JP2008159919A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、チップ中央に複数のパッドが配置されるDRAM(Dynamic Random Access Memory)などのような半導体装置に関する。特に、半導体チップ上のパッドのレイアウトに関する。 The present invention relates to a semiconductor device such as a DRAM (Dynamic Random Access Memory) in which a plurality of pads are arranged at the center of a chip. In particular, it relates to the layout of pads on a semiconductor chip.
DRAMのような半導体装置にはFBGA(Fine pitch Ball Grid Array),TSOP(Thin Small Outline Package)など、多くの種類の製品パッケージがある。DRAMではパッケージの小型化およびメモリの高速化を図るため、チップ上のパッドはチップ中央部に一列に配置されている(図4)。これらのパッドには、製品パッケージ組み立ての際にパッケージの外部電極とワイヤーボンディングなどで接続される外部電極接続用パッドに加えて、チップ評価用のパッドも設けられている。評価用パッドは、製品前の評価用パッケージ段階での動作チェックやプローブテスト(ウェハテスト)で、チップ外部から電圧を印加するために必要とされるものである。この評価用パッドは、外部電極接続用パッドと同じ大きさのパッドであり、内部電源電圧の評価のために多数必要である。降圧電源の採用などで評価用パッドの数は増加傾向にある。また、パッドの大きさはプロセスの微細化が進んでもあまり小さくならず、チップ上におけるパッドの占める割合は、チップの縮小化に伴い増加の傾向にある。 Semiconductor devices such as DRAM include many types of product packages such as FBGA (Fine pitch Ball Grid Array) and TSOP (Thin Small Outline Package). In the DRAM, pads on the chip are arranged in a line at the center of the chip in order to reduce the size of the package and increase the memory speed (FIG. 4). These pads are provided with pads for chip evaluation in addition to external electrode connection pads that are connected to the external electrodes of the package by wire bonding or the like when the product package is assembled. The evaluation pad is required for applying a voltage from the outside of the chip in an operation check and a probe test (wafer test) at the evaluation package stage before the product. This evaluation pad is a pad having the same size as the external electrode connection pad, and many pads are required for evaluating the internal power supply voltage. The number of pads for evaluation is increasing due to the adoption of step-down power supplies. In addition, the size of the pad does not become very small even when the process is miniaturized, and the proportion of the pad on the chip tends to increase as the chip shrinks.
従来、こうしたパッド数の増加の下、素子レイアウトの都合から、半導体チップ上のパッドは一列に配置できなくなり、2列配置にせざるを得ない場合があった(特許文献1の段落[0007]~[0008]と図7(B)参照)。
しかしながら、パッドを二列に配置した場合は、ウェハテスト時や製品パッケージ組立時の制約を受けてパッド間隔をある程度広くとる必要があり、余計なチップ面積の増加を招いていた。具体的には、ボンディングボールの引っ張り強度を確保する為や、ボンディング装置の制約(例えばキャピラリの幅や、ボンディングワイヤを張る方向にてパッド中心からのボンディング位置ずれなど)がある為に、ボンディングが実施される隣接パッド間の間隔(図5中の間隔Aや間隔B)は一般に十分確保する必要がある。また、ウェハにおける多チップを同時にテストするウェハテストの際も、プローブカードの針先(プローブ先)が同時に立てられる隣接パッド間の間隔(図5中の間隔Aや間隔B)はその間隔確保が必須である。これは、プローブ幅(カンチレバー先端幅)や針先のカンチレバー端部に対するオフセット量などの制約を受けたり、プローブカードの位置合わせ精度や針圧調整によっては針先のパッド接触位置がずれたりするからである。 However, when the pads are arranged in two rows, it is necessary to increase the pad spacing to some extent due to restrictions at the time of wafer test and product package assembly, resulting in an extra increase in chip area. Specifically, bonding is not possible due to securing the tensile strength of the bonding ball or due to restrictions of the bonding apparatus (for example, the width of the capillary or the displacement of the bonding position from the center of the pad in the direction in which the bonding wire is stretched). In general, it is necessary to ensure a sufficient distance between adjacent pads (the distance A and the distance B in FIG. 5). Also, in the wafer test in which multiple chips on the wafer are tested at the same time, the distance between adjacent pads (the distance A and the distance B in FIG. 5) where the probe tips of the probe card are set up at the same time can be secured. It is essential. This is due to restrictions such as the probe width (cantilever tip width) and the amount of offset of the tip of the needle tip relative to the cantilever end, and the pad contact position of the needle tip may shift depending on the probe card alignment accuracy and needle pressure adjustment. It is.
このようなパッド間隔確保のためのエリアは他の素子の配置には利用できないため無駄であり、余計なチップ面積の増加を招いていた。 Such an area for securing the pad interval is useless because it cannot be used for arrangement of other elements, resulting in an excessive increase in chip area.
そこで本発明は、上記従来技術の課題に鑑み、高速DRAMなどにおいてボンディングパッドと共にチップ評価パッドも増加する状況の下、余計なチップ面積の増大を最小限に抑えることを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-described problems of the prior art, an object of the present invention is to minimize an increase in an extra chip area under the situation where chip evaluation pads are increased together with bonding pads in a high-speed DRAM or the like.
本発明は、チップ上に複数のパッドが一方向に並んでいる半導体装置において、前記複数のパッドの内の少なくとも一部が2列に配置されている装置である。そして、列間方向で隣接する2個のパッドの内の一方のパッドは製品パッケージ組み立ての際の電気的接続だけが実施されるパッドであり、もう一方のパッドはチップ内部回路テストの際の仮の電気的接続だけが実施される評価用パッドであることを特徴とする。 The present invention is a semiconductor device in which a plurality of pads are arranged in one direction on a chip, and at least a part of the plurality of pads is arranged in two rows. One of the two pads adjacent to each other in the inter-column direction is a pad that only performs electrical connection when assembling the product package, and the other pad is a temporary pad for testing the chip internal circuit. This is an evaluation pad in which only the electrical connection is performed.
上記の製品パッケージ組み立ての際の電気的接続は製品パッケージに設けられた外部電極とのボンディング接続であり、チップ内部回路テストの際の仮の電気的接続は、プローブテスト時のプローブ当て、もしくは評価用パッケージ段階での動作テスト時のボンディング接続である。 The electrical connection at the time of assembling the product package is a bonding connection with an external electrode provided on the product package, and the temporary electrical connection at the time of the chip internal circuit test is a probe contact during the probe test or evaluation. It is a bonding connection at the time of the operation test in the package stage.
このような発明では、二列パッド配置の列間方向に、同時にボンディングされる外部電極接続用パッド同士が並ばず、さらに、プローブが当てられるチップ評価用パッド同士も並んでいない。そのため、列間方向の隣接パッド間の間隔設定において、プローバーやボンディング装置の構成や操作上からくる制約を受けず、パッド間隔を可能な限り近づけることができる。したがって、2列化に際して余計なチップ面積が増大するという課題が解決される。 In such an invention, in the inter-row direction of the two-row pad arrangement, the external electrode connection pads to be bonded simultaneously are not arranged, and further, the chip evaluation pads to which the probe is applied are not arranged. Therefore, in setting the interval between adjacent pads in the inter-column direction, the pad interval can be made as close as possible without being restricted by the configuration and operation of the prober and bonding apparatus. Therefore, the problem that an extra chip area is increased in forming two rows is solved.
なお、本発明のパッド配置は、半導体チップの中央部に複数のパッドが一方向に並んでいるDRAMなどの半導体装置に好適である。 The pad arrangement of the present invention is suitable for a semiconductor device such as a DRAM in which a plurality of pads are arranged in one direction at the center of a semiconductor chip.
本発明によれば、チップ中央に複数のパッドを配列した高速DRAMなどにおいてボンディングパッドと共にチップ評価パッドも増加する中、余計なチップ面積の増大を最小限に抑えることができる。 According to the present invention, while the number of chip evaluation pads is increased together with the bonding pads in a high-speed DRAM or the like in which a plurality of pads are arranged at the center of the chip, an extra increase in the chip area can be minimized.
本願発明は、高速DRAMにおけるピン数の増大や、素子レイアウトの都合などから、チップ中央のパッドを2列に配置せざるを得ない場合、パッドの列に直交する方向(列間方向)に隣接配置する2個のパッドを、同時にボンディングされる外部電極接続用パッド同士の組み合わせにせず、さらに、チップ評価用パッド同士の組み合わせにもしない事で従来技術の課題を解決した。つまり、上記2個のパッドの内の一方は、製品パッケージ組み立て時(ボンディング時)だけ使用されるパッドとし、もう一方は、プローブテスト時および評価用パッケージ段階の動作チェック時だけ使用されるパッドとした。 In the present invention, when the pads at the center of the chip must be arranged in two rows due to the increase in the number of pins in the high-speed DRAM and the convenience of the element layout, they are adjacent to the direction orthogonal to the row of pads (inter-column direction) The problem of the prior art was solved by not combining the two pads to be arranged with the pads for connecting external electrodes to be bonded at the same time, and further without combining the pads for chip evaluation with each other. In other words, one of the two pads is a pad that is used only during product package assembly (bonding), and the other is a pad that is used only during probe testing and operation check at the evaluation package stage. did.
まず、製品パッケージ組み立て時のボンディングは実施するがプローブテストや評価用パッケージ段階では使用しないパッドの例を挙げる。 First, an example is given of pads that are bonded at the time of assembling the product package but are not used in the probe test or evaluation package stage.
1)DRAMチップに対するプローブテストの際に時間短縮およびプローブ数削減のために行なわれる多ビット並列テスト(パラレルテスト)では、書き込みデータを供給するピンと読み出し判定結果を出力するピンとが限定されている。そのため、たとえば8つのI/Oピン(DQピン:データピン)がある製品であっても、パラレルテスト時はI/Oピンに繋がる全てのパッド(データパッド)にプローブ立てやボンディング仮接続を行なう必要がない。しかし、製品パッケージ組み立ての際は全てのデータパッドにボンディングが実施される。 1) In a multi-bit parallel test (parallel test) performed to reduce time and the number of probes at the time of a probe test on a DRAM chip, pins for supplying write data and pins for outputting a read determination result are limited. Therefore, for example, even if a product has 8 I / O pins (DQ pins: data pins), probe standing and temporary bonding are performed on all pads (data pads) connected to the I / O pins during the parallel test. There is no need. However, when assembling the product package, bonding is performed on all data pads.
2)出力回路のデータ用電源(VDDQ)やデータ用グランド(VSSQ)などのパッドはチップ内部で互いに接続されているため、プローブテストの際や評価用パッケージ段階での動作チェックではデータ用電源やデータ用グランドの全てのパッドにプローブ立てやボンディング接続を行なわなくても問題ない。しかし、製品パッケージ組み立ての際には電位変動ノイズを回避する目的で、夫々のパッド全てにボンディングを行なう場合がある。 2) Since the pads such as the data power supply (VDDQ) and data ground (VSSQ) of the output circuit are connected to each other inside the chip, the power supply for data is used in the probe test and the operation check at the evaluation package stage. There is no problem if all the pads on the data ground are not probed or bonded. However, when assembling the product package, bonding may be performed on all the pads in order to avoid potential fluctuation noise.
上記のように、製品パッケージ組み立ての際のボンディングは行なわれるが、プローブテストや評価用パッケージ段階では使用しない(あるいは使用しなくても良い)パッドがある。 As described above, bonding is performed when the product package is assembled, but there are pads that are not used (or may not be used) in the probe test or evaluation package stage.
次に、製品パッケージ組み立ての際のボンディングは実施しないがプローブテストや評価用パッケージ段階では使用するパッドの例を挙げる。 Next, an example of pads used in the probe test or evaluation package stage will be given although bonding is not performed during product package assembly.
DRAMの内部回路の動作チェックをプローブテストや評価用パッケージ段階で行なう場合、内部電源回路の出力端子について出力電圧を測定したり、外部から強制的に電圧を与えて動作マージンをチェックしたりするために必要なパッドがある。また、プローブテストで特殊な内部信号(たとえばパワーオンリセット信号)をモニタするために必要なパッドもある。これらのパッドは製品パッケージ状態では不要であり、パッドにボンディングは実施されない。このような評価用パッドが、製品パッケージ組み立て時のボンディングは行なわれないがプローブテストや評価用パッケージ段階ではプローブ立てやボンディングが行われるパッドである。 When checking the operation of the internal circuit of the DRAM at the probe test or evaluation package stage, to measure the output voltage at the output terminal of the internal power supply circuit or to check the operation margin by forcibly applying the voltage from the outside There is a necessary pad. There are also pads required to monitor special internal signals (eg, power-on reset signals) in probe tests. These pads are not required in the product package state, and bonding is not performed on the pads. Such an evaluation pad is a pad that is not bonded at the time of assembling the product package, but is probed and bonded at the probe test and evaluation package stage.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1実施形態)
図1に本発明の半導体装置の第1実施形態におけるチップ上のパッド配置を示す。半導体チップ上の中央部には、データ用電源(VDDQ)、データ用グランド(VSSQ)およびデータ信号(DQ0,DQ1,DQ2,DQ5,DQ6,DQ7など)のパッド1が一列に配置されている。これらのパッド1は、製品パッケージ組み立ての際のボンディングが実施される外部電極接続用パッドである。尚、一方向に並んだ各パッドからのボンディングワイヤ(不図示)の延びる方向はパッド1ごとに順次逆向きにされ、これにより隣接パッド間隔を最小にしている。
(First embodiment)
FIG. 1 shows a pad arrangement on a chip in the first embodiment of the semiconductor device of the present invention. In the central portion on the semiconductor chip,
これらのパッド1の内、DQ5,DQ6,DQ7のデータパッドは、上記1)のような、パラレルテストによるプローブテスト時にプローブ(針)を立てないパッドである。本実施形態では、このようなプローブテスト時に使用しない一部のデータパッドに上記の評価用パッド2を隣接配置し、2列化を図っている。
Among these
この評価用パッド2は、プローブテストや評価用パッケージ段階の動作チェックではプローブ立てやボンディングが行われるものの、製品パッケージ組み立ての際のボンディングは行なわれない。そのため、評価用パッド2の配置に関して製品パッケージ組み立て時の制約(例えばボンディング装置からの制約)を受けることがなく、図のように評価用パッド2をDQ5,DQ6,DQ7のデータパッドに可能な限り近づけて配置することができる。
This
その上、DQ5,DQ6,DQ7のデータパッドはプロープテスト時にプローブを立てないパッドであるので、データパッドとこれに隣接する評価用パッド2との間のパッド間距離についてウェハチェック時のプローブカードの技術的制約を受けることもない。図1では図中に描いた細長の三角形によって、プローブテスト時にパッドに立てられるプローブ5及びこれを備えるカンチレバーの延びる方向を模式的に示しているが、評価用パッド2と向かい合うパッド側には、プローブカードのカンチレバーを設ける必要がない事が分かる。つまり、評価用パッド2をDQ5,DQ6,DQ7のデータパッドに近接配置しておける。
In addition, since the data pads of DQ5, DQ6, and DQ7 are pads on which no probe is raised during the probe test, the inter-pad distance between the data pad and the
以上の事により、パッドの2列化に際してパッド間隔を最小にし、チップ面積の余計な増加を最小限に抑えることができる。 As described above, when the pads are arranged in two rows, the pad interval can be minimized, and an extra increase in the chip area can be minimized.
(第2実施形態)
図2は本発明の半導体装置の第2実施形態におけるパッド配置を示す模式図である。図2において、半導体チップ上に一列に配置された、データ用電源(VDDQ)、データ用グランド(VSSQ)、データ信号(DQ0,DQ1,DQ2,DQ5,DQ6,DQ7)などの複数のパッド1は、製品パッケージ組み立ての際のボンディングが実施される外部電極接続用パッドである。しかし、これらのパッド1の内、VDDQの各パッドは、上記2)で説明したようにチップ内部で繋がっており、プローブテストでは全部のVDDQパッドにプローブを立てなくても良いパッドである。
(Second Embodiment)
FIG. 2 is a schematic view showing a pad arrangement in the second embodiment of the semiconductor device of the present invention. In FIG. 2, a plurality of
本実施形態では、このようなプローブテスト時に使用しなくても良い一部の電源パッドに評価用パッド2を隣接配置し、2列化を図っている。上記の第1実施形態と同様、評価用パッド2は製品パッケージ組み立ての際のボンディングは行なわれない。そのため、評価用パッド2の配置に関してパッケージ組み立て上の制約(例えばボンディング装置からの制約)を受けることがなく、図のように評価用パッド2をVDDQの電源パッドに可能な限り近づけて配置することができる。
In the present embodiment,
その上、VDDQの電源パッドはプロープテスト時にプローブを立てなくても良いパッドであるので、電源パッドとこれに隣接する評価用パッド2とのパッド間距離についてウェハチェック時のプローブカードの技術的制約を受けることもない。図2に細長の三角形によって示されるプローブ5及びこれを備えるカンチレバーの延びる方向から分かるように、評価用パッド2と向かい合うパッド側には、プローブカードのプローブを設ける必要がない。つまり、評価用パッド2をVDDQの電源パッドに近接配置しておける。
In addition, since the VDDQ power pad is a pad that does not require a probe to be raised during the probe test, the technical restrictions of the probe card during the wafer check regarding the inter-pad distance between the power pad and the
以上の事により、第1実施形態と同様、2列化した隣接パッド間の間隔を最小にし、チップ面積の余計な増加を最小限に抑えることができる。 As described above, as in the first embodiment, it is possible to minimize the interval between adjacent pads arranged in two rows, and to suppress an unnecessary increase in chip area.
最後に、図3に本発明を採用して作製した製品のパッド・レイアウトを例示する。この図に示される、ウェハ上の1チップ分のDRAMでは、チップ上の中央部に、アドレスピン、データピン、電源ピン、グラウンドピンなどの様々な機能を持つ複数のパッド(No.1~103)が一列に配置されている。このようなチップ内部回路の動作チェックのために複数の評価用パッドが必要になるが、No.1~103のパッドと一緒に評価用パッドを一列に配置したときはその配置方向にチップ面積を増大させてしまう。そのため、No.1~103のパッド列の横に実質的に平行に、複数の評価用パッドを配列せざるを得ない場合がある。素子レイアウトや製造上の都合から、こうした2列配置をとる場合もある。このような場合、プローブテスト時のプローブ立てや評価用パッケージ段階でのボンディング仮接続が行なわれるパッドの横側に、もし同様のプローブ立てやボンディング仮接続が必要な評価用パッドを並べて配置すると、その配置間隔については、プローブ立て操作またはボンディング操作を確実かつ精度良く実施できるように十分な距離をとらねばならない。このような間隔は他の素子の配置が出来ず無駄であり、やはりチップ面積の余計な増加を招く。そこで、一列に配置された複数のパッド(No.1~103)のうち、チップ内部では繋がっているためにプローブテスト時は必ずしもプローブを立てる必要がないパッド3(VDDQやVSSQなど)に注目し、それらのパッド3の横に電源モニタ用評価パッド4を隣接配置した(図3)。これにより、2列配置にせざるを得ない場合でも1列目と2列目のパッド間隔を最小にすることができ、チップ面積の余計な増加を抑えることができた。
Finally, FIG. 3 illustrates a pad layout of a product manufactured by employing the present invention. In the DRAM for one chip on the wafer shown in this figure, a plurality of pads (No. 1 to 103) having various functions such as an address pin, a data pin, a power supply pin, and a ground pin are provided at the center of the chip. ) Are arranged in a line. A plurality of evaluation pads are required to check the operation of the internal circuit of the chip, but when the evaluation pads are arranged in a row together with the No. 1 to 103 pads, the chip area is increased in the arrangement direction. It will increase. Therefore, a plurality of evaluation pads may have to be arranged substantially parallel to the side of the pad rows No. 1 to 103. In some cases, such a two-row arrangement is used due to element layout and manufacturing convenience. In such a case, if an evaluation pad that requires the same probe stand or temporary bonding is arranged side by side on the side of the pad where the probe stand at the time of the probe test or the temporary bonding connection at the evaluation package stage is performed, As for the arrangement interval, a sufficient distance must be taken so that the probe standing operation or the bonding operation can be carried out reliably and accurately. Such an interval is useless because other elements cannot be arranged, and also causes an extra increase in the chip area. Therefore, out of a plurality of pads (No. 1 to 103) arranged in a row, pay attention to pad 3 (VDDQ, VSSQ, etc.) that is not necessarily required to stand a probe during a probe test because it is connected inside the chip. Next, an
なお、製品パッケージ組み立て時のボンディングの接続先はパッケージ上の外部電極に限らず、例えば同一パッケージ内の他のチップ上のパッドや、自チップの他のパッドとの接続を含む。 Note that the connection destination of bonding at the time of assembling the product package is not limited to the external electrode on the package, but includes, for example, connection with pads on other chips in the same package and other pads on the own chip.
以上本願発明を実施形態に基づき詳述したが、本願発明は上記2つの実施形態に限定されるものではなく、その技術思想を逸脱しない範囲で種々変更して実施することが可能であることは言うまでもない。 Although the present invention has been described in detail based on the embodiments, the present invention is not limited to the above two embodiments, and various modifications can be made without departing from the technical concept thereof. Needless to say.
1 ボンディングパッド
2 評価用パッド
3 プローブテストや評価用パッケージ段階では使用しないパッド
4 電源モニタ用評価パッド
5 プローブ針または製品パッケージ組み立て時のボンディングワイヤ、並びにそれらの延在方向
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記複数のパッドの内の少なくとも一部が2列に配置されており、列間方向で隣接する2個のパッドの内の一方のパッドは製品パッケージ組み立ての際の電気的接続だけが実施されるパッドであり、もう一方のパッドはチップ内部回路テストの際の仮の電気的接続だけが実施される評価用パッドであることを特徴とする半導体装置。 In a semiconductor device in which a plurality of pads are arranged in one direction on a chip,
At least a part of the plurality of pads is arranged in two rows, and only one of the two pads adjacent in the inter-row direction is electrically connected when the product package is assembled. 2. A semiconductor device, wherein the pad is an evaluation pad, and the other pad is an evaluation pad in which only temporary electrical connection is performed during a chip internal circuit test.
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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