[go: up one dir, main page]

JP2008159748A - 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2008159748A
JP2008159748A JP2006345580A JP2006345580A JP2008159748A JP 2008159748 A JP2008159748 A JP 2008159748A JP 2006345580 A JP2006345580 A JP 2006345580A JP 2006345580 A JP2006345580 A JP 2006345580A JP 2008159748 A JP2008159748 A JP 2008159748A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film layer
solid
transparent resin
microlens
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006345580A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuhiro Nakao
充宏 中尾
Tadashi Ishimatsu
忠 石松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2006345580A priority Critical patent/JP2008159748A/ja
Publication of JP2008159748A publication Critical patent/JP2008159748A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

【課題】無機マイクロレンズのレンズ間スペースを0.1μm以下とし、開口率を向上させる固体撮像素子の製造方法、及び高感度の固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】光電変換部上方にCVDでシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層を形成する工程、該層上に透明樹脂層を積層する工程、透明樹脂層上に熱リフロー性を有するアルカリ可溶性の感光性樹脂を用いレンズ母型を形成する工程、レンズ母型にドライエッチングを行い、レンズ母型のパターンを透明樹脂層を介しシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層に転写し、マイクロレンズとする工程を具備すること。透明樹脂が、アクリル樹脂もしくはフェノール樹脂であること。
【選択図】図2

Description

本発明は、CMOSやCCDなどの固体撮像素子に関するものであり、特に、レンズ間スペースが0.1μm以下と狭く、マイクロレンズの開口率の高い固体撮像素子の製造方法、及び固体撮像素子に関する。
CMOSやCCDなどの固体撮像素子には、入射した光を光電変換部へ集光させるために、複数の光電変換部の各々に対応したマイクロレンズが設けられている。図1(a)〜(c)は、マイクロレンズを形成する方法の一例を断面で示す説明図である。
図1(a)に示すように、光電変換部(10)が形成された半導体基板(11)上にシリコン窒化膜層(12)を形成後、図1(b)に示すように、熱リフロー性をもつ感光性樹脂をレンズ母型形成用のレンズ材料として塗布し、露光、現像、熱リフローさせて凸レンズ形状を有するレンズ母型(15)とする。
次に、図1(c)に示すように、ドライエッチング装置にて、レンズ母型(15)を形成した半導体基板(11)にドライエッチング処理(白矢印)を行って、下方のシリコン窒化膜層(12)にレンズ母型(15)のパターン形状を転写し、マイクロレンズ(16)とする。
このシリコン窒化膜を用いたマイクロレンズ(16)は、レンズ間スペース(W1)が0.3μm程度を有し、マイクロレンズの開口率は小さい。つまり、このようなマイクロレンズを有する固体撮像素子の感度は低いものとなる。
特開2006−114594号公報 特開平10−148704号公報
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、シリコン窒化膜のような無機マイクロレンズにて、レンズ間スペースを0.1μm以下の狭いものとし、マイクロレンズの開口率を向上させることのできる固体撮像素子の製造方法を提供することを課題とするものである。また、上記固体撮像素子の製造方法を用いて製造した高感度の固体撮像素子を提供することを課題とする。
本発明は、複数の光電変換部上方に、その各々に対応したマイクロレンズが設けられた固体撮像素子の製造方法において、
1)半導体基板の前記光電変換部上方に、CVD(化学気相成長法)によりシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層を形成する工程、
2)該シリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層上に透明樹脂層を積層する工程、
3)該透明樹脂層上に、熱リフロー性を有するアルカリ可溶性の感光性樹脂をレンズ母型形成用のレンズ材料として用い、フォトリソグラフィ及び熱リフロー処理によってレンズ母型を形成する工程、
4)該レンズ母型にドライエッチングを行い、レンズ母型のパターンを透明樹脂層を介しシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層に転写し、シリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層をマイクロレンズとする工程、
を少なくとも具備することを特徴とする固体撮像素子の製造方法である。
また、本発明は、上記発明による固体撮像素子の製造方法において、前記透明樹脂層の形成に用いる透明樹脂が、アクリル樹脂もしくはフェノール樹脂であることを特徴とする固体撮像素子の製造方法である。
また、本発明は、請求項1又は請求項2記載の固体撮像素子の製造方法を用いて製造した固体撮像素子であって、マイクロレンズのレンズ間スペースが0.1μm以下であることを特徴とする固体撮像素子である。
本発明は、半導体基板の光電変換部上方に、CVDによりシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層を形成する工程、シリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層上に透明樹脂層を積層する工程、透明樹脂層上に熱リフロー性を有するアルカリ可溶性の感光性樹脂をレンズ母型形成用のレンズ材料として用い、フォトリソグラフィ及び熱リフロー処理によってレンズ母型を形成する工程、レンズ母型にドライエッチングを行い、レンズ母型のパターンを透明樹脂層を介しシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層に転写し、シリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層をマイクロレンズとする工程を少なくとも具備する固体撮像素子の製造方法であるので、無機のマイクロレンズにて、レンズ間スペースを0.1μm以下の狭いものとし、マイクロレンズの開口率を向上させることのできる固体撮像素子の製造方法となる。
また、本発明は、上記固体撮像素子の製造方法を用いて製造した固体撮像素子であるので、マイクロレンズのレンズ間スペースが0.1μm以下となり高感度の固体撮像素子を提供することができる。
以下に本発明による固体撮像素子の製造方法、及び固体撮像素子を実施形態に基づいて説明する。
図2(a)〜(e)は、本発明による固体撮像素子の製造方法の一実施例を断面で示す説明図である。図2(a)に示すように、先ず、半導体基板(11)の光電変換部(10)上方に、CVD(化学気相成長法)によりシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層(22)を形成する。次に、図2(b)に示すように、シリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層(22)上に透明樹脂層(13)を積層する。
次に、図2(c)に示すように、透明樹脂層(13)上に、熱リフロー性を有するアルカリ可溶性の感光性樹脂をレンズ母型形成用のレンズ材料として用い、フォトリソグラフィ及び熱リフロー処理によってレンズ母型(15)を形成する。次に、図2(d)〜(e)に示すように、レンズ母型(15)にドライエッチング(白矢印)を行い、レンズ母型(15)のパターンを透明樹脂層(13)を介しシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層(22)に転写し、シリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層をマイクロレンズ(26)とする。
上記、レンズ母型(15)にドライエッチング(白矢印)を行い、レンズ母型(15)のパターンを透明樹脂層(13)を介しシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層(22)に転写し、マイクロレンズ(26)を形成する工程は、図2(c)に示す状態から、図2(e)に示す状態へと連続して行われるのであるが、その途上における透明樹脂層(13)のマイクロレンズ(23)が形成される状態を、図2(d)に模式的に表している。
その途上において、ドライエッチングによりレンズ母型(15)のパターンを透明樹脂層(13)に転写することで、レンズ間スペース(W3)を実質的に約0μmとした透明樹脂層(13)からなるマイクロレンズ(23)を形成する。その後に続くドライエッチングにより、このマイクロレンズ(23)のパターンをシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層(22)に転写することによって、レンズ間スペース(W4)が0.1μm以下のシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層からなるマイクロレンズ(26)を形成することができる。
本発明における透明樹脂層(13)の形成に用いる透明樹脂としては、アクリル樹脂もしくはフェノール樹脂であることが好ましい。アクリル樹脂もしくはフェノール樹脂を用いることにより、上記レンズ間スペース(W3)が約0μmのマイクロレンズ(23)の形成が容易になり、レンズ間スペース(W4)が0.1μm以下の無機のマイクロレンズ(26)を形成することが可能となる。
また、アクリル樹脂もしくはフェノール樹脂を用いることにより、マイクロレンズ表面荒れを微小なものとすることができる。
以下に、実施例により本発明による固体撮像素子の製造方法を具体的に説明する。
図2(a)に示すように、先ず、光電変換部(10)を形成した半導体基板(11)上に、CVDによりシリコン窒化膜層(12)を膜厚(T1)1.0μmに形成した。次に、図2(b)に示すように、シリコン窒化膜層(12)上に透明フェノール樹脂塗布液を用いて、スピンコートにて透明樹脂層(13)を1.4μmの膜厚(T2)で塗布し、200℃で6分間の加熱により硬膜化処理を行った。
次に、図2(c)に示すように、レンズ母型形成用のレンズ材料として、熱リフロー性を有するアルカリ可溶性の感光性樹脂を公知のフォトリソグラフィ法にて断面形状が矩形のパターンとし、200℃の熱リフローにより半球状のレンズ母型(15)を形成した。図3(a)、(b)にSEM写真で示すように、片側0.15μmの熱リフロー量(図示せず)で、高さ(H1)0.54μm、レンズ間スペース(W2)が0.25μmのレンズ母型(15)が得られた。
次に、図2(d)、(e)に示すように、ドライエッチング装置にて、フロン系ガスCF4 とC4 8 の混合ガスを用い、レンズ母型(15)をマスクとし、ドライエッチング処理し、転写による無機のマイクロレンズ(26)を形成した。図4(a)、(b)にSEM写真で示すように、マイクロレンズ(26)のレンズ間スペース(W4)は0.09μmと狭く加工することができた。また、マイクロレンズ(26)の高さ(H2)は0.86μmであり、シリコン窒化膜層(12)はマイクロレンズ下に厚さ(D)0.05μmを残した。
尚、実施例におけるシリコン窒化膜のエッチングレートは、透明樹脂のエッチングレートと比較して1.6倍速いものであった。
(a)〜(c)は、マイクロレンズを形成する方法の一例を断面で示す説明図である。 (a)〜(e)は、本発明による固体撮像素子の製造方法の一実施例を断面で示す説明図である。 (a)は、実施例におけるレンズ母型表面の状態を示すSEM写真である。(b)は、実施例におけるレンズ母型の断面を示すSEM写真である。 (a)は、実施例におけるマイクロレンズ表面の状態を示すSEM写真である。(b)は、実施例におけるマイクロレンズの断面を示すSEM写真である。
符号の説明
10・・・光電変換部
11・・・半導体基板
12・・・シリコン窒化膜層
13・・・透明樹脂層
15・・・レンズ母型
16・・・シリコン窒化膜のマイクロレンズ
22・・・シリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層
23・・・ドライエッチング途上における透明樹脂層のマイクロレンズ
26・・・本発明におけるマイクロレンズ
D・・・マイクロレンズ下に残るシリコン窒化膜層の厚さ
H1・・・レンズ母型の高さ
H2・・・マイクロレンズの高さ
T1・・・シリコン窒化膜層の膜厚
T2・・・透明樹脂層の膜厚
W1・・・従来の技術によるマイクロレンズのレンズ間スペース
W2・・・レンズ母型のレンズ間スペース
W3・・・透明樹脂層のマイクロレンズのレンズ間スペース
W4・・・本発明におけるマイクロレンズのレンズ間スペース

Claims (3)

  1. 複数の光電変換部上方に、その各々に対応したマイクロレンズが設けられた固体撮像素子の製造方法において、
    1)半導体基板の前記光電変換部上方に、CVD(化学気相成長法)によりシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層を形成する工程、
    2)該シリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層上に透明樹脂層を積層する工程、
    3)該透明樹脂層上に、熱リフロー性を有するアルカリ可溶性の感光性樹脂をレンズ母型形成用のレンズ材料として用い、フォトリソグラフィ及び熱リフロー処理によってレンズ母型を形成する工程、
    4)該レンズ母型にドライエッチングを行い、レンズ母型のパターンを透明樹脂層を介しシリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層に転写し、シリコン酸化膜層もしくはシリコン窒化膜層をマイクロレンズとする工程、
    を少なくとも具備することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
  2. 前記透明樹脂層の形成に用いる透明樹脂が、アクリル樹脂もしくはフェノール樹脂であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子の製造方法。
  3. 請求項1又は請求項2記載の固体撮像素子の製造方法を用いて製造した固体撮像素子であって、マイクロレンズのレンズ間スペースが0.1μm以下であることを特徴とする固体撮像素子。
JP2006345580A 2006-12-22 2006-12-22 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子 Pending JP2008159748A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006345580A JP2008159748A (ja) 2006-12-22 2006-12-22 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006345580A JP2008159748A (ja) 2006-12-22 2006-12-22 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008159748A true JP2008159748A (ja) 2008-07-10

Family

ID=39660356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006345580A Pending JP2008159748A (ja) 2006-12-22 2006-12-22 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008159748A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013179972A1 (ja) * 2012-05-30 2013-12-05 ソニー株式会社 撮像素子、撮像装置、製造装置および方法
WO2020122032A1 (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 凸版印刷株式会社 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03169076A (ja) * 1989-11-29 1991-07-22 Hitachi Ltd マイクロレンズ付き固体撮像素子及びその製造方法
JP2006156799A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP2006190903A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Toppan Printing Co Ltd マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子の製造方法
JP2006190906A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子
JP2006222291A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP2008009079A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Tokyo Electron Ltd マイクロレンズの形成方法及び半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03169076A (ja) * 1989-11-29 1991-07-22 Hitachi Ltd マイクロレンズ付き固体撮像素子及びその製造方法
JP2006156799A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP2006190903A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Toppan Printing Co Ltd マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子の製造方法
JP2006190906A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子
JP2006222291A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP2008009079A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Tokyo Electron Ltd マイクロレンズの形成方法及び半導体装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102355053B1 (ko) * 2012-05-30 2022-02-08 소니그룹주식회사 촬상 소자, 촬상 장치, 제조 장치 및 방법
US11411031B2 (en) 2012-05-30 2022-08-09 Sony Group Corporation Image pickup element, image pickup device, manufacturing device and method
JPWO2013179972A1 (ja) * 2012-05-30 2016-01-21 ソニー株式会社 撮像素子、撮像装置、製造装置および方法
TWI669809B (zh) * 2012-05-30 2019-08-21 日商新力股份有限公司 Imaging element, imaging device, manufacturing device and method
US10461107B2 (en) 2012-05-30 2019-10-29 Sony Corporation Image pickup element, image pickup device, manufacturing device and method
KR102098418B1 (ko) * 2012-05-30 2020-05-26 소니 주식회사 촬상 소자, 촬상 장치, 제조 장치 및 방법
KR20150027050A (ko) * 2012-05-30 2015-03-11 소니 주식회사 촬상 소자, 촬상 장치, 제조 장치 및 방법
KR102746038B1 (ko) 2012-05-30 2024-12-24 소니그룹주식회사 촬상 소자, 촬상 장치, 제조 장치 및 방법
US11961861B2 (en) 2012-05-30 2024-04-16 Sony Group Corporation Image pickup element, image pickup device, manufacturing device and method
WO2013179972A1 (ja) * 2012-05-30 2013-12-05 ソニー株式会社 撮像素子、撮像装置、製造装置および方法
KR20200143513A (ko) * 2012-05-30 2020-12-23 소니 주식회사 촬상 소자, 촬상 장치, 제조 장치 및 방법
KR20230058729A (ko) * 2012-05-30 2023-05-03 소니그룹주식회사 촬상 소자, 촬상 장치, 제조 장치 및 방법
US11646339B2 (en) 2012-05-30 2023-05-09 Sony Group Corporation Image pickup element, image pickup device, manufacturing device and method
WO2020122032A1 (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 凸版印刷株式会社 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
JPWO2020122032A1 (ja) * 2018-12-13 2021-10-28 凸版印刷株式会社 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101923740B1 (ko) 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 및 전자 기기
CN109037251B (zh) 固态成像装置及其制造方法
KR20080049186A (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
CN112394428B (zh) 一种微透镜结构及其制作方法、显示器件
JP2008159748A (ja) 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子
KR100788596B1 (ko) 이미지 소자의 제조 방법
CN101419941B (zh) Cmos图像传感器装置及其形成方法
JP2006261211A (ja) マイクロレンズユニット、固体撮像素子、及びその製造方法
US7651884B2 (en) Method of fabricating a CMOS image sensor with micro lenses formed in a wiring layer
JP2005203526A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2009277885A (ja) 固体撮像素子の製造方法
KR100727267B1 (ko) 마이크로 렌즈를 구비한 이미지 소자 및 그 제조방법
JP6161295B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2007101661A (ja) マイクロレンズアレイおよびマイクロレンズアレイの製造方法
JP2006100764A (ja) 固体撮像装置ならびに固体撮像装置の製造方法
JP5003124B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子
JP4915135B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
KR100945869B1 (ko) Cmos이미지 센서의 마이크로 렌즈 및 그 제조 방법
CN100511646C (zh) 图像传感器的制造方法
KR100727269B1 (ko) 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법
JP2008218563A (ja) 固体撮像装置の製造方法
KR20250072089A (ko) 이미지 센서의 마이크로 렌즈 제조방법
KR20000044585A (ko) 높은 광감도를 갖는 이미지센서 제조방법
JP2007127981A (ja) マイクロレンズアレイおよびその形成方法、固体撮像素子、液晶表示装置、電子情報機器
JP2009044076A (ja) パターン形成方法および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091124

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120426

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120508

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120629

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120717