JP2008170589A - 液晶装置、液晶装置の製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】位相差層の硬度不足によるギャップむらの発生を防止し、表示品質に優れた液晶装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶装置１００は、液晶層５０を挟持する一対の基板１０，２０と、一方の基板２０の液晶層５０側に設けられた位相差層２５と、位相差層２５に設けられた開口部Ｈと、位相差層２５の開口部Ｈに設けられたスペーサ受け４１と、他方の基板１０の液晶層５０側に設けられ、スペーサ受け４１と対向するスペーサ４０とを備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶パネルの内側に位相差層を備えた半透過反射型の液晶装置、液晶装置の製造方法並びに電子機器に関するものである。

半透過反射型の液晶装置は携帯電話や携帯情報端末等の表示デバイスとして広く用いられている。半透過反射型の液晶装置では、反射表示と透過表示とを単一の液晶層を用いて実現するために、表示モード間での位相差の調整が必要である。そこで、反射表示領域に位相差層を設け、適切な反射表示及び透過表示を得られるようにした液晶装置が提案されている。液晶装置に組み込まれる位相差層としては、通常、高分子フィルムを一定方向に延伸することにより作製されたものが用いられるが、最近では、このような位相差フィルムを液晶パネルの内部に形成し、液晶パネルの薄型化、軽量化を達成した液晶装置が提案されている。液晶パネルの内部に形成された位相差フィルムは内面位相差層と呼ばれることがある（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−２２６８３０号公報

しかしながら、液晶パネルの内面側に設けられる位相差層は高分子液晶層によって形成されるため、硬度が低く、基板貼り合わせ時のギャップ材の圧力によって容易に変形してしまうという問題があった。例えば、現在市販されている位相差層の材料は鉛筆硬度で「４Ｂ」〜「６Ｂ」程度の硬度しか持たないため、ギャップ材としてアクリル樹脂等の硬度の高い材料を用いると、ギャップ材が位相差層の内部にめり込んでしまい、所望のギャップが得られなくなる。また、位相差層の内部にギャップ材がめり込むと、ギャップ材の近傍に位相差層の盛り上がりが生じ、均一な光学特性が得られなくなる。

特許文献１では、位相差層の表面に保護膜を形成し、位相差層の硬度を高めた液晶装置が開示されている。しかしながら、この方法では保護膜を形成するための新たな工程が必要になり、製造工程の複雑化、製造コストの上昇を招くという問題が生じる。また保護膜が全面に形成されているため、位相差層の透過率が低下し、明るい表示が得られなくなる。一方、位相差層の材料として硬度の高いものを選択することもできるが、この方法では位相差層の材料が限定されてしまい、十分な表示特性が得られないという問題がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、位相差層の硬度不足によるギャップむらの発生を防止し、表示品質に優れた液晶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、このような液晶装置を備えることにより、表示品質が高く、信頼性に優れた電子機器を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基板の前記液晶層側に設けられた位相差層と、前記位相差層に設けられた開口部と、前記位相差層の開口部に設けられたスペーサ受けと、前記一対の基板のうちの他方の基板の前記液晶層側に設けられ、前記スペーサ受けと対向するスペーサとを備えたことを特徴とする。この構成によれば、スペーサの対向部分にスペーサ受けを形成するため、位相差層の硬度が小さくても位相差層の内部にスペーサがめり込むことはない。また、スペーサの近傍に位相差層の盛り上がりが生じることがないので、平坦性に優れた位相差層が形成できる。さらに、ギャップ材をスペーサとスペーサ受けによって構成したため、スペーサのみでギャップ材を構成する場合に比べて、スペーサの厚みを小さくすることができる。例えば、位相差層の形成される反射表示領域のギャップは通常２μｍ程度であるので、ギャップ材をスペーサのみで構成すると、スペーサの厚みが大きくなってしまい、均一な厚みが実現できなくなる。しかし、本発明のようにギャップ材をスペーサとスペーサ受けによって構成した場合には、それぞれの厚みは１μｍ程度で良いため、スピンコート法等でも十分に均一な厚みが実現できる。このため、表示品質に優れた液晶装置が提供できる。

本発明においては、前記一方の基板と前記位相差層との間にカラーフィルタとオーバーコート層とが設けられ、前記スペーサ受けと前記オーバーコート層とが同一材料により形成されていることものとすることができる。或いは、前記一方の基板の前記液晶層側に画素スイッチング素子と画素電極とを絶縁する絶縁膜が設けられ、前記スペーサ受けと前記絶縁膜とが同一材料により形成されているものとすることができる。この構成によれば、スペーサ受けを新たに形成する必要がないので、製造工程を簡略化できる。

本発明においては、前記スペーサ受けの厚みは前記位相差層の厚みよりも薄いことが望ましい。この構成によれば、位相差層の開口部にスペーサを嵌め込むことで、スペーサとスペーサ受けとの位置を正確に位置合わせすることができる。また、スペーサが位相差層の開口部内に固定されるため、基板貼り合わせ後の位置ずれが少なくなる。

本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、一方の前記基板上に開口部を備えた位相差層を形成する工程と、前記位相差層の開口部にスペーサ受けを形成する工程と、他方の前記基板の前記スペーサ受けと対向する部分にスペーサを形成する工程と、前記スペーサ受けと前記スペーサとを位置合わせして前記一対の基板を貼り合わせる工程とを備えたことを特徴とする。この方法によれば、スペーサの対向部分にスペーサ受けを形成するため、位相差層の硬度が小さくても位相差層の内部にスペーサがめり込むことはない。また、スペーサの近傍に位相差層の盛り上がりが生じることがないので、平坦性に優れた位相差層が形成できる。さらに、ギャップ材をスペーサとスペーサ受けによって構成したため、スペーサのみでギャップ材を構成する場合に比べて、スペーサの厚みを小さくすることができる。例えば、位相差層の形成される反射表示領域のギャップは通常２μｍ程度であるので、ギャップ材をスペーサのみで構成すると、スペーサの厚みが大きくなってしまい、均一な厚みが実現できなくなる。しかし、本発明のようにギャップ材をスペーサとスペーサ受けによって構成した場合には、それぞれの厚みは１μｍ程度で良いため、スピンコート法等でも十分に均一な厚みが実現できる。このため、表示品質に優れた液晶装置が提供できる。

本発明においては、前記位相差層は高分子液晶層によって形成され、前記スペーサ受けは感光性樹脂膜によって形成されることが望ましい。この方法によれば、位相差層が感光性樹脂の現像液に溶解されないので、位相差層を形成した後スペーサ受けを形成しても、位相差層がダメージを受けることはない。したがって、表示品質に優れた液晶装置が提供できる。

本発明においては、前記スペーサ受けの厚みを前記位相差層の厚みよりも薄く形成し、前記位相差層の開口部に前記スペーサを嵌め込むことによって前記スペーサ受けと前記スペーサとを位置合わせすることが望ましい。この方法によれば、スペーサとスペーサ受けの位置合わせを正確且つ容易に行うことができる。このため、位置ずれによるマージンを少なくすることができ、高精細な液晶装置が提供できる。また、スペーサが位相差層の開口部内に固定されるため、基板貼り合わせ後の位置ずれが少なくなる。

本発明の電子機器は、前述した本発明の液晶装置又は前述した本発明の液晶装置の製造方法により製造されてなる液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、表示品質が高く、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。

また、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。この際、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。例えば本実施形態においては、Ｘ軸方向を走査線の延在方向、Ｙ軸方向をデータ線の延在方向、Ｚ軸方向を観察者による液晶パネルの観察方向としている。

［第１の実施の形態］＜液晶装置の構成＞
図１は、本発明の第１実施形態の液晶装置１００の回路構成図である。液晶装置１００は、液晶に対し略基板面方向の電界を印加して配向を制御することにより画像表示を行う方式のうち、ＦＦＳ方式と呼ばれる方式を採用したアクティブマトリクス方式の半透過反射型液晶装置である。また液晶装置１００は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって、表示の最小単位を「サブ画素」、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される領域を「画素」と称する。

図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、データ線駆動回路から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各サブ画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。なお、符号３ｂを付して示す配線は、各サブ画素内の共通電極間を電気的に接続する共通線である。

図２は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成されたサブ画素領域の平面構成図である。液晶装置１００には、平面視略矩形状の複数の画素電極９が設けられている。画素電極９はＸ軸方向及びＹ軸方向に配列されており、該画素電極９の間隙に沿ってＹ軸方向に延在する複数のデータ線６ａとＸ軸方向に延在する複数の走査線３ａとが設けられている。画素電極９の配置された領域は表示の最小単位であるサブ画素を構成し、該サブ画素がＸ軸方向及びＹ軸方向に配列することにより全体としての表示領域が形成されている。

画素電極９は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明電極９ａと、アルミニウム（Ａｌ）等からなる反射電極９ｂとを備えている。１サブ画素領域のうち透明電極９ａが形成された領域は透過表示領域Ｔであり、反射電極９ｂが形成された領域は反射表示領域Ｒである。透明電極９ａと反射電極９ｂとはデータ線６ａの延在方向に沿って並んでおり、反射電極９ｂはデータ線６ａの延在方向（Ｙ軸方向）に対してＴＦＴ３０側に配置されている。

走査線３ａとデータ線６ａとの交差部近傍には画素スイッチング素子であるＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は平面視略Ｌ字状のポリシリコン膜からなる半導体層３５を備えている。半導体層３５の一端側はデータ線６ａと交差しており、半導体層３５とデータ線６ａとが平面的に重なる位置にソースコンタクトホール４４が設けられている。そして、ソースコンタクトホール４４を介して半導体層３５とデータ線６ａとが電気的に接続されている。一方、半導体層３５の他端側は画素電極９と平面的に重なるように配置されており、半導体層３５と画素電極９とが平面的に重なる位置にドレインコンタクトホール４５及び画素コンタクトホール４７が設けられている。ドレインコンタクトホール４５と画素コンタクトホール４７とは互いに連通しており、ドレインコンタクトホール４５及び画素コンタクトホール４７を介して半導体層３５と画素電極９（反射電極９ｂ）とが電気的に接続されている。さらに、半導体層３５の中央部は走査線３ａと交差しており、半導体層３５の走査線３ａと平面的に重なる部分がＴＦＴ３０のチャネル領域とされ、該チャネル領域と対向する部分の走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極３３となっている。

画素電極９の上層側には、画素電極９と対向して、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる平面視ベタ状の共通電極１９が設けられている。共通電極１９は複数のサブ画素領域に跨って設けられている。画素電極９と共通電極１９とが平面視で重なる領域は当該サブ画素領域の容量として機能する。また、共通電極１９と画素電極９とが対向する対向領域には、共通電極１９を部分的に除去して形成された複数のスリット（開口部）１９ｓが設けられている。スリット１９ｓは走査線３ａと略平行な方向（Ｘ軸方向）に延在しており、複数のスリット１９ｓが互いに均等な間隔でデータ線６ａの延在方向（Ｙ軸方向）に沿って配列している。そして、スリット１９ｓを介して画素電極９と共通電極１９との間に走査線３ａと略直交する方向（Ｙ軸方向）の横電界が発生するようになっている。

サブ画素領域の端部には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定間隔で離間した状態に保持するためのギャップ材４２が立設されている。ギャップ材４２は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたフォトスペーサ４０と、対向基板２０側に設けられたフォトスペーサ受け４１とにより構成されている。フォトスペーサ４０とフォトスペーサ受け４１は互いに対向する位置に設けられており、両者が重なって配置されることで、基板間のギャップが保持されるようになっている。なお、ギャップ材４２は反射表示領域Ｒ内に設けられており、画素コンタクトホール４７と近接して配置されている。

図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。液晶装置１００は、互いに対向するＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０及び対向基板（第２基板）２０と、該ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０との間に挟持された液晶層５０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向する対向領域の周縁部には図示略のシール材が設けられており、該シール材とＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０との間に形成された空間（セルギャップ）に、液晶層５０が封止されている。ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０とは反対側には偏光板１４が設けられ、対向基板２０の液晶層５０とは反対側には偏光板２４が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０の背面側（偏光板１４の基板本端１０Ａとは反対側）には、光源と導光板９１と反射板９２とを具備したバックライト（照明装置）９０が設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体１０Ａを基体としてなる。基板本体１０Ａの液晶層５０側には半導体層３５が形成されており、半導体層３５を覆ってシリコン酸化物等の透明絶縁膜からなるゲート絶縁膜１１が形成されている。ゲート絶縁膜１１上には走査線３ａが形成されている。走査線３ａと対向する部分の半導体層３５がＴＦＴ３０のチャネル領域３５ｃであり、半導体層３５と対向する部分の走査線３ａがゲート電極３３である。また、半導体層３５のチャネル領域３５ｃを挟んだ両側には、それぞれソース領域３５ｓとドレイン領域３５ｄとが形成されている。

ゲート絶縁膜１１、走査線３ａ（ゲート電極３３）及びゲート絶縁膜１１を覆って酸化シリコン膜等の透明絶縁膜からなる第１層間絶縁膜１２が形成されている。第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１のドレイン領域３５ｄに対向する部分には、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１を貫通するドレインコンタクトホール４５が形成されている。第１層間絶縁膜１２上にはドレイン電極３２が形成されている。ドレイン電極３２はドレインコンタクトホール４５を介してドレイン領域３５ｄと電気的に接続されている。図示は省略したが、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１のソース領域３５ｓに対向する部分には、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１を貫通するソースコンタクトホール４４が形成されている（図２参照）。第１層間絶縁膜１２上にはデータ線６ａが形成されている。データ線６ａはソースコンタクトホール４４を介してソース領域３５ｓと電気的に接続されている。

第１層間絶縁膜１２、データ線６ａ及びドレイン電極３２を覆ってアクリル樹脂等の透明絶縁膜からなる第２層間絶縁膜１３が形成されている。第２層間絶縁膜１３は透過表示領域Ｔを除く領域に形成されている。第２層間絶縁膜１３は、後述する位相差層２５と共に、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒの液晶層厚を異ならせる液晶層厚調整層として機能する。

第２層間絶縁膜１３の表面と第１層間絶縁膜１２の表面とに跨って画素電極９が形成されている。画素電極９は、透過表示領域Ｔに設けられた透明電極９ａと、反射表示領域Ｒに設けられた反射電極９ｂとを備えている。透明電極９ａは第１層間絶縁膜１２上に形成されている。反射電極９ｂは第２層間絶縁膜１３上に形成されている。透明電極９ａと反射電極９ｂとは第２層間絶縁膜１３の端面近傍で電気的に接続されている。第２層間絶縁膜１３のドレイン電極３２に対向する部分には第２層間絶縁膜１３を貫通する画素コンタクトホール４７が形成されている。反射電極９ｂは画素コンタクトホール４７を介してドレイン電極３２と電気的に接続されている。

反射電極９ｂは外光を反射する反射膜として機能する。反射電極９ｂとしては、表面に凹凸を形成して光散乱性を付与したものを用いることが好ましい。かかる構成とすることで反射表示における視認性を向上させることができる。本実施形態の場合、第２層間絶縁膜１３の表面の一部（少なくとも反射表示領域Ｒを内包する領域と平面的に重なる領域）に凹凸形状が形成されており、第２層間絶縁膜１３上に形成された反射電極９ｂの表面には第２層間絶縁膜１３の表面に倣う凹凸形状が形成されている。

第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３及び画素電極９を覆って窒化シリコン膜等の透明絶縁膜からなる電極部絶縁膜１８が形成されている。電極部絶縁膜１８上にはＩＴＯ等の透明導電膜からなる平面視ベタ状の共通電極１９が形成されている。共通電極１９には画素電極９と対向する部分に複数のスリット１９ｓが形成されている。

共通電極１９の表面には反射表示領域Ｒに対応する部分にフォトスペーサ４０が形成されている。フォトスペーサ４０は、例えば、感光性樹脂を基板全面に塗布し、露光処理及び現像処理することにより形成することができる。フォトスペーサ４０の厚みは１μｍ程度であり、スピンコート法によって基板全面に均一な厚みに形成されている。フォトスペーサ４０は後述のフォトスペーサ受け４１と共にＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とのギャップを保持するギャップ材４２を構成する。

共通電極１９、電極部絶縁膜１８及びフォトスペーサ４０を覆ってポリイミド等の配向膜１６が形成されている。配向膜１６にはラビング等の配向処理が施されている。配向処理の方向（配向膜１６による液晶の配向規制方向）は、例えば走査線３ａの延在方向（Ｘ軸方向）と平行であり、共通電極１９のスリット１９ｓの延在方向とは交差する方向である。

対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体２０Ａを基体としてなる。基板本体２０Ａの液晶層５０側にはカラーフィルタ２２が設けられている。カラーフィルタ２２を覆ってアクリル樹脂等の透明有機絶縁膜からなるオーバーコート層２３が形成されている。

オーバーコート層２３の表面には反射表示領域Ｒに対応する部分に位相差層２５が形成されている。位相差層２５は、本実施形態の場合、透過光に対して略１／２波長（λ／２）の位相差を付与するものであり、基板本体２０Ａの内面側に設けられたいわゆる内面位相差層である。位相差層２５は、例えば、高分子液晶（コレステリック液晶等）の溶液や重合性液晶モノマー（あるいは重合性液晶オリゴマー）の溶液を予め配向処理を施した配向膜上に塗布し、乾燥固化させる際に所定方向に配向させる方法により形成することができる。位相差層２５が透過光に対して付与する位相差は、その構成材料である液晶性高分子の種類や位相差層２５の層厚によって調整することができる。

また本実施形態の場合、位相差層２５は第２層間絶縁膜１３と共に、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくするための液晶層厚調整層としても機能するものとなっている。半透過反射型の液晶装置では、反射表示領域Ｒへの入射光は液晶層５０を２回透過するが、透過表示領域Ｔへの入射光は液晶層５０を１回しか透過しない。これにより反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層５０のリタデーションが異なると、光透過率に差異を生じて均一な画像表示が得られないことになる。そこで位相差層２５を液晶層５０側に突出させて形成することでいわゆるマルチギャップ構造を実現している。具体的には、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚が透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚の半分程度に設定されて、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおける液晶層５０のリタデーションが略同一に設定されている。これにより、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおいて均一な画像表示を得ることができるようになっている。

オーバーコート層２３の表面にはフォトスペーサ４０と対向する部分にフォトスペーサ受け４１が形成されている。フォトスペーサ受け４１は位相差層２５に設けられた開口部Ｈ内に形成されている。フォトスペーサ受け４１は位相差層２５を貫通し位相差層２５の表面から液晶層５０側に突出している。フォトスペーサ受け４１は、例えば、感光性アクリル樹脂を基板全面に塗布し、露光処理及び現像処理することにより形成することができる。フォトスペーサ受け４１の厚みは１μｍ程度であり、スピンコート法により基板全面に均一な厚みに形成されている。フォトスペーサ受け４１はフォトスペーサ４０と共にＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とのギャップを保持するギャップ材４２を構成する。フォトスペーサ受け４１の厚みとフォトスペーサ４０の厚みの和は反射表示領域Ｒにおける基板間のギャップの大きさ（液晶層厚）と同じ厚みに制御されている。

オーバーコート層２３、位相差層２５及びフォトスペーサ受け４１を覆ってポリイミド等の配向膜２８が形成されている。配向膜２８にはラビング等の配向処理が施されている。配向処理の方向（配向膜２８による液晶の配向規制方向）は、配向膜１６の配向規制方向と略平行な方向である。したがって液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で、水平配向の初期配向状態を呈するものとなっている。

＜液晶装置の製造方法＞
次に、図４を用いて液晶装置１００の製造方法を説明する。図４では位相差層２５及びフォトスペーサ受け４１の形成工程を中心に説明し、他の工程の説明は省略する。なお、位相差層２５及びフォトスペーサ受け４１の形成工程以外の工程については、公知のものを採用することができる。

まず、図４（ａ）に示すように、カラーフィルタ２２及びオーバーコート層２３を備えた基板本体２０Ａを用意し、オーバーコート層２３の反射表示領域Ｒに対応する部分に位相差層２５を形成する。位相差層２５には、フォトスペーサ受け４１に対応する位置に開口部Ｈを形成する。

位相差層２５の形成方法としては、例えば次の方法を用いることができる。まず、オーバーコート層２３上に配向膜形成材料をスピンコート法、フレキソ印刷法等で塗布、焼成した後、ラビング処理を行う。次に、この配向膜上に高分子液晶溶液をスピンコート法（例えば回転数７００ｒｐｍで３０秒）により塗布する。ここで用いる高分子液晶は、例えばＰＬＣ−７０２３（商品名、旭電化工業（株）製）の８％溶液であり、溶媒はシクロヘキサノンとメチルエチルケトンの混合液である。次に、塗布した高分子液晶溶液のプレベイクを８０℃で１分間行い、さらにベイクにより得られた高分子液晶層のアイソトロピック転移温度（相転移温度）以上となる１８０℃で３０分間加熱した後、徐々に冷却して高分子液晶を配向させる。ここで、相転移温度とは、液晶相から等方相へ転移する温度のことである。

次に、形成した高分子液晶層上であって反射表示領域Ｒに対応する領域にレジストをパターン形成し、該レジストをマスクとして前記高分子液晶層のエッチングを行う。かかるエッチング処理には、ドライエッチングの他、Ｎメチル−２ピロリジノン溶液を用いたウェットエッチングも適用できる。以上の工程により、反射表示領域Ｒに対応するオーバーコート層２３上の領域に高分子液晶層からなる位相差層２５を形成することができる。

なお、位相差層２５の形成方法としては、液晶モノマーや液晶オリゴマーの溶液をオーバーコート層２３上に塗布した後、所定のマスクを用いて露光し重合させる方法も適用できる。この形成方法では、前記液晶モノマーや液晶オリゴマーの塗布膜に対して部分的に露光処理を行った後、現像することで容易にパターニングすることが可能である。

以上により位相差層２５が形成されたら、図４（ｂ）に示すように、位相差層２５を覆って感光性樹脂膜４１Ａを形成する。感光性樹脂膜４１Ａとしては、アクリル等の公知の材料を用いることができる。感光性樹脂膜４１Ａはスピンコート法により１μｍ程度の厚みで基板全面に形成する。スピンコート法においては塗布液の粘度や基板の回転速度（ｒｐｍ）によって感光性樹脂膜４１Ａの厚みを制御できる。感光性樹脂膜４１Ａの厚みが厚いと基板面内で感光性樹脂膜４１Ａの厚みが不均一になるが、本実施形態の場合、感光性樹脂膜４１Ａの厚みは１μｍ程度であるので、基板面内で均一な厚みの感光性樹脂膜４１Ａが形成できる。

感光性樹脂膜４１Ａを形成したら、図４（ｃ）に示すように、感光性樹脂膜４１Ａに露光処理及び現像処理を施し、位相差層２５の開口部Ｈ内に１μｍ程度の厚みのフォトスペーサ受け４１を形成する。現像処理にはアルカリ現像液等の公知の現像液を用いることができる。このような現像液は有機溶媒成分を含まないため、高分子液晶層からなる位相差層２５を溶解しない。このため、感光性樹脂膜４１Ａを現像する際に位相差層２５の厚みや形状等が変化することはない。

以上によりフォトスペーサ受け４１が形成されたら、図４（ｄ）に示すように、基板全面に配向膜を形成し、ラビング等の配向処理を施す。これにより対向基板が完成する。続いて、公知の手法を用いてフォトスペーサ４０を形成したＴＦＴアレイ基板１０を用意し、フォトスペーサ４０とフォトスペーサ受け４１とを位置合わせしてＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。その後、基板１０，２０間に液晶を注入し、液晶装置を完成する。

以上説明したように、本実施形態の液晶装置１００によれば、フォトスペーサ４０の対向部分にフォトスペーサ受け４１を形成するため、位相差層２５の硬度が小さくても位相差層２５の内部にフォトスペーサ４０がめり込むことはない。また、フォトスペーサ４０の近傍に位相差層２５の盛り上がりが生じることがないので、平坦性に優れた位相差層が形成できる。さらに、ギャップ材４２をフォトスペーサ４０とフォトスペーサ受け４１によって構成したため、フォトスペーサ４０のみでギャップ材を構成する場合に比べて、フォトスペーサ４０の厚みを小さくすることができる。例えば、位相差層２５の形成される反射表示領域Ｒのギャップは通常２μｍ程度であるので、ギャップ材４２をフォトスペーサ４０のみで構成すると、フォトスペーサ４０の厚みが大きくなってしまい、均一な厚みが実現できなくなる。しかし、本実施形態のようにギャップ材４２をフォトスペーサ４０とフォトスペーサ受け４１によって構成した場合には、それぞれの厚みは１μｍ程度で良いため、スピンコート法等でも十分に均一な厚みが実現できる。このため、表示品質に優れた液晶装置が提供できる。

なお、本実施形態では、液晶装置１００をＦＦＳ方式の半透過反射型液晶装置としたが、本発明はＦＦＳ方式に限らず、ＩＰＳ方式等の他の横電界方式にも適用可能である。また、横電界方式以外の、例えばＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＶＡ（Vertical Alignment）方式、ＯＣＢ（Optical Compensated Birefringence）方式等にも広く適用することも可能である。また、本実施形態では、フォトスペーサ受け４１をサブ画素毎に形成したが、フォトスペーサ受け４１は複数のサブ画素に跨るようにストライプ状に形成しても良い。さらに、フォトスペーサは他の公知の手法により形成されるスペーサに置き換えることができる。すなわち、本実施形態では、スペーサとして感光性樹脂膜等の絶縁膜をフォトリソグラフィ法を用いてパターニングしたものを用いたが、スペーサの形成方法はこのようなものに限定されず、周知の種々の方法で形成されたスペーサを適用することができる。

［第２の実施の形態］
図５は、本発明の第２実施形態の液晶装置２００の断面構成図である。この図は、第１実施形態の図３に相当する図である。液晶装置２００の基本構成は第１実施形態の液晶装置１００と同じである。異なるのは、フォトスペーサ受け４１の厚みを位相差層２５の厚みよりも薄くした点である。

図５においてフォトスペーサ受け４１の表面（液晶層５０側の面）は位相差層２５の表面よりも基板本体２０Ａ側に後退するように形成されている。フォトスペーサ受け４１の上部には位相差層２５の開口部Ｈよりも浅い開口部が形成されており、該開口部にフォトスペーサ４０が嵌め込まれている。本実施形態の液晶装置２００においては、フォトスペーサ４０を当該開口部（位相差層２５の開口部Ｈ内）に嵌め込むことによってフォトスペーサ４０とフォトスペーサ受け４１との位置合わせが行われる。また、フォトスペーサ４０は当該開口部に嵌め込まれることにより水平面内（ＸＹ平面内）の位置を固定されている。

本実施形態の液晶装置２００によれば、フォトスペーサ４０とフォトスペーサ受け４１の位置合わせを正確且つ容易に行うことができる。このため、位置ずれによるマージンを少なくすることができ、高精細な液晶装置が提供できる。また、フォトスペーサ４０が位相差層の開口部Ｈ内に固定されるため、基板貼り合わせ後の位置ずれが少なくなる。

［第３の実施の形態］
図６は、本発明の第３実施形態の液晶装置３００の断面構成図である。この図は、第１実施形態の図３に相当する図である。液晶装置３００の基本構成は第１実施形態の液晶装置１００と同じである。異なるのは、フォトスペーサ受け２３Ａとオーバーコート層２３とを同一材料により一体に形成した点である。

フォトスペーサ受け２３Ａは、例えば次の方法により形成することができる。まず、カラーフィルタ２２の表面にアクリル等の感光性樹脂膜を塗布する。そして、該感光性樹脂膜に光透過率の異なる複数の光透過領域を備えた階調マスクを用いて露光処理し、位相差層２５の開口部Ｈに対応する部分の厚みを他の部分よりも厚く形成する。その後現像処理を行うことにより、位相差層２５の開口部Ｈに対応する部分に突起状のフォトスペーサ受け４１を形成する。フォトスペーサ受け４１の厚みは、階調マスクを透過する光透過量（光透過領域の光透過率）を制御することにより制御することができる。フォトスペーサ受け４１の厚みを増減することで、図５に示したような位相差層２５の厚みよりも薄いフォトスペーサ受け４１を形成することもできる。

フォトスペーサ受け４１を形成したら、フォトスペーサ受け４１の周囲に位相差層２５を形成する。そして、位相差層２５及びフォトスペーサ受け４１を覆って基板全面に配向膜２８を形成する。以上により対向基板２０が完成する。

本実施形態の液晶装置３００によれば、フォトスペーサ受け４１をオーバーコート層２３と同時に形成できるため、製造工程を簡略化することができる。ただし、フォトスペーサ受け４１を形成してから位相差層２５を形成した場合、位相差層２５のエッチング液はシンナー等の有機溶剤であるため、位相差層２５をエッチングする際にフォトスペーサ受け４１が溶解されてしまい、所望の厚みが得られない場合がある。しかし、フォトスペーサ受け４１の厚みの変化が小さい場合や、その厚みの変化分をフォトスペーサ４０によって調節できる場合には、本方法は十分に実施可能である。

［第４の実施の形態］
図７は、本発明の第４実施形態の液晶装置４００の断面構成図である。この図は、第１実施形態の図３に相当する図である。本実施形態の液晶装置４００は、第１実施形態と同様の基本構成を具備したＦＦＳ方式の半透過反射型液晶装置である。なお、液晶装置３００において第１実施形態の液晶装置１００と共通の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

液晶装置４００のＴＦＴアレイ基板１０には、基板本体１０Ａ上に、ＴＦＴ３０、第１層間絶縁膜１２、データ線６ａ及びドレイン電極３２が形成されている。第１層間絶縁膜１２、データ線６ａ及びドレイン電極３２を覆ってアクリル樹脂等の透明有機絶縁膜からなる第２層間絶縁膜１３が形成されており、第２層間絶縁膜１３の表面の一部に反射膜６０が形成されている。

反射膜６０としては、表面に凹凸を形成して光散乱性を付与したものを用いることが好ましい。かかる構成とすることで反射表示における視認性を向上させることができる。例えば、第２層間絶縁膜１２の表面に凹凸形状を付与し、その表面に反射膜６０を形成することで、反射膜６０の表面に第２層間絶縁膜１２の表面に倣う凹凸形状が形成できる。

このように１サブ画素内に部分的に反射膜６０が形成された本実施形態の液晶装置４００では、１サブ画素領域内のうち、反射膜６０の形成領域が、対向基板２０の外側から入射して液晶層５０を透過する光を反射、変調して表示を行う反射表示領域Ｒとなっている。また、反射膜６０の形成領域の外側の光透過領域が、バックライト９０から入射して液晶層５０を透過する光を変調して表示を行う透過表示領域Ｔとなっている。

第２層間絶縁膜１３及び反射膜６０を覆って反射表示領域Ｒに対応する領域に位相差層６２が形成されている。位相差層６２は、本実施形態の場合、透過光に対して略１／２波長（λ／２）の位相差を付与するものであり、基板本体１０Ａの内面側に設けられたいわゆる内面位相差層である。位相差層６２は、例えば、高分子液晶（コレステリック液晶等）の溶液や重合性液晶モノマー（あるいは重合性液晶オリゴマー）の溶液を配向膜上に塗布し、乾燥固化させる際に所定方向に配向させる方法により形成することができる。位相差層６２が透過光に対して付与する位相差は、その構成材料である液晶性高分子の種類や位相差層６２の層厚によって調整することができる。

また本実施形態の場合、位相差層６２は、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくするための液晶層厚調整層としても機能するものとなっている。半透過反射型の液晶装置では、反射表示領域Ｒへの入射光は液晶層５０を２回透過するが、透過表示領域Ｔへの入射光は液晶層５０を１回しか透過しない。これにより反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層５０のリタデーションが異なると、光透過率に差異を生じて均一な画像表示が得られないことになる。そこで位相差層６２を液晶層５０側に突出させて形成することでいわゆるマルチギャップ構造を実現している。具体的には、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚が透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚の半分程度に設定されて、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおける液晶層５０のリタデーションが略同一に設定されている。これにより、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおいて均一な画像表示を得ることができるようになっている。

反射膜６０の表面には反射表示領域Ｒに対応する部分にフォトスペーサ受け６１が形成されている。フォトスペーサ受け６１は位相差層６２に設けられた開口部Ｈ内に形成されている。フォトスペーサ受け６１は位相差層６２を貫通し位相差層６２の表面から液晶層５０側に突出している。フォトスペーサ受け６１は、例えば、感光性樹脂を基板全面に塗布し、露光処理及び現像処理することにより形成することができる。フォトスペーサ受け６１の厚みは１μｍ程度であり、スピンコート法によって基板全面に均一な厚みに形成されている。フォトスペーサ受け６１は後述のフォトスペーサ６３と共にＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とのギャップを保持するギャップ材６４を構成する。

第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３及び位相差層６２を覆ってＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極９が形成されている。第２層間絶縁膜１３のドレイン電極３２に対向する部分には第２層間絶縁膜１３を貫通する画素コンタクトホール４７が形成されている。画素電極９は画素コンタクトホール４７を介してドレイン電極３２と電気的に接続されている。

第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３及び画素電極９を覆って窒化シリコン膜等の透明絶縁膜からなる電極部絶縁膜１８が形成されている。電極部絶縁膜１８上にはＩＴＯ等の透明導電膜からなる平面視ベタ状の共通電極１９が形成されている。共通電極１９には画素電極９と対向する部分に複数のスリット１９ｓが形成されている。

共通電極１９及び電極部絶縁膜１８を覆ってポリイミド等の配向膜１６が形成されている。配向膜１６にはラビング等の配向処理が施されている。配向処理の方向（配向膜１６による液晶の配向規制方向）は、例えば走査線３ａの延在方向（Ｘ軸方向）と平行であり、共通電極１９のスリット１９ｓの延在方向とは交差する方向である。

液晶装置４００の対向基板２０には、基板本体２０Ａの液晶層５０側にカラーフィルタ２２が設けられている。カラーフィルタ２２を覆ってアクリル樹脂等の透明有機絶縁膜からなるオーバーコート層２３が形成されている。

オーバーコート層２３の表面にはフォトスペーサ受け６１と対向する部分にフォトスペーサ６３が形成されている。フォトスペーサ６３は、例えば、感光性樹脂を基板全面に塗布し、露光処理及び現像処理することにより形成することができる。フォトスペーサ６３の厚みは１μｍ程度であり、スピンコート法によって基板全面に均一な厚みに形成されている。フォトスペーサ６３はフォトスペーサ受け６１と共にＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とのギャップを保持するギャップ材６４を構成する。フォトスペーサ６３の厚みとフォトスペーサ受け６１の厚みの和は反射表示領域Ｒにおける基板間のギャップの大きさ（液晶層厚）と同じ厚みに制御されている。

オーバーコート層２３及びフォトスペーサ６３を覆ってポリイミド等の配向膜２８が形成されている。配向膜２８にはラビング等の配向処理が施されている。配向処理の方向（配向膜１６による液晶の配向規制方向）は、配向膜１６の配向規制方向と略平行な方向である。したがって液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で、水平配向の初期配向状態を呈するものとなっている。

本実施形態の液晶装置４００において、位相差層６２及びフォトスペーサ受け６１の形成方法は、第１実施形態で説明した位相差層２５及びフォトスペーサ受け４１の形成方法と同様である。まず、第２層間絶縁膜１２及び反射膜６０上に配向膜形成材料をスピンコート法、フレキソ印刷法等で塗布、焼成した後、ラビング処理を行う。次に、この配向膜上に高分子液晶溶液をスピンコート法（例えば回転数７００ｒｐｍで３０秒）により塗布する。ここで用いる高分子液晶は、例えばＰＬＣ−７０２３（商品名、旭電化工業（株）製）の８％溶液であり、溶媒はシクロヘキサノンとメチルエチルケトンの混合液である。次に、塗布した高分子液晶溶液のプレベイクを８０℃で１分間行い、さらにベイクにより得られた高分子液晶層のアイソトロピック転移温度（相転移温度）以上となる１８０℃で３０分間加熱した後、徐々に冷却して高分子液晶を配向させる。ここで、相転移温度とは、液晶相から等方相へ転移する温度のことである。

次に、形成した高分子液晶層上であって反射表示領域Ｒに対応する領域にレジストをパターン形成し、該レジストをマスクとして前記高分子液晶層のエッチングを行う。かかるエッチング処理には、ドライエッチングの他、Ｎメチル−２ピロリジノン溶液を用いたウェットエッチングも適用できる。以上の工程により、反射表示領域Ｒに対応するオーバーコート層２３上の領域に高分子液晶層からなる位相差層６２を形成することができる。

なお、位相差層６２の形成方法としては、液晶モノマーや液晶オリゴマーの溶液を基板上に塗布した後、所定のマスクを用いて露光し重合させる方法も適用できる。この形成方法では、前記液晶モノマーや液晶オリゴマーの塗布膜に対して部分的に露光処理を行った後、現像することで容易にパターニングすることが可能である。

以上により位相差層６２が形成されたら、位相差層６２を覆って感光性樹脂膜を形成する。感光性樹脂膜としては、アクリル等の公知の材料を用いることができる。感光性樹脂膜はスピンコート法により１μｍ程度の厚みで基板全面に形成する。スピンコート法においては塗布液の粘度や基板の回転速度（ｒｐｍ）によって感光性樹脂膜の厚みを制御できる。感光性樹脂膜の厚みが厚いと基板面内で感光性樹脂膜の厚みが不均一になるが、本実施形態の場合、感光性樹脂膜の厚みは１μｍ程度であるので、基板面内で均一な厚みの感光性樹脂膜が形成できる。

続いて、感光性樹脂膜に露光処理及び現像処理を施し、位相差層６２の開口部Ｈ内に１μｍ程度の厚みのフォトスペーサ受け６１を形成する。現像処理にはアルカリ現像液等の公知の現像液を用いることができる。このような現像液は有機溶媒成分を含まないため、高分子液晶層からなる位相差層６２を溶解しない。このため、感光性樹脂膜を現像する際に位相差層６２の厚みや形状等が変化することはない。

以上によりフォトスペーサ受け４１が形成されたら、基板全面に配向膜１６を形成し、ラビング等の配向処理を施す。これにより対向基板が完成する。続いて、公知の手法を用いてフォトスペーサ６３を形成したＴＦＴアレイ基板１０を用意し、フォトスペーサ６３とフォトスペーサ受け６１とを位置合わせしてＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。その後、基板１０，２０間に液晶を注入し、液晶装置を完成する。

本実施形態の液晶装置４００によれば、フォトスペーサ６３の対向部分にフォトスペーサ受け６１を形成するため、位相差層６２の硬度が小さくても位相差層６２の内部にフォトスペーサ６３がめり込むことはない。また、フォトスペーサ６３の近傍に位相差層６２の盛り上がりが生じることがないので、平坦性に優れた位相差層が形成できる。さらに、ギャップ材６４をフォトスペーサ６３とフォトスペーサ受け６１によって構成したため、フォトスペーサ６３のみでギャップ材を構成する場合に比べて、フォトスペーサ６３の厚みを小さくすることができる。例えば、位相差層６２の形成される反射表示領域Ｒのギャップは通常２μｍ程度であるので、ギャップ材６４をフォトスペーサ６３のみで構成すると、フォトスペーサ６３の厚みが大きくなってしまい、均一な厚みが実現できなくなる。しかし、本実施形態のようにギャップ材６４をフォトスペーサ６３とフォトスペーサ受け６１によって構成した場合には、それぞれの厚みは１μｍ程度で良いため、スピンコート法等でも十分に均一な厚みが実現できる。このため、表示品質に優れた液晶装置が提供できる。
［第５の実施の形態］
図８は、本発明の第５実施形態の液晶装置５００の断面構成図である。この図は、第４実施形態の図７に相当する図である。液晶装置５００の基本構成は第４実施形態の液晶装置４００と同じである。異なるのは、フォトスペーサ受け１３Ａと第２層間絶縁膜１３とを同一材料により一体に形成した点である。

フォトスペーサ受け１３Ａは、例えば次の方法により形成することができる。まず、第１層間絶縁膜１２の表面にアクリル等の感光性樹脂膜を塗布する。そして、該感光性樹脂膜に光透過率の異なる複数の光透過領域を備えた階調マスクを用いて露光処理し、位相差層６２の開口部Ｈに対応する部分の厚みを他の部分よりも厚く形成する。その後現像処理を行うことにより、位相差層６２の開口部Ｈに対応する部分に突起状のフォトスペーサ受け１３Ａを形成する。フォトスペーサ受け１３Ａの厚みは、階調マスクを透過する光透過量（光透過領域の光透過率）を制御することにより制御することができる。フォトスペーサ受け１３Ａの厚みを増減することで、位相差層２５の厚みよりも薄いフォトスペーサ受け１３を形成することもできる。

フォトスペーサ受け１３Ａを形成したら、フォトスペーサ受け１３Ａの周囲に位相差層６２を形成する。そして、位相差層６２及びフォトスペーサ受け１３Ａを覆って基板全面に配向膜２８を形成する。以上により対向基板２０が完成する。

本実施形態の液晶装置５００によれば、フォトスペーサ受け１３Ａを第２層間絶縁膜１３と同時に形成できるため、製造工程を簡略化することができる。ただし、フォトスペーサ受け１３Ａを形成してから位相差層６２を形成した場合、位相差層６２のエッチング液はシンナー等の有機溶剤であるため、位相差層６２をエッチングする際にフォトスペーサ受け１３Ａが溶解されてしまい、所望の厚みが得られない場合がある。しかし、フォトスペーサ受け１３Ａの厚みの変化が小さい場合や、その厚みの変化分をフォトスペーサ６３によって調節できる場合には、本方法は十分に実施可能である。

［電子機器］
図９は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図９に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の液晶装置により構成された表示品質に優れる表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。上記各実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、表示品質が高く、信頼性に優れた液晶表示部を備えた電子機器を提供できる。

第１実施形態の液晶装置の等価回路図である。 同液晶装置のサブ画素領域の平面構成図である。 図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。 同液晶装置の製造方法の説明図である。 第２実施形態の液晶装置の断面構成図である。 第３実施形態の液晶装置の断面構成図である。 第４実施形態の液晶装置の断面構成図である。 第５実施形態の液晶装置の断面構成図である。 電子機器の一例である携帯電話機の概略構成図である。

符号の説明

９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１３…第２層間絶縁膜、１３Ａ…フォトスペーサ受け（スペーサ受け）、２０…対向基板、２２…カラーフィルタ、２３…オーバーコート層、２５…位相差層、３０…ＴＦＴ（画素スイッチング素子）、４０…フォトスペーサ（スペーサ）、４１…フォトスペーサ受け（スペーサ受け）、４１Ａ…感光性樹脂膜、４２…ギャップ材、５０…液晶層、６１…フォトスペーサ受け（スペーサ受け）、６２…位相差層、６３…フォトスペーサ（スペーサ）、６４…ギャップ材、１００，２００，３００，４００，５００…液晶装置、１３００…携帯電話（電子機器）、Ｈ…位相差層の開口部

Claims (8)

1. 液晶層を挟持する一対の基板と、
   前記一対の基板のうちの一方の基板の前記液晶層側に設けられた位相差層と、
   前記位相差層に設けられた開口部と、
   前記位相差層の開口部に設けられたスペーサ受けと、
   前記一対の基板のうちの他方の基板の前記液晶層側に設けられ、前記スペーサ受けと対向するスペーサとを備えたことを特徴とする液晶装置。
2. 前記一方の基板と前記位相差層との間にカラーフィルタとオーバーコート層とが設けられ、
   前記スペーサ受けと前記オーバーコート層とが同一材料により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記一方の基板の前記液晶層側に画素スイッチング素子と画素電極とを絶縁する絶縁膜が設けられ、
   前記スペーサ受けと前記絶縁膜とが同一材料により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
4. 前記スペーサ受けの厚みは前記位相差層の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の液晶装置。
5. 一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
   一方の前記基板上に開口部を備えた位相差層を形成する工程と、
   前記位相差層の開口部にスペーサ受けを形成する工程と、
   他方の前記基板の前記スペーサ受けと対向する部分にスペーサを形成する工程と、
   前記スペーサ受けと前記スペーサとを位置合わせして前記一対の基板を貼り合わせる工程とを備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
6. 前記位相差層は高分子液晶層によって形成され、
   前記スペーサ受けは感光性樹脂膜によって形成されることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
7. 前記スペーサ受けの厚みを前記位相差層の厚みよりも薄く形成し、
   前記位相差層の開口部に前記スペーサを嵌め込むことによって前記スペーサ受けと前記スペーサとを位置合わせすることを特徴とする請求項５又は６に記載の液晶装置の製造方法。
8. 請求項１〜４のいずれかの項に記載の液晶装置又は請求項５〜７のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法により製造されてなる液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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