JP2008198962A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイボンド材による光の吸収を低減し、高出力な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子がダイボンド材を介して実装部に接合されており、ダイボンド材と実装部とを連続して被覆する反射膜を有する発光装置である。反射膜は発光素子からの発光に対して、ダイボンド材より高い反射率を有する。また、実装部を形成する工程と、実装部上にダイボンド材を介して発光素子を接合する工程と、ダイボンド材および実装部を被覆する反射膜を形成する工程と、を含む製造方法で製造される。
【選択図】 図１ａ

Description

本発明は、発光装置に関し、より詳細には、発光素子が実装部上に接合されて構成された発光装置に関する。

従来、光反射率の高い実装部に発光素子が接合されてなる発光装置がある。（たとえば、特許文献１）この発光装置は、ヒートシンクの発光素子実装面に銀めっきを施し、実装部を光反射部材として用いることで、発光素子からの光取り出し効率を向上させている。
特開２００６−３２４４３８号公報

このような発光装置においては、発光素子を実装部に接合するために、種々のダイボンド材が用いられる。

たとえば、エポキシやポリイミド等の熱硬化性樹脂をはじめ、それらの樹脂にＡｇやシリカ等のフィラーを含有させたものや、近年の発光装置の高出力化の要請から、放熱性や信頼性向上を目的として、Ａｕ―ＳｕやＳｎ―Ａｇ―Ｃｕ系はんだ等の金属からなる材料が利用されている。

しかし、上述のような発光装置に利用されるダイボンド材は、一般に反射部材として利用される材料と比べ、光反射率が低く、光吸収率が高い。たとえば、樹脂を含有するダイボンド材は、発光素子からの光や熱により、劣化、変色し、光吸収率が上昇する。また、劣化のない金属からなるダイボンド材を用いる場合でも、現在知られている材料の光反射率は、通常用いられる反射部材より５〜４０％程度低い。さらに、確実な接合を得るため多量に塗布したダイボンド材が、発光素子の周囲にはみ出した場合、光の損失は特に大きくなる。このように、従来の構成の発光装置では、光反射率の高い実装部を利用しても、発光素子のさらに近傍に位置するダイボンド材によって光が吸収されてしまい、十分に光が取り出せないという問題があった。

さらに、実装部は、反射部材としての作用を重視して選択されるため、その材料が高反射率を有する一部の金属や白色の部材に限定される等、材料選択の自由度が極めて低いという問題があった。また、実装部とダイボンド材との相性によっては、材料の拡散等が発生し、発光素子の接合強度や信頼性に不具合を生じることがある。

本発明はこれらの問題に鑑みてなされたものであり、高出力かつ信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。

本発明の発光装置は、発光素子がダイボンド材を介して実装部に接合されており、ダイボンド材と実装部とを連続して被覆する反射膜を有している。

本発明の発光装置において、反射膜は、発光素子からの発光に対して、ダイボンド材より高い反射率を有することが好ましい。

反射膜の上面は、発光素子の発光層よりも低い位置にあることが好ましい。

また、発光素子はダイボンド面側に絶縁性部材を有しており、かつダイボンド材および実装部は導電性を有することが好ましい。

本発明の発光装置の製造方法は、実装部を形成する工程と、実装部上にダイボンド材を介して発光素子を接合する工程と、ダイボンド材および実装部を被覆する反射膜を形成する工程と、を含む。

この製造方法においては、反射膜を形成する工程が、電解めっき法であることが好ましい。

このような構成により、ダイボンド材の劣化またはダイボンド材のはみ出しが発生した場合でも、ダイボンド材が光反射率の高い反射膜に被覆されているため、ダイボンド材による光の吸収を低減することができ、光取り出し効率が高く、高出力かつ信頼性の高い発光装置を得ることができる。

さらに、本発明の発光装置では、光反射部材としての反射膜をダイボンド後に形成するため、実装部の表面の光反射率を考慮する必要がなく、実装部の材料を、接合性向上や放熱性向上等目的に応じて自由に選択することができる。そのため、光の取り出し効率を低下させることなく、信頼性の高い発光装置とすることができる。

本発明の発光装置は、発光素子と、実装部と、ダイボンド材と、反射膜とを有して構成され、発光素子がダイボンド材により実装部に接合され、ダイボンド材と実装部は反射膜に連続して被覆されている。

（発光素子）
発光素子は、半導体発光素子であればよく、いわゆる発光ダイオード、レーザーダイオードと呼ばれる素子であればどのようなものでもよい。たとえば、基板上に、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物半導体、III−Ｖ族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、活性層を含む半導体層の積層構造が形成されたものが挙げられる。基板としては、Ｃ面、Ａ面、Ｒ面のいずれかを主面とするサファイア（Ａ１2Ｏ３）やスピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性基板、またＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ）、シリコン、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド；ＬｉＮｂＯ3、ＮｄＧａＯ3等の酸化物基板、窒化物半導体基板（ＧａＮ、ＡｌＮ等）等が挙げられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合、ＰＮ接合等のホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造、多重量子井戸構造としてもよい。活性層には、Ｓｉ、Ｇｅ等のドナー不純物および／またはＺｎ、Ｍｇ等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。得られる発光素子の発光波長は、半導体の材料、混晶比、活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量、活性層にドープする不純物の種類を変化させる等によって、紫外領域から赤外領域まで変化させることができる。

発光素子は、特にその形状は限定されず、たとえば、円形、楕円形、多角形またはこれに近い形状のものを利用することができる。

また、発光素子は、その半導体層よりダイボンド面側に絶縁性部材を有していることが好ましい。このことにより、後述する反射膜を電解めっき法により容易に形成することができる。この絶縁性部材は、たとえば、発光素子の基板として用いられているサファイア等を利用することができる。絶縁性部材は、透光性あるいは７０％以上の高い光反射率を有していることが好ましい。透光性を有する場合には、絶縁性部材の側面からも発光を取り出すことができ、高い光反射率を有する場合には、発光素子の上面から発光を有効に取り出すことができる。

発光素子の、ダイボンド材と接する底面には、全面または一部において、金属膜が形成されていることが好ましく、特に、発光素子の底面全面に形成されていることが好ましい。これにより、ダイボンド材に吸収される光を減少させることができ、光の取り出し効率を高めることができる。金属膜は、発光素子から発せられる光に対して７０％以上、さらに８０％以上の反射率を有することが好ましい。この金属膜は、発光素子の底面に電極が形成されている場合には、その電極上に形成されることが好ましいが、電極および／または金属膜が、両機能を兼ね備えていてもよい。

金属膜は、たとえば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ等の単層膜または積層膜により形成することができる。金属膜の成膜方法は、公知の方法、たとえば、蒸着、スパッタ法、めっき法等、種々の方法を利用することができる。

なお、金属膜のダイボンド部材に近い側には、後述するダイボンド材の拡散を防止するバリア層が形成されていることが好ましい。バリア層は、たとえば、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ等の高融点金属の単層膜または積層膜により形成することができる。

また、発光素子底面の最表面部は、後述するダイボンド材との濡れ性が良いことが好ましい。具体的には、接触角が９０°程度以下、８０°程度以下、６０°程度以下、さらに４５°程度以下の材料であることが好ましい。なお、この明細書において、接触角は、接合材料の融点＋４０〜５０℃における静滴法によって測定した（「溶融マグネシウムによる黒鉛のぬれ」、「軽金属」第５５巻、第７号（２００５）ｐ３１０−３１４参照）値を指す。

（実装部）
実装部は、発光素子を載置、固定するために用いられる。

実装部は後述する光反射率の高い反射膜により被覆されている。これにより、発光素子から出射される光を有効に取り出すことができ、高出力な発光装置とすることができる。

実装部は、後述するダイボンド材との接触角が９０°程度以下、８０°程度以下、６０°程度以下、さらに４５°程度以下の材料であることが好ましい。

実装部に金属を用いる場合には、後述するダイボンド材と拡散を起こしにくい性質のものであることが好ましい。拡散が発生すると、実装部とダイボンド材との界面に脆性の合金ないし空隙ができ、接合不良や放熱性の低下等、発光装置の信頼性に悪影響を与えるおそれがある。たとえば、ダイボンド材にＡｕ９０ｗｔ％残部ＳｎのＡｕ−Ｓｕ共晶を利用する場合、実装部はＮｉ等を選択することが好ましい。

実装部の形状は、板状、薄膜状、塊状等どのような形状であってもよい。

（ダイボンド材）
ダイボンド材は、発光素子を実装部に固定するために用いられる。

その材料は、エポキシ、ポリイミド、シリコーンをはじめとする樹脂、Ａｇやシリカ、ＴｉＯ２等の無機フィラーを含有する樹脂、はんだ等、どのようなものであってもよいが、発光装置の信頼性を高めるため、劣化がなく放熱性の高い金属からなる材料であることが好ましい。たとえば、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｕ−Ｃｕ系等の材料を好適に使用することができる。また、任意に、これらに濡れ性またははんだクラック性を改善する目的で、Ｂｉ、Ｉｎ等を添加してもよい。

本発明において、ダイボンド材は、発光素子の下方から発光素子の周囲の実装部にまで広がって配置されていることが好ましい。このように、ダイボンド材を多く塗布することで、たとえば、塗布量のバラツキによりダイボンド材が減少した場合や、ダイボンド材の塗布位置および発光素子の実装位置のバラツキが生じた場合でも、ダイボンド材と発光素子の接合している面積および接合性を十分に確保することができる。具体的には、発光素子の上方から見たとき、発光素子の外形がダイボンド材に内接するよう設けられていることが好ましい。

また、ダイボンド材は、導電性を有する材料であることが好ましい。このことにより、後述する反射膜を電解めっき法にて容易に成膜することができる。このような材料として、上述したような金属からなる材料、ＡｇやＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の導電性フィラーを含有する樹脂等を利用することができる。

（反射膜）
本発明においては、実装部上に発光素子がダイボンド材により接合されており、ダイボンド材および実装部の発光面側に露出した表面を被覆する反射膜が設けられている。このことにより、高出力な発光装置とすることができる。また、ダイボンド材と実装部を連続して被覆していることにより、ダイボンド材と実装部を別々に被覆する場合と比べ、平滑な反射面とすることができ、光取り出し効率を高めることができる。

この反射膜は、発光素子からの発光を有効に利用するために、発光素子から発せられる光に対してダイボンド材よりも高い反射率を有しており、さらに７０％以上、８０％以上、９０％以上の反射率を有することが好ましい。そのような材料としては、Ａｇ，Ａｌ、Ａｕ等の光沢を有する金属、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２、ＭｇＯ２をはじめとする白色の物質等が好適に挙げられる。発光素子の発光や発熱による劣化を低減するため、無機物からなることが好ましい。また、反射膜は実装部と同じ材料であってもよい。また、必要に応じ、異なる材料を複数積層して形成されていてもよい。

反射膜は、ダイボンド材と実装部を含む発光素子の周囲を、発光素子の接着面の面積の１２０％以上、１５０％以上、３００％以上被覆していることが好ましい。発光素子の近傍の反射率を高めることで、光の取り出し効率を向上させることができる。

反射膜の厚みは、光の反射が十分に行える程度であればよい。たとえば、Ａｇを利用する場合、３μｍ程度、５μｍ程度が好ましい。また、発光素子の発光を妨げない程度の厚みであることが好ましい。反射膜を厚く形成した場合、発光素子の側面からの光の取り出しを妨げるおそれがある。具体的には、反射膜の上面は、発光素子の発光層よりも低い位置にあることが好ましく、発光層の下方の半導体層よりも低い位置にあることがさらに好ましい。なお、この明細書において、発光層とは、半導体中の自由電子と正孔が結合し、光を発する部分をいう。

この反射膜は、真空蒸着法、スパッタ法等、公知のいずれの成膜法でも形成することができるが、なかでも、電解めっき法によることが好ましい。この方法によれば、所望の膜厚の反射膜を容易に、密着性よく形成することができる。この場合、ダイボンドおよび実装部に導電性の材料を用い、発光素子をダイボンド材および実装部から電気的に絶縁することで、反射膜が発光素子を被覆することがなく、光の取り出しを妨げることがない反射膜を形成することができる。ダイボンド材または／および実装部に絶縁性の材料を利用する場合には、表面にＡｌ等の導電性の薄膜を形成する等、適当な処理を施すことで、電解めっき法を利用することができる。

また、真空蒸着法、スパッタ法等のＣＶＤ法や無電解めっき法等を利用する場合、また発光素子とダイボンド材が絶縁されていない場合には、発光素子をいったんレジストで被覆し、反射膜を形成した後、発光素子上のレジストをリフトオフすることで、光の取り出しに問題のない反射膜を形成することができる。

反射膜は、ダイボンド材や実装部に加えて、その他の部材を被覆していてもよい。たとえば、実装部の下に備えられた基板が発光素子の近傍に露出している場合には、その基板を適宜被覆し、光反射率を高めることができる。

通常の発光装置では、発光素子と発光装置の外部を電気的に接続する導電性のリード電極が、発光素子等とともに設けられるが、実装部や反射膜をリード電極として利用することもできる。

リード電極と発光素子とが、ワイヤを用いたワイヤボンディングによって接続される場合、ワイヤとしては、発光素子の電極とのオーミック性が良好であるか、機械的接続性が良好であるか、電気伝導性および熱伝導性が良好なものであることが好ましい。このようなワイヤとしては、たとえば、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌ等の金属およびそれらの合金が挙げられる。

（その他の部材）
本発明の発光装置は、その目的に応じて、その他の部材を備えていてもよい。

（封止部材）
封止部材は、上述した発光素子等を被覆、封止し、発光素子等を保護する部材である。

封止部材はどのような材料によって形成されていてもよい。たとえば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかでも、透光性を有する部材であることが好ましい。これらの材料には、着色剤として、種々の染料または顔料等を混合して用いてもよい。たとえば、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、カーボンブラック等が挙げられる。なお、透光性とは、発光素子から出射された光を７０％程度以上、８０％程度以上、９０％程度以上、９５％程度以上透過させる性質を意味する。

封止部材には、拡散材や蛍光物質を含有させてもよい。拡散材は、光を拡散させるものであり、発光素子からの指向性を緩和させ、視野角を増大させることができる。蛍光物質は、発光素子からの光を変換させるものであり、発光素子から封止部材の外部へ出射される光の波長を変換することができる。発光素子からの光がエネルギーの高い短波長の可視光の場合、有機蛍光物質であるペリレン系誘導体、ＺｎＣｄＳ：Ｃｕ、ＹＡＧ：Ｃｅ、Ｅｕおよび／またはＣｒで賦活された窒素含有ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２等の無機蛍光物質等、種々好適に用いられる。本発明において、白色光を得る場合、特にＹＡＧ：Ｃｅ蛍光物質を利用すると、その含有量によって青色発光素子からの光と、その光を一部吸収して補色となる黄色系が発光可能となり白色系が比較的簡単に信頼性良く形成できる。同様に、Ｅｕおよび／またはＣｒで賦活された窒素含有ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２蛍光物質を利用した場合は、その含有量によって青色発光素子からの光と、その光を一部吸収して補色となる赤色系が発光可能であり白色系が比較的簡単に信頼性よく形成できる。これらの蛍光物質の他に、たとえば、特開２００５−１９６４６号公報、特開２００５−８８４４号公報等に記載の公知の蛍光物質のいずれをも用いることができる。

上記のような方法で所望の色調の発光を得る発光装置に、樹脂を含有するダイボンド材を利用したとき、劣化、変色したダイボンド材により特定の波長の光が吸収され、発光の色ずれが発生することがある。しかし、本発明の発光装置においては、ダイボンド材の劣化が発光に影響しないため、色ずれが少ない発光装置とすることができる。

また、このような波長変換部材を用いる際には、反射膜は、波長変換された光に対しても高い反射率を有することが好ましい。

なお、封止部材は、ポッティング、印刷、トランスファーモールド等、公知のいずれの方法でも形成することができる。また、封止部材は二層以上に形成されていてもよい。

本発明の発光装置には、発光装置の一部としてまたは封止部材表面に付属するように、たとえば、発光素子の光の出射部（たとえば、発光素子の上方）に、プラスチックまたはガラスからなるレンズ等が備えられていてもよい。また、発光素子からの光の取り出しを効率的に行うために、反射部材、反射防止部材、光拡散部材等、種々の部品が備えられていてもよい。また、静電耐圧向上のための保護素子等が備えられていてもよい。

（基板）
基板は、機械的強度の向上、発光素子の絶縁性の確保、放熱性の向上等、種々の目的のため、実装部を支持するよう備えられる。材料は特に限定されず、具体的には、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等のセラミック、高融点ナイロン等のプラスチック、ガラスエポキシ、ガラス、金属等が挙げられる。

さらに、本発明の発光装置は、底面と、発光素子を取り囲む壁部とを有するパッケージの凹部内に発光素子や封止部材が配置される、表面実装型の発光装置として形成されていてもよい。パッケージは、発光素子、封止部材等を保護することができるものであれば、どのような材料によって形成されていてもよい。なかでも、セラミック、乳白色の樹脂等、絶縁性および遮光性を有する材料であることが好ましい。また、パッケージは、発光素子等から生じた熱の影響を受けた場合の封止部材等との密着性等を考慮して、これらとの熱膨張係数の差が小さいものを選択することが好ましい。パッケージの底面および壁部は、実装部または基板と連続した材料であってもよく、電気的接続または放熱経路を形成するため、実装部の一部が発光装置の外部に露出するよう形成されていてもよい。また、パッケージ内側には発光素子からの光を反射する反射材料が設けられていてもよく、集光のためリフレクタ形状に形成されていてもよい。

以下に、本発明の発光装置の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。

（実施例１）
本実施例の発光装置１１０は、図１に示したように、基板１０１上に形成された実装部１０２上に、発光素子１２０がダイボンド材１０３により固着され、発光素子１２０からの発光を波長変換する波長変換部材を含有する封止部材（図示せず）に被覆されてなり、白色系の発光を得るものである。

この発光装置は、以下のようにして製造できる。

まず、発光素子１２０として、縦１ｍｍ×横１ｍｍの矩形形状で、絶縁性部材であるサファイア１２１上に半導体層であるＮ層１２２、発光層１２３、Ｐ層１２４が順に積層された波長４６５ｎｍの青色光を発する窒化物系半導体からなり、同一面側に正および負の電極１２６をそれぞれ１対有する発光ダイオードを用いる。

次に、発光素子１２０の電極形成面と反対側の底面に、金属膜１２５を形成する。最初にＡｌ膜を形成し、このＡｌ膜上に、ダイボンド材の拡散によるＡｌ膜の反射率の低下を抑制するため、バリア層となるＰｔ膜を形成し、さらに、ダイボンド材との濡れ性を向上させるため、Ｐｔ膜上にＡｕ膜を形成する。これらの金属膜１２５の形成はスパッタ法にて行う。

そして、基板１０１として、長さ５０ｍｍ、幅５０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とバインダーからなるグリーン体を準備する。このグリーン体の上面および下面の一部に、印刷法により、Ｗスラリーを印刷したのち、長さ５０ｍｍ、幅５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍでアルミナからなり、上面の直径４ｍｍ、下面の直径３ｍｍの穴が５ｍｍピッチで開けられた別のグリーン体を重ね合わせた後、焼結させる。焼結によりグリーン体のバインダーが揮発し、可視光域での平均反射率が約７０％であり、等間隔で凹部を有する基板１０１が得られる。基板１０１の凹部底面にはＷスラリーが焼結したＷパターン（図示せず）が形成されている。基板１０１に電解めっき法にてＷ上にＮｉを厚み約７μｍに成膜し、発光素子１２０を固着する実装部１０２とリード電極１０２ａを形成する。

基板１０１の凹部底面に形成した実装部１０２は、発光素子１２０のダイパッドと、反射膜１０４の下地と、発光素子１２０の一方の電極１２６と電気的に接続されるリード電極の機能を兼ねている。

実装部１０２およびリード電極１０２ａは、基板１０１の凹部底面の略全面を覆うよう設けられており、リード電極１０２ａは、発光素子１２０の中心部から１ｍｍ、実装部２の端部から０．３ｍｍ、離間した位置に設けられている。

次に、実装部１０２上に、ダイボンド材１０３として、Ａｕ８０ｗｔ％残部ＳｎからなるＡｕ−Ｓｕ粒子とフラックスからなるペーストを０．２ｍｇ塗布し、その上に発光素子１２０を載置し、仮固定する。
そして、発光素子１２０が仮固定された基板１０１を、３４０℃のリフロー炉に通して、ダイボンド材のペースト中のフラックスを揮発させ、Ａｕ−Ｓｎを溶融する。続いて、冷却を行い、Ａｕ−Ｓｎを凝固させて、発光素子１２０と実装部１０２とを接合させる。このとき、ダイボンド材１０３は、発光素子１２０の周囲に、幅０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ程度広がっていた。このダイボンド材１０３の波長４６５ｎｍの光の反射率は、約６０％である。その後、準水系洗浄剤にてフラックスを洗浄する。

続いて、Ｎｉめっきを行ったものと同一の電極から給電を行い、ダイボンド材１０３および実装部１０２およびリード電極１０２ａ上に、反射膜１０４としてＡｇを電解めっき法により析出させる。その後、洗浄し、基板１０１および発光素子１２０に付着しためっき液残渣を除去する。この反射膜１０４の厚みは、約５μｍであり、波長４６５ｎｍの光の反射率が約９０％である。

次に、発光素子１２０上面の正および負の電極１２６と、反射膜１０４およびリード電極１０２ａ上の反射膜をＡｕのワイヤ１０５にて接続した後、波長変換部材として、中心粒径が８μｍのＹＡＧ：Ｃｅを２０ｗｔ％含有したシリコーン樹脂（図示せず）で被覆する。その後、基板１をブレイクし、発光装置を個片化する。

このようにして得られた発光装置１１０について、３５０ｍＷで駆動させた場合の光束を測定したところ、約６５ｌｍであり、発光素子２０の実装部２との接合状態をＸ線撮影で確認したところ、約９０％の接合率であった。

（比較例）
比較例として、基板３０１上にＷを焼成し、Ｎｉをめっきした後にＡｇからなる反射部材３０２を形成し、その上に発光素子３２０をダイボンドしたこと以外、実質的に実施例１と同様の構造の発光装置３１０を製造した。（図３）
この発光装置３１０では、ダイボンド材３０３は反射膜に被覆されておらず、かつ発光素子３２０はＡｇの実装部３０２上で接合している。このようにして得られた発光装置について、実施例１と同様に測定したところ、約５９ｌｍであり、約８０％の接合率であった。

このように、本発明の発光装置は、ダイボンド材３および実装部２が反射膜４に被覆されているため、ダイボンド材３による光の吸収が低減され、高い光出力を有する。

（実施例２）
本実施例の発光装置２１０は、図２に示したように、リードフレーム２０２ｂの実装部２０２にダイボンド材２０３により固着された発光素子２２０と、リードフレーム２０２ｂ、ｃおよびダイボンド材２０３とを被覆する反射膜２０４と、発光素子２２０とリードフレーム２０２ｂとを電気的に接続するワイヤ２０５と、これらを封止する砲弾型の封止部材（図示せず）とを備えている。

この発光装置は、以下の方法で製造することができる。

まず、上下両面に電極が形成された発光素子２２０を用意し、Ｃｕからなる一対のリードフレーム２０２ｂ、ｃの一方２００ｂの先端に設けられたカップ底面の実装部２０２に、ダイボンド材２０３としてＡｇペーストを適量塗布し、発光素子２２０を固着する。次に発光素子２２０をレジストにて被覆し、ついで、蒸着法にて、発光素子２２０、ダイボンド材２０３、実装部２０２を含むリードフレーム２０２ｂ、ｃを被覆するＡｇの膜を形成する。

続いて、アセトンにて洗浄し、発光素子２２０を被覆したレジストおよびＡｇ膜を剥離し、反射膜２０４を形成する。

そして、Ａｕのワイヤ２０５を用い、発光素子２２０の上面の電極と、もう一方のリードフレームと接続する。そして、リードフレーム２０２ｃを、封止部材としてのエポキシ樹脂が充填された樹脂製のキャスティングケースに挿入し、硬化させる。

このようにして、ダイボンド材２０３、実装部２０２、リードフレーム２０２ｂ、ｃを光反射率の高い反射膜２０４で連続して被覆することで、高出力の発光装置２１０を得ることができる。

本発明の発光装置は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機、車載部品、看板用チャンネルレター等、種々の光源に使用することができる。

本発明の発光装置の概略断面図である。 本発明の発光装置の要部を示す概略断面の拡大図である。 本発明の発光装置の概略断面図である。 比較のための発光装置の要部を示す概略断面拡大図である。

符号の説明

１０ 発光装置
１ 基板
１ａ 凹部
２ 実装部
２ａ リード電極
２ｂ、ｃ リードフレーム
３ ダイボンド材
４ 反射膜
５ ワイヤ
２０ 発光素子

Claims (6)

1. 発光素子がダイボンド材を介して実装部に接合されており、
   前記ダイボンド材と前記実装部とを連続して被覆する反射膜を有することを特徴とする発光装置。
2. 前記反射膜は、前記発光素子からの発光に対して、前記ダイボンド材より高い反射率を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記反射膜の上面は、前記発光素子の発光層より低い位置にあることを特徴とする請求項１ないし２に記載の発光装置。
4. 前記発光素子はダイボンド面側に絶縁性部材を有しており、かつ前記ダイボンド材および前記実装部は導電性を有することを特徴とする請求項１ないし３に記載の発光装置。
5. 実装部を形成する工程と、
   前記実装部上にダイボンド材を介して発光素子を接合する工程と、
   ダイボンド材および実装部を被覆する反射膜を形成する工程と、
   を含む発光装置の製造方法。
6. 前記反射膜を形成する工程が、電解めっき法であることを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。

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