JP2008198930A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】
基板処理装置に於いて、基板保持具が垂下された昇降軸で片持支持された場合に、振動、揺れを抑制し、基板移載時の搬送、移載精度の向上を図る。
【解決手段】
基板保持具４に保持された基板を収納し、処理する処理室６と、該処理室下方に連設される予備室９と、前記基板保持具を支持し、前記処理室を閉塞する炉口蓋１２と、該炉口蓋を支持する炉口蓋支持部２２と、該炉口蓋支持部を支持する昇降軸２１と、該昇降軸を吊下げ支持しつつ昇降させる昇降手段１４と、前記基板保持具に基板を搬入出する基板移載手段２９とを備え、前記基板保持具に基板を搬入出する際に、前記炉口蓋支持部の振動を抑制する振動抑制手段を前記予備室内に設けた。
【選択図】 図１

Description

本発明はシリコンウェーハ等の被処理基板に対して、ＣＶＤ、ドライエッチング、スパッタ等所要の処理を行う基板処理装置に関し、特に処理室に連設された予備室を具備する基板処理装置及び該基板処理装置による半導体装置の製造方法に関するものである。

シリコンウェーハ等の基板にＣＶＤ、ドライエッチング、スパッタ等所要の処理を行い半導体装置を製造する装置として基板処理装置があり、基板処理装置には基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、或は所定枚数を一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがある。

バッチ式の基板処理装置では所定数の基板（以下、ウェーハ）が基板保持具（以下、ボート）に水平姿勢で多段に保持され、該ボートをボート装脱手段（以下、ボートエレベータ）により処理室に装入、引出しする様にし、前記ボートエレベータにより前記ボートを前記処理室に収納させ、ウェーハを前記ボートに保持させた状態で、所要の処理を行い、処理後は前記ボートエレベータにより前記ボートを前記処理室から引出している。

前記ボートエレベータを予備室内に設けた場合、潤滑剤から発生した有機物質によるウェーハの有機汚染、或はボートエレベータ摺動部から発生するパーティクルによる汚染が問題となるところから、特許文献１に示される様にボートエレベータの機構部が予備室外に設けられた基板処理装置がある。

前記ボートエレベータの機構部が前記予備室外に設けられた場合、前記機構部は前記予備室の天井部を貫通する昇降軸により前記ボートが支持される。前記昇降軸は構造上上端を支持されるので、片持支持となり、剛性の低下は免れなく、更に下端に重量の大きいボート支持台、ボートを支持することとなるので、前記昇降軸は横荷重が作用した場合に揺易い。この為、ボートエレベータの昇降時等、基板処理装置の機構部の振動の影響による揺れが生じ易い。又基板処理装置の設置状態によっては、基板処理装置が床からの振動等を受ける場合もあり、前記昇降軸に支持されたボートはやはり揺易くなる。

一方、前記ボートへのウェーハの移載、払出しは、前記ボートが前記ボートエレベータに支持された状態で実行され、ウェーハの移載、払出し状態で、前記ボートが振動、揺れを起した場合、移載したウェーハに位置ずれを生じる。この為、搬送、移載精度の信頼性が損われる。

特開２００５−２５９７５２号公報

本発明は斯かる実情に鑑み、ボートが垂下された昇降軸で片持支持された場合に、振動、揺れを抑制し、ウェーハ移載時の搬送、移載精度の向上を図るものである。

本発明は、基板保持具に保持された基板を収納し、処理する処理室と、該処理室下方に連設される予備室と、前記基板保持具を支持し、前記処理室を閉塞する炉口蓋と、該炉口蓋を支持する炉口蓋支持部と、該炉口蓋支持部を支持する昇降軸と、該昇降軸を吊下げ支持しつつ昇降させる昇降手段と、前記基板保持具に基板を搬入出する基板移載手段とを備え、前記基板保持具に基板を搬入出する際に、前記炉口蓋支持部の振動を抑制する振動抑制手段を前記予備室内に設けた基板処理装置に係るものである。

本発明によれば、基板保持具に保持された基板を収納し、処理する処理室と、該処理室下方に連設される予備室と、前記基板保持具を支持し、前記処理室を閉塞する炉口蓋と、該炉口蓋を支持する炉口蓋支持部と、該炉口蓋支持部を支持する昇降軸と、該昇降軸を吊下げ支持しつつ昇降させる昇降手段と、前記基板保持具に基板を搬入出する基板移載手段とを備え、前記基板保持具に基板を搬入出する際に、前記炉口蓋支持部の振動を抑制する振動抑制手段を前記予備室内に設けたので、基板移載時の炉口蓋支持部、即ち基板保持具の振動、揺れが防止され、基板の移載精度が向上すると共に基板と基板保持具との干渉が避けられる等の優れた効果を発揮する。

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。

図１〜図４により、本発明に係る基板処理装置の概略を説明する。

図１に示す様に、処理炉５は、処理室６を画成する反応管７、該反応管７を囲繞するヒータユニット８から成り、前記反応管７の下方には予備室９が気密に連設されている。前記反応管７下端の炉口部１１は後述する炉口蓋１２によって気密に閉塞されると共に前記炉口部１１は炉口ゲートバルブ１３によって開閉され、ボート４の降下状態では前記炉口ゲートバルブ１３によって気密に閉塞される様になっている。

前記予備室９の上面にはボートエレベータ１４が設けられ、前記予備室９内に収納されたボート４を昇降する様になっている。

前記ボートエレベータ１４について説明する。

駆動部ボックス１５が設けられ、該駆動部ボックス１５はアクチュエータとして減速機を備えた昇降モータ（図示せず）を具備している。

前記駆動部ボックス１５にガイドシャフト１６が立設され、該ガイドシャフト１６の上端に上基板１７が設けられている。前記駆動部ボックス１５と前記上基板１７間に掛渡って前記ガイドシャフト１６と平行に立設されたボール螺子（図示せず）が回転自在に設けられ、該ボール螺子は前記駆動部ボックス１５により回転される。前記ガイドシャフト１６には昇降ブロック１８が昇降自在に嵌合し、該昇降ブロック１８は前記ボール螺子に螺合している。

前記昇降ブロック１８にブラケット１９が設けられ、該ブラケット１９に気密な中空構造の昇降軸２１が前記予備室９の天板を非接触で貫通し、垂直下方に延出する様取付けられている。前記昇降軸２１の下端に炉口蓋支持部２２が取付けられている。該炉口蓋支持部２２は水平に延び、先端部上面には前記反応管７の前記炉口部１１を気密に閉塞する前記炉口蓋１２が取付けられ、該炉口蓋１２には前記ボート４が載置される。

前記昇降軸２１の貫通部は該昇降軸２１の昇降動に対して接触することがない様充分な余裕があり、又前記予備室９と前記ブラケット１９間には前記昇降軸２１の前記予備室９から突出する部分を覆うベローズ２３が気密に設けられ、該ベローズ２３は前記昇降ブロック１８の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、前記ベローズ２３の内径は前記昇降軸２１の外形に比べ充分に大きく前記ベローズ２３の伸縮で接触することがない様になっている。

前記炉口蓋支持部２２は気密な中空構造となっており、該炉口蓋支持部２２内にボート回転手段（図示せず）が設けられ、該ボート回転手段は前記炉口蓋１２を貫通するボート回転軸６０（図５参照）を有しており、該ボート回転軸６０を介して前記ボート４を回転可能となっている。

前記ボート回転手段に対する給電用のケーブル、駆動制御用のケーブル等は前記昇降軸２１を通して配線されている。又、前記炉口蓋１２、前記ボート回転手段のシールを冷却する為の冷却流路（図示せず）が形成されており、該冷却流路に冷却水を循環する為の冷却水配管（図示せず）も前記昇降軸２１内を通して配管されている。尚、前記冷却水配管はウェーハに対して金属汚染等汚染を起こさない金属等の材質が採用されている。

前記駆動部ボックス１５により前記ボール螺子が回転され、前記昇降ブロック１８が昇降し、前記ブラケット１９、前記昇降軸２１を介して前記炉口蓋支持部２２が前記予備室９内で昇降する。

前記ベローズ２３によって、前記予備室９の気密性が維持され、又前記ボートエレベータ１４の機構部が前記予備室９内部と完全に隔離される。従って、前記駆動部ボックス１５の駆動で前記炉口蓋支持部２２が昇降した場合、前記ボートエレベータ１４の機構部の潤滑油からの有機物が前記予備室９に浸入することがなく、又摺動部からの発塵で該予備室９の雰囲気が汚染されることがない。

前記炉口蓋支持部２２の昇降により、前記ボート４が前記処理室６に装脱され、前記炉口蓋支持部２２の最上位置では前記ボート４が前記処理室６に収納されると共に前記炉口蓋１２が前記炉口部１１を気密に閉塞する。

前記炉口蓋支持部２２の一端（前記予備室９の内壁面に対峙する側の端）にはローラ２６が回転自在に設けられ、前記予備室９の内壁面の下端部には支持機構（後述）を介して振動抑制片２４が設けられている。該振動抑制片２４及び支持機構（後述）は振動抑制手段２５を構成し、前記ローラ２６が前記振動抑制片２４に当接した状態で、前記ローラ２６と前記振動抑制片２４との間で所定の押圧力が作用する様にし、前記炉口蓋支持部２２の振動を抑制する。

前記予備室９の側壁には、基板搬送口２７が設けられ、該基板搬送口２７はゲートバルブ２８によって開閉される。

前記基板搬送口２７に対向して基板移載手段である基板移載機２９が配設される。該基板移載機２９は、ウェーハを支持するウェーハ支持プレート３１を具備し、該ウェーハ支持プレート３１は進退、回転、昇降可能となっている。

前記ボート４が前記予備室９内に収納された状態（ボート４の降下状態）で、前記基板搬送口２７を介して前記基板移載機２９により、前記ボート４へのウェーハの移載、前記ボート４からウェーハの払出しが行われる。

前記振動抑制手段２５について図２〜図４に於いて、更に説明する。尚、図２では、前記炉口蓋１２、及びその支持機構については省略している。

前記昇降軸２１の下端には水平方向に延出する前記炉口蓋支持部２２が設けられ、該炉口蓋支持部２２の前記昇降軸２１との連結部近傍（前記予備室９の内壁面に対峙した側の端部）には、前記炉口蓋支持部２２の両側面にそれぞれ第１ローラ固定部材３３を介して前記ローラ２６が取付けられる。

前記第１ローラ固定部材３３は、前記炉口蓋支持部２２の側面と平行な部位３３ａと、前記側面に対して垂直な部位３３ｂから成り、前記部位３３ａには水平方向に長い固定長孔３４が穿設され、該固定長孔３４を介してボルト３５によって前記炉口蓋支持部２２に固定され、前記部位３３ａに支持軸３６を介して前記ローラ２６が枢着されている。

前記第１ローラ固定部材３３の前記部位３３ｂに対向して第２ローラ固定部材３７が前記炉口蓋支持部２２に固定される。前記第２ローラ固定部材３７には前記部位３３ｂに当接する押し螺子３８が螺合されており、前記第１ローラ固定部材３３を仮止めした状態で、前記押し螺子３８により、前記第１ローラ固定部材３３の水平方向の位置調整が可能となっている。

前記振動抑制片２４は、抑制片固定金具３９を介して前記予備室９に取付けられる。前記抑制片固定金具３９は、前記予備室９の底面に平行な固定部３９ａ、前記予備室９の内壁面に平行な抑制片支持部３９ｂとを有し、前記固定部３９ａを介して前記予備室９の底面に固定され、前記抑制片支持部３９ｂに前記振動抑制片２４が固定支持される様になっている。

又、前記抑制片支持部３９ｂには壁面に対して垂直な調整螺子４１が螺合されており、該調整螺子４１を回転することで、前記抑制片支持部３９ｂからの突出量が変化し、前記振動抑制片２４の水平方向の位置が調整される様になっている。

該振動抑制片２４は、前記予備室９の内壁よりも高弾性を有し、又該予備室９内の雰囲気を汚染しない様な合成樹脂製の材質が用いられる。例えば、熱可塑性樹脂であればよいが、所定の硬度を有し、又摩擦抵抗の少ないものである、エンジニアリングプラスチック（ＰＰＥ（変形ポリフェニレンエーテル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＯＭ（ポリアセタール）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等）が使用される。特に好ましくは、ＰＥＥＫ（ピーク）材が使用される。又、前記振動抑制片２４の形状は、上部がテーパ状となった台形形状をしており、前記炉口蓋支持部２２が降下した場合に前記ローラ２６が円滑に前記振動抑制片２４に乗上げる様になっている。

次に、図５を参照して前記処理炉５ついて説明する。

外管（以下アウタチューブ４３）は例えば石英（ＳｉＯ2 ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管（以下インナチューブ４４）は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、前記アウタチューブ４３内に同心に配置されている。該アウタチューブ４３、前記インナチューブ４４により前記反応管７が構成され、該反応管７によって前記処理室６が画成される。

前記アウタチューブ４３と前記インナチューブ４４との間の空間は筒状空間４５を形成し、前記インナチューブ４４の上部開口から上昇したガスは、該インナチューブ４４の上端で折返し、前記筒状空間４５を流下して後述する排気管４６から排気される様になっている。

前記アウタチューブ４３及び前記インナチューブ４４の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド４７が設けられ、該マニホールド４７の上端に前記アウタチューブ４３が気密に立設され、前記マニホールド４７の内側中途部に前記インナチューブ４４が支持されている。前記マニホールド４７は保持手段（以下ヒータベース４８）に固定される。

前記マニホールド４７の下端開口部は、前記炉口部１１となっており、該炉口部１１は前記炉口蓋１２によって気密に閉塞可能、又開放可能となっており、前記炉口蓋１２は例えばステンレス等よりなる円盤状である。

該炉口蓋１２には、ガス供給ノズル４９が貫通する様設けられ、該ガス供給ノズル４９により、処理用のガスが前記アウタチューブ４３内に供給される様になっている。前記ガス供給ノズル４９はガス供給管５１を介して図示しないガス供給源に接続され、該ガス供給管５１にはガス流量制御手段（以下マスフローコントローラ（ＭＦＣ）５２）が設けられ、該ＭＦＣ５２はガス流量制御部５３に接続されており、該ガス流量制御部５３は供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。

前記マニホールド４７の上部には前記排気管４６が接続され、該排気管４６に圧力調節器（例えばＡＰＣ（自動圧力調節器）、Ｎ2 バラスト制御器があり、以下ここではＡＰＣ５４とする）及び、排気装置（以下真空ポンプ５５）が接続されており、前記筒状空間４５を流下したガスが排出される。前記アウタチューブ４３内の圧力は、圧力検出手段（以下圧力センサ５６）により検出され、該圧力センサ５６の検出結果に基づき圧力制御部５７が前記ＡＰＣ５４を制御して前記アウタチューブ４３内を、所定の圧力の減圧雰囲気となる様圧力制御する。

前記炉口蓋１２にはボート回転装置５８が設けられており、該ボート回転装置５８はボート載置部５９を有し、該ボート載置部５９は前記ボート回転装置５８の前記ボート回転軸６０に連結されている。前記ボート載置部５９に前記ボート４が載置され、前記ボート回転装置５８により前記ボート回転軸６０、前記ボート載置部５９を介して前記ボート４が回転される。

該ボート４は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェーハ７１を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート４の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板７２が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、前記処理室６からの熱が前記マニホールド４７側に伝わり難くなる様構成されている。

前記基板移載機２９、前記ボート回転装置５８、及び前記ボートエレベータ１４は所定のスピード、所定のタイミングで駆動される様に、駆動制御部６２により制御される。尚、該駆動制御部６２及び温度制御部６３、前記ガス流量制御部５３、前記圧力制御部５７等により主制御部６４が構成され、該主制御部６４は前記処理炉５及び基板処理装置を統括して制御する。

前記アウタチューブ４３の外周には加熱手段（以下ヒータ６５）が同心に配置されている。前記アウタチューブ４３内の温度は、熱電対等の温度検出手段６６により検出され、該温度検出手段６６からの検出温度に基づき、前記温度制御部６３が前記ヒータ６５による加熱状態を制御し、前記処理室６を所定の温度となる様にする。

尚、上記振動抑制片２４が設けられる位置は、前記予備室９の底面近傍でなくともよく、ウェーハ７１が移載される前記ボート４の位置に対して設けられ、ウェーハ７１の移載時にボートの震度、揺れが抑制される様にすればよい。

又、前記押し螺子３８は、螺子止め方式での水平方向の位置調整方式としたが、これに限らず、例えば、ボルト止め方式、ナット止め方式であってもよい。要するに所定の水平位置で固定でき、水平方向に位置調整可能であればよい。

次に、図１、図５に示した処理炉による減圧ＣＶＤ処理方法の一例を説明する。

先ず、前記ボートエレベータ１４により前記ボート４を降下させ、前記炉口ゲートバルブ１３によって前記炉口部１１を閉塞する。

前記ボート４が前記処理室６に収納され、基板移載位置に位置決めされると、前記ローラ２６が前記振動抑制片２４に乗上げる。前記ローラ２６が前記振動抑制片２４に乗上げた状態では、前記ローラ２６が前記予備室９の壁面より離反方向に押され、前記ローラ２６と前記振動抑制片２４間で所要の反発力が作用する様にする。

尚、反発力が適正となる様に、前記押し螺子３８により前記ローラ２６の水平方向の位置決めが行われ、更に前記調整螺子４１を捩込むことで、前記振動抑制片２４が前記予備室９の壁面から浮上がり、又捩戻すことで、前記振動抑制片２４が前記壁面に近接する。従って、前記調整螺子４１により、前記振動抑制片２４の位置の微調整が行える。適宜な反発力の設定がされることで、前記炉口蓋支持部２２の振動の発生、揺れの発生が抑制される。該炉口蓋支持部２２の振動、揺れの抑制は、即ち、該炉口蓋支持部２２に支持されている前記ボート４の振動、揺れの抑制となる。

位置決めされた前記ボート４に前記基板移載機２９により所定枚数のウェーハ７１を移載する。前記ボート４は適正位置に、位置決めされ、又振動、揺れが抑制されているので、前記基板移載機２９によるウェーハ７１の移載精度は高く、又移載途中での前記ボート４とウェーハ７１との接触等が避けられる。

前記ヒータ６５により加熱しながら、前記処理室６の温度を所定の処理温度にする。前記ＭＦＣ５２により予め前記アウタチューブ４３内を不活性ガスで充填しておく。

前記予備室９内を真空、或は不活性ガス雰囲気とし、前記炉口ゲートバルブ１３を開き、前記駆動部ボックス１５を駆動することで、前記炉口蓋支持部２２が上昇し、ウェーハ７１を保持した前記ボート４が上昇され、前記処理室６に前記ボート４が装入される。

該ボート４が完全に前記処理室６に収納された状態では、前記炉口蓋１２が前記炉口部１１を気密に閉塞する。

前記温度検出手段６６の検出結果に基づき前記温度制御部６３により前記ヒータ６５を制御して、前記処理室６の内部温度を所定の処理温度、所定の温度分布に維持する。

又、前記アウタチューブ４３内が前記真空ポンプ５５によって真空排気される。この際、前記処理室６の圧力は、前記圧力センサ５６で検出され、検出結果に基づき、前記ＡＰＣ５４が前記圧力制御部５７によって制御され、前記処理室６が所定の真空状態とされる。

前記ボート回転装置５８により、前記ボート４及び該ボート４上に保持されているウェーハ７１が回転される。同時に前記ガス供給ノズル４９から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、前記アウタチューブ４３内を上昇し、ウェーハ７１に対して均等に供給される。処理ガスが、ウェーハ７１表面を流通して所要の薄膜が生成される。前記ボート４の回転によりウェーハ７１面内での処理状態が均一化する。

減圧ＣＶＤ処理中の前記アウタチューブ４３内は、前記排気管４６を介して排気され、所定の真空になる様前記ＡＰＣ５４により圧力が制御され、所定時間減圧ＣＶＤ処理が行われる。

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガス、例えば窒素ガスが供給され、前記処理室６が不活性ガスに置換されると共に前記処理室６が常圧に復帰される。その後、前記ボートエレベータ１４により前記ボート４を降下させる。

前記ゲートバルブ２８が開かれ、前記処理済ボート４上の処理済ウェーハ７１は、前記基板移載機２９により払出される。

全ての処理済ウェーハが搬出された後、空となったボート４に未処理ウェーハの装填が実行される。

上述した工程が繰返し実行され、ウェーハ７１のバッチ処理が連続して繰返される。

尚、一例迄、本実施の形態の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、Ｄ−Ｐｏｌｙ膜の成膜に於いては、処理温度５００〜８５０℃、処理圧力２０〜１３０Ｐａ、ガス種ＳｉＨ4 、ＰＨ3 、ガス供給流量４０００ｓｃｃｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。

（付記１）基板保持具に保持された基板を収納し、処理する処理室と、該処理室下方に連設される予備室と、前記基板保持具を支持し、前記処理室を閉塞する炉口蓋と、該炉口蓋を支持する炉口蓋支持部と、該炉口蓋支持部を支持する昇降軸と、該昇降軸を吊下げ支持しつつ昇降させる昇降手段と、前記基板保持具に基板を搬入出する基板移載手段とを備え、前記基板保持具に基板を搬入出する際に、前記炉口蓋支持部の振動を抑制する振動抑制手段を前記予備室内に設けたことを特徴とする基板処理装置。

（付記２）前記昇降手段は前記予備室の外部に設けられ、前記昇降軸は前記予備室内外を貫通し、上端を前記予備室外で前記昇降手段に連結され、下端を前記予備室内で前記炉口蓋支持部に連結される付記１の基板処理装置。

（付記３）前記炉口蓋支持部は水平方向に延在し、前記振動抑制手段は前記炉口蓋支持部に設けられた回転可能なローラと、該ローラに当接可能に前記予備室に設けられ、前記ローラは前記予備室壁面より高弾性の材質から成る振動抑制片とを具備する付記１の基板処理装置。

（付記４）付記１の基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記振動抑制手段により振動を抑制された状態の前記炉口蓋支持部に前記炉口蓋を介して支持された前記基板保持具に基板を移載する工程と、基板を保持した前記基板保持具を前記昇降手段により上昇させる行程と、前記基板保持具が前記処理室に収納され、前記炉口蓋が前記処理室を閉塞する工程と、該処理室で基板を処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略図である。 該基板処理装置の振動抑制手段部分の部分斜視図である。 該振動抑制手段部分の側面図である。 該振動抑制手段の拡大図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置に用いられる処理炉の一例を示す断面図である。

符号の説明

４ ボート
５ 処理炉
６ 処理室
７ 反応管
１４ ボートエレベータ
２１ 昇降軸
２２ 炉口蓋支持部
２４ 振動抑制片
２５ 振動抑制手段
２６ ローラ
２９ 基板移載機
３９ 抑制片固定金具
４１ 調整螺子
７１ ウェーハ

Claims (1)

1. 基板保持具に保持された基板を収納し、処理する処理室と、該処理室下方に連設される予備室と、前記基板保持具を支持し、前記処理室を閉塞する炉口蓋と、該炉口蓋を支持する炉口蓋支持部と、該炉口蓋支持部を支持する昇降軸と、該昇降軸を吊下げ支持しつつ昇降させる昇降手段と、前記基板保持具に基板を搬入出する基板移載手段とを備え、前記基板保持具に基板を搬入出する際に、前記炉口蓋支持部の振動を抑制する振動抑制手段を前記予備室内に設けたことを特徴とする基板処理装置。

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