物の硬化性が良好になり、信頼性の高い電子部品装置を得ることが出来る。前記平均粒径は、好ましくは０．１〜２μｍ、より好ましくは０．５〜１．８μｍである。

また、（Ｃ）ヒドラジド化合物の最大粒径は、反応性の観点から好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは５〜１５μｍである。

また、本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物をアンダーフィル材として用いる場合、配線基板と電子部品のバンプ接続面との距離（ギャップ）が狭いため、（Ｃ）ヒドラジド化合物の平均粒径はギャップの１／２０以下が好ましく、（Ｃ）ヒドラジド化合物の最大粒径はギャップの１／２以下が好ましい。

なお、本発明において、平均粒径及び最大粒径は、例えばレーザー光回折法等による粒度分布測定により得ることができ、平均粒径は重量平均値として求めることができる。

（Ｃ）ヒドラジド化合物の配合量は、硬化促進作用が達成される量であれば特に制限されるものではないが、（Ａ）エポキシ樹脂１当量に対して、（Ｂ）硬化剤の活性水素当量と（Ｃ）ヒドラジド化合物の活性水素当量の合計を１当量とした場合に、（Ｃ）ヒドラジド化合物の活性水素当量が０．０２〜０．３当量の範囲であることが好ましく、０．０５〜０．２０当量の範囲であることがより好ましい。

（硬化促進剤）
本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物は、前記（Ｃ）ヒドラジド化合物以外の硬化促進剤を含有してもよい。硬化促進剤としては、（Ａ）液状エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂と（Ｂ）液状芳香族アミンを含む硬化剤との反応を促進するものであれば特に制限はなく、従来公知の硬化促進剤を用いることができる。硬化促進剤の具体例としては、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザ−ビシクロ（４，３，０）ノネン、５、６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のシクロアミジン化合物；トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の三級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール、１−ベンジルー２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−（２’−メチルイミダゾリル−（１’））−エチル−ｓ−トリアジン、２−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール化合物；トリブチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン；ジメチルフェニルホスフィン等のジアルキルアリールホスフィン；メチルジフェニルホスフィン等のアルキルジアリールホスフィン；トリフェニルホスフィン、アルキル基置換トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；及びこれらの化合物に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物；及びこれらの誘導体；さらには２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のフェニルボロン塩；等を挙げることができる。

上記硬化促進剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、潜在性を有する硬化促進剤として、例えば、常温固体のアミノ基を有する化合物からなるコア層と、常温固体のエポキシ化合物からなるシェル層を有するコア−シェル粒子（味の素株式会社製、商品名「アミキュア」）、マイクロカプセル化されたアミンをビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂に分散させたもの（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名「ノバキュア」）などを使用することができる。

上記硬化促進剤のなかでも、硬化促進作用と信頼性のバランスの観点から、イミダゾール化合物又はマイクロカプセル化されたアミンをビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂に分散させたものが好ましく、イミダゾール化合物としては、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのフェニル基及び水酸基を置換基として有するイミダゾール化合物がより好ましい。

（Ｄ）無機充填剤
本発明で用いる（Ｄ）無機充填剤としては、電子部品封止用液状樹脂組成物に一般に使用されているものであれば特に制限されるものではない。（Ｄ）無機充填剤の具体例としては、溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、炭酸カルシウム、クレー、酸化アルミナ等のアルミナ、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム、窒化アルミ、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。さらに、難燃効果のある無機充填剤としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛等が挙げられる。

上記無機充填剤は１種を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

上記無機充填剤のなかでも溶融シリカが好ましく、電子部品封止用液状樹脂組成物の狭ギャップでの流動性・浸透性の観点からは球形のシリカがより好ましい。

また、本発明において（Ｄ）無機充填剤の平均粒径は、２μｍ未満であることが重要である。前記平均粒径が２μｍ以上では無機充填剤の分散性に劣り、また、電子部品封止用液状樹脂組成物の狭ギャップでの流動性・浸透性が低下して、ボイドの発生や未充填を招いてしまう。前記平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上２μｍ未満、より好ましくは０．５μｍ以上１．５μｍ以下である。また、球形のシリカの場合、平均粒径は０.３μｍ以上であることが好ましく、０．３μｍ未満では、電子部品封止用液状樹脂組成物への分散性に劣る傾向にあり、また電子部品封止用液状樹脂組成物にチキソトロピック性が付与されて流動特性が劣る傾向がある。

（Ｄ）無機充填剤の配合量は、電子部品封止用液状樹脂組成物全体の２０〜９０重量％の範囲であることが好ましく、２５〜８０重量％の範囲であることがより好ましく、３０〜６０重量％の範囲であることが特に好ましい。前記配合量が２０重量％未満では熱膨張係数の低減効果が低くなる傾向があり、９０重量％を超えると電子部品封止用液状樹脂組成物の粘度が上昇し、流動性・浸透性の低下および作業性の低下を招く傾向がある。

（可撓剤）
本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物には耐熱衝撃性の向上、半導体素子への応力低減などの観点から各種可撓剤を配合することができる。可撓剤としては特に制限は無いがゴム粒子が好ましく、具体例としては、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、ニトリル−ブタジエンゴム（ＮＢＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、ウレタンゴム（ＵＲ）、アクリルゴム（ＡＲ）等のゴムからなるゴム粒子が挙げられる。これらゴム粒子のなかでも耐熱性、耐湿性の観点からアクリルゴムからなるゴム粒子が好ましく、コアシェル型アクリル系重合体、すなわちコアシェル型アクリルゴム粒子がより好ましい。

また、上記以外のゴム粒子としてシリコーンゴム粒子も好適に用いることができ、具体例としては、直鎖状のポリジメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリジフェニルシロキサンなどのポリオルガノシロキサンを架橋したシリコーンゴム粒子；シリコーンゴム粒子の表面をシリコーンレジンで被覆したもの；乳化重合等で得られる固形シリコーン粒子からなるコア層とアクリル樹脂などの有機重合体からなるシェル層を有するコア−シェル重合体粒子；等が挙げられる。これらシリコーンゴム粒子の形状は無定形であっても球形であっても構わないが、電子部品封止用液状樹脂組成物の成形性の観点からは球形であることが好ましい。これらのシリコーンゴム粒子は、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社、信越化学工業株式会社等から市販品が入手可能である。

上記ゴム粒子の平均一次粒径は、好ましくは０．０５μｍ以上５．０μｍ未満、より好ましくは０．１μｍ以上２．０μｍ以下である。前記平均一次粒径が０．０５μｍ未満では電子部品封止用液状樹脂組成物への分散性に劣る傾向があり、５．０μｍ以上では応力低減効果が低くなる傾向にあり、また、電子部品封止用液状樹脂組成物の狭ギャップでの流動性・浸透性が低下して、ボイドの発生や未充填を招きやすくなる。

上記ゴム粒子の配合量は、電子部品封止用液状樹脂組成物全体から（Ｄ）無機充填剤を除いた総量の１〜３０重量％の範囲であることが好ましく、２〜２０重量％の範囲であることがより好ましい。前記ゴム粒子の配合量が１重量％未満では応力低減効果が低くなる傾向があり、３０重量％を超えると電子部品封止用液状樹脂組成物の粘度が上昇し、成形性（流動特性）に劣る傾向がある。

（界面活性剤）
本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物には、成形時のボイドの発生低減や各種被着体への濡れ性向上による接着力向上の観点から、各種界面活性剤を配合することができる。界面活性剤としては、特に制限はないが非イオン性の界面活性剤が好ましく、具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル系、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系、ソルビタン脂肪酸エステル系、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル系、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル系、グリセリン脂肪酸エステル系、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル系、ポリオキシエチレンアルキルアミン系、アルキルアルカノールアミド系、ポリエーテル変性シリコーン系、アラルキル変性シリコーン系、ポリエステル変性シリコーン系、ポリアクリル系などの界面活性剤が挙げられる。上記界面活性剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの界面活性剤はビックケミー・ジャパン株式会社、花王株式会社等から市販品が入手可能である。

また、界面活性剤としてシリコーン変性エポキシ樹脂を添加することができる。シリコーン変性エポキシ樹脂はエポキシ基と反応する官能基を有するオルガノシロキサンとエポキシ樹脂との反応物として得ることができる。シリコーン変性エポキシ樹脂は、常温で液状であることが好ましい。前記エポキシ基と反応する官能基を有するオルガノシロキサンとしては、例えば、アミノ基、カルボキシル基、水酸基、フェノール性水酸基、メルカプト基等を１分子中に１個以上有するジメチルシロキサン、ジフェニルシロキサン、メチルフェニルシロキサン等が挙げられる。前記エポキシ基と反応する官能基を有するオルガノシロキサンの重量平均分子量は、好ましくは５００〜５０００である。前記重量平均分子量が５００未満では、樹脂系との相溶性が良くなり過ぎて添加剤としての効果が発揮しにくくなり、５０００を超えると樹脂系に非相溶となるためシリコーン変性エポキシ樹脂が成形時に分離・しみ出しを発生し、接着性や外観を損ないやすくなる。

シリコーン変性エポキシ樹脂を得るためのエポキシ樹脂としては電子部品封止用液状樹脂組成物の樹脂系に相溶するものであれば特に制限は無く、電子部品封止用液状樹脂組成物に一般に使用されているエポキシ樹脂を用いることがでる。該エポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ナフタレンジオール、水添ビスフェノールＡ等とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類とを縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したノボラック型エポキシ樹脂；フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂；ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂；オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂；脂環族エポキシ樹脂；などが挙げられ、これらのなかでも、常温で液状のエポキシ樹脂が好ましい。これらエポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記界面活性剤の配合量は、電子部品封止用液状樹脂組成物全体の０．０１〜１．５重量％の範囲であることが好ましく、０．０５〜１重量の範囲であることがより好ましい。前記界面活性剤の配合量が０．０１重量％未満では十分な添加効果が得られず、１．５重量％を超えると硬化時に硬化物表面からの染み出しが発生して接着力が低下する傾向がある。

（カップリング剤）
本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物には、必要に応じて樹脂と無機充填剤或いは樹脂と電子部品装置の構成部材との界面接着を強固にする目的で、カップリング剤を配合することができる。カップリング剤としては、特に制限はなく従来公知のものを用いることができる。カップリング剤としては、１級及び／又は２級及び／又は３級アミノ基を有するシラン化合物、エポキシシラン、メルカプトシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等が挙げられる。これらの具体例は、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤などが挙げられる。上記カップリング剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（イオントラップ剤）
本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物には、ＩＣ等の半導体素子の耐マイグレーション性、耐湿性及び高温放置特性を向上させる観点から、下記組成式（Ｉ）、（ＩＩ）で表されるイオントラップ剤を配合することができる。

Ｍｇ_１−ＸＡｌ_Ｘ（ＯＨ）_２（ＣＯ_３）_Ｘ／２・ｍＨ_２Ｏ （Ｉ）
（０＜Ｘ≦０．５、ｍは正の数）
ＢｉＯｘ（ＯＨ）ｙ（ＮＯ_３）ｚ （ＩＩ）
（０．９≦ｘ≦１．１、０．６≦ｙ≦０．８、０．２≦ｚ≦０．４）
上記式（Ｉ）で表されるイオントラップ剤は、市販品として協和化学工業株式会社製、商品名「ＤＨＴ−４Ａ」が入手可能である。また、上記式（ＩＩ）で表されるイオントラップ剤は、市販品として東亞合成株式製、商品名「ＩＸＥ５００」が入手可能である。

上記イオントラップ剤の配合量は、電子部品封止用液状樹脂組成物全体の０．１〜３．０重量％の範囲であることが好ましく、０．３〜１．５重量の範囲であることがより好ましい。

上記イオントラップ剤の平均粒径は０．１〜３．０μｍであることが好ましく、最大粒径は１０μｍ以下であることが好ましい。

また必要に応じて、その他の陰イオン交換体を配合することもできる。陰イオン交換体としては特に制限はなく、従来公知のものを用いることができる。陰イオン交換体の具体例として、マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、アンチモン等から選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられる。これら陰イオン交換体は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物には、その他の添加剤として、染料、カーボンブラック等の着色剤、希釈剤、レベリング剤、消泡剤などを必要に応じて配合することができる。

本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物は、上記各成分を均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いても調製できる。一般的な手法としては、所定の配合量の各成分を秤量し、らいかい機、ミキシングロール、プラネタリミキサ等を用いて混合、混練し、必要に応じて脱泡することによって得ることができる。

本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物の２５℃における粘度は、好ましくは５〜２００Ｐａ・ｓ、より好ましくは１０〜１００Ｐａ・ｓである。電子部品封止用液状樹脂組成物の２５℃における粘度は、Ｅ型粘度計（コーン角度３°、回転数１０ｒｐｍ）を用いて測定することにより求めることができる。

また、本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物のゲルタイムは、好ましくは５００秒以下、より好ましくは３００秒以下である。ゲルタイムは、ゲル化試験機を用い、電子部品封止用液状樹脂組成物を１６５℃の熱板上に適量たらした後、ゲル化し始めるまでの時間（秒）を測定することにより求めることができる。

また、本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物の加熱重量減少量は、好ましくは３重量％以下、より好ましくは２重量％以下である。加熱重量減少量は、熱重量測定装置「ＴＧＡ−Ｑ５００」（ＴＡインスツルメント製）を用い、電子部品封止用液状樹脂組成物２０ｍｇを空気中、室温から１６５℃まで昇温速度１０℃／分で加熱し、さらに１６５℃で１時間保持した際の重量減少量（重量％）を測定することにより求めることができる。

（電子部品装置）
本発明の電子部品装置は、上記本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物により封止された電子部品を備えることを特徴とする。かかる電子部品装置としては、例えば、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、リジッド及びフレキシブル配線基板、ガラス、シリコンウエハ等の支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、抵抗アレイ、コイル、スイッチ等の受動素子などの電子部品を搭載し、それら電子部品を本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物で封止したものが挙げられる。これらのなかでも、配線基板上に半導体素子を直接バンプ接続してなる半導体装置が好ましく、リジッド及びフレキシブル配線基板やガラス上に形成した配線基板に半導体素子を直接バンプ接続してなるフリップチップボンディングした半導体装置が特に好ましい。具体例として、フリップチップＢＧＡ（Ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）等の半導体装置が挙げられる。

本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物は信頼性に優れたフリップチップ実装半導体装置用のアンダーフィル材として好適である。本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物が特に好適なフリップチップ実装の分野としては、配線基板と半導体素子を接続するバンプの材質が従来の鉛含有はんだではなく、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系などの鉛フリーはんだを用いたフリップチップ実装の半導体装置である。従来の鉛含有はんだと比較して、物性的に脆い鉛フリーはんだを用いてバンプ接続をしたフリップチップ実装半導体装置に対しても、本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物は良好な信頼性を確保できる。さらには、本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物は電子部品の長辺の長さが５ｍｍ以上である大形の素子に対して好適であり、電子部品装置を構成する配線基板と該電子部品のバンプ接続面の距離が６０μｍ以下の狭ギャップにおけるフィリップチップ接続に対しても良好な流動性と充填性を示し、耐湿性、耐熱衝撃性等の信頼性にも優れた電子部品装置を提供することができる。前記電子部品のより好適な長辺の長さは５〜３０ｍｍであり、前記配線基板と該電子部品のバンプ接続面のより好適な距離は３０〜６０μｍである。

また、近年、半導体素子の高速化に伴い低誘電率の層間絶縁膜が半導体素子に形成されているが、該低誘電率の層間絶縁膜は機械強度が弱く、外部からの応力で破壊し故障が発生し易い傾向にある。このような傾向は半導体素子が大きくなる程顕著になり、アンダーフィル材による応力低減効果が求められている。本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物は、電子部品の長辺の長さが５ｍｍ以上であり、該電子部品が誘電率３．０以下の誘電体層を有する半導体素子のフリップチップ接続において優れた応力低減効果を発揮し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。前記電子部品のより好適な長辺の長さは５〜３０ｍｍであり、前記電子部品のより好適な誘電率は２．７以下である。

本発明の電子部品封止用液状樹脂組成物を用いて電子部品を封止する方法としては、ディスペンス方式、注型方式、印刷方式等が挙げられる。

次に実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例および比較例において行った特性試験の試験方法を以下にまとめて示す。

なお、使用した電子部品封止用液状樹脂組成物の諸特性及び含浸時間、ボイドの観察、各種信頼性の評価は以下の方法及び条件で行った。

含浸時間、ボイドの観察、信頼性の評価に使用した半導体装置は次の２種類のフリップチップＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）を使用した。

（ａ）Ｎｏｎ ｌｏｗ−ｋ フリップチップＢＧＡ
チップサイズ２０×２０×０．５５ｔｍｍ（回路：アルミのデイジーチェーン接続、パッシベーション：日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製のポリイミド膜、商品名「ＨＤ４０００」）、バンプ：はんだボール（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Φ８０μｍ、７，７４４ｐｉｎ）、バンプピッチ：１９０μｍ、基板：ＦＲ−５（日立化成工業株式会社製のソルダーレジスト、商品名「ＳＲ７０００」、６０×６０×０．８ｔｍｍ）、基板とバンプ接続面の距離：５０μｍ
（ｂ）Ｌｏｗ−ｋ フリップチップＢＧＡ
チップサイズ２０×２０×０．５５ｔｍｍ（誘電率２．７の誘電体層が３層形成されている。回路：アルミのデイジーチェーン接続、パッシベーション：日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製のポリイミド膜、商品名「ＨＤ４０００」）、バンプ：はんだボール（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Φ８０μｍ、７，７４４ｐｉｎ、）、バンプピッチ：１９０μｍ、基板：ＦＲ−５（日立化成工業株式会社製のソルダーレジスト、商品名「ＳＲ７０００」、６０×６０×０．８ｔｍｍ）、基板とバンプ接続面の距離：５０μｍ
下記の評価試験（８）〜（１１）に用いる半導体装置は、電子部品封止用液状樹脂組成物をアンダーフィル材として用いてディスペンス方式で半導体素子を封止し、１６５℃、２時間の加熱条件で硬化することで作製した。また、下記の評価試験（５）、（６）に用いる各種試験片の硬化条件も同様な条件で行った。

（１）粘度
電子部品封止用液状樹脂組成物の２５℃での粘度をＥ型粘度計（コーン角度３°、回転数１０ｒｐｍ）を用いて測定した。

（２）ゲルタイム
ゲル化試験機を用い、配合した電子部品封止用液状樹脂組成物を１６５℃の熱板上に適量たらした後、ゲル化し始めるまでの時間（秒）を測定した。

（３）加熱重量減少量
熱重量測定装置「ＴＧＡ−Ｑ５００」（ＴＡインスツルメント製）を用い、電子部品封止用液状樹脂組成物２０ｍｇを空気中、室温から１６５℃まで昇温速度１０℃／分で加熱し、さらに１６５℃で１時間保持した際の重量減少量（重量％）を測定した。

（４）Ｔｇ
電子部品封止用液状樹脂組成物を１６５℃で１時間硬化して作製した試験片（３ｍｍ×３ｍｍ×２０ｍｍ）のＴｇを、熱機械分析装置「ＴＭＡ４０００ＳＡ」（マックサイエンス製）を用い、荷重１５ｇ、測定温度０℃〜２００℃、昇温速度１０℃／分の条件で測定した。

（５）ソルダーレジトに対する接着力（ＳＲ接着力）
ソルダーレジスト「ＳＲ７０００」（日立化成工業株式会社製）の表面に、電子部品封止用液状樹脂組成物を直径３ｍｍ、高さ１ｍｍに成形した試験片を作製し、ボンドテスター「ＤＳ１００型」（ＤＡＧＥ社製）を用いて、ヘッドスピード５０μｍ／秒、２５℃の条件でせん断応力をかけ、試験片がソルダーレジストから剥離する強度を測定した。

この測定は、試験片を作製した直後、及び１３０℃、８５％ＲＨのＨＡＳＴ（Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ Ｈｕｍｉｄｉｔｙ Ｓｔｒｅｓｓ Ｔｅｓｔ）条件下で試験片を１５０時間処理した直後に行った。

（６）ポリイミドに対する接着力（ＰＩ接着力）
感光性ポリイミド「ＨＤ４０００」（日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製）の表面に、電子部品封止用液状樹脂組成物を直径３ｍｍ、高さ１ｍｍに成形した試験片を作製し、ボンドテスター「ＤＳ１００型」（ＤＡＧＥ社製）を用いて、ヘッドスピード５０μｍ／秒、２５℃の条件でせん断応力をかけ、試験片が感光性ポリイミドから剥離する強度を測定した。

この測定は、試験片を作製した直後、及び１３０℃、８５％ＲＨのＨＡＳＴ条件下で試験片を１５０時間処理した直後に行った。

（７）含浸時間
半導体装置を１１０℃に加熱したホットプレート上に置き、デイスペンサーを用いて電子部品封止用液状樹脂組成物の所定量を半導体素子の側面（１辺）に滴下し、電子部品封止用液状樹脂組成物が半導体素子の対向する側面に浸透するまでの時間（秒）を測定した。

（８）ボイドの有無
電子部品封止用液状樹脂組成物をアンダーフィル材として用いて半導体素子を封止して作製した半導体装置の内部を超音波探傷装置「ＡＴ−５５００」（日立建機株式会社製）で観察し、ボイドの有無を調べた。

（９）耐リフロー性
電子部品封止用液状樹脂組成物をアンダーフィル材として用いて半導体素子を封止して作製した半導体装置を１２０℃で１２時間加熱乾燥した後、８５℃、６０％ＲＨ下で１６８時間吸湿させ、遠赤外線加熱方式のリフロー炉（予熱１５０℃〜１８０℃で５０秒、ピーク温度２６０℃、２５０℃以上の加熱時間４０秒）中を３回通した後、半導体装置の内部を超音波探傷装置「ＡＴ−５５００」（日立建機株式会社製）で観察し、樹脂硬化物と半導体素子との剥離、樹脂硬化物と基板との剥離、樹脂硬化物のクラックの有無を調べ、不良パッケージ数／評価パッケージ数で評価した。

（１０）耐温度サイクル性
電子部品封止用液状樹脂組成物をアンダーフィル材として用いて半導体素子を封止して作製した半導体装置を−５０℃〜１５０℃、各３０分のヒートサイクルで１０００サイクル処理し、導通試験を行いアルミ配線及びパッドの断線の有無を調べ、不良パッケージ数／評価パッケージ数で評価した。

（１１）耐湿性
電子部品封止用液状樹脂組成物をアンダーフィル材として用いて半導体素子を封止して作製した半導体装置を１３０℃、８５％ＲＨのＨＡＳＴ条件下で１５０時間処理後、導通試験を行いアルミ配線及びパッドの断線の有無を調べ、不良パッケージ数／評価パッケージ数で評価した。

実施例１〜８、比較例１〜７
以下の成分をそれぞれ下記表１〜表２に示す組成（重量部）で配合し、三本ロール及び真空擂潰機にて混練分散した後、実施例１〜８及び比較例１〜７の電子部品封止用液状樹脂組成物を作製した。

実施例１〜８、比較例１〜７の電子部品封止用液状樹脂組成物を、上記（１）〜（１１）の各種特性試験により評価した。評価結果を下記表１〜表２に示す。なお表中の空欄は配合無しを表す。

表中の各成分は以下のものを使用した。

（エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂１：ビスフェノールＦをエポキシ化して得られるエポキシ当量１６０の液状ジエポキシ樹脂（東都化成株式社製、商品名「ＹＤＦ−８１７０Ｃ」）
エポキシ樹脂２：アミノフェノールをエポキシ化して得られるエポキシ当量９５の３官能液状エポキシ樹脂（ＪＥＲ社製、商品名「Ｅ６３０」）
（硬化剤）
液状アミン１：活性水素当量４５のジエチルトルエンジアミン（ＪＥＲ社製、商品名「エピキュアＷ」）
液状アミン２：活性水素当量６３の３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノ−ジフェニルメタン（日本化薬株式会社製、商品名「カヤハードＡ−Ａ」）
（ヒドラジド化合物）
ヒドラジド化合物１：平均粒径１．５μｍ、活性水素当量４３．５のアジピン酸ジヒドラジド（大塚化学株式会社製、商品名「ＡＤＨ−４Ｓ」）
ヒドラジド化合物２：平均粒径１５μｍ、活性水素当量４３．５のアジピン酸ジヒドラジド（日本ヒドラジン工業社製、商品名「ＡＤＨ」）
ヒドラジド化合物３：平均粒径１．８μｍ、活性水素当量４８．５のイソフタル酸ジヒドラジド（大塚化学社製、商品名「ＩＤＨ−Ｓ」）
（無機充填剤）
平均粒径１μｍの球状溶融シリカ
（硬化促進剤）
２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール
（シランカップリング剤）
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
（着色剤）
カーボンブラック（三菱化学株式会社製、商品名「ＭＡ−１００」）
（イオントラップ剤）
ビスマス系イオントラップ剤（東亞合成株式会社製、商品名「ＩＸＥ−５００」
表中の＊１〜＊３は以下のとおりである。

＊１：液状アミン硬化剤の活性水素当量は、エポキシ樹脂１当量に対して、硬化剤の活性水素当量とヒドラジド化合物の活性水素当量の合計を１当量とした場合の、硬化剤の活性水素当量を表す。

＊２：ヒドラジト化合物の活性水素当量は、エポキシ樹脂１当量に対して、硬化剤の活性水素当量とヒドラジド化合物の活性水素当量の合計を１当量とした場合の、ヒドラジド化合物の活性水素当量を表す。

＊３：無機充填剤の含有量（重量％）は、電子部品封止用液状樹脂組成物全体に対する無機充填剤の含有量を表す。

本発明における（Ｃ）成分のヒドラジド化合物及び硬化促進剤を含まない比較例１〜２は、ゲルタイムが長く、加熱重量減少量も多いため、ボイドが発生した。また、硬化促進剤を含み（Ｃ）成分のヒドラジド化合物を含まない比較例３〜４及び硬化促進剤を含み（Ｃ）成分のヒドラジド化合物粉末の粒径が粗い比較例５、７は、ゲルタイムがある程度短縮され、加熱重量減少量も少なくなったことによりボイドの発生は防止できた。しかしながら１時間硬化では反応が不十分なため、Ｔｇが低く、なおかつ各被着体との接着力が小さいため、耐リフロー性、及び耐温度サイクル性が耐湿性などの各種信頼性が著しく劣っていた。また、比較例５に対し（Ｃ）成分の硬化剤の比率を多くした比較例６はゲルタイムが短縮されＴｇも高くなったが、ＨＡＳＴ１５０時間処理後の接着力が大幅に低下するため耐湿性が悪くなった。

これに対して、実施例１〜８は、ゲルタイムが短く、加熱重量減少量も少いため、成形時のボイド発生がなく、かつ１時間硬化で反応が十分進むため高いＴｇや接着力を示し、生産性にも優れ、さらにＨＡＳＴ１５０時間処理後の接着性の向上が図られているために、耐リフロー性、耐温度サイクル性及び耐湿性などの各種信頼性に優れる。

Claims (7)

1. （Ａ）液状エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）液状芳香族アミンを含む硬化剤、（Ｃ）平均粒径が２μｍ未満のヒドラジド化合物及び（Ｄ）平均粒径が２μｍ未満の無機充填剤を含有することを特徴とする電子部品封止用液状樹脂組成物。
2. 前記ヒドラジド化合物が、炭素数２〜１０の脂肪族多塩基酸ジヒドラジド化合物及び炭素数８〜１５の芳香族多塩基酸ジヒドラジド化合物から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載の電子部品封止用液状樹脂組成物。
3. 請求項１または２記載の電子部品封止用液状樹脂組成物により封止された電子部品を備えた電子部品装置。
4. 前記電子部品が半導体素子であり、該半導体素子を配線基板上に直接バンプ接続してなる請求項３記載の電子部品装置。
5. 前記バンプが鉛を含まない金属である請求項４記載の電子部品装置。
6. 前記電子部品の長辺の長さが５ｍｍ以上であり、かつ、電子部品装置を構成する配線基板と該電子部品のバンプ接続面の距離が６０μｍ以下である請求項３〜５のいずれか一項に記載の電子部品装置。
7. 前記電子部品の長辺の長さが５ｍｍ以上であり、かつ、該電子部品が誘電率３．０以下の誘電体層を有する半導体素子である請求項３〜６のいずれか一項に記載の電子部品装置。