JP2008192861A - 半導体検査装置および半導体検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェーハを高温もしくは低温で検査する際に生じるプローブカードの高さ変動に対し、常に電極パッドに対してプローブ針の押し当て量を一定に保つ半導体検査装置を提供する。
【解決手段】被測定物である半導体ウェーハ４を検査温度に設定させた後、ステージ３の横に備えられたプローブ針先位置用測定器９で針先位置を測定し、それと同時にプローブカード１またはプローブ針２に備えられた認識物位置をプローブカード１の上方に配設されたプローブ位置用測定器６で測定し、半導体ウェーハ４とプローブ針２の針先との距離を制御器７に入力する。さらに、検査時、常にプローブ位置用測定器６でプローブカード１またはプローブ針２の認識物位置を測定し、プローブカード１の膨張収縮による高さ変動量を測定して、その変動量を制御器７に入力し、電極パッドのプローブ針２の押し当て量を一定に保つようにステージ３の高さを補正する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体デバイスなどの被測定物の電気的特性を検査するための半導体検査装置および半導体検査方法に関するものであり、特にプローブ針とステージとの間の距離（高さ方向の位置）の保持手法に関するものである。

従来より、半導体デバイスの製造工程において、製造された半導体ウェーハの電気的特性を、半導体検査装置により半導体ウェーハの状態で検査するプローブ検査工程がある。
そして、このプローブ検査工程は、半導体ウェーハ内の１個もしくは多数個の半導体デバイスの複数の電極パッドにプローブ針を押し当てて、このプローブ針をテスタに接続させて電気的特性を測定して各半導体デバイスの良品・不良品の選別を行なうものである。また、半導体検査装置により、半導体ウェーハ内に形成した半導体デバイスに対して、低温状態から高温状態の任意の温度（−５０℃〜１５０℃）で検査を行なうことが可能に構成されている。

この半導体検査装置は、真空吸着等により半導体ウェーハを保持するチャック機構を備えたステージと、このステージの上方に半導体デバイスの電極パッドに対応したプローブ針を備えたプローブカードを保持できる機構とを備えている。前記ステージはＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に適宜移動させることが可能であり、適宜移動させることで半導体デバイスの各電極パッドとプローブ針との位置合わせを行い、検査を行なう。

従来の半導体検査装置について図１０を用いて説明する。プローブ針２を備えたプローブカード１は、カードホルダー５によって半導体検査装置の所定位置に固定されており、まず、ステージ３の所定位置（図１０においては、ステージ３の横）に取り付けられた移動自在のプローブ針先位置用測定器９が、プローブ針２の針先の直下位置となるようにステージ３を移動させてプローブ針２の針先位置を測定する。その後、別途に設けられた被測定物位置用測定器１０で、ステージ３で保持された半導体ウェーハ４の高さ位置を測定して、プローブ針２と半導体ウェーハ４内のチップとの位置を合わせ、チップの電極パッドにプローブ針２を押し当てるためにステージ３のＺ軸方向への移動量（大きさ）を設定していた。

しかし、半導体デバイスの検査において、品質保証上の都合により高温、低温での検査が必要な場合が増えており、この場合には、半導体ウェーハ４を高温、低温にするための加熱・冷却機構をステージ３に備えていることが多い。そこで高温での検査を行う場合を例にとると、検査時に、加熱によるステージ３の熱膨張や、ステージ３の輻射熱によるプローブカード１の変形等が発生することが知られている。

これにより、ステージ３の高さ変動やプローブ針２の位置の変動が発生し、この結果、半導体ウェーハ４とプローブ針２との位置関係が変動して、半導体デバイス（チップ）の電極パッドに対して所望のプローブ針２の押し当てができなくなって精度の良い検査ができなくなったり、プローブ針２と電極パッドとが強く接触し過ぎて想定以上の力がかかってしまいプローブ針２または電極パッドが損傷したりする等の問題が生じている。

このような問題に対処する１例として、特許文献１には、ステージからの輻射熱を遮断するためにプローブカードとステージとの間に遮蔽板を設け、さらにプローブカードを構成する部材に冷却・加熱機構を備えることで熱伝導を防ぐことを図った技術が開示されている。
特開２０００−２４１４５４公報

上記したように、従来の半導体検査装置では、プローブカード１に設けられたプローブ針２の針先位置の認識作業が、ステージ３の横などに設けられたプローブ針先位置用測定器９を用いて行なわれていた。そのため、針先位置確認を行なう際に、熱源となっているステージ３を移動させることで、プローブ針先位置用測定器９を針先位置に移動させて測定を行っていた。この熱源となるステージ３の移動により、プローブカード１の直下にステージ３がある場合と離れた場合とでプローブカード１の反りによる針先高さが、一例では４０μｍ変化する。

また、検査を行う半導体ウェーハ４内にあるチップの位置によってもステージ３からプローブカード１への輻射熱の影響は変化してしまい、プローブカード１の反る大きさは一例では２０μｍ変動する。これらにより、測定中にプローブカード１およびプローブ針２の位置変動が生じてしまい、電極パッドとプローブ針２とを精度よく押し当てることができなくなっていた。

これに対し、前記特許文献１ではプローブカードへの熱伝導を抑える遮蔽板を設けた構造が提案されてきたが、この構造によっても、測定中の位置によって生じるプローブカードおよびプローブ針の位置変動には対応することが困難である。さらに、現在の微細化技術の進展に伴い、より精度よく電極パッドとプローブ針とを押し当てる必要性が求められている。

本発明は、前記従来の半導体検査装置における課題を解決するものであり、検査中においてプローブカードの反りの変動を生じた場合でも、半導体ウェーハとプローブ針との位置決め精度を向上できて、電極パッドに対するプローブ針の押し当て量を常に一定に保つことができる半導体検査装置および半導体検査方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の半導体検査装置は、測定中のプローブカードおよびプローブ針の位置変動に対し、半導体ウェーハなどの被測定物とプローブ針との位置決め精度を向上させるため、前記プローブカード上方に配設され、前記プローブカード又は前記プローブ針の位置を検出するプローブ位置用測定器と、検査中に前記プローブ位置用測定器が得た前記プローブカードの変形による前記プローブカード又は前記プローブ針の位置変動量に基づいて、前記プローブカードと前記被測定物との間の距離を一定に保つように前記ステージの位置を変動させる制御器とを備えたことを特徴とする。これにより、プローブカードと半導体ウェーハなどの被測定物との間の距離を一定に保つことが可能となる。

また、プローブカード又はプローブ針の位置変動量を測定するプローブ位置用測定器をプローブカードの上方に配設することに伴い、プローブ位置用測定器が測定するポイントを明確にする必要が生じる。そこで、プローブ位置用測定器がプローブカード又はプローブ針の位置変動量を容易に測定するためのポイントとしての認識物を、プローブカード又はプローブ針に設ける。

また、検査中に生じるプローブカードおよびプローブ針の位置変動量を常に測定して、これに対応すべくステージの位置を変動させると、前回の検査と次回の検査との間にも補正の時間が必要となって、ひいては、これらの各検査を含む全体の所要時間が伸びるため、検査効率が低下してしまう。そこで、検査中にプローブ位置用測定器が得たプローブカードの変形によるプローブカード又はプローブ針の位置変動量に基づいて、プローブカードと被測定物との間の距離を一定に保つようにステージの位置を変動させる制御器を備えることに加えて、プローブ位置用測定器が得た変動量を記録する記録装置を備える。これにより、一度検査を行なった半導体ウェーハなどの被測定物と同一品種の被測定物を検査する場合に、記録されたプローブカードもしくはプローブ針の位置変動量に基づいて、自動でステージの高さを補正することが可能となる。これにより、プローブカードまたはプローブ針の位置変動量を測定する頻度を低減できて、検査効率の向上を図ることができる。

本発明によれば、半導体検査装置において高温・低温状態において生じるプローブカードの位置変動量（高さ変動量）及び、ステージとプローブカード又はプローブ針との距離の変動によるプローブカードの位置変動量（高さ変動量）、例えば、およそ４０μｍに対して、半導体検査装置の位置決め精度を向上できて、ステージとプローブカードまたはプローブ針との距離を一定に保ち、電極パッドに対してプローブ針の押し当て量を常に一定に保つことができ、高温・低温状態の半導体ウェーハなどの被測定物の検査に生じるトラブルを回避し、さらに一度検査を行なった半導体ウェーハなどの被測定物と同一品種の被測定物を検査する場合に、自動でステージ高さを補正することができ、検査時間の短縮が可能になるとともに、検査工程の良品判別の精度を向上できるという効果を見込める。

まず、図１および図２を参照しながら、本発明の実施の形態１に係る半導体検査装置について説明する。なお、図１０に示す従来の半導体検査装置の構成要素と同様な機能のものには同符号を付す。

図１、図２に示すように、本発明の実施の形態１に係る半導体検査装置は、被測定物の１例としての半導体ウェーハ４に接触させるプローブ針２を備えたプローブカード１と、半導体ウェーハ４を載せるステージ３と、ステージ３の横に取り付けられ、初期状態でのプローブ針２の針先位置を測定するプローブ針先位置用測定器９と、ステージ３よりも上方の所定位置に配設されて半導体ウェーハ４の位置を測定する被測定物位置用測定器１０などを有している。さらに、半導体検査装置は、プローブカード１の上方に配設され、プローブカード１（又はプローブ針２）のＺ軸方向の位置（すなわちこの実施の形態では上下方向（高さ方向）の位置）を検出するプローブ位置用測定器６と、検査中にプローブ位置用測定器６が測定して得たプローブカード１の変形によるプローブカード１（またはプローブ針２）のＺ軸方向の位置変動量（すなわち高さ方向（上下方向）位置変動量）に基づいて、プローブカード１と半導体ウェーハ４との間の距離を一定に保つようにステージ３の位置を変動させる制御器７とを備えている。なお、図１、図２における、５はプローブカード１を所定位置に固定した状態で保持するカードホルダー、２０はステージ３が載せられているベース部である。

次に、半導体検査装置の各部分について説明する。
半導体検査装置のステージ３には、ステージ３（詳しくは、ステージ３の半導体ウェーハ４を載せた状態で保持する部分）をベース部２０に対してＸ軸方向（図１における紙面の左右方向）に駆動するＸ軸モータと、Ｙ軸方向（図１における紙面に直交する方向）に駆動するＹ軸モータとが設けられており、半導体ウェーハ４をＸ軸、Ｙ軸方向に移動自在に移動できるとともに位置決めできるＸＹステージにより構成されている。さらに、ステージ３は、Ｚ軸方向に駆動できるＺ軸モータ（図示せず）と、ステージ３を回転方向（θ方向）に駆動できる回転モータも有している。

よって、ステージ３上に載せられて保持された半導体ウェーハ４は、カードホルダー５により所定位置に固定されたプローブカード１に対して、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能である。さらにステージ３の上面には図示していない半導体ウェーハ４を固定するための吸着機構が備えられている。その吸着機構の例として、ステージ３の上面に、真空源からの吸着溝が形成されており、半導体ウェーハ４を真空吸着してステージ３に固定できるようになっている。

また、このステージ３には、図示していない加熱・冷却機構を設けており、半導体検査装置の外部から検査温度の設定及び調節を行なえるよう構成されている。
ステージ３の上方には複数のプローブ針２を有したプローブカード１が設置されている。この複数のプローブ針２は、被測定物としての半導体ウェーハ４上に有する、図示していない少なくとも１個のチップにおける複数の電極パッドの配置に対応できるように、プローブカード１に配設されている。

上記構成において、検査が行われる際には、半導体ウェーハ４が、予め設定された所定の検査温度に達するように加熱または冷却されて、ステージ３の膨張収縮が十分に飽和した状態にされる。この後、ステージ３の横に備えられたプローブ針先位置用測定器９でプローブ針２の初期の針先位置ｂが測定され（図２においては、プローブ針先位置用測定器９でプローブ針２の針先位置を測定することで、ステージ３が載せられたベース部２０からの針先位置（Ｚ軸に沿った高さ寸法）ｂが測定される）、それと同時に、プローブカード１の上方に配設されたプローブ位置用測定器６で、プローブカード１に備えられた認識物位置ａ（この認識物位置ａは、例えば、プローブカード１の上面に設けられた認識物までの位置である）またはプローブ針２に備えられた認識物位置ａ’（この場合には、例えば、プローブ位置用測定器６でプローブ針２の先端が認識できるように、プローブカード１やプローブ針２の支持部を透明としたり、透視できるように、実施の形態２〜４において後述する開口部１１（図３〜図５参照）などを形成したりし、プローブ針２に設けられた認識物を認識する）が測定される。また、半導体ウェーハ位置（半導体ウェーハ４のＺ軸に沿った高さ方向位置）ｃを被測定物位置用測定器１０で測定し（例えば、被測定物位置用測定器１０と半導体ウェーハ４との離間距離を測定することで、ベース部２０からの距離を算出しているが、これに限るものではない）、これらの認識物位置ａ（または認識物位置ａ’）と半導体ウェーハ位置ｃとに基づいて、半導体ウェーハ４とプローブ針２の針先との上下方向の離間距離ｈが算出され、制御器７に入力される。

この場合に、検査を行なっている際、常にプローブ位置用測定器６でプローブカード１またはプローブ針２の認識物位置ａ（ａ’）を測定することで、プローブカード１の膨張収縮による高さ変動量を測定して、その変動量を制御器７に入力する。そして、制御器７により、半導体ウェーハ４とプローブ針２の針先との離間距離ｈを一定に保つようにステージ３の高さが調節される。

この機能を有した半導体検査装置を用いることで、最大およそ４０μｍのプローブカード１の反りの変動により生じる電極パッドとプローブ針２との不安定な押し当て量を一定に保つことが可能となる。

なお、ステージ３の膨張収縮が十分に飽和していなかった場合においても、一定の検査単位ごとにステージ３の高さを被測定物位置用測定器１０により再測定を行い、変動量を補正することで、ステージ３の膨張収縮による高さ変動の影響は回避することができる。

さらに、検査中における半導体ウェーハ位置（半導体ウェーハ４の高さ）ｃを測定する被測定物位置用測定器１０の代わりに、プローブカード１に、後述する開口部１１（図３〜図５参照）を形成し、この開口部１１を通して、プローブ位置用測定器６を用いて半導体ウェーハ位置（半導体ウェーハ４の高さ）ｃを測定してもよく、これにより、検査中においても半導体ウェーハ４とプローブ針２の針先との距離ｈを常に一定に保つことができ、プローブカード１の反りの変動により生じる電極パッドとプローブ針２との押し当て量の誤差を測定器精度であるおよそ５μｍ以下に保つことが可能となる。

次に、本発明の実施の形態２に係る半導体検査装置について、図３を参照しながら説明する。
この半導体検査装置においては、前記実施の形態１における、プローブカード１の上方に配設されたプローブ位置用測定器６でプローブカード１の位置を特定するために、プローブカード１に開口部１１を有しているとともに、この開口部１１に認識物としてのワイヤ１２を備えている。ここで、認識物（ワイヤ１２）はプローブ位置用測定器６でプローブカード１の位置を容易に特定するために備えるものである。

例えば、プローブ位置用測定器６がカメラであった場合に、図３に示すようにプローブカード１の開口部１１にワイヤ１２を交差させた構造を持ち、その交点の焦点を合わせることでプローブカード１の位置を認識させる。

ワイヤ１２の交点は容易に焦点を合わせることが可能であり、プローブカード１の構成が品種ごとに変わったとしても構造的にも簡易であるため取り付けが容易であり、品種の違うプローブカード１においてもワイヤ１２を取り付けて適用することは可能である。

さらに、プローブカード１の反りが大きい中心部を測定することで、より精度の高いプローブカード１およびプローブ針２の位置変動量を補正することが可能である。
実施の形態３に係る半導体検査装置について、図４を参照しながら説明する。

この半導体検査装置においては、前記実施の形態１における、プローブカード１の上方に配設されたプローブ位置用測定器６でプローブカード１の位置を特定するために、プローブカード１の開口部１１のコーナー部１１ａを認識物として測定する。

例えば、プローブ位置用測定器６がカメラであった場合、開口部１１のコーナー部１１ａにカメラの焦点を合わせることでプローブカード１の位置変動量を測定することが可能であり、測定する開口部１１の２つのコーナー部１１ａを測定する（すなわち、２点測定する）ことでプローブカード１のねじれ状態を把握することが可能となる。さらに、開口部１１の少なくとも３つ以上のコーナー部１１ａを測定する（すなわち、３点（又はそれ以上の点）測定する）ことで、プローブカード１の傾き状態を把握することが可能となり、プローブカード１とカードホルダー５との取り付け状態等を確認することができる。

実施の形態４に係る半導体検査装置について図５を参照しながら説明する。
この半導体検査装置においては、前記実施の形態１における、プローブカード１の上方に配設されたプローブ位置用測定器６でプローブカード１の位置を特定するための認識物として、プローブカード１の開口部１１に突起物１３を備えている。この突起物１３は、プローブ位置用測定器６でプローブカード１の位置を容易に特定するために備えるものである。

例えば、プローブ位置用測定器６がレーザー変位計であった場合に、図５に示すようにプローブカード１の開口部１１の一部分に認識可能な大きさの突起物１３を備え、プローブカード１の位置変動量を測定する。

なお、突起物１３の数は少なくとも１個以上であり、突起物１３を備える位置は開口部１１のプローブカード１の上面側でも下面側でも可能であるが、下面側のほうがプローブ針２の針先位置との距離が短くなり、測定する変動量の精度を高めることができる。

なお、プローブ位置用測定器６がカメラであった場合、突起物１３にマークを付けておき、そのマークに焦点を合わせることでプローブカード１の変動量を測定することが可能である。

実施の形態５に係る半導体検査装置について、図６、図７、図８を参照しながら説明する。
この半導体検査装置においては、前記実施の形態１における、プローブカード１の上方に備えられたプローブ位置用測定器６でプローブ針２の位置を特定するための認識物として、プローブ針２の上面または曲げ部に突起物２ａを備えている。

プローブ針２はプローブカード１に対して水平ではなく、角度を持って取り付けられており、また半導体プロセスの微細化による電極パッドの微細化・複雑化に伴い、プローブ針２の配置も複雑化が進んでおり、プローブカード１の下方からプローブ針２の針先位置を特定する場合と違い、プローブカード１の上方に備えられたプローブ位置用測定器６でのプローブ針２の測定位置の特定が困難となるため、突起物２ａをプローブ針２の上面または曲げ部に備えることにより、プローブ位置用測定器６でプローブ針２の位置を容易に特定することが可能になるとともに、プローブカード１に認識物（図３におけるワイヤ１２や、図４における開口部１１のコーナー部１１ａ、図５における突起物１３）を備える場合よりもプローブ針２の針先に近いため、測定する位置変動量の精度を高めることができる。

なお、プローブ位置用測定器６がカメラであった場合、突起物２ａにマークを付けておき、そのマークに焦点を合わせることでプローブカード１の位置変動量を測定することが可能である。
なお、突起物２ａは針先位置に近い部分に備えることで、測定する変動量の精度をさらに高めることができる。

実施の形態６に係る半導体検査装置について図９を参照しながら説明する。
この半導体検査装置では、前記実施の形態１から実施の形態５の半導体検査装置の構成要素に加えて、プローブ位置用測定器６が測定して得た変動量を記録する記録装置８を備えている。

例えば、一枚目の半導体ウェーハ４の検査時に、制御器７を用いてステージ３の高さ補正を行なった値を記録装置８に記録しておき、再度同一品種の半導体ウェーハ４の測定を行う場合に、プローブカード１またはプローブ針２に備えた認識物の位置をプローブ位置用測定器６で再度測定する工程を省くことが可能となる。これにより、電極パッドに対してプローブ針２の押し当て量を一定に保つことが可能となるだけでなく、測定回数の低減を図ることができ、この測定回数の低減により検査時間の短縮も可能となる。

なお、例えば１枚目の半導体ウェーハ４を検査した時に、プローブカード１またはプローブ針２の位置変動量が５μｍ以上の部分だけ、同一品種の２枚目以降の半導体ウェーハ４の検査時にプローブ位置用測定器６で再測定を行うことで、プローブカード１またはプローブ針２の変動量をより精度よく補正を行うことができ、電極パッドに対してプローブ針２の押し当て量を５μｍ以内に保つことが可能となる。

なお、本発明において、プローブカード１の上方に備えられたプローブ位置用測定器６を少なくとも２個以上備えることで、三角測量が可能となり、より精度の高いプローブ針２の高さ変動量（位置変動量）を測定することができ、電極パッドとプローブ針２との押し当て量の誤差を２μｍ以下に保つことが可能である。

なお、本発明では被測定物として半導体ウェーハ４を挙げているが、被測定物としてＰＤＰ基板およびＬＣＤ基板などの検査工程にも適用できる。

本発明の半導体検査装置は、高温状態および低温状態において生じるプローブカードの高さ変化量に対して、検査中においてもプローブカードまたはプローブ針の位置変動（高さ位置変動）を測定し、ステージの位置補正を行うことができ、電極パッドに対してプローブ針の押し当て量を一定に保つことができ、精度のよい検査を行なうことが可能である。さらに、一度検査を行なった品種と同一品種の半導体ウェーハにおいては、記録した変動量を用いてステージの高さを変動させることができるため、検査効率の向上が図れる。また、上述したように、被測定物として、半導体ウェーハ、ＰＤＰ基板およびＬＣＤ基板など、各種の半導体デバイスの検査工程に適用できる。

本発明の実施の形態１に係る半導体検査装置の概略構成を示す図 同実施の形態１に係るプローブカードの変位によってステージを制御する機構を説明する図 本発明の実施の形態２に係る半導体検査装置における、プローブカードの認識物を示す図 本発明の実施の形態３に係る半導体検査装置における、プローブカードの認識物（プローブカードの開口部のコーナー部）を測定することを示す図 本発明の実施の形態４に係る半導体検査装置における、プローブカードの認識物（プローブカードの突起物）を示す図 本発明の実施の形態５に係る半導体検査装置における、プローブ針の認識物（プローブ針上面に設けた突起物）を示す図 本発明の実施の形態５に係る半導体検査装置における、他のプローブ針の認識物（プローブ針上面に設けた他の突起物）を示す図 本発明の実施の形態５に係る半導体検査装置における、その他のプローブ針の認識物（プローブ針上面に設けたその他の突起物）を示す図 本発明の実施の形態６に係る半導体検査装置の概略構成を示す図 従来の半導体検査装置の概略構成を示す図

符号の説明

１ プローブカード
２ プローブ針
３ ステージ
４ 半導体ウェーハ（被測定物）
５ カードホルダー
６ プローブ位置用測定器
７ 制御器
８ 記録装置
９ プローブ針先位置用測定器
１０ 被測定物位置用測定器
１１ 開口部
２０ ベース部

Claims (6)

1. 被測定物に接触させるプローブ針を備えたプローブカードを有し、前記被測定物を載せる移動自在のステージを有し、初期のプローブ針の針先位置を測定する初期プローブ針先位置用測定器を有し、被測定物の位置を測定する被測定物位置用測定器を有した半導体検査装置であって、
   前記プローブカードの上方に配設され、前記プローブカード又は前記プローブ針の位置を検出するプローブ位置用測定器と、検査中に前記プローブ位置用測定器が得た前記プローブカードの変形による前記プローブカード又は前記プローブ針の位置変動量に基づいて、前記プローブカードと前記被測定物との間の距離を一定に保つように前記ステージの位置を変動させる制御器とを備えたことを特徴とする半導体検査装置。
2. プローブカードに、プローブ位置用測定器でプローブカード又はプローブ針の位置を検出するための認識物を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置。
3. プローブ針に、プローブ位置用測定器でプローブカード又は前記プローブ針の位置を検出するための認識物を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置。
4. プローブ位置用測定器が測定して得た変動量を記録する記録装置を備えたことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体検査装置。
5. 被測定物を検査する前に、被測定物に接触させるプローブ針の針先位置と、前記被測定物を載せる移動自在のステージの位置と、前記プローブ針を備えたプローブカードの位置又は前記プローブ針の位置とを測定する工程と、検査中に前記プローブカードの上方に配設されたプローブ位置用測定器で前記プローブカード又は前記プローブ針の位置を測定する工程と、検査前の前記プローブカードまたは前記プローブ針の位置と前記プローブ位置用測定器で検査中に得た前記プローブカード又は前記プローブ針の位置変動量とに基づいて、前記プローブカードと前記被測定物との間の距離を一定に保つように前記ステージ位置を補正する工程とを含むことを特徴とする半導体検査方法。
6. 被測定物を検査する前に、被測定物に接触させるプローブ針の針先位置と、前記被測定物を載せる移動自在のステージの位置と、前記プローブ針を備えたプローブカードの位置又は前記プローブ針の位置とを測定する工程と、検査中に前記プローブカードの上方に配設されたプローブ位置用測定器で前記プローブカード又は前記プローブ針の位置を測定する工程と、検査前の前記プローブカードまたは前記プローブ針の位置と前記プローブ位置用測定器で検査中に得た前記プローブカード又は前記プローブ針の位置変動量とに基づいて、前記プローブカードと前記被測定物との間の距離を一定に保つように前記ステージ位置を補正する工程と、記録装置で前記プローブ位置用測定器が測定により得た変動量を記録する工程と、前記被測定物と同一品種の被測定物を検査する場合に、記録した変動量に基づいて自動でステージ位置を補正する工程とを含むことを特徴とする半導体検査方法。

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