JP2008171975A - 半導体部品の実装構造及び実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体部品を回路基板上に容易に実装することができ、且つ回路基板からの半導体部品の取り外しも容易な半導体部品の実装構造及び実装方法を提供する。
【解決手段】ＢＧＡ型半導体部品１の底面に複数のはんだバンプ１２を突設させ、回路基板３に、はんだバンプ１２を挿入可能な開口径を有するとともに、はんだバンプ１２と同じ間隔で形成され、当該回路基板３の厚さ方向に貫通する複数のスルーホール３１を備え、はんだバンプ１２をスルーホール３１に挿入させ、次いで、回路基板３の底面側から加熱することによりはんだバンプ１２を溶解させて、ＢＧＡ型半導体部品１を回路基板３に溶着する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体部品の実装構造及び実装方法に関する。

従来から、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体部品を回路基板上に搭載するための種々の技術が提案されている。
例えば、特許文献１には、インターポーサー基板にスルーホールが設けられ、半田ボールがスルーホールを塞ぐようにして配置されているＢＧＡ半導体部品が開示されている。これによれば、ＢＧＡをマザーボード等に搭載した際に発生する半田付け不良を、スルーホールの開口側からのアクセスによって容易に修正可能であるため、一度ＢＧＡをマザーボードから取り外して新たなＢＧＡを搭載し直すといった従来のリペア工程が不要となり、ＢＧＡの半田付け不良の修正時間を短縮できる。
また、例えば、特許文献２には、半田ボールの半径よりは厚く、直径よりは薄い厚みを有した板体であって、直径と略一致する開口径を有するスルーホールを形成した半田ボール保護板を、ＢＧＡ型電子部品の半田ボール配設面に配設し、スルーホール内に半田ボールを挿入した後、半田ボール保護板のスルーホール開口面に半田ボールの直径より小さい直径とした係止口の形成された係止フィルム体を配設することにより、半田ボールが半田ボール保護板によって強固に保持され、外力によって脱落しないＢＧＡ型電子部品が開示されている。
さらに、例えば、特許文献３に開示された半導体部品パッケージの実装構造では、底面に第１のはんだバンプが突設された半導体部品パッケージと、回路基板との間に、接合電極を有し、該接合電極の裏面に第２のはんだバンプが突設された補助基板を介在させ、第１のはんだバンプを接合電極の表面に溶着するとともに、第２のはんだバンプを回路基板の電極に溶着するように構成されている。これによれば、半導体部品パッケージを新しいものに取り替える場合の改修作業を簡単且つ的確に行うことができる。
特開２００２−３４０６９７号公報 特開２００２−２９４６７２号公報 特開２００２−１００７１１号公報

しかしながら、従来の半導体部品の実装方法は、基板上に実装する形態であり、はんだに対して基板の裏面側から直接アクセスすることができないため、半導体部品の取り付け・取り外しを容易に行うことができないという問題があった。

本発明の課題は、半導体部品を回路基板上に容易に実装することができ、且つ回路基板からの半導体部品の取り外しも容易な半導体部品の実装構造及び実装方法を提供することである。

上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、底面に複数の鉛入りのはんだバンプが格子状に突設された第１半導体部品を回路基板に実装するとともに、鉛フリーのはんだにより第２半導体部品を前記回路基板に実装する半導体部品の実装方法において、
前記回路基板には、前記はんだバンプを挿入可能な開口径を有するとともに、前記はんだバンプと同じ間隔で形成され、当該回路基板の厚さ方向に貫通する複数のスルーホールが備えられ、
前記はんだバンプの前記第１半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板の厚み方向の長さよりも短く形成され、
前記第２半導体部品を前記回路基板に鉛フリーのはんだを用いて溶着し、その後、前記回路基板の底面側から、前記第２半導体部品の鉛フリーのはんだの融点よりも低い温度で前記鉛入りのはんだバンプを加熱して、前記第１半導体部品を前記回路基板に溶着することを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、底面に複数のはんだバンプが突設された半導体部品が回路基板に実装される半導体部品の実装構造において、
前記回路基板には、前記はんだバンプを挿入可能な開口径を有するとともに、前記はんだバンプと同じ間隔で形成され、当該回路基板の厚さ方向に貫通する複数のスルーホールが備えられ、
前記はんだバンプが前記スルーホールに挿入された状態で溶着されて、前記半導体部品が前記回路基板に実装されていることを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の半導体部品の実装構造において、前記はんだバンプの前記半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板の厚み方向の長さよりも短く形成されていることを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、底面に複数のはんだバンプが突設された半導体部品を回路基板に実装する半導体部品の実装方法において、
前記回路基板には、前記はんだバンプを挿入可能な開口径を有するとともに、前記はんだバンプと同じ間隔で形成され、当該回路基板の厚さ方向に貫通する複数のスルーホールが備えられ、
前記はんだバンプを前記スルーホールに挿入させ、次いで、前記回路基板の底面側から加熱することにより前記はんだバンプを溶解させて、前記半導体部品を前記回路基板に溶着することを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の半導体部品の実装方法において、前記はんだバンプは、鉛入りであり、
第２半導体部品を前記回路基板に鉛フリーのはんだにより溶着し、その後、前記回路基板の底面側から、前記第２半導体部品の鉛フリーのはんだの融点よりも低い温度で前記鉛入りのはんだバンプを加熱して、前記半導体部品を前記回路基板に溶着することを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、請求項４又は５に記載の半導体部品の実装方法において、前記はんだバンプの前記半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板の厚み方向の長さよりも短く形成されていることを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、底面に複数の鉛入りのはんだバンプが格子状に突設された第１半導体部品を回路基板に実装するとともに、鉛フリーのはんだにより第２半導体部品を前記回路基板に実装する半導体部品の実装方法において、回路基板には、はんだバンプを挿入可能な開口径を有するとともに、はんだバンプと同じ間隔で形成され、当該回路基板の厚さ方向に貫通する複数のスルーホールが備えられ、はんだバンプの第１半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板の厚み方向の長さよりも短く形成されている。そして、第２半導体部品を回路基板に鉛フリーのはんだにより溶着し、その後、回路基板の底面側から、第２半導体部品の鉛フリーのはんだの融点よりも低い温度で前記鉛入りのはんだバンプを加熱して、第１半導体部品を回路基板に溶着する。
したがって、回路基板の底面側から、回路基板に形成された回路基板を貫通するスルーホールを通して、はんだに対して直接アクセスすることが可能となって、半導体部品を、回路基板上に容易に実装することができ、且つ回路基板からの半導体部品の取り外しも容易となる。
また、第２半導体部品が回路基板に鉛フリーのはんだにより溶着され、その後、回路基板の底面側から、第１半導体部品が、第２半導体部品の鉛フリーのはんだの融点よりも低い温度で鉛入りのはんだバンプが加熱されて回路基板に溶着されるので、例えば、鉛フリーのはんだを回路基板に塗布して第２半導体部品を溶着した後であっても、回路基板の底面側からスルーホールを通して、はんだバンプを溶解させることにより、第１半導体部品を溶着できることとなって、実装作業が容易となる。
さらに、はんだバンプの半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板の厚み方向の長さよりも短く形成されているため、回路基板からはみ出たはんだにより、はんだブリッジが形成される等の不具合の発生を防止して、半導体部品を回路基板上に適切に実装することが可能となる。

請求項２に記載の発明によれば、底面に複数のはんだバンプが突設された半導体部品が回路基板に実装される半導体部品の実装構造において、回路基板には、はんだバンプを挿入可能な開口径を有するとともに、はんだバンプと同じ間隔で形成され、当該回路基板の厚さ方向に貫通する複数のスルーホールが備えられ、はんだバンプがスルーホールに挿入された状態で溶着されて、半導体部品が回路基板に実装されている。
したがって、回路基板の底面側から、回路基板に形成された回路基板を貫通するスルーホールを通して、はんだに対して直接アクセスすることが可能となって、半導体部品を、回路基板上に容易に実装することができ、且つ回路基板からの半導体部品の取り外しも容易となる。

請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載の発明の効果が得られるのは無論のこと、はんだバンプの前記半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板の厚み方向の長さよりも短く形成されている。
したがって、はんだバンプがスルーホールに挿入された状態において、回路基板の底面側に、はんだバンプが突出しないこととなって、回路基板からはみ出たはんだにより、はんだブリッジが形成される等の不具合の発生を防止して、半導体部品を回路基板上に適切に実装することが可能となる。

請求項４に記載の発明によれば、底面に複数のはんだバンプが突設された半導体部品を回路基板に実装する半導体部品の実装方法において、回路基板には、はんだバンプを挿入可能な開口径を有するとともに、はんだバンプと同じ間隔で形成され、当該回路基板の厚さ方向に貫通する複数のスルーホールが備えられ、はんだバンプをスルーホールに挿入させ、次いで、回路基板の底面側から加熱することによりはんだバンプを溶解させて、半導体部品を回路基板に溶着する。
したがって、回路基板の底面側から、回路基板に形成された回路基板を貫通するスルーホールを通して、はんだに対して直接アクセスすることが可能となって、半導体部品を、回路基板上に容易に実装することができ、且つ回路基板からの半導体部品の取り外しも容易となる。

請求項５に記載の発明によれば、請求項４に記載の発明の効果が得られるのは無論のこと、第２半導体部品が回路基板に鉛フリーのはんだにより溶着され、その後、回路基板の底面側から、半導体部品が、第２半導体部品の鉛フリーのはんだの融点よりも低い温度で鉛入りのはんだバンプが加熱されて回路基板に溶着される。
従って、例えば、鉛フリーのはんだを回路基板に塗布して第２半導体部品を溶着した後であっても、回路基板の底面側からスルーホールを通して、はんだバンプを溶解させることにより、第１半導体部品を溶着できることとなって、実装作業が容易となる。

請求項６に記載の発明によれば、請求項４又は５に記載の発明の効果が得られるのは無論のこと、はんだバンプの半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板の厚み方向の長さよりも短く形成されている。
したがって、はんだバンプがスルーホールに挿入された状態において、回路基板の底面側に、はんだバンプが突出しないこととなって、回路基板からはみ出たはんだにより、はんだブリッジが形成される等の不具合の発生を防止して、半導体部品を回路基板上に適切に実装することが可能となる。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本実施形態における半導体部品が実装された回路基板の平面図である。また、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における側面断面図の部分拡大図である。また、図３は、図２の部分拡大図である。さらに、図４は、図３の部分拡大図において、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品及び鉛フリー半導体部品が回路基板に搭載される前の側面断面図である。

本実施形態では、第１半導体部品としての鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１及び第２半導体部品としての鉛フリー半導体部品２を、同一の回路基板３上に搭載して溶着させることにより、これらの半導体部品を回路基板３に実装させるための構造及び方法について説明する。

ここで、鉛フリー半導体部品２とは、鉛を用いない鉛フリーはんだにより回路基板３に溶着される半導体部品のことを指す。
具体的には、鉛フリー半導体部品２は、例えば、回路基板３上に塗布された鉛フリーのクリームはんだ４等で回路基板３上に溶着されることにより、回路基板３に実装される。
一方、鉛入りの半導体部品とは、鉛入りのはんだにより回路基板３に溶着される半導体部品のことを指す。
具体的には、鉛入りの半導体部品にはＢＧＡ（Ball Grid Array）型が採用され、鉛入りはんだで形成された複数のはんだバンプ１２が、底面に格子状に突設されている。そして、この鉛入りのはんだバンプ１２により回路基板３上に溶着されることにより、回路基板３に実装される。

鉛入りのはんだは鉛フリーのはんだに比べて融点が低いため、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１は、鉛フリー半導体部品２よりも低い実装温度で実装される。具体的には、例えば、鉛フリーはんだの融点は約２２０℃であり、最大２６０℃の実装温度で実装が実現される。一方、鉛入りのはんだ（例えば、共晶はんだ）の融点は１８３℃であり、最大２４０℃の実装温度で実装される。
そのため、従来、半導体部品を、鉛入りはんだと鉛フリーはんだの両方を用いて、同一の回路基板３上に実装するのは困難であったが、本実施形態では、鉛入りはんだを用いて実装する半導体部品の底面に、はんだバンプ１２を設けてＢＧＡ型の半導体部品１とするとともに、当該半導体部品１が実装される回路基板３における領域に、回路基板３を貫通するスルーホール３１を設け、回路基板３の底面側からはんだバンプ１２に直接アクセスできるように構成した。したがって、鉛フリー半導体部品２を、鉛フリーはんだを用いて回路基板３に実装した後に、鉛入りはんだから成るはんだバンプ１２を有するＢＧＡ型半導体部品１を搭載して、回路基板３の底面からはんだバンプ１２を溶解させて実装させることができ、同一回路基板３上における鉛フリーはんだと鉛入りはんだによる実装を容易に行うことが可能となる。

まず、本実施形態における回路基板３に対する鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１及び鉛フリー半導体部品２の実装構造について説明する。

鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１は、例えば、図１〜４に示すように、図示しない電子部品等を内部に備える筐体１１と、筐体１１の底面に格子状に突設された複数のはんだバンプ１２と、を備えて構成されている。はんだバンプ１２は、例えば、円柱状に形成されており、回路基板３に形成されたスルーホール３１に挿入され、スルーホール３１に設けられたランド３２に対して溶着されることにより、電極としての役割を果たす。はんだバンプ１２には、例えば、錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）を３８％対６２％の比で合成した共晶はんだと呼ばれるはんだが用いられる。
はんだバンプ１２の半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板３の厚み方向の長さよりも短く形成されている。そのため、図３に示すように、はんだバンプ１２は、スルーホール３１に挿入された状態で回路基板３の底面側に突出しないこととなる。例えば、はんだバンプ１２のＢＧＡ型半導体部品１からの突出方向の長さは、回路基板３の厚み方向の長さの４分の３程度に形成される。

また、鉛フリー半導体部品２は、例えば、図示しない電子部品等を内部に備える筐体２１と、筐体２１の側面に設けられた電極としての端子２２と、を備えて構成されている。
鉛フリー半導体部品２が回路基板３に実装される際に用いられる鉛フリーのはんだとしては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系等の組成のクリームはんだ４である。このクリームはんだ４が回路基板３に形成されたランド（図示省略）上に塗布され、加熱により溶解されることにより、その上に載置された鉛フリー半導体部品２の端子２２と、回路基板３のランドとが溶着され、電気的に接続されることとなる。

回路基板３は、例えば、ガラスエポキシ材等の材料から構成され、上述した半導体部品１、２等の電子部品が搭載される。回路基板３は、例えば、図２及び図３に示すように、当該回路基板３の厚さ方向に貫通する複数のスルーホール３１を一部に備えている。以下、回路基板３においてスルーホール３１が設けられた領域を領域Ａ、スルーホール３１が設けられていない領域を領域Ｂとして説明する。
スルーホール３１が設けられた領域Ａには、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１が載置される。スルーホール３１は、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１のはんだバンプ１２を挿入可能な開口径を有し、はんだバンプ１２と同じ間隔で形成されている。各スルーホール３１には、互いに絶縁される電極としてのランド３２が形成されている。このランド３２は、導電性の材料から成り、例えば、銅箔（Ｃｕ）が用いられる。
また、スルーホール３１が設けられていない領域Ｂには、鉛フリー半導体部品２が載置される。この領域Ｂには、図示は省略するが、電極としてのランドが形成されており、当該ランド上にクリームはんだ４が塗布されることとなる。

鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１の底面に突設されたはんだバンプ１２と、回路基板３の領域Ａに形成されたスルーホール３１は、同一の間隔で格子状に形成されている。すなわち、例えば、はんだバンプ１２が１．０ｍｍの間隔で設けられている場合、スルーホール３１もはんだバンプ１２の間隔と同じ１．０ｍｍの間隔で設けられることとなる。この場合、例えば、ランド３２は０．６ｍｍ程度の開口径に形成され、当該ランド３２が形成されたスルーホール３１に挿入されるはんだバンプ１２は、０．５ｍｍ程度の直径に形成される。

次に、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１及び鉛フリー半導体部品２の回路基板３に対する実装方法について説明する。

まず、回路基板３の表面における領域Ｂに形成されたランド（図示省略）上に、クリームはんだ４を塗布する。クリームはんだ４の塗布は、例えば、メタルマスク法等により行う。
次に、鉛フリー半導体部品２を、回路基板３における領域Ｂに載置する。このとき、鉛フリー半導体部品２の端子２２がクリームはんだ４上に位置するように配置が行われる。
そして、リフローソルダリング方式等によりクリームはんだ４を加熱して溶解させ、鉛フリー半導体部品２の端子２２を回路基板３のランド部分に溶着させる。鉛フリー半導体部品２は、例えば、１７０℃での６０〜１２０秒の予熱、最高温度２６０℃での５〜１０秒の加熱で実装される。
以上の工程により、鉛フリー半導体部品２のはんだ付けが完了する。

鉛フリー半導体部品２のはんだ付けが完了すると、続いて、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１を、回路基板３の表面におけるスルーホール３１が形成された領域Ａに載置する。このとき、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１の筐体１１の底面に突設されたはんだバンプ１２を、回路基板３の領域Ａに設けられたスルーホール３１のそれぞれに挿入させるようにして配置する。

次に、回路基板３の底面側から、スルーホール３１内に挿入された鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１のはんだバンプ１２に、はんだこて等により直接アクセスし、鉛フリーのはんだとしてのクリームはんだ４の融点よりも低い温度、且つ、鉛入りのはんだバンプ１２の融点よりも高い温度で加熱して、鉛入りのはんだバンプ１２を溶解させ、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１を回路基板３のランド３２部分に溶着させる。鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１は、例えば、１５０℃での６０〜１２０秒の予熱、最高温度２４０℃での５〜１０秒の加熱等で実装される。

以上で、鉛フリー半導体部品２と、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１とが、同一の回路基板３上にそれぞれ溶着されて回路基板３と電気的に接続され、実装作業が完了することとなる。

以上説明した本実施形態における半導体部品の実装方法によれば、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１の底面には、複数の鉛入りはんだバンプ１２が格子状に突設され、鉛フリー半導体部品２は鉛フリーのクリームはんだ４により回路基板３に実装され、回路基板３には、はんだバンプ１２を挿入可能な開口径を有するとともに、はんだバンプ１２と同じ間隔で形成され、当該回路基板３の厚さ方向に貫通する複数のスルーホール３１が備えられ、はんだバンプ１２の鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１からの突出方向の長さは、回路基板３の厚み方向の長さよりも短く形成されている。そして、鉛フリー半導体部品２を回路基板３に鉛フリーのクリームはんだ４により溶着し、その後、回路基板３の底面側から、鉛フリー半導体部品２の鉛フリーのクリームはんだ４の融点よりも低い温度で鉛入りのはんだバンプ１２を加熱して、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１を回路基板３に溶着する。
したがって、回路基板３の底面側から、回路基板３に形成された回路基板３を貫通するスルーホール３１を通して、はんだに対して直接アクセスすることが可能となって、半導体部品を、回路基板３上に容易に実装することができ、且つ回路基板３からの半導体部品の取り外しも容易となる。
また、鉛フリー半導体部品２が回路基板３に鉛フリーのクリームはんだ４により溶着され、その後、回路基板３の底面側から、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１が、鉛フリー半導体部品２の鉛フリーのクリームはんだ４の融点よりも低い温度で鉛入りのはんだバンプ１２が加熱されて回路基板３に溶着される。したがって、例えば、鉛フリーのクリームはんだ４を回路基板３に塗布して鉛フリー半導体部品２を溶着した後であっても、回路基板３の底面側からスルーホールを通して、はんだバンプ１２を溶解させることにより、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１を溶着できることとなって、実装作業が容易となる。
さらに、はんだバンプ１２のＢＧＡ型半導体部品１からの突出方向の長さは、回路基板３の厚み方向の長さよりも短く形成されているため、回路基板３からはみ出たはんだにより、はんだブリッジが形成される等の不具合の発生を防止して、半導体部品を回路基板３上に適切に実装することが可能となる。

なお、本発明は、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
例えば、はんだバンプ１２の形状は円柱状に限られることなく、球型や円錐型等を適宜採用することができる。
また、回路基板３において、クリームはんだが鉛入りのＢＧＡ型半導体部品１が搭載される部分に塗布されている場合であっても、鉛入りのはんだバンプ１２がスルーホール３１に挿入されることによって、回路基板３の裏面側から鉛入りの半導体部品１を回路基板３に溶着させることができるので、回路基板の表面に鉛入りの半導体部品１を溶着する場合に比べて、鉛フリーのクリームはんだ４の影響を低減できる。
また、例えば、半導体部品１にはんだバンプ１２が格子状に設けられた例を用いて説明したが、はんだバンプ１２が半導体部品１の周辺部のみに設けられている構成等であっても良い。
また、例えば、鉛フリー半導体部品２は、クリームはんだ４によりはんだ付けされる場合に限られず、例えば、鉛入りの半導体部品１と同様にＢＧＡ型であっても良い。
また、量産を行う際には、銅箔等を埋め込んで回路基板３のスルーホールを無くしても良く、回路基板をパターン変更無しに通常の回路基板としても使用することもできる。
また、ＢＧＡ型の半導体部品のはんだバンプは鉛フリーであっても良い。

本実施形態における半導体部品が実装された回路基板の平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線における側面断面図の部分拡大図である。 図２の部分拡大図である。 図３の部分拡大図において、鉛入りのＢＧＡ型半導体部品及び鉛フリー半導体部品が回路基板に搭載される前の側面断面図である。

符号の説明

１ ＢＧＡ型半導体部品（第１半導体部品）
１２ はんだバンプ
２ 鉛フリー半導体部品（第２半導体部品）
３ 回路基板
３１ スルーホール
４ クリームはんだ（鉛フリーのはんだ）

Claims (6)

1. 底面に複数の鉛入りのはんだバンプが格子状に突設された第１半導体部品を回路基板に実装するとともに、鉛フリーのはんだにより第２半導体部品を前記回路基板に実装する半導体部品の実装方法において、
   前記回路基板には、前記はんだバンプを挿入可能な開口径を有するとともに、前記はんだバンプと同じ間隔で形成され、当該回路基板の厚さ方向に貫通する複数のスルーホールが備えられ、
   前記はんだバンプの前記第１半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板の厚み方向の長さよりも短く形成され、
   前記第２半導体部品を前記回路基板に鉛フリーのはんだにより溶着し、その後、前記回路基板の底面側から、前記第２半導体部品の鉛フリーのはんだの融点よりも低い温度で前記鉛入りのはんだバンプを加熱して、前記第１半導体部品を前記回路基板に溶着することを特徴とする半導体部品の実装方法。
2. 底面に複数のはんだバンプが突設された半導体部品が回路基板に実装される半導体部品の実装構造において、
   前記回路基板には、前記はんだバンプを挿入可能な開口径を有するとともに、前記はんだバンプと同じ間隔で形成され、当該回路基板の厚さ方向に貫通する複数のスルーホールが備えられ、
   前記はんだバンプが前記スルーホールに挿入された状態で溶着されて、前記半導体部品が前記回路基板に実装されていることを特徴とする半導体部品の実装構造。
3. 前記はんだバンプの前記半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板の厚み方向の長さよりも短く形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体部品の実装構造。
4. 底面に複数のはんだバンプが突設された半導体部品を回路基板に実装する半導体部品の実装方法において、
   前記回路基板には、前記はんだバンプを挿入可能な開口径を有するとともに、前記はんだバンプと同じ間隔で形成され、当該回路基板の厚さ方向に貫通する複数のスルーホールが備えられ、
   前記はんだバンプを前記スルーホールに挿入させ、次いで、前記回路基板の底面側から加熱することにより前記はんだバンプを溶解させて、前記半導体部品を前記回路基板に溶着することを特徴とする半導体部品の実装方法。
5. 前記はんだバンプは、鉛入りであり、
   第２半導体部品を前記回路基板に鉛フリーのはんだにより溶着し、その後、前記回路基板の底面側から、前記第２半導体部品の鉛フリーのはんだの融点よりも低い温度で前記鉛入りのはんだバンプを加熱して、前記半導体部品を前記回路基板に溶着することを特徴とする請求項４に記載の半導体部品の実装方法。
6. 前記はんだバンプの前記半導体部品からの突出方向の長さは、回路基板の厚み方向の長さよりも短く形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体部品の実装方法。

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