JP2008159580A - 高分子電解質膜の製造方法及び高分子電解質膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】<1>(i)高分子電解質を、該高分子電解質を溶解し得る有機溶媒に溶解して高分子電解質溶液を調製する工程;(ii)該高分子電解質溶液を、支持基材上に流延塗布して、高分子電解質膜中間体を得る工程;及び(iii)得られた高分子電解質膜中間体を洗浄溶媒で洗浄する工程;を含む、高分子電解質膜の製造方法において、
前記洗浄溶媒中の前記有機溶媒の濃度が2500重量ppm以下である製造方法。
<2>前記製造方法で得られる、前記有機溶媒の残留濃度が6000重量ppm以下である高分子電解質膜。
【選択図】なし
Description
前記MEAに用いられる高分子電解質膜の製造方法としては、通常溶液キャスト法(流延法)と呼ばれる手法が広範に用いられている。この溶液キャスト法とは、高分子電解質を溶媒に溶解させた溶液を支持基材上に流延塗布して塗布膜を得、該塗布膜から溶媒を除去して、支持基材上に高分子電解質膜を得る方法である。通常、塗布膜から溶媒を除去するには、加熱処理による溶媒の乾燥除去が用いられる。
塗布膜からの溶媒除去性を向上させる方法としては、加熱処理を施して溶媒を揮発除去した膜を、超音波を加えながら水に浸漬するという方法が提案されている(特許文献1参照)。
特許文献1で提案された方法では、超音波照射の作用により高分子電解質膜の表面が粗化しやすくなって、皺等の外観不良を助長し易いという恐れがあり、高分子電解質膜の特性が損なわれ易い。また、設備が煩雑になるといった問題もある。
本発明は、かかる状況に鑑みてなされたものであり、溶液キャスト法による高分子電解質膜の製造方法において、皺等の外観不良を十分防止し得る製造方法を提供することを目的とする。さらに、このような製造方法により得られる燃料電池に好適な高分子電解質膜を提供することを目的とする。
即ち、本発明は、下記<1>を提供するものである。
<1>(i)イオン交換基を有するイオン伝導性高分子を含む高分子電解質を、該高分子電解質を溶解し得る有機溶媒に溶解して高分子電解質溶液を調製する調製工程、
(ii)前記(i)で得られた高分子電解質溶液から溶液キャスト法にて、前記イオン伝導性高分子を含有してなる高分子電解質膜中間体を得る塗布工程、
(iii)前記(ii)で得られた高分子電解質膜中間体を洗浄溶媒に接触させて洗浄する洗浄工程
を有する高分子電解質膜の製造方法であって、洗浄工程(iii)にて高分子電解質中間体と接触している洗浄溶媒中の前記有機溶媒の濃度が2500重量ppm以下であることを特徴とする、高分子電解質膜の製造方法。
<2>前記塗布工程(ii)が、高分子電解質溶液を支持基材上に流延塗布した後、加熱処理を施して、高分子電解質膜中間体を支持基材上に得る工程である、<1>の高分子電解質膜の製造方法。
<3>前記高分子電解質溶液が、101.3kPaにおける沸点が150℃以上の有機溶媒を少なくとも1種含むことを特徴とする、<1>又は<2>の高分子電解質膜の製造方法。
<4>前記イオン伝導性高分子が、主鎖を構成する芳香環を有し、且つ主鎖を構成する芳香環に直接結合したイオン交換基又は他の原子もしくは原子団を介して間接的に結合したイオン交換基を有することを特徴とする、<1>〜<3>のいずれかの高分子電解質膜の製造方法。
<5>前記イオン伝導性高分子が、主鎖を構成する芳香環を有し、さらに芳香環を側鎖に有してもよく、主鎖を構成する芳香環または側鎖にある芳香環の少なくともどちらかの芳香環にイオン交換基が直接結合している高分子であることを特徴とする、<1>〜<3>のいずれかの高分子電解質膜の製造方法。
<6>前記イオン伝導性高分子が、下記式(1a)、(2a)、(3a)及び(4a)[以下、「(1a)〜(4a)」のように略称することがある。]
(式中、Ar1〜Ar9は、互いに独立に、主鎖を構成する芳香環を有し、さらに芳香環を側鎖に有してもよい2価の芳香族基を表し、主鎖を構成する芳香環又は側鎖にある芳香環の少なくともどちらかの芳香環に直接結合したイオン交換基を有する。Z、Z’は互いに独立にカルボニル基(−CO−)又はスルホニル基(−SO2−)を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基(−O−)又はチオキシ基(−S−)を表す。Yは直接結合もしくは下記式(100)で示される基を表す。pは0、1又は2を表し、q、rは互いに独立に1、2又は3を表す。)
から選ばれるイオン交換基を有する構造単位1種以上と、
下記式(1b)、(2b)、(3b)及び(4b)[以下、「(1b)〜(4b)」のように略称することがある。]
(式中、Ar11〜Ar19は、互いに独立に、置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表す。Z、Z’は互いに独立にカルボニル基(−CO−)又はスルホニル基(−SO2−)を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基(−O−)又はチオキシ基(−S−)を表す。Yは直接結合もしくは下記式(100)で示される基を表す。p’は0、1又は2を表し、q’、r’は互いに独立に1、2又は3を表す。)
から選ばれるイオン交換基を有さない構造単位1種以上とを有することを特徴とする、<1>〜<5>のいずれかの高分子電解質膜の製造方法。
(式中、Ra及びRbは互いに独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリールオキシ基又は置換基を有していてもよい炭素数2〜20のアシル基を表し、RaとRbが連結してそれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。)
<7>前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基を有するブロック(A)と、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)とを、それぞれ一つ以上有し、共重合様式がブロック共重合又はグラフト共重合の共重合体であることを特徴とする、<1>〜<6>のいずれかの高分子電解質膜の製造方法。
<8>前記イオン伝導性高分子が、前記イオン交換基を有するブロック(A)として、イオン交換基が主鎖を構成する芳香環に直接結合しているブロックを有することを特徴とする、<7>の高分子電解質膜の製造方法。
<9>前記イオン伝導性高分子が、前記イオン交換基を有するブロック(A)として、下記式(4a’)で表されるブロックを有し、
(式中、Ar9は前記式(4a)と同義であり、mは当該ブロックを構成する構造単位の重合度を表す。)
且つ前記イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)として、下記式(1b’)、(2b’)及び(3b’)
(式中、Ar11〜Ar18は互いに独立に2価の芳香族基を表し、ここでこれらの2価の芳香族基は、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数6〜20のアリールオキシ基または炭素数2〜20のアシル基で置換されていてもよい。nは当該ブロックを構成する構造単位の重合度を表す。その他の符号は、前記式(1b)〜(3b)と同義である。)
で表されるブロックから選ばれる1種以上を有することを特徴とする、<7>又は<8>の高分子電解質膜の製造方法。
<10>前記高分子電解質膜が、少なくとも2つ以上の相にミクロ相分離した構造を有する高分子電解質膜であることを特徴とする、<8>又は<9>の高分子電解質膜の製造方法。
<11>前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基を有するブロック(A)と、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)とをそれぞれ一つ以上有し、共重合様式がブロック共重合又はグラフト重合の共重合体であり、且つ、前記高分子電解質膜が、イオン交換基を有するブロック(A)の密度がイオン交換基を実質的に有さないブロック(B)の密度より高い相と、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)の密度がイオン交換基を有するブロック(A)の密度より高い相とを含むミクロ相分離構造を有することを特徴とする、<10>の高分子電解質膜の製造方法。
<12>前記イオン交換基がスルホン酸基であることを特徴とする、<1>〜<11>のいずれかの高分子電解質膜の製造方法。
<13>前記イオン伝導性高分子が、元素重量組成比で表して、ハロゲン原子が15重量%以下の炭化水素系イオン伝導性高分子であることを特徴とする、<1>〜<12>のいずれかの高分子電解質膜の製造方法。
<14>前記<1>〜<13>のいずれかの製造方法で得られることを特徴とする、高分子電解質膜。
<15>前記高分子電解質膜における前記有機溶媒の含有量が、当該高分子電解質膜の総重量に対して6000重量ppm以下であることを特徴とする、<14>の高分子電解質膜。
<16>イオン交換基を有するイオン伝導性高分子を含む高分子電解質からなる高分子電解質膜であって、前記高分子電解質膜における前記高分子電解質を溶解し得る有機溶媒の含有量が、当該高分子電解質膜の総重量に対して6000重量ppm以下であることを特徴とする、高分子電解質膜。
また、本発明は前記いずれかの高分子電解質膜を有する膜電極接合体(MEA)、該MEAを備えた燃料電池を提供する。
前記高分子電解質膜中間体は、前記イオン伝導性高分子を含有してなり、さらに前記高分子電解質溶液で使用した可溶有機溶媒を含有するものである。前記洗浄工程(iii)は、前記塗布工程(ii)を経て得られた高分子電解質膜中間体から、前記可溶有機溶媒を除去する工程であり、前記高分子電解質膜中間体と洗浄溶媒とを接触させることで、この高分子電解質膜中間体から前記可溶有機溶媒が、前記洗浄溶媒中に抽出される。このようにして、洗浄溶媒中の可溶有機溶媒の濃度が上昇するが、本発明は、洗浄工程(iii)を通じて、高分子電解質膜中間体に接触している洗浄溶媒中の可溶有機溶媒の濃度が、2500重量ppm以下になるようにすることで、好ましくは洗浄工程(iii)を通じて、高分子電解質中間体と接触している洗浄溶媒中の可溶有機溶媒の濃度が、2500重量ppm以下に維持することで、該高分子電解質膜中間体からの可溶有機溶媒の除去が効率的に実施できることを見出したものである。
ここで、前記洗浄溶媒について簡単に説明しておく。該洗浄溶媒は既述のように、洗浄工程(iii)の過程で、含有される前記可溶有機溶媒の濃度が変動する。まず、前記高分子電解質膜中間体に接触させる前の洗浄溶媒(以下、「初期洗浄溶媒」と呼ぶことがある。)は、該可溶有機溶媒とは違う溶媒であって、該可溶有機溶媒を抽出し易いものが採用される。この初期洗浄溶媒は、適用したイオン伝導性高分子の種類によって適宜好適なものを選択することができる。前記洗浄溶媒とは、このような初期洗浄溶媒、および洗浄工程(iii)において、前記高分子電解質膜中間体から可溶有機溶媒が、初期洗浄溶媒に抽出されてなる溶媒も含む概念である。
したがって、本発明は皺等を極めて良好に抑制し得る、可溶有機溶媒含有量が6000重量ppm以下の高分子電解質膜を簡便に製造する製造方法、及び該製造方法で得られる高分子電解質膜を提供しようとするものである。
イオン伝導性高分子とは、イオン交換基を有する高分子であって、燃料電池のイオン伝導膜として用いたときに、イオン伝導性を発現する程度にイオン交換基を有する高分子を意味する。特にプロトン伝導性を発現するイオン交換基(プロトン交換基)を有する高分子であると好ましく、そのようなイオン交換基としては、スルホン酸基(−SO3H)、ホスホン酸基(−PO3H2)、リン酸基(−OPO3H2)、スルホニルイミド基(−SO2−NH−SO2−)、カルボキシル基(−COOH)に代表されるプロトン交換基が挙げられる。これらプロトン交換基の中でも、特にスルホン酸基が好ましい。なお、本発明の製造方法において、これらのプロトン交換基が、部分的にあるいは全てが金属イオンなどで交換されて塩を形成しているイオン伝導性高分子を用いてもよいが、目的とする皺等をより良好に抑制するためには、実質的に全てのプロトン交換基が遊離酸の状態であるイオン伝導性高分子を用いることが好ましい。また、実質的に全てのプロトン交換基が遊離酸の状態であるイオン伝導性高分子は、燃料電池に適用する際にも有利である。
炭化水素系イオン伝導性高分子は、典型的にはフッ素等のハロゲン原子を全く含まないものであるが、部分的にフッ素原子を有していてもよい。ただし、コストから見た場合、実質的にフッ素原子を含まないものであると、フッ素系イオン伝導性高分子と比較して安価であるという利点を有する。より好適には、イオン伝導性高分子を構成する元素重量組成比で表して、フッ素原子等のハロゲン原子が15重量%以下であることが好ましい。
さらに耐熱性の観点からは、主鎖に芳香族環を有する芳香族炭化水素系高分子にイオン交換基を有する炭化水素系イオン伝導性高分子が好ましい。
(式中、Ar1〜Ar9は、互いに独立に、主鎖を構成する芳香環を有し、さらに芳香環を側鎖に有してもよい2価の芳香族基を表し、主鎖を構成する芳香環又は側鎖にある芳香環の少なくともどちらかの芳香環に直接結合したイオン交換基を有する。Z、Z’は互いに独立にカルボニル基(−CO−)又はスルホニル基(−SO2−)を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基(−O−)又はチオキシ基(―S−)を表す。Yは直接結合もしくは前記式(100)で表される基を表す。pは0、1又は2を表し、q、rは互いに独立に1、2又は3を表す。)
(式中、Ar11〜Ar19は、互いに独立に、置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表す。Z、Z’は互いに独立にカルボニル基(−CO−)又はスルホニル基(−SO2−)を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基(−O−)又はチオキシ基(―S−)を表す。Yは直接結合もしくは前記式(100)で表される基を表す。p’は0、1又は2を表し、q’、r’は互いに独立に1、2又は3を表す。)
アルキル基としてはメチル基、エチル基が挙げられ、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基が挙げられ、アリール基としてはフェニル基、ナフチル基が挙げられ、アリールオキシ基としては、フェノキシ基、ナフチルオキシ基が挙げられ、アシル基としてはアセチル基、プロピオニル基が挙げられる。該置換基としては、それを構成する炭素原子数が少ないものが好適である。
一方、「イオン交換基を実質的に有しないブロック」とは、かかるブロックを構成する構造単位1個あたりに、イオン交換基が平均0.5個未満有するセグメントであることを意味し、構造単位1個あたりで平均0.1個以下であるとより好ましく、平均0.05個以下であるとさらに好ましい。
(式中、Ar9、mは前記と同義である。)
式(4a’)において、その重合度mの好適な範囲は、前記に説明したとおりである。
なお、前記に例示した炭化水素系イオン伝導性高分子では、該炭化水素系イオン伝導性高分子を構成する構造単位1個あたりにあるフッ素原子で換算して、0.05個未満であるとよい。フッ素原子を含む炭化水素系イオン伝導性高分子を用いた場合、例えば燃料電池に適用したときに、その作動中にフッ化水素が発生し、燃料電池部材を腐食する虞があり、かかるフッ化水素が発生しない条件下で、高分子電解質膜を製造する必要があることから、かかる製造が煩雑になることがある。
また、同じ理由において、前記高分子電解質溶液の調製に使用される高分子電解質として、フッ素系イオン伝導性高分子および炭化水素系イオン伝導性高分子を混合して使用する場合にも、当該高分子電解質総量に対して、フッ素の含有重量比は15重量%以下であると好ましい。
(r=1〜2.5、s=0〜0.5、構造単位の添え字数字は構造単位のモル分率を示す。)
(r=1〜2.5、s=0〜0.5、構造単位の添え字数字は構造単位のモル分率を示す。)
で示されるホスホン酸基含有ポリマーを安定化剤として含有することができる。なお、上式において「−(P(O)(OH)2)r」及び「−(Br)s」の表記は、ビフェニリレンオキシ単位当たりに、ホスホン酸基が平均r個あり、ブロモ基が平均s個あることを意味する。
添加する安定化剤含有量は、高分子電解質膜中のイオン伝導性高分子に係るイオン伝導性や膜の機械強度等を損なわない範囲で選ばれるが、好適には高分子電解質膜総重量に対して20重量%以内である、この範囲であると、高分子電解質膜のイオン伝導性等の特性が維持され、かつ該安定化剤の効果が発現しやすいため好ましい。
まず、調製工程(i)において高分子電解質溶液を調製する。ここで高分子電解質を溶解し得る有機溶媒(可溶有機溶媒)としては、具体的には、少なくとも一種以上のイオン伝導性高分子を高分子電解質溶液とし得るものであれば特に制限は無い。
前記可溶有機溶媒とは、得られる高分子電解質溶液の濃度として、1重量%以上の高分子電解質を溶解し得る有機溶媒であり、5〜50重量%で高分子電解質を溶解し得る有機溶媒であると好ましく、イオン伝導性高分子以外の高分子(他の高分子)や添加剤等を併用する場合、これら他の高分子及び添加剤を併せて溶解し得る有機溶媒が好ましい。
このように高分子電解質溶液の調製に使用される可溶有機溶媒としては、非プロトン性極性溶媒が好ましいが、高分子電解質溶液を得る際には、他の溶媒を混合して使用することもできる。該他の溶媒としては、高分子電解質に対する溶解度が前記の範囲であって、前記初期洗浄溶媒に溶解し得るものが好ましく、具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコール類やアルキレングリコールモノアルキルエーテル類等が挙げられる。このように、可能有機溶媒は、高分子電解質を溶解できることから、該高分子電解質に対して親和性が高く、結果として通常の加熱処理等では除去することが極めて困難であるところ、本発明の製造方法によれば、このような可溶有機溶媒を、効率よく除去することを可能とする。また、後述する好適な初期洗浄溶媒には比較的難溶であるが、洗浄工程(iii)の前に加熱処理を行うことにより、蒸散除去し易い溶媒を、前記可溶有機溶媒に混合して、前記高分子電解質溶液を調製してもよい。このような溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒を挙げることができる。
樹脂フィルムからなる支持基材としては、ポリオレフィン系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリイミド系フィルム、フッ素樹脂系フィルム等が挙げられる。中でもポリエステル系フィルムやポリイミド系フィルムは、耐熱性、耐寸法安定性、耐溶剤性等に優れるため好ましい。ポリエステル系フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、芳香族ポリエステル等からなるものが挙げられ、中でもポリエチレンテレフタレートからなるフィルムは前記諸特性に留まらず、汎用性やコスト面からも、工業的に好ましいものである。
洗浄工程(iii)に用いる初期洗浄溶媒としては、水あるいは水と低級アルコール(炭素数1〜3の1級アルコール)との混合溶媒が好ましい。該初期洗浄溶媒に、前記可溶有機溶媒が抽出されたとき、その可溶有機溶媒濃度が2500重量ppm以下の範囲となるようにする。中でも、後処理が容易であることやコストの面でも水を初期洗浄溶媒として用いることが好ましい。
なお、水を初期洗浄溶媒として用いる場合、かかる水は金属イオン成分が含まれていないものが好ましく、通常イオン交換水、純水あるいは超純水から、25℃における抵抗率が17MΩ・cm以上となる水を選択して、用いることが好ましい。このような抵抗率を呈する水は、市販の純水製造装置等を用いれば、容易に入手することが可能である。
用いた支持基材が枚葉である場合は、前記初期洗浄溶媒を入れた洗浄槽を準備し、かかる洗浄槽に高分子電解質膜中間体と支持基材とからなる積層フィルムを入れ、該積層フィルムが初期洗浄溶媒に十分接触するように浸漬せしめ、所定時間後に該洗浄槽から該積層フィルムを取り出すといった一連の操作で実施することができる。また、このような洗浄工程(iii)の前に、予備加熱処理を行う場合は、例えば、洗浄を行う前の積層フィルムを熱風オーブン中に所定時間保管するといった操作を実施すればよい。
また、支持基材が連続状のフィルムである場合は、前記のような高分子電解質膜中間体と支持基材とからなる連続状の積層フィルムを、前記初期洗浄溶媒を入れた洗浄槽に該高分子電解質中間体が洗浄溶媒に所定時間接触するように走行させることで実施することができる。また、このような洗浄工程(iii)の前に、予備加熱処理を行う場合は、塗布工程(ii)に係る塗工機と、洗浄工程(iii)に係る洗浄槽の間に乾燥炉を設け、該塗工機により高分子電解質溶液が塗布されてなる、高分子電解質膜中間体と支持基材とからなる積層フィルムが、該乾燥炉の中を走行するようにして、予備加熱処理を行えばよい。
また、該連続式洗浄を適用する場合、洗浄溶媒中の可溶有機溶媒濃度を2500重量ppm以下に維持するために、連続状の積層フィルムを浸漬している洗浄槽中の洗浄溶媒に、新たに初期洗浄溶媒を、逐時的又は連続的に追加投入して、該洗浄槽から洗浄溶媒をオーバーフローさせることで、該洗浄槽にある洗浄溶媒中の可溶有機溶媒濃度を低減化させることもできる。また、このように初期洗浄溶媒の追加投入、洗浄槽中の洗浄溶媒オーバーフローは連続的に行うことにより、高分子電解質膜中間体と接触している洗浄溶媒中の可溶有機溶媒濃度を安定的に2500重量ppm以下で維持することもできるし、洗浄槽に可溶有機溶媒濃度監視用のセンサを備えた場合、かかるセンサによって求められた可溶有機溶媒濃度からの自動制御で、新たに投入される初期洗浄溶媒の量を調節することもできる。このようなセンサの典型的な例としては、例えば初期洗浄溶媒として純水を使用する場合、導電率測定用電極をセンサとして用いることができる。すなわち、洗浄槽中にある洗浄溶媒に、導電率測定用電極を設置して、導電率を測定することにより、洗浄溶媒中の可溶有機溶媒濃度を求めることができる。
また、バッチ式洗浄、連続式洗浄に使用する洗浄槽は、高分子電解質膜中間体または支持基材が著しく損傷しない範囲であれば、該洗浄槽にある洗浄溶媒を攪拌する装置を備えていてもよい。
また、かかるイオン伝導膜として使用される場合、ハンドリング性に優れ、当該イオン伝導膜に所望の形状・寸法を確保した電極触媒層を形成し易い効果も期待できる。
従って本発明の製造方法により製造された高分子電解質膜は、高機能型の固体高分子型燃料電池用イオン伝導膜として、極めて有用である。
なお、燃料電池を組み立てる際は、該高分子電解質膜は必要に応じて、乾燥処理等を施して含有されている水分を除去して使用することが好ましい。
燃料電池は、イオン伝導膜、通常プロトン伝導膜の両面に、触媒成分および集電体としての導電性物質を接合することにより製造することができ、該イオン伝導性膜として、本発明の製造方法にて得られた高分子電解質膜は好適に使用することができる。
ここで触媒成分としては、水素又は酸素との酸化還元反応を活性化できるものであれば特に制限はなく、公知のものを用いることができるが、白金又は白金系合金の微粒子を用いることが好ましい。白金又は白金系合金の微粒子は、しばしば活性炭や黒鉛などの粒子状又は繊維状のカーボンに担持されて用いられる。
また、カーボンに担持された白金を、高分子電解質としてのパーフルオロアルキルスルホン酸樹脂のアルコール溶液と共に混合してペースト化したものを、ガス拡散層及び/又はイオン伝導膜に塗布・乾燥することにより触媒層が得られる。具体的な方法としては例えば、J. Electrochem. Soc.: Electrochemical Science and Technology, 1988, 135(9), 2209 に記載されている方法等の公知の方法を用いることができる。
集電体としての導電性物質に関しても公知の材料を用いることができるが、多孔質性のカーボン織布、カーボン不織布またはカーボンペーパーが、原料ガスを触媒へ効率的に輸送するために好ましい。
このようにして製造された燃料電池は、燃料として水素ガス、改質水素ガス、メタノールを用いる各種の形式で使用可能である。
測定に供する高分子電解質膜を、加熱温度105℃に設定されたハロゲン水分率計を用いて恒量になるまで乾燥させ、乾燥重量を求めた。次いで、この高分子電解質膜を0.1mol/L水酸化ナトリウム水溶液5mLに浸漬した後、さらに50mLのイオン交換水を加え、2時間放置した。その後、この高分子電解質膜が浸漬された溶液に、0.1mol/Lの塩酸を徐々に加えることで滴定を行い、中和点を求めた。そして、高分子電解質膜の乾燥重量と前記の中和に要した塩酸の量から、高分子電解質膜のイオン交換容量(単位:meq/g、以下「IEC」と呼ぶ。)を算出した。
高分子電解質膜中に残存する可溶有機溶媒量(残留溶媒量)の測定、および洗浄溶媒中の可溶有機溶媒量(洗浄溶媒中可溶有機溶媒量)の測定は下記のようにして行った。
なお、本実施例において、高分子電解質膜の残留溶媒量は、該高分子電解質膜を予めジメチルホルムアミドに溶解して測定した。また洗浄溶媒中可溶有機溶媒量は、洗浄溶媒をそのまま測定に供した。
GC-MS装置 : QP−5000(島津製作所社製)
解析方法 :予め、可溶有機溶媒に使用した溶媒の標準溶液を調製し、該標準溶液の設定濃度(mg/L)を横軸、ピーク面積値を縦軸とした検量線を作成する。次の計算式を用いて高分子電解質膜中の残留溶媒量を算出する。
得られた高分子電解質膜を支持基材から剥離し、20cm×40cmのサイズでサンプルを切り出し、切り出した地点から巻出し方向へ3m毎離れた地点で、先に切り出したサンプルと同じ20cm×40cmのサイズで1枚づつ合計3枚切り出した。この切出した高分子電解質膜サンプルにおいて、目視で認められる皺等の不良個数を測定し平均値を算出した。この値が高いものほど外観が不良であり、値が低いほど外観が良好であることを意味する。
イオン交換容量測定の場合と同様に、ハロゲン水分率計を用い、重量が恒量となるまで105℃で乾燥させ、高分子電解質膜の乾燥重量を求めた。次いで、80℃の温水に2時間この膜を浸漬して取り出し、付着水分をふいて除去し、吸水重量を求めた。そして、この吸水重量と乾燥重量とから含水率を求めた。
アルゴン雰囲気下、共沸蒸留装置を備えたフラスコに、DMSO142.2重量部、トルエン55.6重量部、2,5−ジクロロベンゼンスルホン酸ナトリウム5.7重量部、末端クロロ型である下記ポリエーテルスルホン(下記式、住友化学製スミカエクセルPES5200P)
2.1重量部、2,2’−ビピリジル9.3重量部を入れて攪拌した。その後バス温を100℃まで昇温し、減圧下でトルエンを加熱留去することで系内の水分を共沸脱水した後、65℃に冷却後、常圧に戻した。次いで、これにビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)15.4重量部を加え、70℃に昇温し、同温度で5時間攪拌した。放冷後、反応液を大量のメタノールに注ぐことによりポリマーを析出させ濾別した。その後6mol/L塩酸水溶液による洗浄・ろ過操作を数回繰り返した後、濾液が中性になるまで水洗を行い、減圧乾燥することにより目的とする下記ポリアリーレン系ブロック共重合体3.0重量部を得た。IECは2.2meq/gであり、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー(GPC)法で求められたポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)は103000、重量平均分子量(Mw)は257000であった。これをBCP−1とする。なお、n、mはそれぞれのブロックを構成する繰り返し構造のブロック共重合体中の重合度を示す。
特開2006−66391号公報段落[0058]〜[0059]に記載のAD−2の製造方法と同様にして、下図に示すホスホン酸基含有ポリマー(下図においてビフェニルオキシ単位1個当たりにある平均ホスホン基数rは1.6個であり、平均臭素原子数sは0.1個以下であった。)を得た。これをAD−1とする。
溶液キャスト製膜について、連続乾燥炉を用いて行った。合成例1で得られたブロック共重合体BCP−1と合成例2で得られたホスホン酸基含有ポリマーAD−1との混合物(重量比 BCP−1:AD−1=90:10)をDMSOに溶解して、該混合物の濃度が10重量%の高分子電解質溶液1を調製した。得られた高分子電解質溶液1を、スロットダイを用いて、支持基材(巾300mm、長さ500mのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡績社製、E5000グレード))に連続的に流延塗布して、連続的に乾燥炉へと入れていき、溶媒を除去して高分子電解質膜中間体1(33μm)を前記支持基材上に得た。なお、乾燥条件は下記のとおりである。該高分子電解質膜中間体1に残存しているDMSO濃度は、該高分子電解質膜中間体1の総重量に対して約15重量%であった。
乾燥条件:温度60℃、時間66分
なお、上記乾燥条件において、温度とは連続乾燥炉の設定温度であり、時間とは、高分子電解質中間体と支持基材とからなる積層フィルムにある任意の1点が、連続乾燥炉に入炉した時点から、出炉した時点までの通過時間を表す。後述の製膜条件においても同様にして表記する。
溶液キャスト製膜について、連続乾燥炉を用いて行った。合成例1で得られたブロック共重合体BCP−1と合成例2で得られたホスホン酸基含有ポリマーAD−1との混合物(重量比 BCP−1:AD−1=90:10)をDMSOに溶解して、該混合物の濃度が10重量%の高分子電解質溶液2を調製した。得られた高分子電解質溶液2を、スロットダイを用いて、支持基材(巾300mm、長さ500mのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡績社製、E5000グレード))に連続的に流延塗布して、連続的に乾燥炉へと入れていき、溶媒を除去して高分子電解質膜中間体2(33μm)を前記支持基材上に得た。乾燥条件を下記に記す。該高分子電解質膜中間体2に残存しているDMSO濃度は、該高分子電解質膜中間体2の総重量に対して約15重量%であった。
乾燥条件:温度80℃、時間66分
製膜条件1で得られた高分子電解質膜中間体1を、2規定塩酸水溶液に2時間浸漬後、水を初期洗浄溶媒として用い、これに2時間浸漬した。浸漬後の洗浄溶媒をサンプリングしてDMSO濃度を求めたところ、2500重量ppmであった。洗浄溶媒から高分子電解質膜中間体を前記洗浄溶媒から取り出し、風乾した後、支持基材から剥離することで高分子電解質膜1を作製した。TEM観察の結果、ミクロ相分離構造をとっており、親水相と疎水相が共に連続相を形成していた。
初期洗浄溶媒である水の量を変更した以外は、実施例1と同様の操作を行って、高分子電解質膜中間体2を浸漬した。浸漬後の洗浄溶媒をサンプリングしてDMSO濃度を求めたところ、1000重量ppmであった。その後、実施例1と同様にして、取り出し、風乾、基材剥離を行い、高分子電解質膜2を作製した。TEM観察の結果、ミクロ相分離構造をとっており、親水相と疎水相が共に連続相を形成していた。
製膜条件1で得られた高分子電解質膜中間体1を用い、初期洗浄溶媒である水の量を変更した以外は、実施例1と同様の操作を行って、高分子電解質膜中間体1を浸漬した。浸漬後の洗浄溶媒をサンプリングしてDMSO濃度を求めたところ、500重量ppmであった。その後、実施例1と同様にして、取り出し、風乾、基材剥離を行い、高分子電解質膜3を作製した。TEM観察の結果、ミクロ相分離構造をとっており、親水相と疎水相が共に連続相を形成していた。
製膜条件2で得られた高分子電解質膜中間体2を用い、初期洗浄溶媒である水の量を変更した以外は、実施例1と同様の操作を行って、高分子電解質膜中間体2を浸漬した。浸漬後の洗浄溶媒をサンプリングしてDMSO濃度を求めたところ、50重量ppmであった。その後、実施例1と同様にして、取り出し、風乾、基材剥離を行い、高分子電解質膜4を作製した。TEM観察の結果、ミクロ相分離構造をとっており、親水相と疎水相が共に連続相を形成していた。
製膜条件2で得られた高分子電解質膜中間体2を用い、初期洗浄溶媒である水の量を変更した以外は、実施例1と同様の操作を行って、高分子電解質膜中間体2を浸漬した。浸漬後の洗浄溶媒をサンプリングしてDMSO濃度を求めたところ、5重量ppmであった。その後、実施例1と同様にして、取り出し、風乾、基材剥離を行い、高分子電解質膜4を作製した。TEM観察の結果、ミクロ相分離構造をとっており、親水相と疎水相が共に連続相を形成していた。
製膜条件2で得られた高分子電解質膜中間体2を用い、2規定硫酸水溶液に45分間処理後、水を初期洗浄溶媒として用い、連続的に洗浄した。最終洗浄槽の洗浄溶媒をサンプリングしてDMSO濃度を求めたところ、2重量ppmであった。洗浄溶媒から高分子電解質膜中間体を前記洗浄溶媒から取り出し、風乾した後、支持基材から剥離することで高分子電解質膜1を作製した。TEM観察の結果、ミクロ相分離構造をとっており、親水相と疎水相が共に連続相を形成していた。
製膜条件1で得られた高分子電解質膜中間体1を用い、初期洗浄溶媒である水の量を変更した以外は、実施例1と同様の操作を行って、高分子電解質膜中間体1を浸漬した。浸漬後の洗浄溶媒をサンプリングしてDMSO濃度を求めたところ、3000重量ppmであった。その後、実施例1と同様にして、取り出し、風乾、基材剥離を行い、高分子電解質膜5を作製した。TEM観察の結果、ミクロ相分離構造をとっており、親水相と疎水相が共に連続相を形成していた。
製膜条件2で得られた高分子電解質膜中間体2を用い、初期洗浄溶媒である水の量を変更した以外は、実施例1と同様の操作を行って、高分子電解質膜中間体2を浸漬した。浸漬後の洗浄溶媒をサンプリングしてDMSO濃度を求めたところ、5000ppmであった。その後、実施例1と同様にして、取り出し、風乾、基材剥離を行い、高分子電解質膜6を作製した。TEM観察の結果、ミクロ相分離構造をとっており、親水相と疎水相が共に連続相を形成していた。
Claims (18)
- (i)イオン交換基を有するイオン伝導性高分子を含む高分子電解質を、該高分子電解質を溶解し得る有機溶媒に溶解して高分子電解質溶液を調製する調製工程、
(ii)前記(i)で得られた高分子電解質溶液から溶液キャスト法にて、前記イオン伝導性高分子を含有してなる高分子電解質膜中間体を得る塗布工程、
(iii)前記(ii)で得られた高分子電解質膜中間体を洗浄溶媒に接触させて洗浄する洗浄工程
を有する高分子電解質膜の製造方法であって、洗浄工程(iii)にて高分子電解質中間体と接触している洗浄溶媒中の前記有機溶媒の濃度が2500重量ppm以下であることを特徴とする、高分子電解質膜の製造方法。 - 前記塗布工程(ii)が、高分子電解質溶液を支持基材上に流延塗布した後、加熱処理を施して、高分子電解質膜中間体を支持基材上に得る工程である、請求項1記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 前記高分子電解質溶液が、101.3kPaにおける沸点が150℃以上の有機溶媒を少なくとも1種含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、主鎖を構成する芳香環を有し、且つ主鎖を構成する芳香環に直接結合したイオン交換基又は他の原子もしくは原子団を介して間接的に結合したイオン交換基を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、主鎖を構成する芳香環を有し、さらに芳香環を側鎖に有してもよく、主鎖を構成する芳香環又は側鎖にある芳香環の少なくともどちらかの芳香環にイオン交換基が直接結合している高分子であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、下記式(1a)、(2a)、(3a)及び(4a)
(式中、Ar1〜Ar9は、互いに独立に、主鎖を構成する芳香環を有し、さらに芳香環を側鎖に有してもよい2価の芳香族基を表し、主鎖を構成する芳香環又は側鎖にある芳香環の少なくともどちらかの芳香環に直接結合したイオン交換基を有する。Z、Z’は互いに独立にカルボニル基又はスルホニル基を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基又はチオキシ基を表す。Yは直接結合もしくは下記式(100)で示される基を表す。pは0、1又は2を表し、q、rは互いに独立に1、2又は3を表す。)
から選ばれるイオン交換基を有する構造単位1種以上と、
下記式(1b)、(2b)、(3b)及び(4b)
(式中、Ar11〜Ar19は、互いに独立に、置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表す。Z、Z’は互いに独立にカルボニル基又はスルホニル基を表し、X、X’、X”は互いに独立にオキシ基又はチオキシ基を表す。Yは直接結合もしくは下記式(100)で示される基を表す。p’は0、1又は2を表し、q’、r’は互いに独立に1、2又は3を表す。)
から選ばれるイオン交換基を有さない構造単位1種以上とを有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の高分子電解質膜の製造方法。
(式中、Ra及びRbは互いに独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜10のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリールオキシ基又は置換基を有していてもよい炭素数2〜20のアシル基を表し、RaとRbが連結してそれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。) - 前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基を有するブロック(A)と、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)とを、それぞれ一つ以上有し、共重合様式がブロック共重合又はグラフト共重合の共重合体であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、前記イオン交換基を有するブロック(A)として、イオン交換基が主鎖を構成する芳香環に直接結合しているブロックを有することを特徴とする、請求項7に記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、前記イオン交換基を有するブロック(A)として、下記式(4a’)で表されるブロックを有し、
(式中、Ar9は前記式(4a)と同義であり、mは、当該ブロックを構成する構造単位の重合度を表す。)
且つ前記イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)として、下記式(1b’)、(2b’)および(3b’)
(式中、Ar11〜Ar18は互いに独立に2価の芳香族基を表し、ここでこれらの2価の芳香族基は、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数6〜20のアリールオキシ基または炭素数2〜20のアシル基で置換されていてもよい。nは当該ブロックを構成する構造単位の重合度を表す。その他の符号は、前記式(1b)〜(3b)と同義である。)
で表されるブロックから選ばれる1種以上を有することを特徴とする、請求項7又は8に記載の高分子電解質膜の製造方法。 - 前記高分子電解質膜が、少なくとも2つ以上の相にミクロ相分離した構造を有する高分子電解質膜であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基を有するブロック(A)と、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)とをそれぞれ一つ以上有し、共重合様式がブロック共重合又はグラフト重合の共重合体であり、且つ、前記高分子電解質膜が、イオン交換基を有するブロック(A)の密度がイオン交換基を実質的に有さないブロック(B)の密度より高い相と、イオン交換基を実質的に有さないブロック(B)の密度がイオン交換基を有するブロック(A)の密度より高い相とを含むミクロ相分離構造を有することを特徴とする、請求項10記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、イオン交換基としてスルホン酸基を有することを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 前記イオン伝導性高分子が、元素重量組成比で表して、ハロゲン原子が15重量%以下の炭化水素系イオン伝導性高分子であることを特徴とする、請求項1〜12のいずれかに記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 請求項1〜13のいずれかに記載の製造方法で得られることを特徴とする、高分子電解質膜。
- 前記高分子電解質膜における前記有機溶媒の含有量が、当該高分子電解質膜の総重量に対して6000重量ppm以下であることを特徴とする、請求項14記載の高分子電解質膜。
- イオン交換基を有するイオン伝導性高分子を含む高分子電解質からなる高分子電解質膜であって、前記高分子電解質膜における前記高分子電解質を溶解し得る有機溶媒の含有量が、当該高分子電解質膜の総重量に対して6000重量ppm以下であることを特徴とする、高分子電解質膜。
- 請求項14〜16のいずれかに記載の高分子電解質膜を有する膜電極接合体。
- 請求項17記載の膜電極接合体を備えた燃料電池。
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