JP2008182229A - スタックパッケージ、その製造方法、及びメモリカード - Google Patents
スタックパッケージ、その製造方法、及びメモリカード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008182229A JP2008182229A JP2008009579A JP2008009579A JP2008182229A JP 2008182229 A JP2008182229 A JP 2008182229A JP 2008009579 A JP2008009579 A JP 2008009579A JP 2008009579 A JP2008009579 A JP 2008009579A JP 2008182229 A JP2008182229 A JP 2008182229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- controller
- plug
- stack package
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H10W70/60—
-
- H10W90/00—
-
- H10W72/244—
-
- H10W72/90—
-
- H10W72/923—
-
- H10W90/297—
-
- H10W90/722—
-
- H10W90/724—
Abstract
【課題】スタックパッケージ及びその製造方法が開示される。
【解決手段】スタックパッケージは、印刷回路基板、前記印刷回路基板上に順次に積層された複数個の半導体チップ、前記印刷回路基板と前記半導体チップのそれぞれを電気的に連結させるプラグ、及び前記半導体チップのうちいずれか1つに内蔵され前記プラグと電気的に連結されたコントローラを含む。従って、コントローラが別途の工程を通じて半導体チップに内蔵されるので、コントローラボンディング工程中に半導体チップに機械的衝撃が印加される現象を根本的に防止することができる。又、保護部材形成工程中にコントローラに機械的衝撃が印加されることも抑制されることができる。
【選択図】図1
【解決手段】スタックパッケージは、印刷回路基板、前記印刷回路基板上に順次に積層された複数個の半導体チップ、前記印刷回路基板と前記半導体チップのそれぞれを電気的に連結させるプラグ、及び前記半導体チップのうちいずれか1つに内蔵され前記プラグと電気的に連結されたコントローラを含む。従って、コントローラが別途の工程を通じて半導体チップに内蔵されるので、コントローラボンディング工程中に半導体チップに機械的衝撃が印加される現象を根本的に防止することができる。又、保護部材形成工程中にコントローラに機械的衝撃が印加されることも抑制されることができる。
【選択図】図1
Description
本発明はスタックパッケージ及びその製造方法に関し、より具体的には複数個の半導体チップが積層されたメモリカード用スタックパッケージ、及びこのようなパッケージを製造する方法に関する。
一般的に、半導体基板に多様な半導体工程を行って複数個の半導体チップを形成する。その後、各半導体チップを印刷回路基板に実装するために、半導体基板に対してパッケージング工程を行って半導体パッケージを形成する。
一方、半導体パッケージの保存能力を向上させるために、複数個の半導体チップが積層された半導体スタックパッケージについての研究が活発に進行されている。特に、このような半導体スタックパッケージは、メモリカード用として広く使用されている。メモリカード用半導体スタックパッケージは、印刷回路基板、印刷回路基板上に積層され互いに電気的に連結された複数個の半導体チップ、及び半導体チップの駆動を制御するためのコントローラを含む。
メモリカード用スタックパッケージに関する例が、特許文献1、特許文献2、及び特許文献3等に開示されている。
しかし、従来のメモリカード用半導体スタックパッケージでは、コントローラが半導体チップのうち、最上層の半導体チップ表面に実装されている。これにより、コントローラを最上層の半導体チップ表面に実装する工程中に、強い機械的衝撃が半導体チップに印加され半導体チップを損傷させるという問題点がある。
又、コントローラと半導体チップを保護部材でモールディングする工程中に、強い機械的衝撃がコントローラに印加され、コントローラを損傷させることもできる。
米国特許第6,538,331号明細書
米国特許第6,624,506号明細書
韓国登録特許第603932号
本発明は、半導体チップとコントローラに印加される機械的衝撃を緩和させることができるスタックパッケージを提供する。
又、本発明は、前記したスタックパッケージを製造する方法を提供する。
又、本発明は、前記したスタックパッケージを有するメモリカードを提供する。
本発明の一目的によるスタックパッケージは、印刷回路基板、前記印刷回路基板上に順次に積層された複数個の半導体チップ、前記印刷回路基板と前記半導体チップのそれぞれを電気的に連結させるプラグ、及び前記半導体チップのうちいずれか1つに内蔵され、前記プラグと電気的に連結されたコントローラを含む。
本発明の一実施例によると、前記コントローラが内蔵された前記半導体チップは、前記プラグを露出させながら前記コントローラを収容するためのキャビティを有することができる。又、接着層が前記キャビティの内面と前記コントローラとの間に介在されることができる。
本発明の他の実施例によると、前記コントローラは、前記半導体チップのうち、最上層の半導体チップ、最下層の半導体チップ、又は前記最上層の半導体チップと前記最下層の半導体チップを除いた残りの半導体チップのうちいずれか1つに内蔵されることができる。
本発明の更に他の実施例によると、前記プラグは、前記半導体チップに垂直に貫通形成されたビアホールに挿入され互いに電気的に連結されることができる。又、前記プラグは、前記ビアホールから突出され隣接するプラグ下端と接触するヘッド部を有することができる。
付加的に、保護部材が半導体チップを囲むように半導体チップ上に形成されることもできる。
本発明の他の目的によるスタックパッケージの製造方法は、プラグを有する複数個の半導体チップを準備する段階、前記半導体チップのうちいずれか1つに前記プラグと電気的に連結されるようにコントローラを内蔵させる段階、及び前記プラグが電気的に互いに連結されるように前記半導体チップを印刷回路基板上に順次に積層する段階を含む。
本発明の一実施例によると、前記半導体チップを準備する段階は、予備半導体チップの表面にビアホールを形成する段階、前記ビアホールを前記プラグで満たす段階、及び前記予備半導体チップの底面を除去して、前記プラグを露出させる段階を含むことができる。
本発明の他の実施例によると、前記コントローラを内蔵させる段階は、前記半導体チップの表面に前記プラグを露出させるキャビティを形成する段階、及び前記プラグと電気的に連結されるように前記コントローラを前記キャビティの内面にボンディングする段階を含むことができる。又、前記キャビティを形成する段階前に、前記半導体チップの底面に支持部材を付着することもできる。付加的に、前記キャビティの内面に接着層を形成することもできる。
本発明の更に他の目的によるスタックパッケージは、印刷回路基板、前記印刷回路基板上に順次に積層された複数個の半導体チップ、前記半導体チップ上に積層されたダミーチップ、前記印刷回路基板と前記半導体チップのそれぞれを電気的に連結させるプラグ、及び前記ダミーチップに内蔵され、前記プラグと電気的に連結されたコントローラを含む。
本発明の一実施例によると、前記ダミーチップは、前記プラグを露出させながら前記コントローラを収容するためのキャビティを有することができる。又、接着層が前記キャビティの内面と前記コントローラとの間に介在されることができる。
本発明の更に他の目的によるスタックパッケージの製造方法は、プラグを有する複数個の半導体チップを準備する段階、コントローラをダミーチップに内蔵させる段階、及び前記プラグ相互間及び前記プラグと前記コントローラが電気的に互いに連結されるように前記半導体チップと前記ダミーチップを印刷回路基板上に順次に積層する段階を含むことができる。
本発明の一実施例によると、前記コントローラを内蔵させる段階は、前記ダミーチップの表面に前記プラグを露出させるキャビティを形成する段階、及び前記プラグと電気的に連結されるように前記コントローラを前記キャビティの内面にボンディングする段階を含むことができる。又、前記キャビティを形成する段階前に、前記ダミーチップの底面に支持部材を付着することができる。付加的に、前記キャビティの内面に接着層を形成することができる。
本発明の更に他の見知によるメモリカードは、回路パターンを有する印刷回路基板、前記印刷回路基板上に順次に積層された複数個の半導体チップ、前記印刷回路基板と前記半導体チップのそれぞれを電気的に連結させるプラグ、前記半導体チップのうちいずれか1つに内蔵され、前記プラグと電気的に連結されたコントローラ、及び前記印刷回路基板上に形成され、前記回路パターンを通じて前記半導体チップと電気的に連結されたコネクタを含む。
前述した本発明によると、コントローラが別途の工程を通じて半導体チップに内蔵されるので、コントローラボンディング工程中に、半導体チップに機械的衝撃が印加される現象を根本的に防止することができる。又、保護部材形成工程中にコントローラに機械的衝撃が印加されることも抑制されることができる。
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
<実施例1>
図1は、本発明の第1実施例によるスタックパッケージを示す断面図で、図2は、図1のII部位を拡大して示す断面図である。
図1は、本発明の第1実施例によるスタックパッケージを示す断面図で、図2は、図1のII部位を拡大して示す断面図である。
図1及び図2を参照すると、本実施例によるスタックパッケージ100は、印刷回路基板110、複数個の半導体チップ120、プラグ130、コントローラ140、及び保護部材150を含む。ここで、本実施例において、スタックパッケージ100はメモリカード用として説明するが、これに限定されず、他の用途として使用されることもできるのは当業者によって自明である。
印刷回路基板110は、複数個の電極パッド114を有する。電極パッド114は、印刷回路基板110の表面に配列される。電極パッド114を露出させる絶縁膜パターン112が印刷回路基板110の表面に形成される。本実施例において、絶縁膜パターン112の例としては、PSR(Photo Solder Resist)膜が挙げられる。
半導体チップ120は、印刷回路基板110上に順次に積層される。最下層の半導体地プ120と印刷回路基板110との間及び半導体チップ120の間に接着層122が介在される。
又、ビアホールが半導体チップ120に垂直方向に沿って貫通形成される。プラグ130がビアホールを埋め立てる。特に、プラグ130は、ビアホールの下端から突出されたヘッド部132を有する。各ヘッド部132が隣り合うプラグ130の上端と接触されることにより、プラグ130が互いに電気的に連結される。一方、プラグ130は、半導体チップ120のスクライブレーンに形成され、半導体チップ120のボンディングパッド(図示せず)と電気的に連結される。
積層された半導体チップ120のうち、最上層の半導体チップ125はキャビティ126を有する。本実施例において、キャビティ126は、最上層の半導体チップ125の表面に形成される。キャビティ126は、ほぼ長方形の断面形状を有することができる。又、充分な深さを有するキャビティ126を形成するために、最上層の半導体チップ125は、他の半導体チップ120より厚い厚みを有することができる。
半導体チップ120の駆動を制御するコントローラ140がキャビティ126に収容される。最上層の半導体チップ125に形成されたプラグ130の上端がキャビティ126の底面を通じて露出される。本実施例において、プラグ130を露出させる接着層127がキャビティ126の内面に形成される。コントローラ140は、接着層127を介してキャビティ126の内面にボンディングされる。従って、コントローラ140がキャビティ126に収容され最上層の半導体チップ125に内蔵されているので、コントローラ140ボンディング工程中に半導体チップ125に印加される機械的衝撃を緩和させることができる。又、保護部材150形成工程中に、コントローラ140に印加される機械的衝撃を低下させることができる。
一方、本実施例において、コントローラ140が最上層の半導体チップ125の表面より突出されないように、キャビティ126は、コントローラ140の厚みと実質的に同じであるか、厚みより深い深さを有する。
保護部材150は、半導体チップ120の側面と上面、及び絶縁膜パターン112上に形成され、半導体チップ120を取り囲む。保護部材150は、半導体チップ120とコントローラ140を外部衝撃から保護する。本実施例において、保護部材150の例としては、エポキシ樹脂のような絶縁物質を含むことができる。
図3乃至図11は、図1に図示されたスタックパッケージを製造する方法を順次に示す断面図である。
図3を参照すると、複数個のビアホールを予備半導体チップ120aの表面に形成する。具体的に、ビアホールは、予備半導体チップ120aのスクライブレーン表面に形成される。ビアホールの下端は詰まっており、上端は露出されている。続いて、ビアホールをプラグ130でそれぞれ埋め立てる。ここで、プラグ130は、ビアホールの上端より突出されたヘッド部132を有する。又、各プラグ130は予備半導体チップ120aのボンディングパッドと電気的に連結されている。
図4を参照すると、支持部材160を予備半導体チップ120aの表面に付着する。本実施例において、支持部材160の例としては、ダミーウェーハが挙げられる。
図5を参照すると、支持部材160が下に位置するように、予備半導体チップ120aを反転させる。予備半導体チップ120aの表面をグラインディング工程及び/またはウェットエッチング工程を通じて部分的に除去して、プラグ130の上端を露出させる。その後、支持部材160を除去して、両端が露出されたプラグ130を有する半導体チップ120を完成する。ここで、露出されたプラグ130の上端は半導体チップ120の表面より突出される。
図6を参照すると、半導体チップ120のうちいずれか1つの表面にキャビティ126を形成して、最上層の半導体チップ125を形成する。ここで、キャビティ126が形成された最上層の半導体チップ125は、他の半導体チップ120よりは厚い厚みを有する。そうすると、プラグ130の上端がキャビティ126の底面を通じて露出される。又、プラグ130のヘッド部132は下に向かっている。
図7を参照すると、接着層127をキャビティ126の内面上に形成する。ここで、プラグ130の上端は接着層127を通じて露出される。
図8を参照すると、コントローラ140をキャビティ126内に進入させて、接着層127を介してコントローラ140をキャビティ126の内面にボンディングする。ここで、キャビティ126は、コントローラ140の厚みと実質的に同じであるか、又は厚みより深い深さを有するので、コントローラ140は最上層の半導体チップ125の表面より突出されない。
図9を参照すると、支持部材160を最上層の半導体チップ125から除去して、コントローラ140が内蔵された最上層の半導体チップ125を完成する。
図10を参照すると、複数個の半導体チップ120を印刷回路基板110上に順次に積層する。プラグ130は互いに電気的に連結されながら、印刷回路基板110の電極パッド114と電気的に連結される。本実施例において、各半導体チップ120間に接着層122を介在させて、接着層122を介して半導体チップ120を接着させる。
図11を参照すると、コントローラ140が内蔵された最上層の半導体チップ125を積層された半導体チップ120上に積層する。最上層の半導体チップ125のプラグ130は、その下に位置した半導体チップ120のプラグ130と電気的に連結される。従って、コントローラ140は、プラグ130を介して印刷回路基板110の電極パッド114と電気的に連結される。最上層の半導体チップ125とその下の半導体チップ120間に接着層122が介在される。
図1を参照すると、保護部材150を半導体チップ120、最上層の半導体チップ125、及び印刷回路基板110上に形成して、図1に図示されたスタックパッケージ100を完成する。保護部材150は、半導体チップ120とコントローラ140が内蔵された最上層の半導体チップ125を外部衝撃から保護する。
本実施例によると、コントローラを別途の工程を通じて最上層の半導体チップに内蔵させることにより、コントローラのボンディング工程中に積層された半導体チップに機械的衝撃が印加されることを根本的に防止することができる。又、保護部材形成工程中に、コントローラに印加される機械的衝撃を減少させることができるので、コントローラの機械的損傷も抑制することができる。
<実施例2>
図12は、本発明の第2実施例によるスタックパッケージを示す断面図である。
図12は、本発明の第2実施例によるスタックパッケージを示す断面図である。
本実施例によるスタックパッケージ100aは、コントローラ140の内蔵位置を除いては、実施例1のスタックパッケージ100と実質的に同じ構成要素を含む。従って、同じ構成要素には同じ参照符号を付与し、その重複説明は省略する。
図12を参照すると、本実施例によるスタックパッケージ100aでは、コントローラ140が最下層の半導体チップ125aに内蔵される。具体的に、印刷回路基板110上に位置した最下層の半導体チップ125aはキャビティ126を有する。コントローラ140は、キャビティ126に接着層127を介してボンディングされる。
前記のようなスタックパッケージ100aを製造する方法は、コントローラ140が内蔵された最下層の半導体チップ125aを印刷回路基板110に先に積層した後、複数個の半導体チップ120を最下層の半導体チップ125a上に積層する順序だけを除いては、実施例1で説明した方法と実質的に同じなので、重複説明は省略する。
<実施例3>
図13は、本発明の第3実施例によるスタックパッケージを示す断面図である。
図13は、本発明の第3実施例によるスタックパッケージを示す断面図である。
本実施例によるスタックパッケージ100bは、コントローラ140の内蔵位置を除いては、実施例1のスタックパッケージ100と実質的に同じ構成要素を含む。従って、同じ構成要素には同じ参照符号を付与し、その重複説明は省略する。
図13を参照すると、本実施例によるスタックパッケージ100bでは、コントローラ140が最下層の半導体チップと最上層の半導体チップとの間に位置したいずれか1つの半導体チップ125bに内蔵される。
前記のようなスタックパッケージ100bを製造する方法は、コントローラ140が内蔵された半導体チップ125bを半導体チップ120間に介在させるという点を除いては、実施例1で説明した方法と実質的に同じなので、その重複説明は省略する。
<実施例4>
図14は、本発明の第4実施例によるスタックパッケージを示す断面図である。
図14は、本発明の第4実施例によるスタックパッケージを示す断面図である。
図14を参照すると、本実施例によるスタックパッケージ200は、印刷回路基板210、複数個の半導体チップ220、ダミーチップ225、プラグ230、コントローラ240、及び保護部材250を含む。
ここで、印刷回路基板210、半導体チップ220、プラグ230、コントローラ240、及び保護部材250は、実施例1の印刷回路基板110、半導体チップ120、プラグ130、コントローラ140、及び保護部材150と実質的に同じなので、その重複説明は省略する。
ダミーチップ225は、積層された半導体チップ220の表面上に積層される。ダミーチップ225は、最上層の半導体チップ220のプラグ230を露出させるキャビティ226を有する。接着層227がキャビティ226の内面上に形成される。
コントローラ240は、接着層227を介してキャビティ226の内面にボンディングされ、露出されたプラグ230と電気的に連結される。従って、コントローラ240は、プラグ230を通じて印刷回路基板210の電極パッド224と電気的に連結される。
図15乃至図22は、図14に図示されたスタックパッケージを製造する方法を順次に示す断面図である。ここで、プラグ230を有する半導体チップ120を形成する工程は、実施例1で説明した工程と実質的に同じなので、その重複説明は省略する。
図15を参照すると、キャビティ226を予備ダミーチップ225aの表面に形成する。
図16を参照すると、接着層227をキャビティ226の内面上に形成する。
図17を参照すると、コントローラ240をキャビティ226内に進入させて、接着層227を介してコントローラ240をキャビティ226の内面にボンディングする。
図18を参照すると、接着層228を予備ダミーチップ225aとコントローラ240の表面上に形成する。
図19を参照すると、支持部材260を接着層228を介して予備ダミーチップ225aの表面に付着する。
図20を参照すると、支持部材260が下に向かうように予備ダミーチップ225aを反転させる。その後、キャビティ226が露出されるように予備ダミーチップ225aの表面を部分的に除去して、コントローラ240が内蔵されたダミーチップ225を完成する。
図21を参照すると、複数個の半導体チップ220を印刷回路基板210上に順次に積層する。プラグ230は、互いに電気的に連結されながら印刷回路基板210の電極パッド214と電気的に連結される。
図22を参照すると、コントローラ240が内蔵されたダミーチップ225を積層された半導体チップ220上に積層する。コントローラ240は、半導体チップ220のプラグ230と電気的に連結される。従って、コントローラ240は、プラグ230を介して印刷回路基板210の電極パッド214と電気的に連結される。
図14を参照すると、保護部材250を半導体チップ220、ダミーチップ225、及び印刷回路基板210上に形成して、図14に図示されたスタックパッケージ200を完成する。
本実施例によると、コントローラを別途の工程を通じてダミーチップに内蔵させることにより、コントローラのボンディング工程中に積層された半導体チップに機械的衝撃が印加されることを根本的に防止することができる。又、保護部材形成工程中に、コントローラに印加される機械的衝撃を減少させることができるので、コントローラの機械的損傷も抑制することができる。
図23は、本発明の実施例によるメモリカードを示す断面図である。
図23を参照すると、本実施例によるメモリカード300は、スタックパッケージ100及び少なくとも1つのコネクタ310を含む。ここで、スタックパッケージ100は、図1のスタックパッケージ100と実質的に同じなので、スタックパッケージ100についての重複説明は省略する。
少なくとも1つの回路パターン116が印刷回路基板110の上部面に形成される。回路パターン116は、電極パッド114と電気的に連結される。従って、回路パターン116は、電極パッド114とプラグ130を通じて半導体チップ120と電気的に連結される。コネクタ310は、印刷回路基板110の上部面に形成される。コネクタ310は、スタックパッケージ100から露出された状態である。コネクタ310は、回路パターン116を通じて電極パッド114と電気的に連結される。従って、コネクタ310は、回路パターン116、電極パッド114、及びプラグ130を通じて半導体チップ120と電気的に連結される。
前述したように、本発明によると、コントローラを別途の工程を通じて最上層の半導体チップ又はダミーチップに内蔵させることにより、コントローラのボンディング工程中に積層された半導体チップに機械的衝撃が印加されることを根本的に防止することができる。
又、保護部材形成工程中に、コントローラに印加される機械的衝撃を減少させることができるので、コントローラの機械的損傷も抑制することができる。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
110 印刷回路基板
120 半導体チップ
125 最上層の半導体チップ
126 キャビティ
130 プラグ
140 コントローラ
150 保護部材
120 半導体チップ
125 最上層の半導体チップ
126 キャビティ
130 プラグ
140 コントローラ
150 保護部材
Claims (24)
- 印刷回路基板と、
前記印刷回路基板上に順次に積層された複数個の半導体チップと、
前記印刷回路基板と前記半導体チップのそれぞれを電気的に連結させるプラグと、
前記半導体チップのうちいずれか1つに内蔵され、前記プラグと電気的に連結されたコントローラと、を含むスタックパッケージ。 - 前記コントローラが内蔵された前記半導体チップは、前記プラグを露出させながら前記コントローラを収容するためのキャビティを有することを特徴とする請求項1記載のスタックパッケージ。
- 前記キャビティの内面と前記コントローラとの間に介在された接着層を更に含むことを特徴とする請求項2記載のスタックパッケージ。
- 前記コントローラは、前記半導体チップのうち、最上層の半導体チップ、最下層の半導体チップ、又は前記最上層の半導体チップと前記最下層の半導体チップを除いた残りの半導体チップのうちいずれか1つに内蔵されることを特徴とする請求項1記載のスタックパッケージ。
- 前記プラグは、前記半導体チップに垂直に貫通形成されたビアホールに挿入され互いに電気的に連結されることを特徴とする請求項1記載のスタックパッケージ。
- 前記プラグは、前記ビアホールから突出され隣接するプラグ下端と接触するヘッド部を有することを特徴とする請求項5記載のスタックパッケージ。
- 前記半導体チップを囲む保護部材を更に含むことを特徴とする請求項1記載のスタックパッケージ。
- プラグを有する複数個の半導体チップを準備する段階と、
前記半導体チップのうちいずれか1つに前記プラグと電気的に連結されるようにコントローラを内蔵させる段階と、
前記プラグが電気的に互いに連結されるように前記半導体チップを印刷回路基板上に順次に積層する段階と、を含むスタックパッケージの製造方法。 - 前記半導体チップを準備する段階は、
予備半導体チップの表面にビアホールを形成する段階と、
前記ビアホールを前記プラグで満たす段階と、
前記予備半導体チップの底面を除去して、前記プラグを露出させる段階と、を含むことを特徴とする請求項8記載のスタックパッケージの製造方法。 - 前記コントローラを内蔵させる段階は、
前記半導体チップの表面に前記プラグを露出させるキャビティを形成する段階と、
前記プラグと電気的に連結されるように前記コントローラを前記キャビティの内面にボンディングする段階と、を含むことを特徴とする請求項8記載のスタックパッケージの製造方法。 - 前記キャビティを形成する段階前に、前記半導体チップの底面に支持部材を付着する段階を更に含むことを特徴とする請求項10記載のスタックパッケージの製造方法。
- 前記キャビティの内面に接着層を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項10記載のスタックパッケージの製造方法。
- 前記コントローラを前記半導体チップのうち、最上層の半導体チップ、最下層の半導体チップ、又は前記最上層の半導体チップと前記最下層の半導体チップを除いた残りの半導体チップのうちいずれか1つに内蔵させることを特徴とする請求項8記載のスタックパッケージの製造方法。
- 前記半導体チップを囲む保護部材を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項8記載のスタックパッケージの製造方法。
- 印刷回路基板と、
前記印刷回路基板上に順次に積層された複数個の半導体チップと、
前記半導体チップ上に積層されたダミーチップと、
前記印刷回路基板と前記半導体チップのそれぞれを電気的に連結させるプラグと、
前記ダミーチップに内蔵され、前記プラグと電気的に連結されたコントローラと、を含むスタックパッケージ。 - 前記ダミーチップは、前記プラグを露出させながら前記コントローラを収容するためのキャビティを有することを特徴とする請求項15記載のスタックパッケージ。
- 前記キャビティの内面と前記コントローラとの間に介在された接着層を更に含むことを特徴とする請求項16記載のスタックパッケージ。
- 前記半導体チップと前記ダミーチップを囲む保護部材を更に含むことを特徴とする請求項15記載のスタックパッケージ。
- プラグを有する複数個の半導体チップを準備する段階と、
コントローラをダミーチップに内蔵させる段階と、
前記プラグ相互間及び前記プラグと前記コントローラが電気的に互いに連結されるように前記半導体チップと前記ダミーチップを印刷回路基板上に順次に積層する段階と、を含むスタックパッケージの製造方法。 - 前記コントローラを内蔵させる段階は、
前記ダミーチップの表面に前記プラグを露出させるキャビティを形成する段階と、
前記プラグと電気的に連結されるように前記コントローラを前記キャビティの内面にボンディングする段階と、を含むことを特徴とする請求項19記載のスタックパッケージの製造方法。 - 前記キャビティを形成する段階前に、前記ダミーチップの底面に支持部材を付着する段階を更に含むことを特徴とする請求項20記載のスタックパッケージの製造方法。
- 前記キャビティの内面に接着層を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項20記載のスタックパッケージの製造方法。
- 前記半導体チップと前記ダミーチップを囲む保護部材を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項19記載のスタックパッケージの製造方法。
- 回路パターンを有する印刷回路基板と、
前記印刷回路基板上に順次に積層された複数個の半導体チップと、
前記印刷回路基板と前記半導体チップのそれぞれを電気的に連結させるプラグと、
前記半導体チップのうちいずれか1つに内蔵され、前記プラグと電気的に連結されたコントローラと、
前記印刷回路基板上に形成され、前記回路パターンを通じて前記半導体チップと電気的に連結されたコネクタと、を含むメモリカード。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070007692A KR100875955B1 (ko) | 2007-01-25 | 2007-01-25 | 스택 패키지 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008182229A true JP2008182229A (ja) | 2008-08-07 |
Family
ID=39646208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008009579A Pending JP2008182229A (ja) | 2007-01-25 | 2008-01-18 | スタックパッケージ、その製造方法、及びメモリカード |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080179734A1 (ja) |
| JP (1) | JP2008182229A (ja) |
| KR (1) | KR100875955B1 (ja) |
| CN (1) | CN101308842A (ja) |
| DE (1) | DE102008005866A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8513802B2 (en) | 2010-02-05 | 2013-08-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-chip package having semiconductor chips of different thicknesses from each other and related device |
| JP2016512360A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-04-25 | マイクロン テクノロジー, インク. | コントローラ及びメモリのスタックを備えたフレキシブルなメモリシステム |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7994643B2 (en) * | 2007-04-04 | 2011-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Stack package, a method of manufacturing the stack package, and a digital device having the stack package |
| KR20100048610A (ko) * | 2008-10-31 | 2010-05-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 형성 방법 |
| KR101585216B1 (ko) * | 2009-10-28 | 2016-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지, 이를 이용한 웨이퍼 스택 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101695352B1 (ko) | 2010-08-12 | 2017-01-12 | 삼성전자 주식회사 | 리드 프레임 및 이를 갖는 반도체 패키지 |
| US9236368B2 (en) * | 2013-01-28 | 2016-01-12 | Sandisk Information Technology (Shanghai) Co., Ltd. | Semiconductor device including embedded controller die and method of making same |
| US9564404B2 (en) | 2015-01-20 | 2017-02-07 | Sandisk Technologies Llc | System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor wafer caused by uneven internal metallization layers |
| US9659882B2 (en) * | 2015-01-20 | 2017-05-23 | Sandisk Technologies Llc | System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers |
| KR102505206B1 (ko) | 2015-12-15 | 2023-03-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
| KR102163044B1 (ko) * | 2018-07-30 | 2020-10-08 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
| CN109411366B (zh) * | 2018-09-17 | 2022-03-15 | 珠海欧比特电子有限公司 | 一种表面保护的三维立体封装方法 |
| US11276705B2 (en) * | 2019-08-27 | 2022-03-15 | Sandisk Technologies Llc | Embedded bonded assembly and method for making the same |
| CN114822609A (zh) | 2021-03-11 | 2022-07-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 包括硅通孔的存储器宏 |
| DE102021107795A1 (de) | 2021-03-11 | 2022-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Speichermakro mit silizium-durchkontaktierung |
| CN115440605A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-12-06 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种构造存储芯片封装结构的方法及封装结构 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222212B1 (en) * | 1994-01-27 | 2001-04-24 | Integrated Device Technology, Inc. | Semiconductor device having programmable interconnect layers |
| JP3768761B2 (ja) | 2000-01-31 | 2006-04-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3779524B2 (ja) | 2000-04-20 | 2006-05-31 | 株式会社東芝 | マルチチップ半導体装置及びメモリカード |
| US20020074637A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-20 | Intel Corporation | Stacked flip chip assemblies |
| EP1487019A1 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic device and method of manufacturing thereof |
| JP2005051150A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| KR100537892B1 (ko) * | 2003-08-26 | 2005-12-21 | 삼성전자주식회사 | 칩 스택 패키지와 그 제조 방법 |
| JP3896112B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2007-03-22 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| JP4365750B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2009-11-18 | ローム株式会社 | 半導体チップの製造方法、および半導体装置の製造方法 |
| JP4836110B2 (ja) * | 2004-12-01 | 2011-12-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マルチチップモジュール |
| KR100603932B1 (ko) | 2005-01-31 | 2006-07-24 | 삼성전자주식회사 | 칩-온-보오드 기판을 갖는 반도체 장치 |
| JP4507101B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2010-07-21 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| US20080142928A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Arkalgud Sitaram | Semiconductor component with through-vias |
| US8018071B2 (en) * | 2007-02-07 | 2011-09-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Stacked structure using semiconductor devices and semiconductor device package including the same |
| TW200845339A (en) * | 2007-05-07 | 2008-11-16 | Sanyo Electric Co | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7745920B2 (en) * | 2008-06-10 | 2010-06-29 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic devices and methods for manufacturing packaged microelectronic devices |
-
2007
- 2007-01-25 KR KR1020070007692A patent/KR100875955B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-01-17 DE DE102008005866A patent/DE102008005866A1/de not_active Withdrawn
- 2008-01-18 JP JP2008009579A patent/JP2008182229A/ja active Pending
- 2008-01-23 US US12/018,743 patent/US20080179734A1/en not_active Abandoned
- 2008-01-25 CN CNA2008101277938A patent/CN101308842A/zh active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8513802B2 (en) | 2010-02-05 | 2013-08-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-chip package having semiconductor chips of different thicknesses from each other and related device |
| JP2016512360A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-04-25 | マイクロン テクノロジー, インク. | コントローラ及びメモリのスタックを備えたフレキシブルなメモリシステム |
| US9679615B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-06-13 | Micron Technology, Inc. | Flexible memory system with a controller and a stack of memory |
| US10283172B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-05-07 | Micron Technology, Inc. | Flexible memory system with a controller and a stack of memory |
| US10714150B2 (en) | 2013-03-15 | 2020-07-14 | Micron Technology, Inc. | Flexible memory system with a controller and a stack of memory |
| US11031049B2 (en) | 2013-03-15 | 2021-06-08 | Micron Technology, Inc. | Flexible memory system with a controller and a stack of memory |
| US11450354B2 (en) | 2013-03-15 | 2022-09-20 | Micron Technology, Inc. | Flexible memory system with a controller and a stack of memory |
| US11769534B2 (en) | 2013-03-15 | 2023-09-26 | Micron Technology, Inc. | Flexible memory system with a controller and a stack of memory |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100875955B1 (ko) | 2008-12-26 |
| US20080179734A1 (en) | 2008-07-31 |
| DE102008005866A1 (de) | 2008-08-28 |
| CN101308842A (zh) | 2008-11-19 |
| KR20080070097A (ko) | 2008-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008182229A (ja) | スタックパッケージ、その製造方法、及びメモリカード | |
| KR100886100B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| CN110707049B (zh) | 包括用于控制翘曲的通道的半导体芯片模块及其制造方法 | |
| JP4610616B2 (ja) | ダイスタック型デバイスを提供するための方法及び装置 | |
| KR101124568B1 (ko) | 반도체 칩, 이를 포함하는 적층 칩 구조의 반도체 패키지 | |
| JP2009004722A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| KR20110124065A (ko) | 적층형 반도체 패키지 | |
| KR20120018894A (ko) | 패키지 기판 및 이를 갖는 플립 칩 패키지 | |
| US7119425B2 (en) | Stacked multi-chip semiconductor package improving connection reliability of stacked chips | |
| KR101510037B1 (ko) | 구리 호일을 이용한 임베디드 타입의 인쇄회로기판 및 그 제조 방법과, 그 적층 패키지 | |
| KR100703012B1 (ko) | 반도체 패키지, 반도체 스택 패키지, 패키지들을 제조하는방법 | |
| US8178393B2 (en) | Semiconductor package and manufacturing method thereof | |
| JP2009027130A (ja) | 電子部品パッケージおよびその製造方法 | |
| US7928535B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor package having the same | |
| KR101185457B1 (ko) | 적층형 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| JP5178213B2 (ja) | 積層型半導体装置と半導体記憶装置 | |
| CN101083215A (zh) | 电子元件封装件及其制造方法 | |
| KR100800476B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법과 반도체 모듈 및 그제조방법 | |
| KR20120026380A (ko) | 반도체 칩, 이를 포함하는 적층 칩 구조의 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR101046392B1 (ko) | 반도체 패키지용 기판과, 이를 포함하는 반도체 패키지 및 이를 이용한 스택 패키지 | |
| KR100983471B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100652440B1 (ko) | 반도체 패키지, 그 패키지를 이용한 스택 패키지 및 그스택 패키지 형성 방법 | |
| TWI719927B (zh) | 記憶體裝置 | |
| TWI747634B (zh) | 記憶體裝置 | |
| KR100577015B1 (ko) | 반도체 소자의 적층 칩 패키지 및 그 제조 방법 |