JP2008182870A - Power system - Google Patents
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Abstract
【課題】 従来よりも力率を改善し、トランスの小型化を図ることができる電源システムを提供することを目的とする。
【解決手段】 電源システム100は、AC100VをAC24Vに変換する電源トランス110と、電源トランス110に接続された複数の電源ユニット200−1〜200−nとを有する。電源ユニット200−1は、AC24Vを整流する整流回路210と、整流された電圧の力率を改善する力率改善回路220と、直流電圧を出力する出力回路230とを有する。力率改善回路220は、インダクタLと、FET1と、FET2と、FET1およびFET2のスイッチングを制御する制御回路222とを含み、制御回路222は、FET1とFET2のデューテイ比を調整し、所望の直流電圧を出力回路230から出力させる。
【選択図】 図4PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power supply system capable of improving the power factor as compared with the prior art and reducing the size of a transformer.
A power supply system 100 includes a power transformer 110 that converts AC 100V into AC 24V, and a plurality of power units 200-1 to 200-n connected to the power transformer 110. The power supply unit 200-1 includes a rectifier circuit 210 that rectifies AC 24V, a power factor improvement circuit 220 that improves the power factor of the rectified voltage, and an output circuit 230 that outputs a DC voltage. The power factor correction circuit 220 includes an inductor L, FET1, FET2, and a control circuit 222 that controls switching of the FET1 and FET2. The control circuit 222 adjusts the duty ratio of the FET1 and FET2 to obtain a desired direct current. The voltage is output from the output circuit 230.
[Selection] Figure 4
Description
本発明は、1つの交流電源から複数の電源ユニットに交流電力を供給する電源システムに関し、特に、電源ユニットにおける力率の改善に関する。 The present invention relates to a power supply system that supplies AC power from a single AC power supply to a plurality of power supply units, and more particularly to improvement of power factor in the power supply unit.
半導体装置や電子機器の小型化、複合化に伴い、それらの装置や機器に用いられる内部電源の駆動電圧が多様化している。例えば、CPUやメモリ等の半導体装置では、高密度集積化を図るために回路線幅が微細化し、それに伴い駆動電圧が5Vから3.3V、1.8Vへ低下している。また、携帯電話、コンピュータ、OA機器、車載用電子装置、遊技機等の電子機器では、液晶ディスプレイ、オーディオ装置、記録メディア、半導体装置等を駆動する駆動電圧がそれぞれ異なることがあり、内部電源として、例えば、24V、12V、5V、3.3V、1.8Vの駆動電圧を必要とする。 As semiconductor devices and electronic devices are miniaturized and combined, driving voltages of internal power supplies used in those devices and devices are diversified. For example, in a semiconductor device such as a CPU or a memory, the circuit line width is reduced in order to achieve high density integration, and accordingly, the drive voltage is decreased from 5V to 3.3V and 1.8V. In addition, driving voltages for driving liquid crystal displays, audio devices, recording media, semiconductor devices, and the like may be different in electronic devices such as mobile phones, computers, OA equipment, in-vehicle electronic devices, and gaming machines. For example, drive voltages of 24V, 12V, 5V, 3.3V, and 1.8V are required.
こうした背景から、電源装置には、多様な駆動電圧を供給することが要求される。商業用交流電圧または直流電圧から所望の直流電圧を生成する場合、スイッチング電源が広く利用されている。スイッチング電源は、入力された直流電圧をトランジスタのオン・オフのスイッチングのデューテイ比を調整するとで電力変換された直流電圧を生成するものである。 Against this background, the power supply device is required to supply various drive voltages. When a desired DC voltage is generated from a commercial AC voltage or a DC voltage, a switching power supply is widely used. The switching power supply generates a DC voltage obtained by converting the input DC voltage by adjusting the duty ratio of the on / off switching of the transistor.
図1は、従来の降圧型のスイッチング電源装置の一例を示す回路図である。トランスTの1次側にトランジスタTrが接続され、トランジスタTrのゲートにPWM駆動回路からの駆動信号Sが接続される。トランスTの2次側には、整流用および環流用ダイオードD1、D2、インダクタL、およびコンデンサCが接続されている。入力された直流電圧Vinは、トランジスタTrのオン/オフのデューティ比を調整することで、所望の直流電圧Voutに変換される。 FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional step-down switching power supply device. The transistor Tr is connected to the primary side of the transformer T, and the drive signal S from the PWM drive circuit is connected to the gate of the transistor Tr. On the secondary side of the transformer T, rectifying and circulating diodes D1 and D2, an inductor L, and a capacitor C are connected. The input DC voltage Vin is converted into a desired DC voltage Vout by adjusting the ON / OFF duty ratio of the transistor Tr.
図1に示すようなスイッチング電源装置において、ダイオードD1、D2の順方向の電圧降下による電力損失を抑制するため、ダイオードD1、D2をスイッチング素子に置き換えた同期整流型電源が特許文献1に提案されている。これによれば、図2に示すように、変換トランスT1の2次側に設けた補助巻線4と、該補助巻線4の出力を受けて、前記変換トランス2次巻線間に配置された整流用FET2及び転流用FET3のゲートをオン/オフする信号を発生するFETゲート電圧保持回路3を含むフォワード型DC/DCコンバータが開示されている。さらに特許文献2には、同期整流方式DC−DCコンバータ電源装置において、1つの入力から異なる電圧、例えば3.3Vと1.8Vの出力を得る技術が開示されている。
In the switching power supply device shown in FIG. 1, a synchronous rectification type power supply in which the diodes D1 and D2 are replaced with switching elements is proposed in
上記したように、従来のスイッチング電源装置は、特許文献1や特許文献2に示すように、同期整流回路により電力損失を低減するものであるが、力率(PFC:Power Factor Correction)の改善を十分に図るものではなかった。力率改善に同期整流が用いられなかった理由は、通常、AC100V(国内)、またはAC220V(欧州)が入力された場合、入力電圧は、波高値(入力電圧の約1.4倍)まで昇圧されるため、電流はさほど問題とならなかったためである。
As described above, the conventional switching power supply device, as shown in
しかしながら、交流電源を降圧した電源に接続された、電源ユニットは入力電流(トランスTの2次側)が大きい電源装置または電源システムになり、力率の低下による皮相電力を無視することができなくなる。例えば、図3に示すように、AC100Vの交流電源をAC24ボルトの交流電源に変換するトランス10と、トランス10により生成されたAC24Vの交流電源を入力する複数の電源ユニット20〜26を備える電源システムでは、各電源ユニット20〜26へ供給される電流Ibは、AC100V電源のときに流れる電流Iaと比較して約4倍(Ib=4×Ia)となり、力率が低ければ、有効に利用されない皮相電力の割合が高くなる。
However, the power supply unit connected to the power supply obtained by stepping down the AC power supply becomes a power supply device or power supply system with a large input current (secondary side of the transformer T), and apparent power due to a decrease in power factor cannot be ignored. . For example, as shown in FIG. 3, a power supply system including a
整流回路における力率は、有効電力Wと皮相電力VAの比、すなわち、W/VAで表される。力率が低ければ、皮相電力VAは、有効に利用されない無効電力を多く含むことになる。通常のコンデンサ・インプット型の整流では、力率は、約0.6である。このため、例えば、図3に示すような電源システムにおいて、効率を0.85、力率を0.6、出力側の負荷の消費電力を12V×5Aとすると、トランス10の皮相電力VAは、式(1)に示すように、約117VAとなる。
The power factor in the rectifier circuit is expressed by the ratio of the active power W and the apparent power VA, that is, W / VA. If the power factor is low, the apparent power VA includes a lot of reactive power that is not effectively used. In normal capacitor input type rectification, the power factor is about 0.6. For this reason, for example, in the power supply system as shown in FIG. 3, assuming that the efficiency is 0.85, the power factor is 0.6, and the power consumption of the load on the output side is 12 V × 5 A, the apparent power VA of the
その結果、トランス10の入力電流は、式(2)に示すように4.875Aとなる。式(2)から明らかなように、力率が高くなればなるほど、トランス10からの入力電流(トランス10の2次側の電流)を小さくすることができる。
As a result, the input current of the
図3に示すような電源システムでは、トランス10に複数の電源ユニットが接続されているため、トランス10の入力電流は、電源ユニットの数だけ大きくなり、その結果、トランス10の小型化を図ることが困難となり、コストが高くなってしまう。
In the power supply system as shown in FIG. 3, since a plurality of power supply units are connected to the
一方、各電源ユニット20〜26の整流に用いられるダイオードDは、順方向の電圧降下を生じさせる。仮に、その電圧降下が約0.9Vであるならば、0.9V×4Iaの電力が損失することになる。上記したように、力率改善がされていなければ、1つの電源ユニットにおいて、4.875A×0.9V≒4.4Wの電力が損失することになり、全体の電源ユニットの電力損失もかなり大きくなってしまう。
On the other hand, the diode D used for rectification of the
本発明は、上記した従来の課題を解決するためになされたものであり、従来よりも力率を改善し、電源トランスの小型化、低コスト化を図ることができる電源システムを提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and provides a power supply system capable of improving the power factor as compared with the conventional technique and reducing the size and cost of the power transformer. Objective.
本発明に係る電源システムは、第1の電圧を有する第1の交流電源を、第1の電圧よりも低い第2の電圧を有する第2の交流電源に変換するトランスと、トランスに接続され、トランスの第2の交流電源を入力する複数の電源ユニットとを含む。各電源ユニットは、トランスから供給された第2の交流電源の第2の交流電圧を整流し、整流された電圧を出力する整流回路と、整流回路に接続され、整流された電力の力率を改善する力率改善回路と、力率改善回路に接続され、直流電圧を出力する出力回路とを有し、前記力率改善回路は、整流回路の第1の電圧ラインに直列に接続されたインダクタと、インダクタに直列に接続された第1のトランジスタと、インダクタと第1のトランジスタとを接続するノードと整流回路の第2の電圧ラインとの間に接続された第2のトランジスタと、第1および第2のトランジスタのスイッチングを制御する制御回路とを含み、当該制御回路は、第2のトランジスタをオンさせるとき、第1のトランジスタをオフさせ、第2のトランジスタをオフさせるとき、第1のトランジスタをオンさせる。 A power supply system according to the present invention is connected to a transformer for converting a first AC power supply having a first voltage into a second AC power supply having a second voltage lower than the first voltage, And a plurality of power supply units for inputting a second AC power supply of the transformer. Each power supply unit rectifies the second AC voltage of the second AC power source supplied from the transformer and outputs the rectified voltage, and the power factor of the rectified power connected to the rectifier circuit A power factor correction circuit for improving and an output circuit connected to the power factor correction circuit and outputting a DC voltage, the power factor correction circuit being an inductor connected in series to the first voltage line of the rectifier circuit A first transistor connected in series with the inductor, a second transistor connected between a node connecting the inductor and the first transistor, and a second voltage line of the rectifier circuit; And a control circuit that controls switching of the second transistor, and when the second transistor is turned on, the control circuit turns off the first transistor and turns off the second transistor. When, to turn on the first transistor.
好ましくは、第1および第2のトランジスタはMOSFETであり、第1のトランジスタのドレインがインダクタに接続され、第1のトランジスタのソースが出力回路に接続され、第2のトランジスタのドレインが第1のトランジスタのドレインに接続され、第2のトランジスタのソースが第2の電圧ラインに接続され、第1および第2のトランジスタの各ゲートが制御回路に接続され、前記出力回路からは、第2の電圧より昇圧された直流電圧が出力される。 Preferably, the first and second transistors are MOSFETs, the drain of the first transistor is connected to the inductor, the source of the first transistor is connected to the output circuit, and the drain of the second transistor is the first The drain of the transistor is connected, the source of the second transistor is connected to the second voltage line, the gates of the first and second transistors are connected to the control circuit, and a second voltage is applied from the output circuit. A further boosted DC voltage is output.
好ましくは、第1のトランジスタ、第2のトランジスタおよび制御回路は、1つのパッケージ内に収容されている。この場合、パッケージは、少なくとも3つの外部端子を含み、第1の外部端子は、第1のトランジスタのドレインに電気的に接続され、第2の外部端子は、第1のトランジスタのソースに電気的に接続され、第3の外部端子は、第2のトランジスタのソースに電気的に接続される。 Preferably, the first transistor, the second transistor, and the control circuit are housed in one package. In this case, the package includes at least three external terminals, the first external terminal is electrically connected to the drain of the first transistor, and the second external terminal is electrically connected to the source of the first transistor. And the third external terminal is electrically connected to the source of the second transistor.
さらに好ましくは、第1の交流電源の第1の電圧は100ボルトであり、第2の交流電源の第2の交流電圧は24ボルトであり、出力回路は、スイッチング回路により降圧された直流電圧を生成するDC−DCコンバータを含むことができる。 More preferably, the first voltage of the first AC power supply is 100 volts, the second AC voltage of the second AC power supply is 24 volts, and the output circuit outputs the DC voltage stepped down by the switching circuit. A DC-DC converter can be included.
本発明によれば、力率改善回路において、スイッチング制御が可能な第1、第2のトランジスタを用いて第2の交流電源を直流電源に変換するようにしたので、力率を改善することができる。このため、トランスの入力電流を、従来と比較して小さくすることができ、その結果、トランスの小型化、低コスト化を図ることができる。さらに、電源ユニットにおけるトランジスタの電力消費をダイオードのそれと比較して低減させることで、電力システムの全体の電力損失を低減することができる。さらに、力率改善回路の第1および第2のトランジスタと、制御回路をパッケージ化したデバイスとすることにより、当該デバイスを、種々の電源ユニットに容易に適合させることができる。 According to the present invention, in the power factor correction circuit, the first and second transistors capable of switching control are used to convert the second AC power source to the DC power source, so that the power factor can be improved. it can. For this reason, the input current of the transformer can be reduced as compared with the conventional one. As a result, the transformer can be reduced in size and cost. Furthermore, the overall power loss of the power system can be reduced by reducing the power consumption of the transistor in the power supply unit compared to that of the diode. Furthermore, by using a device in which the first and second transistors of the power factor correction circuit and the control circuit are packaged, the device can be easily adapted to various power supply units.
本発明の最良の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図4は、本発明の実施例に係る電源システムの構成を示す図である。電源システム100は、絶縁型の電源トランス110と、電源トランス110に接続された複数の電源ユニット200−1〜200−n(nは自然数)とを備えている。絶縁型の電源トランス110は、好ましくは、商業用AC100Vの交流電源を1次側に入力し、AC24Vの交流電源を2次側に出力する。電源トランス110の2次側には、n個の電源ユニット200−1〜200−nが接続され、各電源ユニット200−1〜200−nには、それぞれAC24Vの交流電源が供給される。このような電源システムは、例えば、パチンコ遊技場において使用され、各遊戯台が1つの電源ユニットを備えている。
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the power supply system according to the embodiment of the present invention. The power supply system 100 includes an
複数の電源ユニット200−1〜200−nの内部構成は、それぞれ実質的に同一であるため、ここでは電源ユニット200−1について説明する。電源ユニット200−1は、AC24Vの電源を整流する整流回路210と、整流回路210に接続された力率改善回路220と、力率改善回路220に接続された出力回路230とを含んで構成される。
Since the internal configurations of the plurality of power supply units 200-1 to 200-n are substantially the same, the power supply unit 200-1 will be described here. The power supply unit 200-1 includes a
整流回路210は、例えばダイオードブリッジ212を含み、AC24Vの交流電圧を整流する。力率改善回路220は、インダクタL、FET1、FET2、および制御回路222を有する。インダクタLは、整流回路212の正側の電源ラインに直列に接続される。FET1のドレインは、インダクタLとノードN1で接続され、FET1のソースは出力回路230とノードN3で接続される。FET2のドレインは、ノードN1に接続され、FET2のソースは、グランドラインのノードN2に接続される。FET1およびFET2のゲートには、制御回路222から出力される制御信号S1、S2が接続される。制御回路222は、好ましくは適切な周波数およびデューテイ比でFET1およびFET2のスイッチングを制御し、力率を1.0に近づける。
The
出力回路230は、ノードN3とグランドライン間に接続された電界コンデンサCと、直流電圧を出力する出力端子Voutとを含む。制御回路222のスイッチング制御により、出力端子Voutからは約34Vに昇圧された直流電圧が出力される。必要に応じて、出力回路230は、Voutの直流電圧を降圧するDC/DCコンバータ232、234を含むことができ、コンバータ232、234により、出力電圧は、例えば12V、5Vの直流電圧に変換される。
The
次に、電源システムの動作について説明する。電源トランス110によって変換された24Vの交流電源が各電源ユニット200−1〜200−nに供給される。24Vの交流電圧は、整流回路210によって整流され、整流された電力が力率改善回路220に入力される。
Next, the operation of the power supply system will be described. The 24V AC power converted by the
制御回路222は、制御信号S1、S2によりFET1、FET2のデューテイ比を調整し、インダクタLに電気エネルギーを蓄積させ、蓄積されたエネルギーをコンデンサCに供給する。すなわち、制御回路222は、FET2をオンするとき、FET1をオフさせ、インダクタLにエネルギーを蓄積する。次に、FET2をオフするとき、FET1をオンさせ、インダクタLに蓄積されたエネルギーをコンデンサCに出力する。これにより、出力端子Voutからは約32Vの直流電圧が出力される。
The
本実施例では、電源ユニット内に力率改善回路220を設け、力率を1.0に近づけることで、従来の式(1)で示した皮相電力VAと比較すると、本実施例の皮相電力VAは、式(3)に示すように、70.5VAとなる。そして、トランス110からの入力電流(2次側の電流)は、式(4)に示すように、2.937Aとなる。
In this embodiment, the power
このように、力率改善回路220の挿入により、幾分、効率は低下するが、その反面、トランス110の入力電流を約半分に減らすことができ、トランス110の小型化、低コスト化を図ることができる。
As described above, although the efficiency is somewhat reduced by inserting the power
また、従来の整流用ダイオードに代えて整流用トランジスタを用いることで、ダイオードによる電力損失(電圧降下が0,9V、電流が5Aとしたとき、電力損失=0.9V×5A=4.5W)に対して、トランジスタによる電力損失(オン抵抗が0.005Ω、電流が5Aとしたとき、電力損失=0.005Ω×5A×5A=1.25W)を低減させることができる。なお、FETのソース・ドレイン間耐圧が小さいほど、オン抵抗が小さくなる傾向があるため、本実施例のように、その耐圧が約34ボルト程度であれば、よりオン抵抗の小さなFETを用いることができる。 Further, by using a rectifying transistor instead of a conventional rectifying diode, power loss due to the diode (power loss = 0.9V × 5A = 4.5 W when the voltage drop is 0.9 V and the current is 5 A) On the other hand, the power loss due to the transistor (power loss = 0.005Ω × 5A × 5A = 1.25 W when the on-resistance is 0.005Ω and the current is 5 A) can be reduced. Since the on-resistance tends to be smaller as the source-drain breakdown voltage of the FET is smaller, if the breakdown voltage is about 34 volts as in this embodiment, an FET with a lower on-resistance should be used. Can do.
なお、力率改善回路220に含まれる制御回路222は、公知のPWM制御回路を用いることができ、例えば、FETのスイッチング電流、出力電圧、出力電流等を監視することで、FET1、FET2の周波数およびデューテイ比を調整することができる。
The
次に、本発明の第2の実施例について説明する。図4に示す力率改善回路200において、FET1、FET2のソース・ドレイン間電圧は、約34V程度と小さいため、より耐圧の低いFETを用いることができ、FETを小型化することが可能である。これにより、力率改善回路に用いられるFET1、FET2、および制御回路222を1つの半導体装置にパッケージ化することが可能である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the power
図5は、力率改善回路の一部(インダクタLを除く)をパッケージ化した半導体装置の構成例を示す図である。図5に示す半導体装置300は、パッケージ本体310と、パッケージ本体310の下部から突出する3本の外部端子320、322、324と、ヒートシンク330とを有する。パッケージ本体310は、図4に示した制御回路222、FET1、およびFET2をダイパッド上に載置し、これらを樹脂で封止している。外部端子320、322、324は、ボンディングワイヤ等によってダイパッド上の電極パッドに接続されている。これにより、外部端子320は、図4に示すノードN1に電気的に接続され、外部端子322は、ノードN2に電気的に接続され、外部端子324は、ノードN3に電気的に接続される。このように、力率改善回路を半導体装置300にパッケージ化することで、力率改善回路を容易に電源システムに接続することができ、種々の電源システムの力率を容易に改善することができる。
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of a semiconductor device in which a part of the power factor correction circuit (excluding the inductor L) is packaged. A
図5には、3端子構造の半導体装置300を示したが、図6(a)に示すように、半導体装置302は、外部端子326を含む4端子であってもよい。例えば、外部端子326は、制御回路222のオン/オフを切替えるための外部制御信号を制御回路222へ供給することができる。
5 shows the
さらに半導体装置304は、図6(b)に示すように、外部端子328を含む5端子であってもよい。この場合、外部端子328は、出力電圧Voutの電圧調整用として用いることができ、出力電圧Voutを制御回路222へ供給するための外部端子として機能する。勿論、この電圧調整機能は、必ずしも5端子の半導体装置304において実行を要するものではなく、図6(a)に示すように、4端子の半導体装置302において実行されるようにしてもよい。
Further, the
さらに、図5および図6(a)、(b)に示す半導体装置300、302、304は、外部端子が基板に直立する形で取り付けられるが、そのような形態に限らず、図7に示すように、外部端子320、322、324(326、328)を折り曲げ、回路基板等にパッケージ本体が接触するような表面実装可能なパッケージの構成であってもよい。
Furthermore, the
本発明に係る電源システムは、力率を改善した同期整流型電源装置において利用することができる。 The power supply system according to the present invention can be used in a synchronous rectification type power supply device with improved power factor.
100:電源システム
110:電源トランス
200−1〜200−n:電源ユニット
210:整流回路
220:力率改善回路
222:制御回路
230:出力回路
300、302、304:半導体装置
310:パッケージ本体
320、322、324、326、328:外部端子
100: power system 110: power transformer 200-1 to 200-n: power unit 210: rectifier circuit 220: power factor correction circuit 222: control circuit 230:
Claims (6)
各電源ユニットは、トランスから供給された第2の交流電源の第2の交流電圧を整流し、整流された電圧を出力する整流回路と、
整流回路に接続され、整流された電力の力率を改善する力率改善回路と、
力率改善回路に接続され、直流電圧を出力する出力回路とを有し、
前記力率改善回路は、整流回路の第1の電圧ラインに直列に接続されたインダクタと、インダクタに直列に接続された第1のトランジスタと、インダクタと第1のトランジスタとを接続するノードと整流回路の第2の電圧ラインとの間に接続された第2のトランジスタと、第1および第2のトランジスタのスイッチングを制御する制御回路とを含み、当該制御回路は、第2のトランジスタをオンさせるとき、第1のトランジスタをオフさせ、第2のトランジスタをオフさせるとき、第1のトランジスタをオンさせる、
電源システム。 A transformer for converting a first AC power source having a first voltage into a second AC power source having a second voltage lower than the first voltage, and a second AC power source connected to the transformer, Including a plurality of power supply units to input,
Each power supply unit rectifies the second AC voltage of the second AC power supplied from the transformer, and outputs a rectified voltage;
A power factor correction circuit connected to the rectifier circuit to improve the power factor of the rectified power;
An output circuit connected to the power factor correction circuit and outputting a DC voltage;
The power factor correction circuit includes an inductor connected in series to the first voltage line of the rectifier circuit, a first transistor connected in series to the inductor, a node connecting the inductor and the first transistor, and rectification A second transistor connected between the second voltage line of the circuit and a control circuit for controlling switching of the first and second transistors, the control circuit turning on the second transistor; When turning off the first transistor and turning off the second transistor, turn on the first transistor,
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