JP2008176567A - プリント基板組立体、情報技術装置用筐体及び情報技術装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、メモリ交換用に設けられた開口部から漏れる電磁波を低減することのできるプリント基板組立体、情報技術装置用筐体及び情報技術装置を提供することを課題とする。
【解決手段】プリント基板組立体は、プリント基板１６に搭載され、メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂが接続されるコネクタ１４Ａ，１４Ｂと、コネクタに設けられた電波吸収シート３４Ａ，３４Ｂとを有する。電波吸収シートはコネクタの対向する側面を覆うように取り付けられる。筺体３８は、メモリモジュールに対向する位置に開口部３８ａを有する。開口部３８ａは蓋３２によりふさがれる。筺体３８の内面を覆うように金属板３９が設けられ、接地電位とされる。蓋３２の内面に導電部材が設けられ、金属板３９の一部が突起部３９ａとして形成され、開口部３８ａの近傍において導電部材に当接する。
【選択図】図５

Description

本発明は情報技術装置に係り、特にメモリを交換するための開口部が設けられたノートブック型パーソナルコンピュータ等の情報技術装置に関する。

近年、デスクトップ型パーソナルコンピュータ（デスクトップＰＣ）、ノートブック型パーソナルコンピュータ（ノートＰＣ）、プリンタ、ファクシミリ等に代表される情報技術装置に関して、電磁波（妨害波）対策(ＥＭＩ対策)や静電気対策（ＥＳＤ対策）を行うことが必須となっている。ＥＭＣにおいては、特に電磁妨害（ＥＭＩ：ＥｌｅｃｔｒｏＭａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）に対する規制が進められており、各国で独自の規制が行われている。情報技術装置の製造業者は、ＥＭＩ規制に関する規格をクリアしなければ、製品を販売したり輸出したりすることができない。ＥＭＩ規制に関する規格として、例えば、日本ではＶＣＣＩ規約・規定類、米国ではＦＣＣ規則等がある。

ＥＭＩ規制に関する規格の基となる国際規格として、国際無線障害特別委員会（ＣＩＳＰＲ）が定めた規格がある。各国では、このＣＩＳＰＲの規格に基づいて規格を制定しているのが現状であり、ＣＩＳＰＲの規格をクリアすれば、各国の規制をほぼクリアできることとなる。

情報技術装置の一つであるノートＰＣでは、筐体内部から電磁波が漏れ出ないように、筐体の裏側に板金又は金属シートを貼り付けるか、金属めっきを施すことが一般的である。このように筐体の全面を金属で覆ってしまえば、外部に電磁波が漏れない構造とすることができる。ところが、筐体の全面を完全に金属で覆うことは難しく、外部機器との接続用コネクタ等を設けた部分では筐体に開口部が形成され、この開口部から電磁波が漏れてしまう。

そこで、ＥＭＩ対策として、開口部に金属製又は金属めっきを施した蓋を取り付け、且つ蓋の金属部分と筐体の接地電位部分とを電気的に接続して、電磁波の漏れを極力少なくすることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２０００−１５１１３２号公報

パーソナルコンピュータ等では、筐体内のプリント基板に増設メモリを組み込むために、筐体にメモリ出し入れ用の開口が設けられることが一般的になっている。開口は金属製あるいは金属めっきを施した蓋でふさがれるが、蓋の縁と開口の合わせ部分を完全に金属で覆うことは難しく、この部分からの電磁波の漏れにより、ＥＭＩ規格をクリアできないおそれがある。

特に、ノートＰＣでは、２つのメモリをコネクタ部に向かい合わせにして接続したいわゆるバタフライ型の接続構造を用いることが多い。バタフライ型の接続構造では、２つのメモリの間にメモリに対する信号線が延在する。ＣＰＵの動作中に、この信号線を介して頻繁に信号のやり取りが行われるため、この信号線は電磁波の発生源となる。

したがって、増設及び交換可能なメモリ接続構成としてバタフライ型の接続構造を用いた場合、その近傍に筐体の開口部が位置するため、開口部の周囲からの電磁波の漏れが特に顕著になり、ＥＭＩ規格をクリアできないといった問題が発生することがある。

また、ＣＰＵの動作クロックは益々高周波となってきており、これに伴ってメモリへの信号線から発生する電磁波も高周波となり、僅かなシールドの隙間からでも電磁波が漏れやすくなっている。

また、メモリ接続構成としてバタフライ型の接続構造を用いた場合、二つのメモリを接続するために並んで設けられた二つのコネクタの端子部分において不要な電磁波が発生するおそれがある。例えば、メモリを一方のコネクタに接続し、もう一方のコネクタにはメモリ増設用としてメモリを接続していない場合、一方のメモリの動作時の電圧の変動がコネクタを介してもう一方のコネクタの端子にも現れる。このコネクタの端子にはメモリが接続されておらず解放された端子であり、電圧の変動が端子に定在して電磁波が発生する。この電磁波がメモリ用の開口部から漏れる電磁波の一部となる。

従来は、メモリ用の開口部からの電磁波の漏れが多すぎる場合、蓋に電磁波吸収シートを複数枚貼り付け、その他に開口部の周囲と蓋の外周部分とを電気的に接続するための導電性ガスケット等を設ける等のＥＭＩ対策を施していた。このようなＥＭＩ対策は、電磁波吸収シートやガスケット等の部品コストとその貼り付け作業の工数コストがかかり、製品自体の製造コストの上昇を招くという問題があった。

本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、メモリ交換用に設けられた開口部から漏れる電磁波を低減することのできるプリント基板組立体、情報技術装置用筐体及び情報技術装置を提供することを目的とする。

上述の目的を達成するために、本発明によれば、メモリモジュールが搭載されるプリント基板組立体であって、プリント基板と、互いに並列に該プリント基板に搭載され、該メモリモジュールが接続されるよう構成された少なくとも２つのコネクタと、該コネクタの少なくとも一方に設けられた電波吸収シートとを有し、該電波吸収シートは前記コネクタの対向する側面を覆うように取り付けられたことを特徴とするプリント基板組立体が提供される。

また、本発明によれば、プリント基板上に並列対向してメモリモジュールが搭載されるよう構成されたプリント基板組立体が組み込まれる情報技術装置用筺体であって、前記メモリモジュールに対向する位置に設けられた開口部と、該開口部を塞ぐための蓋と、前記開口部が設けられた側の内面を覆うように設けられ、接地電位とされる金属板とを有し、前記蓋の内面に導電部材が設けられ、且つ前記金属板の一部が突起部として形成され、該突起部は前記開口部の近傍において該導電部材に当接することを特徴とする情報技術装置用筺体が提供される。

さらに、本発明によれば、内部メモリ容量を変更可能な情報技術装置であって、上述のプリント基板組立体と、上述の情報技術装置用筺体とを有し、前記プリント基板組立体は前記情報技術装置用筺体内に組み込まれることを特徴とする情報技術装置が提供される。

上述の発明によれば、メモリ用の蓋の全面を電波吸収シートで覆う必要はなく、電波吸収シートはコネクタの側面を覆う大きさだけでよい。したがって、高価な電波吸収シートの使用量を抑えながら、効率的に電磁波をシールドすることができる。

本発明の実施形態について図を参照しながら説明する。

図１は本発明が適用される情報技術装置の一例であるノートＰＣの簡略斜視図である。ノートＰＣは、キーボード２が配置された本体４と、本体４に対して回動可能なディスプレイ部６とを有する。本体４は筐体８を有し、筐体８の上面にキーボード２が配置される。筐体８の内部には、ＣＰＵやメモリを搭載した回路基板、ハードディスク等の記憶装置、外部との通信のためのモジュールやコネクタ等が収容される。

図１に示すノートＰＣにおいて、メモリモジュールを２個搭載する場合を考える。図２は図１に示すノートＰＣの筐体８を底面側（キーボード２の反対側）から見た簡略平面図である。筐体８の底面側には、メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂを交換可能にするために、メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂに対応する部分で筐体８の底面側に開口部８ａが設けられている。開口部８ａには取り外し可能な蓋１２が取り付けられる。図２において、蓋１２は開口部８ａから取り外された状態で示されている。したがって、図２において、筐体８の底面側の開口部８ａから筐体８の内部のメモリモジュール１０Ａ，１０Ｂが見えている状態が示されている。

２個のメモリモジュール１０Ａ，１０Ｂは略長方形の外形で同じサイズであり、長方形の一辺（長辺）に接続用の端子が整列している。メモリモジュール１０が接続されるメモリスロットとしての２個のコネクタ１４Ａ，１４Ｂは、筐体８内に収容された回路基板であるプリント基板１６に実装されている。プリント基板１６に回路部品やコネクタ等が搭載されてプリント基板組立体が形成され、筺体８内に組み込まれる。

２個のコネクタ１４Ａ，１４Ｂは、接続部を互いに反対側に向けた状態でプリント基板１６上に並列して配置される。左側のコネクタ１４Ａにはメモリモジュール１０Ａが左側から差し込まれ、右側のコネクタ１４Ｂにはメモリモジュール１０Ｂが右側から差し込まれる。このように、メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂの接続構造として、いわゆるバタフライ型の接続構造を採用している。

図３はメモリモジュール１０Ａ，１０Ｂと筐体８と蓋１２の位置関係を示す簡略図であり、筐体８の内部を側面から見た状態が示されている。筐体８内に収容されたプリント基板１６上にコネクタ１４Ａ，１４Ｂが搭載され、コネクタ１４Ａ，１４Ｂにメモリモジュール１０Ａ，１０Ｂが夫々接続されている。

また、コネクタ１４Ａの側面とメモリモジュール１０Ａを覆うように、絶縁フィルム１７Ａが設けられる。絶縁フィルム１７Ａは、コネクタ１４Ａの側面に粘着材により貼り付けられ、９０度折り曲げられてコネクタ１４Ａのコネクタピンを覆うように配置される。同様に、コネクタ１４Ｂの側面とメモリモジュール１０Bを覆うように、絶縁フィルム１７Ｂが設けられる。

メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂの下の筐体８に開口部８ａが形成され、開口部８ａをふさぐために蓋１２が取り付けられる。蓋１２は一辺側に突出した突出片１２ａを有し、筐体８の開口部８ａの一辺に設けられた係合部８ｂに突出片１２ａが差し込まれた状態で、蓋１２が開口部８ａに取り付けられるようになっている。図４は蓋１２を開口部８ａに取り付けた状態を示す簡略図である。蓋１２は、図２及び図３の矢印で示す方向に移動させながら突出片１２ａを係合部８ｂに差込み、開口部８ａを覆う状態でネジ１８によりネジ止めされる。

なお、筺体８の内面で、特に開口部８ａが設けられる裏面側には、アルミニウム板等の金属板１９が、裏側内面全体を覆うように設けられる。金属板１９は筺体８を補強するとともに、電磁波のシールド部材として機能する。

次に、本発明の第１実施例によるノートＰＣの筐体について、図５乃至図７を参照しながら説明する。

図５は本発明の第１実施例による情報技術装置の一例であるノートＰＣの筺体の簡略断面図である。図５において、筐体３８から蓋３２が取り外された状態が示されている。筐体３８内には、図２乃至図４に示す構成と同様に、プリント基板組立体が組み込まれる。プリント基板組立体は、プリント基板１６と、その上に搭載された回路部品及び並列に配置されて搭載されたコネクタ１４Ａ，１４Ｂを有する。コネクタ１４Ａ，１４Ｂには、メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂが夫々接続される。メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂの下の筐体３８に開口部３８ａが形成され、開口部３８ａをふさぐために蓋３２が取り付けられる。

メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂを保護するために、絶縁フィルム１７Ａ，１７Ｂがメモリモジュール１０Ａ，１０Ｂと蓋３２との間に延在するように設けられている。絶縁フィルム１７Ａの一辺側は９０度折り曲げられており、電波吸収シート３４Ａを介してメモリモジュール１０Ａの側面に貼り付けられている。より詳細には、絶縁フィルム１７Ａの一辺側における９０度折り曲げられた部分の内側に、電波吸収シート３４Ａが粘着材により貼り付けられている。電波吸収シート３４Ａの表面にも同様に粘着材が貼り付けられており、この粘着材により電波吸収シート３４Ａがコネクタ１４Ａの側面に貼り付けられる。したがって、絶縁フィルム１７Ａは、電波吸収シート３４Ａを介してコネクタ１４Ａの側面に貼り付けられ、コネクタ１４Ａの側面はほぼ全面が電波吸収シート３４Ａにより覆われた状態となっている。同様に、絶縁フィルム１７Ｂは、電波吸収シート３４Ｂを介してコネクタ１４Ｂの側面に貼り付けられ、コネクタ１４Ｂの側面はほぼ全面が電波吸収シート３４Ｂにより覆われた状態になっている。

電波吸収シート３４Ａ，３４Ｂは、例えば、柔軟な２枚のシートの間に高透磁率の材料よりなる粉末を挟み込んで形成されたシートであり、効率的に高周波数の電磁波を抑制することができる。したがって、電波吸収シート３４Ａ，３４Ｂは、コネクタ１０Ａ，１０Ｂの間で電磁波を抑制する作用を有する。

本実施例では、電波吸収シート３４Ａ，３４Ｂを両方のコネクタ１０Ａ，１０Ｂのそれぞれに設けているが、コネクタ１０Ａ，１０Ｂのいずれか一方に設けるだけでも、電磁波抑制効果を得ることができる。例えば、電波吸収シートを絶縁フィルムに貼り付けた部品を、電波吸収シート３４Ａ，３４Ｂとして共通に使用する場合は、部品点数が減り、組み立てコストの上昇を抑制することができる。一方、電波吸収シートを貼り付けた絶縁フィルムと、貼り付けない絶縁フィルムとを準備することで、電波吸収シート一枚分のコストだけ部品コストの上昇を抑制することができる。

本実施例では、蓋３２の周囲部分にも電磁波シールド構造が設けられる。蓋３２の裏面には、導電性の金属めっきが施されているか、金属板や金属箔等の導電部材が貼り付けられており、電磁波シールド効果が得られるように構成されている。すなわち、蓋３２を筺体３８の開口部３８ａに取り付けた際に、蓋３２と筺体３８の接地部分との間で電気的導通をとることで、電磁波のシールド効果が得られる。蓋３２の全周で電気的導通をとることができればよいが、全周で電気的導通をとることは難しい。そこで、本実施例では、一定の間隔をおいて電気的導通部分を設けている。

筺体３８の内側に設けられた金属板３９は接地電位とされる筺体３８の接地部分である。そこで、本実施例では、筺体３８の開口部３８ａの周囲において、小さな貫通孔３８ｃを設け、金属板３９を曲げて形成した突起部３９ａをこの貫通孔３８ｃを通じて突出させている。貫通孔３８ｃは、蓋３２が閉められた状態で蓋３２により覆われる部分に形成されている。したがって、蓋３２が閉められた状態で、貫通孔３８ｃから突出した突起部３９ａに蓋３２の裏面の導電部材が接触し、蓋３２と筺体３８の金属板３９とは確実に電気的導通がとられる。金属板３９は接地電位とされているため、蓋３２も接地電位となり、電磁波シールド効果を得ることができる。

ここで、本実施例では金属板３９の突起部３９ａの間隔（図６におけるＤ）は、約３０ｍｍ以下となっている。メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂの動作周波数、すなわちメモリモジュール１０Ａ，１０Ｂへのバスクロックを１３３MHｚとした場合、１ＧＨｚ（≒１３３ＭＨｚ×８）の信号波長λは３００ｍｍであり、その１０倍の高調波までシールドできるように突起部３９ａの間隔を波長λの１／１０＝３０ｍｍとしたものである。このように、発生するであろう電磁波の１０倍の高調波の波長以下の間隔で蓋３２を金属板３９と電気的に接続することにより、電磁波を効果的にシールドすることができる。

図６は図５に示す筐体３８を底面側から見た簡略平面図であり、蓋３２が取り外された状態が示されている。なお、図６では内部を示すために絶縁フィルム１７Ａ，１７Ｂが取り外された状態が示されている。図６に示すように、本実施例では、筐体３８の開口部３８ａをふさぐための蓋３２は、プリント基板１６上に平行に配置されたコネクタ１４Ａ，１４Ｂの延在方向に垂直に移動しながら開口部３８ａに取り付けられるように構成されている。すなわち、蓋３２の突出片３２ａは、コネクタ１４Ａ，１４Ｂの延在方向に平行な一辺側に形成され、突出片３２ａの挿入方向はコネクタ１４Ａ，１４Ｂの延在方向に直行する方向に一致している。

図７は蓋３２を開口部３８ａに取り付けた状態を示す簡略断面図である。蓋３２は、その突出片３２ａが筺体３８の係合部３８ｂに差し込まれ、開口部３８ａに取り付けられてネジ１８により筐体３８にネジ止めされる。図７に示すように、蓋３２が取り付けられた状態で、貫通孔３８ｃを貫通して突出する金属板３９の突起部３９ａが蓋３２の裏面（導電部材）に当接し、当接した部分で電気的導通がとられている。したがって、蓋３２は、筺体の接地電位部分である金属板３９と同じ接地電位となる。これにより、メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂの動作に起因して発生する電磁波がシールドされて開口部３８ａからの電磁波の漏れを効果的に抑制することができる。

ここで、本実施例によるメモリモジュールの接続構造では、プリント基板１６からの高さを抑えるために、メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂをできる限りプリント基板１６の表面に近い位置で接続している。そのため、メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂとプリント基板１６との間に電子回路部品を搭載することができない。ところが、コネクタ１４Ａ，１４Ｂの近傍には、コネクタ端子の終端回路を設ける必要がある。終端回路はパスコン等の電子回路部品１５よりなる回路であり、コネクタからの距離をできる限り小さくする必要がある。

そこで、本実施例では、電子回路部品１５よりなる終端回路を並列したコネクタ１４Ａ，１４Ｂの間のプリント基板１６上に搭載している。コネクタ１４Ａ，１４Ｂの間の部分は両側から信号ラインが集まる部分であり、電磁波が特に多く発生する部分である。コネクタ１４Ａ，１４Ｂの間の部分に金属箔等の導電体を貼り付けて接地電位部分を設けることにより電磁波をシールドすることができるが、本実施例のように電子回路部品１５がコネクタ１４Ａ，１４Ｂの間の部分に搭載されていると、コネクタ１４Ａ，１４Ｂの間のプリント基板１６上に導電体を貼り付けることはできない。しかし、本実施例では、上述のように蓋３２の外周部において効果的に電気的接続を達成して蓋３２を接地電位とするので、コネクタ１４Ａ，１４Ｂの間の部分で発生する電磁波を蓋３２でシールドすることができる。すなわち、本実施例によれば、メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂの接続構造の高さを抑えながら、メモリモジュール１０Ａ，１０Ｂの動作により発生する不要な電磁波を蓋３２により効果的にシールドし、電磁波の外部への漏洩を防止している。

次に、本発明の第２実施例によるノートＰＣについて、図８乃至図１０を参照しながら説明する。図８乃至図１０において、上述の第１実施例における構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

図８は本発明の第２実施例によるノートＰＣの筐体３８の簡略断面図である。図９は筐体３８を底面側から見た簡略平面図であり、蓋３２が取り外された状態が示されている。図１０は蓋３２を筐体３８の開口部３８ａに取り付けた状態を示す簡略断面図である。

本実施例では、メモリモジュール１０Ｂはコネクタ１４Ｂに接続されているが、メモリモジュール１０Ａはコネクタ１４Ａに接続されておらず、コネクタ１４Ａは空いたままとなっている。すなわち、コネクタ１４はメモリ増設用のコネクタであり、ユーザが必要に応じて後からメモリモジュール１０Ａを接続できるようになっている。したがって、メモリ増設しない場合は、ノートＰＣは本実施例のようにメモリモジュール１０Ｂのみで動作する。

本実施例では、電波吸収シート３４Ａを空いているコネクタ１４Ａに貼り付けているが、コネクタ１４Ｂには電波吸収シートは設けられていない。コネクタ１４Ａ，１４Ｂ間で電磁波を抑制するには電波吸収シート３４Ａだけでも十分効果がある。もちろん、第１実施例のように、コネクタ１４Ａ，１４Ｂの両方に電波吸収シートを貼り付ければ、より確実に電磁波をシールドすることができる。また、空いているコネクタ１４Ａに電波吸収シートを貼り付けるのではなく、メモリモジュール１０Ｂが接続されているコネクタ１４Ｂだけに電波吸収シートを貼り付けることとしてもよい。

以上のように、上述の各実施例によれば、メモリモジュールを接続するコネクタに電波吸収シートを貼り付けることにより、空いているコネクタの端子で発生する電磁波を抑制し、且つメモリ用の蓋と筺体側の接地電位部を効率的に接続することにより、電磁波対策に要するコストを抑えながら、電磁妨害に対する規制をクリアできる情報技術装置を実現することができる。

例えば、Pentium-M（Pentiumは登録商標です。） 945GMチップセット搭載のノートＰＣに上述の実施例を適用した場合、メモリモジュールSO-DIMM一枚挿しのときのノイズレベルを４ｄＢ〜５ｄＢ低減させることができる。従来は、蓋の裏面ほぼ全体に電波吸収シートを貼り付け、さらに導電性ガスケットにより蓋と筺体の接地部分を接続していたため、高価な電波吸収シートや導電性ガスケットを多量に用いていた。一方、本発明によるシールド構造を用いることで、コネクタの側面を覆うだけの大きさの電波吸収シートを用いるだけで、コストを抑えながら効率的に十分な電磁波シールドを達成することができる。

例えば、高さの低いコネクタで、コネクタのピンサイズが６０ｍｍ×４ｍｍの場合、コネクタの側面に貼り付ける電波吸収シートのサイズは６０ｍｍ×４ｍｍとなり、面積は２４０ｍｍ^２となる。上述の第１実施例のように２つのコネクタの両方に電波吸収シートを貼り付ける場合は、２４０×２＝４８０ｍｍ^２となる。

一方、従来のように、蓋の裏側ほぼ全面に電波吸収シートを貼り付ける場合、蓋のサイズが７８ｍｍ×８８ｍｍであれば、蓋の裏側に貼り付ける電波吸収シートの大きさも７８ｍｍ×８８ｍｍ＝６８６４ｍｍ^２の面積が必要となる。また、これに加えて、メモリモジュールの真下を覆う大きさの電波吸収シートを２重に貼り付けることが一般的である。したがって、メモリモジュールのサイズ６０ｍｍ×３０ｍｍ＝１８００ｍｍ^２の電波吸収シートが２枚分必要となる。すなわち、従来の構造で必要な電波吸収シートの面積は、６８６４＋１８００×２＝１０４０４ｍｍ^２となる。

以上のように、本発明の第１実施例によるシールド構造で必要な電波吸収シートの面積を４８０ｍｍ^２とすると、従来のシールド構造で必要な電波吸収シートの面積は１０４０４ｍｍ^２となり、従来のシールド構造のほうが約２２倍の大きさの電波吸収シートを必要とする。言い換えれば、本発明の第１実施例によるシールド構造を採用することにより、シールド構造に必要な電波吸収シートを１／２２とすることができる。電波吸収シートは比較的高価な材料であり、本発明の第１実施例によるシールド構造を採用することで、電波吸収シートに掛かるコストを大幅に削減することができる。例えば、電波吸収シートの単価が４．０円／ｃｍ^２とすると、本発明の第１実施例によるシールド構造とすることで、（１０４．０４−４．８）×４．０≒４００円分の電波吸収シートを削減することができる。本発明の第２実施例のようにコネクタの一方のみに電波吸収シートを貼り付けることとすれば、使用する電波吸収シートの大きさを更に低減することができる。

以上のように本明細書は以下の発明を開示する。

（付記１）
メモリモジュールが搭載されるプリント基板組立体であって、
プリント基板と、
互いに並列に該プリント基板に搭載され、該メモリモジュールが接続されるよう構成された少なくとも２つのコネクタと、
該コネクタの少なくとも一方に設けられた電波吸収シートと
を有し、
該電波吸収シートは前記コネクタの対向する側面を覆うように取り付けられたことを特徴とするプリント基板組立体。

（付記２）
付記１記載のプリント基板組立体であって、
前記電波吸収シートは前記コネクタの各々に設けられたことを特徴とするプリント基板組立体。

（付記３）
付記１記載のプリント基板組立体であって、
前記電波吸収シートの表面に絶縁フィルムが貼り付けられ、該絶縁フィルムは前記電波吸収シートを介して前記コネクタの前記側面に貼り付けられていることを特徴とするプリント基板組立体。

（付記４）
付記３記載のプリント基板組立体であって、
前記絶縁フィルムは、前記コネクタの前記側面に貼り付けられた部分から折り曲げられて前記プリント基板に平行に延在する部分を有し、前記メモリモジュールが前記コネクタに接続された際に前記メモリモジュールを覆うように構成されたことを特徴とするプリント基板組立体。

（付記５）
付記１記載のプリント基板組立体であって、
前記電波吸収シートは前記コネクタの前記側面に粘着材により貼り付けられたことを特徴とするプリント基板組立体。

（付記６）
付記１記載のプリント基板組立体であって、
並列して搭載された前記コネクタの間における前記プリント基板上に電子回路部品が搭載されたことを特徴とするプリント基板組立体。

（付記７）
付記６記載のプリント基板組立体であって、
前記電子回路部品は、前記メモリモジュールへの電源供給ラインに接続された電圧安定化回路を形成することを特徴とするプリント基板組立体。

（付記８）
プリント基板上に並列対向してメモリモジュールが搭載されるよう構成されたプリント基板組立体が組み込まれる情報技術装置用筺体であって、
前記メモリモジュールに対向する位置に設けられた開口部と、
該開口部を塞ぐための蓋と、
前記開口部が設けられた側の内面を覆うように設けられ、接地電位とされる金属板と
を有し、
前記蓋の内面に導電部材が設けられ、且つ前記金属板の一部が突起部として形成され、該突起部は前記開口部の近傍において該導電部材に当接することを特徴とする情報技術装置用筺体。

（付記９）
付記８記載の情報技術装置用筺体であって、
前記金属板の突起部は前記開口部の周囲に沿って複数個設けられ、前記突起部の間隔は前記メモリモジュールの動作周波数に基づいて決定されることを特徴とする情報技術装置用筺体。

（付記１０）
付記９記載の情報技術装置用筺体であって、
前記突起部の間隔は、前記メモリモジュールの信号ラインにおける信号動作周波数の１０倍高調波の波長の１／１０であることを特徴とする情報技術装置用筺体。

（付記１１）
付記８記載の情報技術装置用筺体であって、
前記突起部は前記開口部の周囲に形成された貫通孔を貫通して延在し、前記蓋の前記導電部材に当接することを特徴とする情報技術装置用筺体。

（付記１２）
内部メモリ容量を変更可能な情報技術装置であって、
付記１乃至７のうちいずれか一項記載のプリント基板組立体と、
付記８乃至１１のうちいずれか一項記載の情報技術装置用筺体と
を有し、
前記プリント基板組立体は前記情報技術装置用筺体内に組み込まれることを特徴とする情報技術装置。

本発明が適用される情報技術装置の一例であるノートＰＣの簡略斜視図である。 図１に示すノートＰＣの筐体を底面側から見た簡略平面図である。 メモリモジュールと筐体と蓋の位置関係を示す簡略図である。 蓋を開口部に取り付けた状態を示す簡略図である。 本発明の第１実施例による情報技術装置の一例であるノートＰＣの筺体の簡略断面図である。 図５に示す筐体を底面側から見た簡略平面図である。 蓋を開口部に取り付けた状態を示す簡略断面図である。 本発明の第２実施例によるノートＰＣの筐体の簡略断面図である。 筐体を底面側から見た簡略平面図である。 蓋を筐体の開口部に取り付けた状態を示す簡略断面図である。

符号の説明

２ キーボード
４ 本体
６ ディスプレイ部
８，３８，４８ 筐体
８ａ，３８ａ 開口部
８ｂ，３８ｂ 係合部
１０Ａ，１０Ｂ メモリモジュール
１２，３２ 蓋
１２ａ，３２ａ 突出片
１４Ａ，１４Ｂ コネクタ
１５ 電子回路部品
１６ プリント基板
１７Ａ，１７Ｂ 絶縁フィルム
１８ ネジ
１９，３９ 金属板
３４Ａ，３４ｂ 電波吸収シート
３８ｃ 貫通孔
３９ａ 突起部

Claims (10)

1. メモリモジュールが搭載されるプリント基板組立体であって、
   プリント基板と、
   互いに並列に該プリント基板に搭載され、該メモリモジュールが接続されるよう構成された少なくとも２つのコネクタと、
   該コネクタの少なくとも一方に設けられた電波吸収シートと
   を有し、
   該電波吸収シートは前記コネクタの対向する側面を覆うように取り付けられたことを特徴とするプリント基板組立体。
2. 請求項１記載のプリント基板組立体であって、
   前記電波吸収シートは前記コネクタの各々に設けられたことを特徴とするプリント基板組立体。
3. 請求項１記載のプリント基板組立体であって、
   前記電波吸収シートの表面に絶縁フィルムが貼り付けられ、該絶縁フィルムは前記電波吸収シートを介して前記コネクタの前記側面に貼り付けられていることを特徴とするプリント基板組立体。
4. 請求項１記載のプリント基板組立体であって、
   前記電波吸収シートは前記コネクタの前記側面に粘着材により貼り付けられたことを特徴とするプリント基板組立体。
5. 請求項１記載のプリント基板組立体であって、
   並列して搭載された前記コネクタの間における前記プリント基板上に電子回路部品が搭載されたことを特徴とするプリント基板組立体。
6. プリント基板上に並列対向してメモリモジュールが搭載されるよう構成されたプリント基板組立体が組み込まれる情報技術装置用筺体であって、
   前記メモリモジュールに対向する位置に設けられた開口部と、
   該開口部を塞ぐための蓋と、
   前記開口部が設けられた側の内面を覆うように設けられ、接地電位とされる金属板と
   を有し、
   前記蓋の内面に導電部材が設けられ、且つ前記金属板の一部が突起部として形成され、該突起部は前記開口部の近傍において該導電部材に当接することを特徴とする情報技術装置用筺体。
7. 請求項８記載の情報技術装置用筺体であって、
   前記金属板の突起部は前記開口部の周囲に沿って複数個設けられ、前記突起部の間隔は前記メモリモジュールの動作周波数に基づいて決定されることを特徴とする情報技術装置用筺体。
8. 付記９記載の情報技術装置用筺体であって、
   前記突起部の間隔は、前記メモリモジュールの信号ラインにおける信号動作周波数の１０倍高調波の波長の１／１０であることを特徴とする情報技術装置用筺体。
9. 付記８記載の情報技術装置用筺体であって、
   前記突起部は前記開口部の周囲に形成された貫通孔を貫通して延在し、前記蓋の前記導電部材に当接することを特徴とする情報技術装置用筺体。
10. 内部メモリ容量を変更可能な情報技術装置であって、
    請求項１乃至５のうちいずれか一項記載のプリント基板組立体と、
    請求項６乃至９のうちいずれか一項記載の情報技術装置用筺体と
    を有し、
    前記プリント基板組立体は前記情報技術装置用筺体内に組み込まれることを特徴とする情報技術装置。

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