JP2008191066A - 表面検査方法および表面検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被検体の被検面を検査することに要する時間の増大を招くことなく、被検面における欠陥の位置を正確に検知することができる表面検査方法および表面検査装置を提供する。
【解決手段】所定の光束Ｌの照射により長尺な照射領域を被検体３０の被検面３１に形成しつつ、照射領域がその長尺方向と交差する方向で被検面３１を走査するように光束Ｌおよび被検体３０のうち少なくとも一方を相対的に変位させ、照射領域から出射した散乱光Ｒを検出することにより、被検面３１の検査を行う表面検査方法である。照射領域として、同一の走査線上で対向しつつ走査方向に沿う互いの間隔が走査方向と略直交する走査幅方向で見て漸次的に異なるように設定された第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２とを用い、第１照射領域Ｔ１からの散乱光Ｒと第２照射領域Ｔ２からの散乱光Ｒとを検出した時間差に基づいて、同一の走査線内における走査幅方向で見た散乱光Ｒの出射位置を検知する。
【選択図】図３

Description

本発明は、被検面の欠陥を検査する表面検査方法および表面検査装置に関し、詳細には、被検面に光束を照射して、その散乱光の強度を検出することにより、被検面の欠陥を検査する方法および装置の改良に関する。

従来、例えば半導体ウェハ等の被検体の表面（被検面）に異物が付着する、あるいは傷（結晶欠陥を含む）がついている等の被検面の欠陥を、レーザ光を被検面に照射することにより検査する表面検査装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

このようにレーザ光を被検面に照射して被検面の欠陥を検査する表面検査装置には、例えば、レーザ光等所定の光束を出射する光源と、この光源から出射した光束により一定方向に長尺な照射領域を被検面に形成すべく当該被検面に対して所定の入射角で入射させる照射手段と、照射領域が被検面を走査するように被検体を変位させる走査手段と、光束が入射した被検面の部分（照射領域）から出射した散乱光を検出可能な散乱光検出手段と、この散乱光検出手段からの検出結果に基づいて被検面の状態を分析する分析手段とを備え、この分析手段による分析結果により欠陥の有無等を検査するものがある。ここで、照射領域からの散乱光は、被検面に入射した光束が照射領域において正反射する方向以外の方向に散乱した光を意味し、散乱光検出手段は、正反射方向以外の方向にその光軸が設定されており、例えば被検面に対して所定の俯角を以て照射領域を向くように光軸が設定されている。

上記した従来の表面検査装置では、照射手段と散乱光検出手段とが固定されており、走査手段が被検面に直交する回転軸線回りに回転させつつ当該回転軸線と直交しかつ照射領域の長尺方向に沿う方向に平行移動させるように被検体を駆動することにより、一定の照射領域で被検面を螺旋状に走査する構成とされている。この表面検査装置では、散乱光の検出の有無により照射領域内における欠陥の有無を検知することができるとともに、散乱光が出射された際の照射領域の位置から被検面上での欠陥の位置を検知することができ、散乱光の強度から欠陥の大きさ寸法を検知することができる。
特開平０５−２０９８４１号公報

しかしながら、従来の表面検査装置では、欠陥が照射領域よりも小さいものであるとき、照射領域内における被検面上での欠陥の位置を特定することが困難、すなわち被検面上での欠陥の位置を正確に検知することが困難である。そこで、照射領域を小さくすることが考えられるが、一つの被検体の被検面を検査するのに要する時間が増大してしまう。

ここで、従来の表面検査装置には、被検面を余すことなく確実に網羅するために、回転軸線に直交する同一の直線上で見て、ｎ回転目に形成する照射領域と、ｎ＋１回転目に形成する照射領域とが略５０（％）重なるように設定されているものがある。この場合には、照射領域よりも小さい欠陥であっても、ｎ回転目とｎ＋１回転目との少なくとも２回照射領域を通過する（すなわち単一の欠陥を２度走査する）こととなるので、光源の特性により単一の照射領域内に生じる照射強度の差異を利用して、照射領域内での欠陥の位置を推測することが考えられる。ところが、散乱光の強度は、特に小さな欠陥ではノイズとの差が微弱であり正確に検出することが難しく検出誤差の影響が大きいことから、照射領域内での欠陥の位置を正確に検出することは困難である。

本発明は、上記の事情に鑑みて為されたもので、被検体の被検面を検査することに要する時間の増大を招くことなく、被検面における欠陥の位置を正確に検知することができる表面検査方法および表面検査装置を提供することを目的とするものである。

上記した課題を解決するために、請求項１に記載の表面検査方法は、所定の光束を表面検査の対象である被検体の被検面に対して所定の入射角で入射させることにより長尺な照射領域を前記被検面に形成しつつ、前記照射領域がその長尺方向と交差する方向で前記被検面を走査するように前記光束および前記被検体のうち少なくとも一方を相対的に変位させ、前記照射領域から出射した散乱光を検出することにより、被検面の検査を行う表面検査方法であって、前記照射領域として、同一の走査線上で対向しつつ走査方向に沿う互いの間隔が走査方向と略直交する走査幅方向で見て漸次的に異なるように設定された第１照射領域と第２照射領域とを用い、前記第１照射領域からの散乱光と前記第２照射領域からの散乱光とを検出した時間差に基づいて、同一の走査線内における前記走査幅方向で見た散乱光の出射位置を検知することを特徴とする。

上記した構成によれば、同一の走査線上に位置する第１照射領域と第２照射領域とが、走査幅方向に沿う位置に応じて間隔が異なるように設定されていることから、被検面に欠陥が存在する場合、当該欠陥が同一の走査線上で第１照射領域と第２照射領域と横切ることにより、第１照射領域からの散乱光が検出される時刻と第２照射領域からの散乱光が検出される時刻とには第１照射領域と第２照射領域との間隔に応じた時間差が生じる。この時間差から、単一の照射領域内において走査幅方向に沿う方向で見た当該散乱光が出射された位置を特定することができるので、被検面における欠陥の位置を正確に検知することができる。このように、照射領域（第１照射領域および第２照射領域の走査幅）を小さくすることなく、欠陥の位置を正確に特定することができるので、上記した構成によれば、一つの被検体の被検面を検査するのに要する時間が増加することを防止しつつ欠陥の位置を正確に検知することができる。

請求項２の表面検査方法は、請求項１に記載の表面検査方法であって、前記第１照射領域と前記第２照射領域とは、前記走査幅方向に対して線対称であることを特徴とする。

上記した構成によれば、同一の欠陥に起因する第１照射領域からの散乱光と第２照射領域からの散乱光とにおいて、出射される時刻以外を等しいものとすることができることから、異なる間隔に応じて生じる時間差を容易かつ適切に取得することができ、被検面における欠陥の位置をより正確に検知することができる。

請求項３の表面検査方法は、請求項１または請求項２に記載の表面検査方法であって、前記第１照射領域と前記第２照射領域とは、互いに異なる２つの光源から出射された光束により形成されていることを特徴とする。

上記した構成によれば、第１照射領域と第２照射領域とを異なる２つの光源により形成しているので、第１照射領域と第２照射領域とを容易かつ適切に形成することができる。

請求項４の表面検査装置は、所定の光束を表面検査の対象である被検体の被検面に対して所定の入射角で入射させることにより長尺な照射領域を前記被検面に形成する照射手段と、前記照射領域がその長尺方向と交差する方向で前記被検面を走査するように前記照射手段および前記被検体のうち少なくとも一方を相対的に変位させる走査手段と、前記照射領域から出射した散乱光を検出可能な散乱光検出手段と、該散乱光検出手段からの検出結果に基づいて前記被検面の状態を分析する分析手段とを備えた表面検査装置であって、前記照射手段は、前記照射領域として、同一の走査線上で対向しつつ走査方向に沿う互いの間隔が走査方向と略直交する走査幅方向で見て漸次的に異なるように設定された第１照射領域と第２照射領域とを形成し、前記分析手段は、前記第１照射領域からの散乱光と前記第２照射領域からの散乱光とが検出された時間差に基づいて、同一の走査線内における前記走査幅方向で見た散乱光の出射位置を検知することを特徴とする。

上記した構成によれば、照射手段により形成された第１照射領域と第２照射領域とが、同一の走査線上に位置しつつ走査幅方向に沿う位置に応じて間隔が異なるように設定されていることから、被検面上に欠陥が存在する場合、当該欠陥が同一の走査線上で第１照射領域と第２照射領域とを横切ることにより、第１照射領域からの散乱光が検出される時刻と第２照射領域からの散乱光が検出される時刻とには異なる間隔に応じて時間差が生じる。この時間差から、単一の照射領域内において走査幅方向に沿う方向で見た当該散乱光が出射された位置を特定することができるので、被検面における欠陥の位置を正確に検知することができる。

請求項５の表面検査装置は、請求項４に記載の表面検査装置であって、前記照射手段は、前記走査幅方向に対して線対称となるように前記第１照射領域と前記第２照射領域とを形成していることを特徴とする。

上記した構成によれば、第１照射領域からの散乱光と第２照射領域からの散乱光とにおいて、出射される時間以外を等しいものとすることができることから、異なる間隔に応じて生じる時間差を容易かつ適切に分析手段に取得させることができ、被検面における欠陥の位置をより正確に検知することができる。

請求項６の表面検査装置は、請求項４または請求項５に記載の表面検査装置であって、前記照射手段は、前記第１照射領域を形成する第１照射手段と、前記第２照射領域を形成する第２照射手段とを有することを特徴とする。

上記した構成によれば、第１照射手段と第２照射手段とにより第１照射領域と第２照射領域とを形成しているので、簡易な構成で第１照射領域と第２照射領域とを適切に形成することができる。

請求項７の表面検査装置は、請求項４ないし請求項６のいずれか１項に記載の表面検査装置であって、前記被検面は、略真円であり、前記走査手段は、前記被検面の中心を通りかつ該被検面に直交する回転軸線回りに前記被検体を回転させる回転手段と、前記走査幅方向に前記被検体を直線移動させるリニア移動手段とを有し、前記照射領域に螺旋状の軌跡で前記被検面を走査させることを特徴とする。

上記した構成によれば、回転手段およびリニア移動手段という簡単な組合せによって、走査軌跡が滑らかな螺旋状となる走査手段を構成することができる。このような、滑らかな螺旋状の走査では、略真円な被検面を余すことなく確実に網羅させつつ走査速度を増加することができるので、表面検査装置の信頼性および利便性を向上させることができる。

本発明の表面検査方法によれば、一つの被検体の被検面を検査することに要する時間の増大を招くことなく、被検面における欠陥の位置を正確に検知することができる。

以下に、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。

図１は、本発明に係る表面検査方法を行う表面検査装置１０を模式的に示す斜視図であり、図２は、表面検査装置１０によりウェハ３０の被検面３１を走査する様子を説明するための説明図である。また、図３は、表面検査装置１０に形成される第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２による走査の様子を説明するための説明図であり、図４は、表面検査装置１０による表面検査の方法を説明するために図３の第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２から出射される散乱光Ｒの検出結果を示すグラフである。

表面検査装置１０は、走査手段１１と照射手段１２と散乱光検出手段１３と制御機構１４とを備える。

走査手段１１は、保持ステージ１５と回転機構１６とリニア移動機構１７とを有し、制御機構１４と電気的に接続されている。

保持ステージ１５は、検査対象としての略真円の板形状を呈するウェハ３０（被検体）の載置が可能とされ、載置されたウェハ３０を吸着保持することが可能とされている。なお、以下の説明では、保持ステージ１５に適切に保持された状態のウェハ３０の被検面３１の中心を原点Ｏとして当該被検面３１が存在する面をＸ−Ｙ平面とし、この平面に直交する方向をＺ軸方向とする。保持ステージ１５は、回転機構１６とリニア移動機構１７とにより移動可能とされている。

リニア移動機構１７は、図示は略すがＹ軸方向に延在するガイド軸に駆動自在に支承されたＹ軸駆動部により構成され、Ｙ軸に沿って移動自在とされている（矢印Ａ１参照）。このリニア移動機構１７には、図示は略すが、リニア移動機構１７のＹ軸に沿うＹ軸移動位置を検出するためのＹ軸位置エンコーダーが設けられており、当該Ｙ軸位置エンコーダーによる位置検出結果が制御機構１４に出力される構成とされている。このリニア移動機構１７とともに移動可能とするように、リニア移動機構１７に回転機構１６が取り付けられている。

回転機構１６は、Ｚ軸方向に延在する回転軸１６ａを回転可能に保持している。この回転軸１６ａの先端にＸ−Ｙ平面に平行な状態で保持ステージ１５が取り付けられており、保持ステージ１５をＺ軸方向回りに回転させることができる（矢印Ａ２参照）。この回転機構１６には、図示は略すが、保持ステージ１５の回転角度位置を検出するための回転角度エンコーダーが設けられており、当該回転角度エンコーダーによる回転角度検出結果が制御機構１４に出力される構成とされている。

これにより、走査手段１１では、制御機構１４の制御により、保持ステージ１５に保持されたウェハ３０を、Ｚ軸回りに回転させつつＹ軸方向に平行移動させることができる。このウェハ３０の被検面３１にレーザ光Ｌ（所定の光束）を照射するのが照射手段１２である。

照射手段１２は、第１照射部１８（第１照射手段）と第２照射部１９（第２照射手段）とを有し、それぞれ制御機構１４に電気的に接続されている。第１照射部１８および第２照射部１９は、回転機構１６とリニア移動機構１７とにより移動される保持ステージ１５（ウェハ３０）に対し、相対的な位置が移動するようにその絶対的な位置が固定されている。第１照射部１８および第２照射部１９は、図示は略すが、半導体レーザ光源と当該レーザ光原から出射されたレーザ光を被検面３１上で結像する光学系とを有しており、被検面３１に所望の照射領域（Ｔ１、Ｔ２）を形成可能とされている。第１照射部１８および第２照射部１９は、出射したレーザ光Ｌが、被検面３１（Ｘ−Ｙ平面）に対して所定の俯角α（＝入射角（９０°−α））で入射させるように設定され、かつ第１照射部１８と第２照射部１９とは、各々が出射したレーザ光ＬがＹＺ平面に対して対称であるとともにＹ軸方向に対して所定の角度β（図３参照）で交差するように設定されている。

このため、図３に示すように、第１照射部１８および第２照射部１９は、被検面３１（Ｘ−Ｙ平面）に対して所定の俯角αで入射させるように設定されていることから、出射したレーザ光Ｌが被検面３１上に形成する照射領域（Ｔ１、Ｔ２）が長尺な楕円形状となる。また、第１照射部１８と第２照射部１９とは、各々が出射したレーザ光ＬがＹＺ平面に対して対称であるように設定されていることから、第１照射部１８が被検面３１上に形成する第１照射領域Ｔ１と第２照射部１９が被検面３１上に形成する第２照射領域Ｔ２とがＹ軸方向に対して線対称となる。さらに、第１照射部１８と第２照射部１９とは、各々が出射したレーザ光ＬがＹ軸方向に対して所定の角度β（図３参照）で交差するように設定されていることから、第１照射領域Ｔ１の長軸方向とＹ軸方向とは角度βで交差しかつ第２照射領域Ｔ２の長軸とがとＹ軸方向とも角度βで交差することとなる。なお、被検面３１に対する所定の俯角αは、その値が小さいほど楕円形状の照射領域を形成し易くなるものであり、この楕円の比率は感度と検査時間とを適宜勘案して設定され、０°よりも大きく９０°以下のいずれの値であってもよい。ここで、所定の俯角αに９０°が含まれるのは、楕円鏡等を用いて楕円形状の照射領域を形成することもできることによる。

このことから、照射手段１２は、走査手段１１の保持ステージ１５に吸着保持されたウェハ３０の被検面３１に、Ｙ軸方向のマイナス方向へ向けて互いの間隔が漸次的に増加する、すなわち最も小さい間隔ｄ_ｍｉｎから最も大きなｄ_ｍａｘまで漸次的に増加するＶ字状の位置関係となる第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２とを形成する。本実施例では、照射手段１２は、第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２とが等しい面積で、かつ等しい強度分布となるように、設定されている。

この第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２は、絶対的な位置が固定された第１照射部１８および第２照射部１９により形成されていることから絶対的な位置が固定されているため、ウェハ３０が走査手段１１によりＺ軸方向回りに回転されつつＹ軸方向に平行移動されることにより、第１照射部１８および第２照射部１９が被検面３１上を相対的に螺旋状に移動するので、ウェハ３０の被検面３１を螺旋状に走査する（図２の矢印Ｓ参照）。換言すると、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２は、滑らかな螺旋状の走行軌跡Ｓを辿って被検面３１を走査する。

ここで、第１照射部１８から出射されたレーザ光Ｌは、第１照射領域Ｔ１で正反射されてＹ軸方向に対して角度βでかつ仰角α（出射角（９０°−α））で、第１照射領域Ｔ１から出射することとなり、第２照射部１９から出射されたレーザ光Ｌは、第２照射領域Ｔ２で正反射されてＹ軸方向に対して角度βでかつ仰角α（出射角（９０°−α））で、第２照射領域Ｔ２から出射することとなる。この正反射以外の光すなわち散乱光Ｒを検出するために散乱光検出手段１３が設けられている。

散乱光検出手段１３は、その光軸がＹ軸方向に対して略直交するように第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２に向かい、かつ光軸が被検面３１（Ｘ−Ｙ平面）に対して俯角γを為すように設定されており、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２から出射した正反射光以外の光である散乱光Ｒを検出可能とされている。なお、本実施例では、正反射光以外の光である散乱光の検出方法の一例として散乱光検出手段１３を示したが、当該散乱光の検出方法は、例えば楕円鏡を用いて集光することにより散乱光を検出するものであってもよく、本実施例に限定されるものではない。散乱光検出手段１３は、制御機構１４に電気的に接続されており、散乱光Ｒの検出結果を制御機構１４に出力可能とされている。

この制御機構１４は、走査手段１１、照射手段１２および散乱光検出手段１３を統括的に駆動制御する。ここで、照射手段１２から出射されたレーザ光Ｌにより形成される第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２からは、当該第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２（ウェハ３０の被検面３１）で吸収された分を除いた残りの光が正反射として出射され、原則的に、正反射光が出射する方向以外には光が出射することはない。これに対し、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２に傷が存在する場合には、その傷を形成する微小な凹凸等によってレーザ光Ｌが乱反射するため、正反射光の他に乱反射による散乱光Ｒが生じる。同様に、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２に異物が付着している場合には、その異物の凸壁等によってレーザ光Ｌが乱反射するため、正反射光の他に当該乱反射による散乱光Ｒが生じる。これらのことから、散乱光Ｒを散乱光検出手段１３が検出することにより、被検面３１の欠陥（上記した異物の付着、傷（結晶欠陥を含む）の存在等）の有無を検知することができる。

ここで、制御機構１４では、上記した２つのエンコーダー（図示せず）により検出された保持ステージ１５（ウェハ３０）のＹ軸移動位置および回転角度位置が入力されていることから、特定の時刻における、Ｚ軸回りに回転されつつＹ軸方向に平行移動するウェハ３０の被検面３１上で第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２が形成されている位置をＹ軸移動位置および回転角度位置に基づいて正確に特定することができる。また、制御機構１４では、散乱光検出手段１３で検出された散乱光Ｒの波形形状および強度から散乱光Ｒの原因となる欠陥の形状および大きさを分析することができる。これにより、制御機構１４は、散乱光検出手段１３から検出信号を受けた時刻からウェハ３０の被検面３１における位置を特定しつつ、当該検出信号から散乱光Ｒの原因となる欠陥が被検面３１に生じた傷であるのか、被検面３１に付着した異物であるのかを分析するとともに、散乱光Ｒの強度に基づいて当該傷または異物の大きさを分析する。このことから、本実施例の表面検査装置１０では、制御機構１４が分析手段として機能している。

また、表面検査装置１０では、図示は略すが、検出信号の受信結果が、ウェハ３０の被検面３１における位置を特定しつつ表示手段に表示されるまたは紙等の媒体に印刷される構成とされており、これらに基づいて被検面３１上の欠陥を分析者が分析することができる。

この欠陥の分析を行う際、本発明に係る表面検査方法（表面検査装置１０）では、ウェハ３０の被検面３１における位置を、従来の表面検査方法に比較してより狭い範囲に特定することができる。このことについて、以下で詳細に説明する。

前述したように、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２は、ウェハ３０の被検面３１を螺旋状に走査する（図２の矢印Ｓ参照）こととなる、換言すると被検面３１上には滑らかな螺旋状の走査線Ｓが形成されることとなる。ここで、図１および図２では、理解容易のために、Ｖ字状の位置関係とされた第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２の大きさ寸法がウェハ３０の大きさに対して比較的大きく記載されているが、実際には、ウェハ３０の被検面３１に比較すると第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２は大変微少なものであることから、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２の間では、図３に示すように、略Ｘ軸方向に沿う走査線（矢印Ｐａおよび矢印Ｐｂ参照）が形成されるものとみなすことができる。換言すると、ウェハ３０の被検面３１上の欠陥は、相対的に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２をＸ軸方向に沿って横切る（矢印Ｐａおよび矢印Ｐｂ参照）ものとみなすことができる。このことから、Ｙ軸方向に対して線対称とされた第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２とは、同一の走査線上で互いの間隔を漸次的に異ならせつつ対向し、かつＹ軸方向で見て等しい寸法の走査幅ｒを有している。

ウェハ３０の被検面３１上の欠陥は、第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２とにより時間差を持って２度走査される、すなわち第１照射領域Ｔ１を横切った後、第２照射領域Ｔ２を横切ることから、第１照射領域Ｔ１を横切った際に第１照射領域Ｔ１から散乱光Ｒ１を出射させ、その後、第２照射領域Ｔ２を横切った際に第２照射領域Ｔ２から散乱光Ｒ２を出射させる。ここで、第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２とは、Ｙ軸方向で見た位置に応じて互いの間隔が異なるＶ字状（最も小さい間隔ｄ_ｍｉｎから最も大きなｄ_ｍａｘまで漸次的に増加する）の位置関係とされていることから、散乱光Ｒ１が出射されてから散乱光Ｒ２が出射されるまでの時間がＹ軸方向で見た位置に応じて異なることとなる。この具体的な例として、ウェハ３０の被検面３１上に、Ｙ軸方向で見て（被検面３１の半径方向で見て）異なる位置に、等しい大きさ寸法の異物Ｗａおよび異物Ｗｂが付着しているものとする。

異物Ｗａの存在により散乱光検出手段１３に検出された検出結果を図４（ａ）のグラフに示し、異物Ｗｂの存在により散乱光検出手段１３に検出された検出結果を図４（ｂ）のグラフに示す。図４のグラフにおいて、Ｒａ１は異物Ｗａによる第１照射領域Ｔ１（図３参照）からの散乱光を示し、Ｒａ２は異物Ｗａによる第２照射領域Ｔ２（図３参照）からの散乱光を示し、Ｒｂ１は異物Ｗｂによる第１照射領域Ｔ１（図３参照）からの散乱光を示し、Ｒｂ２は異物Ｗｂによる第２照射領域Ｔ２（図３参照）からの散乱光を示す。また、散乱光Ｒａ１が検出された時刻をｔａ１とし、散乱光Ｒａ２が検出された時刻をｔａ２とし、散乱光Ｒｂ１が検出された時刻をｔｂ１とし、散乱光Ｒｂ２が検出された時刻をｔｂ２とする。

異物Ｗａが第１照射領域Ｔ１を横切った後、第２照射領域Ｔ２を横切る場合の通り道をＰａ（図３参照）とすると、通り道Ｐａ上で見て、第１照射領域Ｔ１の長軸に交差する個所から第２照射領域Ｔ２の長軸に交差する個所までの間隔ｄ１が、検出結果では時刻をｔａ１と時刻ｔａ２との時間差（図４（ａ）参照）として反映される。また、異物Ｗｂが第１照射領域Ｔ１を横切った後、第２照射領域Ｔ２を横切る場合の通り道をＰｂ（図３参照）とすると、通り道Ｐｂ上で見て、第１照射領域Ｔ１の長軸に交差する個所から第２照射領域Ｔ２の長軸に交差する個所までの間隔ｄ２が、検出結果では時刻をｔｂ１と時刻ｔｂ２との差（図４（ｂ）参照）として反映される。

このように、ウェハ３０の被検面３１上の異物は、必ず第１照射領域Ｔ１を横切った後、第２照射領域Ｔ２を横切り、かつ第１照射領域Ｔ１からの散乱光Ｒ１が生じた時刻ｔ１と第２照射領域Ｔ２からの散乱光Ｒ２が生じた時刻ｔ２との時間差が走査幅ｒ内におけるＹ軸方向で見た位置に応じて異なることから、当該時間差から同一の走査線Ｓ上におけるＹ軸方向で見た位置、換言すると走査幅ｒ内におけるＹ軸方向で見た座標位置を特定することができる。

また、時刻をｔ１と時刻ｔ２との中間の時刻をｔ０とし、当該中間時刻ｔ０において第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２の中間に位置する個所、すなわち中間時刻ｔ０において被検面３１におけるＹ軸に重なる個所から、ウェハ３０の被検面３１上の異物のＸ軸方向（走査方向）で見た位置を特定することができる。このように、中間時刻ｔ０に基づいて異物のＸ軸方向の位置を特定するのは次のことによる。第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２がＹ軸方向に角度βで交差する構成とされていることから、時刻をｔ１（時刻ｔ２であっても同様）に基づいて異物のＸ軸方向の位置を特定すると時刻ｔ１において第１照射領域Ｔ１が形成されている範囲ｅ内に存在することを示してはいるが、範囲ｅ内での位置が特定できない。これに対し、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２がＹ軸方向に対して線対称とされていることから、中間時刻ｔ０に該当する個所は、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２の対称線となるＹ軸上に位置することとなるので、中間時刻ｔ０に該当する個所を特定すれば、Ｘ軸方向で見た座標位置を特定できることによる。

さらに、散乱光Ｒ（散乱光Ｒ１および散乱光Ｒ２）の強度および波形形状から、欠陥の大きさ寸法（上記した例では異物Ｗａおよび異物Ｗｂの大きさ寸法）を特定することができる。これは、同一の強度分布とされた第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２からの散乱光Ｒの強度および波形形状は、当該領域内に存在する欠陥の大きさに応じて異なることによる。

このように、本発明に係る表面検査方法では、散乱光検出手段１３から検出信号を受けた時刻に基づいて、散乱光Ｒを生じさせた欠陥のウェハ３０の被検面３１における位置を、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２が形成されていた領域内にあることを特定する（ここまでは従来の表面検査方法も同様）ことに加えて、第１照射領域Ｔ１からの散乱光Ｒ１が生じた時刻と第２照射領域Ｔ２からの散乱光Ｒ２が生じた時刻との時間差に基づいて走査幅ｒ内におけるＹ軸方向で見た位置（Ｙ座標位置）を特定することができる。このことから、検出した欠陥が、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２よりも微少なものであっても、ウェハ３０の被検面３１の全範囲においていずれの位置（座標位置）に存在するのか、正確に検知（特定）することができる。

また、当該欠陥のＸ軸方向で見た位置は、第１照射領域Ｔ１からの散乱光Ｒ１が生じた時刻ｔ１と第２照射領域Ｔ２からの散乱光Ｒ２が生じた時刻ｔ２との中間時刻ｔ０に基づいて特定することができる。よって、本発明に係る表面検査方法では、ウェハ３０の被検面３１における欠陥の位置をより正確に、換言するとＸ−Ｙ平面で見た座標位置として特定することができる。

さらに、本発明に係る表面検査方法では、当該欠陥の大きさ寸法を、散乱光Ｒ（散乱光Ｒ１および散乱光Ｒ２）の強度および波形形状から特定することができることから、被検体（上記した例ではウェハ３０）の被検面３１を、より精度良く検査することができる、換言するとより緻密な検査を行うことができる。

上記した本発明に係る表面検査方法を実行する表面検査装置１０では、被検面３１の検査の精度を高めるために、図５に示すように、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２に対する走査速度が、ｎ周目の走査におけるＹ軸方向の走査範囲を走査幅ｒ_ｎとすると、当該走査幅ｒ_ｎの下半分がｎ−１周目の走査における走査幅ｒ_ｎ-１と重複し、かつ当該走査幅ｒ_ｎの上半分がｎ＋１周目の走査における走査幅ｒ_ｎ+１と重複するように設定されている。換言すると、ｎ−１周目に第１照射領域Ｔ１´および第２照射領域Ｔ２´が形成される個所に対して、ｎ周目に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２が形成される個所が、ｒ／２（走査幅の半分）だけＹ軸方向にずれる（Ｙ軸方向で見て走査幅が略５０（％）重なる）こととなる。

この表面検査装置１０による表面検査の工程を以下で説明する。

図１および図２に示すように、被検体としての略真円のウェハ３０を、走査手段１１の保持ステージ１５に適切な状態で載置し、保持ステージ１５により吸着固定させる。

この状態において、照射手段１２の第１照射部１８と第２照射部１９とにより、ウェハ３０の被検面３１の中心に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２を形成しつつ、走査手段１１の回転機構１６が等角速度で保持ステージ１５を矢印Ａ２方向に回転させつつ、リニア移動機構１７が回転機構１６を矢印Ａ１方向に等速変位させる。

これにより、ウェハ３０の被検面３１に形成された第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２は、被検面３１上を相対的に螺旋状に移動する（図２の矢印Ｓ参照）こととなり、照射手段１２の第１照射部１８と第２照射部１９から出射されたレーザ光Ｌで螺旋状に走査することができる。このとき、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２の大きさ寸法に対する走査手段１１による移動速度が、ｎ−１周目に第１照射領域Ｔ１´および第２照射領域Ｔ２´が形成される個所に対して、ｎ周目に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２が形成される個所が、ｒ／２（走査幅の半分）だけＹ軸方向にずれる（Ｙ軸方向で見て走査幅が略５０（％）重なる）ように設定されている（換言すると走査ピッチがｒ／２）ことから、一度の走査工程において略真円な被検面３１を確実に網羅することができる。なお、一度の走査工程において略真円な被検面３１を確実に網羅する観点から、ｎ−１周目に第１照射領域Ｔ１´および第２照射領域Ｔ２´が形成される個所に対する、ｎ周目に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２が形成される個所が隣接するように、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２の大きさ寸法に対する走査手段１１による移動速度が設定されていれば走査ピッチがｒ／２以外であってもよく、上記したものに限定されるものではない。

ここで、ウェハ３０の被検面３１に異物Ｗｃおよび異物Ｗｄ（図６参照）が付着しているものとする。図６に示すように、異物Ｗｃは、ｎ−１周目およびｎ周目に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２を横切る通り道Ｐｃを辿るものとし、異物Ｗｄは、ｎ−１周目、ｎ周目およびｎ＋１周目に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２を横切る通り道Ｐｄを辿るものとする。この異物Ｗｃの存在により散乱光検出手段１３に検出された検出結果を図７のグラフに示し、異物Ｗｄの存在により散乱光検出手段１３に検出された検出結果を図８のグラフに示す。

図７のグラフにおいて、（ａ）はｎ周目に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２を横切った際の検出結果を示しており、Ｒｃ１は異物Ｗｃによる第１照射領域Ｔ１からの散乱光を示し、この時刻をｔｃ１とし、Ｒｃ２は異物Ｗｃによる第２照射領域Ｔ２からの散乱光を示し、この時刻をｔｃ２としている。（ｂ）はｎ−１周目に第１照射領域Ｔ１´および第２照射領域Ｔ２´を横切った際の検出結果を示しており、Ｒｃ１´は異物Ｗｃによる第１照射領域Ｔ１からの散乱光を示し、この時刻をｔｃ１´とし、Ｒｃ２´は異物Ｗｃによる第２照射領域Ｔ２からの散乱光を示し、この時刻をｔｃ２´としている。

表面検査装置１０では、ｎ−１周目の走査において異物Ｗｃにより出射された散乱光Ｒｃ１´および散乱光Ｒｃ２´を、散乱光検出手段１３により図７（ｂ）に示す検出結果として得ることができる。この検出結果における、時刻ｔｃ１´と時刻ｔｃ２´との時間差に基づいて異物ＷｃのＹ座標を特定し、時刻ｔｃ１´と時刻ｔｃ２´と中間時刻ｔｃ０´に基づいて異物ＷｃのＸ座標を特定し、散乱光Ｒｃ１´および散乱光Ｒｃ２´の強度および波形形状から異物Ｗｃの大きさ寸法を特定する。

また、異物Ｗｃのｎ周目の走査において異物Ｗｃにより出射された散乱光Ｒｃ１および散乱光Ｒｃ２の、散乱光検出手段１３による検出結果（図７（ａ）参照）からも同様に異物ＷｃのＸ−Ｙ平面で見た座標位置および大きさ寸法を特定し、このｎ周目の走査における分析結果とｎ−１周目の走査における分析結果とを勘案して、異物Ｗｃを分析する。なお、このｎ周目の分析結果とｎ−１周目の分析結果とを、均等な重みを持つ構成としてもよくいずれか一方に重みを持たせる（例えば、第１照射領域内での強度分布特性に起因する検査精度の高さに応じて重みを設定する）構成であっても良い。

このように、表面検査装置１０では、異物Ｗｃを、ｎ周目に出射された散乱光Ｒｃ１および散乱光Ｒｃ２と、ｎ−１周目に出射された散乱光Ｒｃ１´および散乱光Ｒｃ２´とに基づく検出結果を複合して分析するので、より正確な分析結果を得ることができる。

同様に、Ｗｄの場合には、以下のようになる。

図８のグラフにおいて、（ａ）はｎ周目に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２を横切った際の検出結果を示しており、Ｒｄ１は異物Ｗｄによる第１照射領域Ｔ１からの散乱光を示し、この時刻をｔｄ１とし、Ｒｄ２は異物Ｗｄによる第２照射領域Ｔ２からの散乱光を示し、この時刻をｔｄ２としている。（ｂ）はｎ−１周目に第１照射領域Ｔ１´および第２照射領域Ｔ２´を横切った際の検出結果を示しており、Ｒｄ１´は異物Ｗｄによる第１照射領域Ｔ１からの散乱光を示し、この時刻をｔｄ１´とし、Ｒｄ２´は異物Ｗｄによる第２照射領域Ｔ２からの散乱光を示し、この時刻をｔｄ２´としている。（ｃ）はｎ＋１周目に第１照射領域Ｔ１´´および第２照射領域Ｔ２´´を横切った際の検出結果を示しており、Ｒｄ１´´は異物Ｗｄによる第１照射領域Ｔ１からの散乱光を示し、この時刻をｔｄ１´´とし、Ｒｄ２´´は異物Ｗｄによる第２照射領域Ｔ２からの散乱光を示し、この時刻をｔｄ２´´としている。

表面検査装置１０では、ｎ−１周目の走査において異物Ｗｄにより出射された散乱光Ｒｄ１´および散乱光Ｒｄ２´を、散乱光検出手段１３により図８（ｂ）に示す検出結果として得ることができる。この検出結果における、時刻ｔｄ１´と時刻ｔｄ２´との時間差に基づいて異物ＷｄのＹ座標を特定し、時刻ｔｄ１´と時刻ｔｄ２´と中間時刻ｔｄ０´に基づいて異物ＷｄのＸ座標を特定し、散乱光Ｒｄ１´および散乱光Ｒｄ２´の強度および波形形状から異物Ｗｄの大きさ寸法を特定する。

また、異物Ｗｄのｎ周目の走査において異物Ｗｄにより出射された散乱光Ｒｄ１および散乱光Ｒｄ２の、散乱光検出手段１３による検出結果（図８（ａ）参照）からも同様に異物ＷｄのＸ−Ｙ平面で見た座標位置および大きさ寸法を特定する。

さらに、異物Ｗｄのｎ＋１周目の走査において異物Ｗｄにより出射された散乱光Ｒｄ１´´および散乱光Ｒｄ２´´の、散乱光検出手段１３による検出結果（図８（ｃ）参照）からも同様に異物ＷｄのＸ−Ｙ平面で見た座標位置および大きさ寸法を特定する。

これら、ｎ−１周目の走査における分析結果と、ｎ周目の走査における分析結果と、ｎ＋１周目の走査における分析結果とを勘案して、異物Ｗｄを分析する。

このように、表面検査装置１０では、異物Ｗｄを、ｎ−１周目に出射された散乱光Ｒｄ１´および散乱光Ｒｄ２´と、ｎ周目に出射された散乱光Ｒｄ１および散乱光Ｒｄ２と、ｎ＋１周目に出射された散乱光Ｒｄ１´´および散乱光Ｒｄ２´´とに基づく検出結果を複合して分析するので、より正確な分析結果を得ることができる。

上記したように、本発明に係る表面検査方法（表面検査装置１０）では、同一の走査線上（上記した実施例では螺旋状に走査されることから、Ｙ軸方向で見て同一周回における走査線Ｓ上）に位置する第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２とが、Ｙ軸方向（走査幅方向）に沿う位置に応じて間隔が異なるように設定されていることから、欠陥が存在する場合、当該欠陥が同一の走査線上で第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２とで走査されることにより、第１照射領域Ｔ１からの散乱光Ｒを検出する時刻と第２照射領域Ｔ２からの散乱光Ｒを検出する時刻とには異なる間隔に応じて時間差が生じるため、単一の照射領域内においてＹ軸方向（走査幅方向）で見た当該散乱光Ｒが出射された位置を特定することで、被検面３１における欠陥の位置を正確に検知することができる。このように、照射領域（第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２）を小さくすることなく、欠陥の位置を正確に（Ｘ−Ｙ平面で見た座標位置として）検知することができるので、一つのウェハ３０（被検体）の被検面３１を検査するのに要する時間が増加することを防止しつつ被検面３１の全範囲における欠陥の位置を正確に検知することができる。

また、本発明に係る表面検査方法（表面検査装置１０）では、同一の欠陥に起因する第１照射領域Ｔ１からの散乱光Ｒと第２照射領域Ｔ２からの散乱光Ｒとを、出射される時刻以外を等しいものとすることができることから、異なる間隔に応じて生じる時間差を容易かつ適切に取得することができ、被検面３１における欠陥の位置をより正確に検知することができる。

さらに、本発明に係る表面検査方法（表面検査装置１０）では、第１照射部１８から出射されたレーザ光Ｌにより第１照射領域Ｔ１を形成し、かつ第２照射部１９から出射されたレーザ光Ｌにより第２照射領域Ｔ２を形成していることから、容易に第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２との位置関係を適切なものとすることができる。また、第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２との位置関係の調節、および第１照射領域Ｔ１または第２照射領域Ｔ２における強度特性の調節を容易なものとすることができる。

表面検査装置１０では、回転機構１６（回転手段）とリニア移動機構１７（リニア移動手段）という簡単な組合せにより、走査軌跡Ｓを滑らかな螺旋状とすることができる。また、ｎ−１周目に第１照射領域Ｔ１´および第２照射領域Ｔ２´が形成される個所に対する、ｎ周目に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２が形成される個所が隣接するように、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２の大きさ寸法に対する走査手段１１による移動速度が設定されていることから、一度の走査工程において略真円な被検面３１を確実に網羅しつつ走査速度を増加することができる。このことから、信頼性および利便性が向上している。

したがって、本発明の表面検査方法（表面検査装置１０）によれば、一つの被検体（ウェハ３０）の被検面３１を検査することに要する時間の増大を招くことなく、被検面３１における欠陥の位置を正確に検知することができる。

なお、上記した実施例では、第１照射領域Ｔ１と第２照射領域Ｔ２とが、Ｙ軸方向のマイナス方向へ向けて互いの間隔が漸次的に増加する（最も小さい間隔ｄ_ｍｉｎから最も大きなｄ_ｍａｘまで漸次的に増加する）Ｖ字状の位置関係とされていたが、第１照射領域Ｔ１からの散乱光Ｒ１と、第２照射領域Ｔ２からの散乱光Ｒ２との間隔がＹ軸方向（走査幅方向）で見て漸次的に異なるものであればよく、上記した実施例に限定されるものではない。例えば、図９に示すように、Ｙ軸上で延在する第１照射領域Ｔ１_ｅｘおよび第２照射領域Ｔ２と同様の第２照射領域Ｔ２_ｅｘとして構成することができる。この場合、第１照射領域Ｔ１_ｅｘから散乱光が出射された時刻と、第２照射領域Ｔ２_ｅｘから散乱光が出射された時刻との時間差に基づいて欠陥のＹ軸方向の座標を特定することができ、第１照射領域Ｔ１_ｅｘから散乱光が出射された時刻に基づいて欠陥のＸ軸方向の座標を特定することができる。また、上記したように、ｎ−１周目に第１照射領域Ｔ１´および第２照射領域Ｔ２´が形成される個所に対して、ｎ周目に第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２が形成される個所が、ｒ／２（走査幅の半分）だけＹ軸方向にずれる（Ｙ軸方向で見て走査幅が略５０（％）重なる）構成である場合、図１０に示すように、第１照射領域Ｔ１_ｅｘ´と第２照射領域Ｔ２_ｅｘ´とがＸ字状に交差する構成とすることができる。この場合、第１照射領域Ｔ１_ｅｘ´と第２照射領域Ｔ２_ｅｘ´との間隔の等しい個所が、図１０を正面視した上半分と下半分とに形成されることとなるので、ｎ周目の分析結果とｎ−１周目の分析結果とから、当該欠陥が上半分に存在したのか下半分に存在したのかを特定する必要がある。当該欠陥が上半分に存在したのか下半分に存在したのかの特定は、第１照射領域Ｔ１_ｅｘ´と第２照射領域Ｔ２_ｅｘ´との強度に差異を持たせ、当該差異に基づき判断する構成であってもよい。

また、上記した実施例では、第１照射部１８から出射されたレーザ光Ｌにより第１照射領域Ｔ１を形成し、かつ第２照射部１９から出射されたレーザ光Ｌにより第２照射領域Ｔ２を形成する構成であったが、同一の発生源から出射されたレーザ光を光学的に分割して第１照射領域と第２照射領域と形成するものであってもよい。この場合、第１照射領域と第２照射領域とをより等しい特性および形状とすることができる。

さらに、上記した実施例では、走査手段１１が回転機構１６（回転手段）とリニア移動機構１７（リニア移動手段）という簡単な組合せで構成され、被検面３１上に滑らかな螺旋状の走査軌跡Ｓを形成するものであったが、被検面３１上に直線状の走査軌跡を形成するものであってもよく、上記した実施例に限定されるものではない。

上記した実施例では、走査手段１１としての保持ステージ１５にウェハ３０を吸着保持させ、回転機構１６およびリニア移動機構１７により保持ステージ１５を回転させつつＹ軸方向に移動させることにより、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２で被検面３１上を螺旋状に走査する構成であったが、第１照射領域Ｔ１および第２照射領域Ｔ２がその長尺方向と交差する方向で被検面３１を走査するように、照射手段１１およびウェハ３０のうち少なくとも一方を相対的に変位させればよく、上記した実施例に限定されるものではない。

本発明に係る表面検査装置を説明するための模式的な構造図である。 第１照射領域および第２照射領域でウェハの被検面を走査する様子を説明するための説明図である。 第１照射領域および第２照射領域の互いの位置関係を説明するための説明図である。 図３の第１照射領域および第２照射領域から出射される散乱光の検出結果を示すグラフである。 第１照射領域および第２照射領域が、Ｙ軸方向で見て重複するように形成されていることを説明するための説明図である。 図５に示すＹ軸方向に重複された第１照射領域および第２照射領域を、異物が横切る様子を示す説明図である。 図６の異物Ｗｃに起因して第１照射領域および第２照射領域から出射される散乱光の検出結果を示すグラフである。 図６の異物Ｗｄに起因して第１照射領域および第２照射領域から出射される散乱光の検出結果を示すグラフである。 図３とは異なる例の、第１照射領域および第２照射領域の互いの位置関係を説明するための説明図である。 図３および図９とは異なる例の、第１照射領域および第２照射領域の互いの位置関係を説明するための説明図である。

符号の説明

１０ 表面検査装置
１１ 走査手段
１２ 照射手段
１３ 散乱光検出手段
１４ （分析手段としての）制御機構
１６ （回転手段としての）回転機構
１７ （リニア移動手段としての）リニア移動機構
１８ （第１照射手段としての）第１照射部
１９ （第２照射手段としての）第２照射部
３０ （被検体としての）ウェハ
３１ 被検面
Ｔ１ 第１照射領域
Ｔ２ 第１照射領域
Ｌ （所定の光束としての）レーザ光
Ｒ 散乱光

Claims (7)

1. 所定の光束を表面検査の対象である被検体の被検面に対して所定の入射角で入射させることにより長尺な照射領域を前記被検面に形成しつつ、前記照射領域がその長尺方向と交差する方向で前記被検面を走査するように前記光束および前記被検体のうち少なくとも一方を相対的に変位させ、前記照射領域から出射した散乱光を検出することにより、被検面の検査を行う表面検査方法であって、
   前記照射領域として、同一の走査線上で対向しつつ走査方向に沿う互いの間隔が走査方向と略直交する走査幅方向で見て漸次的に異なるように設定された第１照射領域と第２照射領域とを用い、
   前記第１照射領域からの散乱光と前記第２照射領域からの散乱光とを検出した時間差に基づいて、同一の走査線内における前記走査幅方向で見た散乱光の出射位置を検知することを特徴とする表面検査方法。
2. 前記第１照射領域と前記第２照射領域とは、前記走査幅方向に対して線対称であることを特徴とする請求項１に記載の表面検査方法。
3. 前記第１照射領域と前記第２照射領域とは、互いに異なる２つの光源から出射された光束により形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表面検査方法。
4. 所定の光束を表面検査の対象である被検体の被検面に対して所定の入射角で入射させることにより長尺な照射領域を前記被検面に形成する照射手段と、前記照射領域がその長尺方向と交差する方向で前記被検面を走査するように前記照射手段および前記被検体のうち少なくとも一方を相対的に変位させる走査手段と、前記照射領域から出射した散乱光を検出可能な散乱光検出手段と、該散乱光検出手段からの検出結果に基づいて前記被検面の状態を分析する分析手段とを備えた表面検査装置であって、
   前記照射手段は、前記照射領域として、同一の走査線上で対向しつつ走査方向に沿う互いの間隔が走査方向と略直交する走査幅方向で見て漸次的に異なるように設定された第１照射領域と第２照射領域とを形成し、
   前記分析手段は、前記第１照射領域からの散乱光と前記第２照射領域からの散乱光とが検出された時間差に基づいて、同一の走査線内における前記走査幅方向で見た散乱光の出射位置を検知することを特徴とする表面検査装置。
5. 前記照射手段は、前記走査幅方向に対して線対称となるように前記第１照射領域と前記第２照射領域とを形成していることを特徴とする請求項４に記載の表面検査装置。
6. 前記照射手段は、前記第１照射領域を形成する第１照射手段と、前記第２照射領域を形成する第２照射手段とを有することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の表面検査装置。
7. 前記被検面は、略真円であり、
   前記走査手段は、前記被検面の中心を通りかつ該被検面に直交する回転軸線回りに前記被検体を回転させる回転手段と、前記走査幅方向に前記被検体を直線移動させるリニア移動手段とを有し、前記照射領域に螺旋状の軌跡で前記被検面を走査させることを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれか１項に記載の表面検査装置。
   
   
   

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