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JP2008165159A - Electro-optical device, driving method thereof, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device, driving method thereof, and electronic apparatus Download PDF

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JP2008165159A
JP2008165159A JP2007055178A JP2007055178A JP2008165159A JP 2008165159 A JP2008165159 A JP 2008165159A JP 2007055178 A JP2007055178 A JP 2007055178A JP 2007055178 A JP2007055178 A JP 2007055178A JP 2008165159 A JP2008165159 A JP 2008165159A
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JP
Japan
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measurement
electro
data
gradation
signal
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Application number
JP2007055178A
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Inventor
Masuo Tsuji
満壽夫 辻
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】電気光学装置の完成後の測定を可能として測定の結果の有効性を向上させる。
【解決手段】第1モードにおいて入出力端子T2から供給される測定信号Fは、データ線14(G)を介して駆動トランジスタNH1のゲートに供給され、入出力端子T4から供給される測定信号Fは、データ線14(G)に隣接するデータ線14(B)を介して駆動トランジスタNH1のソースに供給される。一方、駆動トランジスタNH1のソース電圧が被測定信号として電位線17(G)を介して出力される。
【選択図】図9
The present invention makes it possible to perform measurement after completion of an electro-optical device to improve the effectiveness of the measurement result.
A measurement signal F supplied from an input / output terminal T2 in a first mode is supplied to the gate of a driving transistor NH1 via a data line 14 (G), and the measurement signal F supplied from an input / output terminal T4. Is supplied to the source of the driving transistor NH1 through the data line 14 (B) adjacent to the data line 14 (G). On the other hand, the source voltage of the drive transistor NH1 is output as a signal under measurement via the potential line 17 (G).
[Selection] Figure 9

Description

本発明は、OLED(Organic Light Emitting Diode)素子などの電気光学素子を備えた電気光学装置、この種の電気光学装置を駆動する方法及び電気光学装置を備えた電子機器に関する。   The present invention relates to an electro-optical device including an electro-optical element such as an OLED (Organic Light Emitting Diode) element, a method of driving this type of electro-optical device, and an electronic apparatus including the electro-optical device.

電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に対応して基板上に配列された複数の画素を有し、各データ線に供給されるデータ信号に応じて画素の階調が制御される。画素には、各種の回路が考えられるが、電気光学素子としてのOLED素子とこれに駆動電流を供給するトランジスタを備えるものが知られている。このような画素においてトランジスタの特性(例えば、閾値電圧)やOLED素子の特性などのバラツキに起因して、各画素の輝度が不均一となる。   The electro-optical device includes a plurality of pixels arranged on a substrate corresponding to each intersection of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, and the pixel level is determined according to a data signal supplied to each data line. Key is controlled. Various circuits are conceivable for the pixel, but one having an OLED element as an electro-optical element and a transistor for supplying a driving current to the OLED element is known. In such a pixel, the luminance of each pixel becomes non-uniform due to variations in transistor characteristics (for example, threshold voltage) and OLED element characteristics.

これを解消するため、特許文献1には、画素を構成するトランジスタの電気的特性を測定し、測定結果に応じた補正データとOLED素子の劣化を予測した劣化予測データを製品の出荷前に予め記憶しておき、補正データ及び劣化予測データを用いて補正する技術が開示されている。
特開2004−145257号公報(段落番号0024)
In order to solve this problem, Patent Document 1 discloses in advance the measurement of the electrical characteristics of the transistors constituting the pixel, and the correction data according to the measurement results and the deterioration prediction data for predicting the deterioration of the OLED element before shipping the product. A technique of storing and correcting using correction data and deterioration prediction data is disclosed.
JP 2004-145257 A (paragraph number 0024)

しかしながら、特許文献1に開示された技術においては、製品の出荷前に補正データを記憶するため、エンドユーザに製品が渡った後に、トランジスタの電気的特性が変化してもこれを補正することができなかった。また、OLED素子の劣化はあくまでも予測であるので、正確な補正は困難であった。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電気光学装置の完成後の測定を可能として測定の結果の有効性を向上させることを解決課題とする。   However, in the technique disclosed in Patent Document 1, since correction data is stored before the product is shipped, it can be corrected even if the electrical characteristics of the transistor change after the product has passed to the end user. could not. In addition, since the deterioration of the OLED element is only a prediction, accurate correction is difficult. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to improve the effectiveness of measurement results by enabling measurement after completion of the electro-optical device.

以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、電気光学素子を各々が含む複数の画素が各データ線に接続された電気光学装置であって、各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号の出力によって前記各電気光学素子を駆動する信号生成部(例えば、実施形態のデータ線駆動回路24)と、閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択する測定対象選択部と、測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記測定対象選択部が選択した電気光学素子に対して実行する測定部とを具備する。   In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention is an electro-optical device in which a plurality of pixels each including an electro-optical element are connected to each data line, and the gradation of each electro-optical element A signal generator (for example, the data line driving circuit 24 of the embodiment) that drives each electro-optic element by outputting a data signal corresponding to the gradation data that designates the gradation, and a gradation that exceeds a threshold value is designated by the gradation data A measurement object selection unit for selecting the electro-optical element, and a measurement process for driving the electro-optical element by outputting a measurement signal and acquiring a signal under measurement indicating characteristics of the electro-optical element when driven by the measurement signal And a measuring unit that executes the electro-optic element selected by the measurement target selecting unit among the plurality of electro-optic elements.

以上の構成においては、信号生成部による電気光学素子の駆動に使用される階調データに基づいて電気光学素子の特性を測定する測定処理が実行される。すなわち、電気光学装置の完成後(出荷後)における使用に際して電気光学素子の特性を随時に測定することが可能である。また、閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子について選択的に測定処理が実行されるから、例えば測定処理に際して電気光学素子の階調が変動する(例えば発光する)場合であっても、信号生成部による駆動時の電気光学素子の階調と測定処理時の電気光学素子の階調との相違を低減することが可能である。   In the above configuration, the measurement process for measuring the characteristics of the electro-optic element based on the gradation data used for driving the electro-optic element by the signal generation unit is executed. That is, it is possible to measure the characteristics of the electro-optical element as needed when the electro-optical device is used after completion (after shipment). In addition, since the measurement process is selectively performed on the electro-optic element in which the gradation exceeding the threshold is specified by the gradation data, for example, when the gradation of the electro-optic element fluctuates (for example, emits light) during the measurement process. Even in this case, it is possible to reduce the difference between the gradation of the electro-optical element during driving by the signal generation unit and the gradation of the electro-optical element during measurement processing.

本発明の好適な態様において、前記各電気光学素子について測定処理を実行したか否かを示す測定履歴データを記憶する記憶部(例えば測定履歴メモリ58)を具備し、前記測定部は、階調データの指定する階調が閾値を上回る電気光学素子が所定個を越える場合に、前記記憶部に記憶された測定履歴データに基づいて、未だ測定処理が実行されていない電気光学素子について測定処理を実行する。以上の態様によれば、測定処理が未だ実行されていない電気光学素子について優先的に測定処理が実行されるから、1回の測定処理の対象となる電気光学素子の個数を制限して測定処理の所要時間を短縮しながら、多くの電気光学素子について効率的に測定処理を実行することが可能となる。   In a preferred aspect of the present invention, the apparatus includes a storage unit (for example, a measurement history memory 58) that stores measurement history data indicating whether or not the measurement process has been performed on each electro-optic element, When the number of electro-optic elements whose gradation specified by the data exceeds the threshold exceeds a predetermined number, the measurement processing is performed for the electro-optic elements that have not yet been measured based on the measurement history data stored in the storage unit. Execute. According to the above aspect, since the measurement process is preferentially executed for the electro-optical elements that have not yet been subjected to the measurement process, the measurement process is performed by limiting the number of electro-optical elements to be subjected to one measurement process. Thus, it is possible to efficiently execute the measurement process for many electro-optic elements while shortening the time required.

さらに好適な態様において、前記測定部は、前記閾値を上回る第1階調が階調データによって指定された場合に、前記第1階調を上回る第2階調が階調データによって指定された場合と比較して、測定処理時の電気光学素子が低階調となるように、測定信号を生成する。以上の態様によれば、測定処理の対象となる電気光学素子において、信号生成部による駆動時の電気光学素子の階調と測定処理時の電気光学素子の階調との相違が一層低減される。   In a further preferred aspect, when the first gradation exceeding the threshold is specified by gradation data, the measurement unit is configured when the second gradation exceeding the first gradation is specified by gradation data. The measurement signal is generated so that the electro-optic element during the measurement process has a low gradation. According to the above aspect, in the electro-optical element to be measured, the difference between the gray level of the electro-optical element when driven by the signal generation unit and the gray level of the electro-optical element during the measurement process is further reduced. .

さらに好適な態様において、前記信号生成部は、前記測定対象選択部が選択する電気光学素子をデータ信号の供給によって駆動するときの階調が非選択時と比較して低階調となるように、データ信号を補正する。例えば、信号生成部による駆動時の電気光学素子の発光量が、階調データに応じた発光量から測定処理における発光量を減少させた発光量となるように、測定処理の有無に応じてデータ信号が生成される。以上の態様によれば、測定処理の対象として選択された電気光学素子の階調と非選択の電気光学素子の階調とが均一化されるから、測定処理の影響がさらに低減されるという利点がある。なお、測定処理時の電気光学素子の階調の影響は信号生成部による駆動時の電気光学素子の階調が低いほど顕著となる。したがって、階調データによって指定された階調が低い場合に限って、信号生成部による駆動時の階調が低下するようにデータ信号を補正してもよい。   In a further preferred aspect, the signal generation unit is configured such that the gray level when the electro-optic element selected by the measurement target selection unit is driven by supplying a data signal is lower than that when the data signal is not selected. Correct the data signal. For example, the data depending on the presence or absence of the measurement process so that the light emission amount of the electro-optical element when driven by the signal generation unit becomes the light emission amount obtained by reducing the light emission amount in the measurement process from the light emission amount according to the gradation data. A signal is generated. According to the above aspect, since the gradation of the electro-optical element selected as the object of the measurement process and the gradation of the non-selected electro-optical element are made uniform, the advantage that the influence of the measurement process is further reduced. There is. Note that the influence of the gradation of the electro-optic element during the measurement process becomes more prominent as the gradation of the electro-optic element when driven by the signal generator is lower. Therefore, the data signal may be corrected so that the gradation at the time of driving by the signal generation unit is reduced only when the gradation specified by the gradation data is low.

本発明の好適な態様に係る電気光学装置は、閾値を可変に制御する閾値設定部を具備する。本態様によれば、測定対象選択部の選択する電気光学素子の個数を、閾値設定部が設定する閾値に応じて調整することが可能である。したがって、電気光学装置の使用される状況に応じて閾値を制御することで、駆動時と測定処理時とにおける電気光学素子の階調の相違が観察者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる電気光学素子の個数を効率的に確保することができる。
さらに具体的な態様においては、前記複数の画素が出力する画像の明度を特定する明度特定部が設けられ、前記閾値設定部は、前記明度特定部が特定した明度に応じて前記閾値を制御する。例えば、閾値設定部は、明度特定部が特定した明度が高いほど閾値を低下させる(すなわち測定処理の対象となる電気光学素子の個数を増加させる)。別の態様においては、電気光学装置の環境照度を測定する照度測定部が設けられ、前記閾値設定部は、前記照度測定部が測定した環境照度に応じて前記閾値を制御する。例えば、閾値設定部は、照度測定部が測定した環境照度が高いほど閾値を低下させる(すなわち測定処理の対象となる電気光学素子の個数を増加させる)。
An electro-optical device according to a preferred aspect of the present invention includes a threshold setting unit that variably controls the threshold. According to this aspect, the number of electro-optic elements selected by the measurement target selection unit can be adjusted according to the threshold set by the threshold setting unit. Therefore, by controlling the threshold according to the situation in which the electro-optical device is used, measurement is performed while maintaining a state where the difference in gradation of the electro-optical element between driving and measurement processing is not easily perceived by the observer. The number of electro-optic elements to be processed can be efficiently ensured.
In a more specific aspect, a lightness specifying unit that specifies the lightness of an image output from the plurality of pixels is provided, and the threshold setting unit controls the threshold according to the lightness specified by the lightness specifying unit. . For example, the threshold setting unit lowers the threshold as the lightness specified by the lightness specifying unit is higher (that is, increases the number of electro-optical elements to be measured). In another aspect, an illuminance measuring unit that measures the environmental illuminance of the electro-optical device is provided, and the threshold setting unit controls the threshold according to the environmental illuminance measured by the illuminance measuring unit. For example, the threshold value setting unit decreases the threshold value as the environmental illuminance measured by the illuminance measurement unit increases (that is, increases the number of electro-optic elements to be measured).

本発明の好適な態様に係る電気光学装置(以下「配線兼用型の電気光学装置」という場合がある)は、前記電気光学素子を各々が含む複数の画素が複数のデータ線の各々に接続された電気光学装置であって、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられた複数の入出力端子と、駆動モードにおいて、前記信号生成部が生成したデータ信号を、前記入出力端子を介して前記データ線に供給し、測定モードにおいて、前記測定対象選択部が選択した画素に対応するデータ線及び当該データ線に隣接するデータ線に対応した前記入出力端子を介して、電気光学素子を含む当該画素の構成要素(例えば、実施形態の駆動トランジスタNH1)の特性を測定するための前記測定信号及び前記被測定信号の入出力を行う入出力部(例えば、実施形態のトランジスタTr)とを具備し、前記画素は、前記駆動モードにおいて、前記データ線を介して供給されるデータ信号を取り込み、前記測定モードにおいて、前記データ線及び当該データ線に隣接するデータ線を介して前記測定信号を取り込むとともに前記被測定信号を出力する選択部(例えば、実施形態のトランジスタN2〜N4、NT1、NT2)とを含む。
以上の態様に係る電気光学装置によれば、測定の対象となる画素に対応するデータ線の他、隣接する画素のデータ線を用いて測定信号と被測定信号とを伝送する。すなわち、隣接するデータ線を測定に兼用するので、測定用に特別の配線を設ける必要がなくなるか、あるいは、測定用の配線の数を減らすことができる。さらに、測定信号及び被測定信号を、駆動モードにおいてデータ信号を入力するための入出力端子を介して、入出力するので新たに入出力端子を設ける必要がない。
An electro-optical device according to a preferred aspect of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “wiring-type electro-optical device”) includes a plurality of pixels each including the electro-optical element connected to each of a plurality of data lines. And a plurality of input / output terminals provided corresponding to each of the plurality of data lines, and a data signal generated by the signal generation unit in the drive mode via the input / output terminals. In the measurement mode, the electro-optic element is connected to the data line corresponding to the pixel selected by the measurement target selection unit and the input / output terminal corresponding to the data line adjacent to the data line. An input / output unit (for example, the transistor of the embodiment) that inputs and outputs the measurement signal and the signal under measurement for measuring the characteristics of the constituent elements of the pixel (for example, the drive transistor NH1 of the embodiment). And the pixel captures a data signal supplied via the data line in the drive mode, and passes the data line and a data line adjacent to the data line in the measurement mode. And a selection unit (for example, the transistors N2 to N4, NT1, and NT2 in the embodiment) that takes in the measurement signal and outputs the signal to be measured.
According to the electro-optical device according to the above aspect, the measurement signal and the signal under measurement are transmitted using the data line of the adjacent pixel in addition to the data line corresponding to the pixel to be measured. That is, since the adjacent data lines are also used for measurement, it is not necessary to provide special wiring for measurement, or the number of measurement wirings can be reduced. Further, since the measurement signal and the signal under measurement are input / output via the input / output terminal for inputting the data signal in the drive mode, it is not necessary to newly provide an input / output terminal.

以上に例示した配線兼用型の電気光学装置において、前記複数のデータ線の各々と対になる複数の電位線と、基準電位が供給される基準電位線と、前記駆動モードにおいて、前記複数のデータ線と前記複数の入出力端子とを接続すると共に、前記基準電位線と前記複数の電位線とを接続し、前記測定モードにおいて、前記複数のデータ線及び前記複数の電位線と前記複数の入出力端子とを選択的に接続する信号切替部とを備え、前記入出力部は、前記信号切替部によって、前記測定モードにおいて測定の対象となる画素に対応するデータ線及び電位線、並びに当該データ線に隣接するデータ線及び当該電位線に隣接する電位線と接続された前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号を入出力することが好ましい。この発明によれば、データ線と電位線の組とこれに隣接するデータ線と電位線の組みを用いて測定信号及び被測定信号を伝送することができるので、伝送する信号の数を増やすことができ、構成要素の特性を詳細に得ることが可能となる。   In the wiring-type electro-optical device exemplified above, a plurality of potential lines paired with each of the plurality of data lines, a reference potential line to which a reference potential is supplied, and the plurality of data in the driving mode. And connecting the reference potential line and the plurality of potential lines, and in the measurement mode, the plurality of data lines, the plurality of potential lines, and the plurality of input lines. A signal switching unit that selectively connects to an output terminal, and the input / output unit includes a data line and a potential line corresponding to a pixel to be measured in the measurement mode, and the data by the signal switching unit. Preferably, the measurement signal and the signal under measurement are input / output via the data line adjacent to the line and the input / output terminal connected to the potential line adjacent to the potential line. According to the present invention, a measurement signal and a signal under measurement can be transmitted using a pair of a data line and a potential line and a pair of a data line and a potential line adjacent thereto, so that the number of signals to be transmitted is increased. Therefore, it becomes possible to obtain the characteristics of the constituent elements in detail.

より具体的には、前記測定モードでは、N(Nは2以上の自然数)個の画素おきに前記構成要素の特性を測定し、測定の対象となる画素をずらして測定をN回繰り返し、前記入出力部は、測定の対象となる画素の変更に伴って前記測定信号及び前記被測定信号を入出力する前記入出力端子を変更することが好ましい。入出力端子の数は限られているので、測定信号及び被測定信号の数が多いと、測定用に入出力端子を増設することも考えられるが、この発明によれば、N回に分けて特性を測定するので、入出力端子を増設することなく構成要素の特性を測定することができる。なお、N回の測定のうち1回の測定で複数の画素の特性を測定してもよいことは勿論である。例えば、画素が複数の表示色に対応している場合、表示色ごとに測定を実行してもよい。この場合には、同一の表示色の画素については、同時に測定が実行される。したがって、1つの画素ごとに測定する場合と比較して測定時間を短縮することができる。   More specifically, in the measurement mode, the characteristics of the constituent elements are measured every N (N is a natural number of 2 or more) pixels, the measurement target pixels are shifted, and the measurement is repeated N times. The entry output unit preferably changes the input / output terminal for inputting / outputting the measurement signal and the signal under measurement in accordance with the change of the pixel to be measured. Since the number of input / output terminals is limited, it is possible to increase the number of input / output terminals for measurement when the number of measurement signals and signals under measurement is large. According to the present invention, the number of input / output terminals is divided into N times. Since the characteristics are measured, the characteristics of the constituent elements can be measured without adding input / output terminals. Of course, the characteristics of a plurality of pixels may be measured by one measurement out of N measurements. For example, when a pixel corresponds to a plurality of display colors, the measurement may be performed for each display color. In this case, measurement is simultaneously performed for pixels having the same display color. Therefore, the measurement time can be shortened as compared with the case where measurement is performed for each pixel.

ここで、前記画素は、前記データ信号に応じた駆動電流を出力するトランジスタと、前記駆動電流に応じた輝度で発光する電気光学素子とを備え、測定の対象となる構成要素は前記トランジスタであり、前記測定信号は前記トランジスタのゲート電位を与え、前記被測定信号は前記トランジスタのソース電位及びドレイン電位の少なくとも一方であることが好ましい。この場合には、駆動トランジスタの電気的特性を測定することができる。   Here, the pixel includes a transistor that outputs a driving current according to the data signal, and an electro-optical element that emits light with a luminance according to the driving current, and a component to be measured is the transistor. Preferably, the measurement signal gives a gate potential of the transistor, and the signal under measurement is at least one of a source potential and a drain potential of the transistor. In this case, the electrical characteristics of the driving transistor can be measured.

また、前記画素は、前記データ信号に応じた駆動電流を出力するトランジスタと、前記駆動電流に応じた輝度で発光する電気光学素子とを備え、測定の対象となる構成要素は前記電気光学素子であり、前記測定信号は前記電気光学素子に印加する電圧であり、前記被測定信号は前記電気光学素子に流れる電流であってもよい。この場合には電気光学素子の特性を測定することができる。   The pixel includes a transistor that outputs a driving current according to the data signal, and an electro-optical element that emits light with a luminance according to the driving current, and a component to be measured is the electro-optical element. The measurement signal may be a voltage applied to the electro-optic element, and the signal under measurement may be a current flowing through the electro-optic element. In this case, the characteristics of the electro-optical element can be measured.

配線兼用型の電気光学装置において、前記測定モードで得られた前記被測定信号に基づいて前記画素間の輝度が均一に近づくように生成した補正データを記憶する記憶部と、前記記憶部から読み出した前記補正データを用いて前記画素の階調を示す階調データを補正して補正済階調データを生成する補正部とを備え、前記信号生成部は、前記補正済階調データに基づいて前記データ信号を生成することが好ましい。この発明によれば、測定結果に基づいて生成された補正データに基づいて階調データに補正を施すので、画素間の輝度のばらつきを低減することができる。   In the wiring-type electro-optical device, a storage unit that stores correction data generated so that the luminance between the pixels approaches uniform based on the signal under measurement obtained in the measurement mode, and reads out from the storage unit A correction unit that corrects gradation data indicating the gradation of the pixel using the correction data to generate corrected gradation data, and the signal generation unit is configured based on the corrected gradation data. Preferably, the data signal is generated. According to the present invention, since the gradation data is corrected based on the correction data generated based on the measurement result, it is possible to reduce the luminance variation between the pixels.

ここで、前記補正データは、前記トランジスタの閾値電圧に対応する第1の係数と前記トランジスタの電流増幅率に対応する第2の係数を示すものであり、前記補正部は、前記第1の係数に基づいて前記階調データに加算処理を行うと共に前記第2の係数に基づいて前記階調データに乗算処理を行って前記補正済階調データを生成することが好ましい。この発明によれば、加算と乗算によって補正を実行する。なお、加算処理は、正の値を加算する場合だけでなく、負の値を加算する場合を含むことは勿論である。この意味において、加算処理は減算処理としても実質的に機能する。   Here, the correction data indicates a first coefficient corresponding to a threshold voltage of the transistor and a second coefficient corresponding to a current amplification factor of the transistor, and the correction unit includes the first coefficient. Preferably, the gradation data is added to the gradation data, and the gradation data is multiplied based on the second coefficient to generate the corrected gradation data. According to the present invention, correction is performed by addition and multiplication. Of course, the addition process includes not only the case of adding a positive value but also the case of adding a negative value. In this sense, the addition process substantially functions as a subtraction process.

また、配線兼用型の電気光学装置は、前記駆動モードと前記測定モードを指定し、前記駆動モードを垂直走査期間の一部の期間に割り当て、前記測定モードを前記垂直走査期間のうち残りの期間に割り当てる制御部を備えることが好ましい。この発明によれば、画像を表示している期間中に画素の構成要素の状態を測定して補正を行うので、正確な輝度で画像を表示することが可能となる。電源投入した直後と、一定時間が経過した後では、画素の温度が相違するが、この発明によれば、短期的な温度変化に追随して補正を行うことができ、さらに、長期的な経時変化に追随した補正を行うこともできる。   The wiring-use electro-optical device designates the drive mode and the measurement mode, assigns the drive mode to a part of a vertical scanning period, and assigns the measurement mode to the remaining period of the vertical scanning period. It is preferable to provide a control unit to be assigned to. According to the present invention, since the state of the constituent elements of the pixel is measured and corrected during the period in which the image is displayed, the image can be displayed with accurate luminance. Although the pixel temperature differs immediately after the power is turned on and after a lapse of a certain time, according to the present invention, correction can be performed following a short-term temperature change, and further, long-term It is also possible to perform a correction following the change.

次に、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備えるものであって、例えば、発光装置や液晶装置などの表示装置、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなどが該当する。このほかにも例えば光書込み型の画像形成装置(例えばプリンタ)におけるラインヘッドとしても使用され得る。   Next, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device, and includes, for example, a display device such as a light emitting device and a liquid crystal device, a personal computer, a mobile phone, a digital still camera, and a video camera. To do. In addition, for example, it can be used as a line head in an optical writing type image forming apparatus (for example, a printer).

次に、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数の電気光学素子を備えた電気光学装置の駆動方法であって、前記各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号の出力によって前記各電気光学素子を駆動する一方、閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択し、測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記選択した電気光学素子に対して実行する。以上の方法によっても、本発明に係る電気光学装置と同様の作用及び効果が奏される。   Next, a driving method of an electro-optical device according to the present invention is a driving method of an electro-optical device including a plurality of electro-optical elements, according to gradation data that specifies the gradation of each electro-optical element. Each electro-optical element is driven by the output of the data signal, while the electro-optical element whose gradation exceeding the threshold is specified by the gradation data is selected, and the electro-optical element is driven by the output of the measurement signal and the measurement A measurement process for obtaining a signal under measurement indicating characteristics of the electro-optical element when driven by a signal is performed on the selected electro-optical element among the plurality of electro-optical elements. Also by the above method, the same operation and effect as the electro-optical device according to the invention can be obtained.

また、前記電気光学素子を各々が含む複数の画素が各データ線に接続され、前記各データ線に対応して設けられた複数の入出力端子を具備する電気光学装置(配線兼用型の電気光学装置)を駆動する方法においては、駆動モードにおいて、データ信号を、前記入出力端子を介して前記データ線に供給し、測定モードにおいて、選択した画素に対応するデータ線及び当該データ線に隣接するデータ線に対応した前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号を入出力し、前記駆動モードにおいて、前記データ線を介して供給されるデータ信号を前記画素に取り込み、前記測定モードにおいて、前記データ線及び当該データ線に隣接するデータ線を介して前記測定信号を前記画素に取り込むとともに前記被測定信号を出力することを特徴とする。   In addition, a plurality of pixels each including the electro-optical element is connected to each data line, and an electro-optical device (wiring-combined type electro-optical device) having a plurality of input / output terminals provided corresponding to each data line. In the driving mode, a data signal is supplied to the data line via the input / output terminal in the driving mode, and the data line corresponding to the selected pixel and the data line are adjacent to each other in the measurement mode. The measurement signal and the signal under measurement are input / output via the input / output terminal corresponding to the data line, and in the driving mode, the data signal supplied via the data line is taken into the pixel, and the measurement is performed. In the mode, the measurement signal is taken into the pixel through the data line and the data line adjacent to the data line, and the measured signal is output. And butterflies.

配線兼用型の電気光学装置の駆動方法において、前記電気光学装置は、前記複数のデータ線の各々と対になる複数の電位線と、基準電位が供給される基準電位線とを備え、前記駆動モードにおいて、前記複数のデータ線と前記複数の入出力端子とを接続すると共に、前記基準電位線と前記複数の電位線とを接続し、前記測定モードにおいて、前記複数のデータ線及び前記複数の電位線と前記複数の入出力端子とを選択的に接続し、測定の対象となる画素に対応するデータ線及び電位線、並びに当該データ線に隣接するデータ線及び当該電位線に隣接する電位線と接続された前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号を入出力することが好ましい。この発明によれば、データ線と電位線の組とこれに隣接するデータ線と電位線の組みを用いて測定信号及び被測定信号を伝送することができるので、伝送する信号の数を増やすことができ、構成要素の特性を詳細に得ることが可能となる。   In the method of driving a wiring combined type electro-optical device, the electro-optical device includes a plurality of potential lines paired with each of the plurality of data lines and a reference potential line to which a reference potential is supplied, and the driving In the mode, the plurality of data lines and the plurality of input / output terminals are connected, and the reference potential line and the plurality of potential lines are connected. In the measurement mode, the plurality of data lines and the plurality of data lines are connected. A data line and a potential line corresponding to a pixel to be measured, a data line adjacent to the data line, and a potential line adjacent to the potential line are selectively connected to the potential line and the plurality of input / output terminals. Preferably, the measurement signal and the signal under measurement are input / output via the input / output terminal connected to the terminal. According to the present invention, a measurement signal and a signal under measurement can be transmitted using a pair of a data line and a potential line and a pair of a data line and a potential line adjacent thereto, so that the number of signals to be transmitted is increased. Therefore, it becomes possible to obtain the characteristics of the constituent elements in detail.

ここで、前記測定モードで得られた前記被測定信号に基づいて前記画素間の輝度が均一に近づくように生成した補正データを記憶し、記憶した前記補正データを用いて前記画素の階調を示す階調データを補正して補正済階調データを生成し、前記補正済階調データに基づいて前記データ信号を生成することが好ましい。この発明によれば、構成要素の特性を測定し、その測定結果に基づいて補正を行うので、画素間の輝度の相違を低減することができる。   Here, the correction data generated so that the luminance between the pixels approaches uniformly based on the signal under measurement obtained in the measurement mode is stored, and the gradation of the pixel is adjusted using the stored correction data. It is preferable that corrected gradation data is generated to generate corrected gradation data, and the data signal is generated based on the corrected gradation data. According to the present invention, since the characteristics of the constituent elements are measured and correction is performed based on the measurement results, the difference in luminance between pixels can be reduced.

上述した発明において電気光学素子は、電気的エネルギーによって光学特性が変化する素子であり、例えば、有機発光ダイオードや無機発光ダイオードなどの発光素子の他、液晶素子が含まれる。   In the above-described invention, the electro-optical element is an element whose optical characteristics change depending on electric energy, and includes, for example, a liquid crystal element in addition to a light-emitting element such as an organic light-emitting diode or an inorganic light-emitting diode.

<A:第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置1の構成を示すブロック図である。電気光学装置1は、画像を表示する駆動モードと画素回路Pの構成要素たる駆動トランジスタNH1及びOLED素子11(図2参照)の電気的特性を測定する測定モードとで動作する。図1に示されるように、電気光学装置1は、電気光学パネル10、走査線駆動回路22、データ線駆動回路24、電圧生成回路27、制御回路29、補正回路30、メモリ40、及び測定制御回路50を備える。
<A: First Embodiment>
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an electro-optical device 1 according to the first embodiment of the present invention. The electro-optical device 1 operates in a drive mode for displaying an image and a measurement mode for measuring electrical characteristics of the drive transistor NH1 and the OLED element 11 (see FIG. 2) that are components of the pixel circuit P. As shown in FIG. 1, the electro-optical device 1 includes an electro-optical panel 10, a scanning line driving circuit 22, a data line driving circuit 24, a voltage generation circuit 27, a control circuit 29, a correction circuit 30, a memory 40, and measurement control. A circuit 50 is provided.

電気光学パネル10の画素領域Aには、X方向(行方向)に延在するm(mは自然数)本の走査線12が形成される。なお、図1では省略されているが、走査線12と平行に5本の制御線が形成されている。また、画素領域Aには、X方向と直交するY方向(列方向)に延在するn本のデータ線14とデータ線14と対になる電位線17とが形成される(nは自然数)。そして、走査線12とデータ線14との各交差に対応して画素回路Pが配置される。したがって、これらの画素回路Pは、画素領域A内においてX方向及びY方向にわたってマトリクス状に配列する。各画素回路Pは電流駆動型の自発光素子たるOLED素子11を含む。なお、図に示す「R」、「G」、「B」は、各画素回路Pの表示色を表している。この場合、OLED素子11の発光色が「R」、「G」、「B」に対応していてもよいし、OLED素子11の発光色が白色で色フィルタによって表示色を得てもよい。   In the pixel region A of the electro-optical panel 10, m (m is a natural number) scanning lines 12 extending in the X direction (row direction) are formed. Although omitted in FIG. 1, five control lines are formed in parallel with the scanning lines 12. In the pixel region A, n data lines 14 extending in the Y direction (column direction) orthogonal to the X direction and potential lines 17 paired with the data lines 14 are formed (n is a natural number). . A pixel circuit P is arranged corresponding to each intersection of the scanning line 12 and the data line 14. Therefore, these pixel circuits P are arranged in a matrix in the X direction and the Y direction in the pixel region A. Each pixel circuit P includes an OLED element 11 that is a current-driven self-luminous element. Note that “R”, “G”, and “B” shown in the drawing represent display colors of the pixel circuits P. In this case, the emission color of the OLED element 11 may correspond to “R”, “G”, and “B”, or the emission color of the OLED element 11 may be white and the display color may be obtained by a color filter.

また、電気光学パネル10の端部には、n本のデータ線14に各々対応するn個の入出力端子T1〜Tnが設けられている。さらに、複数の入出力端子T1〜Tnと複数のデータ線14及び複数の電位線17との間には切替回路25が形成されている。切替回路25は、R基準電位REF−R、G基準電位REF−G、及びB基準電位REF−Bを供給する基準電位線Lr、Lb、Lgを有する。切替回路25は、駆動モードにおいて、複数のデータ線14と複数の入出力端子T1〜Tnとを接続すると共に基準電位線Lr、Lb、Lgと複数の電位線17とを接続し、測定モードにおいて、複数のデータ線14及び複数の電位線17と複数の入出力端子T1〜Tnとを選択的に接続する。   Further, n input / output terminals T <b> 1 to Tn corresponding to the n data lines 14 are provided at the end of the electro-optical panel 10. Further, a switching circuit 25 is formed between the plurality of input / output terminals T1 to Tn, the plurality of data lines 14, and the plurality of potential lines 17. The switching circuit 25 includes reference potential lines Lr, Lb, and Lg that supply an R reference potential REF-R, a G reference potential REF-G, and a B reference potential REF-B. The switching circuit 25 connects the plurality of data lines 14 and the plurality of input / output terminals T1 to Tn in the driving mode, and connects the reference potential lines Lr, Lb, Lg and the plurality of potential lines 17 in the measurement mode. The plurality of data lines 14 and the plurality of potential lines 17 are selectively connected to the plurality of input / output terminals T1 to Tn.

走査線駆動回路22及びデータ線駆動回路24はICチップであり、電気光学パネル10の外部(例えば電気光学パネル10に実装された配線基板上)に実装されている。なお、COG(Chip On Glass)技術によって走査線駆動回路22及びデータ線駆動回路24の少なくとも一方を電気光学パネル10に実装してもよい。走査線駆動回路22は、駆動モードにおいて、m本の走査線12の各々を順次に選択する。より具体的には、走査線駆動回路22は、水平走査期間ごとに順番にアクティブレベル(Hレベル)となる走査信号EW−1、EW−2、…、EW−mを各走査線12に対して出力する。走査信号EW−i(iは1≦i≦mを満たす整数)がアクティブレベルになると第i行が選択されたことを意味する。また、走査線駆動回路22は、測定モードにおいて、制御回路29によって指定された1本の走査線12を選択してアクティブレベルの走査信号EW−iを供給する。   The scanning line driving circuit 22 and the data line driving circuit 24 are IC chips, and are mounted outside the electro-optical panel 10 (for example, on a wiring board mounted on the electro-optical panel 10). Note that at least one of the scanning line driving circuit 22 and the data line driving circuit 24 may be mounted on the electro-optical panel 10 by COG (Chip On Glass) technology. The scanning line driving circuit 22 sequentially selects each of the m scanning lines 12 in the driving mode. More specifically, the scanning line driving circuit 22 sends scanning signals EW-1, EW-2,..., EW-m that sequentially become active levels (H levels) to the scanning lines 12 for each horizontal scanning period. Output. When the scanning signal EW-i (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m) becomes an active level, it means that the i-th row has been selected. In the measurement mode, the scanning line driving circuit 22 selects one scanning line 12 designated by the control circuit 29 and supplies the scanning signal EW-i having an active level.

一方、データ線駆動回路24は、駆動モードにおいて、走査線駆動回路22が選択した走査線12に接続された各画素回路Pに対してデータ信号Dを供給する。データ信号Dj(jは1≦j≦nを満たす整数)は第j列目の画素回路Pの輝度(階調)を指定する電圧信号である。また、データ線駆動回路24は、測定モードにおいて画素回路Pへ測定信号Fを供給すると共に、画素回路Pから測定結果を示す被測定信号Mを取得する。なお、走査線駆動回路22やデータ線駆動回路24は、ICチップで構成するだけでなく、一部あるいはすべてをガラス基板内に形成することも可能である。   On the other hand, the data line driving circuit 24 supplies the data signal D to each pixel circuit P connected to the scanning line 12 selected by the scanning line driving circuit 22 in the driving mode. The data signal Dj (j is an integer satisfying 1 ≦ j ≦ n) is a voltage signal that specifies the luminance (gradation) of the pixel circuit P in the j-th column. In addition, the data line driving circuit 24 supplies the measurement signal F to the pixel circuit P in the measurement mode and obtains the signal under measurement M indicating the measurement result from the pixel circuit P. Note that the scanning line driving circuit 22 and the data line driving circuit 24 can be formed not only by an IC chip but also partially or entirely in a glass substrate.

電圧生成回路27は、電気光学装置1で用いられる以下の電圧を生成する。まず、電源電圧VE−R、VE−G、及びVE−Bは、R色、G色、及びB色の画素回路Pに各々供給される電圧であって、制御回路29から供給される制御信号によって、出力するか否かが制御される。駆動モードにおいては常時出力されるが、測定モードでは後述するように測定の対象となる画素回路Pを色別に制御し、対応する電源電圧のみを出力する。次に、電圧生成回路27は、R基準電位REF−R、G基準電位REF−G、及びB基準電位REF−Bを出力する。R基準電位REF−R、G基準電位REF−G、及びB基準電位REF−Bは、駆動トランジスタのソース電位を規定する電圧である。   The voltage generation circuit 27 generates the following voltages used in the electro-optical device 1. First, the power supply voltages VE-R, VE-G, and VE-B are voltages supplied to the R, G, and B color pixel circuits P, respectively, and are control signals supplied from the control circuit 29. To control whether or not to output. Although it is always output in the drive mode, in the measurement mode, the pixel circuit P to be measured is controlled for each color as described later, and only the corresponding power supply voltage is output. Next, the voltage generation circuit 27 outputs the R reference potential REF-R, the G reference potential REF-G, and the B reference potential REF-B. The R reference potential REF-R, the G reference potential REF-G, and the B reference potential REF-B are voltages that define the source potential of the driving transistor.

制御回路29は、走査線駆動回路22、データ線駆動回路24、切替回路25、電圧生成回路27、及び測定制御回路50に制御信号を供給して、これらの回路を制御する。また制御回路29は、駆動モードと測定モードの切り替えを実行する。本実施形態においては、垂直帰線期間の一部又は全部に測定モードが割り当てられる。このように駆動モードにおける画素回路Pの駆動に際して測定モードを実行することで、時々刻々と変化する駆動トランジスタやOLED素子の状態に追随して補正を行うことが可能となり、表示品質を向上することができる。   The control circuit 29 supplies control signals to the scanning line drive circuit 22, the data line drive circuit 24, the switching circuit 25, the voltage generation circuit 27, and the measurement control circuit 50 to control these circuits. In addition, the control circuit 29 executes switching between the drive mode and the measurement mode. In the present embodiment, the measurement mode is assigned to part or all of the vertical blanking period. In this way, by executing the measurement mode when driving the pixel circuit P in the drive mode, it becomes possible to perform corrections following the state of the drive transistor and OLED element that change from moment to moment, thereby improving display quality. Can do.

各画素回路Pの階調を指定する階調データdは測定制御回路50及び補正回路30に供給される。
測定制御回路50は、測定モードにおいて、画素回路Pの構成要素の特性を測定するための処理(以下「測定処理」という)を実行する。測定処理は、測定信号Fをデータ線駆動回路24を出力する処理と、被測定信号Mをデータ線駆動回路24から取得する処理とを含む。測定制御回路50が取得した被測定信号Mは補正回路30に出力される。補正回路30は、被測定信号Mに基づいて補正データDhを生成し、生成した補正データDhをメモリ40に記憶する。一方、駆動モードにおいて、補正回路30は、補正データDhをメモリ40から読み出し、補正データDhに基づいて階調データdを補正して得た補正済階調データdhをデータ線駆動回路24に供給する。例えば、補正データDhは、駆動トランジスタの閾値電圧に対応する第1のデータH1と、駆動トランジスタの電流増幅率に対応する第2のデータH2を有する。補正回路30は、リニアドライバで構成されており、以下に示す式に従って線形の演算を実行して補正済階調データdhを生成する。
Dh=(H1,H2)
dh=H1+H2*Dh
The gradation data d specifying the gradation of each pixel circuit P is supplied to the measurement control circuit 50 and the correction circuit 30.
In the measurement mode, the measurement control circuit 50 executes a process for measuring the characteristics of the components of the pixel circuit P (hereinafter referred to as “measurement process”). The measurement process includes a process of outputting the measurement signal F from the data line driving circuit 24 and a process of acquiring the signal under measurement M from the data line driving circuit 24. The signal under measurement M acquired by the measurement control circuit 50 is output to the correction circuit 30. The correction circuit 30 generates correction data Dh based on the signal under measurement M, and stores the generated correction data Dh in the memory 40. On the other hand, in the drive mode, the correction circuit 30 reads the correction data Dh from the memory 40 and supplies the corrected gradation data dh obtained by correcting the gradation data d based on the correction data Dh to the data line driving circuit 24. To do. For example, the correction data Dh includes first data H1 corresponding to the threshold voltage of the driving transistor and second data H2 corresponding to the current amplification factor of the driving transistor. The correction circuit 30 is composed of a linear driver, and generates corrected gradation data dh by executing a linear operation according to the following equation.
Dh = (H1, H2)
dh = H1 + H2 * Dh

第1のデータH1と第2のデータH2は、駆動トランジスタの電流−電圧特性を測定することによって得られ、画素間の輝度が均一に近づくように設定される。なお、この例のメモリ40は揮発性であるが、不揮発性であってもよい。また、駆動電流と発光輝度の測定を製品の出荷時や、電源投入直後に実行し、そこで得られた補正データとリアルタイムで測定して得た補正データを組み合わせて階調データdを補正してもよい。なお、補正回路30及び測定制御回路50は、各々が別個のICチップとして配置されてもよいしひとつのICチップに搭載されてもよい。   The first data H1 and the second data H2 are obtained by measuring the current-voltage characteristics of the driving transistor, and are set so that the luminance between the pixels approaches uniform. The memory 40 in this example is volatile, but may be non-volatile. In addition, measurement of drive current and emission luminance is performed at the time of product shipment or immediately after power-on, and correction data obtained there and correction data obtained in real time are combined to correct gradation data d. Also good. The correction circuit 30 and the measurement control circuit 50 may be arranged as separate IC chips, or may be mounted on one IC chip.

次に、図2を参照して画素回路Pの構成を説明する。同図においては、第i行目に属するR色に対応する画素回路Pのみが図示されているが、その他の画素回路Pも同様の構成である。本実施形態における画素回路Pは、データ信号Dの電圧値に応じてOLED素子11の輝度(階調)が制御される電圧駆動型(いわゆる電圧プログラミング方式)の回路であるが、電流駆動型(いわゆる電流プログラミング方式)を採用してもよい。   Next, the configuration of the pixel circuit P will be described with reference to FIG. In the drawing, only the pixel circuit P corresponding to the R color belonging to the i-th row is shown, but the other pixel circuits P have the same configuration. The pixel circuit P in the present embodiment is a voltage driving type (so-called voltage programming method) circuit in which the luminance (gradation) of the OLED element 11 is controlled in accordance with the voltage value of the data signal D. A so-called current programming method may be employed.

図2に示されるように、画素回路Pは、OLED素子11、容量素子CH1、pチャネル型のトランジスタP1、nチャネル型のトランジスタN1〜N4、NT1及びNT2、並びに駆動トランジスタNH1を備える。OLED素子11に流れ込む駆動電流は、駆動トランジスタNH1のゲート・ソース間電圧によって定まる。駆動トランジスタNH1のゲートとソースとの間には容量素子CH1が設けられている。容量素子CH1は、駆動モードの書込期間において書き込まれた電圧を保持する手段である。また、第1制御線L1を介して制御信号XEP−iが、第2制御線L2を介して制御信号ETB−iが、第3制御線L3を介して制御信号ETG−iが、第4制御線L4を介して制御信号ETR−iが、第5制御線L5を介して制御信号EN−iが、走査線駆動回路22から供給される。   As shown in FIG. 2, the pixel circuit P includes an OLED element 11, a capacitive element CH1, a p-channel transistor P1, n-channel transistors N1 to N4, NT1 and NT2, and a driving transistor NH1. The drive current that flows into the OLED element 11 is determined by the gate-source voltage of the drive transistor NH1. A capacitive element CH1 is provided between the gate and source of the driving transistor NH1. The capacitive element CH1 is a means for holding the voltage written during the writing period in the drive mode. Further, the control signal XEP-i is transmitted through the first control line L1, the control signal ETB-i is transmitted through the second control line L2, and the control signal ETG-i is transmitted through the third control line L3. The control signal ETR-i is supplied from the scanning line driving circuit 22 through the line L4, and the control signal EN-i is supplied through the fifth control line L5.

トランジスタP1のソースには電源電圧VEL−Rが供給され、そのゲートには制御信号XEP−iが供給され、そのドレインが駆動トランジスタNH1のドレインと接続される。制御信号XEP−iがローレベル(アクティブ)になると、トランジスタP1がオン状態となり、電源電圧VEL−Rが駆動トランジスタNH1に供給される。   A power supply voltage VEL-R is supplied to the source of the transistor P1, a control signal XEP-i is supplied to its gate, and its drain is connected to the drain of the driving transistor NH1. When the control signal XEP-i becomes low level (active), the transistor P1 is turned on, and the power supply voltage VEL-R is supplied to the drive transistor NH1.

駆動トランジスタNH1のゲートとデータ線14との間にはトランジスタN2が設けられている。トランジスタN2のゲートには走査線12を介して走査信号EW−iが供給される。走査信号EW−iがハイレベルになると、データ線14を介して供給されるデータ信号Djが容量素子CH1の一方の端子に印加される。また、駆動トランジスタNH1のソースと電位線17との間には、トランジスタN3及びN4が設けられている。トランジスタN4のゲートには電源電圧VEL−Rが供給される。電源電圧VEL−Rは駆動モードにおいて常時ハイレベルであるから、トランジスタN4は駆動モードにおいて常時オン状態となる。一方、トランジスタN3のゲートには走査信号EW−iが供給される。したがって、i行目の走査線12が選択されると、トランジスタN3がオン状態となり、R基準電位REF−Rが容量素子CH1の他方の端子に供給される。その後、走査信号EW−iがローレベルに変化しても容量素子CH1の端子間には表示すべき階調に応じた電圧が保持される。   A transistor N2 is provided between the gate of the driving transistor NH1 and the data line. A scanning signal EW-i is supplied to the gate of the transistor N2 through the scanning line 12. When the scanning signal EW-i becomes high level, the data signal Dj supplied via the data line 14 is applied to one terminal of the capacitive element CH1. Transistors N3 and N4 are provided between the source of the driving transistor NH1 and the potential line 17. A power supply voltage VEL-R is supplied to the gate of the transistor N4. Since the power supply voltage VEL-R is always high in the drive mode, the transistor N4 is always on in the drive mode. On the other hand, the scanning signal EW-i is supplied to the gate of the transistor N3. Accordingly, when the i-th scanning line 12 is selected, the transistor N3 is turned on, and the R reference potential REF-R is supplied to the other terminal of the capacitive element CH1. After that, even when the scanning signal EW-i changes to the low level, a voltage corresponding to the gradation to be displayed is held between the terminals of the capacitive element CH1.

駆動トランジスタNH1のソースとOLED素子11の陽極との間にはトランジスタN1が設けられており、そのゲートには制御信号EN−iが供給される。制御信号EN−iは、駆動モードの発光期間にハイレベルとなり、当該期間に駆動電流がOLED素子11に供給される。   A transistor N1 is provided between the source of the driving transistor NH1 and the anode of the OLED element 11, and a control signal EN-i is supplied to the gate thereof. The control signal EN-i is at a high level during the light emission period in the drive mode, and the drive current is supplied to the OLED element 11 during the period.

また、駆動トランジスタNH1のソースと当該画素回路Pに隣接する画素回路Pのデータ線14との間にはトランジスタNT1が設けられており、OLED素子11の陽極と当該画素回路Pに隣接する画素回路Pの電位線17との間にはトランジスタNT2が設けられている。トランジスタNT1及びNT2のゲートは第4制御線L4と接続される。なお、G色の画素回路Pにあってはそれらのゲートが第3制御線L3に接続され、B色の画素回路Pにあってはそれらのゲートが第2制御線L2に接続される。   A transistor NT1 is provided between the source of the driving transistor NH1 and the data line 14 of the pixel circuit P adjacent to the pixel circuit P, and the pixel circuit adjacent to the anode of the OLED element 11 and the pixel circuit P. Between the P potential line 17, a transistor NT2 is provided. The gates of the transistors NT1 and NT2 are connected to the fourth control line L4. In the G pixel circuit P, the gates are connected to the third control line L3, and in the B pixel circuit P, the gates are connected to the second control line L2.

図3は、駆動モードにおける画素回路Pの動作を説明するためのタイミングチャートである。また、図4は、書込期間における画素回路Pの状態を示し、図5は、発光期間における画素回路Pの状態を示す。図3に示すように、走査信号EW−1、EW−2、…は、1水平走査期間1Hごとに順次ハイレベルとなる。各走査信号EWがハイレベルとなる期間が書込期間Twrtである。図4に示すように、書込期間Twrtにおいて、制御信号XEP−1はハイレベルとなるからトランジスタP1はオフ状態、走査信号EW-1はハイレベルとなるからトランジスタN2及びN3はオン状態、制御信号EN−1はローレベルとなるからトランジスタN1はオフ状態、制御信号ETR−1はローレベルとなるからトランジスタNT1及びNT2はオフ状態、となる。この結果、駆動トランジスタNH1のゲートにデータ信号D1が供給される一方、駆動トランジスタNH1のソースにR基準電位REF−Rが供給され、容量素子CH1によって電位差が保持される。   FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of the pixel circuit P in the drive mode. 4 shows the state of the pixel circuit P in the writing period, and FIG. 5 shows the state of the pixel circuit P in the light emission period. As shown in FIG. 3, the scanning signals EW-1, EW-2,... Sequentially become high level every horizontal scanning period 1H. A period during which each scanning signal EW is at a high level is a writing period Twrt. As shown in FIG. 4, in the writing period Twrt, the control signal XEP-1 is at a high level, so that the transistor P1 is in an off state, and the scanning signal EW-1 is at a high level, so that the transistors N2 and N3 are in an on state. Since the signal EN-1 is at a low level, the transistor N1 is in an off state, and the control signal ETR-1 is at a low level, so that the transistors NT1 and NT2 are in an off state. As a result, the data signal D1 is supplied to the gate of the drive transistor NH1, while the R reference potential REF-R is supplied to the source of the drive transistor NH1, and the potential difference is held by the capacitive element CH1.

また、図5に示すように、発光期間Telにおいて、制御信号XEP−1はローレベルとなるからトランジスタP1はオン状態、走査信号EW-1はローレベルとなるからトランジスタN2及びN3はオフ状態、制御信号EN−1はハイレベルとなるからトランジスタN1はオン状態、制御信号ETR−1はローレベルとなるからトランジスタNT1及びNT2はオフ状態となる。この結果、駆動トランジスタNH1のゲート及びソースはデータ線14及び電位線17から分離される。このとき、トランジスタP1を介して電源電圧VEL−Rが駆動トランジスタNH1のドレインに印加され、駆動電流IelがトランジスタN1を介してOLED素子11に流れ込む。駆動電流Ielの大きさは駆動トランジスタNH1のゲート・ソース間電圧に応じて定まり、データ信号D1は補正済階調データdhに基づいて生成したものであり、R基準電位REF−Rは固定である。したがって、駆動電流Ielは表示すべき階調に応じたものとなる。これにより、OLED素子11を所望の輝度で発光させることが可能となる。   Further, as shown in FIG. 5, in the light emission period Tel, the control signal XEP-1 is at a low level, so that the transistor P1 is on, and the scanning signal EW-1 is at a low level, so that the transistors N2 and N3 are in an off state. Since the control signal EN-1 is at a high level, the transistor N1 is on, and the control signal ETR-1 is at a low level, so that the transistors NT1 and NT2 are off. As a result, the gate and source of the driving transistor NH1 are separated from the data line 14 and the potential line 17. At this time, the power supply voltage VEL-R is applied to the drain of the drive transistor NH1 via the transistor P1, and the drive current Iel flows into the OLED element 11 via the transistor N1. The magnitude of the drive current Iel is determined according to the gate-source voltage of the drive transistor NH1, the data signal D1 is generated based on the corrected gradation data dh, and the R reference potential REF-R is fixed. . Therefore, the drive current Iel is in accordance with the gradation to be displayed. As a result, the OLED element 11 can emit light with a desired luminance.

次に、図6を参照して、測定制御回路50の具体的な構成を説明する。同図に示すように、測定制御回路50は、階調検出部52、測定対象選択部54、測定部56及び測定履歴メモリ58を含む。図6に図示された測定制御回路50の各部は、ひとつのICチップに搭載されてもよいし各々が別個のICチップに搭載されてもよい。   Next, a specific configuration of the measurement control circuit 50 will be described with reference to FIG. As shown in the figure, the measurement control circuit 50 includes a gradation detection unit 52, a measurement object selection unit 54, a measurement unit 56, and a measurement history memory 58. Each part of the measurement control circuit 50 shown in FIG. 6 may be mounted on one IC chip, or each may be mounted on a separate IC chip.

階調検出部52は、外部から順次に供給される階調データdから画素回路Pごとの階調値GRを検出する手段である。測定対象選択部54は、階調検出部52が検出した各画素回路Pの階調値GRに基づいて、画素領域Aに属する複数(m×n個)の画素回路Pのなかから測定処理の対象となる所定個の画素回路Pを選択する。本実施形態の測定対象選択部54は、階調値GRが閾値THを上回る画素回路Pを測定処理の対象として選択する。階調値GR(階調データdの数値)が大きいほど電気光学素子11の発光量は増加するから、測定対象選択部54は、駆動モードにおける駆動時の発光量が所定の閾値を上回る電気光学素子11を選択する手段としても把握される。   The gradation detector 52 is means for detecting a gradation value GR for each pixel circuit P from gradation data d sequentially supplied from the outside. The measurement target selection unit 54 performs measurement processing from a plurality (m × n) of pixel circuits P belonging to the pixel region A based on the gradation value GR of each pixel circuit P detected by the gradation detection unit 52. A predetermined number of target pixel circuits P are selected. The measurement target selection unit 54 of the present embodiment selects the pixel circuit P whose gradation value GR exceeds the threshold value TH as a measurement process target. Since the light emission amount of the electro-optical element 11 increases as the gradation value GR (the numerical value of the gradation data d) increases, the measurement target selection unit 54 performs electro-optics in which the light emission amount during driving in the drive mode exceeds a predetermined threshold value. It is grasped also as means for selecting the element 11.

測定部56は、画素領域Aに属する複数の画素回路Pのうち測定対象選択部54が選択した画素回路Pを対象として選択的に測定処理(測定信号Fの出力及び被測定信号Mの取得)を実行する手段である。測定部56は、第1に、測定処理の対象となる各画素回路Pを制御回路29に対して指定するとともに測定信号Fをデータ線駆動回路24に出力することで、階調値GRが閾値THを上回る画素回路Pを選択的に駆動し、第2に、測定信号Fを使用した駆動時における当該画素回路Pの構成要素の特性を示す被測定信号Mをデータ線駆動回路24を介して取得して補正回路30に出力する。換言すると、測定部56は、測定対象選択部54が選択していない画素回路Pに対する測定処理を禁止(停止)する手段である。   The measurement unit 56 selectively performs measurement processing (output of the measurement signal F and acquisition of the signal under measurement M) on the pixel circuit P selected by the measurement target selection unit 54 among the plurality of pixel circuits P belonging to the pixel region A. Is a means for executing. First, the measurement unit 56 designates each pixel circuit P to be subjected to measurement processing to the control circuit 29 and outputs the measurement signal F to the data line driving circuit 24, so that the gradation value GR becomes the threshold value. The pixel circuit P exceeding TH is selectively driven, and secondly, the signal under measurement M indicating the characteristics of the components of the pixel circuit P at the time of driving using the measurement signal F is passed through the data line driving circuit 24. Obtained and output to the correction circuit 30. In other words, the measurement unit 56 is means for prohibiting (stopping) measurement processing for the pixel circuits P that are not selected by the measurement target selection unit 54.

測定履歴メモリ58には画素回路Pごとに測定履歴データDLが格納される。ひとつの画素回路Pに対応した測定履歴データDLは、当該画素回路Pについて過去に測定処理が実行されたか否かを示すデータ(例えば1ビットのフラグ)である。RAM(Random Access Memory)やEEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)など各種の記憶回路が測定履歴メモリ58として好適に採用される。   The measurement history memory 58 stores measurement history data DL for each pixel circuit P. The measurement history data DL corresponding to one pixel circuit P is data (for example, a 1-bit flag) indicating whether or not a measurement process has been executed for the pixel circuit P in the past. Various storage circuits such as RAM (Random Access Memory) and EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) are suitably employed as the measurement history memory 58.

1垂直帰線期間内にて測定処理が完了すると、測定部56は、今回の測定処理の対象となった画素回路Pの測定履歴データDLを、測定処理の実行が完了していることを示す数値“1”にセットする。なお、電気光学装置1の電源が投入された直後や総ての画素回路Pの測定履歴データDLに数値“1”が設定された場合(すなわち総ての画素回路Pについて測定処理が完了した場合)には、総ての測定履歴データDLが、測定処理の未完了を示す数値“0”に初期化される。また、何れかの画素回路Pについて最後に測定処理を実行してから所定の時間が経過した場合に総ての測定履歴データDLが数値“0”に初期化される構成としてもよい。   When the measurement process is completed within one vertical blanking period, the measurement unit 56 indicates that the measurement history data DL of the pixel circuit P that is the object of the current measurement process has been executed. Set to the numerical value “1”. It should be noted that immediately after the electro-optical device 1 is turned on or when the numerical value “1” is set in the measurement history data DL of all the pixel circuits P (that is, when the measurement processing is completed for all the pixel circuits P). ), All the measurement history data DL are initialized to a numerical value “0” indicating that the measurement processing is not completed. Alternatively, all the measurement history data DL may be initialized to a numerical value “0” when a predetermined time has elapsed since the last measurement process was performed on any pixel circuit P.

ところで、測定処理の対象となる画素回路Pの個数が多過ぎると、1垂直帰線期間内に総ての画素回路Pについて測定処理が完了しない場合がある。また、多数の画素回路Pについて測定処理を実行するのに充分な時間を測定モードのために確保するとすれば、駆動モードにおいて実際に各画素回路Pの駆動に利用できる時間が制限されるという問題がある。そこで、本実施形態においては、測定処理の対象とされ得る画素回路Pが所定個に制限される。すなわち、測定部56は、測定対象選択部54の選択した画素回路Pの個数が所定値を上回る場合に、測定履歴メモリ58に格納された測定履歴データDLに基づいて、未だ測定処理が実行されていない画素回路Pについて優先的に測定処理を実行する。以上の構成によれば、ひとつの画素回路Pに対する測定処理の重複的な実行が回避されるから、1垂直帰線期間内に測定処理の対象とされる画素回路Pの個数を制限しながらも、複数の垂直帰線期間についてみれば多数の画素回路Pについて効率的に測定処理を実行することが可能となる。   By the way, if the number of pixel circuits P to be measured is too large, the measurement process may not be completed for all the pixel circuits P within one vertical blanking period. Further, if a sufficient time for executing the measurement process for a large number of pixel circuits P is secured for the measurement mode, the time that can be actually used for driving each pixel circuit P in the drive mode is limited. There is. Therefore, in the present embodiment, the number of pixel circuits P that can be subjected to measurement processing is limited to a predetermined number. That is, when the number of pixel circuits P selected by the measurement target selection unit 54 exceeds a predetermined value, the measurement unit 56 still performs measurement processing based on the measurement history data DL stored in the measurement history memory 58. The measurement process is preferentially executed for the pixel circuits P that are not. According to the above configuration, since redundant execution of measurement processing for one pixel circuit P is avoided, the number of pixel circuits P to be subjected to measurement processing within one vertical blanking period is limited. In view of a plurality of vertical blanking periods, it is possible to efficiently perform measurement processing for a large number of pixel circuits P.

次に、図7を参照して、切替回路25の詳細とその周辺回路の構成を説明する。切替回路25は、R色用のスイッチ群SWR、G色用のスイッチ群SWG、及びB色用のスイッチ群SWBを含む。各スイッチ群は5個のスイッチSr1〜Sr5、Sg1〜Sg5、Sb1〜Sb5を各々含む。これらのスイッチは、制御端子に供給される制御信号がハイレベルのときオン状態となり、ローレベルのときオフ状態となる。また、切替回路25は、R基準電位REF−Rが供給される基準電位線Lr、G基準電位REF−Gが供給される基準電位線Lg、及びB基準電位REF−Bが供給される基準電位線Lbを含んでおり、基準電位線Lr、Lg、及びLbはスイッチSr3、Sg3、及びSb3と各々接続されている。   Next, the details of the switching circuit 25 and the configuration of its peripheral circuits will be described with reference to FIG. The switching circuit 25 includes a switch group SWR for R color, a switch group SWG for G color, and a switch group SWB for B color. Each switch group includes five switches Sr1 to Sr5, Sg1 to Sg5, and Sb1 to Sb5. These switches are turned on when the control signal supplied to the control terminal is at a high level, and turned off when the control signal is at a low level. The switching circuit 25 also includes a reference potential line Lr to which the R reference potential REF-R is supplied, a reference potential line Lg to which the G reference potential REF-G is supplied, and a reference potential to which the B reference potential REF-B is supplied. The reference potential lines Lr, Lg, and Lb are connected to the switches Sr3, Sg3, and Sb3, respectively.

上述した駆動モードにおいては、制御信号VG−R、VG−G、及びVG−B、並びにVRE−R、VRE−G、及びVRE−Bがハイレベルとなり、他の制御信号はローレベルとなる。したがって、スイッチSr1、Sg1、及びSb1、並びにSr3、Sg3、及びSb3がオン状態となり、他のスイッチはオフ状態となる。すなわち、切替回路25は、駆動モードにおいて、複数のデータ線14と複数の入出力端子T1〜Tnとを接続すると共に、基準電位線Lr、Lg、及びLbと複数の電位線17とを各々接続する手段として機能する。   In the drive mode described above, the control signals VG-R, VG-G, and VG-B, and VRE-R, VRE-G, and VRE-B are at a high level, and the other control signals are at a low level. Therefore, the switches Sr1, Sg1, and Sb1, and Sr3, Sg3, and Sb3 are turned on, and the other switches are turned off. That is, in the drive mode, the switching circuit 25 connects the plurality of data lines 14 and the plurality of input / output terminals T1 to Tn, and connects the reference potential lines Lr, Lg, and Lb and the plurality of potential lines 17, respectively. Functions as a means to

図8に測定モードにおける各種の制御信号の真理値表を示す。1垂直帰線期間内の測定モードは、駆動トランジスタNH1の特性を測定する第1モードと、OLED素子11の特性を測定する第2モードとを含む。すなわち、1垂直帰線期間内に実行される測定処理は、測定対象選択部54が選択した各画素回路Pにおける駆動トランジスタNH1の特性の測定と、当該画素回路PにおけるOLED素子11の特性の測定とを含む。   FIG. 8 shows a truth table of various control signals in the measurement mode. The measurement modes within one vertical blanking period include a first mode for measuring the characteristics of the drive transistor NH1 and a second mode for measuring the characteristics of the OLED element 11. That is, the measurement process executed within one vertical blanking period includes measurement of characteristics of the drive transistor NH1 in each pixel circuit P selected by the measurement target selection unit 54 and measurement of characteristics of the OLED element 11 in the pixel circuit P. Including.

図9は、G色の画素回路Pが測定処理の対象として選択された場合の第1モードにおける動作を示す。図8の太枠で示すように制御信号XEP−iはローレベル、制御信号ETG−iはハイレベル、走査信号EW−iはハイレベルとなるから、図9に示すようにトランジスタP1、N2、N3はオン状態となり、トランジスタN1はオフ状態となる。さらに、電源電圧VEL−Gはオン(ハイレベル)、VEL−R及びVEL−Bはオフ(ローレベル)となるから、G色の画素回路PのトランジスタN4はオン状態となる一方、R色及びB色の画素回路PのトランジスタN4はオフ状態となる。くわえて、制御信号ETG−iがハイレベルとなるので、G色の画素回路PのトランジスタNT1及びNT2がオン状態となる。一方、制御信号ETR−i及びETB−iがローレベルとなるので、R色及びB色の画素回路PのトランジスタNT1及びNT2がオフ状態となる。   FIG. 9 shows the operation in the first mode when the G-color pixel circuit P is selected as the object of the measurement process. Since the control signal XEP-i is at the low level, the control signal ETG-i is at the high level, and the scanning signal EW-i is at the high level as shown by the thick frame in FIG. 8, the transistors P1, N2, N3 is turned on, and the transistor N1 is turned off. Further, since the power supply voltage VEL-G is turned on (high level) and VEL-R and VEL-B are turned off (low level), the transistor N4 of the G color pixel circuit P is turned on, while the R color and The transistor N4 of the B-color pixel circuit P is turned off. In addition, since the control signal ETG-i becomes high level, the transistors NT1 and NT2 of the G-color pixel circuit P are turned on. On the other hand, since the control signals ETR-i and ETB-i are at a low level, the transistors NT1 and NT2 of the R and B pixel circuits P are turned off.

次に、切替回路25に供給される制御信号VG-G、VM−G、及びVFIM−Gはハイレベルとなり、他の制御信号はローレベルとなる。したがって、図9に示すようにスイッチ群SWGのスイッチSg1及びSg4がオン状態になると共に、スイッチ群SWBのスイッチSb5がオン状態となる。
このとき、ゲート電圧VGINが、測定信号Fとして、入出力端子T2→スイッチSg1→G色の画素回路に対応するデータ線14(G)→トランジスタN2→駆動トランジスタNH1のゲートの経路で印加される。また、ソース電圧VSINが、測定信号Fとして、入出力端子T4→スイッチSb5→B色の画素回路に対応するデータ線14(B)→トランジスタNT1→駆動トランジスタNH1のソースの経路で印加される。さらに、駆動トランジスタNH1のソース電圧VSが被測定信号Mとして、駆動トランジスタNH1のソース→トランジスタN4→トランジスタN3→G色の画素回路に対応する電位線17(G)→スイッチSg4→入出力端子T3の経路で取り出される。
Next, the control signals VG-G, VM-G, and VFIM-G supplied to the switching circuit 25 are at a high level, and the other control signals are at a low level. Accordingly, as shown in FIG. 9, the switches Sg1 and Sg4 of the switch group SWG are turned on, and the switch Sb5 of the switch group SWB is turned on.
At this time, the gate voltage VGIN is applied as the measurement signal F through the path of the input / output terminal T 2 → switch Sg 1 → data line 14 (G) corresponding to the G color pixel circuit → transistor N 2 → gate transistor NH 1. . The source voltage VSIN is applied as the measurement signal F through the source path of the input / output terminal T4 → the switch Sb5 → the data line 14 (B) corresponding to the B color pixel circuit → the transistor NT1 → the drive transistor NH1. Further, the source voltage VS of the driving transistor NH1 is the signal under measurement M, and the source of the driving transistor NH1 → the transistor N4 → the transistor N3 → the potential line 17 (G) corresponding to the G color pixel circuit → the switch Sg4 → the input / output terminal T3. It is taken out by the route.

図11(A)に駆動トランジスタNH1の特性測定の回路を簡略化して示す。この図に示すように入出力端子T2及びT4を介して測定信号F(VGIN、VSIN)が供給され、入出力端子T3を介して被測定信号M(VS)が出力される。また、入出力端子T4の経路には電流計が設けられており、電流が測定される。これによって、駆動トランジスタNH1の電圧−電流特性が測定される。   FIG. 11A shows a simplified circuit for measuring characteristics of the driving transistor NH1. As shown in this figure, the measurement signal F (VGIN, VSIN) is supplied through the input / output terminals T2 and T4, and the signal under measurement M (VS) is output through the input / output terminal T3. In addition, an ammeter is provided in the path of the input / output terminal T4, and current is measured. Thereby, the voltage-current characteristic of the driving transistor NH1 is measured.

駆動モードにおいては、図9に示す入出力端子T2からG色のデータ信号をデータ線14(G)に向けて出力すると共に、電位線17(G)に向けてG基準電位REF−Gを出力した。これに対して第1モードでは、G色の画素回路Pの駆動トランジスタNH1の特性を測定するに際して、データ線14(G)及び電位線17(G)の他に、データ線14(G)と隣接するデータ線14(B)を用いて、測定信号F及び被測定信号Mが入出力される。以上のように測定用の配線と駆動用の配線を兼用することにより、配線数を削減することができる。   In the drive mode, a G-color data signal is output from the input / output terminal T2 shown in FIG. 9 toward the data line 14 (G), and a G reference potential REF-G is output toward the potential line 17 (G). did. On the other hand, in the first mode, when measuring the characteristics of the drive transistor NH1 of the G pixel circuit P, in addition to the data line 14 (G) and the potential line 17 (G), the data line 14 (G) The measurement signal F and the signal under measurement M are input / output using the adjacent data line 14 (B). As described above, the number of wirings can be reduced by combining the measurement wiring and the driving wiring.

図10は、G色の画素回路Pが測定処理の対象として選択された場合の第2モードにおける動作を示す。図8の太枠で示すように制御信号EN−iはハイレベルとなるから、図9に示すようにトランジスタN1はオン状態となり、トランジスタP1、N2、N3はオフ状態となる。さらに、電源電圧VEL−Gはオン(ハイレベル)、VEL−R及びVEL−Bはオフ(ローレベル)となるから、G色の画素回路PのトランジスタN4はオン状態となる一方、R色及びB色の画素回路PのトランジスタN4はオフ状態となる。くわえて、制御信号ETG−iがハイレベルとなるので、G色の画素回路PのトランジスタNT1及びNT2がオン状態となる。一方、制御信号ETR−i及びETB−iがローレベルとなるので、R色及びB色の画素回路PのトランジスタNT1及びNT2がオフ状態となる。   FIG. 10 shows an operation in the second mode when the G pixel circuit P is selected as a measurement processing target. Since the control signal EN-i is at a high level as shown by a thick frame in FIG. 8, the transistor N1 is turned on and the transistors P1, N2, and N3 are turned off as shown in FIG. Further, since the power supply voltage VEL-G is turned on (high level) and VEL-R and VEL-B are turned off (low level), the transistor N4 of the G color pixel circuit P is turned on, while the R color and The transistor N4 of the B-color pixel circuit P is turned off. In addition, since the control signal ETG-i becomes high level, the transistors NT1 and NT2 of the G-color pixel circuit P are turned on. On the other hand, since the control signals ETR-i and ETB-i are at a low level, the transistors NT1 and NT2 of the R and B pixel circuits P are turned off.

次に、切替回路25に供給される制御信号VMOL-G及びVFIM−Gはハイレベルとなり、他の制御信号はローレベルとなる。したがって、図10に示すようにスイッチ群SWBのスイッチSb2及びSb5がオン状態になる。
このとき、印加電圧VFが、測定信号Fとして、入出力端子T4→スイッチSb5→B色の画素回路に対応するデータ線14(B)→トランジスタNT1→トランジスタN1→OLED素子11の陽極の経路で印加される。また、OLED素子11の陽極の電圧VMが、被測定信号Mとして、OLED素子11の陽極→トランジスタNT2→B色の画素回路に対応する電位線17(B)→スイッチSb2→入出力端子T3の経路で取り出される。
Next, the control signals VMOL-G and VFIM-G supplied to the switching circuit 25 are at a high level, and the other control signals are at a low level. Therefore, as shown in FIG. 10, the switches Sb2 and Sb5 of the switch group SWB are turned on.
At this time, the applied voltage VF is the measurement signal F as a path of the anode of the input / output terminal T4 → switch Sb5 → data line 14 (B) corresponding to the pixel circuit of B color → transistor NT1 → transistor N1 → OLED element 11. Applied. Further, the voltage VM of the anode of the OLED element 11 is, as the signal to be measured M, the anode of the OLED element 11 → the transistor NT2 → the potential line 17 (B) corresponding to the B color pixel circuit → the switch Sb2 → the input / output terminal T3. Retrieved by route.

図11(B)にOLED素子11の特性測定の回路を簡略化して示す。この図に示すように入出力端子T4を介して測定信号F(VF)が供給され、入出力端子T3を介して被測定信号M(VM)が出力される。また、入出力端子T4の経路には電流計が設けられており、電流が測定される。これによって、OLED素子11の電圧−電流特性が測定される。   FIG. 11B shows a simplified circuit for measuring characteristics of the OLED element 11. As shown in this figure, the measurement signal F (VF) is supplied through the input / output terminal T4, and the signal under measurement M (VM) is output through the input / output terminal T3. In addition, an ammeter is provided in the path of the input / output terminal T4, and current is measured. Thereby, the voltage-current characteristic of the OLED element 11 is measured.

第2モードは、G色の画素回路のOLED素子11の特性を測定するに際して、データ線14(B)及び電位線17(B)を用いて測定信号F及び被測定信号Mを入出力したので、測定用の配線と駆動用の配線を兼用して、配線数を削減することができる。また、2個の入出力端子T3及びT4を用いて、測定信号F及び被測定信号Mを入出力した。この結果、駆動用とは別に測定用の入出力端子を設ける必要がなくなる。   In the second mode, when the characteristics of the OLED element 11 of the G color pixel circuit are measured, the measurement signal F and the signal under measurement M are input and output using the data line 14 (B) and the potential line 17 (B). The number of wirings can be reduced by using both the measurement wiring and the driving wiring. Further, the measurement signal F and the signal under measurement M were input / output using the two input / output terminals T3 and T4. As a result, it is not necessary to provide a measurement input / output terminal separately from the drive.

以上のように本実施形態においては、相隣接する各画素回路Pのデータ線14や電位線17を用いることによって、入出力端子T1〜Tnを増設することなく、測定信号(F)及び被測定信号(M)が伝送される。したがって、測定用の入出力端子に測定装置を接続して信号の送受信を実行する必要がなくなり、駆動モードで使用する入出力端子T1〜Tnを用いて特性の測定を実行することができる。この構成によれば、電気光学装置1の完成後であっても駆動トランジスタNH1やOLED素子11の特性を測定し、その測定結果に基づいて輝度が均一になるように補正を行うことができる。   As described above, in this embodiment, by using the data line 14 and the potential line 17 of each pixel circuit P adjacent to each other, the measurement signal (F) and the measured signal can be obtained without adding the input / output terminals T1 to Tn. A signal (M) is transmitted. Therefore, it is not necessary to connect the measuring device to the measurement input / output terminal to execute signal transmission / reception, and the characteristic measurement can be performed using the input / output terminals T1 to Tn used in the drive mode. According to this configuration, even after the electro-optical device 1 is completed, the characteristics of the driving transistor NH1 and the OLED element 11 can be measured, and correction can be performed so that the luminance becomes uniform based on the measurement result.

さらに、総ての画素回路Pのうち測定対象選択部54の選択した画素回路Pについて選択的に測定処理が実行されるから、画素領域Aの全部の画素回路Pについて一律に測定処理が実行される構成と比較して、測定処理に必要な時間が短縮されるという利点がある。測定処理の時間が短縮されるということは、駆動モードにおいてOLED素子11の本来の駆動(階調データdに応じた駆動)に利用できる時間が充分に確保できることを意味する。したがって、本実施形態によれば、OLED素子11を充分な発光量で発光させることができる。   Further, since the measurement process is selectively performed on the pixel circuits P selected by the measurement target selection unit 54 among all the pixel circuits P, the measurement process is uniformly performed on all the pixel circuits P in the pixel region A. There is an advantage that the time required for the measurement process is shortened as compared with the configuration. The reduction of the measurement processing time means that a sufficient time can be secured for the original driving of the OLED element 11 (driving according to the gradation data d) in the driving mode. Therefore, according to the present embodiment, the OLED element 11 can emit light with a sufficient light emission amount.

ところで、測定モードの第2モードにおいて、OLED素子11は、図10や図11(B)に示すように測定処理時に電流が供給されることで発光する。したがって、例えば階調データdに拘わらず総ての画素回路Pが測定処理の対象とされる構成においては、駆動モードで消灯していたOLED素子11が垂直帰線期間における測定処理に際して発光するといった具合に、駆動モードと測定モードとでOLED素子11の階調の相違が顕著となる。これに対し、本実施形態においては、階調値GRが小さい画素回路P(すなわち発光量が少ない画素回路P)については測定処理が実行されず、階調値GRが大きい画素回路P(すなわち発光量が多い画素回路P)について選択的に測定処理が実行される。すなわち、駆動モードにて所定値を上回る発光量で発光していたOLED素子11が測定処理に際して追加的に発光するに過ぎないから、測定処理におけるOLED素子11の発光が利用者に知覚されにくいという利点がある。   By the way, in the second mode of the measurement mode, the OLED element 11 emits light when current is supplied during the measurement process as shown in FIG. 10 and FIG. Therefore, for example, in the configuration in which all the pixel circuits P are subjected to the measurement process regardless of the gradation data d, the OLED element 11 that has been turned off in the drive mode emits light during the measurement process in the vertical blanking period. In particular, the gradation difference of the OLED element 11 becomes significant between the drive mode and the measurement mode. On the other hand, in the present embodiment, the pixel circuit P having a small gradation value GR (that is, the pixel circuit P having a small light emission amount) is not subjected to the measurement process, and the pixel circuit P having a large gradation value GR (that is, the light emission). A measurement process is selectively performed on the pixel circuit P) having a large amount. That is, since the OLED element 11 that has emitted light with a light emission amount exceeding a predetermined value in the driving mode only emits additional light during the measurement process, it is difficult for the user to perceive the light emission of the OLED element 11 in the measurement process. There are advantages.

<B:第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第1実施形態においては、測定対象選択部54による選択の基準となる閾値THが固定値とされた構成を例示した。これに対して本実施形態においては閾値THが可変に制御される。
<B: Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment, the configuration in which the threshold value TH serving as a reference for selection by the measurement target selection unit 54 is a fixed value is exemplified. On the other hand, in the present embodiment, the threshold value TH is variably controlled.

測定処理に伴なうOLED素子11の発光が利用者に知覚され易いか否かは、電気光学装置1が使用される環境の照度(以下「環境照度」という)や電気光学装置1が表示する画像の明度(以下「画像明度」という)に依存する。すなわち、測定モードにおける発光は、環境照度や画像明度が低い場合(暗い場合)には利用者に明確に知覚されるが、環境照度や画像明度が高い場合(明るい場合)には目立ちにくいといった具合である。そこで、以下の各態様に例示するように、環境照度や画像明度を検知した結果に基づいて閾値THを可変に制御する構成が採用される。   Whether the light emission of the OLED element 11 associated with the measurement process is easily perceived by the user is displayed by the illuminance of the environment in which the electro-optical device 1 is used (hereinafter referred to as “environmental illuminance”) or the electro-optical device 1. It depends on the brightness of the image (hereinafter referred to as “image brightness”). In other words, the light emission in the measurement mode is clearly perceived by the user when the ambient illuminance or image brightness is low (when dark), but is not noticeable when the ambient illuminance or image brightness is high (when bright). It is. Therefore, as exemplified in the following embodiments, a configuration is employed in which the threshold value TH is variably controlled based on the result of detecting the environmental illuminance and the image brightness.

<B−1:第1の態様>
図12は、第1の態様に係る電気光学装置1の測定対象選択部54の構成を示すブロック図である。同図に示すように、測定対象選択部54は、明度特定部541と閾値設定部544Aと比較部546とを含む。
<B-1: First aspect>
FIG. 12 is a block diagram illustrating a configuration of the measurement target selection unit 54 of the electro-optical device 1 according to the first aspect. As shown in the figure, the measurement target selection unit 54 includes a brightness specifying unit 541, a threshold setting unit 544A, and a comparison unit 546.

明度特定部541は、画像明度L1を特定する手段である。複数の画素回路Pの階調値GRの平均値を画像明度L1として算定する回路が明度特定部541として好適に採用される。例えば、明度特定部541は、画素領域Aに属する総ての画素回路Pの階調値GRの平均値や画素領域Aの特定の部分に属する画素回路Pの階調値GRの平均値を画像明度L1として特定する。なお、明度特定部541は、ひとつの垂直走査期間(フレーム期間)について階調値GRの平均値を算定してもよいし、複数の垂直走査期間にわたる階調値GRの平均値を算定してもよい。また、例えば、基準値を上回る階調値GRの個数を画像明度L1として特定する手段を明度特定部541として採用してもよい。   The brightness specifying unit 541 is a means for specifying the image brightness L1. A circuit that calculates the average value of the gradation values GR of the plurality of pixel circuits P as the image brightness L1 is suitably employed as the brightness specifying unit 541. For example, the brightness specifying unit 541 displays the average value of the gradation values GR of all the pixel circuits P belonging to the pixel area A and the average value of the gradation values GR of the pixel circuits P belonging to a specific part of the pixel area A as an image. It is specified as lightness L1. The brightness specifying unit 541 may calculate the average value of the gradation values GR for one vertical scanning period (frame period), or may calculate the average value of the gradation values GR over a plurality of vertical scanning periods. Also good. For example, a means for specifying the number of gradation values GR exceeding the reference value as the image brightness L1 may be employed as the brightness specifying unit 541.

閾値設定部544Aは、明度特定部541が特定した画像明度L1に基づいて閾値THを設定する手段である。さらに詳述すると、閾値設定部544Aは、画像明度L1が低いほど閾値THが増加する(画像明度L1が高いほど閾値THが減少する)ように閾値THを設定する。閾値設定部544Aは、例えば、画像明度L1と閾値THとが対応づけられたテーブルから、明度特定部541が特定した画像明度L1に対応する閾値THを検索して出力する。なお、画像明度L1を引数とする所定の演算式に基づいて閾値THを算定する回路を閾値設定部544Aとして採用してもよい。   The threshold setting unit 544A is means for setting the threshold TH based on the image brightness L1 specified by the brightness specifying unit 541. More specifically, the threshold setting unit 544A sets the threshold TH such that the threshold TH increases as the image brightness L1 decreases (the threshold TH decreases as the image brightness L1 increases). For example, the threshold setting unit 544A searches and outputs the threshold TH corresponding to the image brightness L1 specified by the brightness specifying unit 541 from a table in which the image brightness L1 and the threshold TH are associated with each other. Note that a circuit that calculates the threshold value TH based on a predetermined arithmetic expression using the image brightness L1 as an argument may be employed as the threshold value setting unit 544A.

比較部546は、階調検出部52から順次に供給される階調値GRと閾値設定部544Aが設定した閾値THとを比較し、階調値GRが閾値THを上回る画素回路Pを測定処理の対象として選択する。画像明度L1が低いほど閾値THは増加するから、測定処理の対象となる画素回路Pの個数は減少する。換言すると、画像明度L1が高いほど、測定処理の対象となる画素回路Pの個数は増加する。したがって、測定処理に伴なう発光が利用者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる画素回路Pの個数を効率的に確保することで各OLED素子11の階調のムラを有効に抑制できる。   The comparison unit 546 compares the gradation value GR sequentially supplied from the gradation detection unit 52 with the threshold value TH set by the threshold value setting unit 544A, and performs a measurement process on the pixel circuit P in which the gradation value GR exceeds the threshold value TH. Select as the target of Since the threshold value TH increases as the image brightness L1 decreases, the number of pixel circuits P to be subjected to measurement processing decreases. In other words, the higher the image brightness L1, the greater the number of pixel circuits P to be measured. Therefore, the unevenness of gradation of each OLED element 11 is ensured by efficiently ensuring the number of pixel circuits P to be subjected to the measurement process while maintaining the state in which the light emission associated with the measurement process is not easily perceived by the user. Can be effectively suppressed.

<B−2:第2の態様>
図13は、第2の態様に係る測定対象選択部54の構成を示すブロック図である。同図に示すように、測定対象選択部54は、照度測定部542と閾値設定部544Bと比較部546とを含む。
<B-2: Second aspect>
FIG. 13 is a block diagram illustrating a configuration of the measurement target selection unit 54 according to the second aspect. As shown in the figure, the measurement target selection unit 54 includes an illuminance measurement unit 542, a threshold setting unit 544B, and a comparison unit 546.

照度測定部542は、電気光学装置1の環境照度L2を測定する。電気光学装置1の周囲の照度や電気光学パネル10の表示面の照度を環境照度L2として測定する照度センサが照度測定部542として好適に採用される。照度測定部542は、例えば、電気光学パネル10の表示面の近傍や電気光学パネル10の周辺部(枠状の筐体)に設置される。また、電気光学装置1が設置される室空間の壁面や電気光学装置1の表示画像を視認する観察者の近傍など、電気光学装置1から離間した位置に照度測定部542を設置してもよい。   The illuminance measuring unit 542 measures the environmental illuminance L2 of the electro-optical device 1. An illuminance sensor that measures the illuminance around the electro-optical device 1 and the illuminance on the display surface of the electro-optical panel 10 as the environmental illuminance L 2 is suitably employed as the illuminance measuring unit 542. The illuminance measuring unit 542 is installed, for example, in the vicinity of the display surface of the electro-optical panel 10 or in the peripheral part (frame-shaped housing) of the electro-optical panel 10. Further, the illuminance measuring unit 542 may be installed at a position separated from the electro-optical device 1 such as a wall surface of a room space where the electro-optical device 1 is installed or a vicinity of an observer who visually recognizes a display image of the electro-optical device 1. .

閾値設定部544Bは、照度測定部542が測定した環境照度L2に基づいて閾値THを設定する手段である。例えば、閾値設定部544Bは、環境照度L2が低いほど閾値THが増加する(環境照度L2が高いほど閾値THが減少する)ように閾値THを設定する。閾値設定部544Bは、図12の閾値設定部544Aと同様に、環境照度L2に対応する閾値THをテーブルから特定する手段であってもよいし、環境照度L2を引数とする所定の演算式に基づいて閾値THを算定する手段であってもよい。   The threshold setting unit 544B is means for setting the threshold TH based on the environmental illuminance L2 measured by the illuminance measuring unit 542. For example, the threshold setting unit 544B sets the threshold TH such that the threshold TH increases as the environmental illuminance L2 decreases (the threshold TH decreases as the environmental illuminance L2 increases). Similarly to the threshold setting unit 544A of FIG. 12, the threshold setting unit 544B may be a means for specifying the threshold TH corresponding to the environmental illuminance L2 from the table, or a predetermined arithmetic expression using the environmental illuminance L2 as an argument. A means for calculating the threshold TH based on the threshold may be used.

比較部546は、各画素回路Pの階調値GRと閾値設定部544Bが設定した閾値THとを比較し、階調値GRが閾値THを上回る画素回路Pを測定処理の対象として選択する。環境照度L2が低いほど閾値THは増加するから、測定処理の対象となる画素回路Pの個数は減少する。換言すると、環境照度L2が高いほど、測定処理の対象となる画素回路Pの個数は増加する。したがって、第1の態様と同様に、測定処理に伴なう発光が利用者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる画素回路Pの個数を効率的に確保することが可能である。   The comparison unit 546 compares the gradation value GR of each pixel circuit P with the threshold value TH set by the threshold value setting unit 544B, and selects the pixel circuit P whose gradation value GR exceeds the threshold value TH as a measurement processing target. Since the threshold value TH increases as the ambient illuminance L2 decreases, the number of pixel circuits P to be measured decreases. In other words, the higher the ambient illuminance L2, the greater the number of pixel circuits P that are the objects of measurement processing. Therefore, as in the first aspect, it is possible to efficiently secure the number of pixel circuits P to be subjected to the measurement process while maintaining a state in which light emission associated with the measurement process is not easily perceived by the user. It is.

<B−3:第3の態様>
図14は、第1の態様と第2の態様とを組み合わせた第3の態様である。同図に示すように、測定対象選択部54は、明度特定部541と照度測定部542と閾値設定部544Cと比較部546とを具備する。明度特定部541および照度測定部542の構成や機能は第1の態様や第2の態様と同様である。
<B-3: Third aspect>
FIG. 14 shows a third mode in which the first mode and the second mode are combined. As shown in the figure, the measurement target selection unit 54 includes a brightness specifying unit 541, an illuminance measurement unit 542, a threshold setting unit 544C, and a comparison unit 546. The configurations and functions of the lightness specifying unit 541 and the illuminance measuring unit 542 are the same as those in the first mode and the second mode.

閾値設定部544Cは、明度特定部541が特定した画像明度L1と照度測定部542が測定した環境照度L2とに基づいて閾値THを制御する。例えば、閾値設定部544Cは、画像明度L1または環境照度L2が低いほど閾値THを増加させる。比較部546は、第1の態様や第2の態様と同様に、階調値GRが閾値THを上回る画素回路Pを測定処理の対象として選択する。   The threshold setting unit 544C controls the threshold TH based on the image brightness L1 specified by the brightness specifying unit 541 and the environmental illuminance L2 measured by the illuminance measuring unit 542. For example, the threshold setting unit 544C increases the threshold TH as the image brightness L1 or the environmental illuminance L2 is lower. Similar to the first mode and the second mode, the comparison unit 546 selects the pixel circuit P in which the gradation value GR exceeds the threshold value TH as a measurement processing target.

図14の構成においても、測定処理の対象となる画素回路Pの個数は、画像明度L1や環境照度L2が低いほど減少する。したがって、測定処理に伴なう発光が利用者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる画素回路Pの個数を効率的に確保することが可能である。   In the configuration of FIG. 14 as well, the number of pixel circuits P to be subjected to measurement processing decreases as the image brightness L1 and environmental illuminance L2 decrease. Therefore, it is possible to efficiently secure the number of pixel circuits P to be subjected to measurement processing while maintaining a state in which light emission associated with the measurement processing is hardly perceived by the user.

<C:変形例>
以上の各形態に対しては種々の変形が加えられる。具体的な変形の態様を挙げれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせた構成も採用される。
<C: Modification>
Various modifications are added to the above-described embodiments. Specific modifications are as follows. In addition, the structure which combined each following aspect suitably is also employ | adopted.

(1)実施形態においては、階調データdに応じて選択的に測定処理を実行することで駆動モードと測定モードとにおけるOLED素子11の階調の相違を抑制する構成を例示した。一方、駆動トランジスタNH1の特性を測定する第1モードにおいては、図9に示したようにトランジスタN1がオフ状態とされることで電流の供給が遮断されるから、OLED素子11は発光しない。したがって、駆動モードと測定モードとでOLED素子11の階調の相違を抑制するという観点のみからすると、測定処理の対象を階調データdに応じて制限する動作は第2モードのみ充分である。すなわち、第1モードにおいては総ての画素回路Pについて順次に測定処理を実行してもよい。例えば、第1モードにおいては、第1行、第2行、…、第m行を順番に測定処理の対象とする一方、各行の測定処理においては、当該行に属する全ての画素回路Pを同時に測定するのではなく、R色の画素回路P、G色の画素回路P、B色の画素回路Pの順で測定を行うといった構成が採用される。換言すれば、各行の画素回路Pを3個ずつ選択して測定処理の対象としながら、測定の対象となる画素回路をずらして測定を3回繰り返す。なお、この例では、3回の測定であるが、より一般的には、N(Nは2以上の自然数)個の画素回路Pおきに測定し、測定の対象となる画素回路Pをずらして測定をN回繰り返してもよい。もっとも、測定モードに必要な時間を短縮するという観点からすれば、実施形態のように第1モード及び第2モードの双方において、階調データdに応じて選択的に測定処理を実行する構成が好適である。 (1) In the embodiment, the configuration that suppresses the difference in gradation of the OLED element 11 between the drive mode and the measurement mode by selectively executing the measurement process according to the gradation data d has been exemplified. On the other hand, in the first mode in which the characteristics of the driving transistor NH1 are measured, as shown in FIG. 9, since the supply of current is cut off by turning off the transistor N1, the OLED element 11 does not emit light. Therefore, only from the viewpoint of suppressing the difference in gradation of the OLED element 11 between the drive mode and the measurement mode, only the second mode is sufficient to limit the object of the measurement process according to the gradation data d. That is, in the first mode, the measurement process may be sequentially performed on all the pixel circuits P. For example, in the first mode, the first row, the second row,..., The m-th row are subjected to measurement processing in order, while in the measurement processing for each row, all the pixel circuits P belonging to the row are simultaneously processed. Instead of measuring, a configuration is adopted in which measurement is performed in the order of the R pixel circuit P, the G pixel circuit P, and the B pixel circuit P. In other words, three pixel circuits P in each row are selected to be the object of measurement processing, and the measurement is repeated three times by shifting the pixel circuit to be measured. In this example, the measurement is performed three times, but more generally, measurement is performed every N (N is a natural number of 2 or more) pixel circuits P, and the pixel circuit P to be measured is shifted. The measurement may be repeated N times. However, from the viewpoint of shortening the time required for the measurement mode, there is a configuration in which the measurement process is selectively executed according to the gradation data d in both the first mode and the second mode as in the embodiment. Is preferred.

(2)以上の形態においては、各画素回路Pに共通の測定信号Fが供給される構成(すなわち測定処理の対象となる画素回路Pが第2モードにおいて階調データdに拘わらず同じ階調となる構成)を例示したが、階調データdに応じて測定信号Fを相違させる構成も採用される。例えば、階調データdによって低階調が指定された場合ほど測定信号Fの電圧値が低くなるように測定部56が測定信号Fを制御する構成が採用される。すなわち、階調データdによって低階調が指定された場合ほど、測定モードにおいてOLED素子11は低階調(暗い階調)に制御される。例えば、閾値THを上回る階調値GR1が階調データdによって指定された場合に、階調値GR1を上回る(したがって閾値THを上回る)階調値GR2が指定された場合と比較して、測定処理時のOLED素子11の階調が低階調となるように、測定信号Fが生成される。以上の構成によれば、駆動モードにおけるOLED素子11の階調と測定モード(第2モード)におけるOLED素子11の階調との相違をさらに低減することが可能である。 (2) In the above embodiment, a configuration in which the common measurement signal F is supplied to each pixel circuit P (that is, the pixel circuit P to be subjected to measurement processing has the same gradation regardless of the gradation data d in the second mode). However, a configuration in which the measurement signal F is made different according to the gradation data d is also employed. For example, a configuration is adopted in which the measurement unit 56 controls the measurement signal F so that the voltage value of the measurement signal F becomes lower as the lower gradation is designated by the gradation data d. That is, as the low gradation is designated by the gradation data d, the OLED element 11 is controlled to a low gradation (dark gradation) in the measurement mode. For example, when the gradation value GR1 exceeding the threshold value TH is designated by the gradation data d, the measurement is performed as compared with the case where the gradation value GR2 exceeding the gradation value GR1 (and thus exceeding the threshold value TH) is designated. The measurement signal F is generated so that the gradation of the OLED element 11 at the time of processing becomes a low gradation. According to the above configuration, the difference between the gradation of the OLED element 11 in the drive mode and the gradation of the OLED element 11 in the measurement mode (second mode) can be further reduced.

(3)測定モードにおける測定処理の有無に応じてデータ信号Dを補正する構成としてもよい。例えば、測定処理の対象として選択される画素回路PのOLED素子11を駆動モードにて駆動するときの階調が、当該画素回路Pの非選択の場合にOLED素子11を駆動モードにて駆動するときの階調と比較して低階調となるように、データ信号Dを調整する構成が採用される。例えば、測定処理の対象となるOLED素子11の駆動モードにおける発光量が、階調データd(補正済階調データdh)に対応した発光量から測定モードにおける発光量分を減算した発光量となるように、測定処理の有無に応じてデータ信号Dが調整される。データ信号Dの調整は、データ線駆動回路24が実行してもよいし、補正回路30が階調データdを補正することで実現してもよい。 (3) The data signal D may be corrected according to the presence or absence of measurement processing in the measurement mode. For example, the OLED element 11 is driven in the drive mode when the gradation when the OLED element 11 of the pixel circuit P selected as the measurement processing target is driven in the drive mode is not selected. A configuration is adopted in which the data signal D is adjusted so that the gray level is lower than the current gray level. For example, the light emission amount in the drive mode of the OLED element 11 to be measured is the light emission amount obtained by subtracting the light emission amount in the measurement mode from the light emission amount corresponding to the gradation data d (corrected gradation data dh). Thus, the data signal D is adjusted according to the presence or absence of the measurement process. The adjustment of the data signal D may be executed by the data line driving circuit 24 or may be realized by the correction circuit 30 correcting the gradation data d.

以上の構成によれば、駆動モードにおける発光量と測定モードにおける発光量との総和が階調データdに応じた本来の発光量に調整される。したがって、測定モードにおけるOLED素子11の発光を利用者に知覚されにくくすることが可能である。なお、駆動モードにてOLED素子11が低階調(暗い階調)に駆動される場合には、測定モードにおけるOLED素子11の発光が利用者に特に顕著に知覚される。したがって、階調データd(または補正済階調データdh)の指定する階調が所定の閾値(可変または固定)と比較して小さい場合に限って駆動モードにおけるOLED素子11の発光量を減少させる構成も採用される。   According to the above configuration, the sum of the light emission amount in the drive mode and the light emission amount in the measurement mode is adjusted to the original light emission amount according to the gradation data d. Therefore, it is possible to make it difficult for the user to perceive the light emission of the OLED element 11 in the measurement mode. Note that when the OLED element 11 is driven to a low gradation (dark gradation) in the drive mode, the light emission of the OLED element 11 in the measurement mode is particularly noticeable to the user. Therefore, the light emission amount of the OLED element 11 in the drive mode is reduced only when the gradation specified by the gradation data d (or the corrected gradation data dh) is smaller than a predetermined threshold (variable or fixed). A configuration is also adopted.

(4)データ信号Dの伝送と測定信号F及び被測定信号Mの伝送とにデータ線14が兼用される構成は本発明において必須の要件ではない。すなわち、測定信号Fや被測定信号Mを各画素回路Pに伝送するための配線がデータ線14とは別個に形成された構成も採用される。 (4) The configuration in which the data line 14 is used for the transmission of the data signal D and the transmission of the measurement signal F and the signal under measurement M is not an essential requirement in the present invention. That is, a configuration in which wiring for transmitting the measurement signal F and the signal under measurement M to each pixel circuit P is formed separately from the data line 14 is also employed.

(5)トランジスタNT1及びNT2のオン・オフを電源電圧VEL−R、VEL−G、VEL−Bによって制御してもよい。例えば、図15に示す画素回路Pを採用することができる。この場合、トランジスタNT1及びNT2のゲートには電源電圧VEL−Rが供給されるので、電源電圧VEL−Rを有効にするか否かによってトランジスタNT1及びNT2のオン・オフを制御することができる。 (5) The transistors NT1 and NT2 may be turned on / off by the power supply voltages VEL-R, VEL-G, and VEL-B. For example, the pixel circuit P shown in FIG. 15 can be employed. In this case, since the power supply voltage VEL-R is supplied to the gates of the transistors NT1 and NT2, on / off of the transistors NT1 and NT2 can be controlled depending on whether the power supply voltage VEL-R is valid.

(6)実施形態の第1モードでは、駆動トランジスタNH1のソース電圧VSを被測定信号Mとして出力したが、これに加えてドレイン電圧を測定してもよい。例えば、図16に示す画素回路Pを採用することができる。この場合には、電位線17に沿って測定用配線18が形成されおり、配線18と駆動トランジスタNH1のドレインとの間にPチャネル型のトランジスタP2が設けられる。トランジスタP2のゲートには制御線L6を介して制御信号XETP−1が供給される。制御信号XETP−1をローレベルに設定することによって、駆動トランジスタNH1のドレイン電圧を被測定信号Mとして、配線18を介して取り出すことができる。図17に、第1モードにおける画素回路Pを簡略化した模式図を示す。この例では、測定信号F及び被測定信号Mが4つになるので、4個の入出力端子を用いる。
ここで、測定処理の対象となる行については、制御信号XEP及びXETPをローレベル、制御信号EWをハイレベルにしてトランジスタP1、P2、及びN2〜N4をオン状態にするが、それ以外の非選択行については、トランジスタP2はOFF状態にすることは必要であるものの、他のトランジスタについても制御信号の論理レベルを反転させて、トランジスタP1、及びN2〜N4をオフ状態にしてもよい。この場合、非選択行のトランジスタP2にリーク電流が配線18を介して流れると、測定の対象となる駆動トランジスタNH1のドレイン電圧の測定精度が低くなる。この非選択行のトランジスタP2のゲートがハイレベル(オフ状態)でのリーク電流がドレイン−ソース間電圧が大きくなると増大する傾向が強ければ、ドレイン−ソース電圧を小さくすることによりリーク電流を減少させることが可能である。トランジスタP2のソース及びドレインは一方が画素内のトランジスタP1に接続され、他方が被測定線18に接続されている。被測定線18がハイレベルに近い電圧となる場合には、トランジスタP2のソース−ドレイン間電圧を小さくするために、トランジスタP2のドレインをハイレベルに設定してリーク電流を低減してもよい。この場合には、非選択行に供給する制御信号XEPをローレベルにしてトランジスタP1をオン状態にすればよい。もっとも、駆動トランジスタNH1のゲート・ソース間電圧の測定精度を優先させる場合には、非選択行における駆動トランジスタNH1のリーク電流を低減するために、制御信号XEPをハイレベルにすることが好ましい。非選択行における制御信号XEPの論理レベルは、測定精度の要求に応じて適宜定めればよい。また各トランジスタのリーク電流を減少させるには、各トランジスタをゲート共通の直列トランジスタで構成する方法、いわゆるデュアルゲートトランジスタで構成することも有効である。
要は、トランジスタP2に限らず、測定線、被測定線に接続される非選択行のトランジスタP2、NT1、NT2、N3、及びN4については、ゲートをオフ状態にするだけでなく、ソース−ドレイン間の電圧を小さくすることによってリーク電流を減少させ、結果的に測定精度を上げることができる。そのため、非選択行の他の制御信号を適時制御することが好ましい。つまり、どの測定値の精度をあげるかで非選択行の制御方法を変更してもよい。なお、トランジスタN2については一方が駆動トランジスタNH1のゲートにのみ接続されている状態のため、ソース−ドレイン間の電圧に依存するリークは発生しない。
(6) In the first mode of the embodiment, the source voltage VS of the drive transistor NH1 is output as the signal to be measured M. However, in addition to this, the drain voltage may be measured. For example, the pixel circuit P shown in FIG. 16 can be employed. In this case, a measurement wiring 18 is formed along the potential line 17, and a P-channel transistor P2 is provided between the wiring 18 and the drain of the driving transistor NH1. A control signal XETP-1 is supplied to the gate of the transistor P2 via the control line L6. By setting the control signal XETP-1 to the low level, the drain voltage of the drive transistor NH1 can be taken out as the signal to be measured M through the wiring 18. FIG. 17 is a schematic diagram showing a simplified pixel circuit P in the first mode. In this example, since there are four measurement signals F and signals under measurement M, four input / output terminals are used.
Here, for the row to be measured, the control signals XEP and XETP are set to the low level and the control signal EW is set to the high level to turn on the transistors P1, P2, and N2 to N4. For the selected row, the transistor P2 needs to be turned off, but the logic level of the control signal may be inverted for the other transistors to turn off the transistors P1 and N2 to N4. In this case, when a leak current flows through the wiring 18 in the transistor P2 in the non-selected row, the measurement accuracy of the drain voltage of the drive transistor NH1 to be measured is lowered. If the leakage current when the gate of the transistor P2 in the non-selected row is at a high level (off state) tends to increase as the drain-source voltage increases, the leakage current is reduced by decreasing the drain-source voltage. It is possible. One of the source and the drain of the transistor P2 is connected to the transistor P1 in the pixel, and the other is connected to the measured line 18. When the measured line 18 has a voltage close to a high level, the drain current of the transistor P2 may be set to a high level to reduce the leakage current in order to reduce the source-drain voltage of the transistor P2. In this case, the control signal XEP supplied to the non-selected row may be set to a low level to turn on the transistor P1. However, when giving priority to the measurement accuracy of the gate-source voltage of the drive transistor NH1, it is preferable to set the control signal XEP to high level in order to reduce the leakage current of the drive transistor NH1 in the non-selected row. The logic level of the control signal XEP in the non-selected row may be appropriately determined according to the measurement accuracy requirement. In order to reduce the leakage current of each transistor, it is also effective to configure each transistor with a series transistor having a common gate, that is, a so-called dual gate transistor.
In short, not only the transistor P2, but also the transistors P2, NT1, NT2, N3, and N4 in the non-selected rows connected to the measurement line and the line to be measured not only turn the gate off, but also the source-drain By reducing the voltage between them, the leakage current can be reduced, and as a result, the measurement accuracy can be increased. Therefore, it is preferable to timely control other control signals of non-selected rows. That is, the control method for the non-selected rows may be changed depending on which measurement value is to be improved. Note that since one of the transistors N2 is connected only to the gate of the driving transistor NH1, no leakage depending on the source-drain voltage occurs.

(7)実施形態では、駆動トランジスタNH1とOLED素子11の特性を個別に測定したが、これらを同時に測定してもよい。図18に同時測定における画素回路Pを簡略化した模式図を示す。この場合、トランジスタN1をオン状態として駆動トランジスタNH1からOLED素子11に駆動電流を供給する。同時測定では測定時間を短縮することができる。なお、同時測定と個別測定を混在させてもよい。 (7) In the embodiment, the characteristics of the driving transistor NH1 and the OLED element 11 are individually measured, but these may be measured simultaneously. FIG. 18 shows a simplified schematic diagram of the pixel circuit P in the simultaneous measurement. In this case, the transistor N1 is turned on, and a drive current is supplied from the drive transistor NH1 to the OLED element 11. Simultaneous measurement can reduce the measurement time. Note that simultaneous measurement and individual measurement may be mixed.

(8)実施形態では切替回路25に基準電位線Lr、Lb、Lgを設けたが、これをデータ線駆動回路24に設け、データ線14と電位線17に各々対応する入出力端子を設けてもよい。例えば、図19に示すように入出力端子Ta、Tbからデータ信号DとR基準電位REF−Rを出力してもよい。データ線14と電位線17は隣接して形成されており、駆動トランジスタNH1のゲート・ソース間電圧はデータ線14の電位と電位線17の電位の差分で定まるので、同相ノイズがこれらに重畳しても差分としてはノイズ成分を打ち消すことができる。したがって、ノイズに強い電気光学装置1を提供できる。 (8) Although the reference potential lines Lr, Lb, and Lg are provided in the switching circuit 25 in the embodiment, these are provided in the data line driving circuit 24 and input / output terminals corresponding to the data line 14 and the potential line 17 are provided. Also good. For example, as shown in FIG. 19, the data signal D and the R reference potential REF-R may be output from the input / output terminals Ta and Tb. Since the data line 14 and the potential line 17 are formed adjacent to each other, and the gate-source voltage of the driving transistor NH1 is determined by the difference between the potential of the data line 14 and the potential of the potential line 17, in-phase noise is superimposed on them. However, the noise component can be canceled as the difference. Therefore, the electro-optical device 1 that is resistant to noise can be provided.

(9)垂直帰線期間以外の期間に測定処理を実行してもよい。例えば、駆動モードを垂直走査期間の一部の期間に割り当て、測定モードを垂直走査期間のうち残りの期間に割り当ててもよい。また、測定処理の頻度も任意である。例えば、ひとつ又は複数の垂直帰線期間ごとに測定処理を実行する構成のほか、電気光学装置1の電源が投入された直後や所定の時間ごとに測定処理を実行する構成も採用される。 (9) The measurement process may be executed in a period other than the vertical blanking period. For example, the drive mode may be assigned to a part of the vertical scanning period, and the measurement mode may be assigned to the remaining period of the vertical scanning period. The frequency of the measurement process is also arbitrary. For example, in addition to the configuration in which the measurement process is performed every one or a plurality of vertical blanking periods, the configuration in which the measurement process is performed immediately after the electro-optical device 1 is turned on or every predetermined time is also employed.

(10)各実施形態においては、OLED素子11を駆動するためのトランジスタを備えたアクティブマトリクス方式の電気光学装置を例示したが、画素回路Pがこれらのスイッチング素子を持たないパッシブマトリクス方式の電気光学装置にも本発明は適用される。 (10) In each embodiment, an active matrix type electro-optical device including a transistor for driving the OLED element 11 is illustrated, but a passive matrix type electro-optical device in which the pixel circuit P does not have these switching elements. The present invention also applies to an apparatus.

(11)各実施形態においては電流駆動型の自発光素子たるOLED素子11を利用した電気光学装置1を例示したが、これ以外の電流駆動型の電気光学素子や電圧駆動型の電気光学素子を利用した電気光学装置にも本発明は適用される。例えば、液晶表示装置、無機EL素子を利用した表示装置、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、表面導電型電子放出ディスプレイ(SED:Surface-conduction Electron-emitter Display)、弾道電子放出ディスプレイ(BSD:Ballistic electron Surface emitting Display)、発光ダイオードを利用した表示装置、あるいは光書込み型のプリンタや電子複写機の書き込みヘッドといった各種の電気光学装置にも本発明は適用される。 (11) In each embodiment, the electro-optical device 1 using the OLED element 11 that is a current-driven self-luminous element has been illustrated, but other current-driven electro-optical elements and voltage-driven electro-optical elements are used. The present invention is also applied to the electro-optical device used. For example, liquid crystal display devices, display devices using inorganic EL elements, field emission displays (FEDs), surface-conduction electron emission displays (SEDs), ballistic electron emission displays (BSD) The present invention is also applied to various electro-optical devices such as a display device using a ballistic electron surface emitting display), a light emitting diode, or a writing head of an optical writing type printer or an electronic copying machine.

<D:応用例>
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器について説明する。図20は、以上の各形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての電気光学装置1と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。この電気光学装置1はOLED素子11を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
<D: Application example>
Next, an electronic apparatus to which the electro-optical device according to the invention is applied will be described. FIG. 20 is a perspective view showing the configuration of a mobile personal computer that employs the electro-optical device 1 according to each of the above embodiments as a display device. The personal computer 2000 includes the electro-optical device 1 as a display device and a main body 2010. The main body 2010 is provided with a power switch 2001 and a keyboard 2002. Since the electro-optical device 1 uses the OLED element 11, it is possible to display an easy-to-see screen with a wide viewing angle.

図21に、以上の各形態に係る電気光学装置1を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、ならびに表示装置としての電気光学装置1を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、電気光学装置1に表示される画面がスクロールされる。   FIG. 21 shows a configuration of a mobile phone to which the electro-optical device 1 according to each of the above embodiments is applied. A cellular phone 3000 includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and the electro-optical device 1 as a display device. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the electro-optical device 1 is scrolled.

図22に、以上の各形態に係る電気光学装置1を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての電気光学装置1を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置1に表示される。   FIG. 22 shows a configuration of a personal digital assistant (PDA) to which the electro-optical device 1 according to each of the above embodiments is applied. The information portable terminal 4000 includes a plurality of operation buttons 4001, a power switch 4002, and the electro-optical device 1 as a display device. When the power switch 4002 is operated, various types of information such as an address book and a schedule book are displayed on the electro-optical device 1.

なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図20から図22に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。   The electronic apparatus to which the electro-optical device according to the invention is applied includes, in addition to those shown in FIGS. 20 to 22, a digital still camera, a television, a video camera, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, electronic paper, Examples include calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, printers, scanners, copiers, video players, devices equipped with touch panels, and the like.

本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention. FIG. 画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of a pixel circuit. 駆動モードにおける電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart illustrating an operation of the electro-optical device in a driving mode. 書込期間における画素回路の状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state of the pixel circuit in the writing period. 発光期間における画素回路の状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state of the pixel circuit in the light emission period. 測定制御回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of a measurement control circuit. 切替回路とその周辺回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of a switching circuit and its peripheral circuit. 測定モードにおける各種の制御信号の真理値表であるIt is a truth table of various control signals in measurement mode 第1モードにおいて測定の対象となる画素回路がG色である場合の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows operation | movement when the pixel circuit used as the measuring object in 1st mode is G color. 第2モードにおいて測定の対象となる画素回路がG色である場合の動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows operation | movement when the pixel circuit used as the measuring object in 2nd mode is G color. 測定モードにおける画素回路を簡略化して示す説明図である。It is explanatory drawing which simplifies and shows the pixel circuit in a measurement mode. 第2実施形態の第1の態様に係る測定対象選択部を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the measuring object selection part which concerns on the 1st aspect of 2nd Embodiment. 第2実施形態の第2の態様に係る測定対象選択部を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the measuring object selection part which concerns on the 2nd aspect of 2nd Embodiment. 第2実施形態の第3の態様に係る測定対象選択部を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the measuring object selection part which concerns on the 3rd aspect of 2nd Embodiment. 変形例に係る画素回路の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the example of the pixel circuit which concerns on a modification. 変形例に係る画素回路の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the example of the pixel circuit which concerns on a modification. 第1モードにおける変形例の画素回路を簡略化して示す説明図である。It is explanatory drawing which simplifies and shows the pixel circuit of the modification in 1st mode. 測定モードにおける変形例の画素回路を簡略化して示す説明図である。It is explanatory drawing which simplifies and shows the pixel circuit of the modification in measurement mode. 変形例に係る入出力端子を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating the input-output terminal which concerns on a modification. 本発明を適用したパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the personal computer to which this invention is applied. 本発明を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone to which this invention is applied. 本発明を適用した携帯型情報端末の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the portable information terminal to which this invention is applied.

符号の説明Explanation of symbols

1…電気光学装置、11…OLED素子、14…データ線、17…電位線、24…データ線駆動回路、25…切替回路、50…測定制御回路、52…階調検出部、54…測定対象選択部、56…測定部、58…測定履歴メモリ、P…画素回路、D…データ信号、F…測定信号、M…被測定信号、Lr,Lg,Lb…基準電位線、T1〜Tn…入出力端子、NH1…駆動トランジスタ、d…階調データ、Dh…補正データ、dh…補正済階調データ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electro-optical apparatus, 11 ... OLED element, 14 ... Data line, 17 ... Potential line, 24 ... Data line drive circuit, 25 ... Switching circuit, 50 ... Measurement control circuit, 52 ... Tone detection part, 54 ... Measurement object Selection unit 56 ... Measurement unit 58 ... Measurement history memory P ... Pixel circuit D ... Data signal F ... Measurement signal M ... Measured signal Lr, Lg, Lb ... Reference potential line T1-Tn ... On Output terminal, NH1... Drive transistor, d... Gradation data, Dh... Correction data, dh.

Claims (13)

電気光学素子を各々が含む複数の画素が各データ線に接続された電気光学装置であって、
前記各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号を生成して前記データ線に出力する信号生成部と、
閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択する測定対象選択部と、
測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記測定対象選択部が選択した電気光学素子に対して実行する測定部と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device in which a plurality of pixels each including an electro-optical element is connected to each data line,
A signal generation unit that generates a data signal corresponding to gradation data designating the gradation of each electro-optic element and outputs the data signal to the data line;
A measurement object selection unit that selects an electro-optic element whose gradation exceeding the threshold is specified by gradation data;
A measurement process for driving the electro-optical element by output of a measurement signal and obtaining a signal under measurement indicating characteristics of the electro-optical element when driven by the measurement signal is selected from the plurality of electro-optical elements. An electro-optical device comprising: a measuring unit that executes the electro-optical element selected by the unit.
前記各電気光学素子について測定処理を実行したか否かを示す測定履歴データを記憶する記憶部を具備し、
前記測定部は、階調データの指定する階調が閾値を上回る電気光学素子が所定個を越える場合に、前記記憶部に記憶された測定履歴データに基づいて、未だ測定処理が実行されていない電気光学素子について測定処理を実行する
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
A storage unit for storing measurement history data indicating whether or not the measurement process has been performed for each of the electro-optic elements;
The measurement unit has not yet performed measurement processing based on the measurement history data stored in the storage unit when the number of electro-optical elements whose gradation specified by the gradation data exceeds a threshold exceeds a predetermined number. The electro-optical device according to claim 1, wherein a measurement process is performed on the electro-optical element.
前記測定部は、前記閾値を上回る第1階調が階調データによって指定された場合に、前記第1階調を上回る第2階調が階調データによって指定された場合と比較して、測定処理時の電気光学素子が低階調となるように、測定信号を生成する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
The measurement unit performs measurement when a first gradation exceeding the threshold is specified by gradation data, compared to a case where a second gradation exceeding the first gradation is specified by gradation data. The electro-optical device according to claim 1, wherein the measurement signal is generated so that the electro-optical element during processing has a low gradation.
前記信号生成部は、前記測定対象選択部が選択する電気光学素子をデータ信号の供給によって駆動するときの階調が非選択時と比較して低階調となるように、データ信号を補正する
請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の電気光学装置。
The signal generation unit corrects the data signal so that the gray level when the electro-optic element selected by the measurement target selection unit is driven by the supply of the data signal is lower than that when the data signal is not selected. The electro-optical device according to claim 1.
前記閾値を可変に制御する閾値設定部
を具備する請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 1, further comprising a threshold setting unit that variably controls the threshold.
前記複数の画素が出力する画像の明度を特定する明度特定部を具備し、
前記閾値設定部は、前記明度特定部が特定した明度に応じて前記閾値を制御する
請求項5に記載の電気光学装置。
A brightness specifying unit for specifying the brightness of an image output by the plurality of pixels;
The electro-optical device according to claim 5, wherein the threshold setting unit controls the threshold according to the lightness specified by the lightness specifying unit.
電気光学装置の環境照度を測定する照度測定部を具備し、
前記閾値設定部は、前記照度測定部が測定した環境照度に応じて前記閾値を制御する
請求項5に記載の電気光学装置。
An illuminance measurement unit that measures the environmental illuminance of the electro-optical device
The electro-optical device according to claim 5, wherein the threshold setting unit controls the threshold according to environmental illuminance measured by the illuminance measuring unit.
前記各データ線に対応して設けられた複数の入出力端子と、
駆動モードにおいて、前記信号生成部が生成したデータ信号を、前記入出力端子を介して前記データ線に供給し、測定モードにおいて、前記測定対象選択部が選択した画素に対応するデータ線及び当該データ線に隣接するデータ線に対応した前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号の入出力を行う入出力部とを具備し、
前記画素は、前記駆動モードにおいて、前記データ線を介して供給されるデータ信号を取り込み、前記測定モードにおいて、前記データ線及び当該データ線に隣接するデータ線を介して前記測定信号を取り込むとともに前記被測定信号を出力する選択部とを含む
ことを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の電気光学装置。
A plurality of input / output terminals provided corresponding to the data lines;
In the drive mode, the data signal generated by the signal generation unit is supplied to the data line via the input / output terminal, and in the measurement mode, the data line corresponding to the pixel selected by the measurement target selection unit and the data An input / output unit for inputting / outputting the measurement signal and the signal under measurement via the input / output terminal corresponding to the data line adjacent to the line;
The pixel captures a data signal supplied via the data line in the drive mode, and captures the measurement signal via the data line and a data line adjacent to the data line in the measurement mode. The electro-optical device according to claim 1, further comprising: a selection unit that outputs a signal under measurement.
請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載した電気光学装置を備えた電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1. 複数の電気光学素子を備えた電気光学装置の駆動方法であって、
前記各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号の出力によって前記各電気光学素子を駆動する一方、
閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択し、
測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記選択した電気光学素子に対して実行する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
A method of driving an electro-optical device including a plurality of electro-optical elements,
While driving each electro-optic element by outputting a data signal corresponding to gradation data designating the gradation of each electro-optic element,
Select an electro-optic element whose gradation that exceeds the threshold is specified by the gradation data,
A measurement process for driving the electro-optical element by output of a measurement signal and obtaining a signal under measurement indicating characteristics of the electro-optical element when driven by the measurement signal is performed in the selected electric optical element among the plurality of electro-optical elements. An electro-optical device driving method comprising: performing the method on an optical element.
前記各電気光学素子について測定処理を実行したか否かを示す測定履歴データを記憶部に記憶し、
階調データの指定する階調が閾値を上回る電気光学素子が所定個を越える場合に、前記記憶部に記憶された測定履歴データに基づいて、未だ測定処理が実行されていない電気光学素子について測定処理を実行する
ことを特徴とする請求項10に記載の電気光学装置の駆動方法。
Storing measurement history data indicating whether or not the measurement process has been performed for each electro-optic element in the storage unit;
When the number of electro-optic elements whose gradation specified by the gradation data exceeds the threshold exceeds a predetermined number, measurement is performed for electro-optic elements that have not yet been measured based on the measurement history data stored in the storage unit. The method according to claim 10, wherein the process is executed.
前記測定処理においては、前記閾値を上回る第1階調が階調データによって指定された場合に、前記第1階調を上回る第2階調が階調データによって指定された場合と比較して、測定処理時の電気光学素子が低階調となるように、測定信号を生成する
ことを特徴とする請求項10又は11に記載の電気光学装置の駆動方法。
In the measurement process, when the first gradation exceeding the threshold is specified by the gradation data, compared to the case where the second gradation exceeding the first gradation is specified by the gradation data, The method of driving an electro-optical device according to claim 10 or 11, wherein the measurement signal is generated so that the electro-optical element at the time of measurement processing has a low gradation.
前記測定対象選択部が選択する電気光学素子をデータ信号の供給によって駆動したときの階調が非選択時と比較して低階調となるように、データ信号を補正する
ことを特徴とする請求項10乃至12の何れか1項に記載の電気光学装置の駆動方法。
The data signal is corrected so that a gradation when the electro-optic element selected by the measurement target selection unit is driven by supplying a data signal is lower than that when the electro-optic element is not selected. Item 13. The driving method for an electro-optical device according to any one of Items 10 to 12.
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010079255A (en) * 2008-09-24 2010-04-08 Samsung Electronics Co Ltd Display device and method of driving the same
JP2011164135A (en) * 2010-02-04 2011-08-25 Global Oled Technology Llc Display device
JP2011227257A (en) * 2010-04-19 2011-11-10 Toshiba Corp Image processing apparatus
JP2012037862A (en) * 2010-08-06 2012-02-23 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Organic light-emitting diode driving device
US20120056869A1 (en) * 2010-09-06 2012-03-08 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Organic light emitting diode driver
JP2012068416A (en) * 2010-09-22 2012-04-05 Casio Comput Co Ltd Light-emitting device, drive control method thereof and electronic apparatus
KR101451584B1 (en) 2008-10-29 2014-10-17 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
KR101499243B1 (en) * 2009-01-23 2015-03-09 삼성디스플레이 주식회사 Display device and driving method thereof
JP2016524174A (en) * 2013-04-26 2016-08-12 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. Pixel unit circuit, compensation method thereof, and display device
JP2017083847A (en) * 2011-06-30 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
WO2017104631A1 (en) * 2015-12-14 2017-06-22 シャープ株式会社 Display device and driving method therefor
JP2017198967A (en) * 2016-04-29 2017-11-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Flexible organic light emitting display device
JP2018084811A (en) * 2016-11-25 2018-05-31 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Organic light-emitting display device and driving method thereof
JP2019533185A (en) * 2016-09-14 2019-11-14 アップル インコーポレイテッドApple Inc. External compensation for displays on mobile devices
WO2020218421A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Jsr Corporation Method of compensating brightness of display and display
JP2020183968A (en) * 2019-04-26 2020-11-12 Jsr株式会社 Luminance compensation method and display
JP2022503271A (en) * 2019-03-29 2022-01-12 北京集創北方科技股▲ふん▼有限公司 Drive compensation method, compensation circuit, display panel and its display device

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010079255A (en) * 2008-09-24 2010-04-08 Samsung Electronics Co Ltd Display device and method of driving the same
KR101451584B1 (en) 2008-10-29 2014-10-17 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
KR101499243B1 (en) * 2009-01-23 2015-03-09 삼성디스플레이 주식회사 Display device and driving method thereof
JP2011164135A (en) * 2010-02-04 2011-08-25 Global Oled Technology Llc Display device
JP2011227257A (en) * 2010-04-19 2011-11-10 Toshiba Corp Image processing apparatus
JP2012037862A (en) * 2010-08-06 2012-02-23 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Organic light-emitting diode driving device
US20120056869A1 (en) * 2010-09-06 2012-03-08 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Organic light emitting diode driver
JP2012058719A (en) * 2010-09-06 2012-03-22 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Organic light-emitting diode driving device
JP2012068416A (en) * 2010-09-22 2012-04-05 Casio Comput Co Ltd Light-emitting device, drive control method thereof and electronic apparatus
JP2017083847A (en) * 2011-06-30 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
USRE48576E1 (en) 2011-06-30 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2016524174A (en) * 2013-04-26 2016-08-12 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. Pixel unit circuit, compensation method thereof, and display device
WO2017104631A1 (en) * 2015-12-14 2017-06-22 シャープ株式会社 Display device and driving method therefor
JPWO2017104631A1 (en) * 2015-12-14 2018-09-20 シャープ株式会社 Display device and driving method thereof
JP2017198967A (en) * 2016-04-29 2017-11-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Flexible organic light emitting display device
JP2019045879A (en) * 2016-04-29 2019-03-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Flexible organic light emitting display device
JP2019533185A (en) * 2016-09-14 2019-11-14 アップル インコーポレイテッドApple Inc. External compensation for displays on mobile devices
CN108109585A (en) * 2016-11-25 2018-06-01 乐金显示有限公司 Organic light-emitting display device and its driving method
US10720100B2 (en) 2016-11-25 2020-07-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for driving the same
JP2018084811A (en) * 2016-11-25 2018-05-31 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Organic light-emitting display device and driving method thereof
JP2022503271A (en) * 2019-03-29 2022-01-12 北京集創北方科技股▲ふん▼有限公司 Drive compensation method, compensation circuit, display panel and its display device
WO2020218421A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Jsr Corporation Method of compensating brightness of display and display
JP2020183968A (en) * 2019-04-26 2020-11-12 Jsr株式会社 Luminance compensation method and display
US11996042B2 (en) 2019-04-26 2024-05-28 Mattrix Technologies, Inc. Method of compensating brightness of display and display

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