JP2008174711A - エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填材および(D)環状ジスルフィド構造を有する化合物を含むことを特徴とする。また、本発明の半導体装置は上記に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されていることを特徴とする。
【選択図】 なし
Description
しかし、近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化も年々進み、また半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解決出来ない問題点も出てきている。
さらに、環境問題に端を発した有鉛半田から無鉛半田への移行に伴い、半田処理時の温度が高くなり、半導体装置中に含まれる水分の気化によって発生する爆発的な応力による耐半田性が、従来以上に大きな課題となってきている。
また、メッキ部とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面での剥離を防止する為、ジスルフィド化合物によって金属と樹脂の密着性を高めることが提案されている(例えば、特許文献2参照。)が、十分な耐半田性を達成するには至っていない。このようなことから、無鉛半田に対応する高温の半田処理によっても剥離やクラックが発生しない良好な耐半田性を達成するための、更なる技術が求められている。
(1)半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填材と、(D)環状ジスルフィド構造を有する化合物を用いることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
(2)前記(D)成分が、α−リポ酸および/またはその誘導体である前記(1)に記載のエポキシ樹脂組成物。
(3)前記(D)成分が、アルコール性水酸基を有する環状ジスルフィド化合物である前期(1)又は(2)に記載のエポキシ樹脂組成物。
(4)さらに(E)硬化促進剤を含むものである前記(1)ないし(3)のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填材および(D)環状ジスルフィド構造を有する化合物を含むことを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されていることを特徴とする。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A)を含む。本発明で用いられるエポキシ樹脂(A)は、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造は特に限定するものではないが、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)等が挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種以上を併用しても差し支えない。このようなエポキシ樹脂の中でも下記一般式(1)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐燃性、耐半田性を特に向上することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化剤(B)を含む。本発明で用いられる硬化剤(B)は、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであれば特に限定されず、それらの具体例としてはフェノール系樹脂、ビスフェノールAなどのビスフェノール化合物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどが挙げられこれらを単独で用いても、2種以上の硬化剤を併用しても良い。
環状ジスルフィド構造を有する化合物としては、特に限定されないが、下記一般式(3)で表される構造を有する化合物であることが好ましい。
本発明で用いることができる硬化促進剤(E)は、エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤(例えば、フェノール系樹脂のフェノール性水酸基)との反応を促進するものであればよく、一般に半導体素子の封止材であるエポキシ樹脂組成物に使用されているものを利用することができる。具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物等のリン原子含有化合物、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、ベンジルジメチルアミン、2−メチルイミダゾール等の窒素原子含有化合物が挙げられる。これらの硬化促進剤は、1種類を単独で用いても2種以上を併用して差し支えない。これらのうち、リン原子含有化合物が好ましく、特に流動性という点を考慮するとテトラ置換ホスホニウム化合物が好ましく、またエポキシ樹脂組成物の硬化物の高温下における低弾性率化という点を考慮するとホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物がより好ましい。
またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、例えば、o−ベンゾキノン、p−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもp−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとキノン化合物の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
一般式(6)で表される化合物において、リン原子に結合するR11、R12およびR13がフェニル基であり、かつR14、R15およびR16が水素原子である化合物、すなわち1,4−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が好ましい。
本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、デュアル・インライン・パッケージ(DIP)、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ(PLCC)、クワッド・フラット・パッケージ(QFP)、スモール・アウトライン・パッケージ(SOP)、スモール・アウトライン・Jリード・パッケージ(SOJ)、薄型スモール・アウトライン・パッケージ(TSOP)、薄型クワッド・フラット・パッケージ(TQFP)、テープ・キャリア・パッケージ(TCP)、ボール・グリッド・アレイ(BGA)、チップ・サイズ・パッケージ(CSP)等が挙げられる。
トランスファーモールドなどの成形方法で封止された半導体装置は、そのまま、或いは80℃〜200℃程度の温度で、10分〜10時間程度の時間をかけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。
(実施例1)
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂1:一般式(1)で表されるエポキシ樹脂(ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、n=2.3)6.3重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂1:一般式(2)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、商品名MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量204、式(2)においてm=1.6)4.3重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)88.0重量部と、環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)としてDL−α−リポ酸(東京化成工業(株)製、分子量:206.33)0.2重量部と、シランカップリング剤としてカップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.1重量部およびカップリング剤2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.1重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.2重量部と、モンタン酸エステル系ワックス(離型剤2)0.1重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.3重量部とをミキサーにて混合し、熱ロールを用いて、95℃で8分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)の配合量を多くし、全体の配合を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂1:一般式(1)で表されるエポキシ樹脂(ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、n=2.3)6.0重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂1:一般式(2)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、商品名MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量204、式(2)においてm=1.6)4.0重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)88.0重量部と、環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)としてDL−α−リポ酸(東京化成工業(株)製、分子量:206.33)0.8重量部と、シランカップリング剤としてカップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.1重量部およびカップリング剤2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.1重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.2重量部と、モンタン酸エステル系ワックス(離型剤2)0.1重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.3重量部とをミキサーにて混合し、熱ロールを用いて、95℃で8分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)の配合量を減らし、全体の配合を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂1:一般式(1)で表されるエポキシ樹脂(ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、n=2.3)6.4重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂1:一般式(2)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、商品名MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量204、式(2)においてm=1.6)4.4重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)88.0重量部と、環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)としてDL−α−リポ酸(東京化成工業(株)製、分子量:206.33)0.015重量部と、シランカップリング剤としてカップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.1重量部およびカップリング剤2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.1重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.2重量部と、モンタン酸エステル系ワックス(離型剤2)0.1重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.3重量部とをミキサーにて混合し、熱ロールを用いて、95℃で8分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)として、DL−α−チオクタミド(東京化成工業(株)製、分子量:205.34)を用いた。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)として、トランス−4,5−ジヒドロキシ−1,2−ジチアン(trans−4,5−Dihydroxy−1,2−dithiane、以下「DTTox」と称す、シグマ−アルドリッチ社製、分子量:152.24)を用いた。
シランカップリング剤の配合量を多くし、全体の配合を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂1:一般式(1)で表されるエポキシ樹脂(ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、n=2.3)5.8重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂1:一般式(2)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、商品名MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量204、式(2)においてm=1.6)4.0重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)88.0重量部と、環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)としてDL−α−リポ酸(東京化成工業(株)製、分子量:206.33)0.2重量部と、シランカップリング剤としてカップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.5重量部およびカップリング剤2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.5重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.2重量部と、モンタン酸エステル系ワックス(離型剤2)0.1重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.3重量部とした。
カップリング剤を用いずに、全体の配合を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂1:一般式(1)で表されるエポキシ樹脂(ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、n=2.3)6.4重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂1:一般式(2)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、商品名MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量204、式(2)においてm=1.6)4.4重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)88.0重量部と、環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)としてDL−α−リポ酸(東京化成工業(株)製、分子量:206.33)0.2重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.2重量部と、モンタン酸エステル系ワックス(離型剤2)0.1重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.3重量部とした。
エポキシ樹脂として以下のものを用い、全体の配合を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂2:ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、商品名YX−4000、エポキシ当量190、融点105℃)5.4重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂1:一般式(2)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、商品名MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量204、式(2)においてm=1.6)5.2重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)88.0重量部と、環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)としてDL−α−リポ酸(東京化成工業(株)製、分子量:206.33)0.2重量部と、シランカップリング剤としてカップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.1重量部およびカップリング剤2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.1重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.2重量部と、モンタン酸エステル系ワックス(離型剤2)0.1重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.3重量部とした。
フェノール樹脂として以下のものを用い、全体の配合を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂1:一般式(1)で表されるエポキシ樹脂(ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、n=2.3)6.8重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂2:フェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、商品名XLC−LL、水酸基当量165、軟化点79℃)3.8重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)88.0重量部と、環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)としてDL−α−リポ酸(東京化成工業(株)製、分子量:206.33)0.2重量部と、シランカップリング剤としてカップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.1重量部およびカップリング剤2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.1重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.2重量部と、モンタン酸エステル系ワックス(離型剤2)0.1重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.3重量部とした。
無機充填材の含有量を多くして、全体の配合を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂1:一般式(1)で表されるエポキシ樹脂(ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、n=2.3)3.3重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂1:一般式(2)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、商品名MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量204、式(2)においてm=1.6)2.3重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)93.0重量部と、環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)としてDL−α−リポ酸(東京化成工業(株)製、分子量:206.33)0.2重量部と、シランカップリング剤としてカップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.1重量部およびカップリング剤2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.1重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.2重量部と、モンタン酸エステル系ワックス(離型剤2)0.1重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.3重量部とした。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)を用いずに、全体の配合を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂1:一般式(1)で表されるエポキシ樹脂(ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、n=2.3)6.4重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂1:一般式(2)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、商品名MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量204、式(2)においてm=1.6)4.4重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)88.0重量部と、シランカップリング剤としてカップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.1重量部およびカップリング剤2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.1重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.2重量部と、モンタン酸エステル系ワックス(離型剤2)0.1重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.3重量部とした。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)の代わりに以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)の代わりに、非環状ジスルフィド化合物であるジ−tert−オクチルジスルフィド(東京化成工業(株)製)を用いた。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)の代わりに以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)の代わりに、非環状ジスルフィド化合物である3,3’−ジチオジプロピオン酸(ACROS ORGANICS社製)を用いた。
環状ジスルフィド構造を有する化合物(D)を用いず、また、シランカップリング剤の配合量を多くし、全体の配合を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂1:一般式(1)で表されるエポキシ樹脂(ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製、商品名NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、n=2.3)6.3重量部と、フェノール樹脂としてフェノール樹脂1:一般式(2)で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、商品名MEH−7851SS、軟化点65℃、水酸基当量204、式(2)においてm=1.6)4.3重量部と、硬化促進剤:トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンとの付加物0.2重量部と、溶融球状シリカ(平均粒径30μm)88.0重量部と、シランカップリング剤としてカップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン0.2重量部およびカップリング剤2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.2重量部と、離型剤としてポリエチレン系ワックス(離型剤1)0.2重量部と、モンタン酸エステル系ワックス(離型剤2)0.1重量部と、イオントラップ剤としてハイドロタルサイト(協和化学工業(株)製、DHT−4H)0.2重量部と、カーボンブラック0.3重量部とした。
低圧トランスファー成形機(コータキ精機株式会社製、KTS−15)を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。単位をcmとした。
キュラストメーター(オリエンテック(株)製、JSRキュラストメーターIVPS型)を用いて、175℃、60秒後のトルク値を300秒後のトルク値で除した値で示した。この値の大きい方が硬化性は良好である。単位は%とした。
低圧トランスファー成形機(コータキ精機製、KTS125−5E)を用いて、金型温度175℃、注入圧力8.3MPa、硬化時間105秒の条件で、エポキシ樹脂組成物によりシリコンチップ等を封止成形して16ピンSOP(Small Outline Package)の半導体パッケージを作製し、アフターベークとして175℃、4時間加熱処理した。その後、125℃、相対湿度100%の水蒸気中で、20Vの電圧を、16ピンSOPに印加し、断線不良を調べた。15個のパッケージのうち、8個以上に不良が出るまでの時間を、不良時間とした。単位は時間とした。なお、測定時間は、最長で500時間とし、その時点で不良パッケージ数が8個未満であったものは、不良時間を500時間以上と示した。不良時間が長いほど、耐湿信頼性に優れる。
低圧トランスファー成形機(第一精工(株)製、GP−ELF)を用いて、成形温度175℃、圧力8.3MPa、硬化時間120秒の条件でエポキシ樹脂組成物によりシリコンチップ等を封止成形して、80ピンQFP(Quad Flat Package、Cu製Ni−Pd−Auメッキフレーム、パッケージサイズ:14mm×20mm×2mm厚、チップサイズ6.0mm×6.0mm×0.35mm厚)を作製し、アフターベークとして175℃、8時間加熱処理した。その後、60℃、相対湿度60%で120時間の加湿処理を行った後、260℃のIRリフロー処理をした。パッケージ内部の剥離とクラックを超音波探傷機(日立建機ファインテック株式会社製、mi−scope hyper II)で確認し、剥離、クラックのいずれか一方でもあったものを不良とした。評価した10個のパッケージ中の不良パッケージ数を示す。
低圧トランスファー成形機(第一精工(株)製、GP−ELF)を用いて、成形温度175℃、圧力8.3MPa、硬化時間120秒の条件でエポキシ樹脂組成物によりシリコンチップ等を封止成形して、80ピンQFP(Quad Flat Package、Cu製Ni−Pd−Auメッキフレーム、パッケージサイズ:14mm×20mm×2mm厚、チップサイズ6.0mm×6.0mm×0.35mm厚)を作製し、アフターベークとして175℃、8時間加熱処理した。その後、85℃、相対湿度60%で168時間の加湿処理を行った後、260℃のIRリフロー処理をした。パッケージ内部の剥離とクラックを超音波探傷機(日立建機ファインテック株式会社製、mi−scope hyper II)で確認し、剥離、クラックのいずれか一方でもあったものを不良とした。評価した10個のパッケージ中の不良パッケージ数を示す。
上記のように本発明に従う実施例はいずれも、無鉛半田に対応する高温の半田処理によっても剥離やクラックが発生しない良好な耐半田性を有するとともに、耐湿信頼性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られるものである。
2 ダイボンド材硬化体
3 ダイパッド
4 金線
5 リードフレーム
6 封止用樹脂組成物の硬化体
Claims (7)
- 半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填材と、
(D)環状ジスルフィド構造を有する化合物を用いることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 前記(D)成分が、α−リポ酸および/またはその誘導体である請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記(D)成分が、アルコール性水酸基を有する環状ジスルフィド化合物である請求項1又は2に記載のエポキシ樹脂組成物。
- さらに(E)硬化促進剤を含むものである請求項1ないし3のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 請求項1ないし6のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されていることを特徴とする半導体装置。
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