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JP2008101182A - ピレン系有機化合物、トランジスタ材料及び発光トランジスタ素子 - Google Patents

ピレン系有機化合物、トランジスタ材料及び発光トランジスタ素子 Download PDF

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Abstract

【課題】発光トランジスタ素子として使用する場合、発光と移動度の両方の特性が良好である発光トランジスタ材料を提供する。
【解決手段】例えば下記ジブロモピレンより得られるジフェニルピレン系有機化合物発光をトランジスタ素子の発光層に使用した発光トランジスタ素子。
Figure 2008101182

【選択図】なし

Description

本発明は、発光トランジスタ素子に使用できるトランジスタ材料及びこれを用いた発光トランジスタ素子に関する。
発光トランジスタ素子は、有機トランジスタに発光機能を持たせた複合デバイスである。発光トランジスタ素子を使用した素子は、トランジスタ部と発光部を別にもつ従来のデバイスに比べて、部品が少なくコンパクト化することが出来る。また、発光効率の向上も期待出来ることから、現在非常に注目を集めている。
発光トランジスタに使用できる材料としては、例えば、非特許文献１にはテトラセン、非特許文献２にはオリゴチオフェン、或いはポリフェニレンビニレンを用いたものが報告されている。
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００５，８６，１４１１０６． Ｓｃｉｅｎｃｅ，２０００，２９０，９６３．
しかしながら、これらの材料は、発光特性や電荷の移動度が低く、さらなる改良が求められている。
そこで、本発明では、発光トランジスタ素子として使用する場合、発光と移動度の両方の特性が良好である発光トランジスタ材料を提供することを目的とする。
本発明者らが鋭意検討した結果、ピレン環を母骨格として、特定位置に置換基を特定の数有する化合物をトランジスタ材料として用いることにより、非常に高い発光と移動度を有する発光トランジスタ素子を得られることがわかり本発明に到達した。
すなわち、本発明は、下記式（１）又は式（２）で表される化合物からなるトランジスタ材料、及び該トランジスタ材料を含有する発光トランジスタに存する。また、本発明はトランジスタ材料として有用な、下記式（３）、式（４）、式（５）で表される新規ピレン系有機化合物に存する。
Figure 2008101182
Figure 2008101182
 （式（１）及び式（２）中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい芳香族複素環基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルキニル基から選ばれる基を示す。また、上記のＸ及びＹが有していてもよい置換基は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、アミノ基、ボリル基、シリル基、シアノ基、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基である。また、式（１）及び式（２）で表される化合物が一分子中に有するピレン環は、１つである。）
Figure 2008101182
 （式（３）中、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、ピレン環以外の芳香族炭化水素基、あるいは芳香族複素環基を表す。Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数２〜２０の置換基を有してもよいアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシル基を表し、Ａｒ1及びＡｒ2に１つ以上有することを特徴とする。さらに、上記の有しても良い置換基は、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基である。）
Figure 2008101182
 （式（４）中、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、ピレン環以外の芳香族炭化水素基、あるいは芳香族複素環基を表す。Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数２〜２０の置換基を有してもよいアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシル基を表し、Ａｒ1及びＡｒ2に１つ以上有することを特徴とする。さらに、上記の有しても良い置換基は、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基である。）
Figure 2008101182
 （式（５）中、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、ピレン環以外の芳香族炭化水素基、あるいは芳香族複素環基を表す。Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数２〜２０の置換基を有してもよいアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシル基を表し、Ａｒ1及びＡｒ2に１つ以上有することを特徴とする。さらに、上記の有しても良い置換基は、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基である。）
本発明のトランジスタ材料は、高いキャリア移動度を有するため、トランジスタ材料として非常に有効である。また、本発明のトランジスタ材料を使用すると、結晶性が高まり、得られる発光トランジスタ素子の発光と移動度の両方の特性を高めることができる。
以下において、この発明について詳細に説明する。
本発明は、置換位置を特定した２置換ピレン誘導体からなるトランジスタ材料にかかる発明である。この２置換ピレン誘導体は、高いキャリア移動度を有しており、有機電界効果トランジスタなどの有機物半導体を用いるデバイスに使用して、トランジスタ材料として使用することができる。本発明に使用される化合物は、発光特性を有することから、発光トランジスタ素子として利用することが出来る。
この２置換ピレン誘導体は、具体的には、下記式（１）又は式（２）で表される化合物からなる。
Figure 2008101182
Figure 2008101182
上記の式（１）及び式（２）中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい芳香族複素環基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルキニル基から選ばれる基を示す。また、上記のＸ及びＹが有していてもよい置換基は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、アミノ基、ボリル基、シリル基、シアノ基、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基である。また、式（１）及び式（２）で表される化合物が一分子中に有するピレン環は、１つである。
上記式（１）又は式（２）で表される化合物からなるトランジスタ材料は、置換基が少なく、さらに特定位置に置換基を有するために、母骨格のピレン環と導入置換基との立体的な障害及び上記式（１）又は式（２）で表される化合物どうしの立体的な障害が少ない。そのため、結晶構造が密になり、分子間のエネルギー移動効率が高まるため、移動度が高く、かつ発光効率のよい、発光トランジスタ素子を得ることができるものと推測される。このため、本発明の発光トランジスタ材料は、発光トランジスタ素子の発光層の主構成成分として、使用することができる。なお、これらの化合物が一分子中に有するピレン環は１つであるが、これは、ピレン環を置換基として有すると、共役が伸びすぎ、可視発光が得られないおそれがあるからである。
上記式（１）及び式（２）で表される化合物について説明する。
（Ｘ及びＹ）
Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい芳香族複素環基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルキニル基から選ばれる基を示す。
上記の芳香族炭化水素基としては、ピレン環以外の芳香族炭化水素がよく、例として、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ナフチル基（好ましくは２−ナフチル基）、アントリル基（好ましくは２−アントリル基）、フェナントリル基、フルオレニル基、フェニルエテノフェニル基等があげられ、これらは置換基を有していてもよい。これらの中でも、炭素数１４以下の芳香族炭化水素基が特に好ましい。これは、あまり炭素数が多すぎると、分子に自由度を持たせるためには、好ましくないからである。
上記の芳香族複素環基としては、ピリジル基、ピラジル基、ビピリジル基、フェニルピリジル基、ピリジノフェニル基、フリル基、チエニル基、ビチエニル基、テルチエニル基、ピロリジル基、イミダゾール基、ベンゾイミダゾール基、オキサゾール基、インドール基、ベンゾオキサゾール基、チアゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾオキサゾリル基、ピロリル基、ピリダジル基、ピラジニル基、ピリミジル基、チエニル基、ビチエニル基、フェニルチエニル基、ベンゾチエニル基、キノリル基等があげられ、これらは置換基を有していてもよい。これらの中でも、炭素数１２以下の芳香族複素環基が特に好ましい。これは、あまり炭素数が多すぎると、分子に自由度を持たせるためには、好ましくないからである。
上記のアルキル基としては、炭素数が１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基があげられ、具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、オクタデシル基等があげられ、これらは置換基を有していてもよい。
上記シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等があげられ、これらは置換基を有していてもよい。
上記アルケニル基としては、ビニル基、フェニル置換ビニル基、エチル置換ビニル基、ビフェニル置換ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等があげられ、これらは置換基を有していてもよい。
上記アルキニル基としては、エチニル基、フェニル置換エチニル基、トリメチルシリル置換エチニル基、プロパルギル基等があげられ、これらは置換基を有していてもよい。
また、上記のＸ及びＹが有していてもよい置換基としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、アミノ基、ボリル基、シリル基、シアノ基、炭素数６〜３６、好ましくは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６、好ましくは炭素数４〜１２の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基があげられる。これらのそれぞれの基の具体例は、上記したＸ，Ｙにおける基の例と同様である。
上記のＸ及びＹは、同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが分子の配列を制御しやすく、移動度の向上が期待出来るため好ましい。
また、Ｘ及びＹがピレン環と結合される位置としては、Ｘの位置が１位から３位のいずれかであり、かつ、Ｙの位置が６位から８位のいずれかであることが好ましい。具体的には、下記の式（１−１）、式（１−２）、式（１−３）、式（２−１）、式（２−２）、及び式（２−３）で示される化合物が好ましい。これらの化合物は、トランジスタ材料として使用した場合、対称性が良いため、高移動度が期待できる。なお、下記の式（１−１）、式（１−２）、式（１−３）、式（２−１）、式（２−２）、及び式（２−３）で示される化合物におけるＸ及びＹは、上記のＸ及びＹと同様である。また、式（１−１）、式（１−２）、式（１−３）、式（２−１）、式（２−２）、及び式（２−３）で表される化合物が一分子中に有するピレン環は、１つである。
Figure 2008101182
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このＸ及びＹの具体例としては、図１〜図２２に示される、具体例＜１＞〜＜２６＞があげられる。この図１〜図２２には、Ｘ及びＹのみを示した。また、具体例＜１＞〜＜２５＞は、それぞれ、特定のＸ（（Ｘ−１）〜（Ｘ−２５））の場合におけるＹの例を示した。また、具体例＜１＞〜＜２５＞は、Ｘ＝Ｙでないもの、すなわち、非対称のピレン系有機化合物のみを示した。Ｘ＝Ｙのもの、すなわち、対称のピレン系有機化合物は、具体例＜２６＞にまとめて示した。なお、同じ基であっても、Ｘで示される基と、Ｙで示される基とは、ことなる番号を付与した。また、図１〜図２２、及び具体例＜１＞〜＜２６＞において、１枚の図面に収まらず、数枚の図面にわたった場合は、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を番号のあとにつけ、図面の区別を行った。
上記式（１）や式（２）で表される化合物の分子量は、それぞれ、好ましくは５００以上、さらに好ましくは８００以上であり、また好ましくは５０００以下、さらに好ましくは３０００以下である。分子量をこの範囲とすることにより、化合物が安定性を有するという特徴を発揮することができる。
また、Ｘ及びＹの分子量は、それぞれ、その置換基を含めて、好ましくは５０００以下、さらに好ましくは３０００以下、より好ましくは１０００以下、特に好ましくは２００以下である。分子量をこの範囲とすることにより、化合物が安定性を有するという特徴を発揮することができる。
上記式（１）又は（２）で表される化合物は、トランジスタ材料として用いることができる。この式（１）又は（２）で表される化合物を用いたトランジスタ材料は、高いキャリア移動度だけでなく、高い発光特性を有することから、特に発光トランジスタ材料として使用することができる。
上記式（１）や式（２）で示される化合物の中でも、下記式（３）〜式（５）で表される化合物は、トランジスタ材料、特に発光トランジスタ材料として有用な、新規化合物である。この化合物は、発光色素としても利用出来るため、トランジスタ材料だけでなく、有機ＥＬ用色素、色素レーザー、光電変換材料、医療診断薬としても使用できる。
Figure 2008101182
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上記の式（３）、式（４）及び式（５）中、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、ピレン環以外の芳香族炭化水素基、あるいは芳香族複素環基を表す。Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数２〜２０の置換基を有してもよいアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシル基を表し、Ａｒ1及びＡｒ2に１つ以上有することを特徴とする。さらに、上記の有しても良い置換基は、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基である。
（（３）の合成方法）
以下に、上記式（３）で表される化合物の合成方法について説明する。
Figure 2008101182
Figure 2008101182
上記式（３）で示される化合物は、一般的に、上記反応式＜１＞にしたがって製造することができる。
まず、式＜１−２＞で示される化合物は、ピレン（式＜１−１＞）を用いて、Ｂｕｌｌ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． Ｊｐｎ．， ６７， １７２− （１９９４） 、Ｊ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ １．， １６２２− （１９７２）に記載の方法にしたがって製造することができる。すなわち、＜１−１＞→＜１−２＞は、臭素、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）、Ｎ−ヨードスクシンイミド、ヨウ素とヨウ素酸ナトリウムなどを用いて、ジメチルホルムアミドなどの有機溶剤中で反応させることにより得ることができる。
また、式＜１−３＞で示される化合物は、式＜１−２＞で示される化合物を用いて、ＥＰ０９６４０４５号公報に記載の方法で合成することができる。すなわち、＜１−２＞→＜１−３＞は、ｎ−ＢｕＬｉをＴＨＦ（テトラヒドロフラン）またはエーテル中で、−７８℃〜０℃で、３０分から５時間反応させた後、ジメチルホルムアミドを加え、酸で加水分解することにより、得ることができる。
式＜１−３＞で示される化合物から、式（３）で示される化合物の合成は、一般的にはＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法を用いて合成することができる。すなわち、反応式＜２＞に示すように、対応するホスホン酸エステル（式＜２−１＞）と＜１−３＞で示される化合物とを、塩基存在下、有機溶媒中で反応させることにより得ることができる。上記塩基としては、水素化ナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、ナトリウムメトキソド、などが好ましい。また、上記有機溶剤としては、ジメチルホルムアミド、ＴＨＦ、トルエン、ベンゼンなどが好ましい。この反応の反応温度は、用いる有機溶剤により変わるが、好ましくは０℃〜１１０℃である。さらに、添加剤としてクラウンエーテルを用いても良い。
（（４）及び（５）の合成方法）
以下に、上記式（４）及び式（５）で表される化合物の合成方法について説明する。
まず、下記式（１−３−１）の一般的合成方法について説明する。
Figure 2008101182
上記の式（１−３−１）で表される化合物（２，７−ジブロモピレン）は文献記載の方法によって合成することができる。すなわち，１，３−（ブロモメチル）ベンゼンとｐ−トルエンスルホニルメチル イソシアニドをカップリングさせて対応するメタシクロファンジオンを得たのち（文献：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９８２， ２３， ５３３５−５３３８）、これに光照射による脱カルボニル化をおこなって［２．２］メタシクロファンへと変換し（文献：Ｅｕｒ． Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． ２００１， ２４８７−２４９９）、これに臭素を作用させて酸化（文献：Ｃｈｅｍ． Ｂｅｒ． １９８４， １１７， ２６０−２７６； Ｓｙｎｔｈ． Ｃｏｍｍｕｎ． １９８８， １８， ２２０７−２２０９； Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． １９８６， ５１， ２８４７−２８４８）することにより合成できる。具体的には、下記の反応式＜１−４＞による方法で製造できる。
Figure 2008101182
次に、式（４）で示される化合物の一般的合成法について説明する。
式（４）で示される化合物は、一般的に、式（１−３−１）で表される化合物を出発原料として、下記式＜２−３＞にしたがって製造することができる。
すなわち、式＜２−２＞で表される化合物と、式（１−３−１）で表される化合物とをパラジウム触媒（Ｐｄ（ＰＰｈ3）4、ＰｄＣｌ2（ＰＰｈ3）２など）やＮｉ触媒と、塩基（Ｋ2ＣＯ3，Ｎａ2ＣＯ3，Ｅｔ3Ｎなど）を用いて、トルエンやジオキサン、ＴＨＦなどの有機溶剤中で、不活性ガス（Ｎ2，Ａｒなど）存在下、室温から溶剤の沸点温度で反応させることにより得ることができる。
Figure 2008101182
また、別の方法として、下記式＜２−４＞に従って製造することができる。
すなわち文献Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ．， ２００５， ２１７２−２１７４で合成することができる式（１−３−２）で表される化合物と、式＜２−２＞で表される化合物とをパラジウム触媒（Ｐｄ（ＰＰｈ3）4、ＰｄＣｌ2（ＰＰｈ3）2など）やＮｉ触媒と、塩基（Ｋ2ＣＯ3，Ｎａ2ＣＯ3，Ｅｔ3Ｎなど）を用いて、トルエンやジオキサン、ＴＨＦなどの有機溶剤中で、不活性ガス（Ｎ2，Ａｒなど）存在下、室温から溶剤の沸点温度で反応させることにより得ることが出来る。
Figure 2008101182
なお、上記反応式＜２−３＞や＜２−４＞におけるＡｒは、上記式（４）で示されるＡｒ1又はＡｒ2と同一であり、Ｒ1及びＲ2は、上記式（４）で示されるＡｒ1又はＡｒ2と同一である。
次に、式（５）で示される化合物の一般的合成法について説明する。
式（５）で示される化合物は、一般的に、下記式＜２−６＞にしたがって製造することができる。
すなわち、式（１−３−１）で表される化合物と式＜２−５＞で表される化合物とをパラジウム触媒（Ｐｄ（ＰＰｈ3）4、ＰｄＣｌ2（ＰＰｈ3）2など）と、ヨウ化銅を用いて、ジイソプロピルアミンやジエチルアミン、ピリジンなどの溶剤中で、不活性ガス（Ｎ2，Ａｒなど）存在下、室温から溶剤の沸点温度で反応させることにより得ることができる。
Figure 2008101182
（発光トランジスタ素子）
次に、上記のピレン系化合物を用いた発光トランジスタ素子について説明する。
上記発光トランジスタ素子としては、図２３に示すような電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）の基本構造を有する素子をあげることができる。
この発光トランジスタ素子１０は、キャリアとしての正孔及び電子を輸送可能であり、正孔及び電子の再結合により発光を生じる、上記ピレン系化合物を主構成成分とする発光層１、この発光層１に正孔を注入する正孔注入電極、いわゆるソース電極２、上記発光層に電子を注入する電子注入電極、いわゆるドレイン電極３，及び上記ソース電極２及びドレイン電極３に対向し、上記発光層１内のキャリアの分布を制御する、Ｎ+シリコン基板で構成されたゲート電極４から構成される。なお、ゲート電極４は、シリコン基板の表層部に形成される不純物拡散層からなる導電層で構成してもよい。
具体的には、図２３に示すように、ゲート電極４の上に酸化シリコン等からなる絶縁膜５が設けられ、その上にソース電極２及びドレイン電極３が間隔を開けて設けられる。そして、このソース電極２及びドレイン電極３を覆い、かつ、両電極の間に入り込むように発光層１が設けられる。
このとき、キャリア移動度を向上させるために、絶縁膜５形成後、又はソース電極２及びドレイン電極３の形成後、シリコン基板の処理を行うことが好ましい。シリコン基板の処理方法としては、表面処理と基板温度の制御の２種類が挙げられる。
上記の表面処理は、絶縁膜５の形成後、又はソース電極２及びドレイン電極３の形成後、ＵＶオゾン処理し、表面処理剤を塗布する方法である。この表面処理剤としては、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）やＯＴＳ（オクチルトリクロロシラン）などの、通常公知の表面処理剤を使用することができる。表面処理剤を塗布後、表面処理剤の残渣を取り除き、真空下で発光層に用いる化合物を蒸着する。
上記シリコン基板の温度制御は、絶縁膜５形成後、又はソース電極２及びドレイン電極３の形成後の基板に、真空状態で熱を加えながら温度を一定にして、発光層に用いる化合物を真空蒸着する方法である。基板の温度範囲は４０〜８０℃が好ましい。なお、上記表面処理と基板の温度の制御は、両方を行ってもよい。
上記の素子が発光トランジスタの機能を発揮するためには、上記発光層１を構成する有機蛍光体、特に主構成成分であるピレン系化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルとの差、キャリア移動度、Ｏｎ／Ｏｆｆ比、又は発光効率が所定の範囲を満たすことが好ましい。
なお、上記発光層１は、本発明のピレン系化合物１種のみから形成されていてもよいし、２種以上の化合物から形成されていても良い。更に、異なる波長を有する有機蛍光体等の副構成成分を加えることにより、それぞれの機能をより高くすることも可能である。
異なる波長を有する有機蛍光体を組み合わせる場合、主成分である上記ピレン系化合物に対して（本発明のピレン系化合物を２種以上用いる場合、その総計に対して）０．１％以上、好ましくは０．５％以上、２０％以下、より好ましくは１０％以下ドープしてもよい。なお、異なる波長を有する有機蛍光体としては、図２７に示される各化合物が挙げられるが、それに限られるわけではない。
まず、上記のＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルとの差は、小さいほど電子の移動がより容易となって発光及び半導体性（すなわち、一方向への電子又は正孔の導通性）が生じやすくなり、好ましい。具体的には、５ｅＶ以下がよく、３ｅＶ以下がより好ましく、２．７ｅＶ以下がさらに好ましい。なお、この差は、小さいほど好ましいので、この差の下限は、０ｅＶである。
また、上記のキャリア移動度は、大きいほど半導体性が高まり好ましい。具体的には、１．０×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上がよく、４．０×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上がより好ましく、１．０×１０-4ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上がさらに好ましい。なお、キャリア移動度の上限は、特に限定されず、１ｃｍ2／Ｖ・ｓ程度であれば十分である。
さらに、上記Ｏｎ／Ｏｆｆ比は、ドレイン電圧が［−１００Ｖ］の時、ゲート電圧［−１００Ｖ］における最大Ｉｄ（Ｉｏｎ）と、オフ状態を与えるゲート電圧［０Ｖ］における最小Ｉｄ（Ｉｏｆｆ）との比として求められるものである。この比が大きいほど、半導体特性が高いと判断できる。好ましくは１０2以上、より好ましくは１０3以上である。
上記発光効率は、光子や電子を入れることによって生じる光の割合をいい、注入された光エネルギーに対する、放出された光エネルギーの割合をＰＬ発光効率（又はＰＬ量子効率）といい、注入された電子の個数に対する、放出された光子の個数の割合をＥＬ発光効率（又はＥＬ量子効率）という。
注入され、励起された電子は、正孔と再結合することにより光を発するが、この再結合は必ずしも１００％の確率で生じない。このため、上記発光層１を構成する有機化合物を比較する際、ＥＬ発光効率を対比することにより、注入された光エネルギーに対する光エネルギー放出量の割合、及び電子と正孔との再結合の割合の相乗効果を比較することができる。ところで、ＰＬ発光効率を対比することにより、注入された光エネルギーに対する光エネルギー放出量の割合を比較することができるので、ＰＬ発光効率及びＥＬ発光効率の両方を組み合わせて対比することにより、電子と正孔との再結合の割合を比較することも可能となる。
上記ＰＬ発光効率は、発光の程度が大きいほど好ましく、２０％以上がよく、３０％以上がより好ましい。なお、ＰＬ発光効率の上限は、１００％である。一方、ＰＬ発光収率の好ましい下限は、３％であり、５％がより好ましい。
また、上記ＥＬ発光効率は、発光の程度が大きいほど好ましく、１×１０-3％以上がよく、５×１０-3％以上が好ましい。なお、ＥＬ発光効率の上限は、１００％である。
上記発光トランジスタ素子１０の特徴として、上記以外に、発光する光の波長があげられる。この波長は、可視光の範囲内であるが、使用する有機蛍光体、特に上記ピレン系化合物の種類によって異なる波長を有する。そして、異なる波長を有する有機蛍光体を組み合わせることにより、種々の色を発現させることができる。このため、発光する光の波長は、波長そのものが特徴を発揮することとなる。
また、上記発光トランジスタ素子１０は、発光を特徴とするので、ある程度の発光輝度を有するのがよい。この発光輝度は、人間が物を見るときに感じる物の明るさに対応する発光量をいう。この発光輝度は、フォトカウンターによる測定法において、大きいほど好ましく、１×１０4ＣＰＳ（ｃｏｕｎｔ ｐｅｒ ｓｅｃ）以上がよく、１×１０5ＣＰＳ以上が好ましく、１×１０6ＣＰＳ以上がより好ましい。
上記発光層１は、構成する有機蛍光体等を蒸着（複数種あるときは、共蒸着）することにより形成される。この発光層の膜厚は、少なくとも７０ｎｍ程度あればよい。
上記ソース電極２及びドレイン電極３は、正孔及び電子を上記発光層１に注入するための電極で、金（Ａｕ）、マグネシウム−金合金（ＭｇＡｕ）等で形成される。両者間は、０．４〜５０μｍ等の微小間隔を開けて対向するように形成される。具体的には、例えば、図２４に示すように、ソース電極２及びドレイン電極３が、それぞれ複数の櫛歯からなる櫛歯形状部２ａ，３ａを有するように形成され、ソース電極２の櫛歯形状部２ａを構成する櫛歯と、ドレイン電極３の櫛歯形状部３ａを構成する櫛歯とを、所定間隔を開けて交互に配置することにより、発光トランジスタ素子１０としての機能をより効率的に発揮させることができる。
このときのソース電極２及びドレイン電極３の間隔、すなわち、櫛歯形状部２ａ及び櫛歯形状部３ａの間隔は、５０μｍ以下がよく、３μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましい。５０μｍを超えると、十分な半導体性を発揮し得なくなる。
上記発光トランジスタ素子１０は、上記ソース電極２及びドレイン電極３に電圧を印加することにより、その内部で正孔及び電子の両方を移動させ、発光層１内で、両者を再結合させることにより、発光を生じさせることができる。このとき、発光層１を通って両電極間を移動する正孔及び電子の量は、ゲート電極４に印加される電圧に依存する。このため、ゲート電極４にかける電圧及びその変化を制御することにより、上記ソース電極２及びドレイン電極３の間の導通状態を制御することが可能となる。なお、この発光トランジスタ素子１０は、Ｐ型駆動を行うので、ソース電極２に対しドレイン電極３に負の電圧が加えられ、また、ソース電極２に対してゲート電極４に負の電圧が加えられる。
具体的には、ゲート電極４にソース電極２に対して負の電圧を印加することにより、発光層１内の正孔がゲート電極４側に引き寄せられ、絶縁膜５の表面付近における正孔の密度が高い状態となる。ソース電極２及びドレイン電極３の間の電圧を適切にすると、ゲート電極４に与える制御電圧の大小によって、ソース電極２から発光層１に正孔が注入され、ドレイン電極３から発光層１に電子が注入される状態となる。すなわち、ソース電極２が正孔注入電極として機能し、ドレイン電極３は電子注入電極として機能する。これにより、発光層１内において、正孔及び電子の再結合が生じ、これに伴う発光が生じることとなる。この発光状態は、ゲート電極４に与えられる制御電圧を変化させることにより、オン／オフさせたり、発光強度を変えたりすることができる。
上記の正孔及び電子の再結合が生じる理論は、次のように説明することができる。ゲート電極４にソース電極２に対して負の電圧を印加することにより、図２５（ａ）に示すように、発光層１において、絶縁膜５の界面近くに正孔のチャネル１１が形成され、そのピンチオフ点１２がドレイン電極３近傍に至る。そして、ピンチオフ点１２とドレイン電極３との間に高電界が形成され、図２５（ｂ）に示すように、エネルギーバンドが大きく曲げられる。これにより、ドレイン電極３内の電子が、ドレイン電極３と発光層１との間の電位障壁を突き抜けるＦＮ（ファウラーノルドハイム）トンネル効果が生じ、発光層１内に注入され、正孔と再結合される。
また、正孔及び電子の再結合は、上記のＦＮトンネル効果によるという理論以外に、次の理論による説明も可能である。すなわち、図２５（ｃ）に示すように、発光層１内の有機蛍光体のＨＯＭＯエネルギーレベルにある電子が高電界によってＬＵＭＯエネルギーレベルに励起され、この励起された電子が発光層１内の正孔と再結合する。それと共に、ＬＵＭＯエネルギーレベルへの励起によって空席となったＨＯＭＯエネルギーレベルにドレイン電極３から電子が注入されて補われる。
上記発光トランジスタ素子１０は、基板２０上に、複数個、二次元配列されることにより、表示装置２１を構成することができる。この表示装置２１の電気回路図を図２６に示す。すなわち、この表示装置２１は、前述のような発光トランジスタ素子１０を、マトリクス配列された画素Ｐ１１，Ｐ１２，……，Ｐ２１，Ｐ２２，……内にそれぞれ配置し、これらの画素の発光トランジスタ素子１０を選択的に発光させ、また、各画素の発光トランジスタ素子１０の発光強度（輝度）を制御することによって、二次元表示を可能としたものである。基板２０は、例えば、ゲート電極４を一体化したシリコン基板であってもよい。すなわち、ゲート電極４は、シリコン基板の表面にパターン形成した不純物拡散層からなる導電層により構成しておけばよい。また、基板２０として、ガラス基板を用いてもよい。
各発光トランジスタ素子１０は、Ｐ型駆動するので、そのドレイン電極３（Ｄ）にはバイアス電圧Ｖｄ（＜０）が与えられ、そのソース電極２（Ｓ）は接地電位（＝０）とされる。ゲート電極４（Ｇ）には、各画素を選択するための選択トランジスタＴｓと、データ保持用のキャパシタＣとが並列に接続される。
行方向に整列した画素Ｐ１１，Ｐ１２，……；Ｐ２１，Ｐ２２，……の選択トランジスタＴｓのゲートは、行ごとに共通の走査線ＬＳ１，ＬＳ２，……にそれぞれ接続されている。また、列方向に整列した画素Ｐ１１，Ｐ２１，……；Ｐ１２，Ｐ２２，……の選択トランジスタＴｓにおいて発光トランジスタ素子１０と反対側には、列ごとに共通のデータ線ＬＤ１，ＬＤ２，……がそれぞれ接続される。
走査線ＬＳ１，ＬＳ２，……には、コントローラ２４によって制御される走査線駆動回路２２から、各行の画素Ｐ１１，Ｐ１２，……；Ｐ２１，Ｐ２２，……を循環的に順次選択（行内の複数画素の一括選択）するための走査駆動信号が与えられる。すなわち、走査線駆動回路２２は、各行を順次選択行として、選択行の複数の画素の選択トランジスタＴｓを一括して導通させ、これにより、非選択行の複数の画素の選択トランジスタＴｓを一括して遮断させるための走査駆動信号を発生させることができる。
一方、データ線ＬＤ１，ＬＤ２，……には、データ線駆動回路２３からの信号が入力される。このデータ線駆動回路２３には、画像データに対応した制御信号が、コントローラ２４から入力される。データ線駆動回路２３は、各行の複数の画素が走査線駆動回路２２によって一括選択されるタイミングで、当該選択行の各画素の発光階調に対応した発光制御信号をデータ線ＬＤ１，ＬＤ２，……に並列に供給する。
これにより、選択行の各画素においては、選択トランジスタＴｓを介してゲート電極４（Ｇ）に発光制御信号が与えられるから、当該画素の発光トランジスタ素子１０は、発光制御信号に応じた階調で発光（または消灯）することになる。発光制御信号は、キャパシタＣにおいて保持されるから、走査線駆動回路２２による選択行が他の行に移った後にも、ゲート電極Ｇの電位が保持され、発光トランジスタ素子１０の発光状態が保持される。このようにして、二次元表示が可能になる。
本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。まず、ピレン系化合物の製造法について説明する。
（原料中間体の合成）
（原料中間体製造例１）［ジブロモピレンの製造］
Figure 2008101182
２００ｍｌ四つ口フラスコに滴下漏斗、窒素ライン接続した三方コックをつけて窒素置換を行った。次に、ピレン（東京化成（株）製：試薬、純度９７％）５．００ｇ、ＤＭＦ（純正化学（株）製：試薬）３０ｍｌを入れて再度窒素置換を行い、室温で攪拌を行った。ここに、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ、東京化成（株）製：試薬、純度９８％）８．８１ｇを上記ＤＭＦ２５ｍｌに溶解させた溶液を、２０分かけて滴下し、滴下終了からさらに室温で９時間攪拌を継続した。反応で精製した黄色の固体を吸引ろ過で回収し、この固体をエタノール（純正化学（株）製：試薬）で懸濁洗浄して粗体を得た。
得られた固体に対し、トルエン（純正化学（株）製：試薬）を用いて３回再結晶し、モノブロモピレンを除去した。３回の再結晶後に主として１，６−ジブロモピレン、１，８−ジブロモピレンの混合物の白色個体を得た。
回収物の1Ｈ−ＮＭＲから、１，６−、１，８−ジブロモピレンは混合比１：１であることを確認した。また回収物のＬＣ純度はジブロモピレンの混合物として９３％、７％が１，３，６−トリブロモピレンであった。また、収量は４．４８ｇ、収率は５０．３％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，８−ジブロモピレン…δ８．５３（ｓ，２Ｈ）、８．２８（ｄ，２Ｈ， Ｊ＝８．４０）、８．０５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．００）、８．０４（ｓ，２Ｈ）
・・１，６−ジブロモピレン…δ８．４７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．６０）、８．２７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４０）、８．１３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２０）、８．０６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４０）
（原料中間体製造例２）［ジホルミルピレンの製造］
Figure 2008101182
１０００ｍｌ四つ口フラスコに滴下ロート、窒素ライン接続三方コック、攪拌用スリーワンモーター、ガラスシャフト、テフロン羽根、低温温度計を取り付け、減圧下ヒートガンで加熱乾燥と窒素置換を５回繰り返し系内を窒素雰囲気とした。１，６−ジブロモピレン、１，８−ジブロモピレンの１：１混合物１５．０ｇ、乾燥ＴＨＦ（関東化学（株）製：試薬）３００ｍｌを入れ、反応器をドライアイス−アセトンバス中で−７０℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム（２．６Ｍ、関東化学（株）製：試薬）８０ｍｌを２０分掛けて滴下し、滴下終了から２時間−７０℃のまま保持しながら攪拌を継続した。乾燥ＤＭＦ（関東化学（株）製：試薬）３２ｍｌを滴下ロートから１０分間で滴下した。この際発熱が確認され内温は−７０℃から−５０℃まで上昇した。ＤＭＦ滴下終了から３０分冷却条件下で攪拌を行ない、その後冷却用バスを外して室温に昇温し、終夜静置した。１Ｎ−ＨＣｌ３００ｍｌをゆっくり加えた後析出した黄色固体を吸引ろ過で回収し、ウエットケーキを得た。ろ液はジクロロメタン３００ｍｌで分液、抽出し、乾燥剤を使わずにそのまま濃縮しウエットケーキとして回収した。得られたケーキを合わせてメタノールで懸洗し、減圧下乾燥した。1Ｈ−ＮＭＲから得られた黄色結晶が１，６−ジホルミルピレン、１，８−ジホルミルピレンの１：１混合物であることを確認した。また、収量は６．７８ｇ、収率は６３．０％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，６−ジホルミルピレン…δ１０．８２（ｓ，２Ｈ）、９．６０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２０）、８．５５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０）、８．４３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．００）、８．３６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２０）
・・１，８−ジホルミルピレン…δ１０．８７（ｓ，２Ｈ）、９．６２（ｓ，２Ｈ）、８．５７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０）、８．４３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．００）、８．２６（ｓ，２Ｈ）
（製造例）
（製造例１）［１，６−ジフェニルピレン（化合物１）、１，８−ジフェニルピレン（化合物２）の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コック、温度計、回転子を備えた３００ｍｌの三口フラスコに１，６−ジブロモピレン、１，８−ジブロモピレンの１：１混合物４．００ｇ、フェニルホウ酸（東京化成（株）製：試薬、純度記載無し）７．１７ｇ（ジブロモピレンに対して５．０当量）、Ｎａ2ＣＯ3（関東化学（株）製：試薬）１１．８２ｇを入れ、トルエン（純正化学（株）製：試薬）１００ｍｌ、エタノール（純正化学（株）製：試薬）５０ｍｌ、脱塩水１０ｍｌを加えて懸濁させた。この懸濁液を減圧下で脱気し、窒素で常圧に戻す操作を５回繰り返し、さらに反応混合物を窒素でバブリングして系内を窒素で置換した。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（東京化成（株）製：試薬）０．４９ｇを加えてからオイルバス中８０℃で１０時間加熱攪拌を行った。
反応混合物を吸引ろ過して不溶のフェニルホウ酸と無機塩を除去した。ろ液に脱塩水１００ｍｌを加えて分液し、有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水後濃縮した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ＣＨＣｌ3）で混在する無機塩、パラジウムを除去して緑黄色の粗体を得た。ＬＣ分析からこの粗体は１，６−ジフェニルピレン、１，８−ジフェニルピレン、１，３，６−トリフェニルピレン、１−フェニルピレンの４成分の混合物であった。それぞれＬＣの面積値から、ジフェニルピレン混合物として９４．２％、モノフェニルピレン０．５％、トリフェニルピレン５．３％であった。
この粗体にエタノールを加えて加熱後、熱ろ過して緑色のろ液と無色の結晶を分離した。回収した約２ｇの結晶をイソプロピルアルコールに加熱還流下懸濁させた後、室温に冷却して結晶を回収した。1Ｈ−ＮＭＲによる構造解析で、回収した結晶が１，６−ジフェニルピレンであることを確認した。ＬＣ分析では１，６−ジフェニルピレンが１成分であり、この回収結晶は純度９９．８％以上であった。また、収量は０．９２ｇ、収率は２３．３％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，６−ジフェニルピレン…δ８．２２（ｄ，２Ｈ、，Ｊ＝７．６０）、８．２０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２０）、８．０５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２０）、８．０４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４０）、７．６７−７．６３（ｍ，４Ｈ）、７．６１−７．５５（ｍ，４Ｈ）、７．５３−７．４７（ｍ，２Ｈ）
エタノール熱ろ過時のろ液を濃縮後、ヘキサンで懸濁洗浄して白色の固体をろ別した。このろ液をＧＰＣで精製し、混在するトリフェニルピレンを除去した留分をエバポレーターで濃縮後、メタノールで洗浄して白色固体を得た。1Ｈ−ＮＭＲから得られた固体が１，８−ジフェニルピレンであることを確認した。ＬＣ分析では１，８−ジフェニルピレンが１成分であり、純度は９９．８％であった。また、収量は０．３２ｇ、収率は８．１％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，８−ジフェニルピレン…δ８．２５（ｄ，２Ｈ、，Ｊ＝７．６０）、８．１３（ｓ，２Ｈ）、８．１２（ｓ，２Ｈ）、８．００（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０）、７．６６−７．６２（ｍ，４Ｈ）、７．５７−７．５２（ｍ，４Ｈ）、７．４９−７．４３（ｍ，２Ｈ）
（製造例２）［ビス（トリフルオロメチルフェニル）ピレン（化合物３）の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コック、温度計、回転子を備えた２００ｍｌの三口フラスコに１，６−ジブロモピレン、１，８−ジブロモピレンの１：１混合物２．５０ｇ、ｐ−トリフルオロメチルフェニルホウ酸（和光純薬（株）製：試薬）３．９８ｇ（ジブロモピレンに対して３．０当量）、Ｎａ2ＣＯ3（関東化学（株）製：試薬）４．４５ｇを入れ、トルエン（純正化学（株）製：試薬）５０ｍｌ、エタノール（純正化学（株）製：試薬）２０ｍｌ、脱塩水１０ｍｌを加えて懸濁させた。この懸濁液を減圧下で脱気し、窒素で常圧に戻す操作を５回繰り返し、さらに反応混合物を窒素でバブリングして系内を窒素で置換した。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（東京化成（株）製：試薬）０．４１ｇを加え、オイルバス中８０℃で１０時間加熱攪拌を行った後室温まで冷却した。
析出した反応混合物を吸引ろ過で回収し、固体をエタノールに懸濁させて洗浄した。得られた粗体をクロロホルムに懸濁させて加熱し、不溶物をひだ折りろ紙でろ過した。ろ液を濃縮して得られた結晶をメタノールで洗浄後吸引ろ過により回収した。1Ｈ−ＮＭＲから得られた結晶が１，６−ビス（４−トリフルオロメチルフェニル）ピレンであることを確認した。ＬＣ分析では１，６−ビス（４−トリフルオロメチルフェニル）ピレンが１成分であり、純度は９９．１％であった。また、収量は１．５９ｇ、収率は４６．６％、１，６−異性体含有割合が９３．２％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，６−（４−トリフルオロメチルフェニル）ピレン…δ８．２６（ｄ，２Ｈ、，Ｊ＝７．６０）、８．１４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２０）、８．０９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．６０）、７．９９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４０）、７．８５（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．００）、７．７７（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．００）
（製造例３）［ビス（ｐ−ブチルフェニル）ピレン（化合物４）の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コック、温度計、回転子を備えた２００ｍｌの三口フラスコに１，６−ジブロモピレン、１，８−ジブロモピレンの１：１混合物３．０１ｇ、ｐ−ブチルフェニルホウ酸（和光純薬（株）製：試薬）４．５０ｇ（ジブロモピレンに対して３．０当量）、Ｎａ2ＣＯ3（関東化学（株）製：試薬）５．３０ｇを入れ、トルエン（純正化学（株）製：試薬）５０ｍｌ、エタノール（純正化学（株）製：試薬）２０ｍｌ、脱塩水１０ｍｌを加えてに懸濁させた。この懸濁液を減圧下で脱気し、窒素で常圧に戻す操作を５回繰り返し、さらに反応混合物を窒素でバブリングして系内を窒素で置換した。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（東京化成（株）製：試薬）０．５０ｇを加え、オイルバス中８０℃で１１時間加熱攪拌を行った後室温まで冷却した。
反応液にクロロホルム、脱塩水１００ｍｌを加えて分液した後、水層をさらにクロロホルムで抽出した。有機層を合わせて無水硫酸マグネシウムで乾燥し、乾燥剤除去後濃縮して得た粗体をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ2、クロロホルム）で無機物を除去し、白色個体を得た。
得られた個体をイソプロピルアルコールで加熱懸洗して、熱ろ過により不溶分をろ別し、さらにろ液から析出した結晶を回収し、これを合わせてエタノールで加熱懸洗を行ない、白色結晶を得た。1Ｈ−ＮＭＲから得られた結晶が１，６−ビス（４−ブチルフェニル）ピレンであることを確認した。ＬＣ分析では１，６−ビス（４−ブチルフェニル）ピレンの他、１，８−ビス（４−ブチルフェニル）ピレンが確認され、この面積比は１，６−体：１，８−体＝９８．０：２．０であった。また、収量は０．９９ｇ、収率は２５．２％、１，６−異性体含有割合が５０．４％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，６−（４−ブチルフェニル）ピレン…δ８．２２（ｄ，２Ｈ、，Ｊ＝９．２０）、８．１９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０）、８．０４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．８０）、７．９９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０）、７．５６（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．４０）、７．３９（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．４０）、２．７８（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝８．００）、１．７７（ｍ，４Ｈ）、１．５１（ｍ，４Ｈ）、１．０２（ｔ，６Ｈ，Ｊ＝７．２０）
（製造例４）［ビス（ビフェニル）ピレン（化合物５）の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コック、温度計、回転子を備えた２００ｍｌの三口フラスコに１，６−ジブロモピレン、１，８−ジブロモピレンの１：１混合物２．８８ｇ、４−ビフェニルホウ酸（和光純薬（株）製：試薬）４．７５ｇ、Ｎａ2ＣＯ3（関東化学（株）製：試薬）５．１０ｇを入れ、トルエン（純正化学（株）製：試薬）１１０ｍｌ、エタノール（純正化学（株）製：試薬）２０ｍｌ、脱塩水１０ｍｌを加えて懸濁させた。この反応液の系内を窒素で置換した。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（東京化成（株）製：試薬）０．４６ｇを加え、オイルバス中８０℃で１１時間加熱攪拌を行った後室温まで冷却した。反応液をろ過し、得られた個体をトルエンで再結晶を２回繰り返すことにより黄色結晶を０．８６ｇ得た。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，６−ビス（４，４’―ビフェニル）ピレン…δ８．２８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．６０）、８．２３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０）、８．０８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．６）、８．０４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０）、７．８１（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．４）、７．７６−７．７３（ｍ，８Ｈ）、７．５４−７．５０（ｍ，４Ｈ）、７．３４−７．３６（ｍ，２Ｈ）
（製造例５）［ビス（スチリル）ピレン（化合物６）の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コック、温度計、回転子を備えた２００ｍｌの三口フラスコに１，６−ジブロモピレン、１，８−ジブロモピレンの１：１混合物３．０９ｇ、スチリルホウ酸（アルドリッチ）４．８８ｇ、Ｎａ2ＣＯ3（関東化学（株）製：試薬）３．３５ｇを入れ、トルエン（純正化学（株）製：試薬）１１０ｍｌ、エタノール（純正化学（株）製：試薬）２０ｍｌ、脱塩水１０ｍｌを加えて懸濁させた。この反応液の系内を窒素で置換し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（東京化成（株）製：試薬）０．４６ｇを加え、オイルバス中８０℃で１１時間加熱攪拌を行った後室温まで冷却した。反応液をろ過し、得られた個体をトルエンで再結晶を２回繰り返すことにより黄色結晶を０．５１ｇ得た。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，６−ビススチリルピレン…δ８．４８（ｄ，２Ｈ、，Ｊ＝８．８０）、８．３２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０）、８．１９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１５．６）、８．１８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０）、８．１１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．６）、７．６９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４）、７．４７−７．４３（ｍ，４Ｈ），７．３８−７．３４（ｍ，４Ｈ）
（製造例６）［ビス（２−ナフチル）ピレン（化合物７）の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コック、温度計、回転子を備えた２００ｍｌの三口フラスコに１，６−ジブロモピレン、１，８−ジブロモピレンの１：１混合物３．６０ｇ、２−ナフチルホウ酸（アルドリッチ社製）５．１６ｇ、Ｎａ2ＣＯ3（関東化学（株）製：試薬）６．３６ｇを入れ、トルエン（純正化学（株）製：試薬）１２０ｍｌ、エタノール（純正化学（株）製：試薬）２５ｍｌ、脱塩水１４ｍｌを加えて懸濁させた。この反応液の系内を窒素で置換し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（東京化成（株）製：試薬）０．５８ｇを加え、オイルバス中８０℃で１１時間加熱攪拌を行った後室温まで冷却した。反応液をろ過し、得られた個体をトルエンで再結晶をおこなうことにより黄色結晶を１．５ｇ得た。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
δ８．２５（ｄ，２Ｈ、，Ｊ＝８．８０）、８．１７（ｄ、４Ｈ，Ｊ＝３．２），８．１０（ｄ、４Ｈ，Ｊ＝８．８０），８．００（ｄ、２Ｈ，Ｊ＝８．４），７．９５−８．００（ｍ，４Ｈ）、７．８０（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．０，８．４）、７．５５−７．６５（ｍ，４Ｈ）
（製造例７）［１，６−ビス（ｐ−ブチルスチリル）ピレン（化合物８）の製造］
Figure 2008101182
２００ｍｌ三口フラスコに滴下ロート、窒素ライン接続三方コック、回転子をつけ、系内を減圧乾燥、窒素置換の操作を５回行った。反応器へ１，６−ジホルミルピレン、１，８−ジホルミルピレンの１：１混合物１．５１ｇ、ｐ−ブチルベンジルホスホン酸４．１４ｇを入れ、再度窒素置換をした後乾燥ＤＭＦ（関東化学（株）製：試薬）１００ｍｌを加えて室温で攪拌を行った。滴下ロートから５Ｎ−ＮａＯＭｅ／メタノール溶液（東京化成（株）製：試薬）４．４ｍｌを滴下し、滴下終了後からオイルバス中で内温８０℃で１０時間加熱を行った。
反応終了後析出した針状結晶を吸引ろ過で回収し、これをメタノールで懸洗して薄黄色の結晶を得た。回収した粗結晶をトルエンから再結晶し、薄黄色の結晶を得た。この再結晶のろ液は濃縮後別途トルエンから再結晶を行ない、薄黄色の結晶を得た。1Ｈ−ＮＭＲ
から、得られた結晶両方が１，６−ビス（ｐ−ブチルスチリル）ピレンであることを確認した。ＬＣ分析では１，６−ビス（４−ブチルスチリル）ピレンのほか、１，８−ビス（４−ブチルスチリル）ピレンが確認され、この面積比は１，６−体：１，８−体＝９９．８：０．２であった。また、収量は０．８２ｇ、収率は２７．０％、１，６−異性体含有割合は５４．０％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，６−ビス（ｐ−ブチルスチリル）ピレン…δ８．４７（ｄ，２Ｈ、８．８０）、８．３１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０）、８．１８−８．１３（ｍ，４Ｈ）、８．１１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２０）、７．６１（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．００）、７．３５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１５．６０）、７．２６（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．００）、２．６８（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝７．６０）、１．６９−１．６１（ｍ，４Ｈ）、１．４５−１．３５（ｍ，４Ｈ）、０．９８（ｔ，６Ｈ，Ｊ＝７．２０）
（製造例８）［１，６−ビス（４−トリフルオロメチルスチリル）ピレン（化合物９）の製造］
Figure 2008101182
２００ｍｌ三口フラスコに滴下ロート、窒素ライン接続三方コック、回転子をつけ、系内を減圧乾燥、窒素置換の操作を５回行った。反応器へ１，６−ジホルミルピレン、１，８−ジホルミルピレンの１：１混合物１．５０ｇ、ｐ−トリフルオロメチルベンジルホスホン酸３．８０ｇを入れ、再度窒素置換をした後乾燥ＤＭＦ（関東化学（株）製：試薬）１００ｍｌを加えて室温で攪拌を行った。滴下ロートから５Ｎ−ＮａＯＭｅ／メタノール溶液（東京化成（株）製：試薬）４．０ｍｌを滴下し、室温で５時間攪拌後、オイルバス中、内温８０℃で３時間加熱を行った。
反応終了後析出した固体を吸引ろ過で回収し、これをメタノールで懸洗して薄黄色の結晶を得た。回収した粗結晶をクロロホルムで加熱懸洗し、不溶固体を吸引ろ過で回収した。回収固体をトルエンから再結晶し、白色鱗片状の結晶を得た。1Ｈ−ＮＭＲから、得られた結晶が１，６−ビス（４−トリフルオロメチルスチリル）ピレンであることを確認した。ＬＣ分析では１，６−ビス（４−トリフルオロメチルスチリル）ピレン単一成分であることを確認した。また、収量は０．５０ｇ、収率は１６．１％、１，６−異性体含有割合は３２．２％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，６−ビス（４−トリフルオロメチルスチリル）ピレン…δ８．５１（ｄ，２Ｈ、８．８０）、８．３６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．００）、８．３２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１６．４０）、８．２３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．００）、８．１７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２０）、７．８０（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．００）、７．７０（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．００）、７．４０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１６．００）
（製造例９）［１，６−ビス（４’−ブチルスチルベン−４−イル）ピレン（化合物１０）の製造］
［原料中間体：１，６−ピレンビス（ピナコラートジボラン）の製造］
Figure 2008101182
１０００ｍｌ四つ口フラスコに滴下ロート、窒素ライン接続三方コック、低温温度計を取り付け、撹拌子を入れ、減圧下ヒートガンで加熱乾燥と窒素置換を５回繰り返し系内を窒素雰囲気とした。１，６−ジブロモピレン、１，８−ジブロモピレンの１：１混合物１４．４ｇ、乾燥ＴＨＦ（関東化学（株）製：試薬）３００ｍｌを入れ、反応器をドライアイス−アセトンバス中で−７０℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．０６Ｍ、関東化学（株）製：試薬）１００ｍｌを３０分掛けて滴下し、滴下終了から２時間−７０℃のまま保持しながら攪拌を継続した。Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ（関東化学（株）製：試薬）３５ｍｌを滴下ロートから１５分間で滴下した。この際発熱が確認され内温は−７０℃から−６０℃まで上昇した。Ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ滴下終了から３０分冷却条件下で攪拌を行ない、その後冷却用バスを外して徐々に室温に昇温し、終夜静置した。淡黄色の溶液中に白色結晶が析出しており、これを吸引ろ過でろ過を行った。１Ｎ−ＨＣｌ１０ｍｌと水１００ｍｌで結晶を撹拌し、得られた結晶を吸引ろ過で回収し、ウエットケーキを得た。得られたケーキをＴＨＦで懸洗し、減圧下乾燥した。1Ｈ−ＮＭＲから得られた黄色結晶が１，６−ピレンビス（ピナコラートジボラン）であることを確認した。また、収量は４．６ｇ、収率は２５．０％、１，６体含有割合が５０％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）
・・１，６−ピレンビス（ピナコラートジボラン）…δ９．１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２０）、８．５２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０）、８．１８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０）、８．１９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．２）、１．４９（ｓ，１２Ｈ）
［原料中間体：４−ブロモベンジルホスホン酸ジエチルの製造］
Figure 2008101182
１００ｍＬナスフラスコに窒素ライン接続三方コックを接続し、回転子を入れた。４−ブロモベンジルブロミド（アルドリッチ社製：試薬）１０．００ｇ、トリエチルホスファイト（和光純薬（株）製：試薬）２０ｍＬを入れてオイルバス中１００℃で４時間加熱攪拌を行った。ＴＬＣから原料が消失し、高極性の１成分が精製していることを確認した。
反応終了後、過剰に用いたトリエチルホスファイトを減圧下で留去し、留出物残渣として淡黄色透明油状物を得た。1Ｈ ＮＭＲから、この残渣が４−ブロモベンジルホスホン酸ジエチルと、残存したトリエチルホスファイトの混合物であることを確認した。また、収量は１５．３ｇ、収率は１２６％、純度は約８０％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）
・・４−ブロモベンジルホスホン酸ジエチル…δ７．４４（ｄ，２Ｈ、７．８１）、７．１９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４１）、４．０６（ｍ，４Ｈ）、３．１２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝２１．６２）、１．２７（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．２０）
［原料中間体：４−ブロモ−４’−ブチルスチルベンの製造］
Figure 2008101182
１００ｍＬ三口フラスコに回転子を入れ、滴下ロート、窒素ライン接続三方コック、温度計を取り付けた。４−ブチルベンズアルデヒド（東京化成（株）製：試薬）４．８９ｇ、４−ブロモベンジルホスホン酸ジエチル１０．０３ｇを入れ、反応器内部を窒素で置換した後乾燥ＤＭＦ（和光純薬（株）製：試薬）５０ｍＬを加えて室温で攪拌を行った。滴下ロートから、ナトリウムメトキシド／メタノール溶液（和光純薬（株）製：試薬）６．５ｍＬを２分間でゆっくり滴下し、滴下終了後からオイルバス中４０℃で４時間加熱攪拌を行った。
反応終了後、反応液に２００ｍＬの脱塩水と１００ｍＬのトルエンを加えて分液し、さらに水層をトルエン１００ｍＬで２回抽出した。有機層を合わせて濃縮し、ワックス状になった固体をヘキサンで懸洗し白色結晶を得た。1Ｈ−ＮＭＲからこの結晶が４−ブロモ
−４’−ブチルスチルベンである事を確認した。また、収量は６．１７ｇ、収率は６８．４％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）
・・４−ブロモ−４’−ブチルスチルベン…δ７．４７−７．３４（ｍ，６Ｈ）、７．１８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．１１）、７．１０（ｄ，１Ｈ、Ｊ＝１６．２０）、７．００（Ｊ＝１６．２０）、２．６３（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．５１）、１．６５−１．５５（ｍ，２Ｈ）、１．４０−１．３１（ｍ，２Ｈ）、０．９５（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．５１）
［１，６−ビス（４’−ブチルスチルベン−４−イル）ピレン（化合物１０）の製造］
Figure 2008101182
２００ｍＬ三口フラスコに回転子を入れ、還流冷却、窒素ライン接続三方コック、温度計を取り付けた。１，６−ピレンビス（ピナコラートジボラン）２．０１ｇ、４−ブロモ−４’−ブチルスチルベン４．２３ｇ、炭酸ナトリウム（和光純薬（株）製：試薬）２．８６ｇ、トルエン（和光純薬（株）製：試薬）５０ｍＬ、エタノール（和光純薬（株）製：試薬）２０ｍＬ、脱塩水５ｍＬを入れ、減圧脱気、窒素置換を５回行った後さらに混合物内に３０分間窒素を通気した。脱気操作後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（和光純薬（株）製：試薬）０．３０ｇを加えてオイルバス中８０℃で１４時間加熱攪拌を行った。
反応液に脱塩水１００ｍＬ、クロロホルム１００ｍＬを加えて分液し、さらに水層をクロロホルム５０ｍＬで２回抽出した。溶媒を留去し、加熱還流温度で抽出物をトルエンに溶解させて熱ろ過し、不溶の無機物を除去したろ液から析出した黄色固体を吸引ろ過で回収した。1Ｈ ＮＭＲからこの黄色結晶が１，６−ビス（４’−ブチルスチルベン−４−イル）ピレンである事を確認した。また、収量は２．０６ｇ、収率は６９．５％であった。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）
・・１，６−ビス（４’−ブチルスチルベン−４−イル）ピレン…δ８．２６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．３１）、８．２２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．１１）、８．０７（ｄ，２Ｈ、Ｊ＝９．３０）、８．０２（ｄ，２Ｈ、Ｊ＝７．８１）、７．７３（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．４１）、７．６６（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．４１）、７．５２（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．１１）、７．２２−７．２０（ｍ，８Ｈ）、２．６７（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝７．５１）、１．６９−１．６０（ｍ，４Ｈ）、１．４８−１．３２（ｍ，４Ｈ）、０．９８（ｔ，６Ｈ，Ｊ＝７．２０）
［２，７−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）ピレン（化合物１１）の製造］
Figure 2008101182
 アルゴン雰囲気下、２，７−ジブロモピレン（５０４ｍｇ，１．４ｍｍｏｌ）、１−（トリ−ｎ−ブチルスタニル）−４−ｎ−ヘキシルベンゼン（１．９０ｇ，４．２ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（９７ｍｇ，０．０８４ｍｍｏｌ）のトルエン（３５ｍｌ）溶液を１２０℃で２４時間加熱攪拌した。反応溶液をセライトろ過し、減圧下濃縮した後の結晶性生成物を、トルエン溶液から再結晶することにより乳白色板状晶の表題化合物（４８３ｍｇ，０．９２ｍｍｏｌ）を収率６６％で得た。
・1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）…δ８．３９（ｓ，４Ｈ），８．１３（ｓ，４Ｈ），７．８２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），７．３８（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），２．７２（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），１．７１（ｍ，４Ｈ），１．４５−１．３４（ｍ，１２Ｈ），０．９１（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ）．
・13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）…δ１４２．４３，１３８．９３，１３８
．９１，１３１．５８，１２９．２１，１２７．９７，１２３．８１，３５．８２，３１．９３，３１．６８，２９．２４，２２．８１，１４．３０．
［２，７−ビス［２−（６−ｎ−ヘキシル）ナフチル］ピレン（化合物１２）の製造］

Figure 2008101182
 アルゴン雰囲気下、２，７−ジブロモピレン（５０４ｍｇ，１．４ｍｍｏｌ）、２−（トリ−ｎ−ブチルスタニル）−６−ｎ−ヘキシルナフタレン（１．９２ｇ，３．８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（９７ｍｇ，０．０８４ｍｍｏｌ）のトルエン（３５ｍｌ）溶液を１２０℃で２４時間加熱攪拌した。反応溶液を減圧下濃縮し残渣をヘキサンで洗浄した後、トルエン溶液から再結晶することにより白色粉末状の表題化合物（３１５ｍｇ，０．５１ｍｍｏｌ）を収率３６％で得た。
・1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）…δ８．５４（ｓ，４Ｈ），８．３２（ｂｒ，２Ｈ），８．２０（ｓ，４Ｈ），８．０４（ｄｄ，Ｊ＝８．４／１．６Ｈｚ，２Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．９２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．７０（ｂｒ，２Ｈ），７．４２（ｄｄ，Ｊ＝８．４／１．２Ｈｚ，２Ｈ），２．８３（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），１．７５（ｍ，４Ｈ），１．４３−１．３３（ｍ，１２Ｈ），０．９１（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ）．
・13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）…δ１４１．０４，１３９．１３，１３８
．１１，１３３．０５，１３２．４７，１３１．７５，１２８．３３，１２８．２２，１２８．１３，１２６．７２，１２６．３６，１２６．２７，１２４．２１，３６．３６，３１．９４，３１．５２，２９．２１，２２．８０，１４．３０．
［２，７−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニルエチニル）ピレン（化合物１３）の製造］
Figure 2008101182
 アルゴン雰囲気下、２，７−ジブロモピレン（５０４ｍｇ，１．４ｍｍｏｌ）、１−エチニル−４−ｎ−ヘキシルベンゼン（６３４ｍｇ，３．４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（９７ｍｇ，０．０８４ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（８ｍｇ，０．０４２ｍｍｏｌ）、ジイソプロピルアミン（３４４ｍｇ，３．４ｍｍｏｌ）のトルエン（３５ｍｌ）溶液を１２０℃で２４時間加熱攪拌した。反応溶液を氷水に注ぎ、抽出した有機層を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下濃縮した残渣にジエチルエーテルを加えて結晶化することにより黄色粉末状の表題化合物（３３５ｍｇ，０．５９ｍｍｏｌ）を収率４２％で得た。
・1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）…δ８．３２（ｓ，４Ｈ），８．０４（ｓ，４Ｈ），７．５６（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），７．２２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），２．６５（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），１．６４（ｍ，４Ｈ），１．３８−１．２９（ｍ，１２Ｈ），１．ｅｅ（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），０．９０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ）．
・13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）…δ１４３．８４，１３１．８０，１３１
．３０，１２８．７２，１２８．２０，１２７．７４，１２３．９９，１２１．４８，１２０．４６，９０．５７，８９．４２，３６．１２，３１．８７，３１．３９，２９．１１，２２．７６，１４．２６．
［原料中間体：１，６−ビス（３−メチル−３−ヒドロキシ−１−エチニル）ピレンの製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コック、セプタムキャップを取り付けた５００ｍL三口フラスコに１，６−体、１，８−体混合比が４：６であるジブロモピレン１０．８０ｇ、ヨウ化銅（和光純薬工業（株）製：試薬、純度９５％）０．２１ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２）（和光純薬（株）製：試薬）０．５７ｇを入れ、反応器内を窒素で置換した。
シリンジでジエチルアミン（和光純薬工業（株）製：試薬、純度９９％）３００ｍLを加え、20分間溶液中に窒素を通気して脱気操作とした。脱気後、シリンジで２−メチル−３−ブチン−２−オール（和光純薬試薬、純度９８％）７．５ｍLを加え、オイルバス中５５℃で10時間加熱攪拌を行なった。
反応終了後、ロータリーエバポレーターで溶媒を減圧留去し、残渣をクロロホルム（和光純薬工業（株）製：試薬）で洗浄して白色固体を得た。1Ｈ−ＮＭＲからこの白色固体が１，６−ビス（３−メチル−３−ヒドロキシ−１−ブチニル）ピレンであることを確認した。収量４．２ｇ、収率：原料１，６−ジブロモピレンに対して９６％。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ） δ８．５２（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝９．１）、８．１２（ｍ、６Ｈ）、２．２０（ｓ、２Ｈ）、１．８１（ｓ、１２Ｈ）
［原料中間体：１，６−ジエチニルピレンの合成の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管を取り付け、回転子を入れた３００ｍＬナスフラスコに１，６−ビス（３−メチル−３−ヒドロキシ−１−ブチニル）ピレン４．２ｇ、水酸化ナトリウム（和光純薬工業（株）製：試薬、純度９６％）４．２ｇ、トルエン（和光純薬工業（株）製：試薬）１７０ｍＬを入れオイルバス中１０５℃で７０時間加熱攪拌を行なった。
反応終了後、熱時ろ過により不溶性固体を除去し、得られたろ液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮して赤色固体を得た。得られた固体をトルエンから再結晶し、赤色針状結晶を得た。1Ｈ−ＮＭＲからこの赤色針状結晶が１，６−ジエチニルピレンであることを確認した。収量１．７９ｇ、収率６０％。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ） δ８．６２（ｓ、２Ｈ）、８．１３−８．２２（ｍ、６Ｈ）、３．６４（ｓ、２Ｈ）
［原料中間体：１，６−ピレンビス（ビニルホウ酸カテコールエステル）の合成の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コックを取り付け、回転子を入れた１００ｍＬ二口フラスコに１，６−ジエチニルピレン２．１０ｇを入れ、反応器を窒素で置換した。シリンジで脱水トルエン（和光純薬工業（株）製：試薬）６０ｍＬ、カテコールボランＴＨＦ溶液（アルドリッチ試薬、濃度１Ｍ）２５ｍＬを加え、オイルバス中１１０℃で４０時間加熱攪拌を行なった。
反応で生成した固体を吸引ろ過で回収し、トルエン（和光純薬工業（株）製：試薬）で洗浄して黄色固体を得た。クロロホルムへの溶解度が低いためこの化合物の1Ｈ−ＮＭＲは測定を行なうことができなかった。収量２．６０ｇ、収率６４％。
［１，６−ビス（４−メチルスチリル）ピレン（化合物１４）の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コックを取り付け、回転子を入れた２００ｍＬ二口フラスコに１，６−ピレンビス（（Ｅ）−ビニルホウ酸カテコールエステル）１．３０ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（和光純薬工業（株）製：試薬）０．１５ｇ、炭酸ナトリウム（和光純薬工業（株）製：試薬、純度９９．５％）１．７０ｇを入れて系内を窒素で置換した。この反応器へトルエン（和光純薬工業（株）製：試薬）６０ｍＬ、エタノール（和光純薬工業（株）製：試薬）２４ｍＬ、脱塩水６ｍＬを加え、溶液中に窒素を３０分間通気して脱気操作とした。ｐ−ブロモトルエン（和光純薬工業（株）製：試薬、純度９５％）１．０ｍＬをシリンジで加え、オイルバス中９０℃で１２時間加熱攪拌を行なった。
反応終了後溶媒をロータリーエバポレーターで減圧留去し、残渣を熱トルエンに溶解させ、セライト（和光純薬工業（株）製：試薬）、フローリジル（和光純薬工業（株）製：試薬）を通して無機物、不溶成分を除去した。ろ液を濃縮後、ｏ−ジクロロベンゼン（和光純薬工業（株）製：試薬）から再結晶を行い、赤色の結晶を得た。1Ｈ−ＮＭＲからこの赤色結晶が１，６−ビス（４−メチルスチリル）ピレンであることを確認した。収量０．６６ｇ、収率５７％。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、２７０ＭＨｚ） δ８．４８（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝９．２）、８．３１（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝７．８）、８．１７（ｄ、４Ｈ、Ｊ＝８．１０）、８．１５（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝１５．７）、８．１１（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝９．５）、７．５９（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．１）、７．３３（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．１）、７．２５（４Ｈ、ｄ）、２．４１（６H、ｓ）
［１，６−ビス（４−エチルスチリル）ピレン（化合物１５）の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コックを取り付け、回転子を入れた２００ｍＬ二口フラスコに１，６−ピレンビス（（Ｅ）−ビニルホウ酸カテコールエステル）２．００ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（和光純薬工業（株）製：試薬）０．２４ｇ、炭酸ナトリウム（和光純薬工業（株）製：試薬、純度９９．５％）２．６０ｇを入れて系内を窒素で置換した。この反応器へトルエン（和光純薬工業（株）製：試薬）１００ｍＬ、エタノール（和光純薬工業（株）製：試薬）４０ｍＬ、脱塩水１０ｍＬを加え、溶液中に窒素を３０分間通気して脱気操作とした。ｐ−ブロモエチルベンゼン（和光純薬工業（株）製：試薬）１．７ｍＬをシリンジで加え、オイルバス中９０℃で６時間加熱攪拌を行なった。
反応終了後溶媒をロータリーエバポレーターで減圧留去し、残渣を熱トルエンに溶解させ、セライト（和光純薬工業（株）製：試薬）、フローリジル（和光純薬工業（株）製：試薬）を通して無機物、不溶成分を除去した。ろ液を濃縮後、トルエン（和光純薬工業（株）製：試薬）から再結晶を行い、黄色結晶を得た。1Ｈ−ＮＭＲからこの黄色結晶が１，６−ビス（４−エチルスチリル）ピレンであることを確認した。収量１．１２ｇ、収率５８％。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ） δ８．４７（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝９．６）、８．３１（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．４）、８．１７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝８．０）、８．１６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝１６．８）、８．１０（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝９．２）、７．６２（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．０）、７．３４（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝１６．０）、７．２６（４Ｈ、ｄ）、２．７０（４Ｈ、ｍ）、１．２９（ｔ、６Ｈ、Ｊ＝８．０）
［１，６−ビス（４−プロピルスチリル）ピレン（化合物１６）の製造］
Figure 2008101182
還流冷却管、窒素ライン接続三方コックを取り付け、回転子を入れた２００ｍＬ二口フラスコに１，６−ピレンビス（（Ｅ）−ビニルホウ酸カテコールエステル）２．００ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（和光純薬工業（株）製：試薬）０．２４ｇ、炭酸ナトリウム（和光純薬工業（株）製：試薬、純度９９．５％）２．６０ｇを入れて系内を窒素で置換した。この反応器へトルエン（和光純薬工業（株）製：試薬）１００ｍＬ、エタノール（和光純薬工業（株）製：試薬）４０ｍＬ、脱塩水１０ｍＬを加え、溶液中に窒素を３０分間通気して脱気操作とした。ｐ−ブロモプロピルベンゼン（和光純薬工業（株）製：試薬）１．９ｍＬをシリンジで加え、オイルバス中９０℃で６時間加熱攪拌を行なった。
反応終了後溶媒をロータリーエバポレーターで減圧留去し、残渣を熱トルエンに溶解させ、セライト（和光純薬工業（株）製：試薬）、フローリジル（和光純薬工業（株）製：試薬）を通して無機物、不溶成分を除去した。ろ液を濃縮後、トルエン（和光純薬工業（株）製：試薬）から再結晶を行って黄色結晶を得た。1Ｈ−ＮＭＲからこの黄色結晶が１，６−ビス（４−プロピルスチリル）ピレンであることを確認した。収量１．２７ｇ、収率６３％。
・1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ） δ８．４６（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．８）、８．３０（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝７．６）、８．１５（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝８．８）、８．１４（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝１５．２）、８．０９（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝９．２）、７．６０（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．４）、７．３３（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝１６．４）、７．２５（４Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．０）、２．６４（４Ｈ、ｔ、Ｊ＝７．５９）、１．６９（ｍ、４Ｈ、Ｊ＝７．６）、０．９９（６Ｈ、ｔ、Ｊ＝７．２０）
（キャリア移動度、Ｏｎ／Ｏｆｆ比、ＥＬ発光効率、ＰＬ発光効率の測定・算出）
キャリア移動度、ＥＬ発光効率、ＰＬ発光効率は以下のようにして測定・算出した。
［キャリア移動度μ（ｃｍ2／Ｖs）］
トランジスタ素子のドレイン電圧（Ｖd）とドレイン電流の関係式は次式［１］で表さ
れ、直線的に増加する（直線領域）。
Figure 2008101182
また、Ｖdが大きくなると、チャネルのピンチ・オフによりＩdは飽和して一定の値となり（飽和領域）、Ｉdは次式［２］で表される。
Figure 2008101182
なお、上記式［１］［２］の各符号は、下記の通りである。
Ｌ ：チャネル長［ｃｍ］
Ｗ ：チャネル幅［ｃｍ］
Ｃi：ゲート絶縁膜の単位面積当たりの静電容量［Ｆ／ｃｍ2］
μsat：飽和領域における移動度［ｃｍ2／Ｖｓ］
Ｉd：ドレイン電流［Ａ］
Ｖd：ドレイン電圧［Ｖ］
Ｖg：ゲート電圧［Ｖ］
ＶT：ゲート閾値電圧［Ｖ］ （これは、飽和領域におけるドレイン電圧（Ｖd）が一定の下でドレイン電流の１／２乗（Ｖdsat 1/2）をゲート電圧（Ｖg）に対してプロットし、漸近線が横軸と交わる点を示す。）
この飽和領域におけるＩd 1/2とＶｇの関係から、トランジスタ素子中の移動度（μ）を求めることができる。
本発明では、圧力を真空度〜５×１０-3Ｐａ、温度を室温とする条件の下、半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ，ＨＰ４１５５Ｃ）を用いて、ドレイン電圧を１０Ｖから−１００Ｖまで、−１Ｖステップで、ゲート電圧を０Ｖから−１００Ｖまで、−２０Ｖステップで操作し、上式（２）を用いて移動度を算出した。
［Ｏｎ／Ｏｆｆ比］
上記キャリア移動度の測定におけるゲート電圧−１００Ｖにおける最大Ｉｄ（Ｉｏｎ）と、ゲート電圧０Ｖにおける最小Ｉｄ（Ｉｏｆｆ）との比として算出した。
［Ｖth及びＥＬ発光効率の測定］
Ｖthは、ＥＬ発光開始時の電圧を表す。Ｖth及びＥＬ発光効率ηextは、トランジスタ素子を用いて、ドレイン電圧を１０Ｖから−１００Ｖまで、−１Ｖステップで、ゲート電圧を０Ｖから−１００Ｖまで、−２０Ｖステップで操作し、素子から発せられる発光をフォトンカウンター（Ｎｅｗｐｏｒｔ社製：４１５５Ｃ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ Ａｎａｌｙｚｅｒ）によって測定し、発光開始時の電圧（Ｖth）を算出した。さらに、そこで得られた光子数［ＣＰＳ］を下記式［３］を用いて光束［ｌｗ］に変換後、下記式［４］を用いてＥＬ発光効率ηextを算出した。
Figure 2008101182
Figure 2008101182
なお、上記式［３］［４］の各符号は、下記の通りである。
ＮPC ：フォトンカウンター（ＰＣ）によって観測した光子数［ＣＰＳ］
ＸPC ：光子数を光束［ｌｗ］に変換した値
ｒ ：円錐又は円の半径［ｃｍ］
ｈ ：フォトンカウンターとサンプルの距離［ｃｍ］
（ＰＬピーク及びＰＬ発光効率）
ＰＬのピーク及び発光効率は、本発明のトランジスタ材料を窒素雰囲気下において石英基板上に１００ｎｍ蒸着し単層膜を形成したあと、積分球（ＩＳ−０６０、Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ Ｃｏ．）を用いて、励起光として波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ（ＩＫ５６５１Ｒ−Ｇ、Ｋｉｍｍｏｎ ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏ．）を照射し、サンプルからの発光Ｍｕｌｔｉ−ｃｈａｎｎｅｌ ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ（ＰＭＡ−１１、Ｈａｍａｍａｔｓｕ ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｃｏ．）を測定することにより算出した。
（ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギーレベルの測定）
石英基板上に１００ｎｍ蒸着した単層膜を形成した後、ＡＣ−１（理研計器（株）製）を用いて測定することにより、ＨＯＭＯエネルギーを算出した。ＬＵＭＯエネルギーは、化合物の１０-5Ｍトルエン溶液を調液し、日立分光光度計（（株）日立製作所製：ＵＶ−３５００）を用いて、バンドギャップを測定した後、ＨＯＭＯエネルギーに加えることにより、ＬＵＭＯエネルギーを算出した。
（実施例１〜１５、比較例１）
下記の条件下、図２３、図２４に示す発光トランジスタ素子を製造した。
・絶縁膜５…シリコン基板上に、３００ｎｍの酸化シリコン膜を蒸着形成させ絶縁膜とした。
・ソース電極２及びドレイン電極３…それぞれ２０本の櫛歯からなる櫛歯形状部を有する電極（Ａｕ、厚さ４０ｎｍ）を形成し、図２４に示すように、それぞれの櫛歯形状部が交互に配されるように、絶縁膜５の上に配置した。このとき、絶縁膜５と両電極との間にクロムからなる層（１ｎｍ）を設けた。また、このときのチャネル部（それぞれの櫛歯形状部間）の幅を２５μｍ、長さを４ｍｍとした。
・発光層１…上記各製造例で製造された化合物１、２、４、５、６、７、８、１１から選ばれるトランジスタ材料を、絶縁膜、ソース電極２及びドレイン電極３の周囲に覆うように蒸着することにより、発光層１を形成した。
得られた素子について、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギーレベルの比、ＥＬ発光効率、キャリア移動度、ＰＬピーク、Ｖthを上記測定方法により測定した。また、各化合物からなるトランジスタ材料を用いて、上記測定方法により、ＰＬ発光効率を測定した。結果を表１に示す。
なお、表１中のＨＭＤＳ処理とは、下記の操作Ａを行ったものをいう。
・操作Ａ：ソース電極２及びドレイン電極３を形成した後の基板を、ＵＶオゾン処理し、表面処理剤であるＨＭＤＳを塗布して２分間置いた。その後、エアーでＨＭＤＳの残渣を取り除き、真空下で発光層に用いる化合物を蒸着した。
（比較例１）
発光層に用いる化合物として、下記式（６）で示される比較化合物１を用いたこと以外は、実施例１と同様にして素子を作成した。得られた素子について、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギーレベルの比、ＥＬ発光効率、キャリア移動度、ＰＬピーク、Ｖthを上記測定方法により測定した。また、比較化合物１からなるトランジスタ材料を用いて、上記測定方法により、ＰＬ発光効率を測定した。結果を表１に示す。
Figure 2008101182
Figure 2008101182
（結果）
以上の結果から、実施例に用いた化合物を使用した素子は、キャリア移動度が高いことがわかった。また、実施例１、４の化合物は、比較例１の化合物とキャリア移動度は同等であるが、ＰＬ発光効率は非常に高いことがわかった。
また、ＨＭＤＳ処理の有無の比較より、ＨＭＤＳで処理することにより、移動度が向上することがわかった。
さらに、実施例１０、１３〜１５を対比したとき、アルキル基の中でもメチル基の移動度が高く、ＰＬ発光効率及びＥＬ発光効率も向上している。アルキル基をメチル基にすることにより、昇華による精製を行うことがより容易となり、より高純度化できることも利点の一つである。
（実施例１６〜１９、比較例２）
上記製造例で製造された化合物１０，１４〜１６から選ばれるトランジスタ材料にＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（１９５２），７４，１０７５、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（１９９６），１１８，２３７４に記載の方法で製造したペリフランテン（下記式（７）で示される化合物）を１ｗｔ％ドープした以外は実施例１１と同様の方法で素子を作成し、評価をおこなった。結果を表２に示す。
Figure 2008101182
Figure 2008101182
（結果）
実施例１６〜１９は、比較例２に比べて移動度がいずれも２桁向上しており、駆動電圧を大きく減少させることが可能となった。さらに、発光効率も化合物単体での発光効率に比べて１桁以上高くなっていることから、本願発明の化合物の励起エネルギーがゲスト材料へ効率よくエネルギー移動しており、本発明化合物が発光層でのホスト材料としても利用出来ることが分かった。
ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式
ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式 ピレン系有機化合物のＸ及びＹの例を示す化学式
この発明にかかる発光トランジスタ素子の例を示す断面図 ソース電極及びドレイン電極の構成を示す平面図 （ａ）（ｂ）（ｃ）発光トランジスタ素子の発光のメカニズムを示す模式図 この発明にかかる発光トランジスタ素子を用いた表示装置の例を示す電機回路図 異なる波長を有する有機蛍光体の例を示す化学式
１ 発光層
２ ソース電極
２ａ 櫛歯形状部
３ ドレイン電極
３ａ 櫛歯形状部
４ ゲート電極
５ 絶縁膜
１０ 発光トランジスタ素子
１１ 正孔チャネル
１２ ピンチオフ点
２０ 基板
２１ 表示装置
２２ 走査線駆動回路
２３ データ線駆動回路
２４ コントローラ
Ｓ ソース電極
Ｄ ドレイン電極
Ｇ ゲート電極
Ｃ キャパシタ
Ｔｓ 選択トランジスタ
Ｐ１１，Ｐ１２ 画素
ＬＳ１，ＬＳ２ 走査線
ＬＤ１，ＬＤ２ データ線

Claims (9)

  1. 下記式（１）又は式（２）で表される化合物からなるトランジスタ材料。
    Figure 2008101182
    Figure 2008101182
     （式（１）及び式（２）中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい芳香族複素環基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアルキニル基から選ばれる基を示す。また、上記のＸ及びＹが有していてもよい置換基は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、アミノ基、ボリル基、シリル基、シアノ基、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基である。また、式（１）及び式（２）で表される化合物が一分子中に有するピレン環は、１つである。）
  2. 上記式（１）が、下記式（１−１）乃至式（１−３）のいずれかで表される請求項１に記載のトランジスタ材料。
    Figure 2008101182
    Figure 2008101182
    Figure 2008101182
     （上記の式（１−１）から式（１−３）におけるＸ及びＹは、上記式（１）のＸ及びＹと同義である。また、式（１−１）から式（１−３）で表される化合物が一分子中に有するピレン環は、１つである。）
  3. 上記式（２）が、下記式（２−１）乃至式（２−３）のいずれかで表される請求項１に記載のトランジスタ材料。
    Figure 2008101182
    Figure 2008101182
    Figure 2008101182
     （上記の式（２−１）から式（２−３）におけるＸ及びＹは、上記式（２）のＸ及びＹと同義である。また、式（２−１）から式（２−３）で表される化合物が一分子中に有するピレン環は、１つである。）
  4. 請求項１乃至３のいずれかに記載のトランジスタ材料を用いた発光トランジスタ材料。
  5. キャリアとしての正孔及び電子を輸送可能であり、請求項４に記載の発光トランジスタ材料を主構成成分とする、正孔及び電子の再結合により発光を生じる発光層、この発光層に正孔を注入する正孔注入電極、上記発光層に電子を注入する電子注入電極、並びに、上記正孔注入電極及び電子注入電極に対向し、上記発光層内のキャリアの分布を制御するゲート電極を含有する発光トランジスタ素子。
  6. 上記正孔注入電極及び電子注入電極は、それぞれ複数の櫛歯からなる櫛歯形状部を有し、かつ、上記正孔注入電極の櫛歯形状部を構成する櫛歯と、電子注入電極の櫛歯形状部を構成する櫛歯とを、所定間隔を開けて交互に配置した請求項５に記載の発光トランジスタ素子。
  7. 下記式（３）で表されるピレン系有機化合物。
    Figure 2008101182
     （式（３）中、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、ピレン環以外の芳香族炭化水素基、あるいは芳香族複素環基を表す。Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数２〜２０の置換基を有してもよいアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシル基を表し、Ａｒ1及びＡｒ2に１つ以上有することを特徴とする。さらに、上記の有しても良い置換基は、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基である。）
  8. 下記式（４）で表されるピレン系有機化合物。
    Figure 2008101182
     （式（４）中、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、ピレン環以外の芳香族炭化水素基、あるいは芳香族複素環基を表す。Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数２〜２０の置換基を有してもよいアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシル基を表し、Ａｒ1及びＡｒ2に１つ以上有することを特徴とする。さらに、上記の有しても良い置換基は、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基である。）
  9. 下記式（５）で表されるピレン系有機化合物。
    Figure 2008101182
     （式（５）中、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、ピレン環以外の芳香族炭化水素基、あるいは芳香族複素環基を表す。Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数２〜２０の置換基を有してもよいアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシル基を表し、Ａｒ1及びＡｒ2に１つ以上有することを特徴とする。さらに、上記の有しても良い置換基は、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基、炭素数４〜３６の芳香族複素環基、及びハロゲン原子から選ばれるいずれかの基である。）
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