JP2008187004A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理槽上の雰囲気の露点を低い状態に維持するとともに、大型化が十分に抑制された基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理槽４の直上の空間ＷＵが、上蓋部７１の下面、筒部７２の第１〜第４の遮断側板７２ａ〜７２ｄ、ドライエア供給ダクト６２のドライエア供給口６２１およびドライエア排気ダクト６３の排気口６３１により取り囲まれる。それにより、空間ＷＵ内の雰囲気が外部の雰囲気から遮断される。上蓋部７１は、ヒンジ部７３を中心として回動することにより、処理槽４の直上の空間ＷＵの開閉動作を行う。ここで、筒部７２は上蓋部７１の下面から延びるように、上蓋部７１と一体的に形成されている。それにより、上蓋部７１が開くと筒部７２もヒンジ部７３を中心として回動する。これにより、上蓋部７１が開く場合に、筒部７２は処理槽４上の領域に位置しない。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。

従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

複数の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬し、洗浄処理を行う基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内で基板の表面が薬液および純水により洗浄処理される。洗浄処理の施された基板は処理槽内から引き上げられる。

洗浄処理後の基板に純水が付着していると、基板にパーティクルが付着し易くなる。また、基板に付着した純水が自然乾燥すると、基板にウォーターマークが形成される。したがって、特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内から引き上げられた基板にドライエアが供給される。これにより、基板に付着した純水がドライエアにより置換され、基板の表面が乾燥される。

なお、特許文献１において、ドライエアとは極めて露点の低い気体をいい、基板に供給されるドライエアの露点は例えば約−７０℃である。
特開２００６−３１０７５９号公報

ところで、上記の特許文献１では、乾燥処理時に処理槽内から引き上げられる基板周辺の雰囲気の露点分布を均一化するための構成が提案されている。

このように、処理槽内から引き上げられる基板の乾燥時には、その基板周辺の雰囲気の露点を十分に管理する必要がある。特に、基板にドライエアを供給する場合には、乾燥効率が低下しないように基板周辺の雰囲気の露点を低い状態に保つことが重要である。

ドライエアの露点を低く保つためには、ドライエアと外気との接触を防止することが好ましい。そこで、基板が引き上げられる処理槽の直上に、ドライエアと外気とを遮断するための筒状の閉塞部材を設けることが考えられる。

しかしながら、実際には、処理槽に対する基板の搬入および搬出は搬送装置により行われているので、閉塞部材を処理槽上に設けると、閉塞部材と搬送装置とが干渉する。そのため、基板の搬入および搬出時に、閉塞部材を移動させるための機構が必要となる。

また、この基板処理装置においては、処理槽内の薬液の劣化防止、および処理槽内の薬液への汚染物の侵入を防止するために、処理槽上に開閉機構を備える上蓋が設けられている。したがって、このような上蓋とともに、閉塞部材を移動させる機構を新たに設けると基板処理装置が大型化する。

本発明の目的は、処理槽上の雰囲気の露点を低い状態に維持するとともに、大型化が十分に抑制された基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、基板を搬送する搬送機構により搬入される基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板を昇降させるとともに、処理槽の上方位置において搬送機構との間で基板の受け渡しが可能な基板昇降機構と、基板昇降機構により処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、気体供給部に対して対向して配置され、基板に供給された気体を排出する気体排出部と、気体供給部による気体の供給路および気体排出部による気体の排出路を除いて処理槽上の空間の周囲および上部を取り囲むように設けられる遮蔽部材と、遮蔽部材の少なくとも上部分を略水平方向の軸の周りで開閉させる開閉機構とを備えたものである。

この発明に係る基板処理装置においては、処理槽上の空間の周囲および上部が、遮蔽部材により取り囲まれている。基板の搬入時には、遮蔽部材の少なくとも上部分が開閉機構により開かれる。その状態で、搬送機構により搬入される基板が処理槽の上方位置で基板昇降機構に渡される。そして、遮蔽部材の少なくとも上部分が開閉機構により閉じられる。

基板昇降機構は、渡された基板を処理槽の上方位置から処理槽内の処理液中に下降させる。これにより、基板が処理槽内の処理液により処理される。

次に、基板昇降機構により基板が処理槽から引き上げられる。気体供給部により処理槽から引き上げられる基板に気体が供給され、基板に供給された気体は、気体排出部により排出される。これにより、基板が乾燥される。

この場合、基板の周囲の雰囲気が遮蔽部材により外気から遮断されるので、基板の周囲の雰囲気に外気が浸入することによる露点の上昇が十分に防止される。その結果、処理槽上の雰囲気の露点を低い状態に維持することができる。

続いて、開閉機構により遮蔽部材の少なくとも上部分が、再び開閉機構により開かれる。この状態で、基板昇降機構により処理槽の上方位置に引き上げられた基板が、搬送機構により受け取られる。

上記のように、搬送機構と基板昇降機構との間での基板の受け渡しの際に、遮蔽部材の少なくとも上部分が開くことにより、遮蔽部材の少なくとも上部分が処理槽上の空間の上部から退避され、搬送機構が遮蔽部材と干渉することが防止される。したがって、遮蔽部材を処理槽上から退避させるための移動機構が不要である。

また、遮蔽部材の上部分は、略水平方向に平行な軸の周りで開閉するので、遮蔽部材の上部分が水平移動する場合に比べて、基板処理装置の大型化が十分に抑制される。

（２）基板処理装置は、処理槽および処理槽の上方位置を取り囲むように設けられる遮蔽ダクトと、遮蔽ダクトの上端部に開閉可能に設けられる蓋部材とをさらに備え、遮蔽部材は、処理槽上の空間の周囲を取り囲むように蓋部材の下面に設けられる周壁部と、蓋部材とを含み、開閉機構は、蓋部材を周壁部とともに略水平方向の軸の周りで開閉させてもよい。

この場合、蓋部材が遮蔽ダクトの上端部を閉塞することにより、処理槽および処理槽の上方位置が、遮蔽ダクトおよび蓋部材により取り囲まれる。これにより、処理槽から引き上げられる基板の周囲の雰囲気が遮蔽ダクトおよび蓋部材により外気から遮断される。

さらに、処理槽上の空間の周囲が、遮蔽ダクトの内側で蓋部材の下面に設けられた周壁部により取り囲まれる。これにより、処理槽から引き上げられる基板の周囲の雰囲気が遮蔽ダクトおよび周壁部により外気から遮断されるので、基板の周囲の雰囲気に外気が浸入することによる露点の上昇がより十分に防止される。その結果、処理槽上の雰囲気の露点をより十分に低い状態に維持することができる。

また、開閉機構は、蓋部材を周壁部とともに略水平方向に平行な軸の周りで開閉させる。これにより、蓋部材および周壁部がともに処理槽上の空間の周囲および上部から退避される。それにより、搬送機構が蓋部材および周壁部と干渉することが防止される。

さらに、蓋部材および周壁部を処理槽上の空間の周囲および上部から退避させるための移動機構を個別に設ける必要がない。これにより、基板処理装置の大型化がより十分に抑制される。

（３）遮蔽部材は、処理槽上の空間の周囲を取り囲むように設けられた周壁部と、周壁部の上部開口に略水平方向の軸の周りで開閉可能に設けられた蓋部とを含み、開閉機構は、蓋部を略水平方向の軸の周りで開閉させてもよい。

この場合、蓋部が周壁部の上部開口を閉塞することにより、処理槽上の空間の周囲および上部が、周壁部および蓋部により取り囲まれる。これにより、処理槽から引き上げられる基板の周囲の雰囲気が周壁部および蓋部により外気から遮断される。それにより、基板の周囲の雰囲気に外気が浸入することによる露点の上昇が十分に防止され、処理槽上の雰囲気の露点を十分に低い状態に維持することができる。

また、開閉機構は、蓋部を略水平方向の軸の周りで開閉させる。これにより、蓋部が処理槽上の空間の上部から退避される。それにより、搬送機構が蓋部と干渉することが防止される。

さらに、遮蔽部材は周壁部および蓋部からなり、構造が単純である。それにより、基板処理装置の製造が容易となる。

（４）蓋部は、第１の部分および第２の部分に分割され、開閉機構は、第１の部分および第２の部分が互いに外方に開くように、第１の部分および第２の部分をそれぞれ略水平方向の軸の周りで開閉させてもよい。

この場合、蓋部の第１の部分および第２の部分が互いに外方に開くことにより、第１の部分および第２の部分が処理槽上の空間の上部から退避される。それにより、蓋部全体が開閉機構により開閉される場合に比べて、第１の部分および第２の部分が開閉するために必要な空間を小さくすることができる。したがって、基板処理装置の大型化がより十分に抑制される。

（５）気体供給部は、処理槽の一側方に配置され、処理槽の上端に沿って一側方から処理槽の他側方へ気体を供給する気体供給ダクトを含んでもよい。

この場合、処理槽の一側方に配置される気体供給部から、処理槽の上端に沿って一側方から処理槽の他側方へと基板に気体が供給される。それにより、基板に付着した処理液が、処理槽の一側方から他側方に流れる気体により効率的に乾燥される。

（６）基板処理装置は、気体供給部による基板への気体供給量と、気体排出部による遮蔽部材の内部雰囲気の排気量とを調整する調整部をさらに備えてもよい。

この場合、調整部により、気体供給部による基板への気体供給量と、気体排出部による遮蔽部材の内部雰囲気の排気量とが調整される。

これにより、基板への気体供給量を遮蔽部材の内部雰囲気の排気量よりも大きくすることにより、遮蔽部材により取り囲まれる処理槽上の空間を外部に対して陽圧とすることができる。それにより、処理槽から引き上げられる基板の周囲の雰囲気に外気が浸入することを十分かつ確実に防止できる。

本発明に係る基板処理装置によれば、処理槽上の雰囲気の露点が低い状態に維持されるとともに、大型化が十分に抑制される。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。

（１）第１の実施の形態
（１−ａ）基板処理装置の構成および動作
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、処理槽４、ダクト２０、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、外気遮蔽部材７０、制御部８０、搬送駆動部３００、搬送ロボット３１０および開閉駆動部７００を備える。

ダクト２０は、矩形の筒形状を有し、鉛直方向の軸に沿うように立設されている。ダクト２０の上端部には外気遮蔽部材７０が開閉自在に取り付けられている。

外気遮蔽部材７０は、上蓋部７１、筒部７２およびヒンジ部７３を含む。外気遮蔽部材７０の上蓋部７１は、矩形の平板形状を有し、ヒンジ部７３を中心として回動可能である。

外気遮蔽部材７０は、開閉駆動部７００により駆動される。この場合、上蓋部７１がヒンジ部７３を中心として回動する。それにより、ダクト２０の上端部が開放または閉塞する。

筒部７２は、ダクト２０よりも小さい矩形の略筒形状を有する。上蓋部７１がダクト２０の上端部を閉塞した状態で、筒部７２は上蓋部７１の下面に形成されている。外気遮蔽部材７０の構造の詳細は後述する。

ダクト２０の内部には、処理槽４が設けられている。処理槽４は複数の基板Ｗを収容可能な内槽４０および内槽４０の上部外周を取り囲むように設けられた外槽４３により形成されている。内槽４０は略直方体形状を有する。

内槽４０の底部には、内槽４０内に処理液を供給するための処理液供給管４１の一端および内槽４０内の処理液を排出するための処理液排出管４２の一端が接続されている。本実施の形態において、内槽４０内では処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽４０内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。

すなわち、内槽４０内に洗浄液を供給し、洗浄液の貯留された内槽４０内に基板Ｗを浸漬することにより、基板Ｗの表面を洗浄する。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液に置換する。

洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。

本実施の形態では、処理液供給管４１の他端が処理液ミキシング装置５０に接続されている。処理液ミキシング装置５０には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置５０は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置５０は、薬液、純水またはそれらの混合液を処理液またはリンス液として処理液供給管４１を介して内槽４０内に供給する。

外槽４３の底部には、内槽４０の上部から溢れ出し（オーバーフロー）、外槽４３内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４４の一端が接続されている。

ダクト２０の内部とダクト２０の上方位置との間で上下方向に移動可能な昇降機構３０が設けられている。昇降機構３０は、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を内槽４０の内部とその上方位置との間で上下方向に移動させる。これにより、複数の基板Ｗを内槽４０内の処理液中に浸漬し、処理液から引き上げることができる。

処理槽４の上端部近傍に位置するダクト２０の部分において、対向する２つの側面にはそれぞれドライエア供給ダクト６２およびドライエア排気ダクト６３が取り付けられている。

本実施の形態において、ドライエア供給ダクト６２には複数の通気ガイド６２ａが設けられている。ドライエア排気ダクト６３には複数の通気ガイド６３ａが設けられている。ドライエア供給ダクト６２は配管６１を介してドライエア発生装置６０と接続されている。

ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通じてドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。基板Ｗに吹き付けられたドライエアＤＦおよび基板Ｗ周辺の雰囲気がドライエア排気ダクト６３から排気される。

なお、本実施の形態において、ドライエアＤＦとは、極めて露点の低い気体をいう。ドライエア供給ダクト６２からダウンフローダクト２０内に供給されるドライエアＤＦの露点は、例えば約−７０℃である。

外気遮蔽部材７０の上方には、搬送エリアＴＥが設けられている。搬送エリアＴＥには、搬送ロボット３１０が移動可能に設けられている。

搬送ロボット３１０は、アームヒンジ部３１１および２本のアーム３１２を備える。搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動される。この場合、２本のアーム３１２がアームヒンジ部３１１を中心としてそれぞれ対称な方向に回動し、搬送ロボット３１０の下端部が開閉する。これにより、搬送ロボット３１０は、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を２本のアーム３１２の間に挟み込んで保持することができる。また、搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動されることにより、搬送エリアＴＥ内を移動する。

図１に示すように、制御部８０は、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、搬送駆動部３００および開閉駆動部７００と接続されている。制御部８０がこれらの構成部の動作を制御することにより、複数の基板Ｗを保持する保持部３１の昇降動作、基板Ｗの洗浄処理、基板Ｗの乾燥処理、処理槽４に対する基板Ｗの搬入搬出動作、およびダクト２０の上端部の開閉動作が制御される。

（１−ｂ）外気遮蔽部材７０について
ここで、外気遮蔽部材７０の構造の詳細を説明する。図２は、図１の外気遮蔽部材７０の構造の詳細を説明するための斜視図である。なお、図２では、外気遮蔽部材７０の構造を明確に示すために、処理槽４の外槽４３およびダクト２０の図示を省略している。

図２に示すように、外気遮蔽部材７０の筒部７２は、第１の遮断側板７２ａ、第２の遮断側板７２ｂ、第３の遮断側板７２ｃおよび第４の遮断側板７２ｄを有する。第１の遮断側板７２ａおよび第２の遮断側板７２ｂが互いに対向し、第３の遮断側板７２ｃおよび第４の遮断側板７２ｄが互いに対向している。

ダクト２０（図１）の上端部が上蓋部７１により閉塞された状態で、第１の遮断側板７２ａはドライエア供給ダクト６２の上部に位置し、第２の遮断側板７２ａはドライエア排気ダクト６３の上部に位置する。第１および第２の遮断側板７２ａ，７２ｂの幅Ｗ１は、ドライエア供給ダクト６２およびドライエア排気ダクト６３の幅Ｗ２とほぼ等しい。

第１および第２の遮断側板７２ａ，７２ｂは、上蓋部７１の下面からドライエア供給ダクト６２およびドライエア排気ダクト６３の上端部まで延びている。一方、第３および第４の遮断側板７３ａ，７３ｂは、上蓋部７１の下面から処理槽４の上端部まで延びている。

これにより、ダクト２０（図１）の上端部が上蓋部７１により閉塞された場合には、処理槽４の直上の空間ＷＵが、上蓋部７１の下面、筒部７２の第１〜第４の遮断側板７２ａ〜７２ｄ、ドライエア供給ダクト６２のドライエア供給口６２１およびドライエア排気ダクト６３の排気口６３１により取り囲まれる。それにより、空間ＷＵ内の雰囲気が外部の雰囲気から遮断される。

その結果、処理槽４の内槽４０から引き上げられる基板Ｗにドライエア供給ダクト６２からドライエアＤＦを供給する際に、その基板Ｗ周辺の雰囲気の露点を十分に低い状態に維持することができる。

特に、空間ＷＵ内へのドライエアＤＦの供給量および空間ＷＵ内の雰囲気の排気量を調整し、空間ＷＵ内を外部に対して陽圧とする場合には、空間ＷＵ内の雰囲気を外気から確実に遮断することができる。この場合、基板Ｗ周辺の雰囲気の露点をより十分に低い状態に維持することができる。これにより、乾燥処理時に基板Ｗをより効率的に乾燥させることが可能となる。

なお、図１に、ドライエア排気ダクト６３の下流にバルブＣＢを設ける例が点線で示されている。このバルブＣＢを制御部８０により制御することにより、上記の空間ＷＵ内の雰囲気の排気量を容易に調整することができる。また、ドライエア発生装置６０を制御部８０により制御することにより、空間ＷＵ内へのドライエアＤＦの供給量を容易に調整することができる。それにより、空間ＷＵ内の圧力を容易に調整することができる。

図１および図２に示すように、本実施の形態において、筒部７２は上蓋部７１の下面から延びるように、上蓋部７１と一体的に形成されている。それにより、上蓋部７１が開くと筒部７２もヒンジ部７３を中心として回動する。これにより、筒部７２は処理槽４上の領域に位置しない。

このように、この基板処理装置１００においては、筒部７２が上蓋部７１の開閉動作とともに移動する。これにより、処理槽４に対する基板Ｗの搬入および搬出時に搬送ロボット３１０と筒部７２との干渉が防止される。

また、筒部７２を移動させるための新たな機構を要しないので、基板処理装置１００の大型化が抑制されている。

さらに、筒部７２は、搬送ロボット３１０による基板Ｗの搬入および搬出時に、ダクト２０に対して上方に退避する。これにより、ダクト２０の内部で筒部７２を水平移動させる必要がないので、ダクト２０を大型化する必要がない。その結果、基板処理装置１００の大型化が十分に抑制されている。

（１−ｃ）基板処理装置１００の一連の動作
図３〜図５は、図１の基板処理装置１００における一連の動作を示す図である。初めに、図３（ａ）に示すように、外気遮蔽部材７０がダクト２０の上端部を閉塞した状態で、内槽４０内には純水ＰＷが貯留されている。

次に、図３（ｂ）に示すように、外気遮蔽部材７０の上蓋部７１がヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ａ１）。これにより、ダクト２０の上端部が開放される。

そして、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を搬送する搬送ロボット３１０が搬送エリアＴＥ内でダクト２０の上方位置に移動する（矢印Ａ２）。

さらに、搬送ロボット３１０は、ダクト２０の上方位置から下降し、複数の基板Ｗを保持する保持部３１をダクト２０内に搬入する（矢印Ａ３）。

続いて、昇降機構３０が、ダクト２０内に搬入された保持部３１を下降させる。これにより、保持部３１により保持された複数の基板Ｗが下降し、内槽４０内に収容される。

搬送ロボット３１０がダクト２０から退避した後、外気遮蔽部材７０の上蓋部７１が再びヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ａ４）。これにより、ダクト２０の上端部が閉塞される。

処理液ミキシング装置５０は、例えば薬液ＣＬと純水ＰＷとの混合液を洗浄液として内槽４０内に供給する。それにより、複数の基板Ｗが内槽４０内で洗浄液に浸漬され、各基板Ｗの表面が洗浄される。

その後、図４（ｃ）に示すように、処理液ミキシング装置５０は、純水ＰＷをリンス液として内槽４０内に供給し、内槽４０内の洗浄液を純水ＰＷに置換する。これにより、複数の基板Ｗが内槽４０内で純水ＰＷに浸漬される。これにより、各基板Ｗの洗浄処理が完了する。

次に、図４（ｄ）に示すように、昇降機構３０が、保持部３１を上昇させる。これにより、保持部３１により保持された複数の基板Ｗが上昇する。このとき、ドライエア発生装置６０（図１）が、内槽４０から引き上げられる複数の基板ＷにドライエアＤＦを供給する。これにより、各基板Ｗに付着した純水ＰＷがドライエアＤＦにより置換され、各基板Ｗの表面が乾燥される（乾燥処理）。

なお、乾燥処理時以外において、ドライエア発生装置６０（図１）は、ダクト２０内へのドライエアＤＦの供給量を低減している（スローリーク）。

複数の基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時においては、処理液ミキシング装置５０が少量の純水ＰＷを継続して内槽４０内に供給している。したがって、複数の基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時には、内槽４０の上部開口から純水ＰＷが溢れ出している。内槽４０から溢れ出した純水ＰＷは図１の外槽４３へ流れ込み、外槽４３に接続された図１の処理液排出管４４から排出される。

最後に、図５（ｅ）に示すように、外気遮蔽部材７０の上蓋部７１がヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ｂ１）。これにより、ダクト２０の上端部が開放される。

そして、搬送ロボット３１０が複数の基板Ｗを保持する保持部３１を受け取るとともに上昇し、保持部３１をダクト２０から搬出する（矢印Ｂ２）。その後、搬送ロボット３１０は、ダクト２０の上方位置から移動する（矢印Ｂ３）。

搬送ロボット３１０がダクト２０から退避した後、外気遮蔽部材７０の上蓋部７１がヒンジ部７３を中心として回動する（矢印Ｂ４）。これにより、ダクト２０の上端部が閉塞される。

（１−ｄ）変形例
本実施の形態において、外気遮蔽部材７０の筒部７２は、矩形の筒形状を有するが、円形の筒形状を有してもよいし、楕円形の筒形状を有してもよい。

鉛直方向において、筒部７２の第１〜第４の遮断側板７２ａ〜７２ｄの鉛直方向の長さ（高さ）は、等しくてもよい。この場合においても、処理槽４の直上の空間ＷＵ（図２）が、上蓋部７１の下面、筒部７２の第１〜第４の遮断側板７２ａ〜７２ｄ、ドライエア供給ダクト６２のドライエア供給口６２１およびドライエア排気ダクト６３の排気口６３１により取り囲まれる。それにより、空間ＷＵ内の雰囲気を外部の雰囲気から遮断することができる。

なお、この場合、ダクト２０はドライエア供給ダクト６２およびドライエア排気ダクト６３の両側面に近接するように形成されることが好ましい。すなわち、ダクト２０の幅が、図２に示される第１および第２の遮断側板７２ａ，７２ｂの幅Ｗ１とほぼ等しくなるように形成されることが好ましい。

これにより、処理槽４から引き上げられる基板Ｗにドライエア供給ダクト６２からドライエアＤＦを供給する際に、その基板Ｗ周辺の雰囲気の露点を十分に低い状態に維持することができる。

本実施の形態において、乾燥処理は基板ＷにドライエアＤＦを供給することにより行われるが、基板Ｗに供給する気体はドライエアＤＦに限られない。ドライエアＤＦに代えて、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を用いてもよいし、低温のＮ_２（窒素）ガスを用いてもよい。

洗浄処理は、必ずしも薬液およびリンス液を用いて行われる必要はなく、薬液のみを用いて行われてもよいし、リンス液のみを用いて行われてもよい。

（２）第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。

（２−ａ）基板処理装置の構成および動作
図６は、第２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図６に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００Ａは、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００の構成のうち、外気遮蔽部材７０および開閉駆動部７００に代えて、内蓋開閉駆動部４００、外気遮蔽部材４３０、スライド開閉駆動部５００、スライド板５１０およびスライド機構５１１を備える。

ダクト２０の上端部には、スライド板５１０が取り付けられている。また、ダクト２０の上端部の一辺には、スライド機構５１１が取り付けられている。スライド機構５１１は、スライド開閉駆動部５００に接続されている。

スライド機構５１１は、スライド開閉駆動部５００により駆動される。この場合、スライド板５１０が水平方向に移動する。それにより、ダクト２０の上端部が開放または閉塞する。

ダクト２０内には、外気遮蔽部材４３０が設けられている。この外気遮蔽部材４３０は、下側が開口した略箱形状を有する。

外気遮蔽部材４３０の上端開口に内蓋４１０ａ，４１０ｂが設けられている。内蓋４１０ａ，４１０ｂは、同一形状を有する長方形の板材であり、それらの一辺はヒンジ部４２０を介して後述する外気遮蔽部材４３０の側板（図７）に接続されている。これにより、外気遮蔽部材４３０の上端部は観音開きの構造となっている。

内蓋４１０ａ，４１０ｂは内蓋開閉駆動部４００により駆動される。この場合、内蓋４１０ａ，４１０ｂがそれぞれヒンジ部４２０を中心として開閉動作する。それにより、外気遮蔽部材４３０の上端部が開放または閉塞する。

図６に示すように、本例において制御部８０は、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、搬送駆動部３００、内蓋開閉駆動部４００、スライド開閉駆動部５００の動作を制御する。これにより、複数の基板Ｗを保持する保持部３１の昇降動作、基板Ｗの洗浄処理、基板Ｗの乾燥処理、基板処理装置１００Ａに対する基板Ｗの搬入搬出動作、およびダクト２０の上端部の開閉動作および外気遮蔽部材４３０の上端部の開閉動作が制御される。

（２−ｂ）外気遮蔽部材４３０について
ここで、外気遮蔽部材４３０の構造の詳細を説明する。図７は、図６の外気遮蔽部材４３０の構造の詳細を説明するための斜視図である。なお、図７では、外気遮蔽部材４３０の構造を明確に示すために、処理槽４の外槽４３およびダクト２０の図示を省略している。

図７に示すように、外気遮蔽部材４３０は、鉛直方向に延びる第１の遮断側板４３０ａ、第２の遮断側板４３０ｂ、第３の遮断側板４３０ｃおよび第４の遮断側板４３０ｄを有する。第１の遮断側板４３０ａおよび第２の遮断側板４３０ｂが互いに対向し、第３の遮断側板４３０ｃおよび第４の遮断側板４３０ｄが互いに対向している。

第１の遮断側板４３０ａはドライエア供給ダクト６２のドライエア供給口６２１の上端部に接続され、第２の遮断側板４３０ｂはドライエア排気ダクト６３の排気口６３１の上端部に接続されている。

第３の遮断側板４３０ｃおよび第４の遮断側板４３０ｄは、ドライエア供給ダクト６２のドライエア供給口６２１およびドライエア排気ダクト６３の排気口６３１の側部に接続されている。

第１の遮断側板４３０ａの上端部にヒンジ部４２０を介して内蓋４１０ａが取り付けられ、第２の遮断側板４３０ｂの上端部にヒンジ部４２０を介して内蓋４１０ｂが取り付けられている。

これにより、外気遮蔽部材４３０の上端部が内蓋４１０ａ，４１０ｂにより閉塞された場合には、処理槽４の直上の空間ＷＵが、内蓋４１０ａ，４１０ｂ、第１〜第４の遮断側板４３０ａ〜４３０ｄ、ドライエア供給ダクト６２のドライエア供給口６２１およびドライエア排気ダクト６３の排気口６３１により取り囲まれる。それにより、本実施の形態においても、空間ＷＵ内の雰囲気が外部の雰囲気から遮断される。

加えて、本実施の形態において、ダクト２０（図６）の上端部には、上述のようにスライド板５１０およびスライド機構５１１が設けられている。スライド機構５１１は、スライド板５１０を水平方向へ移動可能に支持する。

これにより、ダクト２０（図６）の上端部が、スライド板５１０により閉塞された場合には、ダクト２０の内部の空間がダクト２０の外部の空間から遮断される。これにより、外気遮蔽部材４３０により取り囲まれた空間ＷＵ内の雰囲気が確実に外部の雰囲気から遮断される。

図６および図７に示すように、本実施の形態においては、スライド板５１０が水平方向に移動することによりダクト２０の上端部が開放される。また、内蓋４１０ａ，４１０ｂがヒンジ部４２０を中心として開閉動作することにより外気遮蔽部材４３０の上端部が開放される。これにより、外気遮蔽部材４３０の上端部の開放時には、内蓋４１０ａ，４１０ｂおよびスライド板５１０が処理槽４の上方の領域に位置しない。

それにより、基板Ｗの搬入および搬出時に搬送ロボット３１０が外気遮蔽部材４３０およびスライド板５１０と干渉することが防止される。また、本実施の形態では、外気遮蔽部材４３０の上端部が回動しつつ開放される。これにより、外気遮蔽部材４３０が水平移動しないので、ダクト２０を大型化する必要がない。その結果、基板処理装置１００Ａの大型化が十分に抑制されている。

（２−ｃ）基板処理装置１００Ａの動作
ここで、基板処理装置１００Ａにおける一連の動作は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００とほぼ同じであるが、搬送ロボット３１０による保持部３１のダクト２０内への搬入動作は以下のように行われる。

図８は、図６の搬送ロボット３１０による保持部３１のダクト２０内への搬入動作を示す図である。

図８に示すように、初めに、スライド板５１０が水平方向に移動する（矢印Ｃ１）。これにより、ダクト２０の上端部が開放される。

続いて、内蓋４１０ａ，４１０ｂがヒンジ部４２０を中心として回動し（矢印Ｃ２）、外気遮蔽部材４３０の上端部が開放される。

そして、搬送ロボット３１０が搬送エリアＴＥ内でダクト２０の上方位置に移動する（矢印Ｃ３）。このとき、搬送ロボット３１０は複数の基板Ｗを保持する保持部３１を保持している。

そこで、搬送ロボット３１０は、ダクト２０の上方位置から下降し、複数の基板Ｗを保持する保持部３１をダクト２０内に搬入する（矢印Ｃ４）。

搬送ロボット３１０がダクト２０から退避した後、スライド板５１０が再び水平方向に移動する。これにより、ダクト２０の上端部が閉塞される。また、内蓋４１０ａ，４１０ｂがヒンジ部４２０を中心として回動する。これにより、外気遮蔽部材４３０の上端部が閉塞される。

続いて、昇降機構３０が、ダクト２０内に搬入された保持部３１を下降させる。これにより、保持部３１により保持された複数の基板Ｗが下降し、内槽４０内に収容される。以降、第１の実施の形態と同様に、内槽４０内に収容された基板Ｗに洗浄処理および乾燥処理が行われる。

複数の基板Ｗが処理槽４から引き上げられる際には、上記と同様の手順で、外気遮蔽部材４３０およびダクト２０の上端部が開放される。そして、処理済の複数の基板Ｗを保持する保持部３１が搬送ロボット３１０により搬送される。

本例においても、図６に、ドライエア排気ダクト６３の下流にバルブＣＢを設ける例が点線で示されている。このバルブＣＢを制御することにより、空間ＷＵ内の雰囲気の排気量を容易に調整することができる。また、ドライエア発生装置６０を制御部８０により制御することにより、空間ＷＵ内へのドライエアＤＦの供給量を容易に調整することができる。それにより、空間ＷＵ内の圧力を容易に調整することができる。

（３） 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、搬送駆動部３００および搬送ロボット３１０が搬送機構の例であり、昇降装置３０が基板昇降機構の例であり、ドライエア発生装置６０、配管６１、ドライエア供給ダクト６２、ドライエア排気ダクト６３が気体供給部の例である。

また、外気遮蔽部材７０，４３０が遮蔽部材の例であり、内蓋開閉駆動部４００および開閉駆動部７００が開閉機構の例であり、ダクト２０が遮蔽ダクトの例であり、上蓋部７１が蓋部材の例であり、第１の遮断側板７２ａ，４３０ａ、第２の遮断側板７２ｂ，４３０ｂ、第３の遮断側板７２ｃ，４３０ｃおよび第４の遮断側板７２ｄ，４３０ｄが周壁部の例である。

さらに、内蓋４１０ａ，４１０ｂが蓋部の例であり、内蓋４１０ａが第１の部分の例であり、内蓋４１０ｂが第２の部分の例であり、ドライエア供給ダクト６２が気体供給ダクトの例である。

また、ドライエア排気ダクト６３が気体排出部の例であり、ドライエア発生装置６０、制御部８０およびバルブＣＢが調整部の例である。

なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明に係る基板処理装置は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。

第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。 図１の外気遮蔽部材の構造の詳細を説明するための斜視図である。 図１の基板処理装置における一連の動作を示す図である。 図１の基板処理装置における一連の動作を示す図である。 図１の基板処理装置における一連の動作を示す図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。 図６の外気遮蔽部材の構造の詳細を説明するための斜視図である。 図６の搬送ロボットによる保持部のダクト内への搬入動作を示す図である。

符号の説明

４ 処理槽
２０ ダクト
３０ 昇降機構
６０ ドライエア発生装置
６１ 配管
６２ ドライエア供給ダクト
６３ ドライエア排気ダクト
７０，４３０ 外気遮蔽部材
７１ 上蓋部
７２ａ，４３０ａ 第１の遮断側板
７２ｂ，４３０ｂ 第２の遮断側板
７２ｃ，４３０ｃ 第３の遮断側板
７２ｄ，４３０ｄ 第４の遮断側板
８０ 制御部
１００ 基板処理装置
３００ 搬送駆動部
３１０ 搬送ロボット
４００ 内蓋開閉駆動部
４１０ａ，４１０ｂ 内蓋
７００ 開閉駆動部
ＣＢ バルブ
ＤＦ ドライエア
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 基板を搬送する搬送機構により搬入される基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
   処理液を貯留する処理槽と、
   前記処理槽内の処理液中と前記処理槽の上方位置との間で基板を昇降させるとともに、前記処理槽の上方位置において前記搬送機構との間で基板の受け渡しが可能な基板昇降機構と、
   前記基板昇降機構により前記処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、
   前記気体供給部に対して対向して配置され、基板に供給された気体を排出する気体排出部と、
   前記気体供給部による気体の供給路および前記気体排出部による気体の排出路を除いて前記処理槽上の空間の周囲および上部を取り囲むように設けられる遮蔽部材と、
   前記遮蔽部材の少なくとも上部分を略水平方向の軸の周りで開閉させる開閉機構とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理槽および前記処理槽の上方位置を取り囲むように設けられる遮蔽ダクトと、
   前記遮蔽ダクトの上端部に開閉可能に設けられる蓋部材とをさらに備え、
   前記遮蔽部材は、前記処理槽上の空間の周囲を取り囲むように前記蓋部材の下面に設けられる周壁部と、前記蓋部材とを含み、
   前記開閉機構は、前記蓋部材を前記周壁部とともに略水平方向の軸の周りで開閉させることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記遮蔽部材は、
   前記処理槽上の空間の周囲を取り囲むように設けられた周壁部と、
   前記周壁部の上部開口に略水平方向の軸の周りで開閉可能に設けられた蓋部とを含み、
   前記開閉機構は、前記蓋部を略水平方向の軸の周りで開閉させることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
4. 前記蓋部は、第１の部分および第２の部分に分割され、
   前記開閉機構は、前記第１の部分および前記第２の部分が互いに外方に開くように、前記第１の部分および前記第２の部分をそれぞれ略水平方向の軸の周りで開閉させることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記気体供給部は、
   前記処理槽の一側方に配置され、前記処理槽の上端に沿って前記一側方から前記処理槽の他側方へ気体を供給する気体供給ダクトを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記気体供給部による基板への気体供給量と、前記気体排出部による前記遮蔽部材の内部雰囲気の排気量とを調整する調整部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。

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