JP2008198822A - パターン形成方法、電子装置の製造方法、および電子装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】低コストの表面処理方法を提供して、電子装置の試作等に要するコストを削減する。
【解決手段】エネルギービーム照射手段４１２と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を内部に備える真空処理室４０２と、ガス供給手段と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を備え、基板保持手段４１８で保持された基板１０上に液材を供給する液材供給手段４２２とを備える液材供給室４０４と、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を連絡する搬送路と、上記通路を開閉するゲートバルブと、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を基板１０を搬送可能な搬送手段４３６と、上記真空処理室および上記液材処理室の少なくともどちらか一方に連通する基板搬入口４３８と、を備えることを特徴とする電子装置の製造装置。
【選択図】図１１

Description

本発明はパターン形成方法、電子装置の製造方法、および電子装置の製造装置に関する。

半導体素子等の電子装置の形成工程における、導電性材料等の機能性材料からなる薄膜のパターンを形成する方法として、液材を滴下する手法が提案されている。ガラス等からなる基板表面に、機能性材料と溶媒とからなる液材を滴下し、溶媒を乾燥除去して薄膜パターンを形成する手法である。従来から薄膜パターンの形成に用いられているフォトリソグラフィー法に比較して、大掛かりな設備を必要とせず、材料の使用量も少なくてすむという利点がある。
しかしながら、滴下された液材は、溶媒を除去するまでの間が不安定な状態にあるため、滴下された液材が基板表面で大きく広がるという問題が生じ得る。また、滴下直後の形状がそのまま膜パターンの輪郭に残ってしまうという問題も生じ得る。かかる問題を抑制する手段として、基板表面のパターンを形成すべき領域以外の領域に撥液性処理を行い、滴下された液材がパターンを形成すべき領域外ヘ広がることを抑制する手法がある。
このような撥液処理としては、例えばシランカップリング剤処理など、表面自由エネルギーの高い化合物を使用する方法が知られている（例えば特許文献１および２を参照）。シランカップリング剤による表面処理は安定的な撥液性領域を形成できるため、その後の滴下工程を自由な雰囲気中で行えると言う利点がある。

特開２００４−２００２４４号公報 特開２００５−１０９１８４号公報

しかし、シランカップリング剤による表面処理は薬剤自体が比較的高価であることから、当該手法を用いた電子装置のコスト上昇要因となっていた。また、処理に比較的時間を要するため、電子装置の試作に適用しづらいという問題があった。
本発明はかかる課題を解決するものであり、その目的は、低コストの表面処理方法を提供して、電子装置の試作等に要するコストを削減することである。

上記課題を解決するために、本発明にかかる電子装置の製造装置は、エネルギービーム照射手段と、第１ガス排気手段と、基板を保持可能な第１基板保持手段と、を内部に備える真空処理室と、第１ガス供給手段と、第２ガス排気手段と、上記基板を保持可能な第２基板保持手段と、を備え、上記第２基板保持手段で保持された上記基板上に液材を供給する液材供給手段を備える液材供給室と、上記真空処理室と上記液材供給室との間を連絡する搬送路と、上記搬送路を開閉する第１ゲートバルブと、上記真空処理室と上記液材供給室との間を上記基板を搬送可能な搬送手段と、上記真空処理室および上記液材供給室の少なくともどちらか一方に連通する基板搬入口と、を備えることを特徴とする。

かかる構成によれば、エネルギービーム照射手段により上記基板上のパターンを形成すべき領域を選択的に照射してダングリングボンドを形成し、当該領域を親液性にできる。そして当該基板を大気に晒すことなく液材供給室へ搬送し、上記領域に液材を滴下し、溶媒を除去することで、上記領域にのみ薄膜を形成できる。したがって、かかる構成により基板表面の処理を簡素化でき、液材の滴下による薄膜パターンの形成を低コストで実施できる。

好ましくは、上記エネルギービームは第１電子ビームであることを特徴とする。
電子ビームは収束性が高いので、上記パターンを形成すべき領域を高い精度で選択でき、高精細な薄膜パターンを形成できる。

また、好ましくは、上記真空処理室はガス供給源を備えることを特徴とする。
かかる構成によれば、上記パターンを形成すべき領域以外の領域をエネルギービームで照射してダングリングボンドを形成した後、当該領域に別途ガスを反応させて、当該領域の表面の性質を改質できる。その結果、ダングリングボンドが形成された表面に比べてより安定的な表面を形成することで上記液材供給室中の気体の影響を抑制でき、高精細な薄膜パターンの形成を高い再現性で行うことが可能となる。

また、好ましくは、上記エネルギービームは収束イオンビームである。
かかる構成により、上記真空処理室内でも薄膜のパターニングが可能となる。また、上記ガス供給源からアシストガスを供給しつつ上記収束イオンビームを照射することで、上記基板表面に薄膜を形成することも可能となる。したがって、上記製造装置内で実施できる工程の範囲を広げることができる。

また、好ましくは、上記電子装置の製造装置は、少なくとも上記レーザービーム照射手段と第３ガス排気手段と前記基板を保持可能な第３基板保持手段とを備えており、第２ゲートバルブを介して上記搬送路と連通するレーザーアニール室をさらに備える。
かかる構成により、上記液材供給室で形成した薄膜に同一装置内でアニール処理を施すことができる。したがって、上記製造装置内で実施できる工程の範囲をさらに広げることができる。

また、好ましくは、上記電子装置の製造装置は、少なくとも加熱手段と第２ガス供給手段と第４ガス排気手段と上記基板を保持可能な第４基板保持手段とを備えており、上記搬送路と第３ゲートバルブを介して連通する加熱室をさらに備える。
かかる構成により、上記液材供給室で形成した薄膜に同一装置内で加熱による酸化処理等を施すことができる。したがって、上記製造装置内で実施できる工程の範囲を広げることができる。

また、好ましくは、上記電子装置の製造装置は、第２電子ビームを発生し当該第２電子ビームで上記基板上を照射可能な電子ビーム照射手段と、照射された上記第２電子ビームが上記基板上で反射して生じる第３電子ビームを検出する検出部と、を備える電子顕微鏡室をさらに備える。
かかる構成により電子装置の製造のプロセス途中での寸法の測定や形状の評価等が可能となる。したがって電子装置の試作等に要する時間を短縮できる。

また、好ましくは、上記電子装置の製造装置は、外部の測定器と電気的に導通し、上記基板上の所定の部分に接触可能なプローブ針と、上記基板を保持可能な第５基板保持手段と、を備え、上記搬送路と第４ゲートバルブを介して連通するナノプローブ室をさらに備える。
かかる構成により電子装置の製造のプロセス途中での特性評価が可能となる。したがって電子装置の試作および評価等に要する時間を短縮できる。

上記課題を解決するために、本発明にかかるパターン形成方法は、基板上の第１の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、上記第１の領域に機能性材料と溶媒とを含む液材を滴下する液材滴下工程と、を有し、上記照射工程と上記液材滴下工程との間は、上記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とする。雰囲気中で保持することを特徴とする。

かかるパターン方法によれば、基板上の任意の領域を親液性にして、当該性質を保ったまま当該領域に液材を滴下できる。したがって、高精細なパターンを低コストで形成できる。

また、上記課題を解決するために、本発明にかかるパターン形成方法は、基板上の第１の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、上記ダングリングボンドと結合して当該結合により親液性表面を形成する性質を有するガスを供給することにより、機能性材料と溶媒とを含む液材に対する上記第１の領域の親液性を高めるガス処理工程と、上記第１の領域に上記液材を滴下する滴下工程と、を含み、上記照射工程と上記ガス処理工程との間、および上記ガス処理工程と上記滴下工程との間は、上記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とする。

かかるパターン方法によれば、パターンを形成すべき第１の領域をダングリングボンドによるよりも安定的な親液性にできる。そして上記基板をコントロールされた雰囲気中で保持することにより、当該性質が劣化することを抑制しつつ当該基板上に液材を滴下できる。したがって、低コストかつ高い再現性で高精細なパターンを形成できる。

また、上記課題を解決するために、本発明にかかるパターン形成方法は、基板上の、第１の領域以外の領域である第２の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、上記ダングリングボンドと結合して当該結合により撥液性表面を形成する性質を有するガスを供給することにより、機能性材料と溶媒とを含む液材に対する上記第２の領域の撥液性を高めるガス処理工程と、上記第１の領域に上記液材を滴下する滴下工程と、を含み、上記照射工程と上記ガス処理工程との間、および上記ガス処理工程と上記滴下工程との間は、上記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とする。

かかるパターン方法によれば、パターンを形成すべき第１の領域の周囲を撥液性にできる。そして上記基板をコントロールされた雰囲気中で保持することにより、当該性質が劣化することを抑制しつつ当該基板上に液滴を滴下できる。したがって、低コストかつ高い再現性で高精細なパターンを形成できる。

上記課題を解決するために、本発明にかかる電子装置の製造方法は、基板上の第１の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、上記第１の領域に機能性材料と溶媒とを含む液材を滴下した後に上記溶媒を除去して、上記機能性材料を含む薄膜を形成する薄膜形成工程と、を有し、上記照射工程と上記薄膜形成工程との間は、上記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とする。

かかる製造方法によれば、マスク等を用いずに形成した薄膜パターンを出発点として電子装置を形成できる。したがって、薄膜パターンを構成要素に含む電子装置を、比較的低コストで製造できる。

また、上記課題を解決するために、本発明にかかる電子装置の製造方法は、基板上の第１の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、上記ダングリングボンドと結合して、当該結合により親液性表面を形成する性質を有するガスを供給することにより、機能性材料と溶媒とを含む液材に対する上記第１の領域の親液性を高めるガス処理工程と、上記第１の領域に上記液材を滴下した後に上記溶媒を除去して、上記機能性材料を含む薄膜を形成する薄膜形成工程と、を有し、上記照射工程と上記ガス処理工程との間、および上記ガス処理工程と上記薄膜形成工程との間は、上記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とする。

かかる製造方法によれば、パターンを形成すべき第１の領域をダングリングボンドによるよりも安定的な親液性にできる。したがって、薄膜パターンを構成要素に含む電子装置を比較的低コストかつ高い再現性で製造できる。

また、上記課題を解決するために、本発明にかかる電子装置の製造方法は、基板上の、第１の領域以外の領域である第２の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、上記基板を形成する材料とは反応せず、上記ダングリングボンドとは結合して表面を撥液性にする性質を有するガスを供給して、機能性材料と溶媒とを含む液材に対する上記第２の領域の撥液性を高めるガス処理工程と、上記ダングリングボンドと結合して、当該結合により撥液性表面を形成する性質を有するガスを供給することにより、上記液材に対する上記第２の領域の撥液性を高めるガス処理工程と、上記第１の領域に上記液材を滴下した後に上記溶媒を除去して、上記機能性材料を含む薄膜を形成する薄膜形成工程と、を有し、上記照射工程と上記ガス処理工程との間、および上記ガス処理工程と上記薄膜形成工程との間は、上記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とする。

かかる製造方法によれば、パターンを形成すべき第１の領域の周囲を撥液性にした後、液滴を滴下するため、より一層高精細な薄膜パターンを形成し、当該薄膜パターンを出発点として電子装置を形成できる。したがって、より一層高精細な薄膜パターンを構成要素に含む電子装置を低コストかつ高い再現性で製造できる。

好ましくは、上記薄膜形成工程の後に、上記薄膜の周縁部に収束イオンビームを照射して、当該周縁部を整形するリファイン工程をさらに含むことを特徴とする。
かかる製造方法によれば、表面の性状を変化させて得た精細な薄膜パターンをさらに整形するため、より一層高精細な電子装置を低コストで製造できる。

また、好ましくは、上記機能性材料がシリコンであり、上記薄膜がシリコン層であることを特徴とする。
かかる製造方法により得られるシリコンパターンをチャネル層として用いることで、基板上に薄膜トランジスタを形成できる。

また、好ましくは、上記シリコン層にレーザービームを照射して結晶化する工程をさらに含むことを特徴とする。
かかる方法により、上記シリコン層をチャネル層とする薄膜トランジスタの電気的特性を向上させることができる。

また、好ましくは、ゲート電極が形成された上記基板上に、少なくともシリコンを含有する液材を塗布し、固体化および酸化することによりシリコン酸化膜を形成する工程をさらに含む。
また、収束イオンビームを用いて、上記シリコン層の一部であるチャネル層上に上記シリコン酸化膜を介して局所的に導電性物質を積層して、上記ゲート電極を形成する工程をさらに含むことが好ましい。

さらに、層間絶縁膜の一部を収束イオンビームを用いて局所的に除去して、上記チャネル層上の上記ゲート電極と重ならない領域にコンタクトホールを形成する工程と、上記コンタクトホール内に導電性物質を充填してソース電極およびドレイン電極を形成する工程を、をさらに含むことが好ましい。

これらの製造方法により、同一の装置内で実施可能な工程の範囲を拡大でき、低コストで電子装置の試作および評価が可能となる。

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

（パターン形成方法）
図１〜図３に、本発明にかかるパターン形成方法を具体化した実施形態として、インクジェット法を用いて、石英基板（以下、「基板」と称する。）上に機能性材料としての多結晶シリコンの薄膜パターンを形成する方法を示す。なおインクジェット法とは、パターン形成材料が溶解又は分散された液材を滴下した後、溶媒を乾燥除去してパターンを形成する手法である。

（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態にかかるパターン形成方法を示すものであり、基板表面にダングリングボンドを形成することにより親液性を向上させて、基板上に高精細なパターンを形成するものである。

まず図１（ａ）に示すように、真空雰囲気中に保持している基板１０上のパターンを形成すべき第１の領域１００に、エネルギービームとしての電子ビーム１０６を照射する。電子ビームに替えてイオンビーム、又は電磁波のビームを照射してもよい。基板１０を構成する石英（酸化シリコン＝ＳｉＯ₂）の酸素原子１０４は、基板１０表面では水素原子と共有結合していることが多い。当該共有結合に上述する電子ビーム１０６が照射されると、衝撃により水素原子が強制的に分離される。その結果、第１の領域１００には結合に関与しない電子が生じ、結合手が形成される。当該結合手がダングリングボンド１０２である。なお、基板１０表面の酸素原子１０４が水素電子と結合していない場合においても、上記照射の衝撃により電子の一部が飛ばされてダングリングボンドは形成され得る。

次に図１（ｂ）に示すように、第１の領域に機能性材料としてのシリコン化合物を溶媒に分散して得られる機能性液材１０８をインクジェット装置のノズル１１０から滴下する。上述したように第１の領域はダングリングボンド１０２が形成されているため、周囲の領域に比べて親液性が相対的に向上している。したがって、上記液材は第１の領域以外の領域、すなわち第１の領域１００の周辺の領域に流出することが抑制される。

上記シリコン化合物は、一般式Ｓｉ_nＨ_m（ここで、ｎは５以上の整数を表し、ｍはｎまたは２ｎ−２または２ｎの整数）で表される水素とシリコンの化合物である。ｎが５以上２０以下であるものが好ましく、ｎが５又は６であるものがより好ましい。
また、本実施形態の液材に用いる溶媒は、溶質であるシリコン化合物を溶解し、当該シリコン化合物と反応しないものであれば特に限定されない。具体的には、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、あるいはエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒が好ましい。

次に図１（ｃ）に示すように、基板１０上に滴下された機能性液材１０８から溶媒を乾燥除去して固形化する。１００℃から２００℃に加熱することで溶媒を乾燥除去できる。そしてさらに３００℃まで加熱することで、シリコン化合物を熱分解して、シリコンの微粒子からなる薄膜パターン１１２を得ることができる。

最後に図１（ｄ）に示すように、薄膜パターン１１２にレーザービーム１１４を照射して溶融再結晶化させて、多結晶シリコン膜１１６に変換する。レーザービームを照射する工程は窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス、もしくはこれらの不活性ガスに水素などの還元性ガスを混入したガス等の、酸素を含まない雰囲気中で行うことが好ましい。

本実施形態にかかるパターン形成方法によれば、基板１０上に液材を滴下する前にパターンを形成すべき第１の領域１００を親液性にするため、所定の膜厚の多結晶シリコン膜を形成するために充分な量の液材を滴下した場合でも、第１の領域１００の周囲へ流出することが抑制される。また上述の、基板１０上の一部の領域を選択的に親液性とする工程を電子ビームの照射で行うため、フォトマスク等を用いずに実施できる。したがって、上述する照射を行わずに液材を滴下する態様に比べて高精細なパターンをコストの上昇を抑制しつつ得ることができる。
なお、溶媒を乾燥除去後にさらに加熱することにより、レーザービームを用いずに、多結晶シリコン膜を得ることも可能である。

（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態にかかるパターン形成方法を示すものである。第１の実施形態とは、電子ビームの照射により形成したダングリングボンド１０２をそのまま利用するのではなく、他のガスを作用させて、安定性および親液性が向上したパターンを得る点で異なっている。以下、図に基づいて各工程を述べる。

まず図２（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に真空雰囲気中に保持した基板１０上のパターンを形成すべき第１の領域１００に、エネルギービームとしての電子ビーム１０６を照射する。第１の領域１００の表面において、基板１０を構成する酸化シリコン（ＳｉＯ₂）の酸素原子１０４と共有結合している水素原子が衝撃により強制的に分離されてダングリングボンド１０２が形成される。

次に図２（ｂ）に示すように、基板１０をＮＨ₃ガス１２０雰囲気中に晒す。電子ビームは真空中（真空チャンバー内）で照射するので、照射後に当該チャンバー内にＮＨ₃ガス１２０を導入すれば、ダングリングボンド１０２が形成された基板１０の表面がＮＨ₃ガス１２０に晒される。ＮＨ₃ガス１２０はダングリングボンド１０２と結合してＮＨ基１２２を形成する。ＮＨ基１２２はダングリングボンド１０２に比べて安定的なため、ダングリングボンド１０２による親液性表面よりも安定的かつ親液性が向上した表面が形成される。その態様を図４（ａ）〜図４（ｃ）に示す。

図４（ａ）に示すように、基板表面は、酸素原子が水素原子と結合してＯＨ基が形成されている。その状態に電子ビームを照射すると、図４（ｂ）に示すように衝撃により水素原子が飛ばされて、残った酸素原子は電気的に活性なラジカル状態となる。かかる表面にＮＨ₃ガスを作用させると、図４（ｃ）に示すように酸素原子とＮＨ₃分子が結合してＮＨ基が形成される。ＮＨ基が形成された表面は、ダングリングボンドが形成された表面に比べて、上述のシリコン化合物を溶媒に分散して得られる機能性液材１０８に対する親液性が向上する。

ダングリングボンド１０２を形成した後、図２（ｃ）に示すように第１の領域１００に機能性材料としてのシリコン化合物を溶媒に分散して得られる機能性液材１０８を、インクジェット装置のノズル１１０から滴下する。上述したように第１の領域１００は親液性が向上しているため、機能性液材１０８は第１の領域１００以外の領域に流出することが抑制される。

次に図２（ｄ）に示すように、上記第１の実施形態と同様に、基板１０上に滴下された機能性液材１０８から溶媒を乾燥除去してシリコンの微粒子からなる薄膜パターン１１２を得る。

最後に図２（ｅ）に示すように、薄膜パターン１１２にレーザービーム１１４を照射して溶融再結晶化させて、多結晶シリコン膜１１６を得る。

本実施形態のパターン形成方法は電子ビームの照射により形成したダングリングボンド１０２にＮＨ₃ガス１２０を作用させた後に液材を滴下することが特徴である。酸素ラジカルに他の分子を結合させているため、真空度が低い雰囲気中でも安定的な親液性表面が得られる。一般に液材を滴下する工程では、溶媒の揮発等により電子ビームを照射するチャンバーほどの真空度を保つことは困難である。しかし、パターンを形成すべき第１の領域１００は真空度が低い雰囲気中でも親液性が保たれるため、高精細なパターンを高い再現性で形成できる。

（第３の実施形態）
図３は、第３の実施形態にかかるパターン形成方法を示すものである。第１、第２の実施形態と異なり、パターンを形成すべき第１の領域１００ではなく、その周囲の第２の領域１０１に電子ビームを照射することが特徴である。以下、各工程を述べる。

まず図３（ａ）に示すように、真空雰囲気中に保持した基板１０上の、パターンを形成すべき第１の領域１００以外の領域である第２の領域１０１に、エネルギービームとしての電子ビーム１０６を照射する。第２の領域１０１の表面において、基板１０を構成する酸化シリコン（ＳｉＯ₂）の酸素原子１０４と共有結合している水素原子が衝撃により強制的に分離されてダングリングボンド１０２が形成される。

次に図３（ｂ）に示すように、基板１０を、ダングリングボンド１０２と結合して表面を撥液性にする性質を有するガスとしてのエチルベンゼンガス１２６の雰囲気中に晒す。電子ビームは真空中（真空チャンバー内）で照射するので、照射後に当該チャンバー内にエチルベンゼンガス１２６を導入する。ダングリングボンド１０２にエチルベンゼンガス１２６が結合してＣＦ₃基１２８が形成される。その結果、第２の領域１０１の表面は、後述するシリコン化合物を溶媒に分散して得られる機能性液材１０８に対する撥液性が向上する。その態様を図５に示す。

図５（ａ）に示すように、基板表面は、酸素原子が水素原子と結合してＯＨ基が形成されている。その状態に電子ビームを照射すると、図５（ｂ）に示すように衝撃により水素原子が飛ばされて、残った酸素原子は電気的に活性なラジカル状態となる。かかる状態の表面にエチルベンゼンガス作用させると、図５（ｃ）に示すようにＣＦ₃基が生じ、当該領域は撥液性が向上する。

次に図３（ｃ）に示すように、第１の実施形態と同様に、第１の領域１００に機能性材料としてのシリコン化合物を溶媒に分散して得られる機能性液材１０８を滴下する。上述したように第２の領域１０１は機能性液材１０８に対する撥液性が向上しているため、第１の領域１００に滴下された機能性液材１０８は、第２の領域１０１、すなわち第１の領域１００の周囲の領域へ流出することが抑制される。

次に図３（ｄ）に示すように、上記第１の実施形態と同様に、基板１０上に滴下された液材１０８から溶媒を乾燥除去して、シリコンの微粒子からなる薄膜パターン１１２を得る。

最後に図３（ｅ）に示すように、上記薄膜パターンにレーザービーム１１４を照射して溶融再結晶化させて、多結晶シリコン膜１１６に変換する。

本実施形態のパターン形成方法は、電子ビームをパターンを形成すべき領域ではなく、当該領域以外の領域に照射することに特徴がある。滴下された機能性液材１０８を第１の領域１００の範囲内に収めようとする力が常に働くので、より一層高精細なパターンを形成できる。
また、酸素ラジカルを発生させて活性化した表面に他の分子を結合させて撥液性の表面を形成しているため、真空度が低い雰囲気中でも安定的な撥液性表面が得られる。したがってより一層高い再現性で、高精細なパターンを形成できる。

（電子装置の製造方法）
次に、図６〜図９を参照して、本発明にかかる電子装置の製造方法について説明する。図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）〜（ｄ）、図８（ａ）〜（ｃ）、および図９（ａ）〜（ｃ）は、電子装置としての薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する。）の製造工程を示す模式断面図である。

まず、図６（ａ）に示すように、基板１０上の、ＴＦＴを形成すべき第１の領域２０２の周辺の領域である第２の領域２０４に、電子ビーム２０６を照射する。電子の衝撃により基板１０表面の酸素原子２０８と結合していた水素原子、および／または基板１０表面の電子が飛ばされて、ダングリングボンド２１０が形成される。

次に、図６（ｂ）に示すように、基板１０を所定の時間、エチルベンゼンガス２１２雰囲気中に静置する。上述のパターン形成方法の実施形態で述べたように、ダングリングボンド２１０にエチルベンゼンガスが結合して、ＣＦ₃基２１４を形成する。ＣＦ₃基２１４はフッ素原子により撥液性を有する。したがって、第２の領域２０４は、少なくとも後述するシリコン化合物の溶質を溶媒に分散した液材に対する撥液性が高められる。

次に、図６（ｃ）に示すように、パターンを形成すべき第１の領域２０２に、シリコン化合物の溶質を溶媒に分散した液材２１６をインクジェットヘッド２１８から滴下する。シリコン化合物および溶媒は上記パターン形成方法の第１の実施形態で述べたものが好ましい。

次に、図６（ｄ）に示すように、シリコン化合物の溶質を溶媒に分散した液材２１６を１００℃ないし２００℃に加熱することで、溶媒を乾燥除去して、シリコンの微粒子からなる薄膜パターン２２０を得る。
薄膜パターン２２０は、上述のダングリングボンド２１０の効果により高精細に形成可能であるが、電子ビーム２０６を用いてさらに形状を整えることも可能である。薄膜パターン２２０の周縁部に電子ビーム２０６を照射することで、形状を小さくする方向に調整（リファイン）可能である。

次に、図７（ａ）に示すように、薄膜パターン２２０にレーザービーム２２２を照射して加熱することにより薄膜パターン２２０を溶融再結晶化して、チャネル層としての多結晶シリコンパターン２２４を得る。当該レーザー照射は、上記パターン形成方法の第１の実施形態で述べたように、酸素を含まない雰囲気中で行うことが好ましい。

次に、基板１０上全面にシリコン薄膜を形成する。まず、図７（ｂ）に示すように、シリコンの微粒子を含有する液材２２８を、図示しない液材供給源に連通するノズル２２６から基板１０の中央部に滴下する。そして基板１０を回転させて均一に分布させるスピンコート法により、液材２２８を基板１０全面に行き渡らせて、シリコンの微粒子を含有する液材２２８の薄膜を形成する。遠心力で液材を広げるため、基板１０表面の性質の差の有無にかかわらず、ほぼ均一な厚さに液材２２８を分布させることができる。次に、図７（ｃ）に示すように、基板１０全体を加熱し、シリコンの微粒子を含有する液材２２８から溶媒を乾燥除去して、シリコン薄膜２３０を形成する。

次に、図７（ｄ）に示すように、基板１０を酸素分子２３２を含む雰囲気中で１０００℃以上に加熱することによりシリコン薄膜２３０を熱酸化して、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２３４を形成する。なお、加熱温度はＷＥＴ酸化（酸化炉に水素ガスを燃焼させて得た水蒸気を導入して酸化する手法）の場合は、ほぼ８００℃で行うことができる。

次に、図８（ａ）に示すように、多結晶シリコンパターン２２４上のほぼ中央部にゲート絶縁膜２３４を介してタンタル等の金属原子を局所的にデポして、ゲート電極２４８を形成する。上記デポは収束イオンビーム（以下、「ＦＩＢ」と称する。）を用いて行う。

まず、図示しない真空チャンバー内に基板１０を載置して、当該チャンバー内にタンタル等の金属原子を含む反応ガス（以下、「金属ガス」と称する。）２４２を導入する。そして基板１０上のゲート電極を形成すべき領域、すなわち上述した多結晶シリコンパターン２２４上のほぼ中央部に、ガリウムイオンを用いたＦＩＢ２４４を照射する。ＦＩＢ２４４はニードル型の液体金属ガリウム２４６に電圧を印加して得る。基板１０上に吸着した金属ガス２４２が上記照射により分解されて、タンタル等の金属原子２４７が堆積する。その結果、ＦＩＢ２４４を照射した領域、すなわち多結晶シリコンパターン２２４上のほぼ中央部にゲート電極２４８が形成される。

次に、図８（ｂ）に示すように、多結晶シリコンパターン２２４にリン等の不純物をイオン注入して、ソース領域２５２およびドレイン領域２５４を形成する。イオン注入もＦＩＢにより行う。
図示するように、イオン源としてガリウムに替わるニードル型のリン２５０からＦＩＢ２５６を引出し、所定の領域にリンイオンを注入する。なお、当該工程でゲート電極２４８はイオン注入の際のマスクとしての機能を果たす。

次に、図８（ｃ）に示すように基板１０上全面に層間絶縁膜２６０を形成する。形成方法は上述したゲート絶縁膜２３４の形成と同様の手法による。すなわち、シリコンの微粒子を含有する液材２２８を基板１０の中央部に滴下し（図７（ｂ）参照）、基板１０を回転させて均一に分布させた後、溶媒を乾燥除去してシリコン薄膜を得る。そして当該シリコン薄膜を酸素雰囲気中で加熱して、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜２６０を得る。

次に、図９（ａ）に示すように、ソース領域２５２上、およびドレイン領域２５４上にコンタクトホール２６２を形成する。コンタクトホール２６２の形成もＦＩＢを用いる。図示しないニードル型の液体金属ガリウム２４６に電圧を印加して得るＦＩＢ２６４を得る。そしてＦＩＢ２６４を基板１０上の所定の領域に照射することにより層間絶縁膜２６０およびゲート絶縁膜２３４を局所的に除去して、コンタクトホール２６２を形成する。コンタクトホール２６２によりソース領域２５２、およびドレイン領域２５４の一部が露出されて、外部との導通が可能となる。
なお上記コンタクトホール２６２形成時に、ゲート電極２４８を形成するタンタル（等の金属）層の延長上にもコンタクトホールを形成することが好ましい。

次に、図９（ｂ）に示すように、コンタクトホール２６２内にＦＩＢ２７８によりＡｌ等の金属原子を堆積して、ソース電極２７２およびドレイン電極２７４を形成する。ゲート電極２４８の形成時と同様に、図示しない真空チャンバー内に基板１０を載置して、当該チャンバー内にＡｌ原子を含む金属ガス２７６を導入する。そして、コンタクトホール２６２内に、液体金属ガリウム２４６に電圧を印加して得るＦＩＢ２７８を照射して、Ａｌ原子２７７を堆積する。以上の工程により、基板１０上に請求項に記載した電子装置としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２９０が形成される。

最後に、図９（ｃ）に示すように、ソース電極およびドレイン電極にプローブ針２８０を接触させる。同時に、上述するゲート電極２４８の延長上のコンタクトホール（図示せず）にプローブ針（図示せず）を接触させる。そしてＴＦＴ２９０の電気的特性を測定する。
以上の製造方法により、基板１０上に電子装置としてのＴＦＴ２９０を形成し、電気特性の測定を行うことができる。ＦＩＢを用いて薄膜の形成あるいはパターニングを行うためフォトマスク等を用いる必要がなくなる。その結果、電子装置の試作と当該試作品の評価を低コストかつ短期間に実施できる。

（電子装置の製造装置）
図１０に、本発明の第１の実施形態かかる電子装置の製造装置の模式図を示す。本実施形態にかかる製造装置は、真空処理室４０２と、当該真空処理室に連通する液材供給室４０４と、を主体として構成されている。

真空処理室４０２と液材供給室４０４との間は搬送路４３２で結ばれ、基板１０は基板保持手段４１８と共に、搬送路４３２内を基板搬送手段としてのトランスファーロッド４３６で搬送される。搬送路４３２はゲートバルブ４３４で区切られ、真空処理室４０２と液材供給室４０４双方の室内の真空度等を独立して設定できる。したがって、真空処理室４０２内で表面の性状を変化させた基板１０を、大気に晒すことなく液材供給室４０４に移送できる。

また、液材供給室４０４は外部と連通する基板搬入口４３８を備えている。ゲートバルブ４３４を閉じた状態で当該搬入口を開閉することで、真空処理室４０２内の雰囲気に影響を与えずに、当該製造装置において基板１０の搬入および搬出ができる。

真空処理室４０２は、エネルギービーム照射手段としてのイオン源４１２、電子源４１４および複数のガス供給源４１６を備え、図示しない真空ポンプと連通しており、ゲートバルブ４３４を閉じた状態で上記真空ポンプを作動させて内部を真空にできる。
そして、基板保持手段４１８で保持された基板１０に、イオン源４１２および電子源４１４からＦＩＢおよび電子ビームを照射して、当該基板１０表面の性状を変化させることができる。

また、真空処理室４０２はガス供給源４１６を備えているため、電子ビーム等を基板１０に照射した後にガスを作用させて、基板１０表面の性状を安定かつ液材の塗布に適した性状に変化させることができる。その結果、基板１０上に高精細なパターンを高い再現性で形成できる。
また真空処理室４０２では、基板１０上に薄膜を形成することもできる。ガス供給源４１６からガスを供給しつつＦＩＢを照射することで、基板１０上の任意の領域に薄膜を堆積させることもできる。

液材供給室４０４は、駆動手段４２６によりＸ方向およびＹ方向に移動可能な、液材供給手段としてのインクジェットヘッド４２２を備えている。基板保持手段４１８で保持された基板１０上に、インクジェットヘッド４２２から液材４２４を滴下し、溶媒を乾燥除去する工程を加えることで、当該液材に分散又は溶解している材料からなる薄膜パターンを形成できる。

そして、液材供給室４０４は真空処理室４０２と同様に図示しない真空ポンプと連通しており、室内を大気中に比べて低圧にすることができる。また室内を満たすガス種も制御できる。したがって、真空処理室４０２において変化させた基板１０の表面の性状が大気により変化することを抑制しつつ、インクジェットヘッド４２２から液材４２４を滴下できる。

なお、本実施形態では基板１０に液材供給手段としてインクジェットヘッド４２２を用いているが、基板１０の中央部にのみ液材を供給するノズルを用いることも可能である。液材供給手段として上記ノズルを用いる場合、いわゆるスピンコート法により基板１０全面に薄膜を形成した後、真空処理室４０２内で電子ビームによりパターニングすることができる。

図１１に本発明の第２の実施形態かかる電子装置の製造装置の模式図を示す。本実施形態にかかる製造装置は、搬送路４３２の両側に各々がゲートバルブ４３４で区切られた処理室が計８室配置されていることが特徴である。各処理室内には基板保持部５００が備えられており、基板１０を保持して各種の処理を施すことができる。本装置は上述するＴＦＴ２９０の製造方法に対応するものであり、上記処理室はそれぞれＴＦＴの形成に必要な工程の一部を実施できる。全ての処理室を用いることで、基板１０上にＴＦＴ２９０を形成し、さらに電気的特性の評価を行うことができる。

各処理室はそれぞれトランスファーロッド４３６を備えており、搬送路４３２との間で基板１０を行き来させることができる。そして搬送路もトランスファーロッド４３６を備えており、基板搬入口４３８から基板１０を搬入又は搬出できる。各々の処理室は図示しない真空排気系と連通する排気口４３７を有しており、内部を任意の真空度に設定可能である。各々の処理室の機能は以下の通りである。

第１の処理室Ａは、スピンコート室である。基板保持部５００を回転させる回転駆動機構５０２と、当該回転の中心に液材を滴下可能な、液材供給手段としての液材滴下ノズル５０４とを備えている。基板１０を回転させつつ液材を滴下して、基板１０全面に当該液材からなる薄膜を形成できる。なお、液材に含まれる溶媒（又は分散媒）を乾燥除去する工程は別途行う。

第２の処理室Ｂは、インクジェット室である。基板１０に垂直な方向をＺ方向とした場合にＸ方向およびＹ方向に移動可能な、液材供給手段としてのインクジェットヘッド５１２を備え、基板１０上の任意の位置に機能材料を溶質とする液材５１４を滴下できる。第１の処理室Ａと同様に、液材に含まれる溶媒等を乾燥除去する工程は別途行う。

第３の処理室Ｃおよび第４の処理室Ｄは、真空処理室である。ＦＩＢを照射可能なイオン源５２２、および電子ビームを照射可能な電子源５２４を備えており、基板１０の表面の任意の領域を照射できる。当該照射により、ダングリングボンド（図１等を参照）の形成等を実施することで、当該表面の性状を変化させることができる。
また、複数のガス供給源５２６を備え、ガスを供給しつつＦＩＢを照射することで、基板１０表面の任意の領域に、イオン注入、エッチング、薄膜デポ等の処理を施すことができる。

第５の処理室Ｅは、焼成室である。ヒータ５３２により室内を加熱して、任意の温度で基板１０を加熱することができ、基板１０上に形成された薄膜の溶融再結晶化あるいは溶媒の乾燥除去等の処理を施すことができる。
またガス供給源５２６を備え、加熱中に任意のガスを供給できる。例えば酸素ガスを供給しつつ加熱して、基板上のシリコン薄膜をシリコン酸化膜とすることができ、また、窒素ガスを供給しつつ加熱してイオン注入された不純物を活性化させることもできる。

第６の処理室Ｆは、レーザーアニール室である。レーザー照射源５４２より基板１０上に形成された薄膜にレーザービームを照射して、加熱、加工、結晶化等の工程を実施できる。したがって、他の処理室を併用することで、基板上に多結晶シリコン層等を形成できる。さらに、上記シリコン層の結晶性を評価するために顕微ラマン測定装置を備えることもできる。

第７の処理室Ｇは、ＳＥＭ室である。電子源５２４と検出器５５２を備え、第１の処理室〜第６の処理室を用いて基板上に形成された構造の外観を観察できる。

第８の処理室Ｈは、測定室である。外部から操作可能なプローブ針５６２と顕微鏡５６４とを備え、第１の処理室〜第６の処理室を用いて基板上に形成されたＴＦＴ等の電子装置の電極にプローブ針５６２を接触させることができる。プローブ針５６２は図示しない電気的特性評価装置に接続されており、基板１０上に形成された電子装置の電気的特性を、本実施形態にかかる装置の外部から測定できる。

以上述べたように、本実施形態の製造装置は、当該装置のみでＴＦＴ等の電子装置を形成し、電気的特性を測定できる。各工程は連続的に実施されるので、非常に短期間でＴＦＴの製造と評価を行える。また、フォトマスクを用いずにパターンを形成するため、寸法等の修正や変更を容易に行うことができる。また、一旦装置内に搬入した基板を外部ヘ搬出することなく外観の観察等を行うことができ、その結果に基づいてさらなる処理を施すことができるので、処理条件の変更実験等を極めて短期間に実施できる。したがって、本装置を用いることでＴＦＴ等の電子装置の製造、特に試作と評価を短期間かつ低コストで実施可能となり、開発力を向上させることができる。

第１の実施形態にかかるパターン形成方法を示す図。 第２の実施形態にかかるパターン形成方法を示す図。 第３の実施形態にかかるパターン形成方法を示す図。 ダングリングボンドとアンモニアガスの反応の態様を示す図。 ダングリングボンドとエチルベンゼンガスの反応の態様を示す図。 ＴＦＴの製造工程を示す模式断面図。 ＴＦＴの製造工程を示す模式断面図。 ＴＦＴの製造工程を示す模式断面図。 ＴＦＴの製造工程を示す模式断面図。 本発明の第１の実施形態かかる電子装置の製造装置を示す模式図。 本発明の第２の実施形態かかる電子装置の製造装置を示す模式図。

符号の説明

１０…基板、１００…第１の領域、１０１…第２の領域、１０２…ダングリングボンド、１０４…酸素原子、１０６…電子ビーム、１０８…機能性液材、１１０…ノズル、１１２…薄膜パターン、１１４…レーザービーム、１１６…多結晶シリコン膜、１２０…ＮＨ₃ガス、１２２…ＮＨ基、１２６…エチルベンゼンガス、１２８…ＣＦ₃基、２０２…第１の領域、２０４…第２の領域、２０６…電子ビーム、２０８…酸素原子、２１０…ダングリングボンド、２１２…エチルベンゼンガス、２１４…ＣＦ₃基、２１６…シリコン化合物の溶質を溶媒に分散した液材、２１８…インクジェットヘッド、２２０…薄膜パターン、２２２…レーザービーム、２２４…多結晶シリコンパターン、２２６…ノズル、２２８…シリコンの微粒子を含有する液材、２３０…シリコン薄膜、２３２…酸素分子、２３４…ゲート絶縁膜、２４２…金属ガス、２４４…ＦＩＢ、２４６…液体金属ガリウム、２４７…金属原子、２４８…ゲート電極、２５０…リン、２５２…ソース領域、２５４…ドレイン領域、２６０…層間絶縁膜、２６２…コンタクトホール、２６４…ＦＩＢ、２７２…ソース電極、２７４…ドレイン電極、２７６…金属ガス、２７７…Ａｌ原子、２７８…ＦＩＢ、２８０…プローブ針、２９０…ＴＦＴ、４０２…真空処理室、４０４…液材供給室、４１２…イオン源、４１４…電子源、４１６…ガス供給源、４１８…基板保持手段、４２２…インクジェットヘッド、４２４…液材、４２６…駆動手段、４３２…搬送路、４３４…ゲートバルブ、４３６…トランスファーロッド、４３７…排気口、４３８…基板搬入口、５００…基板保持部、５０２…回転駆動機構、５０４…液材滴下ノズル、５１２…インクジェットヘッド、５１４…液材、５２２…イオン源、５２４…電子源、５２６…ガス供給源、５３２…ヒータ、５４２…レーザー照射源、５５２…検出器、５６２…プローブ針、５６４…顕微鏡、Ａ…第１の処理室、Ｂ…第２の処理室、Ｃ…第３の処理室、Ｄ…第４の処理室、Ｅ…第５の処理室、Ｆ…第６の処理室、Ｇ…第７の処理室、Ｈ…第８の処理室。

Claims (20)

1. エネルギービーム照射手段と、第１ガス排気手段と、基板を保持可能な第１基板保持手段と、を内部に備える真空処理室と、
   第１ガス供給手段と、第２ガス排気手段と、前記基板を保持可能な第２基板保持手段と、を備え、前記第２基板保持手段で保持された前記基板上に液材を供給する液材供給手段を備える液材供給室と、
   前記真空処理室と前記液材供給室との間を連絡する搬送路と、
   前記搬送路を開閉する第１ゲートバルブと、
   前記真空処理室と前記液材供給室との間を前記基板を搬送可能な搬送手段と、
   前記真空処理室および前記液材供給室の少なくともどちらか一方に連通する基板搬入口と、
   を備えることを特徴とする電子装置の製造装置。
2. 前記エネルギービームは第１電子ビームであることを特徴とする請求項１に記載の電子装置装置の製造装置。
3. 前記真空処理室はガス供給源を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置装置の製造装置。
4. 前記エネルギービームは収束イオンビームであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子装置の製造装置。
5. 少なくとも前記レーザービーム照射手段と第３ガス排気手段と前記基板を保持可能な第３基板保持手段とを備えており、第２ゲートバルブを介して前記搬送路と連通するレーザーアニール室をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子装置の製造装置。
6. 少なくとも加熱手段と第２ガス供給手段と第４ガス排気手段と前記基板を保持可能な第４基板保持手段とを備えており、前記搬送路と第３ゲートバルブを介して連通する加熱室をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子装置の製造装置。
7. 第２電子ビームを発生し、当該第２電子ビームで前記基板上を照射可能な電子ビーム照射手段と、照射された前記第２電子ビームが前記基板上で反射して生じる第３電子ビームを検出する検出部と、を備える電子顕微鏡室をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子装置の製造装置。
8. 外部の測定器と電気的に導通し、前記基板上の所定の部分に接触可能なプローブ針と、前記基板を保持可能な第５基板保持手段と、を備え、前記搬送路と第４ゲートバルブを介して連通するナノプローブ室をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子装置の製造装置。
9. 基板上の第１の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、
   前記第１の領域に機能性材料と溶媒とを含む液材を滴下する液材滴下工程と、
   を有し、
   前記照射工程と前記液材滴下工程との間は、前記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とするパターン形成方法。
10. 基板上の第１の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、
    前記ダングリングボンドと結合して当該結合により親液性表面を形成する性質を有するガスを供給することにより、機能性材料と溶媒とを含む液材に対する前記第１の領域の親液性を高めるガス処理工程と、
    前記第１の領域に前記液材を滴下する滴下工程と、
    を含み、
    前記照射工程と前記ガス処理工程との間、および前記ガス処理工程と前記滴下工程との間は、前記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とするパターン形成方法。
11. 基板上の、第１の領域以外の領域である第２の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、
    前記ダングリングボンドと結合して当該結合により撥液性表面を形成する性質を有するガスを供給することにより、機能性材料と溶媒とを含む液材に対する前記第２の領域の撥液性を高めるガス処理工程と、
    前記第１の領域に前記液材を滴下する滴下工程と、
    を含み、
    前記照射工程と前記ガス処理工程との間、および前記ガス処理工程と前記滴下工程との間は、前記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とするパターン形成方法。
12. 基板上の第１の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、
    前記第１の領域に機能性材料と溶媒とを含む液材を滴下した後に前記溶媒を除去して、前記機能性材料を含む薄膜を形成する薄膜形成工程と、
    を有し、
    前記照射工程と前記薄膜形成工程との間は、前記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とする電子装置の製造方法。
13. 基板上の第１の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、
    前記ダングリングボンドと結合して、当該結合により親液性表面を形成する性質を有するガスを供給することにより、機能性材料と溶媒とを含む液材に対する前記第１の領域の親液性を高めるガス処理工程と、
    前記第１の領域に前記液材を滴下した後に前記溶媒を除去して、前記機能性材料を含む薄膜を形成する薄膜形成工程と、
    を有し、
    前記照射工程と前記ガス処理工程との間、および前記ガス処理工程と前記薄膜形成工程との間は、前記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とする電子装置の製造方法。
14. 基板上の、第１の領域以外の領域である第２の領域にエネルギービームを照射してダングリングボンドを形成する照射工程と、
    前記基板を形成する材料とは反応せず、前記ダングリングボンドとは結合して表面を撥液性にする性質を有するガスを供給して、機能性材料と溶媒とを含む液材に対する前記第２の領域の撥液性を高めるガス処理工程と、
    前記ダングリングボンドと結合して、当該結合により撥液性表面を形成する性質を有するガスを供給することにより、前記液材に対する前記第２の領域の撥液性を高めるガス処理工程と、
    前記第１の領域に前記液材を滴下した後に前記溶媒を除去して、前記機能性材料を含む薄膜を形成する薄膜形成工程と、
    を有し、
    前記照射工程と前記ガス処理工程との間、および前記ガス処理工程と前記薄膜形成工程との間は、前記基板を大気に晒さずコントロールされた雰囲気中で保持することを特徴とする電子装置の製造方法。
15. 前記薄膜形成工程の後に、前記薄膜の周縁部に収束イオンビームを照射して、当該周縁部を整形するリファイン工程をさらに含むことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
16. 前記機能性材料がシリコンであり、前記薄膜がシリコン層であることを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
17. 前記シリコン層にレーザービームを照射して結晶化する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の電子装置の製造方法。
18. ゲート電極が形成された前記基板上に、少なくともシリコンを含有する液材を塗布し、固体化および酸化することによりシリコン酸化膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の電子装置の製造方法。
19. 収束イオンビームを用いて、前記シリコン層の一部であるチャネル層上に前記シリコン酸化膜を介して局所的に導電性物質を積層して、前記ゲート電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の電子装置の製造方法。
20. 層間絶縁膜の一部を収束イオンビームを用いて局所的に除去して、前記チャネル層上の前記ゲート電極と重ならない領域にコンタクトホールを形成する工程と、
    前記コンタクトホール内に導電性物質を充填してソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の電子装置の製造方法。

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