JP2008193633A - Power amplifier - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波の電力増幅回路において、アナログ回路や帰還ループや大きな平滑容量のない構成にすること。広帯域信号に対して効率を落とすことなく対応できるようにすること。
【解決手段】電力増幅器は、増幅器11、複数のスイッチング電流源15,16,17、複数の整流装置18,19,20および変調器14を備える。変調器14は、高周波信号の包絡線成分に応じた制御信号を出力する。各スイッチング電流源15,16,17は、変調器14から出力された制御信号により制御された電流を流す。各スイッチング電流源15,16,17から流れる電流は、整流装置18,19,20により整流された後、合算され、増幅器11へ供給される。増幅器11は、供給された電流により高い電源効率で動作し、入力された高周波信号を増幅して、振幅の変化を伴う被変調波からなる信号を出力する。
【選択図】図1In a high-frequency power amplifier circuit, an analog circuit, a feedback loop, and a large smoothing capacitor are not provided. To be able to cope with wideband signals without reducing efficiency.
A power amplifier includes an amplifier, a plurality of switching current sources, a plurality of switching current sources, a plurality of rectifiers, and a modulator. The modulator 14 outputs a control signal corresponding to the envelope component of the high frequency signal. Each of the switching current sources 15, 16, and 17 flows a current controlled by the control signal output from the modulator 14. The currents flowing from the switching current sources 15, 16, and 17 are rectified by the rectifiers 18, 19, and 20, added together, and supplied to the amplifier 11. The amplifier 11 operates with high power supply efficiency by the supplied current, amplifies the input high-frequency signal, and outputs a signal composed of a modulated wave with a change in amplitude.
[Selection] Figure 1
Description
この発明は、増幅素子として半導体素子を用いた電力増幅器に関する。 The present invention relates to a power amplifier using a semiconductor element as an amplifying element.
従来、増幅素子として半導体素子を用いた電力増幅器が公知である。このような電力増幅器を高い電源効率で動作させるには、素子の出力端子における電流と電圧の積の時間積分が小さくなるように動作させて、素子内部での損失を減らすことが重要である。そのためには、増幅器を飽和動作させるのが有効である。 Conventionally, a power amplifier using a semiconductor element as an amplifying element is known. In order to operate such a power amplifier with high power supply efficiency, it is important to operate the power amplifier so that the time integration of the product of the current and voltage at the output terminal of the element is small, thereby reducing the loss inside the element. For this purpose, it is effective to operate the amplifier in saturation.
常に飽和動作している増幅素子から振幅被変調波を効率よく取り出すようにした増幅器が公知である。このような増幅器として、LINC(Linear Amplification Using Nonlinear Components)、ドハティ(Doherty)増幅器、ET(Envelop Tracking)またはEER(Envelop Elimination and Restoration)などがある。 An amplifier is known in which an amplitude-modulated wave is efficiently extracted from an amplifying element that is always operating in saturation. Examples of such an amplifier include LINC (Linear Amplifying Usage Nonlinear Components), Doherty amplifier, ET (Envelope Tracking), and EER (Envelope Eliminating and Restoration).
図2に、LINCの構成を示す。図2に示すように、LINCは、2つの増幅器1,2により構成される。各増幅器1,2は、それぞれ一定の振幅で、かつ位相が変化する信号を入力信号として飽和動作する。2つの増幅器1,2の出力信号は、合成部3で合成されて出力される。各増幅器1,2の入力信号の位相が変化すると、出力信号の振幅が変化する。
FIG. 2 shows the configuration of LINC. As shown in FIG. 2, the LINC includes two
図3に、ドハティ増幅器の構成を示す。図3に示すように、ドハティ増幅器は、メイン増幅器4と補助増幅器5と2つの1/4波長線路6,7により構成される。補助増幅器5には、メイン増幅器4の入力信号を1/4波長線路6によりλ/4遅らせた信号が入力される。メイン増幅器4の出力信号を1/4波長線路7によりλ/4遅らせた信号と、補助増幅器5の出力信号が合成されて出力される。通常、メイン増幅器4は、A級またはAB級で動作させられ、補助増幅器5は、B級で動作させられる。入力電力を上げていくと、メイン増幅器4が先に飽和動作を開始し、高い効率が得られる。 FIG. 3 shows the configuration of the Doherty amplifier. As shown in FIG. 3, the Doherty amplifier includes a main amplifier 4, an auxiliary amplifier 5, and two ¼ wavelength lines 6 and 7. A signal obtained by delaying the input signal of the main amplifier 4 by λ / 4 by the quarter wavelength line 6 is input to the auxiliary amplifier 5. A signal obtained by delaying the output signal of the main amplifier 4 by λ / 4 by the quarter wavelength line 7 and the output signal of the auxiliary amplifier 5 are combined and output. Normally, the main amplifier 4 is operated in class A or class AB, and the auxiliary amplifier 5 is operated in class B. When the input power is increased, the main amplifier 4 starts the saturation operation first, and high efficiency is obtained.
図4に、ETまたはEERの構成を示す。図4に示すように、ETまたはEERは、高周波の高出力増幅器8と低周波増幅器9により構成される。EERの場合、高周波の高出力増幅器8には、振幅が一定の信号が入力される。低周波増幅器9には、振幅情報を有する包絡線成分の信号が入力される。高周波の高出力増幅器8は、常に飽和動作しており、そのバイアスが低周波増幅器9の出力信号により変調されることによって、振幅変調成分を有する信号を出力する。ETの場合には、高周波の高出力増幅器8に振幅が変動する信号が入力される。 FIG. 4 shows the configuration of ET or EER. As shown in FIG. 4, the ET or EER includes a high-frequency high-power amplifier 8 and a low-frequency amplifier 9. In the case of EER, a high-frequency high-power amplifier 8 receives a signal having a constant amplitude. The low frequency amplifier 9 receives an envelope component signal having amplitude information. The high-frequency high-power amplifier 8 is always in a saturation operation, and the bias is modulated by the output signal of the low-frequency amplifier 9 to output a signal having an amplitude modulation component. In the case of ET, a signal whose amplitude varies is input to the high-frequency high-power amplifier 8.
ところで、増幅素子として半導体素子を用いた高周波増幅器として、次の構成のものが公知である。半導体増幅素子の制御電極に印加される入力信号の包絡線成分を検出する回路と、この回路が検出する包絡線成分にほぼ比例して半導体素子のドレイン電極またはコレクタ電極に印加する電圧を変化させる電圧制御回路とを備える。この電圧制御回路は、内部抵抗の低い電圧の異なる複数の直流電源を含み、ドレイン電極またはコレクタ電極に印加する電圧に応じてこの複数の直流電源から異なる電源電圧を取り出す切換手段を備える(例えば、特許文献1参照。)。 By the way, as a high frequency amplifier using a semiconductor element as an amplifying element, one having the following configuration is known. A circuit for detecting an envelope component of an input signal applied to the control electrode of the semiconductor amplifying element, and a voltage applied to the drain electrode or the collector electrode of the semiconductor element are substantially proportional to the envelope component detected by the circuit. A voltage control circuit. The voltage control circuit includes a plurality of DC power supplies having different voltages with low internal resistance, and includes switching means for extracting different power supply voltages from the plurality of DC power supplies according to the voltage applied to the drain electrode or the collector electrode (for example, (See Patent Document 1).
しかしながら、上述した従来の増幅器には、次のような問題点がある。LINCでは、2つの増幅器の出力を効率よく合成するのが困難である。ドハティ増幅器では、メイン増幅器および補助増幅器のマッチング回路や移相回路を総合した透過帯域が狭くなる。ETやEERでは、高周波の高出力増幅器のバイアスを包絡線成分の信号の速い振幅変化に対応させるのが困難である。また、従来の電力増幅器では、アナログ回路や帰還ループや大きな平滑容量が設けられており、また、電源回路自体の省電力のため、ET電源を広帯域信号に追随させるには限界がある。さらに、従来の電力増幅器では、電源電圧が短い時間に大きく変化すると、効率が下がってしまう。 However, the above-described conventional amplifier has the following problems. In LINC, it is difficult to efficiently combine the outputs of two amplifiers. In the Doherty amplifier, the transmission band that combines the matching circuit and the phase shift circuit of the main amplifier and the auxiliary amplifier becomes narrow. In ET and EER, it is difficult to make the bias of a high-frequency high-power amplifier correspond to a fast amplitude change of an envelope component signal. Further, the conventional power amplifier is provided with an analog circuit, a feedback loop, and a large smoothing capacitor, and there is a limit to follow the ET power source with a wideband signal for power saving of the power source circuit itself. Furthermore, in the conventional power amplifier, if the power supply voltage changes greatly in a short time, the efficiency decreases.
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、アナログ回路や帰還ループや大きな平滑容量が不要な電力増幅回路を提供することを目的とする。また、この発明は、広帯域信号に対して効率を落とすことなく対応できる電力増幅回路を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a power amplifier circuit that does not require an analog circuit, a feedback loop, or a large smoothing capacitor in order to eliminate the above-described problems caused by the prior art. Another object of the present invention is to provide a power amplifier circuit that can cope with wideband signals without reducing the efficiency.
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる電力増幅器は、増幅器、複数のスイッチング電流源、複数の整流装置および変調器を備える。変調器は、高周波信号の包絡線成分に応じた制御信号を出力する。各スイッチング電流源は、変調器から出力された制御信号により制御された電流を流す。各スイッチング電流源から流れる電流は、整流装置により整流された後、合算され、増幅器へ供給される。増幅器は、供給された電流により高い電源効率で動作し、入力された高周波信号を増幅して、振幅の変化を伴う被変調波からなる信号を出力する。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a power amplifier according to the present invention includes an amplifier, a plurality of switching current sources, a plurality of rectifiers, and a modulator. The modulator outputs a control signal corresponding to the envelope component of the high frequency signal. Each switching current source passes a current controlled by a control signal output from the modulator. The currents flowing from the respective switching current sources are rectified by the rectifier, and then added together and supplied to the amplifier. The amplifier operates with high power supply efficiency by the supplied current, amplifies the input high-frequency signal, and outputs a signal composed of a modulated wave with a change in amplitude.
この発明によれば、アナログ回路や帰還ループや大きな平滑容量がなくても、十分に高速に高周波信号を高い電源効率で増幅することができる。 According to the present invention, even without an analog circuit, a feedback loop, and a large smoothing capacitor, it is possible to amplify a high-frequency signal at a sufficiently high speed with high power supply efficiency.
本発明にかかる電力増幅器によれば、アナログ回路や帰還ループや大きな平滑容量が不要になるという効果を奏する。また、広帯域信号に対して効率を落とすことなく対応できるという効果を奏する。 The power amplifier according to the present invention has an effect that an analog circuit, a feedback loop, and a large smoothing capacitor are unnecessary. In addition, there is an effect that it is possible to cope with a wideband signal without reducing the efficiency.
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる電力増幅器の好適な実施の形態を詳細に説明する。図1は、この発明の実施の形態にかかる電力増幅器の構成を示す図である。図1に示すように、電力増幅器は、増幅器11、オープンスタブにより構成される1/4波長線路12、インダクタ13、変調器(MOD)14、m個のスイッチング電流源15,16,17、およびm個の整流装置18,19,20を備えている。ここで、mは、自然数である。
Exemplary embodiments of a power amplifier according to the present invention will be explained below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a power amplifier according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the power amplifier includes an
増幅器11は、特に限定しないが、例えば、ソース接地のMOSトランジスタで構成されている。このMOSトランジスタは、そのゲート端子に入力された高周波信号を増幅し、その増幅された信号をドレイン端子から出力する。このドレイン端子には、増幅器11にバイアス(ドレイン電圧)を供給する前記インダクタ13と、1/4波長線路12が接続されている。このバイアスは、前記スイッチング電流源15,16,17により変調される。
The
変調器14は、nビットのデジタルエンベロープ信号e0,e1,en-1をΔΣ変調して、一定時間幅のRZ(Return to Zero)信号に波形成形されたmビットの制御信号p0,p1,pm-1を出力する。デジタルエンベロープ信号e0,e1,en-1は、増幅器11で増幅される高周波信号の包絡線成分のデジタル信号である。ここで、nは、自然数である。
The
第1のスイッチング電流源15は、電源と接地点の間に、インダクタ21とMOSトランジスタ22を直列に接続した構成となっている。このMOSトランジスタ22には、インダクタ21を介してドレイン電圧が供給される。MOSトランジスタ22のソース端子は、接地されている。MOSトランジスタ22のゲート端子は、変調器14の、前記制御信号p0を出力する端子に接続されている。MOSトランジスタ22のドレイン端子は、第1の整流装置18の入力端子に接続されている。
The first switching
第2のスイッチング電流源16は、インダクタ23とMOSトランジスタ24により、第1のスイッチング電流源15と同様に構成されている。MOSトランジスタ24のゲート端子は、変調器14の、前記制御信号p1を出力する端子に接続されている。MOSトランジスタ24のドレイン端子は、第2の整流装置19の入力端子に接続されている。
The second switching
第mのスイッチング電流源17は、インダクタ25とMOSトランジスタ26により、第1のスイッチング電流源15と同様に構成されている。MOSトランジスタ26のゲート端子は、変調器14の、前記制御信号pm-1を出力する端子に接続されている。MOSトランジスタ26のドレイン端子は、第mの整流装置20の入力端子に接続されている。
The m-th switching current source 17 is configured in the same manner as the first switching
第1の整流装置18、第2の整流装置19および第mの整流装置20は、第1のスイッチング電流源15、第2のスイッチング電流源16および第mのスイッチング電流源17からそれぞれ供給される電流を整流する。第1の整流装置18、第2の整流装置19および第mの整流装置20のそれぞれにより整流された電流は、合算されて、増幅器11のドレイン端子に電源電流として供給される。スイッチング電流源15,16,17は、予め重み付けされているので、合算された電流値は、多ビットの精度を有する。
The
各整流装置18,19,20として、例えば、通常の整流用の半導体ダイオードを用いることができる。より好ましくは、各整流装置18,19,20を、順方向電圧の低下が小さいショットキーダイオードや、順方向電圧の低下がほとんどないMOSトランジスタからなる能動整流装置で構成するとよい。
As each
次に、図1に示す構成の電力増幅器の動作について説明する。変調器14に、デジタルエンベロープ信号e0,e1,en-1が入力されると、その入力信号に応じて、変調器14から出力される制御信号p0,p1,pm-1が適宜アサートされ、高レベル(“1”)となる。
Next, the operation of the power amplifier having the configuration shown in FIG. 1 will be described. When the digital envelope signals e 0 , e 1 , e n-1 are input to the
各スイッチング電流源15,16,17のMOSトランジスタ22,24,26は、制御信号p0,p1,pm-1が高レベルの期間だけ、導通する。それによって、MOSトランジスタが導通したスイッチング電流源においては、スイッチング電流源のインダクタに電流が流れる。MOSトランジスタが導通しなかったスイッチング電流源のインダクタには、電流が流れない。電流が流れたインダクタ21,23,25には、エネルギーが蓄えられる。
The
アサートされた制御信号p0,p1,pm-1は、一定期間が経過すると、低レベル(“0”)に戻る。その信号レベルの反転によって、スイッチング電流源15,16,17の導通状態にあるMOSトランジスタ22,24,26が、非導通状態に戻る。そして、スイッチング電流源15,16,17のインダクタ21,23,25に蓄えられたエネルギーが電流となってそれぞれの整流装置18,19,20を流れ、合算されて、増幅器11に電源電流として供給される。増幅器11は、その供給された電源電流により、高い電源効率で動作し、振幅の変化を伴う被変調波からなる信号を出力する。
The asserted control signals p 0 , p 1 , and p m−1 return to a low level (“0”) after a certain period. Due to the inversion of the signal level, the
以上説明したように、実施の形態によれば、アナログ回路や帰還ループや大きな平滑容量がなくても、増幅器11を高い電源効率で十分に高速に動作させて、高周波信号を増幅することができる。従って、アナログ回路や帰還ループや大きな平滑容量が不要になるという効果を奏する。また、広帯域信号に対して効率を落とすことなく対応できるという効果を奏する。
As described above, according to the embodiment, it is possible to amplify a high-frequency signal by operating the
また、電力増幅器の消費電力が小さく、電力増幅器が高い電源効率特性を有するので、実施の形態にかかる電力増幅器を、携帯電話システムやその他の無線通信システムに適用する場合には、次のような効果が得られる。移動機に適用する場合には、必要なRF電力を小型軽量な電池を用いて長時間出力可能な装置を実現することができる。固定局または基地局に適用する場合には、消費電力と発熱が小さくなるので、装置の小型化、高信頼化および長寿命化を図ることができる。また、装置を設置する際の利便性が向上する。 In addition, since the power consumption of the power amplifier is small and the power amplifier has high power supply efficiency characteristics, when the power amplifier according to the embodiment is applied to a mobile phone system or other wireless communication system, the following An effect is obtained. When applied to a mobile device, a device capable of outputting necessary RF power for a long time using a small and light battery can be realized. When applied to a fixed station or base station, power consumption and heat generation are reduced, so that the apparatus can be reduced in size, increased in reliability, and extended in life. Moreover, the convenience at the time of installing an apparatus improves.
以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、種々変更可能である。例えば、スイッチング電流源は、1つでもよい。この場合には、変調器14から1ビットの制御信号が出力される。
As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, the number of switching current sources may be one. In this case, a 1-bit control signal is output from the
以上のように、本発明にかかる電力増幅器は、広帯域のマイクロ波からミリ波の電気信号を増幅する電力増幅器に有用であり、特に、携帯電話システムやその他の無線通信システムの移動機や、固定局または基地局において、送信信号または受信信号を増幅する電力増幅器に適している。 As described above, the power amplifier according to the present invention is useful for a power amplifier that amplifies a millimeter-wave electrical signal from a wide-band microwave, and particularly, a mobile device of a mobile phone system or other wireless communication system, or a fixed It is suitable for a power amplifier that amplifies a transmission signal or a reception signal in a station or a base station.
11 増幅器
14 変調器
15,16,17 スイッチング電流源
18,19,20 整流装置
21,23,25 インダクタ
22,24,26 トランジスタ
11
Claims (5)
前記増幅器に電流を供給する複数のスイッチング電流源と、
前記高周波信号の包絡線成分に応じて複数の前記スイッチング電流源から前記増幅器へ供給される電流量を制御する変調器と、
を備えることを特徴とする電力増幅器。 An amplifier for amplifying a high-frequency signal;
A plurality of switching current sources for supplying current to the amplifier;
A modulator for controlling the amount of current supplied from the plurality of switching current sources to the amplifier according to an envelope component of the high-frequency signal;
A power amplifier comprising:
前記トランジスタが導通状態から非導通状態に変化した後に、前記インダクタに蓄えられたエネルギーを電流として前記増幅器へ流すことを特徴とする請求項1に記載の電力増幅器。 The switching current source includes a transistor that switches between a conductive state and a non-conductive state based on an output signal of the modulator, and an inductor that stores energy when the transistor is conductive.
The power amplifier according to claim 1, wherein after the transistor changes from a conductive state to a non-conductive state, the energy stored in the inductor is caused to flow as a current to the amplifier.
複数の前記スイッチング電流源から流れる電流を前記整流装置により整流した後に合算することを特徴とする請求項3に記載の電力増幅器。 A plurality of rectifiers for rectifying currents flowing from the plurality of switching current sources;
The power amplifier according to claim 3, wherein currents flowing from a plurality of the switching current sources are added together after being rectified by the rectifier.
前記増幅器に電流を供給するスイッチング電流源と、
前記高周波信号の包絡線成分に応じて前記スイッチング電流源から前記増幅器へ供給される電流量を制御する変調器と、
を備えることを特徴とする電力増幅器。 An amplifier for amplifying a high-frequency signal;
A switching current source for supplying current to the amplifier;
A modulator for controlling an amount of current supplied from the switching current source to the amplifier according to an envelope component of the high-frequency signal;
A power amplifier comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2007028782A JP2008193633A (en) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | Power amplifier |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9083290B2 (en) | 2010-02-24 | 2015-07-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Amplifier apparatus, signal processing apparatus, radio communication apparatus, connector mounting structure, and coaxial connector |
| CN115462000A (en) * | 2020-04-27 | 2022-12-09 | 阿尔马兹-安泰航空航天防御股份公司 | A radio transmitting device based on radar station microwave equipment |
-
2007
- 2007-02-08 JP JP2007028782A patent/JP2008193633A/en not_active Withdrawn
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| CN115462000B (en) * | 2020-04-27 | 2024-04-12 | 阿尔马兹-安泰航空航天防御股份公司 | A radio transmitting device based on microwave equipment of radar station |
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