[go: up one dir, main page]

JP2008155274A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

ウエーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008155274A
JP2008155274A JP2006349914A JP2006349914A JP2008155274A JP 2008155274 A JP2008155274 A JP 2008155274A JP 2006349914 A JP2006349914 A JP 2006349914A JP 2006349914 A JP2006349914 A JP 2006349914A JP 2008155274 A JP2008155274 A JP 2008155274A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding pad
laser beam
wafer
via hole
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006349914A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoji Morikazu
洋司 森數
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2006349914A priority Critical patent/JP2008155274A/ja
Priority to CN200710194145XA priority patent/CN101211801B/zh
Priority to US12/002,036 priority patent/US20080153315A1/en
Publication of JP2008155274A publication Critical patent/JP2008155274A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • H10W20/023—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

【課題】ボンディングパッドに穴を開けることなくウエーハの基板にボンディングパッドに達するビアホールを形成することができるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、シリコン基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するウエーハの加工方法であって、ボンディングパッドの厚みが５μm以上に設定され、パルスレーザー光線は波長が３５５nmで１パルス当たりのエネルギー密度が２０〜３５J／cm2に設定されている。
【選択図】図５

Description

本発明は、基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。
装置の小型化、高機能化を図るため、複数の半導体チップを積層し、積層された半導体チップのボンディングパッドを接続するモジュール構造が実用化されている。このモジュール構造は、半導体ウエーハを構成する基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともに該デバイスにボンディングパッドが形成されており、このボンディングパッドが形成された箇所に基板の裏面側からボンディングパッドに達する細孔（ビアホール）を穿設し、このビアホールにボンディングパッドと接続するアルミニウム、銅等の導電性材料を埋め込む構成である。（例えば、特許文献１参照。）
特開２００３−１６３３２３号公報
上述した半導体ウエーハに形成されるビアホールは、一般にドリルによって形成されている。しかるに、半導体ウエーハに設けられるビアホールは直径が１００〜３００μmと小さく、ドリルによる穿孔では生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。しかも、上記ボンディングパッドの厚さは１μm程度であり、ボンディングパッドを破損することなくウエーハを形成するシリコン等の基板のみにビアホールを形成するためには、ドリルを極めて精密に制御しなければならない。
上記問題を解消するために本出願人は、基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともに該デバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを効率よく形成するウエーハの穿孔方法を特願２００５−２４９６４３号として提案した。
上述したウエーハの穿孔方法に用いるパルスレーザー光線は、ウエーハの基板は効率よく飛散加工(アブレーション加工)するがボンディングパッドは飛散加工されないエネルギー密度に設定することが望ましい。また、ウエーハの基板にボンディングパッドに達するビアホールを形成するためには、パルスレーザー光線を４０〜８０パルス照射する必要がある。このように、ウエーハの基板にパルスレーザー光線を４０〜８０パルス照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成すると、パルスレーザー光線の照射によって発生する熱が蓄積され、ボンディングパッドの厚さが１μm程度と薄いと溶融して穴が開くという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ボンディングパッドに穴を開けることなくウエーハの基板にボンディングパッドに達するビアホールを形成することができるウエーハの加工方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、シリコン基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、シリコン基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するウエーハの加工方法であって、
ボンディングパッドの厚みが５μm以上に設定され、
パルスレーザー光線は、波長が３５５nmで１パルス当たりのエネルギー密度が２０〜３５J／cm2に設定されている、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
上記ボンディングパッドは、金、ニッケル、チタン、タンタレート、コバルト、タングステン、銅のいずれかからなっていることが望ましい。
本発明によるウエーハの加工方法においては、パルスレーザー光線の１パルス当たりのエネルギー密度をシリコン基板は飛散加工するがボンディングパッドは飛散加工されない２０〜３５J／cm2に設定されているとともに、ボンディングパッドの厚みが５μm以上に設定されているので、ボンディングパッドに穴を開けることなくシリコン基板にはボンディングパッドに達するビアホールを形成することができる。
以下、本発明によるビアホールの加工方法について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図１には本発明によるビアホールの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハ２の斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚さが例えば１００μmのシリコンによって形成された基板２１の表面２１aに格子状に配列された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２３がそれぞれ形成されている。この各デバイス２３は、全て同一の構成をしている。デバイス２３の表面にはそれぞれ複数のボンディングパッド２４が形成されている。このボンディングパッド２４は、融点が高く熱吸収性が比較的低い金属である金（Au：融点１７６９℃）、ニッケル（Ni：融点１４５３℃）、チタン（Ti：融点１６６０℃）、タンタレート（Ta：融点２９９６℃）、コバルト（Co：融点１４９５℃）、タングステン（W：融点３４１０℃）、銅（Cu：融点１０８３℃）を用いることが望ましく、その厚みを５μm以上に設定する。なお、ボンディングパッドは一般に１μm程度のアルミニウム（Al：融点６６０℃）によって形成されているが、上述した融点が高く熱吸収性が比較的低い金属を蒸着等により積層して厚みを５μm以上に形成してもよい。
上記半導体ウエーハ２には、シリコン基板２１の裏面２１b側からパルスレーザー光線を照射しボンディングパッド２４に達するビアホールが穿設される。この半導体ウエーハ２のシリコン基板２１にビアホールを穿設するには、図２および図３に示すレーザー加工装置３を用いて実施する。図２および図３に示すレーザー加工装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り機構によって図２において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段３２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング３２１を含んでいる。ケーシング３２１内には図３に示すようにパルスレーザー光線発振手段３２２と出力調整手段３２３とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段３２２は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器３２２ａと、これに付設された繰り返し周波数設定手段３２２ｂとから構成されている。上記出力調整手段３２３は、パルスレーザー光線発振手段３２２から発振されたパルスレーザー光線の出力を所望の出力に調整する。これらパルスレーザー光線発振手段３２２および出力調整手段３２３は、図示しない制御手段によって制御される。上記ケーシング３２１の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ（図示せず）を収容した集光器３２４が装着されている。この集光器３２４は、上記パルスレーザー光線発振手段３２２から発振されたパルスレーザー光線を所定の集光スポット径に集光して、上記チャックテーブル３１に保持される被加工物に照射する。
図示のレーザー加工装置３は、上記レーザー光線照射手段３２を構成するケーシング３２１の先端部に装着された撮像手段３３を備えている。この撮像手段３３は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
以下、上記図２および図３に示すレーザー加工装置３を用いて上記図１に示す半導体ウエーハ２のシリコン基板２１にボンディングパッド２４に達するビアホールを形成するウエーハの加工方法について説明する。
先ず、図２に示すようにレーザー加工装置３のチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の表面２aを載置し、チャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、半導体ウエーハ２は、裏面２１bを上側にして保持される。
上述したように半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない加工送り機構によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、チャックテーブル３１上の半導体ウエーハ２は、所定の座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２に形成されている格子状のストリート２２がX方向とY方向に平行に配設されているか否かのアライメント作業を実施する。即ち、撮像手段３３によってチャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。このとき、半導体ウエーハ２のストリート２２が形成されている基板２１の表面２１ａは下側に位置しているが、撮像手段３３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、基板２１の裏面２１ｂから透かしてストリート２２を撮像することができる。
上述したアライメント作業を実施することにより、チャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２は、所定の座標位置に位置付けられたことになる。なお、半導体ウエーハ２のシリコン基板２１の表面２１aに形成されたデバイス２３に形成されている複数のボンディングパッド２４は、その設計上の座標位置が予めレーザー加工装置３の図示しない制御手段に格納されている。
上述したアライメント作業を実施したならば、図４に示すようにチャックテーブル３１を移動し、半導体ウエーハ２の基板２１に所定方向に形成された複数のデバイス２３における図４において最左端のデバイス２３を集光器３２４の直下に位置付ける。そして、図４において最左端のデバイス２３に形成された複数のボンディングパッド２４における最左端のボンディングパッド２４を集光器３２４の直下に位置付ける。
次に、レーザー光線照射手段３２を作動し集光器３２４からパルスレーザー光線を基板２１の裏面２１ｂ側から照射し、基板２１に裏面２１ｂからボンディングパッド２４に達するビアホールを形成するビアホール形成工程を実施する。このとき、パルスレーザー光線の集光スポットPを基板２１の裏面２１ｂ(上面)付近に合わせる。なお、照射するレーザー光線はシリコン基板２１に対して吸収性を有する波長(３５５ｎｍ)のパルスレーザー光線を用い、パルスレーザー光線の１パルス当たりのエネルギー密度はシリコン基板２１は飛散加工(アブレーション加工)するが金属からなるボンディングパッド２４は飛散加工されない２０〜３５J／cm2に設定することが望ましい。即ち、パルスレーザー光線の１パルス当たり２０J／cm2のエネルギー密度はシリコン基板を飛散加工可能な下限値であり、パルスレーザー光線の１パルス当たり３５J／cm2のエネルギー密度は金属からなるボンディングパッドが飛散加工されない上限値である。
１パルス当たりのエネルギー密度が３５J／cm2のパルスレーザー光線をシリコン基板２１の裏面２１ｂ側から照射すると、パルスレーザー光線１パルスによって２μmの深さの孔を形成することができる。従って、シリコン基板２１の厚さが１００μmの場合には、パルスレーザー光線を５０パルス照射することにより、図５に示すようにシリコン基板２１には裏面２１bから表面２１a即ちボンディングパッド２４に達するビアホール２５を形成することができる。なお、１パルス当たりのエネルギー密度が２０J／cm2のパルスレーザー光線を用いた場合には、厚さが１００μmの基板２１にパルスレーザー光線を８０パルス照射することにより、図５に示すように基板２１には裏面２１bから表面２１a即ちボンディングパッド２４に達するビアホール２５を形成することができる。
しかるに、上述したようにパルスレーザー光線の１パルス当たりのエネルギー密度をシリコン基板２１は飛散加工(アブレーション加工)するが金属からなるボンディングパッド２４は飛散加工されない２０〜３５J／cm2に設定しても、ボンディングパッド２４の厚みが従来のように１μm程度であると、シリコン基板２１の加工時に蓄積された熱とパルスレーザー光線の照射によってボンディングパッド２４が溶融して穴が開く。しかるに、図示の実施形態におけるボンディングパッド２４は、上述したように融点が高い金属で形成され、しかも厚みが５μm以上に設定されているので、上述したビアホール形成工程を実施しても穴が開くことはない。
厚さが１００μmのシリコン基板の表面に厚みが１μmのアルミニウムからなるボンディングパッドが形成されたウエーハに、アルミニウムからなるボンディングパッドの表面に厚みが５μmの金（Au）を蒸着によって積層した。このように形成したウエーハの裏面側から、下記の加工条件で上記ビアホール形成工程を実施した。
レーザー光線の光源 ：ＹＡＧレーザー
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：１０kHz
１パルス当たりのエネルギー密度：３５J／cm2
スポット径 ：φ８０μｍ
照射パルス数 ：５０パルス
この加工条件によって上記ビアホール形成工程を実施した結果、ボンディングパッドに穴を開けることなく、シリコン基板にボンディングパッドに達するビアホールを形成することができた。
本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 図２に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の構成ブロック図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるビアホール形成工程の説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるビアホール形成工程が実施されることによってビアホールが形成された半導体ウエーハの一部拡大断面図。
符号の説明
２：半導体ウエーハ
２１：半導体ウエーハの基板
２２：ストリート
２３：デバイス
２４：ボンディングパッド
２５：ビアホール
３：レーザー加工装置
３１：レーザー加工装置のチャックテーブル
３２：レーザー光線照射手段
３２４：集光器

Claims (1)

  1. シリコン基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、シリコン基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するウエーハの加工方法であって、
    ボンディングパッドの厚みが５μm以上に設定され、
    パルスレーザー光線は、波長が３５５nmで１パルス当たりのエネルギー密度が２０〜３５J／cm2に設定されている、
    ことを特徴とするウエーハの加工方法。
JP2006349914A 2006-12-26 2006-12-26 ウエーハの加工方法 Pending JP2008155274A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006349914A JP2008155274A (ja) 2006-12-26 2006-12-26 ウエーハの加工方法
CN200710194145XA CN101211801B (zh) 2006-12-26 2007-12-05 晶片加工方法
US12/002,036 US20080153315A1 (en) 2006-12-26 2007-12-14 Wafer processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006349914A JP2008155274A (ja) 2006-12-26 2006-12-26 ウエーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008155274A true JP2008155274A (ja) 2008-07-10

Family

ID=39543491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006349914A Pending JP2008155274A (ja) 2006-12-26 2006-12-26 ウエーハの加工方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20080153315A1 (ja)
JP (1) JP2008155274A (ja)
CN (1) CN101211801B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008073711A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Disco Abrasive Syst Ltd ビアホールの加工方法
US10210625B2 (en) * 2015-10-30 2019-02-19 Industrial Technology Research Institute Measurement system comprising angle adjustment module
DE102017223372A1 (de) * 2017-12-20 2019-06-27 Robert Bosch Gmbh Laserbondverfahren und mikromechanische Vorrichtung mit Laserbondverbindung
KR20230041142A (ko) 2021-09-16 2023-03-24 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305282A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体素子とその接続構造及び半導体素子を積層した半導体装置
US6715204B1 (en) * 1998-07-08 2004-04-06 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for producing the same
JP2004209541A (ja) * 2003-01-08 2004-07-29 Mitsubishi Materials Corp 半導体ウェハーの穴あけ加工方法
JP2004526575A (ja) * 2001-01-31 2004-09-02 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 半導体中への微細構造の紫外線レーザアブレーションパターニング方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784544B1 (en) * 2002-06-25 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor component having conductors with wire bondable metalization layers
US6903442B2 (en) * 2002-08-29 2005-06-07 Micron Technology, Inc. Semiconductor component having backside pin contacts
JP4357862B2 (ja) * 2003-04-09 2009-11-04 シャープ株式会社 半導体装置
KR100658905B1 (ko) * 2004-04-29 2006-12-15 한국표준과학연구원 반도체 나노 구조체 및 그 형성 방법
US7598167B2 (en) * 2004-08-24 2009-10-06 Micron Technology, Inc. Method of forming vias in semiconductor substrates without damaging active regions thereof and resulting structures
US7271482B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
JP2007067082A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの穿孔方法
US7772116B2 (en) * 2005-09-01 2010-08-10 Micron Technology, Inc. Methods of forming blind wafer interconnects
JP4787091B2 (ja) * 2006-06-27 2011-10-05 株式会社ディスコ ビアホールの加工方法
JP2008010659A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Disco Abrasive Syst Ltd ビアホールの加工方法
JP4951282B2 (ja) * 2006-07-11 2012-06-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5000944B2 (ja) * 2006-08-02 2012-08-15 株式会社ディスコ レーザー加工装置のアライメント方法
US7960825B2 (en) * 2006-09-06 2011-06-14 Megica Corporation Chip package and method for fabricating the same
JP5016876B2 (ja) * 2006-09-06 2012-09-05 株式会社ディスコ ビアホールの加工方法
JP2008068270A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2008073711A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Disco Abrasive Syst Ltd ビアホールの加工方法
JP2008073740A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Disco Abrasive Syst Ltd ビアホールの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6715204B1 (en) * 1998-07-08 2004-04-06 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for producing the same
JP2004526575A (ja) * 2001-01-31 2004-09-02 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 半導体中への微細構造の紫外線レーザアブレーションパターニング方法
JP2002305282A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体素子とその接続構造及び半導体素子を積層した半導体装置
JP2004209541A (ja) * 2003-01-08 2004-07-29 Mitsubishi Materials Corp 半導体ウェハーの穴あけ加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080153315A1 (en) 2008-06-26
CN101211801B (zh) 2011-01-26
CN101211801A (zh) 2008-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4599243B2 (ja) レーザー加工装置
JP4942313B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2007067082A (ja) ウエーハの穿孔方法
JP5969767B2 (ja) レーザー加工装置
TWI608531B (zh) Wafer processing method (2)
JP2005203541A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2014104484A (ja) レーザー加工装置
JP2008300475A (ja) ウエーハの分割方法
JP5000944B2 (ja) レーザー加工装置のアライメント方法
US20080053971A1 (en) Via hole machining method
JP2016025282A (ja) パッケージ基板の加工方法
JP4787091B2 (ja) ビアホールの加工方法
KR101530390B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP4917361B2 (ja) ビアホールの加工方法
JP2008186870A (ja) ビアホールの加工方法
JP6199659B2 (ja) パッケージ基板の加工方法
JP2020068316A (ja) ウェーハの加工方法
CN101211801B (zh) 晶片加工方法
JP2012195472A (ja) 非線形結晶基板のレーザー加工方法
JP2008068292A (ja) ビアホールの加工方法
JP2005142303A (ja) シリコンウエーハの分割方法および分割装置
JP2006289388A (ja) レーザー加工装置
JP2005088053A (ja) レーザー加工装置
JP6377428B2 (ja) ウエーハの加工方法およびレーザー加工装置
JP6000700B2 (ja) レーザー加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091116

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120306

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120501

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130108